專利名稱：光學(xué)互連器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)互連器件。更具體地說，本發(fā)明涉及上面安裝 有諸如光接收元件和光發(fā)射元件等光學(xué)元件的光學(xué)互連器件。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字設(shè)備的信號(hào)速度提高、封裝密度提高等，需要抵抗電
信號(hào)的噪音和EMI的措施。作為這種措施，現(xiàn)在正在研發(fā)一種用光 學(xué)信號(hào)代替一部分電配線的光/電混合基板。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在將諸如激光二極管、光電二極管等光學(xué)元件 安裝在光/電混合基板上的情況下，尤其是在將表面安裝光學(xué)元件(其 中，光沿著垂直于基板表面的方向入射/透射)安裝在基板上的情況 下，會(huì)由于在光學(xué)波導(dǎo)核心與光學(xué)元件或光路改變部分之間出現(xiàn)的幾 微米的光軸偏移而導(dǎo)致光耦合損失，因而使光學(xué)信號(hào)衰減。
為了解決上述問題，例如，JP-A-2001-141965描述了一種光耦 合器，該光耦合器可以用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)在光學(xué)上有效地耦合光學(xué)器件， 并且還容易實(shí)現(xiàn)尺寸減小和陣列構(gòu)造。此外，作為以高生產(chǎn)率制造光 耦合器的方法，JP-A-2001-141965還描述了一種光耦合器，在該光耦 合器中，通過由大致橢球體的一部分構(gòu)造的橢圓鏡來使第一光學(xué)器件 與第二光學(xué)器件光學(xué)耦合。
如圖1所示，在JP-A-2001-141965中，通過將垂直腔表面發(fā)射 激光器(VCSEL) 102安裝在基板104上而構(gòu)成第一光學(xué)器件100。 第一光學(xué)器件100通過粘合劑150安裝在第二光學(xué)器件200上。第二 光學(xué)器件200包括光學(xué)波導(dǎo)204和形成在橢圓形凹陷部208中的反射 鏡206。從VCSEL 102發(fā)射的激光束沿著與第二光學(xué)器件200垂直 的方向入射。該激光束的光路被用作光路改變部分的橢圓形反射鏡 206改變90度并會(huì)聚。該激光束與光學(xué)波導(dǎo)204的位于反射鏡206焦點(diǎn)附近的芯層210光學(xué)耦合。
從VCSEL 102發(fā)射的激光束類似圓錐形狀。因此，這種激光束 被反射鏡206反射90°角，其中反射鏡206類似橢球體形狀，并設(shè) 置為與激光束的入射方向成45° 。此外，與入射的激光束類似，被 反射的激光束類似圓錐形狀。此后，被反射的激光束會(huì)聚于光學(xué)波導(dǎo) 204的芯層210的入射端附近，然后透射通過光學(xué)波導(dǎo)204。根據(jù)這 種構(gòu)造，可以提高VCSEL 102 (第一光學(xué)器件)與光學(xué)波導(dǎo)204 (第 二光學(xué)器件)之間的光學(xué)耦合效率。此外，在圖1中，附圖標(biāo)記207 表示光學(xué)波導(dǎo)204的包層。
然而，在JP-A-2001-141965中，反射鏡206必須呈類似橢圓形 凹陷部208的形狀。因此，需要花費(fèi)大量時(shí)間和勞動(dòng)來形成反射鏡， 并且還難以對(duì)具有橢圓形凹陷部的反射鏡的定位和排列方式進(jìn)行控 制，并且還需要使光學(xué)波導(dǎo)與反射鏡對(duì)準(zhǔn)。
此外，作為另一項(xiàng)現(xiàn)有技術(shù)，JP-A-2006-47764描述了一種光/ 電混合基板。在該光/電混合基板中提供了一種光學(xué)波導(dǎo)，該光學(xué)波 導(dǎo)可以在耦合光電路(optical circuit)時(shí)簡(jiǎn)單、高效地提供光學(xué)耦合。 根據(jù)這種構(gòu)造，凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)插入到光/電混合基板的孔中。從VCSEL 發(fā)射的光進(jìn)入凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)，然后透射通過該凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)。如圖 2A所示，當(dāng)光學(xué)波導(dǎo)中形成有光路改變部分時(shí)，從VCSEL發(fā)射的 光通過凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)會(huì)聚于光學(xué)波導(dǎo)的芯層。此外，如圖2B所示， 當(dāng)光學(xué)波導(dǎo)中沒有形成光路改變部分時(shí)，從VCSEL發(fā)射的光通過形 成在凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)中的微鏡耦合到光學(xué)波導(dǎo)的芯層。
在圖2A和圖2B中，307表示電路基板，311表示凸?fàn)罟鈱W(xué)波 導(dǎo)，312表示VCSEL， 313表示光學(xué)波導(dǎo)，314表示光/電混合基板， 315表示切割表面，320表示光的傳播方向，321表示微鏡，322表示 光。
