專利名稱：發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種發(fā)光元件，具有內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)的透光粘結(jié)層。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光元件已廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域，例如，光學(xué)顯示裝置、激光二極 管、交通標(biāo)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置等。但 如何提高發(fā)光元件的發(fā)光效率，目前仍為一發(fā)展的重要課題。
如圖1所示，由Snell定律的關(guān)系可知，當(dāng)光在發(fā)光二極管內(nèi)行進(jìn)時(shí)， 只有在臨界角0c內(nèi)才可以被射出，超過此臨界角的入射光線會(huì)被全反射回 發(fā)光二極管內(nèi)而可能被吸收。換言之，當(dāng)發(fā)光二極管所發(fā)出的光由折射率高 的介質(zhì)進(jìn)入折射率低的介質(zhì)時(shí)，由發(fā)光二極管發(fā)光層所產(chǎn)生的光線，需在20c 角度所形成的圓錐范圍內(nèi)才可順利折射出發(fā)光二極管。也就是發(fā)光二極管所 發(fā)出的光由高折射率的發(fā)光二極管外延層進(jìn)入低折射率的環(huán)境中，例如基板
環(huán)境中，但有一部分入射角大于臨界角的入射光線被反射回發(fā)光二極管外延 層，且由于發(fā)光二極管外延層周圍皆為低介質(zhì)材料，因此部分光線經(jīng)由內(nèi)部 來回反射最后被完全吸收而消失。
已知的技術(shù)披露一種具有埋藏式微反射器的發(fā)光元件，其利用蝕刻技 術(shù)，將一發(fā)光元件的外延層蝕刻成一微反射結(jié)構(gòu)，此微反射結(jié)構(gòu)為半圓球形、 金字塔形、或角錐形，接著沉積金屬反射層于微反射結(jié)構(gòu)外延層上，再將微 反射結(jié)構(gòu)外延層的頂端與導(dǎo)電載體(硅芯片)接合在一起，之后，移除原先外 延層的不透光基板。通過此埋藏式微反射器，使得所有由發(fā)光層產(chǎn)生射向微 反射器的光線皆反射回外延層，并由垂直發(fā)光二極管出光面的方向射出，而 不會(huì)受到臨界角的限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在于提供發(fā)光元件包含內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)的透光粘結(jié)層。
本發(fā)明的一方面在于提供發(fā)光元件包含基板、發(fā)光疊層、以及內(nèi)含波長 轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及/或光散射結(jié)構(gòu)的透光粘結(jié)層形成于此發(fā)光元件的內(nèi)部或出光表面。
于本發(fā)明的一實(shí)施例，此波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包含至少 一種材料選自于藍(lán)色熒 光粉、黃色熒光粉、綠色熒光粉、紅色熒光粉、硒化鋅、硒化鎘鋅、碲化鋅、 III族磷化物、III族砷化物、以及III族氮化物所組成的組。
于本發(fā)明的另 一實(shí)施例，光散射結(jié)構(gòu)包含至少一種透光材料選自氧化銦
錫(ITO)、氧化鈦(Ti02)、氧化硅(SiO。、氮化硅(SiN)、氮化鋁(A1N)、以及 聚合物(polymer)所組成的組。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，此發(fā)光疊層包含散射表面鄰近于此透光粘結(jié) 層，并且，此透光粘結(jié)層位于此基板及此發(fā)光疊層之間。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的基板為透光基板，包含至少一種材料選 自于GaP、 SiC、 A1203、以及玻璃所組成的組。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的發(fā)光疊層，包含至少一種材料選自于 AlGalnP、 A1N、 GaN、 AlGaN、 InGaN、及AlInGaN所組成的組。
