專利名稱：集成的曝光后烘烤軌道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體制紅藝。更具體地，本發(fā)明涉及光亥幅片系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，在凈化室環(huán)境中使用具有多個(gè)加工步驟的處理方案，在半 導(dǎo)術(shù)寸底上制徵寺征。在半導(dǎo)術(shù)寸底制造中通常4頓集群系統(tǒng)，該集群系統(tǒng)整合 多個(gè)工藝室，以在不將襯底移出高度控制處理環(huán)境的情況下進(jìn)行連續(xù)的處理步 驟。
在半導(dǎo)條成電路制造中4頓的許多光刻集群系統(tǒng)，當(dāng)前結(jié)合有集成晶片軌 道和光刻系統(tǒng)。晶片光刻集群之內(nèi)的各種?！?^刊寺定功能，戶，功能包 恭合下
面的半導(dǎo)體晶片襯底涂覆稱為光繊蝕劑或抗蝕劑的感光'M。在當(dāng)^rfii^系統(tǒng) 中，典型地，光刻工具直接連接到顧及輸入工藝(例如，應(yīng)用抗蝕劑)也顧及輸 出工藝(例如，曝光后烘烤A/賴時(shí)口顯影)的軌道。
電子器件的制造商往往花費(fèi)大量的時(shí)間試圖優(yōu)化工藝序列以及室處理時(shí)間， 以在可能的給定集群工具體系限制和室處理時(shí)間的情況下獲得最大的襯底吞吐 量。通常，最長的工藝方案步卿蹄U工藝序列的吞吐量。
另外，特定工藝步驟具有嚴(yán)格的時(shí)間變化要求。兩個(gè)這樣的示例性工藝步驟
包括曝光后烘烤(PEB)步驟和PEB后冷卻步驟。在曝光后，使用PEB步驟以 立即加熱襯底以激勵(lì)感光化合物的擴(kuò)散和減小光亥i服層中駐波效應(yīng)。PEB后7轉(zhuǎn)卩 步馬M常在PEB步驟后7賴口襯底至環(huán):^，或接近環(huán)境，的，，以確保襯 底處于所定義纟鵬，并且典型地被控制以致齡襯底經(jīng)歷相同時(shí)間-驗(yàn)分布以將 工藝變化減到最小。典型地，因?yàn)楣饪滩襟E的曝光工藝和PEB步驟間的時(shí)間變 4W最終產(chǎn)品的臨界尺寸一致性(CDU)有影響，所以PEB步驟必須緊緊與光 刻步驟相接。
相船也，輸A^輸出支路上最慢的晶片決定了軌道中敏比(即，以相同方式 處理的一組晶片)的處理時(shí)間。例如，在一些情況下，如果快的批次后面跟著慢
批次，該斷比次后面跟著快批次，則從慢批次m軌道的時(shí)間開始直封侵批次離
開軌道，敏比次都以慢批次的速度運(yùn)行。禾目^i也，在其它例子中，軌道的進(jìn)度圍
繞最慢的批次進(jìn)行。結(jié)果，軌道讓'附比次正常運(yùn)行，等待慢批次(部分地)騰空
軌道。其后，軌道等待開始謝比次，直封慰比次不延遲隨后盼Wk次晶片。在這
種情況下，齡軌道光刻集群的吞吐量被斷氐。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了一種晶片處理系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片處理系統(tǒng)包括光 刻工具；與該光亥U工具連接的本地軌道；傳織置處理機(jī)，戶;M傳i^g處理機(jī)
用于操作傳^s以及從傳魏置至光刻工具和/或本地軌道傳送晶片，或者從光
亥江具和/或本地軌輕傳M^a傳送晶片；接口單元，所述接口單元用于在傳送
裝置和光刻工具和/或本地軌道間傳送晶片；以鵬制器，戶/f^制器用于在光刻
工具、本地軌道、接口單元和傳it^a處理機(jī)中M^工序。
傳皿置處理機(jī)可以手動或自動操作傳，置。
本地軌道可執(zhí)行從溫度穩(wěn)定、檢驗(yàn)、干燥(在曝光后)、曝光后烘烤、冷卻 和他們的組合構(gòu)成的組中選擇的處理步驟。可以理解，本地軌ita可執(zhí)行不同的 和/或附加的處理步驟，包括，例如，顯影步驟。
接口單元可將本地軌道與光刻工具連接。
接口單元可將光刻工具和本地軌道中的一個(gè)或兩個(gè)，與傳:i^g連接。
傳機(jī)置可將光刻工具和本地軌道中的一個(gè)或兩個(gè)，與遠(yuǎn)程軌辦接。
傳送裝置可以是前端開口盒(FOUP)、開放片架或標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口 (SM1F)
合mL。
還描述了處理晶片的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，該方魏括步驟在傳^a
和光亥lj工具之間傳送晶片；在光刻工具和連接到光刻工具的本地軌歡間傳送晶 片；以及在本地軌道和傳:i^S之間傳送晶片。