在JP-A-2006-47764所述的光/電混合基板中，必須通過單獨(dú)的 工序來制造凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)，因而這種基板不利于大規(guī)模生產(chǎn)和降低成 本。此外，凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)必須裝入預(yù)先形成的孔中，因而增加了步驟 數(shù)量。另外，當(dāng)在凸?fàn)罟鈱W(xué)波導(dǎo)中形成有微鏡時(shí)，這種微鏡在安裝時(shí)必須精確對(duì)準(zhǔn)，使得通過該微鏡反射的光耦合到光學(xué)波導(dǎo)的芯層。
在上述現(xiàn)有技術(shù)(JP-A-2001-141965和JP-A-2006-47764)中，
需要單獨(dú)的工序來形成光路改變部分，并且光路改變部分自身也需要 高的對(duì)準(zhǔn)精度。因此，上述光學(xué)互連器件及其制造方法不利于大規(guī)模 生產(chǎn)和降低成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例針對(duì)上述缺點(diǎn)和上文沒有描述的其他缺 點(diǎn)。然而，并不要求本發(fā)明克服上述缺點(diǎn)，因此，本發(fā)明的示例性實(shí) 施例可以不必克服任何上述問題。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種光學(xué)互連器件，包括具有 光學(xué)波導(dǎo)的基板；以及安裝在所述基板上的表面安裝的光學(xué)元件，例
如光發(fā)射元件或光接收元件。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，形成在所述基板中的芯層呈楔形 形狀或拋物線形狀，從而可以減少因耦合或透射光學(xué)信號(hào)而引起的光 學(xué)損失，并且在安裝時(shí)還可以使表面安裝的光學(xué)元件與基板高精度地 對(duì)準(zhǔn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，提供了一種光學(xué)互連器件。該
光學(xué)互連器件包括光學(xué)元件；以及基板，所述光學(xué)元件表面安裝在 所述基板上。所述基板包括..光學(xué)波導(dǎo)，其形成在所述基板中，并且 包括芯層和覆蓋所述芯層的包層；以及光路改變部分，其設(shè)置在所述 光學(xué)波導(dǎo)的一個(gè)端部附近，用于改變透射通過所述光學(xué)波導(dǎo)的光的光 路或者通過所述光學(xué)元件傳播的光的光路。在從與所述基板的表面平 行的平面觀看時(shí)，所述芯層的寬度朝著所述光路改變部分的方向加
寬o
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，在從所述平面觀看時(shí)，所述芯 層的一部分朝著所述芯層的另一個(gè)端部的方向逐漸變細(xì)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，所述芯層的一部分呈拋物線形 狀，并且在從所述平面觀看時(shí)，所述呈拋物線形狀的部分的寬度朝著 所述光路改變部分的方向逐漸加寬。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，所述光學(xué)元件安裝在所述基板 上，使得通過所述光學(xué)元件傳播的光沿著與所述基板的表面垂直的方 向。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，所述光路改變部分為反射鏡， 所述反射鏡與所述光學(xué)波導(dǎo)形成一體并且相對(duì)于所述基板的表面成 45度角設(shè)置；并且所述光路改變部分用于使光路改變90度。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，所述光學(xué)元件為光電二極管。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，所述光學(xué)元件為垂直腔表面發(fā)
射激光器(VCSEL)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，所述芯層的所述部分位于所述 光路改變部分附近。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以通過使芯層的位于反射鏡附 近的輪廓形成楔形形狀或拋物線形狀來明顯加寬芯層的寬度。因此， 可以提高反射鏡與芯層之間的光學(xué)偶合效率。此外，由于加寬了芯層 寬度，所以可以在與反射鏡平行的方向上增加光學(xué)元件的安裝容差。 此外，由于可以僅通過改變用于使芯層曝光的掩模圖案來控制芯層寬 度的這種變化，所以可以低成本地制造本發(fā)明的光學(xué)互連器件。


在附圖中
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)互連器件的視圖2A和圖2B是示出現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)互連器件的視圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的上面安裝有表面發(fā)射元
件基板的光學(xué)互連器件的平面圖4是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的上面安裝有表面發(fā)射元
件基板的光/電混合基板的剖視圖5是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的上面沒有安裝表面發(fā)射
