專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其修補方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有像素修補結(jié)構(gòu)的薄膜 晶體管陣列基板及其修補方法。
背景技術(shù)：
目前，液晶顯示器作為平板顯示器的 一種已被廣泛的應(yīng)用在各個領(lǐng)域中， 它具有低功耗、薄形質(zhì)輕等優(yōu)點。通常，液晶顯示器包括一液晶面板，液晶面 板包括具有像素電極的薄膜晶體管陣列基板、具有公共電極的彩色濾光片基板 以及填充在薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板之間的液晶層。像素電極和 公共電極之間產(chǎn)生電場，并通過兩電極控制施加到液晶層的電場強度來控制入 射光的透射率，從而實現(xiàn)對液晶面板亮與暗的控制。
液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板包括多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多條柵 極線和多條數(shù)據(jù)線相互絕緣交叉排列限定的多個像素區(qū)域中的由氧化銦錫
(ITO)形成的像素電極，以及設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵極線的交叉處附近的薄膜晶 體管(Thin Film Transistor, TFT )。薄膜晶體管對施加到像素電極的電壓進(jìn)行控 制。薄膜晶體管包含與柵極線電性連接的柵極、與像素電極電性連接的漏極和 與數(shù)據(jù)線電性連接的源極。
但是，在液晶顯示器的生產(chǎn)過程中，常易受到制作工序污染或是靜電破壞， 使得薄膜晶體管異常地短路或斷路，或者由于導(dǎo)電微粒的影響而使得像素的像 素電極和公共電極之間短路，則像素不能正常顯示，從而造成像素的點缺陷。 點缺陷可分為亮點和暗點，為了確保液晶面板的顯示品質(zhì)，通常在完成陣列基 板及彩色濾光片基板的制作工序后會進(jìn)行全黑畫面檢查與全白畫面檢查來發(fā)現(xiàn)液晶面板的點缺陷。亮點在全黑畫面檢查時是亮的，因為人眼對亮點非常敏感 而易于辨認(rèn)，所以在僅有少數(shù)亮點發(fā)生的時候常常會采用激光來進(jìn)行修補，從 而將亮點修復(fù)成不易被人眼識別的暗點。
目前，利用激光對像素進(jìn)行修補有多種實現(xiàn)方式。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管陣列基板中單個像素的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖 1所示，柵極線11與數(shù)據(jù)線12垂直絕緣交叉排列于襯底基板(圖中未示出)
上，從而限定了像素區(qū)域。像素區(qū)域中形成有像素電極16，其中像素電極16 包含一個延伸部分161,該延伸部分在襯底基板上的投影與前一柵極線11在襯 底基板上的投影是部分重疊的，像素電極16及延伸部分161與前一柵極線11 彼此絕緣。其中，前一柵極線11指設(shè)于像素區(qū)域中薄膜晶體管對側(cè)的柵極線。 在數(shù)據(jù)線12和柵極線11的交叉處附近形成有薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括 源極121、漏極15和柵極111,其中源極121電連接至數(shù)據(jù)線12,漏極15電 連接至像素電極16,柵極111電連接至柵極線11，柵極111為柵極線11的一 部分。公共電極線13與柵極線11平行。像素電極16與彩色濾光片基板的公共 電極(圖中未示出)之間形成液晶電容Qx。
當(dāng)圖1所示的像素出現(xiàn)亮點缺陷需要進(jìn)行修補時，修補示意圖如圖2。在 AB處通過激光切斷該像素的像素電極16與薄膜晶體管漏極15之間的連接， 同時，在像素電極16的延伸部161與前一4冊極線11的重疊區(qū)域的C點處激光 焊接像素電極16的延伸部161與前一柵極線11,使二者達(dá)成電性連接，從而 像素電極16與前一柵極線11電性連接，像素電極，即液晶電容的第一端，獲 得柵極線上的電壓。彩色濾光片基板的公共電極，即液晶電容的第二端，接收 公共電壓信號Vcom。液晶電容的兩端存在電壓差，從而將亮點修復(fù)成暗點。
