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      液晶顯示裝置、陣列基板及其缺陷修補方法

      文檔序號:2810979閱讀:126來源:國知局
      專利名稱:液晶顯示裝置、陣列基板及其缺陷修補方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種具有修補線路的液 晶顯示裝置、陣列基板及其缺陷修補方法。
      背景技術(shù)
      液晶顯示裝置(LCD, Liquid Crystal Display )具有輕、薄、低耗電 等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于計算機、移動電話及個人數(shù)字助理等現(xiàn)代化信息 設(shè)備。
      圖1為一種現(xiàn)有的液晶顯示裝置的陣列基板示意圖,如圖1所示, 該陣列基板包括掃描線110;與所述掃描線交叉排列的數(shù)據(jù)線120;設(shè) 置于所述掃描線110和所述數(shù)據(jù)線120相互交叉形成的^f象素單元100內(nèi) 的像素電極103及薄膜晶體管104 ( Thin Film Transistor,簡稱TFT)。 其中,薄膜晶體管104柵極與掃描線110電性相連,源極與數(shù)據(jù)線120 電性相連,漏極與像素電極103電性相連,且每一條掃描線與對應(yīng)行的 各薄膜晶體管104的柵極均相連,每一條數(shù)據(jù)線與對應(yīng)列的各薄膜晶體 管104的源極均相連。
      該液晶顯示裝置工作時,利用掃描線110分別發(fā)送掃描信號至對應(yīng) 行的各薄膜晶體管104,控制薄膜晶體管104逐行開啟或關(guān)閉;且當(dāng)薄 膜晶體管104處于開啟狀態(tài)時,數(shù)據(jù)線120上的數(shù)據(jù)信號會經(jīng)由薄膜晶 體管104的源極加至該像素單元100的像素電極103上,實現(xiàn)液晶顯示。
      通常,液晶顯示器的驅(qū)動頻率為60Hz,即每秒鐘顯示60幀畫面。 由于在每一幀畫面時間內(nèi),需依次掃描完所有的掃描線,以完成對所有 像素單元的驅(qū)動,分配給每條掃描線的掃描時間是相當(dāng)有限的。例如, 對于分辨率為1920*1080的高清液晶顯示器,因為每個顯示像素分別由 紅、綠、藍三個子像素組成,其需要具有1920x3 = 5760條數(shù)據(jù)線,以 及1080條掃描線。當(dāng)使用60Hz的頻率對其進行驅(qū)動時,必須在1/60秒時間內(nèi)完成一幀畫面的掃描,或iJL必須在1/60秒的時間內(nèi)依次掃描 完1080條掃描線,每條掃描線的掃描時間僅為15.43微秒。在這15.43 微秒的時間內(nèi),還需要完成經(jīng)由數(shù)據(jù)線對像素單元內(nèi)的存儲電容的充電 (該存儲電容圖中未示出,其一端與像素電極103電性相連, 一端與公 共電極電性相連,當(dāng)薄膜晶體管關(guān)閉時,存儲電容可以保持像素電極上 的電壓)。
      然而,在利用60Hz的頻率進行驅(qū)動時,液晶顯示器常會出現(xiàn)明顯 的動態(tài)殘影問題。為了解決這一問題,現(xiàn)有技術(shù)中提出了利用120Hz 的頻率對液晶顯示器進行驅(qū)動。當(dāng)利用120Hz頻率對具有如圖1所示的 陣列基板的液晶顯示器進行驅(qū)動時,分配給每條掃描線的掃描時間又減 小了一半,即,存儲電容的充電時間縮短了一半。此時易因存儲電容充 電不充分,像素電極上的電壓無法達到預(yù)定值,導(dǎo)致液晶顯示器無法正 常顯示。
      為了解決上述問題,現(xiàn)有技術(shù)中又提出了 一種改進了的液晶顯示裝 置的陣列基^^反,圖2為另一種現(xiàn)有的液晶顯示裝置的陣列基^L示意圖, 如圖2所示,與圖1中的陣列基板不同的是,圖2中的陣列基板的每條 掃描線210同時與相鄰兩行像素單元200內(nèi)的各薄膜晶體管204 4冊極電 性相連。因此每條掃描線210可以同時控制兩行像素單元200。且每一 列像素單元200均配置有兩根數(shù)據(jù)線220,同一列內(nèi)、相鄰行的像素單 元所對應(yīng)的薄膜晶體管204源極分別與不同的數(shù)據(jù)線220電性相連。
      如圖2所示,該陣列基板所需的掃描線的數(shù)量可以減少一半。因此, 即使使用120Hz的頻率對其進行驅(qū)動,分配給每一條掃描線的掃描時間 也仍然可以達到15.43微妙,確保有足夠的時間對存儲電容進行充電。 同時,由于相鄰行的像素單元200所對應(yīng)的薄膜晶體管204源極分別連 接至了不同的數(shù)據(jù)線,即使該陣列基板是通過一條掃描線同時控制兩行 像素單元200,仍可以保證這兩行像素單元之間彼此獨立。
      6但是,對于圖2中所示的陣列基板,由于同一列像素單元200需要 由兩條數(shù)據(jù)線220驅(qū)動,其與現(xiàn)有的普通陣列基板相比,所需的數(shù)據(jù)線 量增加了一倍。對于生產(chǎn)制程而言,其會更經(jīng)常地發(fā)生線路斷路或短路 等缺陷,造成生產(chǎn)的成品率較低。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置、陣列基板及其缺陷修補方法,可以 解決現(xiàn)有陣列基板中因數(shù)據(jù)線數(shù)量增多而導(dǎo)致的生產(chǎn)成品率較低的問題。