元件基板的光/電混合基板的剖視圖6是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的上面沒有安裝表面發(fā)射
元件基板的光/電混合基板的平面7圖7是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的上面沒有安裝表面發(fā)射 元件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖視圖8是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的上面安裝有表面發(fā)射元 件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖視圖9是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的上面安裝有表面發(fā)射元 件基板的光學(xué)互連器件的平面圖IO是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的上面安裝有表面發(fā)射元 件基板的光/電混合基板的剖視圖ll是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的上面沒有安裝表面發(fā)射 元件基板的光/電混合基板的剖視圖12是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的上面沒有安裝表面發(fā)射
元件基板的光/電混合基板的平面圖13是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的上面沒有安裝表面發(fā)射 元件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖視圖14是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的上面安裝有表面發(fā)射元 件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖視屈；以及
圖15是示出表面發(fā)射元件的安裝部分的詳細(xì)剖視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。 圖3至圖8示出了本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例。圖3是上面安 裝有帶表面發(fā)射元件的基板(以下稱為"表面發(fā)射元件基板")的光 學(xué)互連器件。圖4是上面安裝有表面發(fā)射元件基板的光/電混合基板 的剖視圖。圖5是上面沒有安裝表面發(fā)射元件基板的光/電混合基板 的剖視圖。圖6是上面沒有安裝表面發(fā)射元件基板的光/電混合基板 的平面圖。圖7是上面沒有安裝表面發(fā)射元件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的 剖視圖。圖8是上面安裝有表面發(fā)射元件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖視 圖。
首先，在圖3和圖4中，表面發(fā)射元件基板IO可以由上面安裝 有例如激光二極管(例如，垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL) 12)等光發(fā)射元件或例如光電二極管等光接收元件的GaAs基板形成。當(dāng) 從圖3所示的平面圖觀看時(shí)，表面發(fā)射元件基板IO大致呈矩形形狀， 并且當(dāng)從圖4所示的剖視圖觀看時(shí)，VCSEL 12沿著寬度方向設(shè)置在 下表面的大致中部。VCSEL 12象陣列一樣設(shè)置在例如沿著表面發(fā)射 元件基板10的縱向方向等間隔布置的四個(gè)位置。
如圖4所示，在位于表面發(fā)射元件基板IO下表面的VCSEL 12 的兩側(cè)設(shè)置有端子14。端子14分別設(shè)置在每個(gè)VCSEL 12的兩個(gè)前 部位置和兩個(gè)后部位置，也就是說，為每個(gè)VCSEL 12設(shè)置總共四個(gè) 端子14。
通過在光學(xué)波導(dǎo)層30的上表面上形成阻焊層22來構(gòu)造光學(xué)波 導(dǎo)基板20。光學(xué)波導(dǎo)層30由芯層32和覆蓋芯層32的包層34組成。 芯層32延伸到基板20的端面，并且按照與VCSEL 12的布置間隔對(duì)
應(yīng)的間隔平行地設(shè)置。
在阻焊層22中形成光學(xué)開口部分24 (見圖6和圖7)。在表面 發(fā)射元件基板10安裝在光學(xué)波導(dǎo)基板20上的狀態(tài)下，光學(xué)開口部分 24在設(shè)置VCSEL 12的設(shè)置方向上延伸。
大致在光學(xué)開口部分24的下方設(shè)置有用作光路改變部分的45 度反射鏡36， 45度反射鏡36與芯層32的端部相鄰。45度反射鏡36 還設(shè)置成在光學(xué)開口部分24的延伸方向上延伸。例如，在圖7所示 的剖視圖中，45度反射鏡36形成為兩側(cè)均為45度角的反射鏡。
在圖7和圖8中，在阻焊層22的與表面發(fā)射元件基板10的端 子14相對(duì)應(yīng)的部分中形成有焊盤26。此外，在光學(xué)波導(dǎo)層30的與 端子14和焊盤26相對(duì)應(yīng)的位置中形成有導(dǎo)通孔，這些導(dǎo)通孔形成為 穿過光學(xué)波導(dǎo)層30，在這些導(dǎo)通孔中分別形成有導(dǎo)通部38，這些導(dǎo) 通部與焊盤26電連接。此外，當(dāng)表面發(fā)射元件基板10安裝在光學(xué)波 導(dǎo)基板20上時(shí)，表面發(fā)射元件基板IO的端子14通過焊盤26與導(dǎo)通 部38電連接。
