專利名稱：顯示基板和其制造方法以及具有該顯示基板的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種顯示基板、制造該顯示基板的方法和具有該顯示基板的
顯示面板，其可以用在液晶顯示(LCD)裝置中。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)裝置包括LCD面板和為該LCD面板提供光的背光組 件。LCD面板包括多條數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線交叉的多條柵極線。
已經(jīng)使用具有減少數(shù)量的數(shù)據(jù)線的像素結(jié)構(gòu)來降低制造成本。該像素結(jié) 構(gòu)包括公共數(shù)據(jù)線以及通過公共數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓的左像素和右像素。具 有該像素結(jié)構(gòu)的顯示面板可能產(chǎn)生錯(cuò)誤的豎線(vertical line )，以閃爍 (flicker)出現(xiàn)在顯示器上。豎線可能由數(shù)據(jù)線與像素電極之間、像素電極 與柵極線之間、左像素電極與右像素電極之間等的耦合電容引起。
在具有該像素結(jié)構(gòu)的顯示面板中，數(shù)據(jù)線的數(shù)量減半，但柵極線的數(shù)量 加倍。這樣，水平排列成行的多個(gè)像素被布置在像素的上側(cè)和下側(cè)的兩條柵
極線驅(qū)動(dòng)。具有該像素結(jié)構(gòu)的顯示面板可以具有減小的透射率 (transmittance )禾口孑L^圣t匕(aperture ratio )。
因而，需要具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量和孔徑比的顯示面板。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，顯示基^1包括第一開關(guān)元件、第二開關(guān)元 件、第一像素電極、第二像素電極、主存儲(chǔ)電極和副存儲(chǔ)電極。第一開關(guān)元 件連接到數(shù)據(jù)線和第一柵極線。第二開關(guān)元件連接到數(shù)據(jù)線和鄰近第一柵極 線的第二柵極線。第一像素電極電連接到第一開關(guān)元件。第二像素電極電連 接到第二開關(guān)元件，第二像素電極設(shè)置成鄰近第一像素電極并沿第二柵極線 的方向延伸。主存儲(chǔ)電極設(shè)置在第 一像素電極與第二像素電極之間的區(qū)域中 以與第 一像素電極和第二像素電極的第 一端重疊，并且主存儲(chǔ)電極接收公共 電壓。副存儲(chǔ)電極與第一柵極線和第二柵極線分離開，副存儲(chǔ)電極與第一像
6素電纟及和第二像素電極的第二端部分地重疊。
在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，提供一種制造顯示基板的方法。在該方法 中，在底基板上形成第一導(dǎo)電圖形，第一導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線、從數(shù)據(jù)線突 出的耦合線、第一開關(guān)元件的柵電極、第二開關(guān)元件的柵電極、在第一像素 區(qū)和鄰近第 一像素區(qū)的第二像素區(qū)中保持電浮置狀態(tài)的副存儲(chǔ)電極。在其上
形成有第一導(dǎo)電圖形的底基板上形成第二導(dǎo)電圖形，第二導(dǎo)電圖形包括第一 柵極線、鄰近第一柵極線的第二柵極線、第一開關(guān)元件的源電極、以及設(shè)置 在第 一像素區(qū)和第二像素區(qū)之間的邊界區(qū)中的主存儲(chǔ)電極。在其上形成有第
二導(dǎo)電圖形的底基板上形成第三導(dǎo)電圖形，第三導(dǎo)電圖形包括第一接觸電 極，其連接第一柵極線和第一開關(guān)元件的柵電極;第二接觸電極，其連接數(shù) 據(jù)線和第一開關(guān)元件的源電極；第三接觸電極，其連接第二柵極線和第二開 關(guān)元件的柵電極、第四接觸電極，其連接耦合線和第二開關(guān)元件的源電極； 形成在第 一像素區(qū)中的第 一像素電極；以及形成在第二像素區(qū)中的第二像素 電極。