該方法還包括從在本地軌道中的穩(wěn)定晶片m、千燥(在曝光后)晶片、曝 光后烘烤和冷去購成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)步驟。
該方法還包括安排晶片的傳送和處理。
還公開了組合的曝光后烘烤和辨卩單元。在一個(gè)實(shí)施例中，組合的曝光后烘 烤和^i卩單元包括外殼，該外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及
具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度大于，二長度，該外殼在第
一相對頂靦上具有開口以容納晶片；烘烤單元在激卜殼中；并且7賴卩單元在激卜 殼中。
該辨口單元包括夾鉗。 該烘烤單元可以在該外殼之內(nèi)被隔離。 還可在該外殼中提供機(jī)械手，以在該外殼內(nèi)傳送晶片。
還描述了晶片處理系統(tǒng)的接口。在一個(gè)實(shí)施例中，該接口包括機(jī)械手，用 于錢晶片；多個(gè)外殼，所財(cái)卜殼被設(shè)置在機(jī)械手周圍，齡外殼包括具有第一 長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一 長度等于或大于該第二長度，該外殼在第一相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該 開口面對該機(jī)械手，至少多個(gè)外殼中的一個(gè)是集成的烘烤和冷卻單元。
該接口可包括多個(gè)機(jī)械手以運(yùn)送晶片，多個(gè)外殼被設(shè)置在多個(gè)機(jī)械手的至少 一個(gè)周圍。
至少多個(gè)外殼中的一個(gè)可以是均熱單元。
該機(jī)械手可從光刻工具中收集晶片荊專送晶片至集成的烘烤和7t4卩單元。 機(jī)械手可在光刻工具，均熱單元和,的烘烤和7轉(zhuǎn)卩單元間傳送晶片。 該接口還可包括設(shè)置在該機(jī)械手周圍的多個(gè)第二外殼，針第二外殼包括具
有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，
該第一長度大于該第二長度，i鈔卜殼在第三相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該
開口面對該機(jī)械手。
該接口可包括多個(gè)機(jī)械手，其中多個(gè)第二外殼設(shè)置在多個(gè)機(jī)械手的至少一個(gè)周圍。
該接口還可包括分離的機(jī)械手以從連接在集成軌道上的外部接口傳送晶片 至曝光單元。


通過參考附圖，以示例的方式^3^本發(fā)明，其中
圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻晶片系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖2A、 2B和2C是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻晶片系統(tǒng)的方塊圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的組合的烘烤和^4卩單元的透視圖4題一步圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的組合的烘烤和7賴口單元的咅艦
圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的本地軌道部分的主透視圖6是圖示圖5的本地軌道部分的后透視圖；以及
圖7是圖示圖5的本地軌道部分的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明公開了用以處理晶片的系統(tǒng)和方法。示例性系統(tǒng)包括光刻工具；與 該光亥lj工具連接的本地軌道；傳鄉(xiāng)置，用于從傳機(jī)置處理機(jī)和至傳體置處 理機(jī)傳送晶片；傳魏置處理機(jī)，用于操作傳M^S;在傳難置和光刻工具和 減本地軌道間傳送晶片的接口單元；以及在光刻工具、本地軌道和接口單元中規(guī) 劃工序的控制器。結(jié)果，可將關(guān)鍵工藝設(shè)置得相互更近，并A或者光刻工具的性 能可不依賴于抗蝕劑和顯影工藝(遠(yuǎn)程軌道與光刻工具相關(guān)聯(lián))。
還公開了組合的曝光后烘烤和冷卻單元。示例性的組合的曝光后烘烤和^卩
