專利名稱：：一種用于厚膜光刻膠的清洗劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中的一種清洗劑，特別涉及一種用于厚膜光刻膠的清洗劑。
背景技術(shù)：
：在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，通過在二氧化硅、Cu(銅)等金屬以及低k材料等表面上形成光刻膠的掩模，曝光后利用濕法或干法刻蝕進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。100^im以上的厚膜光刻膠越來越多地應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，因而用于厚膜光刻膠的清洗劑日益成為半導(dǎo)體晶片制造工藝的重要研究方向。尤其是100拜以上的厚膜負(fù)性光刻膠正逐漸應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，而目前工業(yè)上大部分的光刻膠清洗劑都不能徹底去除晶片上經(jīng)曝光和刻蝕后的具有交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的負(fù)性光刻膠。另外，在半導(dǎo)體晶片進(jìn)行光刻膠的化學(xué)清洗過程中，清洗劑(尤其是含有氫氧化鉀等強(qiáng)堿的清洗劑)常會造成晶片圖形和基材的腐蝕。特別是在利用化學(xué)清洗劑除去刻蝕殘余物的過程中，金屬腐蝕是較為普遍而且非常嚴(yán)重的問題，往往導(dǎo)致晶片良率的顯著降低。目前，光刻膠清洗劑主要由極性有機(jī)溶劑、強(qiáng)堿和/或水等組成，通過將半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中或者利用清洗劑沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。JP1998239865由四甲基氫氧化銨(TMAH)、二甲基亞砜(DMSO)、1，3，-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，于5010(TC下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20^m以上的厚膜光刻膠。其對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠，清洗能力不足。US5529887由氫氧化鉀(KOH)、垸基二醇單垸基醚、水溶性氟化物和水等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，在40卯'C下除去金屬和電6介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。其對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高。US5962197由氫氧化鉀、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、丙二醇醚、水和表面活性劑等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，需要在在105'C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。其清洗溫度較高，造成半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕。US2004025976和WO2004113486由季銨氫氧化物、水溶性有機(jī)溶劑、水、緩蝕劑和質(zhì)量百分含量小于1.0%的氫氧化鉀等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，于2085'C下浸沒l~40min，除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠，但其對于厚膜光刻膠尤其是厚膜負(fù)性光刻膠的清洗能力不佳。US5139607由氫氧化鉀、四氫呋喃醇、乙二醇和水等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，于低于9(TC的溫度下浸沒l40min，除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。其對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片的厚膜光刻膠，清洗能力不足。綜上所述，現(xiàn)有的光刻膠的清洗劑對厚度較高的光刻膠，特別如厚度大于10(Him的光刻膠的清洗能力不足，或者對半導(dǎo)體晶片圖案和基材腐蝕性較強(qiáng)，存在較大的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就是針對現(xiàn)有的厚膜光刻膠清洗劑存在的清洗能力不足或者對半導(dǎo)體晶片圖案和基材腐蝕性較強(qiáng)的缺陷，而提供一種對厚膜光刻膠清洗能力強(qiáng)且對半導(dǎo)體晶片圖案和基材腐蝕性較低的光刻膠清洗劑。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種用于厚膜光刻膠的清洗劑，該清洗劑包含二甲基亞砜，氫氧化鉀，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸類緩蝕劑和縮水劑。本發(fā)明中，所述的二甲基亞砜的含量較佳的為質(zhì)量百分比1~97%，更佳的為質(zhì)量百分比30~90%。本發(fā)明中，所述的氫氧化鉀的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.1~5.0%，更佳的為質(zhì)量百分比1.04.0%。