柵極線上的電壓包括柵極線的高電壓Vgh和柵極線的低電壓Vgl。在一幀 時間內(nèi)，柵極線的高電壓Vgh的持續(xù)時間相對于柵極線的低電壓Vgl來說非常 短暫，可忽略不計，因此，像素電極接收柵極線上的電壓視為柵極線的低電壓 Vgl。所以，修補后的液晶電容兩端的電壓等于柵極線上的電壓與公共電壓信號 之差，即Vpr=Vgl-Vcom。在實際應(yīng)用中，通常使用最暗灰階L0對應(yīng)的壓差為6V(即VLo+=6V, VLo.=-6V )的液晶顯示器，并且取Vgh=20V， Vgl=-6V， Vcom=4 ~ 5V，因此可以得出
|VprHVgl-Vcom|=10 ~ 11V> |VL0.|。
如圖3所示，液晶分子301填充在彩色濾光片基板302和薄膜晶體管陣列 基板303之間，分別在兩個基板的外表面附一層補償膜304。由于液晶分子的 雙折射特性，通過液晶層的光線會呈現(xiàn)橢圓極化光，同時也產(chǎn)生一相位差。由 于相位差的出現(xiàn)，導(dǎo)致以不同視角觀察液晶顯示器會產(chǎn)生不同的亮度以及灰階。 因此，為了補償此相位差，必須使用一補償膜來改善視角問題。然而，補償膜 通常是針對最暗灰階LO對應(yīng)的壓差Vu)為6V時液晶的相位差而預(yù)先設(shè)計的。 而在修補之后，液晶電容兩端的電壓大于最暗灰階LO對應(yīng)的壓差VLo，因此， 此時液晶的相位差將不同于最暗灰階LO對應(yīng)的壓差Vto對應(yīng)的液晶的相位差， 該補償膜將起不到改善視角的作用，當(dāng)修補完成后，從不同視角觀看會存在漏 光現(xiàn)象。為了能夠使修補后的液晶電容兩端的電壓等于最暗灰階LO對應(yīng)的壓 差Vu),由于修補后的液晶電容兩端的電壓Vpr=Vgl-Vcom,所以可以考慮改變 Vgl或者Vcom。但是，因為改變Vgl會造成其它無缺陷像素的TFT漏電，則 在暗態(tài)時由于TFT的漏電導(dǎo)致不能達(dá)到實際的暗值，進(jìn)而導(dǎo)致液晶顯示器的對 比度降低。當(dāng)改變Vcom時液晶顯示器的整個面板像素的灰階都會發(fā)生改變， 所以也是不可取的。由于受到柵極線上的低電壓Vgl和公共電壓信號Vcom無 法改變的限制，修補后的液晶電容兩端的電壓無法被調(diào)節(jié)使之等于最暗灰階LO 對應(yīng)的壓差Vu),因此，對于此種修補方法無法解決從不同視角觀看時存在漏 光的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，該薄 膜晶體管陣列基板在修補之后，從不同視角觀看時不會發(fā)生漏光。
本發(fā)明的第二個主要目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的修補方 法，修補之后的薄膜晶體管陣列基板從不同視角觀看時都不會發(fā)生漏光。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實現(xiàn)的 根據(jù)上述目的的第一個方面，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包 括襯底基板、形成于襯底基板上的多條柵極線、公共電極線、與柵極線相互絕 緣交叉設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線、設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線相互交叉形成的像 素區(qū)域中的像素電極，以及設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線的交叉處附近的薄 膜晶體管，在所述像素區(qū)域中還設(shè)置有第一元件和第二元件，第一元件包括直 接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及 形成于半導(dǎo)體層上的第一源極和第一漏極，第二元件包括直接覆蓋襯底基板表 面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半導(dǎo)體層上 的第二源極和第二漏極，其中第一源極和第一漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具 有第一溝道寬長比，第二源極和第二漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第二溝 道寬長比。