單元包括較^ii具有用于容納和提供晶片的開口的外殼，并且烘烤和冷卻單元在
外殼內(nèi)。
還公開了晶片處理系統(tǒng)的接口。示例性接口包括多個(gè)設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)機(jī)械 手周圍的外殼，該機(jī)械手在外^t間il^晶片，其中至少多個(gè)外殼中的一個(gè)是集 成的烘烤和冷卻單元。結(jié)果，PEB步驟可與曝光單元緊緊相接以更好地控制PEB 的時(shí)序，弓I發(fā)更好的CDU控制。接口還解決了在軌道接口常見的各種時(shí)序的沖 突。另外，輸出路^i:的緩沖可增大，其使f剩專機(jī)置時(shí)序安排與PEB軌道時(shí) 序安排的緊密的連銜尋以放松。另外，允許分離的涂覆和顯影環(huán)節(jié)。
圖1示出了晶片光刻集群10。晶片光刻集群10可并入多個(gè)處理步驟，包括， 例如，抗蝕劑涂覆、曝光前和曝光后烘烤、曝光、顯影、清洗、7襯卩、？頁調(diào)節(jié)等 步驟中的一個(gè)或多個(gè)。
晶片光刻集群10包括光刻工具12、本地軌道部件14、接口單元16以及遠(yuǎn) 程軌道部件18。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片光刻集群10還包括一個(gè)或多個(gè)傳i^置 20。集群10還包括傳皿置處理機(jī)21 。
在一個(gè)實(shí)施例中，本地軌道部件14直接連接光刻工具12。就是說，晶片可 直接從光刻工具12傳送到本地軌道部件14。
在一個(gè)實(shí)施例中，本地軌道部件14包括與光刻工藝相連的時(shí)間關(guān)鍵 (time-critical)步驟。時(shí)間關(guān)鍵步驟融卩些具有嚴(yán)格時(shí)間變化要求的步驟。在一個(gè) 實(shí)施例中，由于CDU對最終產(chǎn)品有影響，所以時(shí)間關(guān)鍵步驟緊緊相連。包含在 本地軌道部件14中的示例性工藝包括，但不限于，例如，檢驗(yàn)、鵬穩(wěn)定化、 干燥(在曝光后)、曝光后烘烤、冷卻和它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，本地軌 道14是曝光后烘烤軌道。在一個(gè)實(shí)施例中，本地軌道14是用于晶片從傳，置 處理機(jī)到光刻工具12、或者從光刻工具12到傳^S處理機(jī)的傳送路徑。
遠(yuǎn)程軌道部件18還可與本地軌道部件14相隔離，如圖1中所示。遠(yuǎn)程軌道 部件18可分成多個(gè)單元。
在一個(gè)實(shí)施例中，接口單元16用于從傳ii^S至光刻工具12禾口/或本地軌道 部件14傳送晶片，反之亦然。接口單元16還可用于從傳i^S 20傳送晶片和 將晶片傳送到傳皿置20。傳，置20可為放置晶片用以傳送的盒或片架。
在一個(gè)實(shí)施例中，接口單元16包括一個(gè)或多個(gè)用于在光刻工具12和本地軌 道部件14之間傳送晶片的機(jī)械手(未示出)。 一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手典型地*都包 括致動機(jī)制和一個(gè)或多個(gè)晶片保持器。
在一個(gè)實(shí)施例中，接口單元16包括一個(gè)或多個(gè)傳機(jī)置處理機(jī)。該傳魏 置處理機(jī)可以是自動的或手動的。 一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手可用以從傳g置中拾取晶 片并且斷也們送入系統(tǒng)以及將它們向后J^A傳^S。
接口單元16可以是倒可本領(lǐng)域公知的分度器，用于傳送和處理晶片。接口 單元16是可移動的。
傳i^置20可用于在光刻工具12和/或本地軌道部件14與遠(yuǎn)程軌道部件18 之間傳送晶片。在一個(gè)實(shí)施例中，傳3^g20是前端開口盒(FOUP)、開放片 架或標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口 (SMIF)盒。傳皿置20可以是^f可其他本領(lǐng)域公知的用以 存儲和傳送晶片的運(yùn)輸盒。
典型地，傳皿置20自動接收和發(fā)送、以及打開和關(guān)閉。可以理解，傳送 裝置20的操作可以選擇手動方式。接口單元16可包括一個(gè)或多個(gè)傳i^g。例 如，接口單元16可以包括四個(gè)或五個(gè)傳皿置?？梢岳斫?，可以使用少于四個(gè) 或多于五個(gè)傳皿置。
