專利名稱：太陽能發(fā)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種太陽能發(fā)電裝置，尤指一種可提升 發(fā)電效率的太陽能發(fā)電裝置。
技術(shù)背景
目前原油價(jià)格及物價(jià)指數(shù)飛漲，進(jìn)而引領(lǐng)出一股太陽能電池 的發(fā)展，太陽能的應(yīng)用早已經(jīng)發(fā)展超過五十年，從太陽光直接照 射在光吸收器上，利用光電效應(yīng)，在使用的材料上產(chǎn)生微量電位 差，再加以蓄積，完成從光變成電的能源轉(zhuǎn)換工作，這是基本的 太陽能電池發(fā)展的原理。由于轉(zhuǎn)換的過程中，無需任何的燃料， 也無須任何機(jī)械組件，所以無污染、無噪音及無廢棄物產(chǎn)生，而 且以目前硅晶片為主的產(chǎn)品而言，壽命可以達(dá)到二十年的使用 期。
今日太陽能電池的發(fā)展，已經(jīng)朝向便宜和效率等兩大主題發(fā) 展，期望新的材料可以成為新的光吸收器，并且對(duì)電荷載子的蓄 集效率能做出更大的貢獻(xiàn)。目前所知的太陽能電池的制程種類有 下列的區(qū)分(1)硅制程(silicon processing); (2)薄膜制 程(thin-film processing); (3) 高分子制程(polymer processing); (4)纟內(nèi)米沖立制牙呈(nanopart icle process ing )及 (5)透光導(dǎo)體(transparent conductors )。其中以珪制程的產(chǎn)量及成效，遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先其他制程級(jí)材料，硅是我們耳熟能詳?shù)陌雽?dǎo) 體材料的主要來源，用在太陽能電池上，可區(qū)分成單晶硅、多晶 硅及非晶硅。
多晶娃(polycrystalline silicon)與單晶娃(mono-crystalline Silicon)兩種材料，占太陽能晶片整體市場的 89.5%,是市場的主流。單晶硅所能產(chǎn)生的電能轉(zhuǎn)換率較高， 一般可在15. 5% 16%,但成本較高，多晶硅轉(zhuǎn)換率較低，約 在14. 8% 15%,但成本相對(duì)較為低廉。目前由多晶硅所制作 出的太陽電池產(chǎn)量，已經(jīng)超越單晶硅的太陽電池。
而目前愈來愈受到重視的制程就是薄膜制程。薄膜太陽能電 池系在塑膠、玻璃或是金屬基板上形成可產(chǎn)生光電效應(yīng)的薄膜， 厚度僅需數(shù)jam(而一般的硅晶圓所需的厚度約為200jam)，因 此薄膜太陽能電池可較硅晶圓太陽能電池大幅減少原料的用量。 薄膜太陽能電池雖然材料成本遠(yuǎn)低于硅晶圓太陽能電池，但 是其轉(zhuǎn)換效率不高，目前其生產(chǎn)設(shè)備相當(dāng)昂貴，設(shè)備成本高出硅
晶圓太陽能電池三倍以上，再加上產(chǎn)品壽命都遠(yuǎn)不及> 圭晶圓太陽 能電池。不過未來材料和生產(chǎn)技術(shù)不斷加強(qiáng)后，未來薄膜太陽能 電池之生產(chǎn)成本下降的速度應(yīng)該會(huì)較硅晶圓太陽能電池快速許 炙夕。
目前仍使用硅晶圓太陽能電池較多，當(dāng)太陽光正射硅晶圓太 陽能電池時(shí)，硅晶圓太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率最佳，隨太陽位置改 變，硅晶圓太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率將會(huì)降低，為了提升硅晶圓太 陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，硅晶圓太陽能電池更設(shè)置一追日系統(tǒng)，使 硅晶圓太陽能電池朝向太陽照射方向，以提升硅晶圓太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，但追日系統(tǒng)因在太陽光下曝曬容易損壞，而且為了 改變硅晶圓太陽能電池的方向，使硅晶圓太陽能電池朝向太陽照 射方向，須架設(shè)復(fù)雜的機(jī)械組件，亦可能因長期于太陽下曝曬， 導(dǎo)致機(jī)械組件損壞。為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種太陽 能發(fā)電裝置，無須設(shè)置任何追日系統(tǒng)，亦可提升太陽能發(fā)電裝置 的轉(zhuǎn)換效率
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的之一，是在于提供一種太陽能發(fā)電裝置， 利用彎曲的導(dǎo)光板、透鏡或反射片聚集太陽光至太陽能晶片，無 須設(shè)置任何追日系統(tǒng)，即能提升太陽能晶片的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提 升太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率。
本實(shí)用新型的目的之一，是在于提供一種太陽能發(fā)電裝置， 利用導(dǎo)光板聚集太陽光至太陽能晶片，可縮小太陽能晶片的尺 寸，降低生產(chǎn)太陽能晶片的成本。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題，本實(shí)用新型是 通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。