      為達到上述目的,本發(fā)明提供的一種液晶顯示裝置陣列基板,包括: 掃描線、與所述掃描線交叉排列的數(shù)據(jù)線、像素單元、設(shè)置于所述
      像素單元內(nèi)的像素電極及晶體管;
      所述陣列基板中每兩行像素單元配置一條所述掃描線,每條掃描線
      和位于其兩側(cè)的兩行^f象素單元內(nèi)的晶體管的4冊才及電性相連;
      每一列像素單元配置兩條數(shù)據(jù)線,同 一列像素單元內(nèi)的晶體管的源 極以相間的方式分別與所述兩條數(shù)據(jù)線電性相連;
      其中,所述陣列基板還包括位于不同層內(nèi)的第一修補線和第二修補 線,且所述第一修補線與所述數(shù)據(jù)線不同層,所述第二修補線與所述掃 描線不同層;
      所述第一修補線設(shè)置于相鄰的兩列像素單元之間,沿所述數(shù)據(jù)線方 向延伸,在與所述掃描線的每個相交處中斷,且各所述第一修補線還延 伸形成了與位于所述相鄰兩列像素單元之間的兩條數(shù)據(jù)線的投影部分
      重疊的多個延伸部;
      所述第二修補線設(shè)置于所述第一修補線的各中斷處,跨過與所述中 斷處對應(yīng)的所述掃描線,兩端沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸至其投影分別與位 于所述中斷處兩側(cè)的所述第 一》務(wù)補線部分重疊。優(yōu)選地,所述第一修補線與所述掃描線位于同一層,所述第二修補 線與所述數(shù)據(jù)線位于同 一層。
      優(yōu)選地,所述第 一修補線的延伸部由所述第 一修補線的各中斷端點 沿掃描線方向延伸形成。
      可選地,所述第一修補線還具有與其相連通的連^^部,所述連接部 位于未設(shè)置所述掃描線的相鄰的兩行所述像素單元之間的間隔內(nèi),與所 述掃描線平行、相間設(shè)置。
      本發(fā)明還提供一種包含上述陣列基板的液晶顯示裝置,該顯示裝置 中任意兩個相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極電性連接至極性相反的 數(shù)據(jù)線。
      本發(fā)明還提供一種可用于上述的陣列基板的缺陷修補方法,包括步

      檢測所述陣列基板上的數(shù)據(jù)線缺陷;
      當(dāng)所述凄t據(jù)線的缺陷位置未5爭越掃描線時,對位于所述缺陷位置兩 側(cè)的所述數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第 一修補線進行電性相連;
      當(dāng)所述數(shù)據(jù)線的缺陷位置跨越掃描線時,對位于所述缺陷位置兩側(cè) 的所述數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第一修補線進行電性相連,對位于 跨越的掃描線兩側(cè)的所述第二修補線與和其部分重疊的所述第一修補 線進行電性相連;
      在所述進行電性相連的位置附近對所述第一修補線進行斷開處理。
      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點
      本發(fā)明的液晶顯示裝置及其陣列基板,在陣列基板的不同層內(nèi)分別 設(shè)置了具有第一修補線和第二修補線的修補線路, 一旦因生產(chǎn)制程的原 因出現(xiàn)了數(shù)據(jù)線缺陷,可以通過將第一修補線與數(shù)據(jù)線、或與第二修補 線電性相連的方法,為該出現(xiàn)缺陷的數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)傳送的旁路,避免了整塊陣列基板報廢的后果,提高了生產(chǎn)的成品率。
      本發(fā)明的液晶顯示裝置,將上述陣列基板中任意兩個相鄰的像素單 元內(nèi)的晶體管源極電性連接至極性相反的數(shù)據(jù)線,因此可以實現(xiàn)點反轉(zhuǎn) 驅(qū)動,提高了畫質(zhì)的表現(xiàn)能力。
      本發(fā)明的液晶顯示裝置的陣列基板修補方法,將缺陷處附近的第一 修補線與數(shù)據(jù)線、或與第二修補線電性相連,為出現(xiàn)缺陷的數(shù)據(jù)線提供 數(shù)據(jù)傳送的旁路,避免了整塊陣列基板報廢的后果,提高了生產(chǎn)的成品 率。


      圖1為一種現(xiàn)有的液晶顯示裝置的陣列基板示意圖2為另一種現(xiàn)有的液晶顯示裝置的陣列基板示意圖3為加入本發(fā)明的修補線路之前的液晶顯示裝置的陣列基板示意
      圖4為本發(fā)明第一實施例中的液晶顯示裝置的陣列基板示意圖; 圖5為本發(fā)明第二實施例中的液晶顯示裝置的陣列基;f反示意圖; 圖6為本發(fā)明第二實施例中的另 一種液晶顯示裝置的陣列基板示意
      圖7為本發(fā)明第三實施例中陣列基板的缺陷修補方法流程圖8為利用本發(fā)明第三實施例中的修補方法進行修補后的液晶顯示
      裝置的陣列基板示意圖。
      具體實施例方式
      為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合 附圖對本發(fā)明的具體實施方式
