專利名稱：基于互補(bǔ)mos晶體管的lcos像素單元電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于信息科學(xué)技術(shù)學(xué)科的微電子應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域；具體地說屬于硅基液晶顯示 器像素單元電路領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
基于單晶硅平面器件制造技術(shù)與液晶顯示(LCD， Liquid Crystal Display)技術(shù)相融 合，產(chǎn)生出硅基液晶顯示器，簡(jiǎn)稱硅基液晶(LCOS， Liquid Crystal on Silicon)顯示技 術(shù)，該顯示技術(shù)制造出一種新型的反射式LCD顯示器件，它首先在單晶硅片上運(yùn)用金 屬氧化物半導(dǎo)體(MOS， Metal Oxide Semiconductor)工藝制作LCOS驅(qū)動(dòng)硅基板，然 后鍍上表面光潔的金屬層當(dāng)作反射鏡，最后將LCOS驅(qū)動(dòng)硅基板與含有透明電極之上玻 璃基板貼合，并灌入液晶材料形成反射式液晶屏，通過調(diào)制LCOS驅(qū)動(dòng)硅基板上每個(gè)像 素電極對(duì)入射光的反射程度實(shí)現(xiàn)(灰度)圖像顯示。(Chris Chinnock."Microdisplays and Manufacturing Infrastructure Mature at SID2000"《Information Display》，2000年9， P18)。 通常，LCOS像素單元電路由1個(gè)N型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS， N-channel Metal Oxide Semiconductor)晶體管和1個(gè)電容器串聯(lián)構(gòu)成(R.Ishii, S.Katayama， H.Oka， S.yamazaki， S.lino "U. Efron, I. David, V. Sineln汰ov， B. Apter "A CMOS/LCOS Image Transceiver Chip for Smart Goggle Applications"《IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR VIDEO TECHNOLOGY》，14巻，第2期，2004年2 月，P269)，其中NMOS晶體管的柵極連接行掃描器尋址信號(hào)輸出端。但是，單個(gè)NMOS 晶體管在傳輸高電平時(shí)不僅存在閾值電壓損失，而且傳輸過程的瞬態(tài)特性也不理想(陳 貴燦等編著，《CMOS集成電路設(shè)計(jì)》，西安交通大學(xué)出版社，1999.9， PllO)。因此如 何減小晶體管的開態(tài)電阻，增大存貯電容器的單位電容值，是目前LCOS顯示技術(shù)的 重要研究課題。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種新的LCOS像素單元電路結(jié)構(gòu)，由互補(bǔ)MOS晶體管組成開態(tài) 電阻較小的開關(guān)控制功能部件，實(shí)現(xiàn)對(duì)平板型存貯電容器的低損耗傳輸電荷。 本實(shí)用新型發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的
基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，主要由1個(gè)NMOS晶體管(1)、 1個(gè)PMOS晶體管(2)、 1個(gè)平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、 NMOS 晶體管(2)形成電學(xué)并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學(xué)串聯(lián)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型把1個(gè)NMOS管和1個(gè)P 型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS， P-channel Metal Oxide Semiconductor)管并聯(lián)地組 合起來，充分利用了 NMOS管和.PMOS管互補(bǔ)的電學(xué)特性，可以得到一種開態(tài)電阻能 夠保持較低值的輸入信號(hào)控制開關(guān)，這種控制開關(guān)具備CMOS傳輸門的結(jié)構(gòu)特征及其 電學(xué)信號(hào)傳輸完整性的優(yōu)勢(shì)，其開關(guān)控制部分具有較小的開態(tài)電阻。


圖l是LCOS像素單元電路原理圖；其中1: PMOS晶體管，2: NMOS晶體管， 3:平板電容器，4: PMOS晶體的源極，5: PMOS晶體管的漏極，6: PMOS晶體管的 柵極，7: PMOS晶體管的背電極，8:平板電容器的上電極，9:平板電容器的下電極，
10: NMOS晶體管的漏極，11: NMOS晶體管的柵極，12: NMOS晶體管的源極，13: NMOS晶體管的背電極。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)作進(jìn)一步具體的說明
基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，主要由1個(gè)NMOS晶體管(1)、 1 個(gè)PMOS晶體管(2)、 1個(gè)平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、 NMOS 晶體管(2)形成電學(xué)并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學(xué)串聯(lián)。
所述的LCOS像素電路中，NMOS晶體管的柵極(ll)接行掃描器尋址信號(hào)輸出端。 所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的柵極(6)接行掃描器尋址信號(hào)的反相 信號(hào)輸出端。
所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的漏極(5)與NMOS晶體管的漏極(10) 相連接。
所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的源極(4)、 NMOS晶體管的源極(12)、 平板電容器的上電極(8)互相連接。
所述的LCOS像素電路中，平板電容器的下電極(9)接地。 所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的背電極(7)接高電位。 所述的ICOS像素電路中，NMOS晶體管的背電極(13)接地。
權(quán)利要求1.基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在于主要由1個(gè)NMOS晶體管(1)、1個(gè)PMOS晶體管(2)、1個(gè)平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、NMOS晶體管(2)形成電學(xué)并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學(xué)串聯(lián)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的NMOS晶體管的柵極(11)接行掃描器尋址信號(hào)輸出端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的PMOS晶體管的柵極(6)接行掃描器尋址信號(hào)的反相信號(hào)輸出端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的PMOS晶體管的漏極(5)與NMOS晶體管的漏極(10)相連接。
5. 根據(jù)權(quán)利蘿求l所述的基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的PMOS晶體管的源極(4)、 NMOS晶體管的源極(12)、平板電容器的上電 極(8)互相連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的平板電容器的下電極(9)接地。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的LCOS像素電路，其特征在于所述的PMOS晶體管的 背電極(7)接高電位。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于互補(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的NMOS晶體管的背電極(13)接地。
專利摘要本實(shí)用新型屬于硅基液晶顯示器像素單元電路領(lǐng)域?；诨パa(bǔ)MOS晶體管的LCOS像素單元電路，主要由1個(gè)NMOS晶體管(1)、1個(gè)PMOS晶體管(2)、1個(gè)平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、NMOS晶體管(2)形成電學(xué)并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學(xué)串聯(lián)。本實(shí)用新型充分利用了NMOS管和PMOS管互補(bǔ)的電學(xué)特性，可以得到1種開態(tài)電阻能夠保持較低值的輸入信號(hào)控制開關(guān)，這種控制開關(guān)具備CMOS傳輸門的結(jié)構(gòu)特征及其電學(xué)信號(hào)傳輸完整性的優(yōu)勢(shì)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK201159815SQ20082007404
公開日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2008年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月13日
發(fā)明者代永平, 義 范, 偉 范 申請(qǐng)人:天津力偉創(chuàng)科技有限公司