專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
—般液晶顯示器可分為穿透式、反射式以及半穿透半反射式三大類，而分類的依據(jù)在于光源的利用方式以及主動(dòng)組件數(shù)組基板結(jié)構(gòu)上的差異。其中，半穿透半反射式液晶顯示器可同時(shí)利用背光源以及外界光源來(lái)進(jìn)行顯示，且其主動(dòng)組件數(shù)組基板上有透射區(qū)與反射區(qū)。其中，透射區(qū)內(nèi)形成有透明電極，以利背光源所提供的光線穿透，而反射區(qū)內(nèi)形成有適于將外界光源反射的反射電極。 為了提高液晶顯示器的視角，一般透明電極上會(huì)形成多個(gè)狹縫，以使液晶分子能呈多方向排列，進(jìn)而得到多個(gè)不同的配向領(lǐng)域(domain)。液晶顯示器便能達(dá)成廣視角的要求。值得注意的是，公知技術(shù)中，反射區(qū)內(nèi)的反射電極一般不會(huì)形成有狹縫，因此反射區(qū)并無(wú)法呈現(xiàn)廣視角的顯示效果。為了改善此問(wèn)題，公知的彩色濾光基板在對(duì)應(yīng)于反射區(qū)的位置會(huì)形成多個(gè)配向凸起物(alignment protrusion)，以使反射區(qū)具有廣視角的顯示效果。然而，僅靠彩色濾光基板上的配向凸起物，廣視角的顯示效果并無(wú)法有效提升，實(shí)有改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其具有良好的廣視角顯示效果。
本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一掃描線、一主動(dòng)組件、一數(shù)據(jù)線、一第二介電層、一穿透電極、一第三介電層、一反射電極與一遮光層。其中，掃描線與主動(dòng)組件皆配置于基板上，且彼此電性連接。此外，主動(dòng)組件中具有一延伸至基板上的第一介電層，且第一介電層覆蓋掃描線。上述的數(shù)據(jù)線配置于第一介電層上并與主動(dòng)組件電性連接。另外，第二介電層覆蓋主動(dòng)組件、部分的第一介電層與數(shù)據(jù)線。穿透電極配置于第二介電層上并與主動(dòng)組件電性連接。上述的第三介電層覆蓋部分的第二介電層，且至少暴露出部分的穿透電極。此外，反射電極配置于第三介電層上，并與暴露出的穿透電極電性連接。特別的是，反射電極具有多個(gè)狹縫圖案。本發(fā)明的遮光層配置于反射電極與基板之間，且遮光層的位置對(duì)應(yīng)狹縫圖案的位置。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的遮光層可配置于基板上，且與掃描線為相同膜層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的遮光層可配置于第一介電層上，且與數(shù)據(jù)線為相同膜層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二介電層具有一接觸窗開(kāi)口，且穿透電極藉由接觸窗開(kāi)口而與主動(dòng)組件電性連接。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的穿透電極具有多個(gè)狹縫圖案。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第三介電層具有多個(gè)凸起物。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的主動(dòng)組件包括一柵極、一通道層、一奧姆接觸層、一源極與一漏極。其中，柵極配置于基板上且受第一介電層覆蓋。此柵極電性連接掃描線。此外，信道層配置于柵極上方的第一介電層上，而奧姆接觸層配置于信道層上。另外，奧姆接觸層位于源極與通道層之間以及位于漏極與通道層之間。本發(fā)明的源極電性連接數(shù)據(jù)線，而漏極電性連接穿透電極。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)還包括一圖案化共享配線，其配置于基板上，且第一介電層覆蓋圖案化共享配線。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述穿透電極的材料可包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述反射電極的材料可包括高反射率金屬材料。
由于本發(fā)明的反射電極具有狹縫圖案，因此能大幅提升廣視角的顯示效果。由于
本發(fā)明的遮光層配置于反射電極與基板之間，且遮光層的位置對(duì)應(yīng)狹縫圖案的位置。因此，
背光源所發(fā)出的光線會(huì)被狹縫圖案下方的遮光層所阻擋，并不會(huì)對(duì)顯示造成不良的影響。
因此，本發(fā)明半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)能具有良好的廣視角顯示效果。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附
圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖3是本發(fā)明另一像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明100、 100':像素結(jié)構(gòu)102 :基板110 :掃描線112 :圖案化共享配120 :主動(dòng)組件120g :柵極120s :源極120d :漏極120c :通道層120m :奧姆接觸層120i :第一介電層130 :數(shù)據(jù)線140:第二介電層150 :穿透電極160:第三介電層170 :反射電極180 :遮光層C :接觸窗開(kāi)口P :凸起物S :狹縫圖案
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。為了圖示的簡(jiǎn)明，圖1中省略了第一介電層、第二介電層與第三介電層的繪示，但這些膜層可清楚見(jiàn)于圖2中。請(qǐng)同時(shí)參考圖1與圖2，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)100包括一基板102、一掃描線110、一主動(dòng)組件120、一數(shù)據(jù)線130、一第二介電層140、一穿透電極150、一第三介電層160、一反射電極170與一遮光層180。
如圖2所示，位于基板102上的主動(dòng)組件120可包括一柵極120g、一第一介電層120i、一通道層120c、一奧姆接觸層120m、一源極120s與一漏極120d。其中，柵極120g配置于基板102上且受第一介電層120i覆蓋。此外，信道層120c配置于柵極120g上方的第一介電層120i上，而奧姆接觸層120m配置于信道層120c上。為了降低半導(dǎo)體材料與金屬材料之間的接觸阻抗，源極120s與通道層120c之間以及漏極120d與通道層120c之間會(huì)配置有奧姆接觸層120m。這里要說(shuō)明的是，本發(fā)明的主動(dòng)組件120為底柵極(bottom gate)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，在此僅用以說(shuō)明并不刻意限制。當(dāng)然，主動(dòng)組件120也可以是雙載子晶體管或其它具有三端子的主動(dòng)組件。 由圖1可知，主動(dòng)組件120的柵極120g會(huì)與掃描線110電性連接，而源極120s會(huì)與數(shù)據(jù)線130電性連接。當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)知柵極120g可以是掃描線110的延伸部分或其它形狀的布局(lay out)，在此并不加以局限。 一般而言，像素結(jié)構(gòu)100更可包括一圖案化共享配線112。掃描線110與圖案化共享配線112皆配置于基板102上，且圖案化共享配線112可電性連接至一共壓電壓(commonvoltage)(未繪示)。這里要說(shuō)明的是，圖1中所示的圖案化共享配線112的布局(lay out)可視實(shí)務(wù)需求而更改，圖1所示的布局僅用以說(shuō)明，在此并無(wú)意局限。 此夕卜，圖2所示的第二介電層140覆蓋主動(dòng)組件120、部分的第一介電層120i與少部分的穿透電極150。第二介電層140的材料例如是氮化硅(SiN)或是以四乙氧基硅烷(TEOS)為反應(yīng)氣體源而形成的氧化硅(SiO)。此第二介電層140具有一接觸窗開(kāi)口 C，且主動(dòng)組件120的漏極120d會(huì)藉由此接觸窗開(kāi)口 C而與第二介電層140上的穿透電極150電性連接。此穿透電極150的材料為透明導(dǎo)電材料，其例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。實(shí)務(wù)上，開(kāi)關(guān)信號(hào)可透過(guò)圖1中掃描線110的傳遞而將主動(dòng)組件120開(kāi)啟，主動(dòng)組件120開(kāi)啟后顯示信號(hào)可透過(guò)數(shù)據(jù)線130而傳遞至穿透電極150中。 如圖2所示，第三介電層160會(huì)覆蓋部分的第二介電層140，且第三介電層160會(huì)暴露出大部分的穿透電極150。此第三介電層160的材料例如是有機(jī)材料，如聚酰亞胺(polyimide)。在一實(shí)施例中，第三介電層160可形成有多個(gè)凸起物P。如此一來(lái)，覆蓋于第三介電層160上的反射電極170便會(huì)呈現(xiàn)出波浪狀，進(jìn)而可提升散射外界光線的功效。此反射電極170的材料可采用高反射率金屬材料，例如是鋁。另一方面，覆蓋于第三介電層160上的反射電極170可與暴露出的穿透電極150電性連接。 特別的是，反射電極170會(huì)形成有多個(gè)狹縫圖案S。這可以使對(duì)應(yīng)于反射電極170上的液晶分子(未繪示)能呈多方向排列，以達(dá)到廣視角的顯示效果。此外，如圖l所示，穿透電極150上亦可形成有狹縫圖案S。當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)知圖1中狹縫圖案S的形狀可視需求而改變，在此并不刻意局限。 值得注意的是，如圖2所示，本發(fā)明的遮光層180會(huì)配置于反射電極170與基板102之間，且遮光層180的位置對(duì)應(yīng)狹縫圖案S的位置。在一實(shí)施例中，本發(fā)明的遮光層180可配置于基板102上，且被第一介電層120i所覆蓋。