在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，顯示面板包括顯示基板和對向顯示基板。 顯示基板包括第一開關(guān)元件，連接到數(shù)據(jù)線和第一柵極線；第二開關(guān)元件， 連接到數(shù)據(jù)線和鄰近第一柵極線的第二柵極線；第一像素電極，電連接到第 一開關(guān)元件；第二像素電極，電連接到第二開關(guān)元件，第二像素電極設(shè)置成 鄰近第一像素電極并沿第二柵極線的方向延伸；主存儲(chǔ)電極，設(shè)置在第一4象 素電極和第二像素電極之間的區(qū)域中以與第 一像素電極和第二像素電極的 第一端重疊，并且主存儲(chǔ)電極接收公共電壓；以及副存儲(chǔ)電極，與第一柵極 線和第二柵極線分離開，存儲(chǔ)電極與第一像素電極和第二像素電極的第二端 部分地重疊。對向顯示基板與顯示基板成對以容納液晶層并且對向基板包括 >共電才及。


本發(fā)明將通過參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例而變得更加 清楚，附圖中
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的顯示面板的平面圖； 圖2是沿圖1中I-I，線截取的截面視圖3是沿圖1中n-n，線截取的截面視圖；圖4是沿圖1中III-III，線截取的截面視圖； 圖5是沿圖1中IV-IV，線截取的截面視圖6A和6B是示出制造圖2所示的第一導(dǎo)電圖形的工藝的截面視圖和 平面圖7A和7B是示出制造圖2所示的第二導(dǎo)電圖形的工藝的截面視圖和 平面圖8A和8B是示出制造圖2所示的第三導(dǎo)電圖形的工藝的截面視圖和 平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參考附圖更完全地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的實(shí)施例。然而， 本發(fā)明可以許多不同形式來實(shí)施，并且不應(yīng)該理解為限于這里陳述的實(shí)施 例。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)?上"、"連接到"另 一元件或?qū)踊蛘吲c另一元件或?qū)?耦合"，其可以直接在另一元件或?qū)由稀?直接連接到另一元件或?qū)踊蛘吲c另一元件或?qū)又苯玉詈?，也可以存在居間元 件或?qū)印Ｒ韵聦⒖几綀D來更加詳細(xì)地解釋本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的顯示面板的平面圖。圖2是沿圖 1中I-I，線截取的截面視圖。參考圖1和2，顯示面板包括顯示基板100、對 向基板200和液晶層300。
顯示基板100包括底基板101,該底基板101限定具有NxM個(gè)像素區(qū) (N和M是自然數(shù))的多個(gè)像素區(qū)。顯示基板100包括形成在底基板101 上的多條柵極線141和149、多條數(shù)據(jù)線111和119、多個(gè)開關(guān)元件151和 153、主存儲(chǔ)電極145和副存儲(chǔ)電極115。
底基板101包括沿第一方向延伸的2N條柵才及線141和149,以及沿與 第一方向交叉的第二方向延伸的M/2條數(shù)據(jù)線111和119。
凄t據(jù)線111和119形成由第一導(dǎo)電層圖形化的第一導(dǎo)電圖形，并在其上 形成第一導(dǎo)電圖形的底基板101上形成第一絕緣層120。第一絕緣層120在 以下將描述成柵極絕緣層。柵極線141和149形成由第二導(dǎo)電層圖形化的第 二導(dǎo)電圖形，并且柵極線141和149形成在柵極絕緣層120上。在其上形成 第二導(dǎo)電圖形的底基板101上形成第二絕緣層160。第二絕緣層160在以下 將描述成保護(hù)層。顯示基板100具有第一像素區(qū)Pl和在第一方向鄰近第一像素區(qū)Pl的第 二像素區(qū)P2。第一開關(guān)元件151形成在第一像素區(qū)Pl中鄰近第一柵極線141 與數(shù)據(jù)線111交叉的區(qū)域。第一開關(guān)元件151包括柵電極113、半導(dǎo)體圖形 131、源電極142和漏電極143。柵電極113是第一導(dǎo)電圖形的一部分，而源 電極142和漏電極143是第二導(dǎo)電圖形的一部分。