本實(shí)用新型是提供一種太陽能發(fā)電裝置，該太陽能發(fā)電裝置 包含至少一個(gè)太陽能晶片及一個(gè)導(dǎo)光板，該導(dǎo)光板設(shè)于該太陽能 晶片上方，太陽光透過該導(dǎo)光板導(dǎo)引至該太陽能晶片，該太陽能 晶片轉(zhuǎn)換太陽光為電能。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該導(dǎo)光板為一個(gè)v型割痕型式 的導(dǎo)光才反。前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該導(dǎo)光板為一個(gè)彎曲的導(dǎo)光板。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該導(dǎo)光板更設(shè)置一個(gè)透鏡，該 透鏡與該太陽能晶片相對(duì)。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該導(dǎo)光板的周圍更設(shè)置一個(gè)反 射片。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中更包含 一個(gè)殼體，容置該太 陽能晶片，并支撐該導(dǎo)光板。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該太陽能晶片更連接一個(gè)蓄電 池，該蓄電池儲(chǔ)存該太陽能晶片所產(chǎn)生的電能。
本實(shí)用新型提供另一種太陽能發(fā)電裝置，該太陽能發(fā)電裝置 包含至少一個(gè)太陽能晶片及一個(gè)反射片，該反射片設(shè)于該太陽能 晶片周圍，太陽光經(jīng)該反射片反射至該太陽能晶片，該太陽能晶 片轉(zhuǎn)換太陽光為電能。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該反射片的一側(cè)設(shè)置一個(gè)透鏡， 該透鏡與該太陽 片相對(duì)。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中更包含 一個(gè)殼體，容置該太 陽能晶片，該反射片設(shè)于該殼體。
前述的太陽能發(fā)電裝置，其中該太陽能晶片連接一個(gè)蓄電池， 該蓄電池儲(chǔ)存該太陽能晶片所產(chǎn)生的電能。
本實(shí)用新型的有益效果是提供一種太陽能發(fā)電裝置，利用 v型割痕(v-cut)型式的導(dǎo)光板接收各角度的太陽光，并導(dǎo)引太 陽光至太陽能晶片，不但無須設(shè)置任何追日系統(tǒng)，即能提升太陽 能晶片的轉(zhuǎn)換效率，并提升該太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率，且能縮小太陽能晶片的尺寸。更利用彎曲導(dǎo)光板、加設(shè)透鏡于導(dǎo)光板 或加設(shè)反射片擴(kuò)大導(dǎo)光板接收太陽光的角度，更能提升太陽能晶 片的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而更提升該太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率。


圖1:本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電裝置示意
圖2:本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電裝置示 意圖3:本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電裝置示 意圖4:本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電裝置示 意圖5:本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電裝置示 意圖；及
圖6:本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電裝置示 意圖。
圖號(hào)說明
1 太陽能發(fā)電裝置 10太陽能晶片
12 導(dǎo)光板 14 殼體
16 透鏡 18 反射片
19 蓄電池
具體實(shí)施方式
為使審查委員對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有 更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)佐以較佳的實(shí)施例及配合詳細(xì)的說明
如后
請(qǐng)參閱圖1，是本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā)電 裝置示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種太陽能發(fā)電裝置，該 太陽能發(fā)電裝置l包含至少一個(gè)太陽能晶片10及一個(gè)導(dǎo)光板12， 該導(dǎo)光板12設(shè)于該太陽能晶片IO上方，以導(dǎo)引太陽光至該太陽 能晶片10,因此提升該太陽能晶片10的轉(zhuǎn)換效率，不會(huì)因太陽 位置改變而降低該太陽能晶片10的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提升該太陽 能發(fā)電裝置1的發(fā)電效率。而本實(shí)施例的該導(dǎo)光板12使用v型 割痕(v-cut)型式的導(dǎo)光板，該導(dǎo)光板12導(dǎo)引太陽光投射至該太 陽能晶片10的角度約為45度，因此該太陽能晶片10的尺寸可 較傳統(tǒng)太陽能發(fā)電裝置所使用的太陽能晶片小，有效降低生產(chǎn)該 太陽 育b晶 片10的成本。