晶片光刻集群10還包括中爐制器或調(diào)度機(jī)(未示出)，戶脫中爐制器或 調(diào)度ll^光刻工具12和本地軌道部件14中的處理進(jìn)行安排。中，制器還可以
對光刻工具12和本地軌道部件14間的和/或經(jīng)過接口 16的晶片傳iiit行控制。 中央控制器可以包括一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立的控制器。
在使用中，晶片從輸入路徑移動至光刻工具12。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入路徑 位于遠(yuǎn)程軌道18中，并且晶片從遠(yuǎn)程軌道18移動至傳，置20，以^^人傳， 置20至接口單元16。從接口單元16，晶片移動至光刻工具12。在一個(gè)實(shí)施例中， 本地軌道14中的機(jī)械手用以移動晶片。在一個(gè)實(shí)施例中，接口單元16中的機(jī)械 手用以移動晶片。在光刻工具12中完成光刻工藝后，晶片可以從光刻工具12傳 送至本地軌道部件14或傳ii^fi 20，用于另外的處理。在本地軌道部件14中處 理晶片后，處理過程可以完成?？蛇x擇地，晶片可從本地軌道部件14傳,遠(yuǎn) 程軌道部件18，用于另夕卜的處理。在一個(gè)實(shí)施例中，傳^fi20可用于從本地 軌道部件14至遠(yuǎn)程軌道部件18傳送晶片。
在一個(gè)實(shí)施例中，時(shí)間關(guān)鍵工藝可借助于包括在本地軌道部件14中的此類 時(shí)間關(guān)te:藝緊密地在一起，以簡化基于關(guān)鍵參數(shù)的控制，其包括，例如，晶片
溫度和PEB時(shí)間變化。光刻中的非關(guān)鍵，不關(guān)鍵(less-critical)工藝可設(shè)置在 遠(yuǎn)程軌道部件18中。從而，Mil將這樣的工藝相互鄰近定位，可最小化時(shí)間關(guān) 鍵工藝的影響。
作為典型時(shí)間關(guān)鍵工藝的曝光后烘烤的性能取決于烘烤位置的數(shù)量和所需 烘烤時(shí)間?？稍诒镜剀壍啦考?4中設(shè)置烘烤步驟，以使得它實(shí)質(zhì)上與光刻工具 12集成。此外，本地軌道部件14例如可包括所有的烘烤單元，以劍細(xì)可數(shù)量 的必要烘烤位置。
Mil在本地軌道部件14中將烘烤工序與其它更不關(guān)鍵的時(shí)間關(guān)鍵工藝分隔 開，并通掛艮據(jù)需要安排烘烤位置，集群的總生產(chǎn)率可增大，而不必增加占地空 間。
在一個(gè)實(shí)施例中，晶片光刻集群10與傳統(tǒng)晶片光刻集群尺寸相同或更小， 并且各部件是相互獨(dú)立的。結(jié)果，在不對 ^制造工藝產(chǎn)生大的影響的情況下， 實(shí)現(xiàn)生繊柳更新環(huán)節(jié)。
圖2A、 2B和2C是具有控制器120的圖1中的晶片光刻集群的方塊圖?？?制器120可與光刻工具12、本地軌道部件14以及接口單元16 3te，如圖2A中 所示?？蛇x擇地，如圖2B中所示，控制器120可位于光刻工具中?？蛇x擇地， 如圖2C中所示，控制器120可位于本地軌道中。
圖3是圖示組合的曝光后烘烤和y辨卩單元200的透視圖。單元200包括外殼 202，該外殼202包括具有第一長度a的第一側(cè)面204，以及具有第二長度卩的第 二側(cè)面206。在一個(gè)實(shí)施例中，第二長度卩大于第一長度a。該單元還包括在第 二側(cè)面206上的開口208。
可以理解，開口 208可位于第二側(cè)面206上的幾乎任何位置。由于開口208 位于第二側(cè)面206中，如其后魏的，更緊湊的集群系統(tǒng)是可能的。
如圖4中所示，單元200包括機(jī)械手210、夾鉗212和烘烤單元214。在一 個(gè)實(shí)施例中，單元200還包括緩沖位置216。在一個(gè)實(shí)施例中，單元200還包括 隔離元件218。
機(jī)械手210包括允許晶片傳送到外殼202之內(nèi)各個(gè)位置的致動機(jī)制。可以理 解，單元200可包括多于一個(gè)的機(jī)械手和/或夾鉗。
夾鉗212可包括用于支撐晶片的保持器，所述保持器與機(jī)械手210連接。夾 鉗212還包括7賴卩功能。例如，夾鉗212可以勤JC冷的和可控制的。
烘烤單元214可以是任何為本領(lǐng):^術(shù)人員所公知的傳^烤單元。烘烤單 元214應(yīng)該位于距離夾鉗212的7賴卩位置充^的地方。
緩沖位置216位于或接近單元的第二側(cè)面206的開口 208的{體。緩沖位置