      做詳細的說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該
      具體實施例,本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋
      在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
      9其次,本發(fā)明利用示意圖進行了詳細描述,在詳述本發(fā)明實施例時, 為了便于說明,表示結(jié)構(gòu)的示意圖會不依一般比例作局部放大,不應(yīng)以 此作為對本發(fā)明的限定,此外,在實際的制作中,應(yīng)包含長度、寬度及 深度的三維空間尺寸。
      為了清楚地描述本發(fā)明的結(jié)構(gòu),本申請的各示意圖中省略了部分7> 知結(jié)構(gòu),如并未示出彩色濾光片基^L等結(jié)構(gòu)。
      本申請中定義的像素單元的"行"、"列"是相對于各像素單元與掃 描線、數(shù)據(jù)線的關(guān)系而言的,與各^f象素單元的實際排列方向無關(guān)。如,
      本申請中將各像素單元沿各掃描線方向分別定義為各行像素單元,將各 像素單元沿各數(shù)據(jù)線方向分別定義為各列像素單元。
      現(xiàn)有技術(shù)中,對傳統(tǒng)液晶顯示裝置的陣列基板進行改進,將每條掃 描線同時與相鄰兩行像素單元內(nèi)的晶體管相連,使得所需的掃描線的數(shù)
      量減少了一半;同時,將每一列像素單元與兩條數(shù)據(jù)線相連,相鄰行的 像素單元所對應(yīng)的晶體管分別連接至不同的數(shù)據(jù)線,保證了相鄰兩行像 素單元之間彼此仍保持獨立。但該種陣列基板與普通的陣列基板相比, 所需的數(shù)據(jù)線量增加了 一倍,也會更經(jīng)常地發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路或短路等缺 陷,造成生產(chǎn)的成品率較低。為此,本發(fā)明對該類陣列基板進行了進一 步改進,增加了修補線路部分。
      圖3為加入本發(fā)明的修補線路之前的液晶顯示裝置的陣列基板示意 圖,如圖3所示,該陣列基板包括掃描線310、與所述掃描線310交叉 排列的數(shù)據(jù)線320、像素單元300、設(shè)置于所述像素單元300內(nèi)的像素 電才及303及晶體管304。
      其中,所述陣列基板中每兩行像素單元300配置一條所述掃描線 310,每條掃描線310和位于其兩側(cè)的兩行Y象素單元300內(nèi)的晶體管304 柵極電性相連;如圖3中的掃描線310中的G(m)分別與第m行和第m+l 行的各像素單元300內(nèi)的晶體管304的柵極電性相連,掃描線310中的G(m+2)分別與第m+2行和第m+3行的各像素單元300內(nèi)的晶體管304 的柵極電性相連。此時,在第m+l行及第m+2行的像素單元300之間 不需要設(shè)置掃描線310,掃描線的數(shù)量可以減少一半。
      所述陣列基板中每一列像素單元300配置兩條數(shù)據(jù)線320,同一列 像素單元300內(nèi)的晶體管304源極以相間的方式分別與所述兩條數(shù)據(jù)線 320電性相連。如,圖3中的數(shù)據(jù)線320中的第n列的像素單元300的 左、右兩側(cè)分別配置有該列像素單元300專用的數(shù)據(jù)線D(n)和D(n+1), 其中數(shù)據(jù)線D(n)可以分別與該列像素單元300中奇數(shù)行的像素單元300 內(nèi)的晶體管304源極相連,數(shù)據(jù)線D(n+1)可以分別與該列像素單元300 中偶數(shù)行的像素單元300內(nèi)的晶體管304源極相連。圖中的其它數(shù)據(jù)線 D(n+2)、 D(n+3)......等與像素單元300的連接方式也可依此類推。
      圖3中所示的陣列基板,可以利用較高頻率對其進行驅(qū)動,有效防 止動態(tài)殘影問題,同時,其在高頻下分配給每一條掃描線的掃描時間也 可以較長,有足夠的時間對存儲電容進行充電,確保了顯示器的正常顯 示。
      為改善圖3中陣列基板因數(shù)據(jù)線數(shù)量增多而導(dǎo)致的成品率較低的現(xiàn) 象,本發(fā)明的具體實施例在其上增設(shè)了修補線路。 第一實施例
      圖4為本發(fā)明第一實施例中的液晶顯示裝置的陣列基板示意圖,如 圖4所示,該陣列基板包括掃描線410、與所述掃描線410交叉排列的 數(shù)據(jù)線420、像素單元400、設(shè)置于所述像素單元400內(nèi)的像素電極403 及晶體管404。
      其中,其掃描線410 (包括圖4中所示的G(m)和G(m+2))與數(shù)據(jù)
      線420 (包括圖4中所示的D(n)、 D(n+1)......等)與各像素單元400的
      連接方式與圖3中所示的相同,在此不再贅述。
      如圖4所示,該陣列基板還包括位于不同層內(nèi)的第一修補線451和第二修補線452,且所述第一修補線451還與所述數(shù)據(jù)線420不同層, 所述第二修補線452還與所述掃描線410不同層。本實施例中,為制作 方便,分別將第一修補線451與掃描線410設(shè)置于同一層內(nèi),第二修補 線452與數(shù)據(jù)線420設(shè)置于同 一層內(nèi)。
