專利名稱：一種易測量的液晶顯示用tft陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種液晶顯示用TFT陣列 基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD )是利用施加在液晶分子上電場強(qiáng)度的變化，改變液晶 分子的取向控制透過光的強(qiáng)弱來顯示圖像。 一般來講， 一塊完整的液晶顯示 面板必須有背光模塊、偏光片、TFT(薄膜晶體管)下基板和CF(彩色濾光 板)上基板以及由兩塊基板組成的盒中填充的液晶分子層構(gòu)成。TFT基板上 有大量的像素電極，像素電極上的電壓大小及通斷由與橫向掃描信號線相連 接的柵極、與縱向驅(qū)動信號線連接的源極信號控制。CF上基板上的ITO公共 電極與下基板上的IT0像素電極之間的電場強(qiáng)度變化控制著液晶分子的取 向。TFT基板上與掃描信號線平行并處于同一層的存儲電容公共線和IT0像 素電極之間形成的存儲電容用來維持下一個(gè)信號來臨前液晶分子的狀態(tài)。
在TFT基板的制造過程中，工藝上的任何稍微偏差都可能對顯示面板造 成缺陷，或者是導(dǎo)線的斷路、短路、或者是像素電極上的污染，影響液晶顯 示的畫面質(zhì)量，當(dāng)出現(xiàn)問題的時(shí)候往往需要對各項(xiàng)信號進(jìn)行測量，特別是對 于共通電極來說，因?yàn)樵诿姘迳戏植驾^廣，各部分電壓可能有所差別，需要 對其進(jìn)行各位置的測量來協(xié)助判斷問題發(fā)生的位置。同時(shí)，對面板作分析判 斷時(shí)，還要保證面板完好無損，故對共通電極的測量不能建立在破壞面板的 基礎(chǔ)上，并且要可以借由測量信號判斷各種不同型號或同一型號不同面板的共通電極導(dǎo)電性，并以此判斷面板設(shè)計(jì)的部分特性。
現(xiàn)有的面板通常對共通電極測量需要對面板進(jìn)行解析處理，即拆開面板 的一部分來進(jìn)行，工序較為繁雜，測量結(jié)果誤差較大，并且容易造成液晶污 染，測量完畢后的面板也不能再進(jìn)行組裝使用，只能廢棄，從而增加了工廠 方面的耗損率，增加了成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有特別的周邊IT0設(shè)計(jì)的 液晶顯示用TFT陣列基板，可以不需要拆解面板就能完成對共通電極的測量， 不影響陣列基板的內(nèi)部完整性，也不會因此而引起額外的電容產(chǎn)生。
為了解決上述技術(shù)問題本實(shí)用新型的易測量的液晶顯示用TFT陣列基 板，包括共通電極、絕緣層和鈍化層、像素電極層和封框膠，在所述的像素 電極層還設(shè)置有ITO測試塊，測試塊和共通電極電連接，測試塊的外側(cè)測量 端暴露于封框膠之外。
所述的ITO測試塊可以設(shè)置于絕緣層和鈍化層的上方，測試塊通過接觸 孔和共通電極電連接。
作為另外一種方式所述的共通電極設(shè)置有外圍大于封框膠外圍的外延端 塊，在共通電極的外延端塊上方的絕緣層和鈍化層刻蝕設(shè)置有開口，開口內(nèi) 設(shè)置有與共通電極電連接的ITO測試塊。
本實(shí)用新型的易測量的液晶顯示用TFT陣列基板由于在制造陣列基板時(shí) 預(yù)先上設(shè)置了與共通電極電連接的ITO測試塊，該ITO測試塊的尺寸為亳米 量級，可以適用于各種測量機(jī)臺以及各種儀器儀表探針；該ITO測試塊最外側(cè)暴露于封框膠之外，可以不需要拆解面板就能用探針觸碰到；這樣就大大 簡化了測量所需的工序，也最大程度保證了基板的完整性、避免元件因此受 損，大大提高了工作效率，也提高了成品率。另外，該測試塊的ITO圖樣不 覆蓋任何的面板內(nèi)對位標(biāo)記或者其他面內(nèi)走線，所以不會引起額外的電容產(chǎn) 生、不會對顯示產(chǎn)生不良影響。

圖l.是本實(shí)用新型陣列基板周邊ITO測試塊結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖2.是本實(shí)用新型實(shí)施例l的陣列基板中ITO測試塊通過接觸孔與共通