本發(fā)明中，所述的醇胺較佳的為選自一乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種，更佳的為選自一乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺和甲基二乙醇胺中的一種或多種。所述的醇胺的含量較佳的為質(zhì)量百分比l~50wt%，更佳的為質(zhì)量百分比5.0~35wt%。本發(fā)明中，所述的芳基醇較佳的為選自苯甲醇、苯乙醇、二苯甲醇、鄰氨基苯甲醇、對氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、三甲基苯甲醇、鄰苯二甲醇、間苯二甲醇、對苯二甲醇、甲基苯乙醇、對氨基苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一種或多種，更佳的為選自苯甲醇、苯乙醇、鄰苯二甲醇和甲基苯乙醇中的一種或多種。所述的芳基醇的含量較佳的為質(zhì)量百分比1~50%，更佳的為質(zhì)量百分比5.0~30.0%。所述的芳基醇可以明顯增加氫氧化鉀在二甲基亞砜中的溶解度。本發(fā)明中，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑較佳的為選自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽中的一種或多種，更佳的為選自丙烯酸聚合物或其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其醇銨鹽中的一種或多種。所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的數(shù)均分子量較佳的為500~100000，更佳的為1000-50000。所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.01-5.0%,更佳的為質(zhì)量百分比0.05~2.5%。所述的聚丙烯酸類緩蝕劑對金屬如鋁的腐蝕表現(xiàn)出極強(qiáng)的抑制作用。特別是聚丙烯酸類緩蝕劑和芳基醇一起能夠在晶片圖形和基材表面形成一層保護(hù)膜，阻止鹵素原子、氫氧根離子等對晶片圖形和基材的攻擊，從而降低晶片圖形和基材的腐蝕。本發(fā)明中，所述的縮水劑(脫水劑)較佳的為選自N,N'-二環(huán)己基碳二亞胺、N,N'-二異丙基碳二亞胺、N，N'-羰基二咪唑、N，N'-羰基二四氫吡咯、N，N'-羰基二(l,2，4-三氮唑)、N,N'-二異丙基乙胺、N，N'-二琥珀酰亞胺基碳酸8酯、芴甲氧羰酰琥珀酰亞胺、1-羥基苯并三氮唑、l-羥基-7-偶氮苯并三氮唑、苯并三氮唑-N,N，N"，N'-四甲基脲、4，5-二氰基咪唑、N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二酰亞胺、3-羥基-l，2,3-苯并三嗪-4(3H)-酮、N-羥基琥珀酰亞胺和N-羥基^[代琥珀酰亞胺中的一種或多種，更佳的選自N,N'-二環(huán)己基碳二亞胺、N,N'-二異丙基碳二亞胺、N，N'-羰基二咪唑、N，N'-羰基二(l,2，4-三氮唑)、1-羥基苯并三氮唑和苯并三氮唑-N,N，N',N'-四甲基脲中的一種或多種。所述的縮水劑的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.01~20%，更佳的為質(zhì)量百分比0.1~10%。市場上所售的氫氧化鉀固體絕大部分是由氯化鉀水溶液通過隔膜法或電解法反應(yīng)后濃縮制成，因而含有較多的水分。有機(jī)溶劑和醇胺等原材料中均含有少量的水分。而在少量的水分存在下，含有氫氧化鉀的清洗劑將會造成半導(dǎo)體晶片圖案和基材產(chǎn)生不同程度的腐蝕。所述的縮水劑可以除去清洗劑中各組分原料所含有的水分和清洗光刻膠過程中產(chǎn)生的水分，從而進(jìn)一步降低清洗劑對晶片圖案和基材的腐蝕。本發(fā)明中，所述的光刻膠清洗劑還可進(jìn)一步包含選自極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑和除聚丙烯酸類緩蝕劑以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。所述的極性有機(jī)共溶劑含量較佳的為《50%，更佳的為5~30%;所述的表面活性劑含量較佳的為《5%，更佳的為0.05~3.0%;所述的其它緩蝕劑含量較佳的為《5.0%,更佳的為0.05-3.0%;上述百分比為質(zhì)量百分比，不包括0%。本發(fā)明中，所述的極性有機(jī)共溶劑較佳的為選自亞砜、砜、咪唑垸酮和烷基二醇單烷基醚中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的為選自二乙基亞砜和甲乙基亞砜中的一種或多種；所述的砜較佳的為選自甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種，更佳的為環(huán)丁砜；所述的咪唑垸酮較佳的為選自2-咪唑垸酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮和1,3-二乙基-2-咪唑垸酮中的一種或多種，更佳的為1,3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的烷基二醇單烷基醚較佳的為選自乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種，更佳的為二乙二醇單甲醚和二丙二醇單甲醚中的一種或多種。