于本發(fā)明的另 一實(shí)施例，所述的透光粘結(jié)層包含至少一種材料選自于聚 酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、及氧化銦錫所組成的 組。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的散射表面為粗化面。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的粗化表面包含多個(gè)微凸起，這些微凸起 的剖面圖案包含至少一種圖案選自于半圓球形、金字塔形、及角錐形所組成 的組。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的粗化表面包含凹凸表面。 于本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中所述的發(fā)光疊層包含第一半導(dǎo)體層；發(fā)光 層；第二半導(dǎo)體層。所述的第一半導(dǎo)體形成于所述的基板上，并具有一散射
表面；所述的發(fā)光層形成于部分的所述的第一半導(dǎo)體層上；所述的第二半導(dǎo)
體層形成于所述的發(fā)光層上。
于本發(fā)明的另 一實(shí)施例，所述的第二半導(dǎo)體層具有另 一散射表面。 于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的發(fā)光元件包含第一電極及第二電極。所
述的第一電極形成于所述的第一半導(dǎo)體層上，并且所述的第二電極形成于所
述的第二半導(dǎo)體層上。
于本發(fā)明的另 一 實(shí)施例，所述的發(fā)光元件包含第 一透光導(dǎo)電層形成于所 述的第一電極及第一半導(dǎo)體層之間；以及第二透光導(dǎo)電層于所述的第二電極 及第二半導(dǎo)體層之間。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的發(fā)光元件包含第一電極及第二電極分別 形成于所述的發(fā)光疊層的上表面及所述的基板的下表面。
于本發(fā)明的另 一實(shí)施例，所述的發(fā)光元件包含第 一透光導(dǎo)電層形成于所 述的第一電極及所述的發(fā)光疊層之間以及第二透光導(dǎo)電層形成于所述的第 二電極及所述的基板之間。
于本發(fā)明的另 一 實(shí)施例，所述的透光導(dǎo)電層的材料包含選自氧化銦錫、 氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁、氧化鋅錫、金、以及鎳/金所構(gòu)成組中的至 少 一種材料或其它可代替的材料。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的發(fā)光疊層及透光粘結(jié)層具有相異的折射 率，以提高光取出效率進(jìn)而改善發(fā)光效率。
圖1為說明Snell定律的示意圖； 圖2為符合本發(fā)明的光場示意圖； 圖3為示意圖，揭示符合本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖4為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖5為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖6為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖7為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖8為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖9A為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖9B為示意圖，揭示符合本發(fā)明另 一 實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖10為示意圖，揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件； 圖11A及11B為示意圖，揭示運(yùn)用本發(fā)明發(fā)光元件的封裝結(jié)構(gòu)； 圖11C為示意圖，揭示運(yùn)用本發(fā)明發(fā)光元件的顯示裝置。
主要元件符號說明100、200、 300、 510、 611發(fā)光元件
110、112基板
110a、110b、 122、 136a散射表面
120透光粘結(jié)層121波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)
123光散射結(jié)構(gòu)130發(fā)光疊層
132第一半導(dǎo)體層134發(fā)光層
136第二半導(dǎo)體層140第一電極
150第二電極180第一透光導(dǎo)電層
190第二透光導(dǎo)電層500封裝結(jié)構(gòu)