216可包括7轉(zhuǎn)卩部分。
使用隔離元件218隔離烘烤單元214與緩沖位置216。在一個(gè)實(shí)施例中，隔 離元件在烘烤單元214的所有側(cè)面上隔離烘烤單元214。
在i柳中，晶片放置在單元200的第二偵靦206的開口208中。晶片位于緩 沖位置216上。機(jī)械手210用夾鉗212從緩沖位置216取晶片至烘烤單元214。 當(dāng)在烘烤單元214中完成所需烘烤工藝時(shí)，機(jī)械手210用夾鉗212將晶片移出烘 烤單元214。激活夾鉗212的辨卩功能以7轉(zhuǎn)卩晶片。當(dāng)7鋅卩工藝完成時(shí)，機(jī)械手 210使晶片返回緩沖位置216。當(dāng)晶片返回緩沖{體216時(shí)，可4頓另一機(jī)械手 (未示出)將晶片從單元200中移出。
圖5-7圖示了用于晶片光刻集群的接口 300。
在一個(gè)實(shí)施例中，在晶片光刻集群10中使用接口 300，如上面參考圖1所示。 在一個(gè)實(shí)施例中，接口 300是接口 16，如上面分別在參考圖1和2中表示的。
如圖5中所示，接口 300包括第一導(dǎo)軌302、第一機(jī)械手304和第一夾鉗306。 接口 300還可包括第二導(dǎo)軌308、第二機(jī)械手310和第二夾鉗312。可以理解，
接口300可以包括多于兩個(gè)的機(jī)械手和多于兩個(gè)的夾鉗。例如，接口300可包括 三個(gè)、四個(gè)或五個(gè)機(jī)械手。可以理解，可使用多于五個(gè)機(jī)械手。類柳也，，接口 300可包括三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)或甚至更多的夾鉗。
接口300還包括設(shè)置在機(jī)械手310周圍的多個(gè)單元。在示例性實(shí)施例中，多 個(gè)單元包括多個(gè)處理單元，例如，均熱單元314和曝光后烘烤單元316。冷卻板 也可包括在曝光后烘烤單元316中。在這樣的實(shí)施例中，曝光后烘烤單元316可 以是組合的曝光后烘烤和7賴卩單元200，如上面參考圖3和4魏的。7賴晰也 可附加地或可選擇地包括在夾鉗306和/救鉗312中。接口 300可任選包括輸入 禾口/，出緩沖器318?？梢許^軍，接口300可包括^f可數(shù)量，型的單元， 于處理方案和設(shè)計(jì)約束。
多個(gè)單元設(shè)置在機(jī)械手304和310周圍，以使得可M:機(jī)械手304禾口/^=幾械 手310訪問^單元的開口。如上面所表述，曝光后烘烤單元316可以是如上面 參考圖3和4所，的組合的曝光后烘烤和)t4卩單元200。由于圖示單元316的
開口位于其最長的側(cè)ffiM，所以多個(gè)單元能夠更緊湊布置。就是說，大量單元能 夠被并入接口 300中。如圖6和7中所示，不包括開口的單元316的多個(gè)部分能 設(shè)置于其他單元后面，例如其他曝光后烘烤單元316、均熱單元314或輸出緩沖 器318。
機(jī)械手304和/或機(jī)械手310從光刻工具(未示出)或傳，置(未示出)中 收集晶片并且在接口300之內(nèi)傳送晶片。在一個(gè)實(shí)施例中， 一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手在 光刻工具(未示出)的輸出緩沖器和曝光后千燥單元(即，均熱單元)314之間 傳送晶片。在一個(gè)實(shí)施例中， 一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手在均熱單元314和PEB單元316 之間傳送晶片。在一個(gè)實(shí)施例中， 一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手在PEB單元316和接口300 的輸出緩沖器318之間傳送晶片。一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手可以包括7賴卩板，以在從PEB 單元316移出晶片后m卩晶片，和/或PEB單元316可以是其中具有7賴卩板的結(jié) 合單元，如上戶腿。^t機(jī)械手〗,從掃描器拾取晶片，對于所有內(nèi)部處理允許 多路控制時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施例中，機(jī)械手306在光刻工具和均熱單元314之間傳 送晶片。在一個(gè)實(shí)施例中，第二機(jī)械手310在均熱單元314和PEB單元316之 間，以及，可選擇地，在PEB單元316和輸出緩沖器318之間傳送晶片，如上 所述。在一個(gè)實(shí)施例中，第二機(jī)械手310還傳送晶片至輸出接口 322，用以傳送 至集群的另一部分，例如傳，置20，和/或接口16。
