專利名稱：電泳顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及電泳顯示裝置、電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為有源矩陣型的電泳顯示裝置，已知在像素內(nèi)具備有開(kāi)關(guān)用晶體管 與存儲(chǔ)電路的電泳顯示裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。在專利文獻(xiàn)l記載 的顯示裝置中，在形成有像素開(kāi)關(guān)用晶體管、像素電極的第l基板上，附
著了內(nèi)含有帶電微粒的微嚢。而且，通過(guò)在第2基板側(cè)形成的對(duì)向電極與 第l基板側(cè)的像素電極之間夾持微嚢，并由像素電極與對(duì)向電極之間產(chǎn)生 的電場(chǎng)對(duì)帶電微粒進(jìn)行控制而對(duì)圖像進(jìn)行顯示。專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2003—84314號(hào)^^才艮
如專利文獻(xiàn)1記載地，在像素內(nèi)內(nèi)置將信息作為電位進(jìn)行保持的鎖存 器的方式(在此表現(xiàn)為SRAM ( Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器)方式)，與通過(guò)電容對(duì)電位進(jìn)行保持的電容內(nèi)置方式(表現(xiàn)為 1C方式或DRAM ( Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨才幾存取存儲(chǔ) 器)方式)相比較，因?yàn)椴恍枰抗潭ㄆ陂g的圖像信號(hào)寫入，所以可以低 消耗電力化。
并且，若以低溫多晶硅TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)形 成像素電路，則可以使之以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，能夠降低消耗電力。因此， 在電泳顯示裝置的像素電路中，多用低溫多晶珪TFT (Thin Film Transistor, 薄膜晶體管)。
可是，例如，通過(guò)受激準(zhǔn)分子退火法晶體化的低溫多晶硅TFT，存在 晶體管元件的制造偏差大的問(wèn)題。作為一例，在鄰近的晶體管間，晶體管的平均單位寬度的導(dǎo)通電流相差2 3倍。因此，在以內(nèi)置于電泳顯示裝置 的像素的1條比特線所構(gòu)成的SRAM(鎖存電路)中，由于包括寫入晶體 管(像素開(kāi)關(guān)元件)的TFT的制造偏差而有可能在圖像信號(hào)的寫入中失敗。 在此，圖20是表示具備有記載于專利文獻(xiàn)1的電路構(gòu)成的像素的圖。 示于圖20的像素540，具有作為寫入晶體管的驅(qū)動(dòng)用TFT41、鎖存電 路570、〗象素電極35、共用電極37、和電泳元件32。鎖存電路570，為具 備有2個(gè)P-MOS晶體管71、 73,和2個(gè)N-MOS晶體管72、 74的SRAM。 關(guān)于示于圖20的各構(gòu)成要件的具體構(gòu)成，在后面的實(shí)施方式中參照?qǐng)D2 詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
在像素540中，由通過(guò)掃描線66所輸入的選擇信號(hào)而使驅(qū)動(dòng)用TFT41 成為導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)線68與鎖存電路570的數(shù)據(jù)輸入端子Nl進(jìn)行 連接，從數(shù)據(jù)線68向鎖存電路570寫入圖像信號(hào)。而且，將基于由鎖存電 路570所保持的電位進(jìn)行變化的數(shù)據(jù)輸出端子N2的電位(電源電壓Vdd 或Vss )輸入于像素電極35。
通常，在像素540中，向鎖存電路570供給圖像信號(hào)的驅(qū)動(dòng)用TFT41, 以具有比構(gòu)成鎖存電路570的P-MOS晶體管73及N-MOS晶體管74大 的電流驅(qū)動(dòng)能力(導(dǎo)通電流)的尺寸所形成?？墒?，若通過(guò)低溫多晶硅TFT 形成這些晶體管，則如上述地，因?yàn)樵闹圃炱畲?，所以?qū)動(dòng)用TFT41 的電流驅(qū)動(dòng)能力，與P-MOS晶體管73或N-MOS晶體管74的電流驅(qū)動(dòng) 能力有可能逆轉(zhuǎn)。而且，若電流驅(qū)動(dòng)能力的逆轉(zhuǎn)發(fā)生，則有可能在通過(guò)驅(qū) 動(dòng)用TFT41的向鎖存電路570的圖像信號(hào)的寫入中失敗，圖像信號(hào)輸入變 得不能正確地反映于顯示。
相對(duì)于此，在使用負(fù)電源的液晶面板中，雖也已知以向具備有鎖存電 路的像素可靠地進(jìn)行寫入的方式構(gòu)成。但是，例如，在如后述的以共振(3 乇:/振i9 )驅(qū)動(dòng)的方式成為不使用負(fù)電源的構(gòu)成的電泳顯示裝置中，為了 不受元件偏差的影響，必需增大驅(qū)動(dòng)用TFT41的尺寸。
經(jīng)驗(yàn)性地，為了能夠充分吸收元件偏差，必需使驅(qū)動(dòng)用TFT41的寬度 成為P-MOS晶體管73及N-MOS晶體管74的寬度的3 5倍以上。如此一來(lái)，則因?yàn)槠骄?個(gè)像素的面積增大所以向高精細(xì)化的對(duì)應(yīng)變得困難，
進(jìn)而，因?yàn)閳D像信號(hào)的寫入時(shí)的貫通電流(當(dāng)對(duì)驅(qū)動(dòng)用TFT41的電容進(jìn)行 充電時(shí)在掃描線66所流動(dòng)的電流)變大所以消耗電力增大。并且，存在通 過(guò)數(shù)據(jù)線68彼此之間的漏電流作為面板消耗電流也變得不能無(wú)視的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，鑒于上述的問(wèn)題點(diǎn)所做出，目的之一在于提供能夠防止由于 元件偏差引起的存儲(chǔ)電路的動(dòng)作不良的發(fā)生，制造性、動(dòng)作可靠性、及省 電性好的電泳顯示裝置、電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法及電子設(shè)備。
并且，目的之一在于提供降低了消耗電力的電泳顯示裝置、電泳顯示 裝置的驅(qū)動(dòng)方法及電子設(shè)備。
本發(fā)明的第l方式的電泳顯示裝置，是在一對(duì)基板間夾持有含有電泳 微粒的電泳元件，并具有包括多個(gè)像素的顯示部的電泳顯示裝置，其特征 在于在一個(gè)前述基板上在每個(gè)前述像素形成像素電極，在另一個(gè)前述基 板上相對(duì)于多個(gè)前述像素形成共用的對(duì)向電極；在每個(gè)前述像素，設(shè)置像 素開(kāi)關(guān)元件、和在前述像素開(kāi)關(guān)元件與前述像素電極之間連接的存儲(chǔ)電路； 前述存儲(chǔ)電路，具有傳送反相器，其具有與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接的輸 入端子和與前述像素電極連接的輸出端子；反饋反相器，其具有與前述傳
送反相器的前述輸出端子連接的輸入端子和與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接的輸 出端子；以及電阻元件，其連接于前述反饋反相器與低電位電源端子之間， 并具有比構(gòu)成前述反饋反相器的N型晶體管的導(dǎo)通電阻大而比截止電阻小 的電阻值。
通過(guò)如此地在反饋反相器的低電位電源側(cè)設(shè)置電阻元件，因?yàn)槟軌蛟?反饋反相器的輸出端子(存儲(chǔ)電路的輸入端子)與低電位電源端子之間加 上一定的負(fù)載，所以能夠?qū)⑴c像素開(kāi)關(guān)元件相連接的存儲(chǔ)電路的輸入端子 的電位通過(guò)電阻元件固定為規(guī)定電位以上。
從而，即使由于制造偏差而像素開(kāi)關(guān)元件的電流驅(qū)動(dòng)能力變小、反饋 反相器的晶體管的導(dǎo)通電阻變小，也能夠可靠地對(duì)存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)輸入端 子(傳送反相器的輸入端子；反饋反相器的輸出端子)的電位進(jìn)行規(guī)定。由此，能夠向存儲(chǔ)電路可靠地輸入圖像信號(hào)。并且，因?yàn)榧词箿p小像 素開(kāi)關(guān)元件的柵極寬度也進(jìn)行動(dòng)作，所以在大型的面板中也能夠減小掃描 線的電位變化時(shí)產(chǎn)生的電流，能夠抑制電力消耗。
因而如果依照于本發(fā)明，則可以抑制制造偏差的影響而進(jìn)行可靠的動(dòng) 作，能夠提供制造性及動(dòng)作可靠性、以及節(jié)省電力性好的電泳顯示裝置。
本發(fā)明的第2方式的電泳顯示裝置，是在一對(duì)基板間夾持有含有電泳 微粒的電泳元件，并具有包括多個(gè)像素的顯示部的電泳顯示裝置，其特征 在于在一個(gè)前述基板上在每個(gè)前述像素形成像素電極，在另一個(gè)前述基 板上相對(duì)于多個(gè)前述像素形成共用的對(duì)向電極；在每個(gè)前述像素，設(shè)置像 素開(kāi)關(guān)元件、和在前述像素開(kāi)關(guān)元件與前述像素電極之間連接的存儲(chǔ)電路； 前述存儲(chǔ)電路，具有傳送反相器，其具有與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接的輸 入端子和與前述像素電極連接的輸出端子；反饋反相器，其具有與前述傳
送反相器的前述輸出端子連接的輸入端子和與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接的輸 出端子；以及開(kāi)關(guān)晶體管，其連接于前述反饋反相器的輸出端子與前述反 饋反相器的高電位電源端子之間；前述反饋反相器，具有P型晶體管、和 在前述P型晶體管與低電位電源端子之間配置的電阻元件，前述電阻元件 的電阻值，比前述P型晶體管的導(dǎo)通電阻與前述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻的 合計(jì)電阻值大，比前述P型晶體管的截止電阻與前述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電 阻的合計(jì)電阻值小。
在該第2方式中，使反饋反相器為P-MOS反相器。如果依照于該構(gòu) 成，則通過(guò)與P型晶體管相連接的電阻元件的負(fù)載，當(dāng)P型晶體管處于截 止?fàn)顟B(tài)時(shí)，能夠可靠地對(duì)存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)輸入端子的電位進(jìn)行規(guī)定。并且， 因?yàn)榕c電阻元件一起設(shè)置的開(kāi)關(guān)晶體管，在圖像信號(hào)輸入時(shí)從高電位電源 端子斷開(kāi)存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)輸入端子，所以即使當(dāng)P型晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài) 時(shí)，也能夠可靠地對(duì)存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)輸入端子的電位進(jìn)行^L定。
從而，如果依照于第2方式，則可以抑制制造偏差的影響而進(jìn)行可靠 的動(dòng)作，能夠提供制造性及動(dòng)作可靠性高的電泳顯示裝置。并且，因?yàn)榧?使減小像素開(kāi)關(guān)元件的柵極寬度也進(jìn)行動(dòng)作，所以與第l方式同樣地，能 夠減小掃描線的電位變化時(shí)產(chǎn)生的電流，能夠成為節(jié)省電力性好的電泳顯示裝置。
優(yōu)選在前述反饋反相器的輸出端子與高電位電源端子之間連接開(kāi)關(guān) 晶體管；前述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端子，與構(gòu)成前述像素開(kāi)關(guān)元件的晶體管
的柵極端子一起連接于掃描線。
如果成為如此的構(gòu)成，則當(dāng)輸入存儲(chǔ)電路的圖像信號(hào)時(shí)，能夠使像素 開(kāi)關(guān)元件與開(kāi)關(guān)晶體管同步地動(dòng)作，能夠通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管可靠地?cái)嚅_(kāi)反饋 反相器的電源。