520載板530電路裝置
540連接線600顯示裝置
610發(fā)光裝置620散光裝置
630液晶裝置640濾光裝置
具體實(shí)施例方式
圖2為根據(jù)本發(fā)明的光場示意圖，當(dāng)由發(fā)光層13產(chǎn)生的光線1A射向散 射表面S時(shí)，光線1A的一部分折射穿過基板形成光場1B,光線1A的另一 部分被散射表面散射成光場1C。經(jīng)過散射表面S散射后，被導(dǎo)回發(fā)光層13 的散射光線，如果在臨界角范圍內(nèi)，可直接經(jīng)由發(fā)光層表面取出，進(jìn)而提高 光摘出效率。如果導(dǎo)回發(fā)光層13的散射光線大于臨界角，會(huì)再經(jīng)過散射表 面S的散射而改變射向發(fā)光層的入射角。因此，無論經(jīng)過多少次的全反射， 經(jīng)過散射表面S散射后，即可增加光取出的機(jī)率，進(jìn)而改善光取出效率。
圖3揭示符合本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光元件剖面示意圖。發(fā)光元件100包 含基板110、透光粘結(jié)層120、發(fā)光疊層130、第一電極140、以及第二電極 150。于一實(shí)施例中，基板110為透光基板，其材料可為選自于GaP、 SiC、 A1203、及玻璃所構(gòu)成組中的至少一種。透光粘結(jié)層120形成于基板IIO上， 其材料可為非晶質(zhì)或軟質(zhì)透光材料，例如選自于聚酰亞胺(PI)、笨并環(huán)丁烯 (BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、及氧化銦錫所構(gòu)成組中的至少一種。發(fā)光疊層 130包含第一半導(dǎo)體層132、發(fā)光層134、以及第二半導(dǎo)體層136。其中，發(fā) 光疊層130的折射率不同于透光粘結(jié)層120的折射率。第一半導(dǎo)體層132通
過透光粘結(jié)層120與基板110接合，并具有散射表面122鄰近于透光粘結(jié)層 120。第一半導(dǎo)體層132、發(fā)光層134、以及第二半導(dǎo)體層136的材料可為選 自于AlGalnP、 A1N、 GaN、 AlGaN、 InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組中的 至少一種。第一半導(dǎo)體層132的上表面具有外延區(qū)及電極區(qū)，發(fā)光層134形 成于所述的外延區(qū)上，第二半導(dǎo)體層136形成于發(fā)光層134上，第一電極140 形成于所述的電極區(qū)上，且第二電極150形成于第二半導(dǎo)體層136上。如圖 4所示，第二半導(dǎo)體層136的上表面還包含第二散射表面136a，以進(jìn)一步提 高光摘出效率。于另一實(shí)施例，如圖IO所示，發(fā)光元件100更可包含在基 板110的上表面及/或下表面形成散射表面110a及110b，以進(jìn)一步提高光線 由基板摘出的效率。
圖3及圖4所示的第一半導(dǎo)體層132、發(fā)光層134、以及第二半導(dǎo)體層 136以外延成長方法形成于基板110上，例如為有才幾金屬氣相外延(Metallic Organic Vapor Phase Epitaxy; MOCVD)成長方法。散射表面122、 136a或110a 可于外延成長時(shí)，通過調(diào)控工藝參數(shù)，例如氣體流量、反應(yīng)槽壓力、反應(yīng)槽 溫度等以形成所述的散射表面；散射表面122、 136a、 110a、或110b亦可以 濕蝕刻或千蝕刻方式移除一部分的第一半導(dǎo)體132、第二半導(dǎo)體層136、或 基板110以形成粗糙表面，或形成具有周期性、準(zhǔn)周期性、或隨機(jī)排列等圖 案的表面。
于本發(fā)明的一實(shí)施例，散射表面122、 136a、 110a、或110b包含多個(gè)微 凸起，所述的微凸起的剖面形狀包含選自半球形、金字塔形、及角錐形所構(gòu) 成組中的至少 一種圖案及其組合。
圖5揭示本發(fā)明的另一實(shí)施例，發(fā)光元件100還包含第一透光導(dǎo)電層180 形成于第一電極140與第一半導(dǎo)體層132之間；第二透光導(dǎo)電層l卯形成于 第二電極150與第二半導(dǎo)體層136之間。第一透光導(dǎo)電層180以及第二透光 導(dǎo)電層190的材料包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁及氧 化鋅錫所構(gòu)成組中的至少 一種或其它可代替的材料。