根據(jù)上述目的的第二個方面，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板的修 補方法，其中，薄膜晶體管陣列基板包括襯底基板、形成于襯底基板上的柵極 線、公共電極線、數(shù)據(jù)線、像素電極以及薄膜晶體管，薄膜晶體管陣列基板的 像素區(qū)域還包括直接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層，形成于所述柵極絕緣層 上的半導(dǎo)體層、形成于所述半導(dǎo)體層上的第一源極、第一漏極、第二源極、第 二漏極，第一源極和第一漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第一溝道寬長比， 第二源極和第二漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第二溝道寬長比，所述修補 方法包括對于發(fā)生亮點缺陷的像素，切斷缺陷像素的像素電極與其薄膜晶體 管的電性連接；電性連接所述缺陷像素的像素電極和第一漏極與第二源極；電 性連接所述缺陷像素的第一源極與公共電極線；電性連接所述缺陷像素的第二 漏極與柵極線。
由上述的技術(shù)方案可見，本發(fā)明提供的一種薄膜晶體管陣列基板，與現(xiàn)有 技術(shù)相比，在像素區(qū)域中設(shè)置第一元件和第二元件，第一元件包括直接覆蓋襯 底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半 導(dǎo)體層上的第 一源極和第 一漏極，第二元件包括直接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半導(dǎo)體層上的第二源 極和第二漏極，其中第 一 源極和第 一 漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第 一 溝 道寬長比，第二源極和第二漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第二溝道寬長比。 具有這種像素修補結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板，通過預(yù)先調(diào)整第一、第二元件
的第一、第二溝道寬長比W/L，在發(fā)生像素亮點缺陷后，利用本發(fā)明提供的薄 膜晶體管陣列基板的修補方法切斷缺陷像素的像素電極與其薄膜晶體管的電 性連接；電性連接所述缺陷像素的像素電極和第一漏極與第二源極；電性連接 所述缺陷像素的第一源極與公共電極線；電性連接所述缺陷像素的第二漏極與 柵極線。從而在彩色濾光片基板的公共電極和公共電極線均接收公共電壓信號 Vcom的情況下，可以調(diào)節(jié)第一元件的阻值R1及第二元件的阻值R2,，進(jìn)而能 夠調(diào)整液晶電容兩端的電壓使之接近于最暗灰階LO對應(yīng)的壓差Vu),因此從不 同視角觀看時都不會發(fā)生漏光。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管陣列基板中單個像素的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1的像素修補示意圖。
圖3為現(xiàn)有技術(shù)液晶面板的剖面示意圖。
圖4為本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板中單個像素的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5為圖4中的單個像素沿線A-A，截取的剖面圖，其揭示了薄膜晶體 管的剖面結(jié)構(gòu)。
圖6為圖4中的單個像素沿線B-B，截取的剖面圖，其揭示了第一元件 和第二元件的剖面結(jié)構(gòu)。
圖7為圖4的像素修補示意圖。
圖8為圖7上方虛線框中部分對應(yīng)液晶面板的等效電路圖。 圖9為圖4中第一元件和第二元件的放大圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點更加清楚明白，以下參照附圖并 舉實施例，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
本發(fā)明實施例的液晶顯示器包括一液晶面板，液晶面板包括薄膜晶體管陣 列基板、彩色濾光片基板以及填充在兩基板之間的液晶層。為了圖示的清楚描 述，在本發(fā)明實施例的附圖中均沒有畫出彩色濾光片基板。圖4為本發(fā)明薄膜 晶體管陣列基板中單個像素的結(jié)構(gòu)示意圖。柵極線11與數(shù)據(jù)線12垂直絕緣交