優(yōu)選前述開(kāi)關(guān)晶體管，連接于構(gòu)成前述反饋反相器的P型晶體管與 前述高電位電源端子之間。
如果成為如此的構(gòu)成，則能夠防止在給開(kāi)關(guān)晶體管的寄生電容充電的 期間存儲(chǔ)電路的數(shù)據(jù)輸入端子的電位發(fā)生變動(dòng)，能夠防止由噪聲引起的誤 動(dòng)作。
優(yōu)選前述電阻元件的電阻值，為前述P型晶體管的導(dǎo)通電阻與前述 開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻之和的20倍以上，并為前述P型晶體管的截止電 阻與前述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻之和的1/20以下。
如果成為如此的構(gòu)成，則在向存儲(chǔ)電路輸入高電平的圖像信號(hào)時(shí)的數(shù) 據(jù)輸入端子的電位從高電位電源端子的電位變成5%以內(nèi)的范圍。并且， 在輸入低電平的圖像信號(hào)時(shí)的數(shù)據(jù)輸入端子的電位從低電位電源端子變成 5%以內(nèi)的范圍。由此，因?yàn)槟軌蚩煽康叵騻魉头聪嗥鞯妮斎攵俗庸┙o高電 平或低電平，所以能夠防止在傳送反相器流動(dòng)貫通電流。
優(yōu)選在每個(gè)前述像素，設(shè)置基于前述存儲(chǔ)電路的輸出而使多條控制 線與前述像素電極的連接進(jìn)行通斷的開(kāi)關(guān)電路。
通過(guò)成為如此的構(gòu)成，能夠?qū)⑤斎胗诖鎯?chǔ)電路的圖像信號(hào)、與用于對(duì) 電泳元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)而在像素電極上施加的電壓設(shè)定為各自的電位，并且圖 像顯示的控制的自由度也提高。并且通過(guò)恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定控制線的電位狀態(tài)， 能夠防止泄漏電流，能夠降低消耗電力。
優(yōu)選在前述開(kāi)關(guān)電路連接第l及第2控制線，前述開(kāi)關(guān)電路基于前 述存儲(chǔ)電路的輸出對(duì)前述第l及第2控制線擇一性地進(jìn)行選擇而與前述像 素電極相連接。如果成為如此的構(gòu)成，則成為以簡(jiǎn)單的構(gòu)成而顯示控制的自由度高、 并且消耗電力也能夠降低的電泳顯示裝置。
也能夠構(gòu)成為具備控制部，其對(duì)前述像素輸出基于圖像數(shù)據(jù)的圖像 信號(hào)，并通過(guò)前迷第l及第2控制線輸出控制信號(hào)；前述控制部，具有 直方圖生成部，其生成前述圖像數(shù)據(jù)中的灰度值的頻率分布；數(shù)據(jù)解析部， 其根據(jù)前述頻率分布計(jì)算作為變換成高電平的前述圖4象信號(hào)的前述灰度值 的數(shù)據(jù)量的第1變量、和作為變換成低電平的前述圖像信號(hào)的前述灰度值 的數(shù)據(jù)量的第2變量；以及動(dòng)作切換部，其在前述第1變量比前述第2變 量大的情況下，生成使灰度反轉(zhuǎn)的前述圖像信號(hào)而輸出于前述像素，并替 換供給于前述笫1及第2控制線的前述控制信號(hào)進(jìn)行輸出。
如果成為如此的構(gòu)成，則在上述的第2方式的電泳顯示裝置中，變成 能夠相應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)的灰度分布而改變動(dòng)作模式的構(gòu)成。在第2方式的電 泳顯示裝置中，因?yàn)榉答伔聪嗥魇荘-MOS反相器，所以若寫入存儲(chǔ)電路 的高電平而P型晶體管變成導(dǎo)通狀態(tài)，則在電阻元件流過(guò)電流而消耗電力。 因此，通過(guò)預(yù)先對(duì)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行解析而盡量減少將高電平的圖像信號(hào)寫入 像素，能夠抑制在顯示部整體的消耗電力上升。
接下來(lái)，本發(fā)明的電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，是先前的第2方式中的 電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，特征為根據(jù)與前述顯示部對(duì)應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)生 成灰度值的頻率分布，在前述頻率分布中對(duì)變換成高電平的圖像信號(hào)的前 述灰度值的數(shù)據(jù)量與變換成低電平的圖像信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量進(jìn)行 比較，并在變換成前述高電平的圖像信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量的一方多 的情況下，將使灰度反轉(zhuǎn)的圖像信號(hào)輸出于前述像素，并替換供給于前述 第1及第2控制線的控制信號(hào)進(jìn)行輸出。
如果依照于如此的驅(qū)動(dòng)方法，則能夠降低第2實(shí)施方式的電泳顯示裝 置中的動(dòng)作時(shí)的消耗電力。
接下來(lái)，本發(fā)明的電子設(shè)備，特征為具備有先前記載的本發(fā)明的電 泳顯示裝置。
如果依照于該構(gòu)成，則能夠提供具備有動(dòng)作可靠性及制造性優(yōu)良的顯 示單元的電子設(shè)備。并且，能夠提供具備有低消耗電力的顯示單元的電子設(shè)備。


圖l是第1實(shí)施方式中的電泳顯示裝置1的概略構(gòu)成圖。
圖2是表示第1實(shí)施方式中的電泳顯示裝置的像素電路的圖。
圖3是第1實(shí)施方式中的電泳顯示裝置的概略剖面圖。
圖4是微嚢的概略剖面圖。
圖5是電泳元件的動(dòng)作說(shuō)明圖。
圖6是表示第1實(shí)施方式的變形例中的像素電路的圖。
圖7是第1實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的定時(shí)圖。
圖8是表示第1實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的像素的狀態(tài)的圖。
圖9是表示第1實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的像素的狀態(tài)的圖。
圖IO是表示第2實(shí)施方式中的電泳顯示裝置的像素電路的圖。
圖11是表示第2實(shí)施方式中的電泳顯示裝置的控制器的圖。
圖12是表示第2實(shí)施方式中的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。
圖13是第2實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的定時(shí)圖。
圖14是表示第2實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的像素的狀態(tài)的圖。
圖15是表示第2實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的像素的狀態(tài)的圖。
圖16是表示第2實(shí)施方式的變形例中的像素電路的圖。
圖17是表示電子設(shè)備之一例的圖。
圖18是表示電子設(shè)備之一例的圖。
圖19是表示電子設(shè)備之一例的圖。
圖20是表示現(xiàn)有的像素電路的圖。
符號(hào)的說(shuō)明
1 電泳顯示裝置，5 顯示部，40、 140、 240、 340 像素，32 電泳 元件，33 粘接劑層，35像素電極，37共用電極(對(duì)向電極)，41 驅(qū) 動(dòng)用TFT (像素開(kāi)關(guān)元件)，63控制器(控制部)，66掃描線，68數(shù) 據(jù)線，70、 170、 270 鎖存電路(存儲(chǔ)電路)，70f、 270f 反饋反相器， 70t、 270t傳送反相器，75開(kāi)關(guān)晶體管，80 開(kāi)關(guān)電路，91 第1控制線，92第2控制線，TG1、 TG2傳輸門，171 直方圖生成部，172數(shù) 據(jù)解析部，173 動(dòng)作切換部，Rl、 R2 電阻元件，PH 高電位電源端子， PL低電位電源端子。
具體實(shí)施例方式
以下，采用附圖關(guān)于本發(fā)明中的電泳顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。還有在本實(shí) 施方式中，關(guān)于通過(guò)有源矩陣方式所驅(qū)動(dòng)的電泳顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。
還有，本實(shí)施方式，表示本發(fā)明之一方式，并非對(duì)該發(fā)明進(jìn)行限定， 可以在本發(fā)明的技術(shù)性思想的范圍內(nèi)任意地進(jìn)行改變。并且，在以下的附 圖中，為了使各構(gòu)成容易理解，使各結(jié)構(gòu)中的比例尺、數(shù)量等與實(shí)際的結(jié) 構(gòu)不相同。
第1實(shí)施方式
圖1,是有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電泳顯示裝置1的概略構(gòu)成圖。 電泳顯示裝置l，具備排列有多個(gè)像素40的顯示部5。在顯示部5的 周邊，配置掃描線驅(qū)動(dòng)電路61、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62、控制器(控制部)63、 及共用電源調(diào)制電路64。掃描線驅(qū)動(dòng)電路61、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62、及共 用電源調(diào)制電路64,分別與控制器63相連接?？刂破?3,基于從上級(jí)裝 置所供給的圖像數(shù)據(jù)、同步信號(hào)等，綜合性地對(duì)它們進(jìn)行控制。
在顯示部5設(shè)置從掃描線驅(qū)動(dòng)電路61延伸的多條掃描線66、和從數(shù) 據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62延伸的多條數(shù)據(jù)線68，對(duì)應(yīng)于它們的交叉位置設(shè)置像素 40。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62,通過(guò)n條數(shù)據(jù)線68 (Xl、 X2.....Xn )連接于
各自的像素40，在控制器63的控制之下，將對(duì)與像素40的各自對(duì)應(yīng)的1 比特的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行規(guī)定的圖像信號(hào)供給于像素40。
還有，在本實(shí)施方式中，在對(duì)圖像數(shù)據(jù)"0"進(jìn)行規(guī)定的情況下將低電 平的圖像信號(hào)供給于像素40，并在對(duì)圖像數(shù)據(jù)'T，進(jìn)行規(guī)定的情況下將 高電平的圖〗象信號(hào)供給于像素40。
掃描線驅(qū)動(dòng)電路61,通過(guò)m條掃描線66 (Yl、 Y2.....Ym )連接
于各自的像素40,在控制器63的控制之下，依次選擇從第1行到第m行的掃描線66,并將對(duì)設(shè)置于像素40的驅(qū)動(dòng)用TFT41 (參照?qǐng)D2)的導(dǎo)通 定時(shí)進(jìn)行規(guī)定的選擇信號(hào)，通過(guò)選中的掃描線66進(jìn)行供給。
在顯示部5，還設(shè)置從共用電源調(diào)制電路64延伸的低電位電源線49、 高電位電源線50、共用電極布線55、第1控制線91、及第2控制線92。 各自的布線與像素40相連接。共用電源調(diào)制電路64，在控制器63的控制 之下，生成應(yīng)當(dāng)供給于上述的布線的各自的各種信號(hào)，另一方面進(jìn)行這些 各布線的電連接及斷開(kāi)(高阻抗化)。
接下來(lái)，圖2是像素40的電路構(gòu)成圖。