圖6揭示本發(fā)明的另一實(shí)施例，發(fā)光元件100還包含第一反應(yīng)層160形 成于基板110及透光粘結(jié)層120之間，以及第二反應(yīng)層170形成于第一半導(dǎo) 體層132及透光粘結(jié)層120之間，以提高透光粘結(jié)層120與基板110或第一 半導(dǎo)體132的粘著度；其中，第一反應(yīng)層160及第二反應(yīng)層170的材料包含 選自于氮化硅(SiNx)、鈦(Ti)、及鉻(Cr)所構(gòu)成組中的至少一種材料。 圖7揭示本發(fā)明的另一實(shí)施例的垂直型發(fā)光元件的剖面示意圖。其中，
基板110為導(dǎo)電基板，第一反應(yīng)層160及第二反應(yīng)層170亦為導(dǎo)電材料；第 一半導(dǎo)體層132與位于其下的第二反應(yīng)層170接合至一軟質(zhì)的透光粘結(jié)層 120，并且第二反應(yīng)層170的凸起部分穿過透光粘結(jié)層120并與第一反應(yīng)層 160形成歐姆接觸；第一電極140形成于基板110的下表面；以及第二電極 150形成于第二半導(dǎo)體層136的上表面上。透光導(dǎo)電層(未繪示)可選擇性地 形成于第二電極150與第二半導(dǎo)體層136之間，所述的透光導(dǎo)電層的材料包 含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁及氧化鋅錫所構(gòu)成組中的 至少 一種或其它可代替的材料。
圖8揭示符合本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件300,相較于圖3所示的發(fā) 光元件100，透光粘結(jié)層124為透光導(dǎo)電粘結(jié)層，并且基板112為透光導(dǎo)電 基板，以形成垂直導(dǎo)通的發(fā)光元件300。透光導(dǎo)電粘結(jié)層124包含本質(zhì)上導(dǎo) 電聚合物或具有導(dǎo)電材料分散于其中的高分子材料；其中，所述導(dǎo)電材料包 含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Au、及Ni/Au 所構(gòu)成材料組中的至少一種材料。第一電極140形成于透光導(dǎo)電基板112之 下，以及第二電極150形成于第二半導(dǎo)體層136之上。于本發(fā)明的另一實(shí)施 例，發(fā)光元件300還包含透光導(dǎo)電層(未繪示)形成于第二電極150與第二 半導(dǎo)體層136之間，所述的透光導(dǎo)電層的材料包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、 氧化銻錫、氧化鋅鋁及氧化鋅錫所構(gòu)成組中的至少 一種或其它可代替的材 料。
圖9A為剖面示意圖，揭示具有內(nèi)含光轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的透光粘結(jié)層的發(fā)光元 件。相較于圖3所示的發(fā)光元件，本實(shí)施例的透光粘結(jié)層120內(nèi)含波長轉(zhuǎn)換 結(jié)構(gòu)121。自發(fā)光層134發(fā)出具有第一峰波長(peakwavelength)的光線的至少 一部分被波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)121吸收，并轉(zhuǎn)換為具有第二峰波長的光線。因此， 原來未被轉(zhuǎn)換的光線與被轉(zhuǎn)換的光線混合成一具有較寬波幅分布的混成光 線，其包含原光線及轉(zhuǎn)換后光線的光譜。波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)121包含至少一種材 料選自于藍(lán)色熒光粉、黃色熒光粉、綠色熒光粉、紅色熒光粉、竭化鋅、竭
化鎘鋅、m族磷化物、m族砷化物、以及ni族氮化物所組成的材料組。例
如，具有氮化鎵為主的發(fā)光層的發(fā)光元件發(fā)出峰波長介于430 470nm的藍(lán) 光，并激發(fā)內(nèi)含于透光粘結(jié)層的黃色熒光粉以形成黃光；其中，未被黃色熒
光粉吸收的藍(lán)光與被吸收轉(zhuǎn)換形成的黃光混合形成白光。黃色焚光粉可為已
知的YAG、 TAG、或硅酸鹽化合物。另一實(shí)施例的發(fā)光元件包含具有氮化 鎵為主的發(fā)光層以發(fā)出峰波長介于405~430nm的近紫外光(near UV)，并激 發(fā)內(nèi)含于透光粘結(jié)層的藍(lán)色熒光粉、綠色熒光粉、及紅色熒光粉以混合形成 白光。又一實(shí)施例的發(fā)光元件包含具有氮化鎵為主的發(fā)光層以發(fā)出峰波長介 于405 430nm的近紫外光(near UV),并激發(fā)內(nèi)含于透光粘結(jié)層的藍(lán)色焚光 粉及黃色熒光粉以形成白光。所述的藍(lán)色熒光粉指能將入射至熒光粉的光線 轉(zhuǎn)換為藍(lán)色的熒光粉；其他諸如黃色熒光粉、綠色焚光粉、及紅色熒光粉亦 具類似的意義。各熒光粉材料及其組成屬該領(lǐng)域的已知技藝，不在此贅述。
