專利名稱：用于制造集成電路掩模的工具和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造掩模的工具和方法，特別是涉及一種用于制 造集成電路掩模的工具和方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體技術(shù)中，光罩(掩模)是形成有預(yù)先設(shè)計的集成電路圖案。這些 掩模在微影制造工藝中，用來將預(yù)先設(shè)計的集成電路圖案轉(zhuǎn)換成多個半導(dǎo) 體晶圓。此形成在掩模上的預(yù)先設(shè)計的集成電路圖案為主要的圖案。光罩 上的任何缺陷都會被轉(zhuǎn)換至這些半導(dǎo)體晶圓上并造成產(chǎn)能的問題。因此，掩 模的制作整合了高精確度的制造工藝。為了確保每一個掩模是以高品質(zhì)制 造技術(shù)制作出來，進(jìn)行了更進(jìn)一步的檢查和接續(xù)的整修步驟。然而，掩模 上所形成的各種不同的圖案特征是為了不同的功能而設(shè)計?，F(xiàn)有對于掩模 的檢查和修整步驟過于緊湊，而且相對地導(dǎo)致低生產(chǎn)量和高制造成本。
由此可見，上述現(xiàn)有的用于制造集成電路掩模的工具和方法在產(chǎn)品結(jié) 構(gòu)、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改 進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但 長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切 的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因 此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的用于制造集成電路掩模的工具和方法，實(shí)屬當(dāng)前重
要研發(fā)"i果題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的用于制造集成電路掩模的工具和方法存在的缺陷，本 發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配 合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的用于制造集成電路 掩模的工具和方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的用于制造集成電路掩模的工具和 方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改 進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的制造集成電路掩模的方法存在的缺陷，而 提供一種新的制造集成電路掩模的方法，所要解決的技術(shù)問題是降低掩模 檢查和修整步驟的復(fù)雜度，以提高生產(chǎn)量并減少制造成本，非常適于實(shí)用。
本發(fā)明的另 一 目的在于，克服現(xiàn)有的制造集成電路掩模的工具存在的 缺陷，而提供一種新的制造集成電路掩模的工具，所要解決的技術(shù)問題是使提高掩模檢查的正確性和修整的成功率，以提高生產(chǎn)量并減少制造成本，從 而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的還一目的在于，克服現(xiàn)有的制造集成電路掩模的系統(tǒng)存在的 缺陷，而提供一種新的制造集成電路掩模的系統(tǒng)，所要解決的技術(shù)問題是 改善掩模的檢查和修整效率，以提高生產(chǎn)量并減少制造成本，從而更加適 于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種制造集成電路掩模的方法，其至少包含指派多個圖案 特征至多個不同的資料型態(tài)；寫入該多個圖案特征至一掩模；根據(jù)被指派 的該多個資料型態(tài)，利用多個不同的檢測靈敏度來檢測該多個圖案特征；以 及根據(jù)該檢查該多個圖案特征的步驟來修復(fù)該掩模上的該多個圖案特征。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的方法，其中所述的多個圖案特征至少包含 一第一圖案特征，與 一第一檢測靈敏度相關(guān)；以及一第二圖案特征，與低于該第一檢測靈敏度 的一第二檢測靈敏度相關(guān)。
前述的方法，其中所述的第一圖案特征至少包含一裝置特征。 前述的方法，其中所述的第二圖案特征至少包含從一光學(xué)近似修正特
征和一假性圖案所組成的一群組所選出的一元件。
前述的方法，其中所述的第一圖案特征是相關(guān)于至少一圖案層，該至
少一圖案層是預(yù)定形成于另一掩模上并轉(zhuǎn)移至位于一半導(dǎo)體基材上的一鄰近層。
前述的方法，其中所述的修復(fù)多個圖案特征的步驟至少包含利用一 第 一修復(fù)精確度來修復(fù)該第 一 圖案特征；以及利用低于該第 一修復(fù)精確度 的 一第二修復(fù)精確度來修復(fù)該第二圖案特征。
前述的方法，其中所述的修復(fù)多個圖案特征的步驟至少包含根據(jù)一相 關(guān)修復(fù)精確度，來利用一修復(fù)工具修復(fù)每一該多個圖案特征，該修復(fù)工具 是選自由電子束修復(fù)工具、原子力顯微鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光 束工具所組成的一群組。
前述的方法，其中所述的檢測該多個圖案特征的步驟至少包含使用一 虛擬影像測量系統(tǒng)。
前述的方法，其中所述的寫入該多個圖案特征的步驟至少包含根據(jù)相 關(guān)于該掩模的 一 負(fù)載因子劑量圖來利用 一劑量寫入每一該多個圖案特征。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用于下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種用于制造集成電路掩模的掩模制造工具，其至少包含一 靈敏度模塊，用于指派多個圖案的多個圖案特征至不同的資料型態(tài)，每一 該多個圖案特征是相關(guān)于多個靈敏度的其中之一；以及一檢測單元，用于根據(jù)相關(guān)的該多個靈敏度來修復(fù)該多個圖案特征；其中，每一該多個靈敏