像素40，如圖2所示，具備驅(qū)動(dòng)用TFT (像素開(kāi)關(guān)元件)41,鎖存 電路(存儲(chǔ)電路)70，開(kāi)關(guān)電路80,電泳元件32， 4象素電極35，和共用 電極37。以包圍這些元件的方式，配置掃描線66、數(shù)據(jù)線68、低電位電 源線49、高電位電源線50、第1控制線91、和第2控制線92。像素40， 為通過(guò)鎖存電路70對(duì)圖像信號(hào)作為電位進(jìn)行保持的SRAM (Static Random Access Memory,靜態(tài)隨才幾存取存儲(chǔ)器)方式的構(gòu)成。
驅(qū)動(dòng)用TFT41 ，為包括N-MOS( Negative Metal Oxide Semiconductor, 負(fù)金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的像素開(kāi)關(guān)元件。驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵極端子 連接于掃描線66，源極端子連接于數(shù)據(jù)線68，漏極端子連接于鎖存電路 70的數(shù)據(jù)輸入端子N1。開(kāi)關(guān)電路80,連接于鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸出端子 N2、及像素電極35。電泳元件32，以像素電極35和共用電極37所夾持。
鎖存電路70,具備傳送反相器(転送,y,—夕)70t及反饋反相器 70f，和電阻元件R1。
傳送反相器70t與反饋反相器70f，為在彼此的輸入端子連接另 一方的 輸出端子的環(huán)形結(jié)構(gòu)，在各自的反相器，從通過(guò)高電位電源端子PH所連 接的高電位電源線50、和通過(guò)低電位電源端子PL所連接的低電位電源線 49供給電源電壓。電阻元件Rl，連接于反饋反相器70f與低電位電源端 子PL之間。
傳送反相器70t，包括使雙方的漏極端子連接于數(shù)據(jù)輸出端子N2的 P-MOS晶體管71和N-MOS晶體管72， P-MOS晶體管71的源極端子連 接于高電位電源端子PH， N-MOS晶體管72的源極端子連接于低電位電源端子PL。 P-MOS晶體管71及N-MOS晶體管72的柵極端子(傳送反 相器70t的輸入端子)，與數(shù)據(jù)輸入端子N1相連接。
反饋反相器70f，包括使雙方的漏極端子連接于數(shù)據(jù)輸入端子Nl的 P-MOS晶體管73與N-MOS晶體管74， P-MOS晶體管73的源極端子連 接于高電位電源端子PH， N-MOS晶體管74的源極端子與電阻元件Rl 的一個(gè)端子相連接。電阻元件Rl的另 一個(gè)端子連接于低電位電源端子PL。
P-MOS晶體管73及N-MOS晶體管74的柵極端子(反饋反相器70f 的輸入端子)，與數(shù)據(jù)輸出端子N2 (傳送反相器70t的輸出端子)相連接。
開(kāi)關(guān)電路80，具備第1傳輸門TG1、與第2傳輸門TG2所構(gòu)成。
第1傳輸門TG1,包括N-MOS晶體管81與P-MOS晶體管82。N-MOS 晶體管81及P-MOS晶體管82的源極端子連接于第1控制線91， N-MOS 晶體管81及P-MOS晶體管82的漏極端子連接于像素電極35。并且， N-MOS晶體管81的柵極端子，連接于驅(qū)動(dòng)用TFT41的漏極端子(鎖存電 路70的數(shù)據(jù)輸入端子N 1 )， P-MOS晶體管82的柵極端子，連接于鎖存 電路70的數(shù)據(jù)輸出端子N2。
第2傳輸門TG2，包括N-MOS晶體管83與P-MOS晶體管84。N-MOS 晶體管83及P-MOS晶體管84的源極端子連接于第2控制線92， N-MOS 晶體管83及P-MOS晶體管84的漏極端子，連接于像素電極35。并且， N-MOS晶體管83的柵極端子，連接于鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸出端子N2， P-MOS晶體管84的柵極端子，連接于驅(qū)動(dòng)用TFT41的漏極端子(鎖存電 路70的數(shù)據(jù)輸入端子N1)。
在此，在鎖存電路70存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)'T，(高電平的圖像信號(hào))、從數(shù) 據(jù)輸出端子N2輸出低電平的信號(hào)的情況下，第l傳輸門TG1變成導(dǎo)通狀 態(tài)，將通過(guò)第1控制線91所供給的電位Sl的控制信號(hào)供給于像素電極35。 另一方面，在鎖存電路70存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)"0"(低電平的圖像信號(hào))、從數(shù) 據(jù)輸出端子N2輸出高電平的信號(hào)的情況下，第2傳輸門TG2變成導(dǎo)通狀 態(tài)，將通過(guò)第2控制線92所供給的電位S2的控制信號(hào)供給于像素電極35。
像素電極35,通過(guò)A1(鋁)等所形成，在電泳元件32施加電壓。像 素電極35，與第l傳輸門TG1及第2傳輸門TG2相連接。共用電極37，具有作為像素電極35的對(duì)向電極的功能，為由MgAg (鎂銀)、ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)等所形成的透明電極， 通過(guò)共用電極布線55供給共用電極電位Vcom。電泳元件32，夾持于像素 電極35與共用電極37之間，通過(guò)由這些像素電極35與共用電極37的電 位差而產(chǎn)生的電場(chǎng)使圖像進(jìn)行顯示。
圖3是顯示部5中的電泳顯示裝置1的局部剖面圖。電泳顯示裝置1， 具備在元件基板30與對(duì)向基板31之間，夾持有排列多個(gè)微嚢20而形成的 電泳元件32的構(gòu)成。在顯示部5中，在元件基板30的電泳元件32側(cè)排列 形成多個(gè)像素電極35，電泳元件32通過(guò)粘接劑層33與像素電極35相粘 接。在對(duì)向基板31的電泳元件32側(cè)形成與多個(gè)像素電極35相對(duì)向的平面 形狀的共用電極37，在共用電極37上設(shè)置電泳元件32。
元件基板30，為包括玻璃、塑料等的基板，因?yàn)榕渲糜谂c圖像顯示面 相反側(cè)所以也可以為非透明。雖然圖示進(jìn)行省略，但是在像素電極35與元 件基板30之間，形成示于圖1、圖2的掃描線66、數(shù)據(jù)線68、驅(qū)動(dòng)用TFT41、 鎖存電路70、開(kāi)關(guān)電路80等。
對(duì)向基板31為包括玻璃、塑料等的基板，因?yàn)榕渲糜趫D像顯示側(cè)所以 為透明基板。形成于對(duì)向基板31上的共用電極37,采用MgAg(鎂銀)、 ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)等的透明導(dǎo)電材料所形成。
還有，電泳元件32，預(yù)先形成于對(duì)向基板31側(cè)， 一般作為含有對(duì)向 基板31、電泳元件32和粘接劑層33的電泳片所處理。在制造工序中，電 泳片以在粘接劑層33的表面貼附有保護(hù)用的剝離紙的狀態(tài)所處理。而且， 通過(guò)對(duì)于另外制造的元件J4130 (形成像素電極35、各種電路等)，貼附 剝掉了剝離紙的該電泳片，形成顯示部5。因此，粘接劑層33僅存在于像 素電極35側(cè)。
圖4，是微嚢20的模式剖面圖。微嚢20，具有例如50jam程度的粒 徑，為在內(nèi)部封入分散介質(zhì)21、多個(gè)白色微粒(電泳微粒)27、和多個(gè)黑 色微粒(電泳孩史粒)26的球狀體。；微嚢20，如圖3所示，以共用電極37 與像素電極35所夾持，在1個(gè)像素40內(nèi)配置1個(gè)或多個(gè)微嚢20。
微嚢20的外殼部(壁膜)，采用聚甲基丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸乙酯等的丙烯酸樹(shù)脂，尿素樹(shù)脂、阿拉伯膠等的具有透光性的高分子樹(shù)脂所 形成。
分散介質(zhì)21，為使白色微粒27與黑色微粒26分散于微嚢20內(nèi)的液 體。作為分散介質(zhì)21，能夠例示水、醇類溶劑(甲醇，乙醇、異丙醇，丁 醇，辛醇，甲基溶纖劑等)，酯類(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮類(丙酮， 曱乙酮，曱基異丁基酮等)、脂肪族烴(戊烷，己烷，辛烷等)、脂環(huán)式烴 (環(huán)己烷，甲基環(huán)己烷等)、芳香族烴(苯，甲苯，具有長(zhǎng)鏈烷基的苯類(二 甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷 基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卣代烴(二氯甲烷，氯仿，四氯化 碳，1，2-二氯乙烷等)、羧酸鹽等，也可以為其他的油類。這些物質(zhì)能夠單 獨(dú)使用或用作混合物，進(jìn)而也可以摻和表面活性劑等。
白色微粒27,例如，為包括二氧化鈦、鋅華、三氧化銻等的白色顏料 的微粒(高分子或者膠體)，例如帶負(fù)電。黑色撰L粒26，例如，為包括苯 胺黑、炭黑等的黑色顏料的微粒(高分子或者膠體)，例如帶正電。
在這些顏料中，根據(jù)需要，能夠添加電解質(zhì)、表面活性劑、金屬皂、 樹(shù)脂、橡膠、油、清漆、包括復(fù)合物等的微粒的電荷控制劑、鈦類偶聯(lián)劑、 鋁類偶聯(lián)劑、硅烷類偶聯(lián)劑等的分散劑、潤(rùn)滑劑、穩(wěn)定劑等。
并且，也可以代替黑色微粒26及白色微粒27，采用例如紅色、綠色、 藍(lán)色等的顏料。如果利用如此的構(gòu)成，則能夠在顯示部5對(duì)紅色、綠色、 藍(lán)色等進(jìn)行顯示。
圖5，是電泳元件的動(dòng)作說(shuō)明圖。圖5(a)、圖5(b),分別表示使像 素40進(jìn)行白顯示的情況、使像素40進(jìn)行黑顯示的情況。
在示于圖5 (a)的白顯示的情況下，共用電極37相對(duì)地保持為高電 位，像素電極35相對(duì)地保持為低電位。由此，帶負(fù)電的白色微粒27被吸 引到共用電極37，另 一方面帶正電的黑色孩i粒26被吸引到像素電極35。 其結(jié)果，若從成為顯示面?zhèn)鹊墓灿秒姌O37側(cè)看該像素，則看成白色。
在示于圖5(b)的黑顯示的情況下，共用電極37相對(duì)地保持為低電 位，像素電極35相對(duì)地保持為高電位。由此，帶正電的黑色微:粒26凈皮吸引到共用電極37，另 一方面帶負(fù)電的白色微粒27被吸引到像素電極35。 其結(jié)果，若從共用電極37側(cè)看該像素，則看成黑色。
在具備有以上的構(gòu)成的電泳顯示裝置1中，通過(guò)驅(qū)動(dòng)用TFT41向鎖存 電路70的數(shù)據(jù)輸入端子Nl輸入圖像信號(hào)而使圖像信號(hào)作為電位存儲(chǔ)于鎖 存電路70。而且，通過(guò)基于根據(jù)所存儲(chǔ)的電位從數(shù)據(jù)輸出端子N2所輸出 的電位而使開(kāi)關(guān)電路80進(jìn)行動(dòng)作，使第1及第2控制線91、 92擇一性地 與像素電極35相連接。由此，在像素電極35輸入電位S1的控制信號(hào)或 電位S2的控制信號(hào)，如圖5所示，基于與共用電極37的電位差而像素40 進(jìn)行黑或白顯示。
當(dāng)在鎖存電路70輸入圖像信號(hào)時(shí)，在掃描線66輸入脈沖狀的選擇信 號(hào)，并在動(dòng)作對(duì)象的像素40的驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵極端子輸入高電平。由 此，驅(qū)動(dòng)用TFT41變成導(dǎo)通狀態(tài)而數(shù)據(jù)線68與鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸入端 子Nl被電連接，從數(shù)據(jù)線68所供給的圖像信號(hào)(高電平、低電平)作為 電位存儲(chǔ)于鎖存電路70。
在本實(shí)施方式的電泳顯示裝置1中，如圖2所示，通過(guò)在N-MOS晶 體管74與低電位電源端子PL之間設(shè)置電阻元件Rl，能可靠地進(jìn)行向上 述的鎖存電路70的圖像信號(hào)的寫入。以下，關(guān)于如此的作用詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō) 明。
在寫入與保持于鎖存電路70的電位并不相同的電位的圖傳 f言號(hào)、進(jìn)行 鎖存電路70的數(shù)據(jù)更新的情況下，必需抵抗鎖存電路的P-MOS晶體管73 或N-MOS晶體管74，強(qiáng)制性地使數(shù)據(jù)輸入端子Nl的電位變成圖像信號(hào) 的電位。