為了支撐該導(dǎo)光板12于該太陽能晶片IO上方，于該導(dǎo)光板 12與該太陽能晶片10間設(shè)置一個(gè)殼體14,該太陽能晶片10設(shè) 于該殼體14的一側(cè)，該導(dǎo)光板12設(shè)于該殼體14的另一側(cè)，并 "i亥A卩日育b曰、 片IO相對(duì)。
請(qǐng)參閱圖2,是本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā) 電裝置示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種太陽能發(fā)電裝置， 該太陽能發(fā)電裝置1包含至少一個(gè)太陽能晶片10、 一個(gè)導(dǎo)光板 12及一個(gè)殼體14,而本實(shí)施例所提供的該太陽能發(fā)電裝置1與 圖1所提供的該太陽能發(fā)電裝置1不同在于，本實(shí)施例的導(dǎo)光板 12為彎曲的，其可接收太陽光角度較圖1的該導(dǎo)光板12大，進(jìn)
9而導(dǎo)引較多方向的太陽光至該太陽能晶片10，以提升該太陽能 晶片io的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提升該太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率。
請(qǐng)參閱圖3,是本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā) 電裝置示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種太陽能發(fā)電裝置， 該太陽能發(fā)電裝置1是包含至少一個(gè)太陽能晶片10、 一個(gè)殼體 14、 一個(gè)導(dǎo)光板12及一個(gè)透鏡16,該太陽能晶片10設(shè)于該殼 體14的一側(cè)，該導(dǎo)光板12設(shè)于該殼體14的另一側(cè)，該透鏡16 設(shè)于該導(dǎo)光板12,并與該太陽能晶片IO相對(duì)。本實(shí)施例所提供 的該太陽能發(fā)電裝置1與圖1的該太陽能發(fā)電裝置1不同在于， 圖1的該太陽能發(fā)電裝置1的該導(dǎo)光板12為平面型，而本實(shí)施 例于該導(dǎo)光板12上設(shè)置該透鏡16，本實(shí)施例的該導(dǎo)光板12接 收太陽光的角度較圖1的該導(dǎo)光板12大，如此有效提升該太陽 能晶片10的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提升該太陽能發(fā)電裝置1的發(fā)電效 率。另太陽光經(jīng)過該透鏡16折射后，再穿過該導(dǎo)光板12的太陽 光與該太陽能晶片IO的角度為60度，所以本實(shí)施例的該太陽能 晶片10的尺寸較圖1實(shí)施例的太陽能晶片10小，進(jìn)而降低生產(chǎn) 該太陽能晶片10的成本。
請(qǐng)參閱圖4,是本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā) 電裝置示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種太陽能發(fā)電裝置， 本實(shí)施例的該太陽能發(fā)電裝置1與圖1的該太陽能發(fā)電裝置1不 同在于，于該導(dǎo)光板12的周圍設(shè)置一個(gè)反射片18,該反射片18 反射無法被該導(dǎo)光板12導(dǎo)引的太陽光，如此^f吏本來無法進(jìn)入該 導(dǎo)光板12的太陽光進(jìn)入該導(dǎo)光板12,進(jìn)而導(dǎo)引至該太陽能晶片 10,以提升該太陽能晶片10的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提升該太陽能發(fā)電裝置1的發(fā)電效率。
請(qǐng)參閱圖5,是本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā) 電裝置示意圖。如圖所示，本實(shí)施例4是供一種太陽能發(fā)電裝置， 該太陽能發(fā)電裝置1包含至少一個(gè)太陽能晶片IO及一個(gè)反射片 18，該反射片18設(shè)于該太陽能晶片IO的周圍，該反射片18反 射太陽光至該太陽能晶片10,以提升該太陽能晶片IO的轉(zhuǎn)換效 率，進(jìn)而提升該太陽能發(fā)電裝置1的發(fā)電效率。為了保護(hù)該反射 18片及該太陽能晶片10，本實(shí)施例的該太陽能發(fā)電裝置更包含 一個(gè)殼體14,該殼體14容置該太陽能晶片10,該反射片18設(shè) 于該殼體14上。
請(qǐng)參閱圖6,是本實(shí)用新型的另一個(gè)較佳實(shí)施例的太陽能發(fā) 電裝置示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種太陽能發(fā)電裝置， 該太陽能發(fā)電裝置1包含至少一個(gè)太陽能晶片10、 一個(gè)殼體14、 一個(gè)反射片18及一個(gè)透鏡16,該太陽能晶片10設(shè)于該殼體14 的一側(cè)，該透鏡16設(shè)于該殼體14的另一側(cè)，該反射片18設(shè)于 該殼體14上，本實(shí)施例的該太陽能發(fā)電裝置1與圖5的該太陽 能發(fā)電裝置1不同在于，本實(shí)施例的該太陽能發(fā)電裝置1增設(shè)該 透鏡16,以增加該太陽能晶片IO接收太陽光的角度，進(jìn)而提升 該太陽能晶片10的轉(zhuǎn)換效率，并提升該太陽能發(fā)電裝置1的發(fā) 電效率。