例如，光學(xué)波導(dǎo)層30由基于聚合物的材料形成，包層34通過
例如層壓等層疊工序形成，芯層32采用光刻法在曝光/顯影工序中形 成。此外，45度反射鏡36由光刻法等方法形成。在這種情況下，由用于使芯層曝光的掩模來決定45度反射鏡36的形成位置與芯層32 之間的位置關(guān)系。因此，基本上不需要使45度反射鏡36與芯層32 對(duì)準(zhǔn)。
在圖4和圖5中，電配線基板40與光學(xué)波導(dǎo)基板20耦合為一 體。在電配線基板40中，42表示連接焊盤，44表示導(dǎo)體圖案，46 表示連接導(dǎo)通部，47表示導(dǎo)通部，48表示外部連接端子，50表示芯 層，52表示樹脂層。當(dāng)光學(xué)波導(dǎo)基板20的導(dǎo)通部38與電配線基板 40的連接焊盤42結(jié)合時(shí)，電配線基板40與光學(xué)波導(dǎo)基板20相互電 連接。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，在從與光學(xué)波導(dǎo)層30的表面平行的 平面(光學(xué)波導(dǎo)層30的平面方向)觀看時(shí)，光學(xué)波導(dǎo)層30的芯層 32從45度反射鏡36附近的區(qū)域朝著光學(xué)波導(dǎo)層30的端部方向逐漸 變細(xì)。
更具體地說，在圖6中，位于45度反射鏡36附近的芯層端部 的寬度W大于芯層的寬度w (W〉w)。通常，寬度W設(shè)為寬度w 的大約2至3倍。此外，逐漸變細(xì)的區(qū)域的長(zhǎng)度L設(shè)為芯層寬度w 的大約5至10倍。此外，在光學(xué)波導(dǎo)層30中以相等間隔平行設(shè)置的 芯層32之間的節(jié)距P設(shè)為大約250pm。
圖9至圖14示出了本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例。圖9是上面安 裝有帶表面發(fā)射元件的基板(表面發(fā)射元件基板)的光學(xué)互連器件的 平面圖。圖10是上面安裝有表面發(fā)射元件基板的光/電混合基板的剖 視圖。圖11是上面沒有安裝表面發(fā)射元件基板的光/電混合基板的剖 視圖。圖12是上面沒有安裝表面發(fā)射元件基板的光/電混合基板的平 面圖。圖13是上面沒有安裝表面發(fā)射元件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖 視圖。圖14是上面安裝有表面發(fā)射元件基板的光學(xué)波導(dǎo)基板的剖視 圖。換句話說，第二實(shí)施例的圖9至圖14分別與第一實(shí)施例的圖3 至圖8相對(duì)應(yīng)。
因此，在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中，僅參考下面的圖9至 圖14描述與第一示例性實(shí)施例不同之處。如上文所述，在本發(fā)明的 第一示例性實(shí)施例中，在從與光學(xué)波導(dǎo)層30的表面平行的平面(光
10學(xué)波導(dǎo)層30的平面方向)觀看時(shí)，光學(xué)波導(dǎo)層30的芯層32從45 度反射鏡36附近的區(qū)域朝著光學(xué)波導(dǎo)層30的端部方向逐漸變細(xì)。相 比之下，在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中，光學(xué)波導(dǎo)層30的芯層32 呈拋物線形狀，在從與光學(xué)波導(dǎo)層30的表面平行的平面觀看時(shí)，該 芯層的寬度在45度反射鏡36附近的區(qū)域中朝向端部側(cè)加寬。
更具體地說，在圖12中，位于45度反射鏡36附近的芯層端部 的寬度W大于芯層的寬度w (W>w)。通常，寬度W設(shè)為寬度w 的大約2至3倍。此外，與第一示例性實(shí)施例的情況一樣，拋物線區(qū) 域40的長(zhǎng)度L設(shè)為芯層寬度w的大約5至10倍。
圖15是詳細(xì)示出表面發(fā)射元件安裝在光學(xué)波導(dǎo)基板20上的部 分的剖視圖。在表面發(fā)射元件基板10的VCSEL 12與光學(xué)波導(dǎo)基板 20的45度反射鏡36之間分別設(shè)置有透鏡60。要求這種透鏡60的焦 距為大約lmm。因此，激光束沿著與光學(xué)波導(dǎo)基板20的表面垂直的 方向從VCSEL 12發(fā)射，再被45度反射鏡36反射，從而方向改變 90度，然后會(huì)聚到芯層32的入射平面上。
入射在芯層32上的激光束光學(xué)透射通過光學(xué)波導(dǎo)層30的芯層 32。例如，激光束從例如光學(xué)波導(dǎo)層30的輸出端光學(xué)耦合到光纖(未 示出)。在其他情況下，激光束光學(xué)耦合到另一光學(xué)波導(dǎo)(未示出)。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，位于45度反射鏡36附近的芯層 32呈在第一示例性實(shí)施例中示出的楔形形狀，或者呈在第二示例性 實(shí)施例中示出的拋物線形狀，使得芯層的寬度可以局部加寬。因此， 可以提高在例如VCSEL 12等光學(xué)元件與光學(xué)波導(dǎo)層30之間的光學(xué) 耦合效率。此外，當(dāng)在光學(xué)波導(dǎo)基板20上安裝表面發(fā)射元件基板10 時(shí)所需的安裝容差可以設(shè)得很大。換句話說，可以提高光學(xué)耦合的效 率并且放寬表面安裝光學(xué)元件時(shí)的精度。此外，位于45度反射鏡36 附近的芯層呈楔形形狀或拋物線形狀，使得可以在光學(xué)波導(dǎo)層30中 控制光的橫模。