叉排列于襯底基板(圖4中未示出)上，從而限定了像素區(qū)域，像素區(qū)域中形 成有像素電極16。在數(shù)據(jù)線12和柵極線11的交叉處附近形成有薄膜晶體管， 該薄膜晶體管包括源極121、漏極15和柵極111，其中源極121電連接至數(shù)據(jù) 線12,漏極15電連接至像素電極16,柵極111電連接至柵極線11，柵極111 為柵極線11的一部分。公共電極線13包括在像素區(qū)域內(nèi)平行于柵極線11方向 的部分和平行于數(shù)據(jù)線12方向的延伸部分131。在薄膜晶體管的對側(cè)，該像素 還包括第一元件1和第二元件2。如圖4所示，第一元件1包括第一源極401、 第一漏極402和半導(dǎo)體層405，第二元件2包括第二源極403、第二漏極404 和半導(dǎo)體層405,第一元件1的第一漏極402與第二元件2的第二源極403 — 體連接。第一元件1的第一源極401在襯底基板平面上的投影與公共電極線13 在像素區(qū)域內(nèi)平行于數(shù)據(jù)線方向的延伸部分131是部分重疊的，第二元件2的 第二漏極404在襯底基板平面上的投影與前一柵極線11是部分重疊的，像素電 極16在襯底基板平面上的投影與一體連接的第一元件1的第一漏極402與第二 元件2的第二源極403是部分重疊的，各重疊部分如圖4中的陰影所示。
圖5為如圖4所示的單個像素沿線A-A，截取的剖面圖，其揭示了薄膜晶 體管的剖面結(jié)構(gòu)。在圖5中，襯底基板10位于最下層，薄膜晶體管的柵極lll 和公共電極線13位于襯底基板10上，并且，柵極111和公共電極線13分別形 成于村底基板10的同一層，即第一金屬層，柵極絕緣層14覆蓋于4冊極111和 公共電極線13之上，與薄膜晶體管的柵極111相對應(yīng)的柵極絕緣層14之上是薄膜晶體管的半導(dǎo)體層17，薄膜晶體管的半導(dǎo)體層17之上是薄膜晶體管的源
極121、漏極15,鈍化層18位于源極121、漏極15及柵極絕緣層14之上，且 該鈍化層18具有一通孔19，像素電極16位于該鈍化層18之上，并通過通孔 19將像素電極16與漏極15電性相連。
圖6為如圖4所示的單個像素沿線B-B，截取的剖面圖，其揭示了第一元 件和第二元件的剖面結(jié)構(gòu)。在圖6中，襯底基板IO位于最下層，公共電極線 13的延伸部分131、用于確定激光焊接位置，從而增加激光的焊接效果的金屬 點406、柵極線11位于襯底基板10上，并且，公共電極線的延伸部分131、金 屬點406以及柵極線11分別形成于襯底基板10的同一層，即第一金屬層，柵 極絕緣層14覆蓋于公共電極線13的延伸部分131、柵極線11及金屬點406之 上，在直接覆蓋于襯底基板10的柵極絕緣層14之上是第一元件1和第二元件 2的半導(dǎo)體層405，即第一元件1和第二元件2的半導(dǎo)體層405下的柵極絕緣層 14是沒有覆蓋第一金屬層。第一元件1和第二元件2的半導(dǎo)體層405之上分別 是第一元件1的第一源極401和第一漏極402、第二元件2的第二源極403和 第二漏極404，其中，第一元件1的第一漏極402與第二元件2的第二源極403 一體連接。鈍化層18覆蓋于半導(dǎo)體層405、第一元件1的第一源極401和第一 漏極402、第二元件2的第二源極403和第二漏極404、柵極絕緣層14之上， 像素電極16位于該鈍化層18之上。其中， 一體連接的第一元件1的第一漏極 402與第二元件2的第二源極403下方的柵極絕緣層14覆蓋金屬點406，并且 從圖4中可以看出，像素電極16在襯底基板IO平面上的投影與一體連接的第 一元件1的第一漏極402與第二元件2的第二源極403是部分重疊的，所以金 屬點406和像素電極16是部分重疊的。
下面結(jié)合圖4、圖5、圖6,說明制作具有像素修補結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列 基斗反的方法流程。
步驟l,在所提供的襯底基板IO上沉積第一金屬層，并對其構(gòu)圖以形成柵 極線ll、薄膜晶體管的柵極lll、公共電極線13及其延伸部分131、用于確定 激光焊接位置，從而增強激光焊接效果的金屬點406，其中，金屬點406在薄膜晶體管的對端。第一金屬層的材料為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬及鋁鎳等之一 或合金組合，其結(jié)構(gòu)可以為單層或者復(fù)合層。
步驟2，在第一金屬層上淀積形成柵極絕緣層14。其中，柵極絕緣層14覆 蓋第一金屬層及襯底基板。其材料可以為非晶氮化硅，非晶氧化硅，復(fù)晶氮化 硅，復(fù)晶氧化硅等絕緣性佳的材質(zhì)。