第一導(dǎo)電圖形的柵電極113通過第一接觸電極171電連接到第二導(dǎo)電圖 形的第一柵極線141。第二導(dǎo)電圖形的源電極142通過第二接觸電極172電 連接到第一導(dǎo)電圖形的數(shù)據(jù)線111。漏電極143電連接到形成在第一像素區(qū) Pl中的第一像素電極173。
第二開關(guān)元件153形成在第二像素區(qū)P2中鄰近一區(qū)域，在該區(qū)域中鄰 近第一柵極線141的第二沖冊極線149與數(shù)據(jù)線111交叉的區(qū)域。第二開關(guān)元 件153鄰近其中形成第二柵極線149的區(qū)域，并鄰近第一區(qū)Pl與第二區(qū)P2 之間的邊界區(qū)。第二開關(guān)元件153包括柵電極117、半導(dǎo)體圖形133、源電 極147和漏電極148。柵電極117是第一導(dǎo)電圖形的一部分，源電極147和 漏電極148是第二導(dǎo)電圖形的一部分。
第一導(dǎo)電圖形的柵電極117通過第三接觸電極175電連接到第二導(dǎo)電圖 形的第二柵極線149。第二導(dǎo)電圖形的源電極147通過第四接觸電極176電 連接到從第一導(dǎo)電圖形的數(shù)據(jù)線111突出的耦合線lllc。漏電極148電連接 到形成在第二像素區(qū)P2中的第二像素電極177。
主存儲(chǔ)電極145形成在第一像素區(qū)Pl和第二像素區(qū)P2之間的區(qū)域中以 接收公共電壓。副存儲(chǔ)電極115形成在鄰近柵才及線141和149的區(qū)域中以不 接收公共電壓。主存儲(chǔ)電極145是第二導(dǎo)電圖形的一部分，副存儲(chǔ)電極115 是第一導(dǎo)電圖形的一部分。主存儲(chǔ)電極145形成在與像素區(qū)一樣的區(qū)域中， 而副存儲(chǔ)電極115形成在第 一像素區(qū)P1和鄰近第 一像素區(qū)P1的第二像素區(qū) P2中以保持電浮置(electrically floating)狀態(tài)。
例如，主存儲(chǔ)電極145包括第一部分145a，與數(shù)據(jù)線重疊；第二部分 145b，設(shè)置在第一像素Pl和第二像素P2之間的區(qū)域中以與第一像素電極 173和第二像素電極177的第一端重疊；第三部分145c，鄰近第二柵極線149 以連接第一部分145a的一端和第二部分145b的一端；第四部分145d，鄰近 第一柵極線141以連接第二部分145b的另一端。主存〗渚電極145重復(fù)形成 以沿第二方向延伸。副存儲(chǔ)電極115包括第一部分115a,與主存儲(chǔ)電極145的第二部分 145b重疊；第二部分115b,與主存儲(chǔ)電極145的第三部分145c部分重疊； 第三部分115c,與主存儲(chǔ)電極145的第四部分145d部分重疊。第二部分115b 鄰近第二柵極線149以與第一部分115a的一端連接，而第三部分115c鄰近 第一柵極線141以與第一部分115a的另一端連接。第二部分115b與第一像 素電極173的另一端部分地重疊，而第三部分115c與第二像素電極177的 另一端部分地重疊。
主存儲(chǔ)電極145和副存儲(chǔ)電極115可以對稱地形成在第一像素區(qū)PI和 第二像素區(qū)P2中。
對向底基板201 ^皮阻擋圖形(blocking pattern) 210分成透射區(qū) (transmission area)和阻#當(dāng)區(qū)(blocking area )，且透射區(qū)只于應(yīng)于4象素區(qū)。
例如，阻擋圖形210形成在對應(yīng)于棚4及線141和149、數(shù)據(jù)線111和119 以及第一區(qū)PI和第二區(qū)P2的邊界區(qū)的區(qū)域中。副存儲(chǔ)電極115的第一部分 115a和主存儲(chǔ)電極145的第二部分145b形成在邊界區(qū)中。
濾色器220形成在對向底基板201上對應(yīng)于其中形成第一像素電極173 和第二像素電極177的區(qū)域中。公共電極230形成在其上形成濾色器220的 對向底基板201上，以與第一像素電極173和第二像素電極177相對。