電極連接的示意圖(一)；
圖3.是本實(shí)用新型實(shí)施例1的陣列基板中ITO測試塊通過接觸孔與共通
電極連接的示意圖(二)；
圖4.是本實(shí)用新型實(shí)施例2的陣列基板中ITO測試塊通過接觸孔與共通
電極連接的示意圖(一)；
圖5.是本實(shí)用新型實(shí)施例2的陣列基板中ITO測試塊通過接觸孔與共通
電極連接的示意圖(二)，即圖4中A-A剖面圖。
圖中1.陣列基板外框 2.彩膜基板外框 3. IT0測試塊 4.封框膠 5.共通電極 6.接觸孔
7.玻璃電極 8.第一金屬層上方絕緣層和鈍化層
301. ITO測試塊的外側(cè)測量端 501.共通電極的外延端塊
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。實(shí)施例1
圖1、 2、 3示出了一種易測量的液晶顯示用TFT陣列基板，包括有設(shè)置 有柵極、源極和共通電極的第一金屬層、第一金屬層上的絕緣層和鈍化層8、 像素電極層以及封框膠4，像素電極上的電壓大小及通斷由與橫向掃描信號 線相連接的柵極、與縱向驅(qū)動信號線連接的源極信號控制。在絕緣層和鈍化 層8的上方的像素電極層還設(shè)置有IT0測試塊3,測試塊3通過接觸孔6和 共通電極5電連接，測試塊3的外側(cè)有暴露于封框膠4之外大小為lmmx lmm 的測量端301。
這樣在測量時(shí)，只要用測量用探針直接壓在IT0測試塊3的外側(cè)測量端 301上就可以簡便地測取各項(xiàng)數(shù)據(jù)。 實(shí)施例2
圖4、 5是本實(shí)用新型的另一種實(shí)施方式，其與實(shí)施例l的不同之處在 于設(shè)置于第一金屬層的共通電極5的邊緣設(shè)置有外圍大于封框膠外圍的外 延端塊501，在共通電極5的外延端塊501上方的絕緣層和鈍化層8刻蝕設(shè) 置有開口；在沉積ITO像素電極時(shí)，在開口內(nèi)同時(shí)設(shè)置有與共通電極直接電 連接的IT0測試塊3。
測量時(shí)，同樣只要用測量用探針直接壓在IT0測試塊3上就可以簡便地 測取各項(xiàng)數(shù)據(jù)。
權(quán)利要求1.一種易測量的液晶顯示用TFT陣列基板，包括共通電極、絕緣層和鈍化層、像素電極層和封框膠，其特征在于在所述的像素電極層還設(shè)置有ITO測試塊，測試塊和共通電極電連接，測試塊的外側(cè)測量端暴露于封框膠之外。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的易測量的液晶顯示用TFT陣列基板，其特征在于 所述的ITO測試塊設(shè)置于絕緣層和鈍化層的上方，測試塊通過接觸孔和共 通電極電連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的易測量的液晶顯示用TFT陣列基板，其特征在于 所述的共通電極設(shè)置有外圍大于封框膠外圍的外延端塊，在共通電極的外 延端塊上方的絕緣層和鈍化層刻蝕設(shè)置有開口，開口內(nèi)設(shè)置有與共通電極 電連接的ITO測試塊。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種易測量的液晶顯示用TFT陣列基板，包括共通電極、絕緣層和鈍化層、像素電極層和封框膠，在所述的像素電極層還設(shè)置有ITO測試塊，測試塊和共通電極電連接，測試塊的外側(cè)測量端暴露于封框膠之外。本實(shí)用新型的易測量的液晶顯示用TFT陣列基板由于在制造陣列基板時(shí)預(yù)先設(shè)置了與共通電極電連接的ITO測試塊，該ITO測試塊最外側(cè)暴露于封框膠之外，可以不需要拆解面板就能用探針觸碰到；這樣就大大簡化了測量所需的工序，也最大程度保證了基板的完整性、避免元件因此受損，大大提高了工作效率，也提高了成品率。
文檔編號G02F1/1362GK201145800SQ20082005457
公開日2008年11月5日 申請日期2008年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月9日
發(fā)明者楊海鵬 申請人:上海廣電光電子有限公司