此外，當(dāng)通過作為典型制造方法的光刻法制造光學(xué)波導(dǎo)層30時(shí)， 可以僅通過改變掩模來形成芯層。因此，可以降低成本。此外，提高 了光學(xué)耦合效率，使得光學(xué)互連器件可以應(yīng)對(duì)以下這種情況，即與楔形或拋物線形芯層部分連接的線性光學(xué)波導(dǎo)的芯層寬度變窄的情 況。因此，可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)互連器件的小型化或光學(xué)信號(hào)的高速化。
此外，在第一示例性實(shí)施例和第二示例性實(shí)施例中，使用VCSEL 12作為表面發(fā)射元件基板10。然而，可以使用例如光電二極管等光 接收元件來代替VCSEL 12。在這種情況下，光從光學(xué)波導(dǎo)側(cè)經(jīng)由45 度反射鏡36傳播到光接收元件側(cè)。
雖然參考本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但 是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā) 明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的變 化。因此，權(quán)利要求書旨在包括落入本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的所有 這些變化和修改。
本申請(qǐng)要求2007年12月3日提交的日本專利申請(qǐng) No.2007-312438的優(yōu)先權(quán)，該日本專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用并 入本文。
權(quán)利要求
1. 一種光學(xué)互連器件，包括光學(xué)元件；以及基板，所述光學(xué)元件表面安裝在所述基板上，所述基板包括光學(xué)波導(dǎo)，其形成在所述基板中，并且包括芯層和覆蓋所述芯層的包層；以及光路改變部分，其設(shè)置在所述光學(xué)波導(dǎo)的一個(gè)端部附近，用于改變透射通過所述光學(xué)波導(dǎo)的光的光路或者通過所述光學(xué)元件傳播的光的光路，其中，在從與所述基板的表面平行的平面觀看時(shí)，所述芯層的寬度朝著所述光路改變部分的方向加寬。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)互連器件，其中，在從所述平面觀看時(shí)，所述芯層的一部分朝著所述芯層 的另一個(gè)端部的方向逐漸變細(xì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)互連器件，其中，所述芯層的一部分呈拋物線形狀，并且在從所述平面觀 看時(shí)，所述呈拋物線形狀的部分的寬度朝著所述光路改變部分的方向 逐漸加寬。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)互連器件，其中，所述光學(xué)元件安裝在所述基板上，使得通過所述光學(xué)元 件傳播的光沿著與所述基板的表面垂直的方向。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)互連器件，其中，所述光路改變部分為反射鏡，所述反射鏡與所述光學(xué)波 導(dǎo)形成一體并且相對(duì)于所述基板的表面成45度角設(shè)置，并且 所述光路改變部分用于使光路改變90度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)互連器件， 其中，所述光學(xué)元件為光電二極管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)互連器件，其中，所述光學(xué)元件為垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)互連器件，其中，所述芯層的所述一部分位于所述光路改變部分附近。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)互連器件，其中，所述芯層的所述一部分位于所述光路改變部分附近。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光學(xué)互連器件。所述光學(xué)互連器件包括光學(xué)元件和上面表面安裝有光學(xué)元件的基板。所述基板包括光學(xué)波導(dǎo)，其形成在所述基板中，并且包括芯層和覆蓋所述芯層的包層；以及光路改變部分，其設(shè)置在所述光學(xué)波導(dǎo)的一個(gè)端部附近，用于改變透射通過所述光學(xué)波導(dǎo)的光的光路或者通過所述光學(xué)元件傳播的光的光路。在從與所述基板的表面平行的平面觀看時(shí)，所述芯層的寬度朝著所述光路改變部分的方向加寬。
文檔編號(hào)G02B6/42GK101452096SQ20081018451
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2008年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月3日
發(fā)明者山本貴功 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社