為此，通常，為了可靠地進(jìn)行圖像信號(hào)的寫入，驅(qū)動(dòng)用TFT41的電流 驅(qū)動(dòng)能力設(shè)計(jì)得比N-MOS晶體管74大。即，作為驅(qū)動(dòng)用TFT41采用寬 度比N-MOS晶體管74大、導(dǎo)通電阻小的TFT。
但是，若驅(qū)動(dòng)用TFT41、 P-MOS晶體管73、 N-MOS晶體管74的導(dǎo) 通電流由于制造偏差而偏離設(shè)計(jì)值，則在上述的鎖存電路70的數(shù)據(jù)更新中 存在失敗的可能性。尤其在通過(guò)低溫多晶硅工序制作TFT的情況下，有時(shí) 平均單位寬度的導(dǎo)通電流竟2 3倍程度地發(fā)生變動(dòng)，驅(qū)動(dòng)用TFT41的電流驅(qū)動(dòng)能力比設(shè)計(jì)值變低(導(dǎo)通電阻變高)，P-MOS晶體管73、 N-MOS晶 體管74的導(dǎo)通電阻變低的可能性升高。
在此，在由鎖存電路70保持高電平的電位、所輸入的圖像信號(hào)為低電 平的情況下，因?yàn)樽鳛镹-MOS的驅(qū)動(dòng)用TFT41中的柵極源極間的電位差 (Vgs)大，所以容易確保驅(qū)動(dòng)用TFT41的導(dǎo)通電流，難以發(fā)生寫入的失 敗。
但是，在由鎖存電路保持低電平的電位、所輸入的圖像信號(hào)為高電平 的情況下，因?yàn)轵?qū)動(dòng)用TFT41的Vgs小，并且隨著鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸 入端子Nl的電位上升驅(qū)動(dòng)用TFT41的源極漏極間的電位差(Vds)也變 小，所以導(dǎo)通電流降低在寫入中存在失敗的可能性。
于是在本實(shí)施方式中，通過(guò)在反饋反相器70f的低電位電源側(cè)設(shè)置電 阻元件R1，增大反饋反相器70f的N溝道側(cè)的負(fù)載。由此，因?yàn)橥ㄟ^(guò)電 阻元件Rl的負(fù)載而N-MOS晶體管74的導(dǎo)通電流降低，所以即使在由于 制造偏差而驅(qū)動(dòng)用TFT41的電流驅(qū)動(dòng)能力變得不足、N-MOS晶體管74的 導(dǎo)通電阻變小的情況下，也能夠可靠地對(duì)數(shù)據(jù)輸入端子Nl的電位進(jìn)行規(guī) 定。
并且，因?yàn)橥ㄟ^(guò)電阻元件R1的作用而可以進(jìn)行向鎖存電路70的可靠 的寫入，所以能夠使驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵極寬度相比于現(xiàn)有為窄。因?yàn)橥ㄟ^(guò) 減小驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵極寬度而使電容(Cgs)變小，所以由于寫入圖像 信號(hào)時(shí)的電容的充電而流動(dòng)于掃描線66的充電電流(貫通電流)變小。由 此，能夠減少電力消耗。
在本實(shí)施方式中，電阻元件R1的電阻值，為比N-MOS晶體管74的 導(dǎo)通電阻大、而比截止電阻小的電阻值。在為N-MOS晶體管74的導(dǎo)通電 阻以下的電阻值的情況下，電阻元件Rl基本不作為相對(duì)于反饋反相器70f 的負(fù)載起作用，基本得不到圖像信號(hào)寫入的可靠性提高、貫通電流(流動(dòng) 于掃描線66的充電電流)的抑制的效果。并且，若為N-MOS晶體管74 的截止電阻以上的電阻值，則因?yàn)榉答伔聪嗥?0f的N溝道側(cè)總為截止?fàn)?態(tài)所以無(wú)法對(duì)數(shù)據(jù)輸入端子Nl的電位進(jìn)行規(guī)定，有可能在圖像信號(hào)的寫 入中發(fā)生失敗、在鎖存電路70內(nèi)產(chǎn)生貫通電流。如此，在本實(shí)施方式的電泳顯示裝置1中，即使在構(gòu)成像素40的半導(dǎo) 體元件中產(chǎn)生了制造偏差的情況下，也能夠在鎖存電路70可靠地寫入圖像 信號(hào)。從而本實(shí)施方式的電泳顯示裝置，是具備有抑制制造偏差的影響的 構(gòu)成的制造性優(yōu)，并且電路的動(dòng)作的可靠性也高的電泳顯示裝置。并且， 因?yàn)槟軌驕p小驅(qū)動(dòng)用TFT14的柵極寬度，所以能夠減少圖像信號(hào)寫入時(shí)的 掃描線66的電流量，并降低消耗電力。 (變形例)
圖6，是由第1實(shí)施方式的變形例中的電泳顯示裝置所具備的像素的 電路構(gòu)成圖。示于圖6的像素140，具備驅(qū)動(dòng)用TFT41,鎖存電路(存 儲(chǔ)電路)170，開(kāi)關(guān)電路80，像素電極35，電泳元件32,和共用電極37。 還有，因?yàn)殒i存電路以外的構(gòu)成(驅(qū)動(dòng)用TFT41,開(kāi)關(guān)電路80等)，與示 于圖2的像素40相同，所以在以下主要關(guān)于鎖存電路170進(jìn)行說(shuō)明。
鎖存電路170，具備傳送反相器70t及反饋反相器70f，連接于反饋 反相器70f與低電位電源端子PL之間的電阻元件Rl，和連接于反饋反相 器70f與高電位電源端子PH之間的開(kāi)關(guān)晶體管75。
開(kāi)關(guān)晶體管75,是P-MOS晶體管，其柵極端子與驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵 極端子連接于共用的掃描線66。開(kāi)關(guān)晶體管75的源極端子連接于高電位 電源端子PH,漏極端子與反饋反相器70f的P-MOS晶體管73的源極端 子相連接。
在像素140中，由于通過(guò)掃描線66所輸入的選擇信號(hào)，驅(qū)動(dòng)用TFT41 與開(kāi)關(guān)晶體管75排他性地進(jìn)行動(dòng)作。即，當(dāng)向像素140輸入圖像信號(hào)時(shí)在 作為N-MOS晶體管的驅(qū)動(dòng)用TFT41變成導(dǎo)通狀態(tài)的期間開(kāi)關(guān)晶體管75 變成截止?fàn)顟B(tài)，在此以外的驅(qū)動(dòng)用TFT41變成截止?fàn)顟B(tài)的期間開(kāi)關(guān)晶體管 75變成導(dǎo)通狀態(tài)。
而且，通過(guò)設(shè)置如此進(jìn)行動(dòng)作的開(kāi)關(guān)晶體管75，變形例中的電泳顯示 裝置，能更可靠地進(jìn)行向鎖存電路170的圖像信號(hào)的輸入。
以下，關(guān)于如此的像素140的作用詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
第1實(shí)施方式中的像素40，如在前記載地，為能夠消除向保持低電平 的鎖存電路70輸入高電平的圖像信號(hào)的情況下的不良狀況的構(gòu)成。另一方面，在向保持高電平的鎖存電路70輸入低電平的圖傳J言號(hào)的情況下，如上 述地難以產(chǎn)生寫入的失敗?？墒牵谌缰圃炱畲?、TFT41的電流驅(qū)動(dòng)能 力變得不足的情況下，通過(guò)來(lái)自P-MOS晶體管73的電流而數(shù)據(jù)輸入端子 Nl的電位降不到低電平，在寫入中存在失敗的可能性。
相對(duì)于此，在像素140中，若為了向鎖存電路170輸入圖像信號(hào)而驅(qū) 動(dòng)用TFT41變成導(dǎo)通狀態(tài)，則開(kāi)關(guān)晶體管75變成截止?fàn)顟B(tài)，反饋反相器 70f與高電位電源端子PH被斷開(kāi)。從而，當(dāng)通過(guò)驅(qū)動(dòng)用TFT41輸入了低 電平的圖像信號(hào)時(shí)，因?yàn)殡娏鞑⒉粡母唠娢浑娫炊俗覲H流到數(shù)據(jù)輸入端 子Nl，所以能夠可靠地使數(shù)據(jù)輸入端子Nl為低電平電位。
如果如此地依照于本變形例中的電泳顯示裝置，則除了通過(guò)電阻元件 Rl可靠地寫入高電平的圖像信號(hào)之外，也能夠通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管75將低電 平的圖像信號(hào)可靠地寫入鎖存電路170。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制構(gòu)成驅(qū)動(dòng)用 TFT41、鎖存電路170的晶體管中的制造偏差的影響，動(dòng)作可靠性高的電 泳顯示裝置。并且，因?yàn)槟芸煽康剡M(jìn)行向鎖存電路170的圖像信號(hào)的寫入， 所以能夠使驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵極寬度相比于現(xiàn)有為窄。由此，能夠減少由 于圖像寫入時(shí)的驅(qū)動(dòng)用TFT41的充電而流動(dòng)于掃描線66的充電電流，能 夠降低消耗電力。
并且，在示于圖2的像素40中，因?yàn)楫?dāng)更新鎖存電路170的數(shù)據(jù)時(shí) P-MOS晶體管73與N-MOS晶體管74的導(dǎo)通/截止#皮切換，所以在P-MOS 晶體管73與N-MOS晶體管74同時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的期間在反饋反相器70f 產(chǎn)生貫通電流。相對(duì)于此，在變形例中的像素140中，在向鎖存電路170 輸入圖像信號(hào)的期間開(kāi)關(guān)晶體管75變成截止?fàn)顟B(tài)。因此，不會(huì)在反饋反相 器70f流動(dòng)貫通電流，能夠降低鎖存電路中的消耗電力。
還有，雖然在本變形例中的像素140中，在反饋反相器70f與高電位 電源端子PH之間配置開(kāi)關(guān)晶體管，但是也可以使開(kāi)關(guān)晶體管75,連接于 P-MOS晶體管73與數(shù)據(jù)輸入端子Nl之間。在該情況下，也能夠得到與 上述同樣的作用效果。
但是，優(yōu)選開(kāi)關(guān)晶體管75，如示于圖6地配置于高電位電源端子 PH附近。由此，因?yàn)閷?duì)開(kāi)關(guān)晶體管75進(jìn)行了驅(qū)動(dòng)時(shí)的寄生電容的充電通過(guò)P-MOS晶體管73與高電位電源線50所進(jìn)行，所以能夠抑制數(shù)據(jù)輸入 端子N1中的電位變動(dòng)，對(duì)噪聲的發(fā)生進(jìn)行抑制。 (驅(qū)動(dòng)方法)
接下來(lái)，關(guān)于本發(fā)明的電泳顯示裝置l的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。雖然在 以下，關(guān)于具備有示于圖2的電泳顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明，但是在具備有示于 圖6的像素140的變形例中的電泳顯示裝置中也能夠采用同樣的驅(qū)動(dòng)方法。
表l,表示以下的驅(qū)動(dòng)方法的說(shuō)明中的各布線、電極的電位。圖7，是 表示本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的定時(shí)圖的圖。圖8，是表示示于圖7的黑 色圖像顯示期間ST101中的像素40A、 40B的電位關(guān)系的圖。圖9，是表 示示于圖7的白色圖像顯示期間ST102中的像素40A、 40B的電位關(guān)系的 圖。
還有，在圖7 圖9中，各符號(hào)的"A" "B" "a" "b"下標(biāo)，用于對(duì)作 為說(shuō)明的對(duì)象的2個(gè)像素40、和屬于它們的構(gòu)成要件明確地進(jìn)行區(qū)別而附 加并無(wú)他意思。
在表1中，表示輸入于像素40A的圖像信號(hào)Da、輸入于像素40B的 圖像信號(hào)Db、像素電極35a的電位Va、像素電極35b的電位Vb、第1 控制線91的電位S1、及第2控制線92的電位S2。
并且在圖7，示出第l控制線91的電位S1、第2控制線92的電位S2、 像素電極35a的電位Va、像素電極35b的電位Vb、及共用電極37的共用 電位Vcom。
表l
ST101ST10240A40B40A40B
DaH一H-
Db一一
SlH (VH)Hi-ZS2Hi-ZL (VL)VaH ( VH)一Hi-Z一
Vb-Hi畫Z—L ( VL)本發(fā)明中的電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，包括通過(guò)驅(qū)動(dòng)用TFT41在鎖 存電路70輸入圖像信號(hào)的第1步驟；和基于保持了圖像信號(hào)的鎖存電路 70的輸出而使開(kāi)關(guān)電路80進(jìn)行動(dòng)作，使通過(guò)開(kāi)關(guān)電路80所選中的第l或 第2控制線91、 92與像素電極35相連接，通過(guò)在像素電極35輸入電位而 進(jìn)行圖像顯示的第2步驟。