圖3是沿圖1中II-II，線截取的截面視圖。參考圖1和3,顯示面板包 括顯示基板100和對向基板200。顯示基板100包括順次形成在底基板101 上的數(shù)據(jù)線lll、柵極絕緣層120、主存儲(chǔ)電極145的第一部分145a、保護(hù) 絕緣層160、第一像素電極173以及與第一像素電極173分離開的第三像素 電極179。數(shù)據(jù)線111由第一導(dǎo)電層形成，第一部分145a由第二導(dǎo)電層形成， 而第一和第三像素電極由第三導(dǎo)電層形成。對向基板200包括順次形成在對 向底基板201上的阻擋圖形210和/>共電極230。
才冊極絕緣層120、主存儲(chǔ)電才及145的第一部分145a和保護(hù)絕緣層160 設(shè)置在數(shù)據(jù)線111和第一像素電極173之間。數(shù)據(jù)線111和第一像素電極173 之間的距離被柵極絕緣層120、主存儲(chǔ)電極145的第一部分145a和保護(hù)絕緣 層160增大，從而減小數(shù)據(jù)線111和第一〗象素電極173之間的耦合電容。
主存儲(chǔ)電極145的第一部分145a具有大于數(shù)據(jù)線111寬度的第一寬度 Wl，且主存儲(chǔ)電極145的第一部分145a與數(shù)據(jù)線111重疊。這樣，主存儲(chǔ) 電極145的第一部分145a可以阻擋從第一像素電極173和第三像素電極179之間的區(qū)域泄露的光。
對應(yīng)于主存儲(chǔ)電極145的第一部分145a的對向基板200的阻擋圖形210 可以形成為具有小于第一寬度Wl的第二寬度W2。可以減小阻擋圖形210 的第二寬度W2,從而改進(jìn)顯示面板的透射率和孔徑比。
圖4是沿圖1中m-ni，線截取的截面視圖。參考圖1和4,顯示基板 100包括副存儲(chǔ)電極115的第二部分115b、主存儲(chǔ)電極145的第三部分145c、 第二柵極線149和第一像素電極173。副存儲(chǔ)電極115的第二部分115b由第 一導(dǎo)電層形成。主存儲(chǔ)電極145的第三部分145c和第二柵極線149由第二 導(dǎo)電層形成。第一像素電極173由第三導(dǎo)電層形成。
主存儲(chǔ)電極145的第三部分145c和第二4冊極線149彼此分離開。副存 儲(chǔ)電極115的第二部分115b與主存儲(chǔ)電極145的籌三部分145c部分重疊， 并與第二柵極線149分離開。第一像素電極173的末端與副存儲(chǔ)電極115的 第二部分115b部分重疊。
副存儲(chǔ)電極115的第二部分115b與主存儲(chǔ)電極145的第三部分145c充 分重疊，從而保持主存儲(chǔ)電極145的第三部分145c中接收的直流公共電壓。
副存儲(chǔ)電極115的第二部分115b保持該直流公共電壓以屏蔽第一像素 電極173和第二柵極線149之間的耦合電容。當(dāng)?shù)诙艠O線149收到柵極接 通電壓時(shí)，第一像素電極173的像素電壓降低第二反沖電壓(kickback voltage )。這樣，副存儲(chǔ)電極115的第二部分115b避免第一像素電極173的 第二反沖電壓驅(qū)動(dòng)第二柵極線149。
圖5是沿圖1中IV-IV，線截取的截面視圖。參考圖1和5，顯示基板 100包括副存儲(chǔ)電極115的第一部分115a、主存儲(chǔ)電極145的第二部分145b 和第二像素電極177。副存儲(chǔ)電極115的第一部分115a由第一導(dǎo)電層形成。 主存儲(chǔ)電極145的第二部分145b由第二導(dǎo)電層形成。第一像素電極173和 第二像素電極177由第三導(dǎo)電層形成。
第一像素區(qū)Pl限定存儲(chǔ)電容器，該存儲(chǔ)電容器包括主存儲(chǔ)電極145的 第二部分145b、保護(hù)層160和第一電極173。第二像素區(qū)P2限定存4諸電容 器，該存儲(chǔ)電容器包括主存儲(chǔ)電極145的第二部分145b、保護(hù)層160和第二 電極177。保護(hù)層160可以具有大約2000A的厚度，對冊極絕緣層120可以具 有大約4200A的厚度。
主存儲(chǔ)電極145的第二部分145b與第一像素電極173和第二像素電極177重疊，從而屏蔽第一像素電極173和第二像素電極177之間的耦合電容。 這樣，可以減小第一像素電極173和第二像素電極177之間的耦合電容，從 而可以顯示高質(zhì)量的圖像。