本發(fā)明的另一實(shí)施例，如圖9B的發(fā)光元件100,透光粘結(jié)層120同時(shí) 內(nèi)含波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)121以及光散射結(jié)構(gòu)123,其中光散射結(jié)構(gòu)用以散射進(jìn)入 透光粘結(jié)層120的光線以及經(jīng)過波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)121轉(zhuǎn)換的光線，使進(jìn)一步提 高混光及光摘出效率。光散射結(jié)構(gòu)123包含至少一種材料選自氧化銦錫 (ITO)、氧化鈦(Ti02)、氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、氮化鋁(A1N)、以及聚 合物(polymer)所組成的組。光散射結(jié)構(gòu)的材料若為導(dǎo)電材料，例如為氧化銦 錫，則可應(yīng)用于圖8所示的垂直式發(fā)光元件的實(shí)施例，使能垂直導(dǎo)通，并具 有提高光散射的效果。光散射結(jié)構(gòu)123分散于透光粘結(jié)層120之中，其形式 例如為粒徑小于10微米的圓球；優(yōu)選為粒徑小于5微米的圓球；亦可為不 規(guī)則立體結(jié)構(gòu)。于本發(fā)明的一實(shí)施例，光散射結(jié)構(gòu)123至少可包含具有相同 或相近粒徑的圓球，或者包含具有不同粒徑的圓球。光散射結(jié)構(gòu)123的折射 率不同于透光粘結(jié)層120的折射率；于一實(shí)施例，光散射結(jié)構(gòu)123的折射率 與透光粘結(jié)層120的折射率差異至少0.05;于一優(yōu)選的實(shí)施例，光散射結(jié)構(gòu) 123的折射率或小于透光粘結(jié)層120的折射率至少0.1，以提高光摘出效率。
本發(fā)明的內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)的透光粘著層并不限于形成于所述的基板及所 述的發(fā)光疊層之間，亦可形成于其他位于所述的發(fā)光元件內(nèi)部或出光表面的 任何位置，例如，可形成于所述的發(fā)光疊層的內(nèi)、亦可形成于所述的第一或 第二透光導(dǎo)電層及所述的發(fā)光疊層之間、或形成于所述的發(fā)光元件的上表 面、下表面、或側(cè)壁。
圖3至圖10分別揭示符合本發(fā)明的各實(shí)施例，然而，任何結(jié)合上述各 實(shí)施例的各部分特征所形成的發(fā)光元件，以進(jìn)一步提升發(fā)光元件的效能，仍 屬本發(fā)明的范圍。例如，圖IO所示的粘結(jié)層120可內(nèi)含波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及/或 光散射結(jié)構(gòu)，亦屬本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明提及的諸多實(shí)施例及其組合所形成的發(fā)光元件可運(yùn)用于任何封
裝形式，如圖11A及11B所示，發(fā)光元件的封裝結(jié)構(gòu)500,包含載板520, 具有電路結(jié)構(gòu)530;發(fā)光元件510置于載板520上，可為本發(fā)明所揭示的任 一發(fā)光元件；以及連接線540電性連接發(fā)光元件510至載板520的電路結(jié)構(gòu) 530。發(fā)光元件510與封裝載板520的電性連接方式，例如為導(dǎo)線接合(wire bonding)、倒裝片4妄合(flip-chip)、表面接合(surface mounting)。再者，本發(fā) 明提及的諸多實(shí)施例及其組合所形成的發(fā)光元件亦可運(yùn)用于照明裝置、或顯 示裝置的背光源，如圖11C所示，顯示裝置600包含發(fā)光裝置610、散光裝 置620形成于發(fā)光裝置610之上、液晶裝置630形成于散光裝置620之上、 以及濾光裝置640形成于液晶裝置630之上；其中，發(fā)光裝置610包含至少 一個(gè)本發(fā)明所揭示的任一發(fā)光元件611。