在圖7中，示出上述驅(qū)動(dòng)方法之中、作為第2步驟的圖像顯示期間 STIOO，和其后的電源關(guān)斷期間ST105。在圖像顯示期間ST100中，依次 實(shí)行黑色圖像顯示期間ST101與白色圖像顯示期間ST102。
在本驅(qū)動(dòng)方法中，先于圖像顯示期間ST100,在像素40 (40A, 40B) 的鎖存電路70 (70a， 70b)輸入圖像信號(hào)(第1步驟)。
在進(jìn)行黑顯示的像素40A中，在數(shù)據(jù)線68a供給高電平(H)，通過(guò)驅(qū) 動(dòng)用TFT41a在鎖存電路70a輸入高電平(H)。另一方面，在進(jìn)行白顯示 的像素40B中，在數(shù)據(jù)線68b供給低電平(L )，通過(guò)驅(qū)動(dòng)用TFT41b在鎖 存電路70b輸入低電平(L)。
若在鎖存電路70a、鎖存電路70b輸入圖像信號(hào)，則高電位電源線50 的電位設(shè)定為圖像顯示用的高電平(Vdd)，低電位電源線49的電位設(shè)定 為低電平(Vss)。由此，像素40A中的數(shù)據(jù)輸入端子Nla的電位變成高電 平(Vdd)，數(shù)據(jù)輸出端子N2a的電位變成低電平(Vss)。并且，像素40B 中的數(shù)據(jù)輸入端子Nlb的電位變成低電平(Vss)，數(shù)據(jù)輸出端子N2b的 電位變成高電平(Vdd)。
在通過(guò)以上在像素40A、 40B的鎖存電路70a、 70b輸入了圖像信號(hào)之 后，轉(zhuǎn)移到圖像顯示期間ST100 (第2步驟)。
若轉(zhuǎn)移到圖像顯示期間ST100之中黑色圖像顯示期間ST101,則如示 于圖7及圖8地，在第1控制線91供給高電平的電位VH，第2控制線92 成為電斷路的高阻狀態(tài)。
在輸入了高電平(H)的圖像信號(hào)的像素40A中，數(shù)據(jù)輸入端子Nla 的電位變成高電平(Vdd)，數(shù)據(jù)輸出端子N2a的電位變成低電平(Vss)。 由此，開(kāi)關(guān)電路80a的傳輸門TGla變成導(dǎo)通狀態(tài)，從第1控制線91向像 素電極35a輸入高電平VH。并且，在共用電極37，輸入高電平的期間(VH )與低電平的期間(VL)周期性地重復(fù)的脈沖狀的信號(hào)。
于是，在共用電極37為低電平(VL)的期間中，由于像素電極35a 與共用電極37之間的電位差，如示于圖5(b)地，帶正電的黑色微粒26 吸引于共用電極37側(cè)，帶負(fù)電的白色微粒27吸引于像素電極35a側(cè)，像 素40A進(jìn)行黑顯示。
還有，在共用電極37為高電平(VH)的期間中，因?yàn)橄袼仉姌O35a 與共用電極37全都變成高電平(VH)而不產(chǎn)生電位差，所以電泳微粒并 不移動(dòng)。
另一方面，在輸入了低電平(L)的圖像信號(hào)的像素40B中，數(shù)據(jù)輸 入端子Nlb的電位變成低電平(Vss)，數(shù)據(jù)輸出端子N2b的電位變成高 電平(Vdd)。由此，開(kāi)關(guān)電路80b的傳輸門TG2b變成導(dǎo)通狀態(tài)，第2控 制線92與像素電極35b相連接。此時(shí)，因?yàn)榈?控制線92為高阻狀態(tài) (Hi-Z),所以像素電極35b變成高阻狀態(tài)。而且，不管共用電極37的電 位，保持現(xiàn)狀的顯示。
接下來(lái)，若轉(zhuǎn)移到白色圖像顯示期間ST102,則如示于圖7及圖9地， 在第2控制線92供給低電平的電位VL，第1控制線91成為高阻狀態(tài)。
在輸入了高電平(H)的圖像信號(hào)的像素40A中，通過(guò)開(kāi)關(guān)電路80a 的傳輸門TGla將第l控制線91與像素電極35a相連接。從而，像素電極 35a變成高阻狀態(tài)，保持在黑色圖像顯示期間ST101中所進(jìn)行的黑顯示。
另一方面，在輸入了低電平(L)的圖像信號(hào)的像素40B中，通過(guò)開(kāi) 關(guān)電路80b的傳輸門TG2b將第2控制線92與像素電極35b相連接。由 此，在像素電極35b輸入低電平的電位VL。
而且，因?yàn)樵诠灿秒姌O37，輸入高電平(VH)與低電平(VL)的期 間周期性地重復(fù)的脈沖狀的信號(hào)，所以在共用電極37為高電平(VH)的 期間在像素電極35b與共用電極37之間產(chǎn)生電位差。由此，如示于圖5 (a)地，帶負(fù)電的白色微粒27吸引于共用電極37側(cè)，帶正電的黑色微粒 26吸引于像素電極35b側(cè)，像素40B進(jìn)行白顯示。還有，在共用電極37 為低電平(VL )的期間中，因?yàn)橄袼仉姌O與共用電極之間并不產(chǎn)生電位差， 所以電泳微:粒不會(huì)移動(dòng)。若在白色圖像顯示期間ST102之后、轉(zhuǎn)移到電源斷開(kāi)期間ST105，則 第l及第2控制線91、92及共用電極37通過(guò)共用電源調(diào)制電路64所電斷 路，變成高阻狀態(tài)。由此，與第1及第2控制線91、 92的任一相連接的像 素電極35a、 35b也變成高阻狀態(tài)。如此一來(lái)，在電源斷開(kāi)期間ST105中 電泳元件32變成電孤立的狀態(tài)，能夠不消耗電力地對(duì)圖像進(jìn)行保持。
在本實(shí)施方式中的驅(qū)動(dòng)方法中，在圖像顯示期間ST100中，在共用電 極37多個(gè)周期量地輸入高電平(VH)與低電平(VL)周期性地重復(fù)的脈 沖狀的信號(hào)。
將如此的驅(qū)動(dòng)方法，在本申請(qǐng)中稱為"共振驅(qū)動(dòng)"，又稱為"共用電極 電位擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)"。并且，作為共振驅(qū)動(dòng)的定義，為在圖像顯示期間ST100 中，在共用電極37上至少1個(gè)周期以上地施加高電平(VH)與低電平(VL) 重復(fù)的脈沖的驅(qū)動(dòng)方法。
如果根據(jù)該共振驅(qū)動(dòng)方法，則因?yàn)槟軌蚴购谏⒘Ｅc白色微粒更可靠 地移動(dòng)到預(yù)期的電極所以能夠提高對(duì)比度。并且，因?yàn)榭梢詫?duì)施加于像素 電極與共用電極的電位通過(guò)高電平(VH)與低電平(VL)的2個(gè)值進(jìn)行 控制，所以能夠謀求低電壓化，并使電路構(gòu)成簡(jiǎn)化。并且，在作為像素電 極35的開(kāi)關(guān)元件采用了 TFT的情況下，存在能夠通過(guò)低電壓驅(qū)動(dòng)確保TFT 的可靠性的優(yōu)點(diǎn)。
還有，優(yōu)選共振驅(qū)動(dòng)的頻率和周期，根據(jù)電泳元件32的規(guī)格及特性 適當(dāng)確定。
如果利用以上說(shuō)明的本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法，則可得到能夠有效地防 止起因于像素電極35a、 35b間的電位差的泄漏電流的產(chǎn)生的效果。以下， 關(guān)于該泄漏電流的防止效果進(jìn)行說(shuō)明。
在電泳顯示裝置中，為了使電泳微粒充分移動(dòng)而確保對(duì)比度， 一般在 像素電極35與共用電極37之間，施加10V以上的電壓。如此一來(lái)，如示 于圖8及圖9地，在黑顯示的像素40A與白顯示的像素40B相鄰的情況下， 若同時(shí)在像素電極35a、 35b施加電壓，則因?yàn)樵谙袼仉姌O35a、 35b間存 在10V以上的電位差，則在橫向方向形成強(qiáng)的電場(chǎng)。
而且，若形成上述的電場(chǎng)，則由于粘接劑層33所包括的少量水分等的影響，通過(guò)粘接劑層33流動(dòng)泄漏電流。該泄漏電流的路徑，是如下路徑 在圖8中，若像素電極35a為高電平、像素電極35b為低電平，則從第1 控制線91經(jīng)由開(kāi)關(guān)電路80a、像素電極35a、粘接劑層33、像素電極35b、 開(kāi)關(guān)電路80b，到達(dá)第2控制線92。
相對(duì)于此，在本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中，因?yàn)槭购谏珗D像顯示期間 ST101與白色圖像顯示期間ST102設(shè)置為各自的期間，所以能夠在黑色圖 像顯示期間ST101中使第2控制線92成為高阻狀態(tài)，在白色圖像顯示期 間ST102中使第1控制線91成為高阻狀態(tài)。由此，上述的泄漏路徑被斷 路，能夠防止泄漏電流的產(chǎn)生。從而如果依照于本實(shí)施方式，則能夠降低 在電泳顯示裝置整體的消耗電力。
還有，雖然得不到上述的泄漏電流的防止效果，但是也能夠使黑色圖 像顯示期間ST101與白色圖像顯示期間ST102并行而進(jìn)行圖像顯示。也就 是說(shuō)，同時(shí)對(duì)第1控制線91與第2控制線92進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，同時(shí)進(jìn)行向像素 40A、 40B的像素電極35a、 35b的電壓施加。由此，能夠縮短圖像顯示所 需的時(shí)間。
第2實(shí)施方式
接下來(lái)，關(guān)于本發(fā)明的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖10，是第2實(shí)施方式中的電泳顯示裝置所具備的像素240的電路構(gòu) 成圖。還有，在圖10中，與圖2相同的構(gòu)成要件附加同一符號(hào)，它們的詳 細(xì)的說(shuō)明適當(dāng)進(jìn)行省略。
示于圖10的像素240，具備驅(qū)動(dòng)用TFT41，鎖存電路(存儲(chǔ)電路) 270，開(kāi)關(guān)電路80， ^象素電極35，電泳元件32，和共用電極37。還有，因 為鎖存電路270以外的構(gòu)成(驅(qū)動(dòng)用TFT41,開(kāi)關(guān)電路80等)與示于圖2 的像素40相同，所以在以下主要關(guān)于鎖存電路270進(jìn)行說(shuō)明。
鎖存電路270,具備傳送反相器270t，反饋反相器270f，和開(kāi)關(guān)晶 體管75。
傳送反相器270t，與示于圖2的傳送反相器70t同樣，是串聯(lián)連接了 P-MOS晶體管71與N-MOS晶體管72的C-MOS反相器。
P-MOS晶體管71及N-MOS晶體管72的柵極端子與數(shù)據(jù)輸入端子Nl相連接。P-MOS晶體管71的源極端子與高電位電源端子PH相連接， 漏極端子與數(shù)據(jù)輸出端子N2相連接。N-MOS晶體管72的源極端子與低 電位電源端子PL相連接，漏極端子與數(shù)據(jù)輸出端子N2相連接。
另一方面，反饋反相器270f，是包括P-MOS晶體管73和電阻元件 R2的P-MOS反相器。而且在本實(shí)施方式中，在P-MOS晶體管73與電阻 元件R2之間連接開(kāi)關(guān)晶體管75。開(kāi)關(guān)晶體管75是P-MOS晶體管。
反饋反相器270f的P-MOS晶體管73的柵極端子，與數(shù)據(jù)輸出端子 N2相連接。P-MOS晶體管73的源極端子與高電位電源端子PH相連接， 漏極端子與開(kāi)關(guān)晶體管75的源極端子相連接。電阻元件R2的一方端子與 低電位電源端子PL相連接，另一方端子連接于數(shù)據(jù)輸入端子Nl及開(kāi)關(guān)晶 體管75的漏極端子。
開(kāi)關(guān)晶體管75的柵極端子，與驅(qū)動(dòng)用TFT41的柵極端子和共用的掃 描線66連接。
作為電阻元件R2，采用具有如下電阻值的元件比將P-MOS晶體管 73的導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)晶體管75的導(dǎo)通電阻相加起來(lái)的電阻值Ron大、比 將P-MOS晶體管73的截止電阻與開(kāi)關(guān)晶體管75的導(dǎo)通電阻相加起來(lái)的 電阻值Roff小。
若電阻元件R2的電阻值為Ron以下，則當(dāng)輸入了高電平的圖像信號(hào) 時(shí)在反饋反相器270f流動(dòng)貫通電流，無(wú)法對(duì)數(shù)據(jù)輸入端子N1的電位進(jìn)行 規(guī)定。并且，若電阻值為Roff以上，則因?yàn)閿?shù)據(jù)輸入端子N1與低電位電 源端子PL的連接總為截止?fàn)顟B(tài)，所以無(wú)法輸入低電平的圖像信號(hào)。