例如，當(dāng)主存儲(chǔ)電極由第一導(dǎo)電層形成時(shí)，存儲(chǔ)電極和像素電極之間的 距離可以是大約6200A,這可以是柵極絕緣層120和保護(hù)層160的厚度。
在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)電極由第二導(dǎo)電層形成時(shí)，存儲(chǔ) 電極和像素電極之間的距離可以是大約2000A，這可以是保護(hù)層160的厚度。 由第二導(dǎo)電層形成的主存儲(chǔ)電極145的屏蔽效果可以比由第一導(dǎo)電層形成的 主存儲(chǔ)電極145的屏蔽效果高大約三倍。
因此，可以增大存儲(chǔ)電容，從而改進(jìn)第一電極和第二電極之間的耦合電 容的屏蔽效果。
以下將會(huì)描述制造根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的顯示基板的方法 圖6A和6B是示出制造圖2所示的第一導(dǎo)電圖形的工藝的截面視圖和 平面圖。
參考圖6A和6B，第一導(dǎo)電層形成在底基板101上。第一導(dǎo)電圖形由第 一導(dǎo)電層形成。第一導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線111和119、耦合線lllc、第一開 關(guān)元件151的柵電極113、第二開關(guān)元件153的柵電極117以及副存儲(chǔ)電極 115的第一部分115a和第二部分115b。
數(shù)據(jù)線111和119沿第二方向延伸，耦合線lllc沿與第二方向交叉的第 一方向從lt據(jù)線111延伸。第一開關(guān)元件151的4冊電極113和第二開關(guān)元件 153的柵電極117與數(shù)據(jù)線111分離開。
副存儲(chǔ)電極115的第一部分115a形成在第一像素區(qū)Pl和第二像素區(qū)P2 之間的邊界中。副存儲(chǔ)電極115的第二部分115b從第一部分115a的一端延 伸到第一像素區(qū)Pl。副存儲(chǔ)電極115的第三部分115c從第一部分115a的另 一端延伸到第二像素區(qū)P2。副存儲(chǔ)電極115可以對稱地形成在第一像素區(qū) P1和第二像素區(qū)P2中。
柵極絕緣層120形成在其上形成第一導(dǎo)電圖形的底基板101上。柵極絕 緣層120可以具有大約4200A的厚度。
圖7A和7B是示出制造圖2所示的第二導(dǎo)電圖形的工藝的截面視圖和 平面圖。參考圖7A和7B，半導(dǎo)體層形成在底基板上，該底基板形成在絕緣 層120上。半導(dǎo)體層包括摻有雜質(zhì)的有源層130a和形成在有源層130a上的歐姆接觸層130b。
多個(gè)半導(dǎo)體圖形131和133由半導(dǎo)體層形成，設(shè)置在第一開關(guān)元件151 的柵電極113和第二開關(guān)元件153的柵電極117上。
導(dǎo)電層形成在其上形成有半導(dǎo)體圖形131和133的底基板101上。第二 導(dǎo)電圖形由第二導(dǎo)電層形成。第二導(dǎo)電圖形包括柵極線141和149、第一開 關(guān)元件151的源電極142和漏電極143、第二開關(guān)元件153的源電極147和 漏電極148以及主存儲(chǔ)電極145。
柵極線141和149沿第一方向延伸。第一開關(guān)元件151的源電極142與 第一柵極線141分離開，并且第一開關(guān)元件151的漏電極143與源電極142 分離開。第二開關(guān)元件153的源電極147與第二柵極線149分離開，并且第 二開關(guān)元件153的漏電極148與源電才及147分離開。
主存儲(chǔ)電極145包括與數(shù)據(jù)線111重疊的第一部分145a、與副存儲(chǔ)電極 115的第一部分115a重疊的第二部分145b、與副存儲(chǔ)電極115的第二部分 115b部分重疊的第三部分145c以及與副存儲(chǔ)電極115的第三部分115c部分 重疊的第四部分145d。
圖8A和8B是示出制造圖2所示的第三導(dǎo)電圖形的工藝的截面視圖和 平面圖。