度是被至少 一 閾值和像素來特性化。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的掩模制造工具，其中所述的多個圖案的至少一者為一光學(xué)近似
修正圖案。
前述的掩模制造工具，其中所述的靈敏度模塊可用于根據(jù)每一該多個 圖案特征的一關(guān)鍵效果來指派具有該多個靈敏度的其中之一的該圖案特 征。
前述的掩模制造工具，其中所述的靈敏度模塊是用于指派該多個圖案 特征至多個不同的資料層，每一該多個資料層是相關(guān)于該多個靈敏度的其 中之一。
前述的掩模制造工具，其更至少包含選自由電子束修復(fù)工具、原子力 顯微鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具所組成的一群組的一修復(fù)元 件。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用于下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種用于制造集成電路掩模的掩模制造系統(tǒng)，其至少包含:一 負(fù)載因子劑量模塊，用于根據(jù)一負(fù)載因子劑量圖，指派各種不同的多個劑 量至多個圖案特征； 一掩模資料模塊，用于根據(jù)被指派的該多個劑量，將 該多個圖案特征關(guān)聯(lián)至不同的多個資料型態(tài)；以及一掩模寫入單元，用于 根據(jù)該多個資料型態(tài)，寫入該多個圖案特征。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用于下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的掩模制造系統(tǒng)，其中所述的負(fù)載因子劑量模塊可操作來提供一 第一劑量圖和一第二劑量圖，該第一劑量圖可被該掩模寫入單元讀取，該 第二劑量圖可被工程人員讀取。
前述的掩模制造系統(tǒng)，其更包含一掩模檢測單元，設(shè)計來根據(jù)各種不 同的多個檢測靈敏度來檢測該多個圖案特征。
前述的掩模制造系統(tǒng)，其中所述的掩模資料模塊設(shè)計來再指派該多個 檢測靈敏度至一特定資料型態(tài)。
前述的掩模制造系統(tǒng)，其更包含一掩模修復(fù)單元，用于利用各種不同 的多個修復(fù)精確度來修復(fù)該多個圖案特征。
前述的掩模制造系統(tǒng)，其中所述的多個劑量是根據(jù)該多個圖案特征的 一布局近似因子來^f皮指派。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益 效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種制造掩模的方法。在一實(shí)施例中，此 方法包含寫入多個圖案特征于掩模上；檢測這些具有不同檢測靈敏度的圖 案特征；以及根據(jù)檢測這些圖案特征的步驟來修復(fù)這些掩模上的圖案特征。此方法可進(jìn)一 步包含指派不同的資料型態(tài)和資料層或其多樣化的組合(或一 起稱為資料型態(tài))至這些圖案特征，以表示出不同的檢測靈敏度。
在此方法中，此多個圖案特征可包含相關(guān)于第 一檢測靈敏度的第 一 圖 案特征及與低于第 一檢測靈敏度的第二檢測靈敏度相關(guān)的第二檢測特征。此 第 一圖案特征可包含裝置特征(集成電路特征)。此第二圖案特征可包含選 自由光學(xué)近似特征和假性圖案所組成的一群組的元件。第一圖案特征可包 含相關(guān)于預(yù)定形成于另一掩模上并轉(zhuǎn)移至一半導(dǎo)體基材上的鄰近層的至少 一圖案層。這些圖案特征的修復(fù)步驟可包含利用第一修復(fù)精確度來修復(fù)第
一圖案特征；以及利用低于第一修復(fù)精確度的第二修復(fù)精確度來修復(fù)第二
圖案特征。修復(fù)這些圖案特征的修復(fù)步驟可包含根據(jù)相關(guān)的修復(fù)精確度，來
運(yùn)用選自由電子束^^復(fù)工具、原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM) 微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具所組成的群組的修復(fù)工具。檢測這 些圖案特征的步驟可包含運(yùn)用虛擬影像測量系統(tǒng)。寫入這些圖案特征的步 驟可包含根據(jù)與掩模有關(guān)的負(fù)載因子劑量圖，來利用 一劑量來寫入每一特 征。
此外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了 一種掩模制造工具。在 一 實(shí)施 例中，檢測工具包^i殳計來指派圖案特征至不同資料型態(tài)的一靈敏度模塊，每 一圖案特征是有關(guān)于多個靈敏度的其中之一；以及設(shè)計來根據(jù)相關(guān)的靈敏 度來修復(fù)這些圖案特征的 一檢測單元。
在此掩模檢測工具中，每一靈敏度可藉由至少一閾值和像素來特征化。靈 敏度模塊可操作來根據(jù)圖案特征的效果關(guān)鍵性來指派具有這些靈敏度的其 中之一的圖案特征。修復(fù)單元可包含選自由電子束修復(fù)工具、原子力顯微 鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具所組成的群組的其中之一。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明另還提供了 一種掩模制造系統(tǒng)。在一 實(shí) 施例中，掩模制造系統(tǒng)包含設(shè)計來寫入圖案特征于掩模上的掩模寫入單元，以 及設(shè)計來才艮據(jù)負(fù)載因子劑量圖，指派具有特定劑量的圖案特征的其中之一的 負(fù)載因子劑量模塊。