本發(fā)明中，所述的表面活性劑為本領(lǐng)域常用的表面活性劑，較佳的為選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯垸酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種，更佳的為選自聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種。所述的表面活性劑的數(shù)均分子量較佳的為500-20000，更佳的為1000-10000。本發(fā)明中，所述的除聚丙烯酸類緩蝕劑以外的其它緩蝕劑較佳的為選自胺類緩蝕劑和唑類緩蝕劑中的一種或多種。其中，所述的胺類緩蝕劑較佳的為選自二乙烯三胺、三乙烯四胺、五乙烯六胺、多乙烯多胺和氨基乙基哌嗪中的一種或多種，更佳的為選自多乙烯多胺和氨基乙基哌嗪中的一種或兩種；所述的唑類緩蝕劑較佳的為選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、二巰基噻二唑、3-氨基-l，2,4-三氮唑、4-氨基-l,2，4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-1,2,4-三氮唑、3，5-二氨基-1,2，4-三氮唑、4-氨基-5-巰基-l，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑和l-苯基-5-巰基四氮唑中的一種或多種，更佳的為選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、3-氨基-l,2，4-三氮唑、4-氨基-1,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-l,2,4-三氮唑和5-氨基-四氮唑中的一種或多種。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明中，所述的用于厚膜光刻膠的清洗劑由上面所述組分簡單混合即可制得。本發(fā)明中的光刻膠清洗劑，可以在較大的溫度范圍(4590'C之間)內(nèi)用于清洗除去半導(dǎo)體晶片上的厚膜光刻膠，特別是100pm以上厚度的光刻膠。清洗方法可參照如下步驟將含有光刻膠的半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中，在4590'C下利用恒溫振蕩器緩慢振蕩，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果如下(1)本發(fā)明的光刻膠清洗劑可以較為迅速地清洗金屬、金屬合金或電介質(zhì)等基材上的100Mm以上厚度的光刻膠(尤其是高交聯(lián)度的厚膜負(fù)性光刻膠)和其它刻蝕殘留物。(2)本發(fā)明的光刻膠清洗劑含有的芳基醇可以明顯增加氫氧化鉀在二甲基亞砜中的溶解度。(3)本發(fā)明的光刻膠清洗劑中含有的芳基醇、聚丙烯酸類緩蝕劑能夠在晶片圖案和基材表面形成一層保護(hù)膜，阻止鹵素原子、氫氧根離子等對晶片圖案和基材的攻擊，從而降低晶片圖案和基材的腐蝕，尤其是其含有的聚丙烯酸類緩蝕劑對金屬如鋁的腐蝕表現(xiàn)出極強(qiáng)的抑制作用。所以其對鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有極弱的腐蝕性。(4)本發(fā)明的光刻膠清洗劑中的縮水劑可以除去清洗劑中各組分原茅斗所含有的水分和清洗光刻膠過程中產(chǎn)生的水分，從而進(jìn)一步降低清洗劑對晶片圖案和基材的腐蝕。(5)本發(fā)明的光刻膠清洗劑可以在較大的溫度范圍內(nèi)(45~90°C)使用。(6)基于上述優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的光刻膠清洗劑在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。具體實(shí)施例方式下面用實(shí)施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受其限制。下述實(shí)施例中，百分比均為質(zhì)量百分比。實(shí)施例1~25表1給出了本發(fā)明的光刻膠清洗劑實(shí)施例1~25的配方，按表1中所列組分及其含量，簡單混合均勻，即制得各清洗劑。表l本發(fā)明的清洗劑實(shí)施例1~25<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>效果實(shí)施例表2給出了對比光刻膠清洗劑r5，和本發(fā)明的光刻膠清洗劑1~12的配方，按表2中所列組分及其含量，簡單混合均勻，即制得各清洗劑。表2.對比清洗劑l'5'和本發(fā)明清洗劑1~12的組分和含量<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>將表2中的對比清洗劑l'5'和本發(fā)明清洗劑1~12用于清洗空白Cu晶片，領(lǐng)!l定其對于金屬Cu的腐蝕情況。測試方法和條件將4X4cm空白Cu晶片浸入清洗劑，在4590'C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?，利用四極探針儀測定空白Cu晶片蝕刻前后表面電阻的變化計算得到。結(jié)果如表3所示。將表2中的對比清洗劑l'5'和本發(fā)明清洗劑112用于清洗空白Al晶片，領(lǐng)!l定其對于金屬Al的腐蝕情況。測試方法和條件將4X4cm空白Al晶片浸入清洗劑，在4590。C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?，利用四極探針儀測定空白Al晶片蝕刻前后表面電阻的變化計算得到。結(jié)果如表3所示。將表2中的對比清洗劑l'5，和本發(fā)明清洗劑112用于清洗空白的四乙氧基硅烷(TEOS)晶片，測定其對于非金屬TEOS的腐蝕情況。