參考圖1、圖8A和8B，蝕刻保護(hù)層160和柵極絕緣層120以形成多個(gè) 接觸孔161、 162、 163、 165、 166和167。例如，第一接觸孔161可以通過 蝕刻保護(hù)層160和柵才及絕緣層120形成，以暴露第一柵才及線141和第一開關(guān) 元件151的柵電極113。第二接觸孔162可以通過蝕刻保護(hù)層160和柵極絕 緣層120形成，以暴露數(shù)據(jù)線111和第一開關(guān)元件151的源電極142。第三 接觸孔163可以通過蝕刻保護(hù)層160形成，以暴露第一開關(guān)元件151的漏電 極143。
第四接觸孔165可以通過蝕刻保護(hù)層160和柵極絕緣層120形成，以暴 露第二4冊才及線149和第二開關(guān)元件153的槺電才及117。第五接觸孔166可以 通過蝕刻保護(hù)層160和柵極絕緣層120形成，以暴露耦合線lllc和第二開 關(guān)元件153的源電極147。第六4妄觸孔167可以通過蝕刻保護(hù)層160形成， 以暴露第二開關(guān)元件153的漏電才及148。
第三導(dǎo)電層形成在其上形成有接觸孔161、 162、 163、 165、 166和167 的底基板101上。第三導(dǎo)電層^C圖形化為第三導(dǎo)電圖形。例如，該導(dǎo)電層可以包括透明導(dǎo)電材料。第三導(dǎo)電圖形包括多個(gè)接觸電極171、 172、 175和176 以及像素電極173和177。
第一接觸電4及171通過第一接觸孔161將第一4冊極線141和第一開關(guān)元 件151的柵電極113電連接。第二接觸電極172電連接凝:據(jù)線111與第一開 關(guān)元件151的源電極142。第三接觸電極175通過第四接觸孔165將第二柵 極線149和第二開關(guān)元件153的柵電極117電連接。第四接觸電極176通過 第五接觸孔166將耦合線lllc和第二開關(guān)元件153的源電極147電連接。
第一像素電極173通過第三接觸孔163電連接到第一開關(guān)元件151的漏 電極143。第二像素電極177通過第六接觸孔167電連接到第二開關(guān)元件153 的漏電才及148。
根據(jù)至少本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以減少耦合電容引起的豎線，從而可 以在減少數(shù)據(jù)線數(shù)量的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板上顯示高質(zhì)量的圖像。另外，可 以改進(jìn)減少數(shù)據(jù)線數(shù)量的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的透射率和孔徑比。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離本發(fā)明精神和范 圍的前提下，可以進(jìn)行各種修正、替換和改變。
權(quán)利要求
1、一種顯示基板，包括第一開關(guān)元件，連接到數(shù)據(jù)線和第一柵極線；第二開關(guān)元件，連接到所述數(shù)據(jù)線和鄰近所述第一柵極線的第二柵極線；第一像素電極，電連接到所述第一開關(guān)元件；第二像素電極，電連接到所述第二開關(guān)元件，所述第二像素電極設(shè)置成鄰近所述第一像素電極并沿所述第二柵極線的方向延伸；主存儲(chǔ)電極，設(shè)置在所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的區(qū)域中以與所述第一像素電極和第二像素電極的第一端重疊，并且所述主存儲(chǔ)電極接收公共電壓；以及副存儲(chǔ)電極，與所述第一柵極線和第二柵極線分離開，所述副存儲(chǔ)電極與所述第一像素電極和第二像素電極的第二端部分地重疊。
2、 如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述第一開關(guān)元件包括通過第 一接觸電極電連接到所述第一柵極線的柵電極、通過第二接觸電極電連接到 所述數(shù)據(jù)線的源電極、以及電連接到所述第一像素電極的漏電極。