本發(fā)明亦提供另一種掩模制造系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，掩模制造系統(tǒng)包 含設(shè)計來根據(jù)負(fù)載因子劑量圖，指派具有多樣化劑量的圖案特征的負(fù)載因 子劑量模塊；設(shè)計來根據(jù)指派的劑量，使圖案特征相關(guān)聯(lián)于不同資料型態(tài) 的 一掩模資料模塊；以及設(shè)計來根據(jù)相關(guān)的資料類型寫入圖案特征的掩模 寫入單元。
在不同的實(shí)施例中，本發(fā)明的掩模制造系統(tǒng)可進(jìn)一步包含設(shè)計來根 據(jù)多樣化的檢測靈敏度來進(jìn)行檢測的掩模檢測單元。此掩模制造系統(tǒng)可進(jìn) 一步包含設(shè)計來利用多樣化的修復(fù)精確度來修復(fù)圖案特征的掩模修復(fù)單 元。此特定劑量可更基于圖案特征的布局近似因子來被指派。此負(fù)載因子劑量模塊可操作來提供掩模寫入單元可讀取的第一劑量圖和工程人員可讀 取的第二劑量圖。
在不同的實(shí)施例中，根據(jù)不同的資料型態(tài)和/或不同的資料層(或一起 稱為不同的資料型態(tài))來指派多個圖案特征，以表示出不同的寫入劑量、不 同的檢測靈敏度、修復(fù)精確度或其組合。因此，掩模制造系統(tǒng)和方法可根 據(jù)指派的資料型態(tài)來進(jìn)行對應(yīng)至特定劑量的一寫入步驟、對應(yīng)至特定靈敏 度的一檢測步驟、和/或具有特定修復(fù)精確度的一檢測制造工藝。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明用于制造集成電路掩模的工具和方法至少
具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果
本發(fā)明的實(shí)施例對于不同的圖案特征(例如主要特征、輔助特征和假 性特征)使用不同的檢測標(biāo)準(zhǔn)和檢測及修復(fù)工具，如此可降低制造成本(檢 測成本和修復(fù)成本)及提高產(chǎn)出率。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種用于制造集成電鴻掩才莫的工具和方法。此 工具至少包含靈敏度模塊和檢測單元。靈敏度模塊是設(shè)計來指派圖案特征 至不同的資料型態(tài)，而檢測單元是設(shè)計來根據(jù)相關(guān)的靈敏度來修復(fù)圖案特 征，其中每一靈敏度是藉由至少一閾值和像素來決定。此方法包含指派 圖案特征至不同的資料型態(tài)；寫入圖案特征至掩模上；根據(jù)被指派的資料 型態(tài)來檢測具有不同靈敏度的圖案特征；以及根據(jù)檢測圖案特征的步驟來 修復(fù)掩模上的圖案特征。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價值，其不論在 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn) 生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的用于制造集成電路掩模的工具和方法 具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新 設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)"i兌明如下。


圖1是繪示根據(jù)一實(shí)施例的掩模制造方法的流程示意圖。 圖2A和圖2B是繪示根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例的方面所建構(gòu)的掩模的 俯視圖。
圖3A和圖3B是繪示根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例的方面所建構(gòu)的掩模圖 案的俯^L圖。
圖3C是繪示關(guān)鍵尺寸對劑量的例示關(guān)系圖。
圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方面所建構(gòu)的例示多靈敏度檢測步驟的方框示意圖。
圖5是繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方面所建構(gòu)的例示掩模圖案的俯視圖。
圖6A至圖6D是繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方面所建構(gòu)的例示掩模圖案的俯視圖。
圖7A至圖7B是繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方面所建構(gòu)的例示掩模圖案的俯視圖。
100:光罩制造方法112:步驟
114:步驟116:步驟
200:掩模210:透明基材
212: 電路特征214:離散條狀物
216:特征220掩模圖案
222電if各特征224電路特征
226電路特征228假性特征
230掩模232區(qū)域
234區(qū)域240掩模
242區(qū)域244劑量圖
250靈敏度檢測模塊252靈敏度群組
254靈敏度群組256靈敏度群組
258靈敏度群組2 6 2'修復(fù)規(guī)則
264修復(fù)規(guī)則266修復(fù)規(guī)則
268修復(fù)規(guī)則270圖案
272特征274特征
276重疊區(qū)域280掩模圖案
282.接觸特征284.離散條狀物
2 84:離散條狀物2 9 0:結(jié)構(gòu)
2 92:多晶硅特征2 9 4:主動區(qū)域特征
298:假性特征
具體實(shí)施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的用于制造集成電路掩模的工具和方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳
細(xì)i兌明如后。