本發(fā)明所列舉的各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范 圍。任何人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精 神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，包含基板；發(fā)光疊層，形成于該基板上；以及透光粘結(jié)層，形成于該發(fā)光元件的內(nèi)部或出光表面上，該透光粘結(jié)層內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)，其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)的折射率相異于該透光粘結(jié)層的折射率。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光元件，其中該內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)的透光粘結(jié) 層形成于該基板與該發(fā)光疊層之間。
3. 如權(quán)利要求l所述的一種發(fā)光元件，其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)包含至少一結(jié)構(gòu) 擇自由波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及光散射結(jié)構(gòu)所組成的組。
4. 如權(quán)利要求3所述的一種發(fā)光元件，其中該波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包含至少一 種材料選自于藍(lán)色熒光粉、黃色熒光粉、綠色熒光粉、紅色熒光粉、竭化鋅、竭化鎘鋅、iii族磷化物、ni族砷化物、以及m族氮化物所組成的材料組。
5. 如權(quán)利要求3所述的一種發(fā)光元件，其中該光散射結(jié)構(gòu)包含至少一種材料選自氧化銦錫、氧化鈦、氧化硅、氮化硅、氮化鋁、以及聚合物所組成 的組。
6. 如權(quán)利要求l所述的一種發(fā)光元件，其中該基板為透光基板，包含選 自于GaP、 SiC、 A1203、及玻璃所構(gòu)成組中的至少一種材料。
7. 如權(quán)利要求l所述的一種發(fā)光元件，其中該透光粘結(jié)層包含非晶質(zhì)或 軟質(zhì)透光材料。
8. 如權(quán)利要求l所述的一種發(fā)光元件，其中該發(fā)光疊層具有第一散射表 面鄰近于該透光粘結(jié)層及/或第二散射表面遠(yuǎn)離該透光粘結(jié)層。
9. 如權(quán)利要求l所述的一種發(fā)光元件，還包含透光導(dǎo)電氧化層形成于該 發(fā)光疊層之上。
10. —種封裝結(jié)構(gòu)，包含 載板；發(fā)光元件，形成于該載板上，該發(fā)光元件包含透光粘結(jié)層形成于該發(fā)光 元件的內(nèi)部或出光表面上，且該透光粘結(jié)層內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)，其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)的折射率相異于該透光粘結(jié)層的折射率；以及電路結(jié)構(gòu)，電性連接該發(fā)光元件。
11. 一種顯示裝置，包含發(fā)光裝置，包含至少一發(fā)光元件形成于該載板上，該發(fā)光元件包含透光 粘結(jié)層形成于該發(fā)光元件的內(nèi)部或出光表面上，且該透光粘結(jié)層內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)，其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)的折射率相異于該透光粘結(jié)層的折射率； 散光裝置，形成于該發(fā)光裝置之上； 液晶裝置，形成于該散光裝置之上；以及 濾光裝置，形成于該液晶裝置之上。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件包含基板；發(fā)光疊層，形成于該基板上；以及透光粘結(jié)層，形成于該發(fā)光元件的內(nèi)部或出光表面上，該透光粘結(jié)層內(nèi)含光學(xué)結(jié)構(gòu)，其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)的折射率相異于該透光粘結(jié)層的折射率。
文檔編號G02F1/1335GK101369622SQ200810129748
公開日2009年2月18日 申請日期2008年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月14日
發(fā)明者呂琪瑋, 彭韋智, 徐大正, 李亞儒, 楊雅蘭, 蘇英陽, 蔡孟倫, 謝明勛 申請人:晶元光電股份有限公司