關(guān)于具備有以上的構(gòu)成的像素240中的圖像信號(hào)輸入動(dòng)作在以下進(jìn)行 說(shuō)明。
首先，在相對(duì)于保持低電平電位的鎖存電路270、輸入高電平的圖像 信號(hào)的情況下，在保持低電平電位的鎖存電路270中P-MOS晶體管73變 成截止?fàn)顟B(tài)。并且，由于通過(guò)掃描線66所輸入的選擇信號(hào)(高電平)而開(kāi) 關(guān)晶體管75變成截止?fàn)顟B(tài)。從而，電流并不從高電位電源端子PH流入數(shù) 據(jù)輸入端子N1。
并且，因?yàn)殡娮柙2 ，具有比Ron (反饋反相器270f的P溝道側(cè)的電阻)大的電阻值，所以從數(shù)據(jù)輸入端子N1向低電位電源端子PL的電 流難以流動(dòng)。
通過(guò)以上，因?yàn)闃?gòu)成反饋反相器270f的元件的負(fù)載變大，所以能夠 通過(guò)驅(qū)動(dòng)用TFT41容易地，將數(shù)據(jù)輸入端子N1的電位規(guī)定為高電平。
而且，若數(shù)據(jù)輸入端子Nl變成高電平，則傳送反相器270t的N-MOS 晶體管72變成導(dǎo)通狀態(tài)，數(shù)據(jù)輸出端子N2變成低電平電位Vss。
由此，反饋反相器270f的P-MOS晶體管73變成導(dǎo)通狀態(tài)，高電位 電源端子PH與數(shù)據(jù)輸入端子Nl相連接而數(shù)據(jù)輸入端子Nl的電位穩(wěn)定于 高電平電位Vdd。
接下來(lái)，在相對(duì)于保持高電平電位的鎖存電路270、輸入低電平的圖 像信號(hào)的情況下，雖然P-MOS晶體管73為導(dǎo)通狀態(tài)，但是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)晶體 管75為截止?fàn)顟B(tài)，所以電流并不從高電位電源端子PH流入數(shù)據(jù)輸入端子 Nl。而且，雖然電阻元件R2，防止電流在低電位電源端子PL側(cè)流動(dòng)，但 是因?yàn)槠潆娮柚当萊off (反饋反相器270f的P溝道側(cè)的電阻)小，所以 數(shù)據(jù)輸入端子Nl中的電位也不會(huì)變得過(guò)高。從而，通過(guò)驅(qū)動(dòng)用TFT41, 能夠?qū)?shù)據(jù)輸入端子Nl的電位規(guī)定為低電平。
而且，通過(guò)數(shù)據(jù)輸入端子Nl規(guī)定為低電平，傳送反相器270t的P-MOS 晶體管71變成導(dǎo)通狀態(tài)，數(shù)據(jù)輸出端子N2的電位變成高電平電位Vdd。
由此，反饋反相器270f的P-MOS晶體管73變成截止?fàn)顟B(tài)，即使其 后開(kāi)關(guān)晶體管75轉(zhuǎn)變成導(dǎo)通狀態(tài)，數(shù)據(jù)輸入端子Nl的電位也保持為低電 平。 '
如此，在本實(shí)施方式中的像素240中，通過(guò)使鎖存電路270的反饋反 相器270f為P-MOS反相器，當(dāng)在鎖存電路270的數(shù)據(jù)輸入端子Nl輸入 了高電平的圖像信號(hào)時(shí)，在低電位電源端子PL電流難以流動(dòng)，并使高電 平的圖像信號(hào)可靠地存儲(chǔ)于鎖存電路270。并且，通過(guò)設(shè)置開(kāi)關(guān)晶體管75， 防止當(dāng)輸入了低電平的圖像信號(hào)時(shí)從高電位電源端子PH流入電流，將低 電平的圖像信號(hào)也可靠地存儲(chǔ)于鎖存電路270。
從而，本實(shí)施方式的電泳顯示裝置，是具備有能夠抑制制造偏差影響 動(dòng)作的構(gòu)成的制造性優(yōu)的電泳顯示裝置，并且動(dòng)作可靠性也優(yōu)的電泳顯示可靠地進(jìn)行向鎖存電路270的圖像信號(hào)的寫入，所 以能夠使驅(qū)動(dòng)用TFT14的柵極寬度相比于現(xiàn)有為窄。由此，能夠減小由于 圖4象信號(hào)寫入時(shí)的驅(qū)動(dòng)用TFT14的充電而流過(guò)掃描線66的充電電流電流， 能夠降低消耗電力。
在本實(shí)施方式中，優(yōu)選電阻元件R2的電阻值，為上述的電阻值Ron 的20倍以上，為Roff的1/20以下。
通過(guò)使電阻值為Ron的20倍以上，能夠使將高電平的圖像信號(hào)輸入 鎖存電路270時(shí)的數(shù)據(jù)輸入端子Nl的電位，成為偏離高電位電源端子PH 的電位Vdd的差異為5。/。以下的電位。
通過(guò)使電阻值為Roff的1/20以下，能夠使將低電平的圖像信號(hào)輸入 鎖存電路270時(shí)的數(shù)據(jù)輸入端子N1的電位，成為偏離低電位電源端子PL 的電位Vss的差異為5%以下的電位。
由此，因?yàn)槟軌驅(qū)?shù)據(jù)輸入端子Nl的電位可靠地規(guī)定為高電平或低 電平，所以能夠防止在相反側(cè)的傳送反相器70t產(chǎn)生貫通電流。
并且，電阻元件R2，能夠采用低濃度雜質(zhì)硅膜，以與C-MOS反相器 同等或其以下的面積容易地制作電阻值高的電阻元件。
因此，既不使平均l像素的面積增大、制造工序也不復(fù)雜化，能夠小 型地形成鎖存電路270。
并且，相比于MOS晶體管的導(dǎo)通/截止比存在5~6位(數(shù)量級(jí))之差， 電阻值的偏差為l位 2位程度，即使對(duì)偏差進(jìn)行考慮也能夠?qū)㈦娮柚翟O(shè)定 為能夠充分允許的范圍。例如，在Ron為幾kQ 幾MQ、 Roff為1TQ的 情況下，將電阻元件R2的電阻值設(shè)定為20GQ。
在該情況下，因?yàn)殡娮柙碾娮柚担瑸镽on幾百倍、為Roff的1/50, 所以能夠充分吸收當(dāng)采用低溫多晶硅工序而制作低濃度雜質(zhì)硅膜的擴(kuò)散電 阻時(shí)的制造偏差。
還有，雖然在本實(shí)施方式的像素240中，使開(kāi)關(guān)晶體管75連接于 P-MOS晶體管73與數(shù)據(jù)輸入端子Nl之間，但是開(kāi)關(guān)晶體管75，也可以 連接于P-MOS晶體管73與高電位電源端子PH之間。
如果為如此的構(gòu)成，則因?yàn)轵?qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)晶體管75時(shí)的充電，通過(guò)P-MOS晶體管73與高電位電源線50所進(jìn)行，所以能夠減小數(shù)據(jù)輸入端子Nl中 的電位的降低，能夠降低噪聲。 (驅(qū)動(dòng)方法)
接下來(lái)，關(guān)于適合于第2實(shí)施方式中的電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，與 用于實(shí)現(xiàn)如此的驅(qū)動(dòng)方法的控制部的構(gòu)成一起參照?qǐng)D11 圖15進(jìn)行說(shuō)明。
圖11，是第2實(shí)施方式中的電泳顯示裝置所具備的控制器63的框圖。 圖12,是表示本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。
本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法，是一邊根據(jù)所輸入的圖像數(shù)據(jù)切換2種動(dòng)作 模式一邊進(jìn)行圖像顯示的驅(qū)動(dòng)方法。
在本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中，第1動(dòng)作模式，是相當(dāng)于先前的第l實(shí) 施方式中的驅(qū)動(dòng)方法的動(dòng)作模式，在此稱為普通顯示模式。
另一方面，第2動(dòng)作模式，將使灰度與普通顯示模式相比反4f了的圖 像信號(hào)供給于顯示部，并進(jìn)而相對(duì)于第1及第2控制線91、 92也供給與普 通顯示模式相比所替換的控制信號(hào)。在此，將第2顯示模式稱為圖像數(shù)據(jù) 反轉(zhuǎn)顯示模式。
如圖11所示，控制器(控制部)63，具備動(dòng)作控制部161，圖像信 號(hào)輸出部162，和共用電源控制部163。動(dòng)作控制部161，具備直方圖生 成部171，數(shù)據(jù)解析部172，和動(dòng)作切換部173。圖^f象信號(hào)輸出部162，在 控制器63內(nèi)部與動(dòng)作切換部173相連接，并通過(guò)從控制器63延伸的布線 與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62相連接。共用電源控制部163,在控制器63內(nèi)部與 動(dòng)作切換部173相連接，并通過(guò)從控制器63延伸的布線與共用電源調(diào)制電 路64相連接。
還有，控制器63，也可以設(shè)置于在電泳顯示裝置的外部所設(shè)置的IC (Integrated Circuit,集成電路)等。或者，也可以將控制器63的功能的 一部分(例如動(dòng)作控制部161)安裝于外部的IC。
在動(dòng)作控制部161中，直方圖生成部171，根據(jù)從上級(jí)裝置所輸入的 圖像數(shù)據(jù)對(duì)高電平的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量、和低電平的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量進(jìn)行計(jì) 數(shù)而生成直方圖。所生成的直方圖^皮輸入數(shù)據(jù)解析部172。
還有，在此而言的所謂"高電平的圖像數(shù)據(jù)"，是與在像素240通過(guò)數(shù)據(jù)線68所供給的圖像信號(hào)中成為高電平(H)的1像素量對(duì)應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)； 所謂"低電平的圖像數(shù)據(jù)"，是與在像素240作為低電平(L)的圖像信號(hào) 所供給的1像素量對(duì)應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)。
在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中，因?yàn)槭垢唠娖降膱D像信號(hào)對(duì)應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)'T'、 且低電平的圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)"0"地構(gòu)成像素電路，所以"高電平 的圖像數(shù)據(jù)"為圖像數(shù)據(jù)"1"，"低電平的圖像數(shù)據(jù)"為圖像數(shù)據(jù)"0"。
但是，因?yàn)橛捎谙袼?40、驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成，圖像數(shù)據(jù)'T，未必作為 "高電平"的圖像信號(hào)供給于像素，所以也能存在圖像數(shù)據(jù)"0"成為上述 的"高電平的圖像數(shù)據(jù)"的情況。
數(shù)據(jù)解析部172，對(duì)直方圖進(jìn)行解析而對(duì)圖像數(shù)據(jù)所包含的高電平的 圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量(第l變量)與低電平的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量(第2變量)進(jìn) 行比較。由數(shù)據(jù)解析部172產(chǎn)生的解析結(jié)果被輸入動(dòng)作切換部173。
具體地，在第1變量為第2變量以下的情況下，數(shù)據(jù)解析部172相對(duì) 于動(dòng)作切換部173將選擇第1動(dòng)作模式(普通顯示模式)的信號(hào)輸出，并 在第1變量比第2變量大的情況下，將選擇第2動(dòng)作模式(圖像數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn) 顯示模式)的信號(hào)輸出。
動(dòng)作切換部173，基于數(shù)據(jù)解析部172的解析結(jié)果，切換圖像信號(hào)輸 出部162及共用電源控制部163的動(dòng)作模式。