可理解的是，以下的揭露提供許多實(shí)施例和例示，是實(shí)施本發(fā)明的不同特征。以下所述的構(gòu)件與排列的例示是用于筒化本發(fā)明。當(dāng)然，這些例示僅為舉例說明，并不用于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可能會在各種例子中重復(fù)使用參考數(shù)字和/或字母符號，此重復(fù)使用是為了簡要清楚說明的目的，其本身并不指定所討論的各種實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)間的關(guān)系。
圖1為一實(shí)施例中掩模(Mask, Photomask or Reticle)制造方法100的流程示意圖。圖1至圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的方面所制造的掩模，而方法100是以圖1至圖7中所附加的標(biāo)號來做說明如下。
方法IOO是由步驟112開始，在掩模上寫上多個圖案特征，如同圖2A所繪示。在一實(shí)施例中，掩才莫200包含透明基材210。透明基材210可包含熔融氧化硅(Fused Silica, Si02)、氟化鈣(CaF2)和/或其他合適的材料。在本實(shí)施例中，掩?；陌廴谑?。電路圖案被寫入透明基材。掩模圖案包含如圖2A和圖2B所繪示的多個圖案特征。掩模圖案包含預(yù)定形成于基材上的電路圖案的幾何圖樣，此基材例如為半導(dǎo)體晶圓。在一實(shí)施例中，掩模包含如圖2A所繪示的集成電路特征212。
掩模圖案包含多樣化的輔助特征，以在轉(zhuǎn)換集成電路圖案至基材的微影制造工藝中，強(qiáng)化成像的品質(zhì)和/或解析度，此基材是例如半導(dǎo)體晶圓。舉例而言，多個特征被并入掩模中，且設(shè)置于集成電路特征附近，以利用光學(xué)鄰近修補(bǔ)技術(shù)(Optical Proximity Correction, 0PC)來補(bǔ)償光學(xué)鄰近錯誤。這些特征亦指0PC特征。
在一實(shí)施例中，0PC特征包含如圖2A所繪示的離散條狀物214。離散條狀物為已證實(shí)有效的0PC技術(shù)，此0PC技術(shù)是用于加強(qiáng)現(xiàn)有或未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓成像的效果。離散條狀物可為次解析度(Sub-Resolution)特征，并放置于鄰接隔離和半隔離線的掩模上，以使其成像為致密線(Dense L1 ine)。
在另一實(shí)施例中，0PC特征包含其他輔助特征，例如截線(Serif)和錘頭(Hammerhead),以啦文為如圖2A所繪示的特征216的線端處理。兩個有關(guān)的光學(xué)鄰近效應(yīng)為線端縮短和角落變圓，線的末端易從設(shè)計指定之處縮短，而掩模上的方形角落會在晶圓上成像為圓形角落。如截線型態(tài)和錘頭型態(tài)的線端處理，是在晶圓上延伸出線的末端，以使最后成像的線具有所需的長
度和銳利的角落。 ，—、，，，、，、、，、；，
于光學(xué)鄰近效應(yīng)，等寬度的線是以不同的間距來不同地成像，而隔離線是與致密線則不相同地成影。線偏差(Line Biasing)可調(diào)整掩模的線的寬度，以補(bǔ)償這個跨過間距的線寬變化。在另一個實(shí)施例中，0PC或其他掩模特征可被并入掩模圖案(掩模布局)，以補(bǔ)償所有的圖案負(fù)載效應(yīng)。
在另 一個實(shí)施例中，掩模圖案可包含并入至集成電路特征的假性特征。例如圖2B是表示一個具有多樣化的集成電路特征222、 224和226的示范掩模圖案220的俯視圖。掩模圖案220也包含有設(shè)置于鄰近集成電路特征的多個假性特征228。在一實(shí)施例中，假性特征被用來強(qiáng)化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)制造工藝。在一范例中，為此目的，假性金屬特征被設(shè)計并整合入鑲嵌結(jié)構(gòu)(Damascene Structure)中，以使圖案密度更為一致，來改進(jìn)平面化制造工藝。在其他的實(shí)施例中，假性特征被用來改進(jìn)圖案密度，降低平坦外觀的偏差(例如"碟狀化")，和/或減少蝕刻負(fù)載效應(yīng)。
掩模圖案可被形成于吸收層上，此吸收層是涂布于掩?；?10上。在各種不同的實(shí)施例中，吸收層可包含鉻、硅化鉬、和/或其他適合的材料。吸收層涂布在掩?；纳希又粓D案化來形成掩模圖案。
在另一實(shí)施例中，掩模圖案可至少部分地包含相移特征，相移特征是指如相移掩模(Phase Shift Mask, PSM)。掩?？尚纬捎谝粋€或多個涂布在掩?；?10的相移材料層上。例如相移材料層亦可為吸收層，而相移材料層包含硅化鉬。在另一實(shí)施例中，相移材料層可為涂布在掩?；牡耐该鞑牧希嘁撇牧蠈影趸?。在另一實(shí)施例中，相移材料層包含部分的透明掩?；?。例如相移掩模的掩模圖案被形成于透明熔融石英基材。
用于將掩模圖案寫入掩模的方法可包含光阻圖案化和蝕刻制造工藝。當(dāng)被涂布的光阻層根據(jù)設(shè)計的掩模圖案被圖案化后，實(shí)施蝕刻制造工藝來部分地移除下方層，以將光阻圖案轉(zhuǎn)換至下方層。此下方層包含一被涂布的吸收層、被涂布的相位移層和/或透明基材。在圖案化制造工藝中，使用掩模寫入技術(shù)，例如電子束寫入，來將設(shè)計的掩模圖案寫入吸收層。其他的寫入方法，例如離子束寫入，可選擇性地使用來形成掩模圖案。在蝕刻制造工藝中，蝕刻率和蝕刻動作可依照整體的蝕刻圖案密度來決定，此是指整體的蝕刻負(fù)載效應(yīng)。此圖案密度可定義為相關(guān)圖案特征區(qū)域。整體蝕刻負(fù)載效會造成圖案尺寸(或關(guān)鍵尺寸(Critical Dimensions, CD))變異。舉例來說明此現(xiàn)象，若于蝕刻制造工藝后圖案密度為30%的一圖案特征以100nm的寬度為標(biāo)的，則圖案密度為20°/。的同一圖案或許可達(dá)到95nm的寬度，而圖案密度為40%的同一圖案或許可達(dá)到105nm的寬度。與理想尺寸變異有關(guān)的尺寸變異可被稱為整體蝕刻偏差(或整體負(fù)載偏差)。 一般而言，除了整體蝕刻偏差外，整體圖案負(fù)載效應(yīng)也可包含其他的效應(yīng)，例如鄰近效應(yīng)(Proximate Effect)和在電子束寫入過程中的霧化效應(yīng)(FoggingEffect)。