3、 如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中所述第二開關(guān)元件包括通過第 三接觸電極電連接到所述第二柵極線的柵電極、電連接到所述數(shù)據(jù)線的源電 極、以及電連接到所述第二像素電極的漏電極。
4、 如權(quán)利要求3所述的顯示基板，進(jìn)一步包括從所述數(shù)據(jù)線突出的耦 合線，其中所述耦合線通過第四接觸電極連接到所述第二開關(guān)元件的源電 極。
5、 如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中所述數(shù)據(jù)線、所述柵電極和所 述副存儲(chǔ)電極形成第一導(dǎo)電圖形，該第一導(dǎo)電圖形由第一導(dǎo)電層形成，所述柵極線、所述源電極、所述漏電極和所述主存儲(chǔ)電極形成第二導(dǎo)電 圖形，該第二導(dǎo)電圖形由第二導(dǎo)電層形成，并且所述第一、第二、第三和第四接觸電極，所述第一像素電極以及所述第 二像素電極形成第三導(dǎo)電圖形，該第三導(dǎo)電圖形由第三導(dǎo)電層形成。
6、 如權(quán)利要求5所述的顯示基板，進(jìn)一步包括第一絕緣層，設(shè)置在所 述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形之間；和第二絕緣層，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電圖形和所述第三導(dǎo)電圖形之間。
7、 如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述主存儲(chǔ)電極包括第一部 分，與所述數(shù)據(jù)線重疊；第二部分，設(shè)置在所述第一像素電極和第二像素電 極之間；第三部分，鄰近所述第二柵極線以連接所述第一部分的一端和所述 第二部分的第一端；以及第四部分，鄰近所述第一柵極線以連接到所述第二 部分的第二端。
8、 如權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中所述副存儲(chǔ)電極保持電浮置狀態(tài)。
9、 如權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中所述副存儲(chǔ)電極包括第一部 分，與所述主存儲(chǔ)電極的第二部分重疊；第二部分，與所述主存儲(chǔ)電極的第 三部分部分地重疊；第三部分，與所述主存儲(chǔ)電才及的第四部分部分地重疊。
10、 一種制造顯示基板的方法，包括在底基板上形成第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線、從所述 數(shù)據(jù)線突出的耦合線、第一開關(guān)元件的柵電極、第二開關(guān)元件的柵電極、在 第 一像素區(qū)和鄰近所述第 一像素區(qū)的第二像素區(qū)中保持電浮置狀態(tài)的副存 儲(chǔ)電極；在其上形成有所述第 一導(dǎo)電圖形的所述底基板上形成第二導(dǎo)電圖形，所 述第二導(dǎo)電圖形包括第一柵極線、鄰近所述第一柵極線的第二柵極線、所述第一開關(guān)元件的源電極、以及設(shè)置在所述第一像素區(qū)和第二像素區(qū)之間的邊 界區(qū)中的主存儲(chǔ)電極；以及在其上形成有所述第二導(dǎo)電圖形的所述底基板上形成第三導(dǎo)電圖形，所 述第三導(dǎo)電圖形包括第一接觸電極，連接所述第一柵極線和所述第一開關(guān) 元件的柵電極；第二接觸電極，連接所述數(shù)據(jù)線和所述第一開關(guān)元件的源電 極；第三接觸電極，連接所述第二柵極線和所述第二開關(guān)元件的柵電極；第 四接觸電極，連接所述耦合線和所述第二開關(guān)元件的源電極；第一像素電極， 形成在所述第一像素區(qū)中；以及第二像素電極，形成在所述第二像素區(qū)中。
11、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述主存儲(chǔ)電極包括第一部分， 與所述數(shù)據(jù)線重疊；第二部分，設(shè)置在插在所述第一像素電極和第二像素電 極之間的區(qū)域中；第三部分，鄰近所述第二柵極線以連4妄所述第一部分的一 端和所述第二部分的第一端；以及第四部分，鄰近所述第一4冊才及線以連接到 所述第二部分的第二端。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述副存儲(chǔ)電極包括第一部分， 與所述主存儲(chǔ)電極的第二部分重疊；第二部分，與所述主存儲(chǔ)電極的第三部 分部分地重疊；第三部分，與所述主存儲(chǔ)電極的第四部分部分地重疊。