      第一修補線451設(shè)置于相鄰的兩列像素單元400之間,沿數(shù)據(jù)線420 方向延伸,在與掃描線410的每個相交處發(fā)生中斷,即在相鄰的兩列像 素單元400之間、每個掃描線的兩側(cè)都會分別具有第一修補線451的兩 個中斷端點。該第一修補線451延伸形成了多個延伸部,所述延伸部沿 掃描線410方向向兩側(cè)延伸,分別到達位于相同兩列像素單元400之間 的兩條數(shù)據(jù)線420的下方,與所述數(shù)據(jù)線420在該第一修補線451所在 層的投影部分重疊。具體地,本實施例中的所述第一修補線延伸部由所 述第 一修補線的各中斷端點沿掃描線方向延伸形成。
      第二修補線452設(shè)置于所述第一修補線451的各中斷處,跨過與所 述中斷處對應(yīng)的所述掃描線410 (注意到本實施例中第二^"補線452與 數(shù)據(jù)線420同層,與掃描線410不同層),沿所述數(shù)據(jù)線420方向延伸, 第二修補線452在第一修補線451所在層的投影分別與位于所述中斷處 兩側(cè)的所述第 一修補線451部分重疊。
      本發(fā)明中應(yīng)用該第 一實施例中的陣列基板的液晶顯示裝置,可以將 任意兩個相鄰(包括上下相鄰與左右相鄰)的像素單元均連接相反極性 的數(shù)據(jù)線,即任意兩個相鄰像素單元的極性相反。實現(xiàn)了點反轉(zhuǎn)驅(qū)動, 進一步提高了畫質(zhì)的表現(xiàn)能力。
      在本發(fā)明應(yīng)用該第一實施例中的陣列基板的其它液晶顯示裝置中, 也可以不利用上述連接方式,而采用其它連接方式實現(xiàn)行反轉(zhuǎn)或列反 轉(zhuǎn)。對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言,在本發(fā)明上述實施例的啟發(fā)下,可以 推出實現(xiàn)行反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)的具體的連接方式,在此不再贅述。
      本實施例中的陣列基板及應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示裝置,在陣列基板的不同層內(nèi)平行于數(shù)據(jù)線分別設(shè)置了具有第 一修補線和第二修補 線的修補線路, 一旦出現(xiàn)了數(shù)據(jù)線斷路或短路等缺陷,可以利用后面介 紹的將第一修補線與數(shù)據(jù)線、或與第二修補線電性相連的方法,為該出 現(xiàn)缺陷的數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)傳送的旁路,避免了整塊陣列基板報廢的后 果,提高了產(chǎn)品的成品率。
      另外,為了降低電阻,還可以對修補線路做進一步的擴展,下面通 過本發(fā)明第二實施例詳細介紹其中的一種對修補線路進行擴展后的液 晶顯示裝置的陣列基板。
      第二實施例
      圖5為本發(fā)明第二實施例中的液晶顯示裝置的陣列基板示意圖,如 圖5所示,該陣列基板包括掃描線510、與所述掃描線510交叉排列的 數(shù)據(jù)線520、像素單元500、設(shè)置于所述像素單元500內(nèi)的像素電極503 及晶體管504。
      其中,其掃描線510 (包括圖5中所示的G(m)和G(m+2))與數(shù)據(jù) 線520 (包括圖5中所示的D(n)、 D(n+1)......等)與各像素單元500的
      連接方式與圖5中所示的相同,在此不再贅述。
      如圖5所示,該陣列基板還包括位于不同層內(nèi)的第一修補線551和 第二修補線552,優(yōu)選地,可以將第一修補線551與掃描線510設(shè)置于 同一層內(nèi),將第二修補線552與數(shù)據(jù)線520設(shè)置于同一層內(nèi)。
      第一修補線551設(shè)置于相鄰的兩列像素單元500之間,沿數(shù)據(jù)線520 方向延伸,在與掃描線510的每個相交處發(fā)生中斷,即在相鄰的兩列像 素單元500之間、每個掃描線的兩側(cè)會分別具有第一修補線551的兩個 中斷端點。該第一修補線551延伸形成了多個延伸部,所述延伸部沿掃 描線510方向向兩側(cè)延伸,分別到達位于相同兩列像素單元500之間的 兩條數(shù)據(jù)線520的下方,與所述數(shù)據(jù)線520在該第一修補線551所在層 的投影部分重疊。具體地,本實施例中的所述第一修補線延伸部由所述第一修補線的各中斷端點沿掃描線方向延伸形成。
      此外,如圖5所示,本實施例中還在所述第一修補線551的同一層
      內(nèi)設(shè)置了與其相連通的連接部。該連接部位于未設(shè)置掃描線的相鄰的兩 行所述像素單元之間的間隔內(nèi),與所述掃描線平行、相間設(shè)置,將各第
      一修補線551沿掃描線方向連接起來。
      本實施例中增設(shè)的連接部可以有以下作用■
      A、 可以降低使用匚;;一修補線551作為傳送數(shù)據(jù)的旁路而帶來的 電阻值增高的問題。由于增設(shè)了連接部,第 一修補線551的面積得到了 較大擴展,其傳送數(shù)據(jù)時的阻值可明顯下降。
      B、 可以作為公共電極使用。如圖5所示,該連接部可到達各個像 素單元,當(dāng)在其上加載公共電壓后,其與像素電極之間可以形成存儲電 容,用于在薄膜晶體管關(guān)閉時,保持像素電極上的電壓。