雖然本發(fā)明的大部分實(shí)施例是有關(guān)于蝕刻制造工藝，但其他的制造工藝，如電子束寫入和相關(guān)的整體效應(yīng)，亦可被包含并考慮于方法100中，而不與本發(fā)明的精神悖離。為了簡化起見，蝕刻制造工藝是在此描述并繪示。蝕刻制造工藝也可包含與局部圖案密度有關(guān)的微負(fù)栽效應(yīng)(Micro-Loading Effeet)。在將掩模圖案寫入掩模200的步驟112期間，劑量圖(Dose Map)被建構(gòu)來調(diào)整局部寫入劑量(能量)，以補(bǔ)償多樣化的負(fù)載效應(yīng)和/或其他位置相關(guān)的變異。在一范例中，縮短或延長電子束輻射于一點(diǎn)的持續(xù)時間來改變劑量。在另一實(shí)施例中，調(diào)整投射至一點(diǎn)的電子束密度的高低來變化劑量。參照圖3A,掩模230包含兩個整體密度(GlobalDensities)不同的區(qū)域232和234。例如第一區(qū)域232具有大約20%的整體圖案密度(Global Pattern Density),而第二區(qū)域234具有大約80°/。的整體圖案密度。通過如圖3C所繪示的示范性關(guān)鍵尺寸對劑量的實(shí)驗圖示，可藉由實(shí)驗來找出對應(yīng)多樣化的劑量的關(guān)鍵尺寸。各種不同的整體區(qū)域所對應(yīng)的劑量，可藉由使用關(guān)鍵尺寸對劑量的圖示來決定。例如第一區(qū)域232所對應(yīng)的劑量可根據(jù)第一區(qū)域232的整體圖案密度和相關(guān)的整體負(fù)載偏差(Global Loading Bias),從關(guān)鍵尺寸對劑量的實(shí)驗圖示來解析得到。負(fù)載偏差可由實(shí)驗獲得。因此，獲得的劑量被分配至第一區(qū)域232。類似地，第二區(qū)域234所對應(yīng)的劑量也可根據(jù)第二區(qū)域232整體圖案密度和相關(guān)的整體負(fù)載偏差，從關(guān)鍵尺寸對劑量的實(shí)驗圖示來解析得到。此劑量被指派至第二區(qū)域234。因此，對應(yīng)至各種不同區(qū)域的一組整體劑量可被決定，并稱為劑量圖。整體區(qū)域的尺寸可被選擇。整體劑量圖可伴隨位置相關(guān)劑量來實(shí)施掩模寫入制造工藝，以補(bǔ)償整體負(fù)載效應(yīng)。
參照圖3B,也可相似地使用局部的劑量圖。掩模240被分割為多個區(qū)域242,每一區(qū)域具有其局部圖案密度。對應(yīng)至各種不同區(qū)域的劑量可使用關(guān)鍵尺寸對劑量的圖式，例如劑量圖244來找出。舉例而言， 一特定區(qū)域的劑量可根據(jù)相關(guān)的負(fù)載偏差和在此特定區(qū)域相關(guān)的圖案密度，來從關(guān)鍵尺寸對劑量的圖式中解析得到。如此，獲得的劑量被指派至此特定區(qū)域。重復(fù)此程序，直到所有的區(qū)域都被指派到。如此，可決定對應(yīng)至多個區(qū)域242的一組劑量，并將其當(dāng)成局部劑量圖。局部區(qū)域的尺寸可被適當(dāng)?shù)剡x擇。此劑量圖被用來實(shí)施掩模寫入制造工藝，以利用對應(yīng)至每一 區(qū)域的局部化的劑量來補(bǔ)償局部負(fù)載效應(yīng)。在一實(shí)施例中，局部劑量圖和整體劑量圖可以結(jié)合為 一劑量圖來降低整體和局部負(fù)載效應(yīng)。
掩模寫入制造工藝所應(yīng)用的掩模制作(或掩模寫入)工具，例如電子束
寫入工具，被設(shè)計包含有劑量圖模塊且使一劑量圖運(yùn)用于掩模寫入制造工藝。例如寫入工具被設(shè)計基于圖案、負(fù)載偏差和關(guān)鍵尺寸變異，來決定掩模圖案對應(yīng)的劑量圖。更深入地說明本范例，劑量圖被儲存于寫入工具
的資料庫中，且在寫入制造工藝中用于根據(jù)不同區(qū)域來改變劑量，以形成掩模上的掩模圖案。這些區(qū)域可根據(jù)每一區(qū)域的關(guān)鍵性來分割成不同的尺寸。
參照圖1、圖2、圖4至圖6,方法100進(jìn)行至步驟112，方法100藉由檢測多個形成于掩模上的掩模特征進(jìn)行至步驟114。掩模檢測制造工藝是以找出掩模缺陷為目標(biāo)，以修復(fù)掩模及加強(qiáng)掩模生產(chǎn)和制造。在此步驟的
檢測過程是利用不同的檢測標(biāo)準(zhǔn)。如前述的圖2A和圖2B所述，掩模圖案
包含不同的特征包含集成電路特征(主要特征)、輔助特征和假性特征。因
為掩模有不同的關(guān)鍵性，因此每一特征具有自己的靈敏度。例如主要特征對關(guān)鍵尺寸變異較為靈敏，且需以嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)來檢測。在另一例子中，輔助圖案可比主要特征不靈敏，且需以寬松的標(biāo)準(zhǔn)來檢測。在另一例子中，假性圖案可比主要特征更不靈敏，且需以更寬松的標(biāo)準(zhǔn)來檢測?，F(xiàn)有的檢測程序是使用一標(biāo)準(zhǔn)來檢測所有的掩模特征，導(dǎo)致不正確的失敗、高制造成本(高檢測成本和高修復(fù)成本)及低產(chǎn)出率。
在一實(shí)施例中，多樣化的靈敏度檢測程序包含建立像素尺寸(區(qū)域的尺寸)和閾值(檢測通過/失敗的標(biāo)準(zhǔn))。小的像素尺寸可導(dǎo)致高檢測成本。大的像素區(qū)域可導(dǎo)致較差的檢測效果。適當(dāng)?shù)南袼爻叽缈苫谏鲜鰞蓚€因子和/或其他相關(guān)的因子來選擇。每一個像素可基于每一特定區(qū)域的靈敏度(或關(guān)鍵性)和區(qū)域的特征來具有不同的尺寸和/或形狀。每個區(qū)域(像素)的閾值可依照區(qū)域的區(qū)域關(guān)鍵性和圖案的特征來不同地選擇，更嚴(yán)格地或是更松散地選擇。