13、 一種顯示面板，包括顯示基板和連接到所述顯示基板的對向顯示基板，所述對向基板包括公 共電極，其中所述顯示基板包括第一開關(guān)元件，連接到數(shù)據(jù)線和第一柵極線；第二開關(guān)元件，連接到所述數(shù)據(jù)線和鄰近所述第 一柵極線的第二柵極線；第一像素電極，電連接到所述第一開關(guān)元件；第二像素電極，電連接到所述第二開關(guān)元件，所述第二像素電極設(shè)置成 鄰近所述第 一像素電極并沿所述第二柵極線的方向延伸；主存儲(chǔ)電極，設(shè)置在所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的區(qū)域 中以與所述第 一像素電極和第二像素電極的第一端重疊，并且所述主存儲(chǔ)電 極接收公共電壓；以及副存儲(chǔ)電極，與所述第一柵極線和第二柵極線分離開，所述存儲(chǔ)電極與 所述第一像素電極和第二像素電極的第二端部分地重疊。
14、 如權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述第一開關(guān)元件包括通過 第一接觸電極電連接到所述第一柵極線的柵電極、通過第二接觸電極電連接 到所述數(shù)據(jù)線的源電極、以及電連接到所述第一像素電極的漏電極。
15、 如權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中所述第二開關(guān)元件包括通過 第三接觸電極電連接到所述第二柵極線的柵電極、電連接到所述數(shù)據(jù)線的源 電極、以及電連接到所述第二像素電極的漏電極。
16、 如權(quán)利要求15所述的顯示面板，進(jìn)一步包括從所述數(shù)據(jù)線突出的 耦合線，其中所述耦合線通過第四接觸電極連接到所述第二開關(guān)元件的源電 極。
17、 如權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述主存儲(chǔ)電極包括第一 部分，與所述數(shù)據(jù)線重疊；第二部分，形成于插在所述第一像素電極和第二 像素電極之間的區(qū)域中；第三部分，鄰近所述第二柵極線以連接所述第一部 分的第一端和所述第二部分的一端；以及第四部分，鄰近所述第一柵4及線以 連接到所述第二部分的第二端。
18、 如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中所述副存儲(chǔ)電極保持電浮置 狀態(tài)。
19、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述副存儲(chǔ)電極包括第一 部分，與所述主存儲(chǔ)電極的第二部分重疊；第二部分，與所述主存儲(chǔ)電極的 第三部分部分地重疊；第三部分，與所述主存儲(chǔ)電極的第四部分部分地重疊。
全文摘要
顯示基板包括第一開關(guān)元件、第二開關(guān)元件、第一像素電極、第二像素電極、主存儲(chǔ)電極和副存儲(chǔ)電極。第一開關(guān)元件連接到數(shù)據(jù)線和第一柵極線。第二開關(guān)元件連接到數(shù)據(jù)線和鄰近第一柵極線的第二柵極線。第一像素電極電連接到第一開關(guān)元件。第二像素電極電連接到第二開關(guān)元件。主存儲(chǔ)電極設(shè)置在第一像素電極和第二像素電極之間的區(qū)域中以與第一和第二像素電極的第一端重疊。副存儲(chǔ)電極與第一和第二柵極線分離開。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101493619SQ20081014998
公開日2009年7月29日 申請日期2008年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者朱宣奎, 李奉俊, 李洪雨, 辛在敏, 金圣萬, 金鐘五 申請人:三星電子株式會(huì)社