此遮光層180與掃描線110可藉由同一道光罩制程而一并形成，無(wú)須額外的制程。由于遮光層180的位置對(duì)應(yīng)于反射電極170上狹縫圖案S的位置，因此背光源(未繪示)所發(fā)出的光線會(huì)被反射電極170下方的遮光層180所阻擋，并不會(huì)對(duì)顯示造成不良的影響。 當(dāng)然，遮光層180也可以形成于其它膜層上，如圖3所示。本發(fā)明的遮光層180可形成于第一介電層120i上，且與數(shù)據(jù)線130為相同膜層。此遮光層180與源極120s、漏極 120d以及數(shù)據(jù)線130可藉由同一道光罩制程而一并形成。此像素結(jié)構(gòu)100'與圖2所示的 像素結(jié)構(gòu)100具有相同的功效。 綜上所述，由于本發(fā)明的反射電極具有狹縫圖案，因此能大幅提升廣視角的顯示 效果，且反射電極下方的遮光層能有效阻擋背光源所發(fā)出的光線。因此，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu) 兼具良好的廣視角顯示效果以及半穿透半反射式的顯示效果。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此 本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；一掃描線，配置于該基板上；一主動(dòng)組件，配置于該基板上并電性連接該掃描線，該主動(dòng)組件中具有一延伸至該基板上的第一介電層，且該第一介電層覆蓋該掃描線；一數(shù)據(jù)線，配置于該第一介電層上并與該主動(dòng)組件電性連接；一第二介電層，覆蓋該主動(dòng)組件、部分的該第一介電層與該數(shù)據(jù)線；一穿透電極，配置于該第二介電層上并與該主動(dòng)組件電性連接；一第三介電層，覆蓋部分的該第二介電層，并暴露出部分的該穿透電極；一反射電極，配置于該第三介電層上并與暴露出的該穿透電極電性連接，其中該反射電極具有多個(gè)狹縫圖案；以及一遮光層，配置于該反射電極與該基板之間，且該遮光層的位置對(duì)應(yīng)該些狹縫圖案的位置。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該遮光層配置于該基板上，且與該掃描 線為相同膜層。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該遮光層配置于該第一介電層上，且與 該數(shù)據(jù)線為相同膜層。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二介電層具有一接觸窗開(kāi)口，該穿透 電極通過(guò)該接觸窗開(kāi)口而與該主動(dòng)組件電性連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該穿透電極具有多個(gè)狹縫圖案。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三介電層具有多個(gè)凸起物。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動(dòng)組件包括 一柵極，配置于該基板上且該第一介電層覆蓋該柵極，該柵極電性連接該掃描線； 一信道層，配置于該柵極上方的該第一介電層上； 一奧姆接觸層，配置于該信道層上；一源極；以及一漏極，其中該奧姆接觸層位于該源極與該通道層之間以及位于該漏極與該通道層之 間，且該源極電性連接該數(shù)據(jù)線，該漏極電性連接該穿透電極。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一圖案化共享配線，配置于該基 板上，且該第一介電層覆蓋該圖案化共享配線。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該穿透電極的材料包括銦錫氧化物、銦 鋅氧化物或鋁鋅氧化物。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射電極的材料包括高反射率金屬 材料。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)包括一基板、一掃描線、一主動(dòng)組件、一數(shù)據(jù)線、一第二介電層、一穿透電極、一第三介電層、一反射電極與一遮光層。其中，主動(dòng)組件會(huì)與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。此外，第二介電層覆蓋主動(dòng)組件。穿透電極配置于第二介電層上并與主動(dòng)組件電性連接。上述的第三介電層覆蓋部分的第二介電層，且暴露出部分的穿透電極。另外，反射電極配置于第三介電層上，并與暴露出的穿透電極電性連接。本發(fā)明的遮光層配置于反射電極與基板之間，且遮光層的位置對(duì)應(yīng)反射電極上狹縫圖案的位置。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101726938SQ20081016705
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月10日
發(fā)明者劉夢(mèng)騏, 張?jiān)? 陳靜怡 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司