      C、 可以用于修補掃描線。由于該連接部是平行于掃描線設(shè)置的, 當(dāng)掃描線出現(xiàn)缺陷時,可將該出現(xiàn)缺陷的掃描線與跨過其的第二修補線 552進行電性連接,再將對應(yīng)的第一修補線551與第二修補線552進行 電性連接,利用該第二修補線552、第一修補線551及其連接部形成傳 送掃描信號的旁路進行掃描信號的傳送,實現(xiàn)對出現(xiàn)缺陷的掃描線的修 補。
      本實施例中的第二修補線552設(shè)置于所述第一修補線551的各中斷 處,跨過與所述中斷處對應(yīng)的所述掃描線510,沿所述數(shù)據(jù)線520方向 延伸,第二修補線552在第一修補線551所在層的投影分別與位于所迷 中斷處兩側(cè)的所述第一修補線551部分重疊。
      本實施例中與第一修補線相連通的連接部設(shè)置在未設(shè)置掃描線的 相鄰兩行像素單元的間隔之內(nèi),在本發(fā)明的其它實施例中,該連接部還 可以有其它變形,如還可以在其它位置設(shè)置其它形狀的與第一修補線相 連通的連接部,只要其可以對第一修補線進行擴展,降低其傳送數(shù)據(jù)時的阻值即可。在本發(fā)明實施例的啟示下,這一應(yīng)用的延伸對于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員而言是易于理解和實現(xiàn)的,在此不再贅述。
      本發(fā)明中應(yīng)用該第二實施例中的陣列基板的液晶顯示裝置,同樣可 以通過對各像素單元內(nèi)晶體管所連的數(shù)據(jù)線的極性進行設(shè)置而實現(xiàn)行 反轉(zhuǎn)、列反轉(zhuǎn),或點反轉(zhuǎn)。其中,將任意兩個相鄰(包括上下相鄰與左
      右相鄰)的像素單元500內(nèi)的晶體管的源極均連接相反極性的數(shù)據(jù)線 520的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式,可進一步提高畫質(zhì)的表現(xiàn)能力。
      圖5中液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線520的極性是以單條為周期變化。此 時,所述任意兩個相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極電性連接至極性相 反的數(shù)據(jù)線具體包括
      同 一行內(nèi),相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在像 素單元的數(shù)據(jù)線中相反側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連;
      且同 一列內(nèi),相鄰的像素區(qū)域內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在 像素單元的數(shù)據(jù)線中相反側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連。
      應(yīng)當(dāng)注意到,即使同樣是實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)驅(qū)動,液晶顯示裝置的陣列基 板也可以具有不同的連接方式。圖6為本發(fā)明第二實施例中的另一種液 晶顯示裝置的陣列基板示意圖,其同樣包括掃描線610、與所述掃描線 610交叉排列的數(shù)據(jù)線620、像素單元600、設(shè)置于所述像素單元600 內(nèi)的像素電極603及晶體管604。該陣列基板內(nèi)增設(shè)的修補線路(包括 第一修補線651和第二修補線652)可以設(shè)置為與圖5中類似的具有連 接部的結(jié)構(gòu),也可以設(shè)置為與圖4中類似的簡單結(jié)構(gòu),圖6中所示為前 者。
      圖6中陣列基板所對應(yīng)的液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線極性是以兩條為周 期變化,且與同一列像素單元相連的兩條數(shù)據(jù)線極性相反。此時,要實 現(xiàn)點反轉(zhuǎn),需要令任意兩個相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極電性連接 至極性相反的數(shù)據(jù)線,具體包括同 一行內(nèi),相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在像
      素單元的數(shù)據(jù)線中相同側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連;
      且同一列內(nèi),相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在 像素單元的數(shù)據(jù)線中相反側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連。
      第三實施例
      本實施例對本發(fā)明的具有修補線路的陣列基板的具體修補方法進 行了詳細介紹。