靈敏度不僅是與特征的型態(tài)有關(guān)，更與裝置的效能有關(guān)。更進(jìn)一步而言，靈敏度是有關(guān)于當(dāng)掩模圖案被轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體晶圓時，在一近似層(Approximate Layer)的同一區(qū)i或的特4正和其^也特;f正的關(guān)系和此關(guān)系的關(guān)4建性。例如圖5繪示了形成于不同掩模且即將被轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體晶圓的同區(qū)域但不同層的圖案270。圖案270包含特征272和另一特征274。掩模圖案270亦包含重疊區(qū)域276。在用于說明的一例子中，圖案特征272為即將形成于多晶硅層的特征。圖案特征274定義了一個半導(dǎo)體晶圓中的主動區(qū)域。在掩模檢測制造工藝中，重疊區(qū)域276較為靈敏且需要更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。此例子的更進(jìn)一步而言，區(qū)域272、 274和276可具有不同的靈敏度，因此被指派不同的閾值。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的方面的示范性實(shí)施例所建構(gòu)的多樣化的靈敏度檢測模塊250的方框示意圖。掩模圖案中的多個圖案特征可被分類為各種不同的靈敏度群組252、 254、 256和258等。每一靈敏度群組具有自己的像素尺寸和檢測闊值。例如靈敏度群組252具有其像素和閾值，分別定義為像素A和閾值A(chǔ)。靈敏度群組254具有其像素和閾值，分別定義為像素B和閾值B。靈敏度群組254具有其像素和閾值，分別定義為像素C和閾值C等。
參照圖6A至圖6D。圖6A至圖6D為一實(shí)施例的示范性掩模圖案的俯視圖。為了說明，具有不同靈敏度的圖案的分類是描述于此。圖6A的掩模圖案280包含接觸特征282和位置接近于接觸特征的多樣化的離散條狀物284和286。在現(xiàn)有的檢測程序中，所有的圖案特征皆具有不變的一閾值。根據(jù)
本發(fā)明，每一特征可被分類至一不同的靈敏度群組且被指派有不同的閾值。在
一實(shí)施例中，靈敏度(和/或閾值)可為繪圖設(shè)計系統(tǒng)(Graphic DesignSystem, GDS)文件的資料型態(tài)和/或資料層。GDS為掩模電路布局的二進(jìn)制格式。GDS格式包含資料層和資料型態(tài)(不管何時，為了簡化，資料層和資料型態(tài)可一起稱為資料型態(tài)。例如GDS格式中的接觸特征可包含資料層標(biāo)示為31和資料型態(tài)O(GDS: 31， 0)。因為每一資料型態(tài)和資料層具有不同的值，因此它們可被用來表示圖案特征的閾值。更深入地來說明本例，接觸特征282被分類為第一敏感度群組，如圖6B所示且以資料型態(tài)0來表示。離散條狀物284被分類為第二敏感度群組，如圖6C所示且被表示為資料型態(tài)1。離散條狀物286被分類為第三敏感度群組，如圖6D所示且被表示為資料型態(tài)2。更深入地來說明本例，若靈敏度是以1至IOO且最高靈敏度為IOO來量測。在一例子中，接觸特征282可以靈敏度1來指派。離散條狀物284可以靈敏度90來指派。離散條狀物286可以靈敏度80來指派。
圖7A是繪示具有形成于不同掩模上的多晶硅特征292和主動區(qū)域特征294的結(jié)構(gòu)290。當(dāng)多晶珪特征292具有資料層17和資料型態(tài)0(GDS: 17,0)，而主動區(qū)域特征具有資料層6和資料型態(tài)O(GDS: 6， 0)。多晶硅特征292和主動區(qū)域特征294之間的重疊區(qū)域具有不同的靈敏度，此靈敏度可通過運(yùn)用"與，，邏輯關(guān)系于"(6, 0)與(17, 0)"的運(yùn)作來決定，GDS的結(jié)果為(50,1)。不與主動區(qū)域重疊的多晶硅特征的靈敏度可通過"非"邏輯關(guān)系于"(17,0)非(6,0)"的運(yùn)作來決定，GDS的結(jié)果為(50，2)。因此，多晶硅區(qū)域的重疊區(qū)域具有與非重疊區(qū)域不同的靈敏度。圖7B是繪示多個假性特征298。假性特征298的GDS資料(50， 0)。
用來檢測寫入于掩模的掩模圖案的檢測工具包含特化的靈敏度模塊，以致能光罩圖案的多樣化的靈敏度檢測。與檢測工具整合的特化的靈敏度模塊致能了閾值和/或像素的建置和檢測，且致能了可決定每一圖案特征自身的靈敏度的兩個或多個層檢測程序，可視為多樣化的層。在一實(shí)施例中，掩模檢測程序包含虛擬影像觀'J量系統(tǒng)(Aerial Image MeasurementSystem, AIMS)的利用。
參照圖1,此方法進(jìn)行至步驟116，以修復(fù)掩模檢測步驟所辨識出的掩模缺陷。掩模修復(fù)制造工藝根據(jù)多樣化的圖案特征的特有的靈敏度，來對圖案特征使用不同的精確度。多樣化的修復(fù)工具根據(jù)不同圖案特征的靈敏度來修復(fù)它們的特征。在一實(shí)施例中，不同的像素可請求不同的修復(fù)工具。越低靈敏度的特征可使用精確度越低的修復(fù)工具。
參照圖4,靈敏度群組252利用修復(fù)規(guī)則262和相關(guān)的修復(fù)工具來修復(fù)，以及利用虛擬影像測量系統(tǒng)來確認(rèn)/檢查/檢測影像。靈敏度群組254是運(yùn)用修復(fù)規(guī)則264…等等。類似地，靈敏度群組256利用修復(fù)規(guī)則266和相關(guān)的修復(fù)工具來修復(fù)；靈敏度群組258利用修復(fù)規(guī)則268和相關(guān)的修復(fù)工具來修復(fù)。在一實(shí)施例中，多樣化的修復(fù)工具包含電子束修復(fù)工具、原子力顯微鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具，每一個都具有不同的精確度。例如:靈敏度群組252的圖案特征可利用電子束修復(fù)工具來修復(fù)掩模。靈敏度群組254的掩模特征可利用原子力顯微鏡微機(jī)械來修復(fù)掩模。靈敏度群組256的掩模特征可利用聚焦離子束工具來修復(fù)掩模。靈敏度群組258的掩模特征可利用電子束修復(fù)工具來修復(fù)掩模。
因此，本發(fā)明提供一種制造掩模的方法。在一實(shí)施例中，此方法包含寫入多個圖案特征于掩模上；檢測這些具有不同檢測靈敏度的圖案特征；以及根據(jù)檢測這些圖案特征的步驟來修復(fù)這些掩模上的圖案特征。此方法可進(jìn)一步包含指派不同的資料型態(tài)和資料層或其多樣化的組合(或一起稱為資料型態(tài))至這些圖案特征，以表示出不同的檢測靈敏度。