測試方法和條件將4X4cm空白TEOS晶片浸入清洗劑，在4590'C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩60分鐘,然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?。利用Nanospec6100測厚儀測定空白TEOS晶片清洗前后TEOS厚度的變化計算得到，結(jié)果如表3所示。本發(fā)明中，利用光刻膠清洗劑清洗半導(dǎo)體晶片上光刻膠的方法如下將含有負(fù)性丙烯酸酯類光刻膠(厚度約為120微米，且經(jīng)過曝光和刻蝕)的半導(dǎo)體晶片(含有圖案)浸入清洗劑中，在459(TC下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩15150分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?。光刻膠的清洗效果和清洗劑對晶片圖案的腐蝕情況如表3所示。表3.將對比清洗劑l'-5'和本發(fā)明清洗劑1~12對金屬Cu和Al以及非金屬TEOS的腐蝕性及其對厚膜光刻膠的清洗情況清洗劑清洗溫度(r)金屬Cu的蝕刻速率(A/min)金屬Al的蝕刻速率(A/min)非金屬加S的蝕刻速率(A/min)光刻膠清洗時間(min)光刻膠清洗結(jié)果晶片圖案的腐蝕情況r90△XO120X◎2，卯O〇◎120△X3，75XXO60〇〇4，70〇△O卯◎△5，70◎〇◎卯◎〇170◎◎◎卯◎◎280◎◎◎75◎◎360◎◎◎60◎◎465◎◎◎110◎575◎◎◎50◎◎6卯◎◎◎15◎◎785◎◎◎30◎850◎◎150◎◎955◎◎130◎1065◎◎◎75◎◎1150◎◎◎60◎◎1245◎◎◎45◎◎16腐蝕情況◎基本無腐蝕；清洗情況◎完全去除；O略有腐蝕；〇少量殘余；△中等腐蝕；△較多殘余；X嚴(yán)重腐蝕。X大量殘余。從表3可以看出，與對比清洗劑1，5'相比，本發(fā)明清洗劑112對厚膜光刻膠具有良好的清洗效果，使用溫度范圍廣，同時對金屬Cu和Al以及非金屬TEOS的腐蝕性低，對晶片圖案無損壞。1權(quán)利要求1、一種用于厚膜光刻膠的清洗劑，包含二甲基亞砜，氫氧化鉀，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸類緩蝕劑和縮水劑。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的二甲基亞砜的含量為質(zhì)量百分比1~97%。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗劑，其特征在于，所述的二甲基亞砜的含量為質(zhì)量百分比30~90%。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的氫氧化鉀的含量為質(zhì)量百分比0.1~5.0%。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗劑，其特征在于，所述的氫氧化鉀的含量為質(zhì)量百分比1.0~4.0%。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的醇胺為選自一乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的醇胺的含量為質(zhì)量百分比1~50%。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的清洗劑，其特征在于，所述的醇胺的含量為質(zhì)量百分比5.0~35%。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的芳基醇為選自苯甲醇、苯乙醇、二苯甲醇、鄰氨基苯甲醇、對氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、三甲基苯甲醇、鄰苯二甲醇、間苯二甲醇、對苯二甲醇、甲基苯乙醇、對氨基苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一種或多種。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的芳基醇的含量為質(zhì)量百分比1~50%。11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的清洗劑，其特征在于，所述的芳基醇的含量為質(zhì)量百分比5.030.0%。12、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑為選自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽中的一種或多種。13、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的數(shù)均分子量為500-100000。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的清洗劑，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的數(shù)均分子量為1000-50000。15、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0.015.0%。16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的清洗劑，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0.052.5wt%。