      圖7為本發(fā)明第三實施例中陣列基板的缺陷修補方法流程圖,圖8 為利用本發(fā)明第三實施例中的修補方法進行修補后的液晶顯示裝置的 陣列基板示意圖,下面結(jié)合圖7和圖8對本實施例的修補方法進行具體 介紹。
      步驟701:檢測確定所述陣列基板上的數(shù)據(jù)線缺陷。如圖8中所示 的數(shù)據(jù)線D(n+3) 、 D(n+5)分別出現(xiàn)了斷路缺陷841和842。如果該陣 列基板不具有本發(fā)明中的修補線路,則該兩列像素單元均無法正常顯 示,其陣列基板只能作報廢處理。但本發(fā)明中的陣列基板具有修補線路, 可以對上述缺陷進行修補。
      步驟702:在缺陷位置附近進行電性相連操作,以形成代替數(shù)據(jù)線 缺陷處傳送數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)旁路。
      具體地,當(dāng)所述數(shù)據(jù)線的缺陷位置未跨越掃描線時,如圖8中的缺 陷841,可以僅對位于所述缺陷位置兩側(cè)的所述凄t據(jù)線與和其部分重疊 的所述第一修補線進^f亍電性相連(圖8中所示的841b),形成圖中所示 的代替數(shù)據(jù)線D(n+3)缺陷處傳送數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)旁路841a。其中,該電性 相連可以通過利用激光將該點的第 一修補線與數(shù)據(jù)線之間的絕緣層擊 穿而實現(xiàn)。
      當(dāng)所述數(shù)據(jù)線的缺陷位置跨越掃描線時,如圖8中的缺陷842,可 通過對位于所述缺陷位置兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第一修補線進行電性相連(圖8中所示的842b),對位于跨越的掃描線兩 側(cè)的所述第二修補線與和其部分重疊的所述第一修補線進行電性相連 (圖8中所示的842d),形成圖8中所示的代替數(shù)據(jù)線D(n+5)缺陷處 傳送數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)旁路842a。
      步驟703:在所述進行電性相連的位置附近對所述第一修補線進行 斷開處理。
      在缺陷附近進行電性相連操作,形成上述數(shù)據(jù)旁路841a和842a后, 為防止各數(shù)據(jù)旁路間傳送的信號出現(xiàn)竄擾,需要在進行電性相連的位置 附近對所述第一修補線進行斷開處理(如圖8中所示的841c及842c )。 本實施例中,該斷開處理是利用激光將對應(yīng)位置的第一修補線切斷而實 現(xiàn)的。該斷開處理確保了各數(shù)據(jù)旁^各傳送的對應(yīng)列像素單元的顯示信號 不會影響到其它列像素單元的正常顯示。
      另外,由于激光打通后形成的數(shù)據(jù)旁路的電阻值較高,為降低其阻 值,還可以在未出現(xiàn)缺陷的位置進行補充電性相連操作。
      該類補充電性相連操作可以包括在所述電性相連位置附近對所述 數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第一修補線進行補充電性相連(圖8中所 示的843b),和/或?qū)ξ挥诳缭降膾呙杈€兩側(cè)的所述第二修補線與和其 部分重疊的所述第一修補線進行補充電性相連(圖8中所示的843d)。 可以看到,加入上述補充電性相連4乘作后,與旁路842a相連地又形成 了新的補充性旁路843a (如圖8中虛線所示),其可以降低數(shù)據(jù)旁路 842a的阻值。
      應(yīng)當(dāng)注意到,對于增加了上述補充性旁路的數(shù)據(jù)旁路來說,其的斷 開處理需要結(jié)合其的補充性旁路進行,如圖8中的數(shù)據(jù)旁路842a,如果 沒有增加補充性旁路,可以直接在其兩側(cè)的第一修補線處進行斷開處 理。但在增加了與其相連的補充性旁路843a后,其的斷開就需同時考 慮到與其相連的補充性旁路543a。此時,前面步驟703中的進行電性相連的位置附近,指的就是進行電性相連的位置與進行補充電性相連的位
      置合并后的位置的附近,如圖8所示,其中的斷開處理842a就是在數(shù) 據(jù)旁路842a及補充性旁路843a兩側(cè)一起進行的斷開處理。
      本實施例中的修補方法是以數(shù)據(jù)線斷路缺陷為例進行說明的,在本 發(fā)明的其它實施例中,也可以利用該方法對數(shù)據(jù)線短路等其它缺陷進行 修補。如對于數(shù)據(jù)線短路缺陷,只需將短路部分兩端斷開,再按上述對 數(shù)據(jù)線斷路進行修補的方法進行修補即可。其具體實施步驟與思路均和 本實施例相似,在本發(fā)明實施例的啟示下,這一應(yīng)用的延伸對于本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員而言是易于理解和實現(xiàn)的,在此不再贅述。
      本實施例中的修補方法是以數(shù)據(jù)線缺陷為例進行說明的,在本發(fā)明 的其它實施例中,該具有連接部的修補線路還可用于修補掃描線。其同 樣可以將出現(xiàn)缺陷的掃描線與跨過其的第二修補線552進行電性連接, 再將對應(yīng)的第一修補線551與第二修補線552進行電性連接,利用該第 二修補線552、第一修補線551及其連接部形成傳送掃描信號的旁路進 行掃描信號的傳送,實現(xiàn)對出現(xiàn)缺陷的掃描線的修補。對掃描線進行修 補時,同樣可能還需要進行相應(yīng)的斷開處理,以防止掃描信號的竄護乙。