如圖6中所示，還可以ili乓專用機(jī)械手320，其顧及所有晶片的輸入路徑。 這減少了機(jī)械手304和310的任務(wù)。在一個(gè)實(shí)施例中,，輸入路徑位于輸出路4泣下。
每個(gè)機(jī)械手可分別控制并且與光刻工具控制集成，以解決在傳統(tǒng)軌道接口中 常見的各種時(shí)序的沖突。
在4頓中，夾鉗306ffl31機(jī)械手304線晶片，并且移動晶片至曝光后均熱 單元314皿接至PEB單元316。在均熱后，晶片Mil機(jī)械手310和夾鉗312移 動至PEB單元316。在晶片冷卻后，晶片移動至輸出緩沖器318 ^M輸A^J出 接口 322。
前面的描述與附圖一起僅僅說明了所述方法的可能的實(shí)施例并且僅僅作了 如上的解釋。本領(lǐng)域其他的普通技術(shù)人員可以理解落A^發(fā)明主題的范圍和樹申 之內(nèi)的許多其他具體實(shí)施例。本發(fā)明的保護(hù)范圍是ii31所附的權(quán)禾腰求限定的而 不是通過前面的說明書限定的。落入所附權(quán)利要求的內(nèi)涵或等價(jià)范圍之內(nèi)的樹可 和全部M均視為在其保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種晶片處理系統(tǒng)，包括光刻工具；與該光刻工具連接的本地軌道；傳送裝置處理機(jī)，用于操作傳送裝置以及從傳送裝置傳送晶片和將晶片傳送至傳送裝置；接口單元，用于在傳送裝置處理機(jī)和光刻工具、光刻工具和本地軌道以及本地軌道和傳送裝置處理機(jī)中的一組或多組之間傳送晶片；以及控制器，用于規(guī)劃在光刻工具、本地軌道、接口單元和傳送裝置處理機(jī)中的處理。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理系統(tǒng)，其中該傳;i^g處理機(jī)手動或自 動操作傳皿置。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理系統(tǒng)，其中本地軌道用于執(zhí)行從鵬穩(wěn) 定化、檢驗(yàn)、曝光后千燥、曝光后烘烤、7轉(zhuǎn)卩、顯影及其組合構(gòu)成的組中選擇的 處理步驟。 ^
4、 根據(jù)權(quán)利要求1戶腿的晶片處理系統(tǒng)，其中該接口單元將該光刻工具連 接至該本地軌道。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理系統(tǒng)，其中該接口單元糊專鄉(xiāng)置處理 機(jī)連接至由光亥lj工具和本地軌道構(gòu)成的組中的一個(gè)或多個(gè)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理系統(tǒng)，其中該接口單元將本地軌皿接 至由光刻工具和接口構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1戶;M的晶片處SL系統(tǒng)，其中該傳^a是前端開口盒、開放片架或標(biāo)準(zhǔn)機(jī)鵬口盒。
8、 一種處理晶片的方法，包括步驟 在傳i^g和光刻工具之間傳送晶片；在光刻工具和連接到該光刻工具的本地軌3I^間傳送晶片；以及 在該本地軌道和該傳皿置之間傳送晶片
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理晶片的方法，進(jìn)一步包括從由在本地軌道中 的晶片纟US穩(wěn)定化、曝光后T^燥晶片、曝光后烘烤、7轉(zhuǎn)卩、顯影、清洗和檢驗(yàn)構(gòu) 成的組中選擇的一個(gè)或多個(gè)步驟。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8戶，的處理晶片的方法，進(jìn)一步包括^^J傳送和處理晶片。