步驟3,在覆蓋薄膜晶體管柵極111的柵極絕緣層14上沉積形成薄膜晶體 管的半導(dǎo)體層17,在直接覆蓋襯底基板10的柵極絕緣層14上沉積形成第一元 件l和第二元件2的半導(dǎo)體層405,第一元件1和第二元件2的半導(dǎo)體層405 在薄膜晶體管的半導(dǎo)體層17的對端。其中，第一元件1和第二元件2的半導(dǎo)體 層405和薄膜晶體管的半導(dǎo)體層17的形成方法可以包括先形成一有源層(a-Sk H，氫化非晶硅層)，然后進(jìn)行離子摻雜，在其上形成一歐姆接觸層(N+a-Si: H,重?fù)诫s氫化非晶硅層)。
步驟4，在柵極絕緣層14及半導(dǎo)體層17、 405上沉積第二金屬層，并對其 構(gòu)圖以形成薄膜晶體管的源極121和漏極15、數(shù)據(jù)線12、第一元件和第二元件 的源極和漏極401 ~404，其中第一元件的半導(dǎo)體層405上形成第一元件1的第 一源極401和第一漏極402，第二元件2的半導(dǎo)體層405上形成第二元件的第 二源極403和第二漏極404，在薄膜晶體管的半導(dǎo)體層17上形成薄膜晶體管的 源極121和漏極15，第一元件1的第一漏極402與第二元件2的第二源才及403 一體連接，并且， 一體連接的第一元件1的第一漏極402和第二元件2的第二 源極403形成在金屬點406上方的柵極絕緣層14之上，第一元件1的第一源極 401在襯底基板10平面上的投影與公共電極線13在像素區(qū)域內(nèi)平行于數(shù)據(jù)線 方向的延伸部分131是部分重疊的，第二元件2的第二漏極404在襯底基板10 平面上的投影與前一柵極線11是部分重疊的。第二金屬層的材料為鋁、鉻、鴒、 鉭、鈦、鉬及鋁鎳等之一或合金組合，其結(jié)構(gòu)可以為單層或者復(fù)合層。
步驟5，形成鈍化層18，并對其進(jìn)行蝕刻形成通孔19。其中，鈍化層18 覆蓋第二金屬層，其材料可以為非晶氮化硅，非晶氧化硅，復(fù)晶氮化硅，復(fù)晶 氧化硅等絕緣性佳的材質(zhì)。步驟6，在鈍化層18上沉積氧化銦錫(ITO),對其進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極 16,其中，像素電極16通過通孔19與薄膜晶體管的漏極15電性相連，像素電 極16在襯底基板10平面上的投影與一體連接的第一元件1的第一漏極402與 第二元件2的第二源極403是部分重疊的。
當(dāng)某像素出現(xiàn)亮點缺陷需要進(jìn)行修補時，修補示意圖如圖7所示。在EF 處，通過激光切斷該像素的像素電極16與薄膜晶體管漏極15之間的連接；在 X點，通過金屬點406 (如圖6中所示)，激光焊接像素電極16與第二金屬層 即一體連接的第一元件1的第一漏極402與第二元件2的第二源極403的重疊 部分；在Y點，激光焊接第一元件1的第一源極401與公共電極線的延伸部分 131的重疊部分，在Z點，激光焊接第二元件2的第二漏極404與前一柵極線 11的重疊部分。
在本發(fā)明實施例中，當(dāng)液晶顯示器工作時，彩色濾光片基板上的公共電極 和公共電極線均接收公共電壓信號Vc。m。經(jīng)過上述修補之后，由于第一元件1 的第一源極401與公共電極線13的延伸部分131電性連接，所以第一元件1 獲得公共電極線13上的公共電壓信號Vc。m，同樣由于第二元件2的第二漏極 404與前一柵極線11的電性連接，所以第二元件2獲得柵極線上的電壓VGL, 而且像素電極16電性連接一體的第一元件1的第一漏極402和第二元件2的第 二源極403。同時，液晶顯示器工作時，其內(nèi)的背光(未圖示)打開，通過背 光照射液晶面板后，第一元件1和第二元件2的半導(dǎo)體層405產(chǎn)生光電流，從 而第一元件1的第一源極401和第一漏極402導(dǎo)通，第二元件2的第二源極403 和第二漏極404導(dǎo)通，因此，修補之后，圖7上方虛線框中部分的等效電路圖 如圖8所示。在圖8中，X、 Y、 Z分別對應(yīng)為圖7中的修補點，Rl、 R2分別 為第一元件、第二元件的阻值。
由于Vx=VY-|VY-Vz|/(Rl+R2)xRl,其中Vx、 VY、 Vz分別為X、 Y、 Z修 #卜點7于應(yīng)的電壓；
又已知修補后的像素電極(即液晶電容的第一端)接收的電壓VR=VX、 VY=Vcom、 VZ=VGL，所以得出VR=Vcom-|Vc。m -VGL|/(R1+R2) x Rl。
壓信號Ve。m，所以修補之后液晶電容CLC兩端的電壓為
|VCLC|=|VR-Veom|=|Vcom -VGL|/(R1+R2) x Jll 。