      另外,若對連接部進行了斷開處理,而該連接部又同時用于傳輸公 共電壓的話,為確保該公共電壓正常傳輸至各像素單元,還需要對斷開 位置附近的相關(guān)第一修補線551和第二修補線552進行電性連接,以將
      刖'
      共電壓的連接部上。其具體實施步驟與思路均和本實施例相似,在本發(fā) 明實施例的啟示下,這一應(yīng)用的延伸對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是易 于理解和實現(xiàn)的,在此不再贅述。
      本實施例中的修補方法是以具有連接部的修補線路為例進行說明 的,在本發(fā)明的其它實施例中,也可以利用上述方法對具有簡單結(jié)構(gòu)修 補線路的陣列基板進行修補,或?qū)哂衅渌愃七B接部結(jié)構(gòu)的修補線路的陣列基板進行修補,其具體實施步驟與思路均和本實施例相似,在本 發(fā)明實施例的啟示下,這一應(yīng)用的延伸對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是 易于理解和實現(xiàn)的,在此不再贅述。
      本發(fā)明上述實施例中,所述延伸部由所述第 一修補線的各中斷端點 沿掃描線方向延伸形成,且位于每一條第一修補線兩側(cè)的各個像素單元 均有一個延伸部與其對應(yīng)。在本發(fā)明的其它實施例中,第一修補線的延 伸部也可以由其主干部位的某位置向兩側(cè)延伸形成,或者可以不是每一 個像素單元都有對應(yīng)的延伸部,而可以是若干個像素單元對應(yīng)一個延伸 部。
      但應(yīng)當(dāng)注意到對于后者,修補出現(xiàn)缺陷的數(shù)據(jù)線時,因受延伸部數(shù) 量限制,會出現(xiàn)若干個像素單元的數(shù)據(jù)都從修補形成的數(shù)據(jù)旁路傳送的 情況,且所需進行的第 一修補線與第二修補線間的電性相連操作也會增 多。對上述陣列基板進行修補的具體實施步驟與思路均和本實施例相 似,在本發(fā)明實施例的啟示下,這一應(yīng)用的延伸對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員而言是易于理解和實現(xiàn)的,在此不再贅述。
      本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上,但其只是為了對本發(fā)明的原理 進行說明而作出的示意性而非限制性的表示。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不 脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),都可以做出可能的變動和修改,如第一修 補線與第二修補線還可以分別利用專門用于形成第 一修補線或第二修 補線的導(dǎo)電層形成,第一修補線與第二修補線或數(shù)據(jù)線投影重疊部分的 形狀可以為圓弧化的,或相對其余部位面積有所增大等。因此本發(fā)明的 保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。
      權(quán)利要求
      1、一種液晶顯示裝置陣列基板,包括掃描線、與所述掃描線交叉排列的數(shù)據(jù)線、像素單元、設(shè)置于所述像素單元內(nèi)的像素電極及晶體管;所述陣列基板中每兩行像素單元配置一條所述掃描線,每條掃描線和位于其兩側(cè)的兩行像素單元內(nèi)的晶體管柵極電性相連;每一列像素單元配置兩條數(shù)據(jù)線,同一列像素單元內(nèi)的晶體管源極以相間的方式分別與所述兩條數(shù)據(jù)線電性相連;其特征在于所述陣列基板還包括位于不同層內(nèi)的第一修補線和第二修補線,且所述第一修補線與數(shù)據(jù)線不同層,所述第二修補線與掃描線不同層;所述第一修補線設(shè)置于各相鄰的兩列像素單元之間,沿數(shù)據(jù)線方向延伸,在與掃描線的每個相交處中斷,且所述第一修補線還延伸形成了與位于所述相鄰兩列像素單元之間的兩條數(shù)據(jù)線的投影部分重疊的多個延伸部;所述第二修補線設(shè)置于所述第一修補線的各中斷處,跨過與所述中斷處對應(yīng)的所述掃描線,沿數(shù)據(jù)線方向延伸,其投影分別與位于所述中斷處兩側(cè)的所述第一修補線部分重疊。
      2、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述第一修補線 與所述掃描線位于同一層。
      3、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述第二修補線 與所述數(shù)據(jù)線位于同 一層。
      4、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述第一修補線 的延伸部由所述第一修補線的各中斷端點沿掃描線方向延伸形成。
      5、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述第一修補線 還具有與其相連通的連接部,所述連接部位于未設(shè)置所述掃描線的相鄰的兩行所述像素單元之間的間隔內(nèi),與所述掃描線平行、相間設(shè)置。