在此方法中，此多個圖案特征可包含相關(guān)于第 一檢測靈敏度的 一 第一圖案特征及與低于第 一檢測靈敏度的一第二檢測靈敏度相關(guān)的一第二檢測特征。此第一圖案特征可包含裝置特征(集成電路特征)。此第二圖案特征可包含選自由光學(xué)近似特征和假性圖案所組成的一群組的元件。第一圖案特征可包含相關(guān)于預(yù)定形成于另一掩模上并轉(zhuǎn)移至一半導(dǎo)體基材上的鄰近層的至少一圖案層。這些圖案特征的修復(fù)步驟可包含利用一第一修復(fù)精確度來修復(fù)第一圖案特征；以及利用低于第 一修復(fù)精確度的一第二修復(fù)精確度來修復(fù)第二圖案特征。修復(fù)這些圖案特征的修復(fù)步驟可包含根據(jù)相關(guān)的修復(fù)精確度，來運(yùn)用選自由電子束修復(fù)工具、原子力顯微鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具所組成的群組的一修復(fù)工具。檢測這些圖案特征的步驟可包含運(yùn)用虛擬影像測量系統(tǒng)。寫入這些圖案特征的步驟可包含根據(jù)與掩模有關(guān)的負(fù)載因子劑量圖，來利用 一劑量寫入每一這些特征。
本發(fā)明亦提供一掩模制造工具。在一實(shí)施例中，檢測工具包含設(shè)計來指派圖案特征至不同資料型態(tài)的 一靈敏度模塊，每一 圖案特征是有關(guān)于多個靈敏度的其中之一；以及設(shè)計來根據(jù)相關(guān)的靈敏度修復(fù)這些圖案特征的一檢測單元。
在此掩模;險測工具中，每一靈敏度可藉由至少一閾值和像素來特征化。靈敏度模塊可操作來根據(jù)圖案特征的效果關(guān)鍵性來指派具有這些靈敏度的其中之一的圖案特征。修復(fù)單元可包含選自由電子束修復(fù)工具、原子力顯微鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具所組成的群組的一者。
本發(fā)明亦提供一種掩模制造系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，掩模制造系統(tǒng)包含設(shè)計來寫入圖案特征于 一掩模上的 一掩模寫入單元，以及設(shè)計來根據(jù)一 負(fù)載因子劑量圖，指派具有特定劑量的圖案特征的其中之一的一負(fù)載因子劑量模塊。
本發(fā)明亦提供另一種掩模制造系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，掩模制造系統(tǒng)包 含設(shè)計來根據(jù)一 負(fù)載因子劑量圖，指派具有多樣化劑量的圖案特征的 一 負(fù) 載因子劑量模塊；設(shè)計來根據(jù)指派的劑量，使圖案特征相關(guān)聯(lián)于不同資料
型態(tài)的一掩模資料模塊；以及設(shè)計來根據(jù)相關(guān)的資料類型寫入圖案特征的
一掩模寫入單元。
在不同的實(shí)施例中，揭露的掩模制造系統(tǒng)可進(jìn)一步包含設(shè)計來根據(jù) 多樣化的檢測靈敏度來進(jìn)行檢測的 一掩模檢測單元。此掩模制造系統(tǒng)可進(jìn) 一步包含設(shè)計來利用多樣化的修復(fù)精確度來修復(fù)圖案特征的 一掩模修復(fù)單 元。此特定劑量可更基于圖案特征的布局近似因子來被指派。此負(fù)載因子 劑量模塊可操作來提供掩模寫入單元可讀取的第一劑量圖和工程人員可讀 取的第二劑量圖。
在不同的實(shí)施例中，根據(jù)不同的資料型態(tài)和/或不同的資料層(或一起 稱為不同的資料型態(tài))來指派多個圖案特征，以表示出不同的寫入劑量、不 同的檢測靈敏度、修復(fù)精確度或其組合。因此，掩模制造系統(tǒng)和方法可根 據(jù)指派的資料型態(tài)來進(jìn)行對應(yīng)至特定劑量的一寫入步驟、對應(yīng)至特定靈敏 度的一檢測步驟、和/或具有特定修復(fù)精確度的一檢測制造工藝。
本發(fā)明的實(shí)施例對于不同的圖案特征(例如主要特征、輔助特征和假 性特征)使用不同的檢測標(biāo)準(zhǔn)和檢測及修復(fù)工具，如此可降低制造成本(檢 測成本和修復(fù)成本)及提高產(chǎn)出率。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用于限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實(shí) 施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以 上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方 案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種制造集成電路掩模的方法，其特征在于其至少包含指派多個圖案特征至多個不同的資料型態(tài)；寫入該多個圖案特征至一掩模；根據(jù)被指派的該多個資料型態(tài)，利用多個不同的檢測靈敏度來檢測該多個圖案特征；以及根據(jù)該檢查該多個圖案特征的步驟來修復(fù)該掩模上的該多個圖案特征。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的多個圖案特征 至少包含一第一圖案特征，與一第一檢測靈敏度相關(guān)；以及一第二圖案特征，與低于該第 一檢測靈敏度的 一第二檢測靈敏度相關(guān)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的第一圖案特征 至少包含一裝置特征。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的第二圖案特征 至少包含從一光學(xué)近似修正特征和一假性圖案所組成的一群組所選出的一 元件。