還有，雖然在本實(shí)施方式中，為了對(duì)控制器63的各功能詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō) 明，使直方圖生成部171、數(shù)據(jù)解析部172、及動(dòng)作切換部173作為分別不 同的功能模塊進(jìn)行記載，并使圖像信號(hào)輸出部162、共用電源控制部163 也作為另外的功能模塊進(jìn)行記載，但是并非限定于這些功能模塊的構(gòu)成。 例如，也能夠采用使數(shù)據(jù)解析部172與動(dòng)作切換部173作為1個(gè)功能模塊 進(jìn)行安裝的構(gòu)成、動(dòng)作切換部173還兼具圖像信號(hào)輸出部162與共用電源 控制部163的構(gòu)成。
本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法，包括示于圖12的步驟S101 S105。
首先，在步驟S101中，對(duì)動(dòng)作控制部161輸入1幀量的圖像數(shù)據(jù)。
接下來(lái)，若轉(zhuǎn)移到步驟S102，則在直方圖生成部171中，對(duì)l幀量的 圖像數(shù)據(jù)所包含的高電平的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量與低電平的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)而生成直方圖。
接下來(lái)，在步驟S103中，基于在直方圖生成部171中所生成的直方 圖，對(duì)高電平的圖像數(shù)據(jù)多、還是低電平的圖像數(shù)據(jù)多在數(shù)據(jù)解析部172 中進(jìn)行判定。
然后，當(dāng)?shù)碗娖降膱D^f象數(shù)據(jù)一方多時(shí)轉(zhuǎn)移到步驟S104。由此動(dòng)作切換 部173，使圖像信號(hào)輸出部162與共用電源控制部163以第1動(dòng)作模式進(jìn) 行動(dòng)作。
另一方面，當(dāng)高電平的圖像數(shù)據(jù)一方多時(shí)轉(zhuǎn)移到步驟S105。由此動(dòng)作 切換部173，使圖像信號(hào)輸出部162與共用電源控制部163以第2動(dòng)作模 式進(jìn)行動(dòng)作。
笫1動(dòng)作模式(普通顯示模式)，為將輸入于圖像信號(hào)輸出部162的圖 像數(shù)據(jù)，變換為與灰度值相應(yīng)的電位的圖像信號(hào)而輸入于像素240的驅(qū)動(dòng) 方法。
在第i動(dòng)作模式中，圖像信號(hào)輸出部162，分別將高電平("r)、低
電平("0")的圖像數(shù)據(jù)變換成高電平(H)、低電平(L)的圖像信號(hào)而輸 出于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62。并且，共用電源控制部163，對(duì)共用電源調(diào)制電 路64，輸出分別向第l控制線91、第2控制線92供給高電平(VH)、低 電平(VL)的控制信號(hào)的命令。
另一方面，在第2動(dòng)作模式(圖像數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)顯示模式)中，圖像信號(hào) 輸出部162，使圖像數(shù)據(jù)的灰度反轉(zhuǎn)而生成圖像信號(hào)。即，將高電平("1")、 低電平("0")的圖像數(shù)據(jù)，分別變換成低電平(L)、高電平(H)的圖像 信號(hào)而輸出于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62。并且共用電源控制部163,使供給于第 1控制線91、 92的控制信號(hào)的電位與第1動(dòng)作模式相反地向共用電源調(diào)制 電路64輸出命令。即，輸出向第1控制線91供給低電平(VL)的控制信 號(hào)、并向第2控制線92供給高電平(VH)的控制信號(hào)的命令。
在此，關(guān)于第2動(dòng)作模式進(jìn)行說(shuō)明。
表2，表示以下的驅(qū)動(dòng)方法的說(shuō)明中的各布線、電極的電位。圖13， 是表示本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中的定時(shí)圖的圖。圖14,是表示示于圖13 的黑色圖像顯示期間ST201中的像素240A、240B的電位關(guān)系的圖。圖15，是表示示于圖13的白色圖像顯示期間ST202中的像素240A、 240B的電
位關(guān)系的圖。
還有，在圖13 圖15中，各符號(hào)的"A，， "B" "a" "b"下標(biāo)，用于對(duì) 作為說(shuō)明的對(duì)象的2個(gè)像素240、和屬于它們的構(gòu)成要件明確地進(jìn)行區(qū)別 而附加并無(wú)他意思。
在表2中，表示輸入于像素240A的圖像信號(hào)Da、輸入于像素240B 的圖像信號(hào)Db、像素電極35a的電位Va、像素電極35b的電位Vb、第l 控制線91的電位S1、及第2控制線92的電位S2。
并且在圖13，示出第l控制線91的電位S1、第2控制線92的電位 S2、像素電極35a的電位Va、像素電極35b的電位Vb、及共用電極37 的共用電位Vcom。
表2:第二動(dòng)作模式
ST201ST202240A240B240A240B
Da一-
Db-H-H
SlHi-ZL ( VL)S2H ( VH)Hi-ZVaH ( VH)一Hi-Z-
Vb-Hi-Z一L ( VL)
在圖像數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)顯示模式中，也在進(jìn)行顯示以前設(shè)置向像素240 (240A、 240B)的鎖存電路270 (270a、 270b )輸入圖像信號(hào)的圖像信號(hào) 輸入期間。然后，在輸入了圖像信號(hào)之后，轉(zhuǎn)移到示于圖13的圖像顯示期 間ST100中。在圖像顯示期間ST102中，依次執(zhí)行黑色圖像顯示期間ST201 與白色圖像顯示期間ST202。
在向鎖存電路270a、 270b輸入圖像信號(hào)的步驟中，通過(guò)數(shù)據(jù)線68向 像素240A、 240B供給圖像數(shù)據(jù)。在第2動(dòng)作模式中，由圖像信號(hào)輸出部 162反轉(zhuǎn)灰度而輸出。即與第l動(dòng)作模式相反，在進(jìn)行黑顯示的像素240A的鎖存電路270a，從數(shù)據(jù)線68a輸入低電平(L)的圖像信號(hào)。另一方面， 在進(jìn)行白顯示的像素240B的鎖存電路270b ，從數(shù)據(jù)線68b輸入高電平(H)
的圖像信號(hào)。
若在像素240A、 240B輸入圖像信號(hào)，則高電位電源線50設(shè)定為圖像 顯示用的高電平電位(Vdd)，低電位電源線49設(shè)定為低電平電位(Vss)。 由此，像素240A中的數(shù)據(jù)輸入端子Nla的電位變成低電平(Vss)，數(shù)據(jù) 輸出端子N2a的電位變成高電平(Vdd)。并且，像素40B中的數(shù)據(jù)輸入 端子Nlb的電位變成高電平(Vdd)，數(shù)據(jù)輸出端子N2b的電位變成低電 平(Vss)。
其后，從圖像信號(hào)輸入期間轉(zhuǎn)移到圖像顯示期間ST200 (第2步驟)。 若轉(zhuǎn)移到圖像顯示期間ST200之中的黑色圖像顯示期間ST201,則如 示于圖13及圖14地，第1控制線91成為電斷路的高阻狀態(tài)，另一方面在 第2控制線92供給高電平電位VH。即，基于來(lái)自共用電源控制部163的 輸出進(jìn)行動(dòng)作的共用電源調(diào)制電路64,對(duì)于第1及第2控制線，供給與示 于表l的第l動(dòng)作模式的黑色圖像顯示期間ST101中的控制信號(hào)相反的控 制信號(hào)。
在輸入了低電平(L)的圖像信號(hào)的像素240A中，數(shù)據(jù)輸入端子Nla 變成低電平(Vss)，數(shù)據(jù)輸出端子N2a的電位成高電平(Vdd)。由此， 開(kāi)關(guān)電路80a的傳輸門TG2a變成導(dǎo)通狀態(tài)，在像素電極35a輸入高電平 (VH)。也就是說(shuō)，因?yàn)閷?duì)于像素240A，供給灰度反轉(zhuǎn)的圖像信號(hào)，并互 相替換第1控制線91與第2控制線92的狀態(tài)，所以像素電極35a的電位 與第1動(dòng)作模式相同地成為高電平電位VH。
然后，在共用電極37，輸入高電平(VH)的期間與低電平的期間(VL) 周期性地重復(fù)的脈沖狀的信號(hào)。由此，在共用電極37為低電平(VL)的 期間，通過(guò)與高電平電位VH的像素電極35a之間產(chǎn)生的電位差而驅(qū)動(dòng)電 泳元件32。即，帶正電的黑色微粒26被吸引到共用電極37，帶負(fù)電的白 色微粒27被吸引到像素電極35a，像素240A進(jìn)行黑顯示。
另一方面，在輸入了高電平(H)的圖像信號(hào)的像素240B中，數(shù)據(jù)輸 入端子Nlb的電位變成高電平(Vdd)，數(shù)據(jù)輸出端子N2b的電位變成低電平(Vss)。由此，開(kāi)關(guān)電路80b的傳輸門TGlb變成導(dǎo)通狀態(tài)，像素電 極35b變成高阻狀態(tài)。從而，在像素240B中，也不從第l動(dòng)作模式的黑 色圖像顯示期間ST101中的像素電極35b的電位發(fā)生變化。而且，因?yàn)橄?素240B的像素電極35b為高阻狀態(tài)，所以不依賴于共用電極37的電位而 保持現(xiàn)狀的顯示。
接下來(lái)，若轉(zhuǎn)移到白色圖像顯示期間ST202，則如示于圖13及圖15 地，在第1控制線91供給低電平電位VL，并且第2控制線92成為高阻 狀態(tài)。白色圖像顯示期間ST202中的第l及笫2控制線91、 92的電位狀 態(tài)，也變成與白色圖像顯示期間ST102中的電位狀態(tài)相反。
在輸入了低電平(L)的圖像信號(hào)的像素40A中，通過(guò)開(kāi)關(guān)電路80a 的傳輸門TG2a將第2控制線92與像素電極35a相連接。從而，像素電極 35a變成高阻狀態(tài)，保持在黑色圖像顯示期間ST201中所進(jìn)行的黑顯示。
另一方面，在輸入了高電平(H)的圖像信號(hào)的像素240B中，通過(guò)開(kāi) 關(guān)電路80b的傳輸門TGlb將第1控制線91與像素電極35b相連接。從 而，在像素電極35b輸入低電平的電位VL。
而且，因?yàn)樵谟秒姌O37，輸入高電平(VH)與低電平(VL)的期間 周期性地重復(fù)的脈沖狀的信號(hào)，所以在共用電極37為高電平(VH)的期 間在像素電極35b與共用電極37之間產(chǎn)生電位差。由此，帶負(fù)電的白色 微粒27被吸引到共用電極37側(cè)，帶正電的黑色微粒26被吸引到像素電極 35b側(cè)，像素240B進(jìn)行白顯示。
在白色圖像顯示期間ST202之后，若轉(zhuǎn)移到電源斷開(kāi)期間ST205，則 第1及第2控制線91 、 92及共用電極37通過(guò)共用電源調(diào)制電路64而電斷 路，變成高阻狀態(tài)。由此，與第1及第2控制線91、 92的任一相連接的像 素電極35a、 35b也變成高阻狀態(tài)。如此一來(lái)，在電源斷開(kāi)期間ST205中 電泳元件32變成電孤立的狀態(tài)，能夠不消耗電力地對(duì)圖像進(jìn)行保持。
在以上詳細(xì)說(shuō)明的本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中，對(duì)高電平的圖像數(shù)據(jù)的 數(shù)量與低電平的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量在數(shù)據(jù)解析部172中進(jìn)行比較，并在高電 平的圖像數(shù)據(jù)多時(shí)從第1動(dòng)作模式(普通顯示模式)切換成第2動(dòng)作模式 (圖像數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)顯示模式)。由此，不依賴于圖像數(shù)據(jù)的灰度分布，輸入于鎖存電路270的高電平的圖像信號(hào)總是為少。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式的 驅(qū)動(dòng)方法中，當(dāng)通過(guò)圖像信號(hào)的輸入驅(qū)動(dòng)鎖存電路270時(shí)，驅(qū)動(dòng)反饋反相 器270f的P-MOS晶體管的像素240的數(shù)量總是為少。如此一來(lái)，因?yàn)樵?電阻元件R2的兩端施加高的電壓而電力消耗變大的像素240變少，所以 能夠降低在電泳顯示裝置整體的消耗電力。