      6、 如權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于所述連接部還用 于加載^^共電壓。
      7、 一種包含如權(quán)利要求1 - 6中任意一項所述的陣列基板的液晶顯 示裝置,其特征在于任意兩個相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極電性 連接至極性相反的數(shù)據(jù)線。
      8、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置,其特征在于,當(dāng)所述數(shù)據(jù) 線的極性以單根為周期變化時,所述任意兩個相鄰的像素單元內(nèi)的晶體 管的源極電性連接至極性相反的數(shù)據(jù)線具體包括同一行內(nèi),相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在像 素單元的數(shù)據(jù)線中相反側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連;且同一列內(nèi),相鄰的像素區(qū)域內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在 像素單元的數(shù)據(jù)線中相反側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連。
      9、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置,其特征在于,當(dāng)所述數(shù)據(jù) 線的極性以兩根為周期變化,且與同一列像素單元相連的兩根數(shù)據(jù)線極 性相反時,所述任意兩個相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極電性連接至 極性相反的數(shù)據(jù)線,具體包括同一行內(nèi),相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在像 素單元的數(shù)據(jù)線中相同側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連;且同一列內(nèi),相鄰的像素單元內(nèi)的晶體管的源極分別與形成其所在 像素單元的數(shù)據(jù)線中相反側(cè)的數(shù)據(jù)線電性相連。
      10、 一種用于權(quán)利要求1-6中任意一項所述的陣列基板的缺陷修 補方法,其特征在于,包括步驟檢測所述陣列基板上的數(shù)據(jù)線缺陷;當(dāng)所述數(shù)據(jù)線的缺陷位置未跨越掃描線時,對位于所述缺陷位置兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第 一修補線進行電性相連;當(dāng)所述數(shù)據(jù)線的缺陷位置跨越掃描線時,對位于所述缺陷位置兩側(cè) 的所述數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第一修補線進行電性相連,對位于 跨越的掃描線兩側(cè)的所述第二修補線與和其部分重疊的所述第一修補 線進行電性相連;在所述進行電性相連的位置附近對所述第一修補線進行斷開處理。
      11、如權(quán)利要求10所述的修補方法,其特征在于,在所述進行電 性相連之后,所述進行斷開處理之前,還包括步驟在所述電性相連位置附近對所述數(shù)據(jù)線與和其部分重疊的所述第 一{奮補線進4亍補充電性相連;和/或?qū)ξ挥诳缭降膾呙杈€兩側(cè)的所述第二修補線與和其部分重疊的所 述第 一修補線進行補充電性相連。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置陣列基板,包括掃描線、數(shù)據(jù)線、像素單元、設(shè)置于像素單元內(nèi)的像素電極及晶體管;該陣列基板中每兩行像素單元配置一條所述掃描線,每一列像素單元配置兩條數(shù)據(jù)線;且該陣列基板還包括不同層內(nèi)的第一修補線和第二修補線,所述第一修補線設(shè)置于各相鄰的兩列像素單元之間,沿數(shù)據(jù)線方向延伸,在與掃描線的每個相交處中斷;所述第二修補線設(shè)置于所述第一修補線的各中斷處,跨過與所述中斷處對應(yīng)的所述掃描線,沿數(shù)據(jù)線方向延伸。本發(fā)明還公開了應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示裝置和用于該陣列基板的修補方法。本發(fā)明的液晶顯示裝置、陣列基板及其缺陷修補方法,可以解決因數(shù)據(jù)線缺陷而導(dǎo)致的成品率較低的問題。
      文檔編號G02F1/1362GK101446724SQ200810186660
      公開日2009年6月3日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
      發(fā)明者廖家德, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司
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