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的第一圖案特征 是相關(guān)于至少一圖案層，該至少一圖案層是預(yù)定形成于另一掩模上并轉(zhuǎn)移 至位于一半導(dǎo)體基材上的一鄰近層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的修復(fù)多個圖案 特征的步驟至少包含利用一第一修復(fù)精確度來修復(fù)該第一圖案特征；以及 利用低于該第一修復(fù)精確度的一第二修復(fù)精確度來修復(fù)該第二圖案特征。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于其中所述的修復(fù)多個圖案 特征的步驟至少包含根據(jù)一相關(guān)修復(fù)精確度，來利用 一修復(fù)工具修復(fù)每一 該多個圖案特征，該修復(fù)工具是選自由電子束修復(fù)工具、原子力顯微鏡微 機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束工具所組成的一群組。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的檢測該多個圖 案特征的步驟至少包含使用 一虛擬影像測量系統(tǒng)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的寫入該多個圖 案特征的步驟至少包含根據(jù)相關(guān)于該掩模的一 負(fù)載因子劑量圖來利用 一劑 量寫入每一該多個圖案特征。
10、 一種用于制造集成電路掩模的掩模制造工具，其特征在于其至少包含一靈敏度模塊，用于指派多個圖案的多個圖案特征至不同的資料型態(tài),每 一該多個圖案特征是相關(guān)于多個靈敏度的其中之一；以及一檢測單元，用于根據(jù)相關(guān)的該多個靈敏度來修復(fù)該多個圖案特征； 其中，每一該多個靈敏度是被至少 一 閾值和像素來特性化。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的掩模制造工具，其特征在于其中所述的多 個圖案的至少一者為一光學(xué)近似修正圖案。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的掩模制造工具，其特征在于其中所述的靈 敏度模塊可用于根據(jù)每一該多個圖案特征的一關(guān)鍵效果來指派具有該多個 靈敏度的其中之一的該圖案特征。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模制造工具，其特征在于其中所述的靈 敏度模塊是用于指派該多個圖案特征至多個不同的資料層，每一該多個資 料層是相關(guān)于該多個靈敏度的其中之一。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的掩模制造工具，其特征在于其更至少包含 選自由電子束修復(fù)工具、原子力顯微鏡微機(jī)械、聚焦離子束工具和激光束 工具所組成的 一群組的 一修復(fù)元件。
15、 一種用于制造集成電路掩模的掩模制造系統(tǒng)，其特征在于其至少 包含一負(fù)載因子劑量模塊，用于根據(jù)一負(fù)載因子劑量圖，指派各種不同的 多個劑量至多個圖案特征；一掩模資料模塊，用于根據(jù)被指派的該多個劑量，將該多個圖案特征 關(guān)聯(lián)至不同的多個資料型態(tài)；以及一掩模寫入單元，用于根據(jù)該多個資料型態(tài)，寫入該多個圖案特征。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的掩模制造系統(tǒng)，其特征在于其中所述的負(fù) 載因子劑量模塊可操作來提供一第一劑量圖和一第二劑量圖，該第 一劑量 圖可被該掩模寫入單元讀取，該第二劑量圖可被工程人員讀取。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的掩模制造系統(tǒng)，其特征在于其更包含一掩 模檢測單元，設(shè)計來根據(jù)各種不同的多個檢測靈敏度來檢測該多個圖案特征o
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的掩模制造系統(tǒng)，其特征在于其中所述的掩模資料模塊設(shè)計來再指派該多個檢測靈敏度至一特定資料型態(tài)。
19、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的掩模制造系統(tǒng)，其特征在于其更包含一掩 模修復(fù)單元，用于利用各種不同的多個修復(fù)精確度來修復(fù)該多個圖案特征。
20、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的掩模制造系統(tǒng)，其特征在于其中所述的多 個劑量是根據(jù)該多個圖案特征的 一布局近似因子來被指派。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種用于制造集成電路掩模的工具和方法。此工具至少包含靈敏度模塊和檢測單元。靈敏度模塊是設(shè)計來指派圖案特征至不同的資料型態(tài)，而檢測單元是設(shè)計來根據(jù)相關(guān)的靈敏度來修復(fù)圖案特征，其中每一靈敏度是藉由至少一閾值和像素來決定。此方法包含指派圖案特征至不同的資料型態(tài)；寫入圖案特征至掩模上；根據(jù)被指派的資料型態(tài)來檢測具有不同靈敏度的圖案特征；以及根據(jù)檢測圖案特征的步驟來修復(fù)掩模上的圖案特征。本發(fā)明的實(shí)施例對于不同的圖案特征(例如主要特征、輔助特征和假性特征)使用不同的檢測標(biāo)準(zhǔn)和檢測及修復(fù)工具，如此可降低制造成本(檢測成本和修復(fù)成本)及提高產(chǎn)出率。
文檔編號G03F1/14GK101533215SQ20081021155
公開日2009年9月16日 申請日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月13日
發(fā)明者涂志強(qiáng), 黃健朝 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司