第 一元件1的阻值Rl和第二元件2的阻值R2分別為第 一元件1和第二元 件2的半導(dǎo)體層405的阻值，半導(dǎo)體層405包括有源層和歐姆接觸層，由于半 導(dǎo)體層405中的歐姆接觸層電阻極小可以忽略，所以第一元件1的阻值R1和 第二元件2的阻值R2可分別等效為第 一元件和第二元件的有源層的阻值。
根據(jù)電阻公式I^pL/S,可得
第一元件的阻值Rl= p L1/S1= p L1/(W1 x Tl)，
第二元件的阻值R2= p L2/S2= p L2/(W2 x T2)，
其中p為有源層電阻系數(shù)，由于第一元件1和第二元件2是在制作薄膜晶 體管的過程中一并形成的，因此，第一元件1的有源層電阻系數(shù)與第二元件2 的有源層電阻系數(shù)相等；Ll、 L2分別為第一元件l和第二元件2的有源層的溝 道長度；Wl、 W2分別為第一元件1和第二元件2的有源層的溝道寬度，Ll、 Wl、 L2、 W2可在蝕刻構(gòu)圖形成第一元件1和第二元件2時確定；Tl、 T2分 別為第一元件1和第二元件2的有源層的溝道厚度，Tl、 T2可在沉積有源層時 確定。
U、 Wl、 L2、 W2具體如圖9中所示，圖9為圖4中第一元件1和第二元 件2的放大圖。如圖9所示，第一元件1的有源層的溝道長度L1等于第一元 件1的第一源極401和第一漏極402限定的半導(dǎo)體層405中的溝道長度，即為 第一元件1的第一源極401和第一漏極402之間的間隔，第二元件2的有源層 的溝道長度L2等于第二元件2的第二源極403和第二漏極404限定的半導(dǎo)體 層405中的溝道長度，即為第二元件2的第二源極403和第二漏極404之間的 間隔，第一元件1的有源層的溝道寬度Wl等于第一元件1的第一源極401和 第 一漏極402限定的半導(dǎo)體層405的溝道寬度，即為第 一元件1的第 一源極401/ 漏極402之一的寬度，第二元件2的有源層的溝道寬度W2等于第二元件2的第二源極403和第二漏極404限定的半導(dǎo)體層405的溝道寬度，即為第二元件 2的第二源極403/漏極404之一的寬度。
由于第 一元件和第二元件的有源層與薄膜晶體管的有源層是同時沉積的， 所以 一般來說，對于第 一元件和第二元件的有源層沉積的溝道厚度不易改變， 否則會同時影響薄膜晶體管的特性。所以第一元件的阻值R1與第一元件的有 源層的第一溝道寬長比W1/L1有關(guān)，第二元件的阻值R2與第二元件的有源層 的第二溝道寬長比W2/L2有關(guān)，阻值R與溝道寬長比W7L成反比，阻值R隨 著溝道寬長比W/L的增大而減小，阻值R隨著溝道寬長比W/L的減小而增大。
在本發(fā)明實施例中，為了防止液晶顯示器從不同視角觀看時存在漏光的問 題，可以通過預(yù)先調(diào)整第一元件或第二元件的有源層的溝道寬長比W/L，來調(diào) 節(jié)第一元件或第二元件的阻值R1、R2,進(jìn)而能夠調(diào)整液晶電容兩端的電壓Vac, 從而達(dá)到使液晶電容兩端的電壓Vcxc能夠等于最暗灰階LO對應(yīng)的壓差Vu)。但 是，由于實際制程可能存在誤差，往往很難調(diào)節(jié)液晶電容兩端的電壓Vac;使之 恰好等于最暗灰階L0對應(yīng)的壓差VLG，然而，只要液晶電容兩端的電壓Vac 與最暗灰階LO對應(yīng)的壓差Vu)的絕對值在〈二3V的范圍內(nèi)，從不同視角觀看時 漏光現(xiàn)象很小，所以基本是可以接受的。
值得指出的是，雖然在上面的實施例中，液晶面板經(jīng)過修補之后等效電路 如圖8所示，但是顯而易見的是，達(dá)到此等效電路的目的就在于使液晶電容兩 端的電壓Va^接近于最暗灰階LO對應(yīng)的壓差VLo，因此只要能夠使修補之后的 陣列基板，液晶電容兩端的電壓Vax接近于最暗灰階L0對應(yīng)的壓差Vu)的陣列 基板及其修補方法，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板、形成于襯底基板上的多條柵極線、公共電極線、與柵極線相互絕緣交叉設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線、設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線相互交叉形成的像素區(qū)域中的像素電極，以及設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線的交叉處附近的薄膜晶體管，其特征在于，在所述像素區(qū)域中還設(shè)置有第一元件和第二元件，所述第一元件包括直接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半導(dǎo)體層上的第一源極和第一漏極，第二元件包括直接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半導(dǎo)體層上的第二源極和第二漏極，其中第一源極和第一漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第一溝道寬長比，第二源極和第二漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第二溝道寬長比。