并且因?yàn)樵诒緦?shí)施方式中，當(dāng)如上述地對(duì)保持于鎖存電路270的電位 進(jìn)行控制時(shí)，與圖像信號(hào)的電位反轉(zhuǎn)同時(shí)，第1及第2控制線91、 92的電 位狀態(tài)也變換，所以結(jié)果所顯示的圖像變得正如圖像數(shù)據(jù)的灰度。從而， 能夠不改變供給于電泳顯示裝置的圖像數(shù)據(jù)本身而降低消耗電力。
并且，因?yàn)樵诒緦?shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中，也在圖像顯示期間ST200中， 分別進(jìn)行黑色圖像顯示期間ST201與白色圖像顯示期間ST202，所以在圖 像顯示動(dòng)作中第l及第2控制線91、 92的至少一方成為高阻狀態(tài)。從而， 能夠防止起因于相鄰的像素電極35a、 35b間的電位差的泄漏電流，能夠 降低消耗電力。
還有，在本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中，當(dāng)然也能夠使黑色圖像顯示期間 ST201與白色圖像顯示期間ST202并行而進(jìn)行圖像顯示。 (變形例)
圖16，是第2實(shí)施方式的變形例中的電泳顯示裝置所具備的像素340 的電路構(gòu)成圖。
像素340，從示于圖10的像素240省略開(kāi)關(guān)電路80，并對(duì)鎖存電路 270的數(shù)據(jù)輸出端子N2與像素電極35進(jìn)行連接。在像素340中，通過(guò)使 從鎖存電路270的數(shù)據(jù)輸出端子N2所輸出的電位(數(shù)據(jù)輸入端子Nl的反 轉(zhuǎn)電位)輸入于像素電極35，進(jìn)行圖像顯示。
在如此的像素340中，通過(guò)設(shè)置于鎖存電路270的電阻元件R2與開(kāi) 關(guān)晶體管75的作用，也能夠使高電平及低電平的圖像信號(hào)可靠地輸入于鎖 存電路270。
還有，如此地省略掉開(kāi)關(guān)電路80的像素電路，在示于圖2的第1實(shí)施 方式中的像素電路中也能夠進(jìn)行采用。 電子設(shè)備
35接下來(lái)，關(guān)于將上述各實(shí)施方式的電泳顯示裝置的任一，應(yīng)用于電子
設(shè)備的情況進(jìn)行說(shuō)明。圖17，是手表1000的正視圖。手表IOOO，具備 表殼1002，和連結(jié)于表殼1002的一對(duì)表帶1003。
在表殼1002的正面，設(shè)置由各實(shí)施方式的電泳顯示裝置的任一構(gòu)成的 顯示部1005、秒針1021、分針1022、和時(shí)針1023，在表殼1002的側(cè)面， 設(shè)置作為操作子的巻鈕(竜頭)1010與操作鈕1011。巻鈕1010，連結(jié)于 表殼內(nèi)部設(shè)置的主軸(圖示省略)，與主軸成為一體而以多級(jí)(例如2級(jí)) 按拔自如、且旋轉(zhuǎn)自如地設(shè)置。在顯示部1005中，能夠?qū)Τ蔀楸尘暗膱D像、 日期、時(shí)間等的字符串，或者秒針、分針、時(shí)針等進(jìn)行顯示。
接下來(lái)，圖18是表示電子紙1100的構(gòu)成的立體圖。電子紙IIOO，具 備上述各實(shí)施方式的電泳顯示裝置1作為顯示區(qū)域1101。電子紙1100具 有柔性，具備包括具有與現(xiàn)有的紙張同樣的質(zhì)感及柔軟性的可以進(jìn)行改寫 的片的主體1102而構(gòu)成。
圖19，是表示電子筆記本1200的構(gòu)成的立體圖。電子筆記本1200， 多層束集示于圖18的電子紙1100,由封套1201所夾持。封套1201，例如 具備對(duì)從外部的裝置所傳送的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行輸入的圖示省略的顯示數(shù)據(jù)輸 入單元。由此，能夠相應(yīng)于該顯示數(shù)據(jù)，原狀保持束集電子紙的狀態(tài)，進(jìn) 行顯示內(nèi)容的改變、更新。
如果依照于以上的手表1000、電子紙1100、及電子筆記本1200,則 因?yàn)樵陲@示部采用本發(fā)明中的電泳顯示裝置1，所以成為具備動(dòng)作可靠性 高的顯示部的電子設(shè)備。并且，還能夠降低顯示部中的消耗電力。
還有，示于圖17 圖19的電子設(shè)備，對(duì)本發(fā)明中的電子設(shè)備進(jìn)行例示， 并非對(duì)本發(fā)明的技術(shù)范圍進(jìn)行限定。例如，在便攜電話、便攜用音頻設(shè)備 等的電子設(shè)備的顯示部，本發(fā)明中的電泳顯示裝置也能夠合適地采用。
權(quán)利要求
1. 一種電泳顯示裝置，其在一對(duì)基板間夾持有含有電泳微粒的電泳元件，并具有包括多個(gè)像素的顯示部，其特征在于在一個(gè)前述基板上在每個(gè)前述像素形成像素電極，在另一個(gè)前述基板上相對(duì)于多個(gè)前述像素形成共用的對(duì)向電極；在每個(gè)前述像素，設(shè)置像素開(kāi)關(guān)元件、和在前述像素開(kāi)關(guān)元件與前述像素電極之間連接的存儲(chǔ)電路；前述存儲(chǔ)電路，具有傳送反相器，其具有與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接的輸入端子和與前述像素電極連接的輸出端子；反饋反相器，其具有與前述傳送反相器的前述輸出端子連接的輸入端子和與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接的輸出端子；以及電阻元件，其連接于前述反饋反相器與低電位電源端子之間，并具有比構(gòu)成前述反饋反相器的N型晶體管的導(dǎo)通電阻大而比截止電阻小的電阻值。
2. —種電泳顯示裝置，其在一對(duì)基板間夾持有含有電泳微粒的電泳元 件，并具有包括多個(gè)像素的顯示部，其特征在于在一個(gè)前述基板上在每個(gè)前述像素形成像素電極，在另一個(gè)前述基板 上相對(duì)于多個(gè)前述像素形成共用的對(duì)向電極；在每個(gè)前述像素，設(shè)置像素開(kāi)關(guān)元件、和在前述像素開(kāi)關(guān)元件與前述 像素電極之間連接的存儲(chǔ)電路；前述存儲(chǔ)電路，具有傳送反相器，其具有與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接 的輸入端子和與前述像素電極連接的輸出端子；反饋反相器，其具有與前 述傳送反相器的前述輸出端子連接的輸入端子和與前述像素開(kāi)關(guān)元件連接 的輸出端子；以及開(kāi)關(guān)晶體管，其連接于前述反饋反相器的輸出端子與前 述反饋反相器的高電位電源端子之間；前述反饋反相器，具有P型晶體管、和在前述P型晶體管與低電位電 源端子之間配置的電阻元件，前述電阻元件的電阻值，比前述P型晶體管 的導(dǎo)通電阻與前述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻的合計(jì)電阻值大，比前述P型晶 體管的截止電阻與前述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻的合計(jì)電阻值小。
3. 按照權(quán)利要求1或2所述的電泳顯示裝置，其特征在于 在前述反饋反相器的輸出端子與高電位電源端子之間連接開(kāi)關(guān)晶體管；前述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端子，與構(gòu)成前述像素開(kāi)關(guān)元件的晶體管的柵 極端子一起連接于掃描線。
4. 按照權(quán)利要求3所述的電泳顯示裝置，其特征在于 前述開(kāi)關(guān)晶體管，連接于構(gòu)成前述反饋反相器的P型晶體管與前述高電位電源端子之間。
5. 按照權(quán)利要求2所述的電泳顯示裝置，其特征在于 前述電阻元件的電阻值，為前述P型晶體管的導(dǎo)通電阻與前述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻之和的20倍以上，并為前述P型晶體管的截止電阻與前 述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻之和的1/20以下。
6. 按照權(quán)利要求1~5中的任何一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置，其特征在于在每個(gè)前述像素，設(shè)置基于前述存儲(chǔ)電路的輸出而使多條控制線與前 述像素電極的連接進(jìn)行通斷的開(kāi)關(guān)電路。
7. 按照權(quán)利要求6所述的電泳顯示裝置，其特征在于 在前述開(kāi)關(guān)電路連接第1及第2控制線，前述開(kāi)關(guān)電路基于前述存儲(chǔ)電路的輸出選擇前述第1及第2控制線之一與前述像素電極相連接。
8. 按照權(quán)利要求7所述的電泳顯示裝置，其特征在于， 具備控制部，其對(duì)前述像素輸出基于圖像數(shù)據(jù)的圖像信號(hào)，并通過(guò)前述第1及第2控制線輸出控制信號(hào)； 前述控制部，具有直方圖生成部，其生成前述圖像數(shù)據(jù)中的灰度值的頻率分布； 數(shù)據(jù)解析部，其根據(jù)前述頻率分布計(jì)算作為變換成高電平的前述圖像信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量的第1變量、和作為變換成低電平的前述圖像 信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量的第2變量；以及動(dòng)作切換部，其在前述第1變量比前述第2變量大的情況下，生成使 灰度反轉(zhuǎn)的前述圖像信號(hào)而輸出于前述像素，并切換成替換供給于前述第1及第2控制線的前述控制信號(hào)進(jìn)行輸出的動(dòng)作模式。
9. 一種電泳顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于 所述電泳顯示裝置是權(quán)利要求2所述的電泳顯示裝置； 根據(jù)與前述顯示部對(duì)應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)生成灰度值的頻率分布，在前述頻率分布中對(duì)變換成高電平的圖像信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量與變換成低電 平的圖像信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量進(jìn)行比較，并在變換成前述高電平的圖像信號(hào)的前述灰度值的數(shù)據(jù)量的一方多的情況下，將使灰度反轉(zhuǎn)的圖像 信號(hào)輸出于前述像素，并替換供給于前述第1及第2控制線的控制信號(hào)進(jìn) 行輸出。
10. —種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求1 8中的任何一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電泳顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法及電子設(shè)備。提供能夠防止由于元件偏差引起的存儲(chǔ)電路的動(dòng)作不良的發(fā)生，制造性、動(dòng)作可靠性、及省電性好的電泳顯示裝置。本發(fā)明的電泳顯示裝置構(gòu)成為，在每個(gè)像素(40)，設(shè)置驅(qū)動(dòng)用TFT(41)、和連接于驅(qū)動(dòng)用TFT(41)與像素電極(35)之間的鎖存電路(70)；鎖存電路(70)具有傳送反相器(70t)，其具有連接于驅(qū)動(dòng)用TFT(41)的輸入端子和連接于像素電極(35)的輸出端子；反饋反相器(70f)，其具有連接于傳送反相器(70t)的輸出端子的輸入端子和連接于驅(qū)動(dòng)用TFT(41)的輸出端子；以及電阻元件(R1)，其連接于反饋反相器(70f)的低電位電源側(cè)、并具有比構(gòu)成反饋反相器(70f)的N-MOS晶體管(74)的導(dǎo)通電阻大而比截止電阻小的電阻值。
文檔編號(hào)G02F1/167GK101441384SQ20081017774
公開(kāi)日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2008年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月19日
發(fā)明者下平泰裕 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社