上述圖1至圖6的實(shí)施例中，每一實(shí)施例的該太陽能晶片 10可連接一個(gè)蓄電池19,該蓄電池19可儲(chǔ)存該太陽能晶片10 轉(zhuǎn)換太陽光所產(chǎn)生的電能。而本實(shí)用新型的該太陽能晶片10所 使用的材料為硅、砷化鎵或其他材料。由上述可知，本實(shí)用新型為提供一種太陽能發(fā)電裝置，利用
V型割痕(v-cut)型式的導(dǎo)光板接收各角度的太陽光，并導(dǎo)引太
陽光至太陽能晶片，不但無須設(shè)置任何追日系統(tǒng)，即能提升太陽 能晶片的轉(zhuǎn)換效率，并提升該太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率，且能 縮小太陽能晶片的尺寸。更利用彎曲導(dǎo)光板、加設(shè)透鏡于導(dǎo)光板 或加設(shè)反射片擴(kuò)大導(dǎo)光板接收太陽光的角度，更能提升太陽能晶 片的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而更提升該太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率。
以上所述，僅為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例而已，并非用 來限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所 述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括 于本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，其包含至少一個(gè)太陽能晶片；以及一個(gè)導(dǎo)光板，設(shè)于該太陽能晶片上方，導(dǎo)引太陽光至該太陽能晶片。
2、 如權(quán)利要求1所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該 導(dǎo)光板為一個(gè)v型割痕型式的導(dǎo)光板。
3、 如權(quán)利要求1所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該 導(dǎo)光板為一個(gè)彎曲的導(dǎo)光板。
4、 如權(quán)利要求1所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該 導(dǎo)光板更設(shè)置一個(gè)透鏡，該透鏡與該太陽能晶片相對(duì)。
5、 如權(quán)利要求1所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該 導(dǎo)光板的周圍更設(shè)置一個(gè)反射片。
6、 如權(quán)利要求1所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，更 包含一個(gè)殼體，容置該太陽能晶片，并支撐該導(dǎo)光板。
7、 如權(quán)利要求1所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該 太陽能晶片更連接一個(gè)蓄電池，該蓄電池儲(chǔ)存該太陽能晶片所產(chǎn) 生的電能。
8、 一種太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，其包含 至少一個(gè)太陽能晶片；以及一個(gè)反射片，設(shè)于該太陽能晶片周圍。
9、 如權(quán)利要求8所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該反射片的一側(cè)設(shè)置一個(gè)透鏡，該透鏡與該太陽能晶片相對(duì)。
10、如權(quán)利要求8所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，更 包含 一個(gè)殼體，容置該太陽能晶片，該反射片設(shè)于該殼體。
11、如權(quán)利要求8所述的太陽能發(fā)電裝置，其特征在于，該 太陽能晶片連接一個(gè)蓄電池，該蓄電池儲(chǔ)存該太陽能晶片所產(chǎn)生 的電能。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種太陽能發(fā)電裝置，該太陽能發(fā)電裝置包含至少一個(gè)太陽能晶片及一個(gè)導(dǎo)光板，或者該太陽能發(fā)電裝置包含至少一個(gè)太陽能晶片及一個(gè)反射片，利用該導(dǎo)光板或該反射片導(dǎo)引太陽光投射至該太陽能晶片，本實(shí)用新型的太陽能發(fā)電裝置無須裝設(shè)追日系統(tǒng)，亦可有效提升該太陽能晶片的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提升該太陽能發(fā)電裝置的發(fā)電效率。
文檔編號(hào)G02B5/04GK201160263SQ20082000075
公開日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2008年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月22日
發(fā)明者吳素慧 申請(qǐng)人:吳素慧