2、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第一元件和第 二元件設(shè)置在像素區(qū)域中薄膜晶體管的對側(cè)。
3、 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第一元件的第 一漏極與第二元件的第二源極一體連接。
4、 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一元件 的第一源極在襯底基板平面上的投影與所述公共電極線部分重疊。
5、 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第二元件 的第二漏極在襯底基板平面上的投影與柵極線部分重疊。
6、 如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極 在襯底基板平面上的投影與 一體連接的第 一元件的第 一漏極與第二元件的第二 源才及部分重疊。
7、 如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第一元件的第 一漏極與第二元件的第二源極的 一體連接處下方的柵極絕緣層覆蓋一金屬點。
8、 一種薄膜晶體管陣列基板的修補方法，其中，薄膜晶體管陣列基板包括襯底基板、形成于襯底基板上的柵極線、公共電極線、數(shù)據(jù)線、像素電極以及 薄膜晶體管，薄膜晶體管陣列基板的像素區(qū)域還包括直接覆蓋襯底基板表面的 柵極絕緣層，形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、形成于所述半導(dǎo)體層上的 第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極，第一源極和第一漏極限定的半導(dǎo) 體層中的溝道具有第 一溝道寬長比，第二源極和第二漏極限定的半導(dǎo)體層中的溝道具有第二溝道寬長比，所述修補方法包括切斷缺陷像素的像素電極與其薄膜晶體管的電性連接； 電性連接所述缺陷像素的像素電極和第一漏極與第二源極； 電性連接所述缺陷像素的第 一 源極與公共電極線； 電性連接所述缺陷像素的第二漏極與柵極線。
9、 如權(quán)利要求8所述的修補方法，其特征在于，第一漏極與第二源極一體 形成，電性連接所述缺陷像素的像素電極和第一漏極與第二源極的一體連接處。
10、 如權(quán)利要求9所述的修補方法，其特征在于，通過第一漏極與第二源 極的 一體連接處下方的柵極絕緣層覆蓋的金屬點電性連接所述缺陷像素的像素 電極和第 一漏極與第二源極的 一體連接處。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，關(guān)鍵在于，在像素區(qū)域中還設(shè)置有第一元件和第二元件，第一元件包括直接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半導(dǎo)體層上的第一源極和第一漏極，第二元件包括直接覆蓋襯底基板表面的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及形成于半導(dǎo)體層上的第二源極和第二漏極。這種具有像素修補結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板，在發(fā)生像素亮點缺陷后，利用本發(fā)明提供的一種薄膜晶體管陣列基板的修補方法，從而最終達(dá)到液晶電容兩端的電壓接近于最暗灰階L0對應(yīng)的壓差V_L0，因此從不同視角觀看時都不會發(fā)生漏光。
文檔編號G02F1/1362GK101442058SQ20081018669
公開日2009年5月27日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者廖家德, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司