17、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的縮水劑為選自N，:NT-二環(huán)己基碳二亞胺、N,N'-二異丙基碳二亞胺、N，N'-羰基二咪唑、N-N1-羰基二四氫吡咯、N,W-羰基二(l,2,4-三氮唑)、N,N'-二異丙基乙胺、N,W-二琥珀酰亞胺基碳酸酯、芴甲氧羰酰琥珀酰亞胺、1-羥基苯并三氮唑、1-羥基-7-偶氮苯并三氮唑、苯并三氮唑-N，N，N',N^四甲基脲、4，5-二氰基咪唑、N-羥基-5-降冰片烯-2，3-二酰亞胺、3-羥基-l，2，3-苯并三嗪-4(3H)-酮、N-羥基琥珀酰亞胺和N-羥基硫代琥珀酰亞胺中的一種或多種。18、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的縮水劑的含量為質(zhì)量百分比0.01~20%。19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的清洗劑，其特征在于，所述的縮水劑的含量為質(zhì)量百分比0.1~10%。20、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的光刻膠清洗劑還包含選自極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑和除聚丙烯酸類緩蝕劑以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。21、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的極性有機(jī)共、溶劑選自亞砜、砜、咪唑烷酮和烷基二醇單烷基醚中的一種或多種。22、根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于，所述的亞砜為選自二乙基亞砜和甲乙基亞砜中的一種或兩種；所述的砜為選自甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種；所述的咪唑垸酮為選自2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮和1,3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一種或多種；所述的垸基二醇單烷基醚為選自乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種。23、根據(jù)權(quán)利要求20所述的清洗劑，其特征在于，所述的極性有機(jī)共溶劑的含量為《50%，上述百分比為質(zhì)量百分比，不包括0%。24、根據(jù)權(quán)利要求23所述的清洗劑，其特征在于，所述的極性有機(jī)共溶劑的含量為質(zhì)量百分比5~30%。25、根據(jù)權(quán)利要求20所述的清洗劑，其特征在于，所述的表面活性劑為選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種。26、根據(jù)權(quán)利要求20所述的清洗劑，其特征在于，所述的表面活性劑的數(shù)均分子量為500~20000。27、根據(jù)權(quán)利要求26所述的清洗劑，其特征在于，所述的表面活性劑的數(shù)均分子量為1000~10000。28、根據(jù)權(quán)利要求20所述的清洗劑，其特征在于，所述的表面活性劑含量為《5%，上述百分比為質(zhì)量百分比，不包括0%。29、根據(jù)權(quán)利要求28所述的清洗劑，其特征在于，所述的表面活性劑含量為質(zhì)量百分比0.05~3.0%。30、根據(jù)權(quán)利要求20所述的清洗劑，其特征在于，所述的除聚丙烯酸類緩蝕劑以外的其它緩蝕劑為選自胺類緩蝕劑和唑類緩蝕劑中的一種或多種。31、根據(jù)權(quán)利要求30所述的清洗劑，其特征在于，所述的胺類緩蝕劑為選自二乙烯三胺、三乙烯四胺、五乙烯六胺、多乙烯多胺和氨基乙基哌嗪中的一種或多種；所述的唑類緩蝕劑為選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、二巰基噻二唑、3-氨基-l，2，4-三氮唑、4-氨基-l,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-l，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-5-巰基-l，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑和l-苯基-5-巰基四氮唑中的一種或多種。32、根據(jù)權(quán)利要求20所述的清洗劑，其特征在于，所述的其它緩蝕劑含量為《5%,上述百分比為質(zhì)量百分比，不包括0%。33、根據(jù)權(quán)利要求32所述的清洗劑，其特征在于，所述的其它緩蝕劑含量為質(zhì)量百分比0.05~3.0%。全文摘要本發(fā)明公開了一種用于厚膜光刻膠的清洗劑。該清洗劑包含二甲基亞砜，氫氧化鉀，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸類緩蝕劑和縮水劑。本發(fā)明的光刻膠清洗劑可以在較大的溫度范圍內(nèi)(45～90℃)使用，用于除去半導(dǎo)體制造工藝中金屬、金屬合金或電介質(zhì)等基材上的厚膜光刻膠(光阻)，特別是適合用于除去厚度在100μm以上的高交聯(lián)度的負(fù)性光刻膠。同時，該光刻膠清洗劑對鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有極弱的腐蝕性，不會對晶片圖案和基材造成損壞，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。文檔編號G03F7/42GK101685274SQ20081020057公開日2010年3月31日申請日期2008年9月26日優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日發(fā)明者史永濤,彭洪修,曹惠英申請人:安集微電子(上海)有限公司