11、 一種組合的曝光后烘烤和糊單元，包括外殼，該外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度 的第三和第四相對側(cè)面，i魏一長度大于該第二長度，該外殼在第一相對側(cè)面上 具有開口以容納晶片；在該外殼中的烘烤單元；并且在該外殼中的7賴卩單元。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的組合的曝光后烘烤和^4卩單元，其中該冷卻單 元包括至少一個(gè)夾鉗。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的組合的曝光后烘烤和y賴陣元，其中，烤單 元在該外殼之內(nèi)被隔離。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的組合的曝光后烘烤和7賴口單元，進(jìn)一步包括在 該外殼中的一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手，以在該外殼內(nèi)傳送晶片。
15、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的組合的曝光后烘烤和^i口單元，進(jìn)一步包括在 該外殼中的傳皿置，以在該外殼內(nèi)傳送晶片。
16、 一種晶片處理系統(tǒng)的接口，包括 機(jī)械手，用于,晶片；多個(gè)外殼，戶;M多個(gè)外殼設(shè)置在機(jī)械手周圍，^外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度等 于或大于該第二長度，該外殼在第一相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該開口面 對該機(jī)械手，多個(gè)外殼中的至少一個(gè)是集成的烘烤和m卩單元。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16戶腿的接口，其中該接口包括用^:^晶片的多個(gè)機(jī) 械手，戶脫多個(gè)外殼排歹贓多個(gè)機(jī)械手的至少一個(gè)周圍。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的接口，其中至少多個(gè)外殼中的一個(gè)是均熱單元。
19、 根據(jù)權(quán)禾腰求16戶腿的接口，其中該機(jī)械手從光刻工具中收集晶片和 傳送晶片至集成的烘烤和冷卻單元。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的接口，其中該機(jī)械手在該光刻工具、均熱單元 以及集成的烘烤和7賴卩單元之間傳送晶片。
21、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的接口，進(jìn)一步包括設(shè)置在該機(jī)械手周圍的多個(gè) 第二外殼，針第二外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第 二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度大于該第二長度，該外殼在第三相對 側(cè)面上具有開口以容納晶片，該開口面對該機(jī)械手。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的接口，其中該接口包括多個(gè)機(jī)械手，其中多個(gè) 第二外殼設(shè)置在多個(gè)機(jī)械手的至少一個(gè)周圍。
23、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的接口，進(jìn)一步包括分離的機(jī)械手，所述機(jī)械手 用于從與集成軌at^接的外部接口傳送晶片至曝光單元。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成的曝光后烘烤的軌道，還公開了用以處理晶片的系統(tǒng)和方法，組合的曝光后烘烤和冷卻單元，以及接口。示例性系統(tǒng)包括光刻工具、本地軌道、傳送裝置、傳送裝置處理機(jī)、接口單元和用于規(guī)劃處理過程的控制器。示例性的組合的曝光后烘烤和冷卻單元包括在其側(cè)面上有開口的外殼，以及外殼中的烘烤單元和冷卻單元。示例性的接口包括多個(gè)設(shè)置在機(jī)械手周圍的外殼，其中機(jī)械手用以在外殼間傳送晶片，多個(gè)外殼中的一個(gè)是集成的烘烤和冷卻單元。
文檔編號G03F7/38GK101354541SQ200810215429
公開日2009年1月28日 申請日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月6日
發(fā)明者B·A·J·拉提克休斯, H·M·塞格斯, P·R·巴瑞, R·T·普拉格, S·L·奧爾-喬恩格皮爾, 約翰內(nèi)斯·昂伍李 申請人:Asml荷蘭有限公司