專利名稱：：顯影液以及制備微細加工材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及顯影液，以及使用該顯影液制造微細加工材料的方法。更具體的，本發(fā)明涉及一種用于顯影熱敏無機光刻膠(resisit)的顯影液，該顯影液利用過渡金屬氧化物的氧化/還原反應(yīng)或相轉(zhuǎn)移。
背景技術(shù)：
：已經(jīng)提出了利用無機光刻膠的方法作為實現(xiàn)高分辨率、角度可控的形狀圖樣的手段。已報到的方法包括使用電子束或離子束(參見，如日本專利公開號(JP-A)No.6-132188和JP-ANo.8-69960)、使用遠紫外光(參見，如JP-ANo.2004-172272)、使用激光(參見，如JapaneseJournalofAppliedPhysics,44，3574-3577,2005)等作為繪制(drawing)形狀圖樣的活化能量源。在使用激光作為繪制能量的方法中、報道了使用金屬氧化物作為無機光刻月交材料的方法(參見，例如，JP-ANo.2003-315988和JP-ANo.2004-152465)。因為這些無機光刻膠通過熱敏反應(yīng)形成潛在像，所以即使在用約405nm的可見激光進行曝光的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)圖樣小于點直徑(spotdiameter)的曝光。因此，作為一種有效的方法用于對Blu-rayDisc(注冊商標)或刻錄密度更大化的光盤的光盤母盤的加工(mastering)，該方法受到廣泛的關(guān)注。下面將描述用于光刻膠顯影的顯影液。除了照相膠片的顯影之外，在半導(dǎo)體制造或制版等中使用有機光刻膠顯影，通常是通過混有不同添加劑的堿性水溶液來進行顯影。上述顯影液與顯影產(chǎn)物間的化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致堿源的消耗，除此之外，其與空氣中的二氧化碳的反應(yīng)等也使其發(fā)生退化。當用新的顯影液替換長時間使用的堿源被消耗的顯影液時，如果全部替換顯影液，會在很大程度上改變顯影性質(zhì)如顯影速度或?qū)Ρ榷?。作為為了避免這種現(xiàn)象的常見方法是僅丟棄一半長時間使用的顯影液并用新的顯影液補充剩余部分的方法，或者向長時間使用的顯影液中加入高濃度的堿源以補充消耗掉的部分的方法。此外，還可以采用的方法是替換所有顯影液，然后重復(fù)預(yù)顯影步驟直到顯影性質(zhì)穩(wěn)定，以及使用已儲存過一段時間的顯影液。顯影速度受到顯影液pH值的影響大，并且一般而言，顯影速度隨著pH值的增加(堿度增加)而增加。在顯影黑白照片的情況下，調(diào)節(jié)顯影液的pH值以控制米吐爾(N-曱基-p-氨基苯酚半硫酸酯)、氫醌、菲尼酮(1-苯基-3-吡唑烷酮)等主要顯影劑的還原能力，并且堿的堿性越強，主要顯影劑的還原能力越強。已知將硼砂(四硼化鈉)、偏硼酸鈉或碳酸鈉等緩沖劑混入顯影液中時可以穩(wěn)定pH值，同時主要顯影劑解離使顯影液活化，從而產(chǎn)生了顯影促進作用。另一方面，溴化鉀的混合抑制了反應(yīng)，使顯影速度減小，同時曝光弱的部分的顯影受到抑制，產(chǎn)生了防止"灰霧(flogging)"的作用。關(guān)于用于制備半導(dǎo)體等的有機光刻膠，例如在正膠的情況下，通過用紫外線、電子束等照射聚合物光刻膠以切斷聚合物鏈，或者通過在聚合物鏈中生成酸性官能團如-COOH或-OH等，形成了潛在像，用堿性顯影液中和并溶解潛在像，實現(xiàn)成像。在負膠的情況下，在單體或低聚體因紫外線等的照射已經(jīng)聚合的部分和沒有發(fā)生聚合的部分之間，利用它們在堿性顯影液或酸性顯影液中溶解度的不同，實現(xiàn)成像。在pH值過高時這些有機光刻膠會在光刻膠溶解前脫離，而在pH值過低時光刻膠的溶解速率會降低。因此，為了使顯影液穩(wěn)定在一個合適的pH值，使用了加入緩沖劑的方法。對于緩沖劑的類型，已經(jīng)公開了，使用磷酸鹽的方法(參見，例如，JP-ANo.2005-300694)、使用硅酸鹽的方法(參見，例如，JP-ANo.2005-049542)、使用碳酸鹽的方法(參見，例如，US專利No.5853963和JP-ANo.02-002572)、使用二氧化碳氣體的方法(參見，例如，JP-ANo.2001-228628)等。堿性顯影液在與空氣接觸時會吸收二氧化碳氣體，這樣會消耗堿成分(二氧化碳疲勞(fatigue))。為了預(yù)防這個現(xiàn)象的發(fā)生，采用了向顯影液中混入碳酸鹽或碳酸氫鹽作為》咸成分或添加劑的方法(參見，例如，JP-ANo.2002-202616).關(guān)于光敏性平板印刷版的制版，已經(jīng)公開了一種通過在鋁基板上應(yīng)用有機光刻膠進行涂布的方法。據(jù)報道稱，硅酸鹽水溶液是高效的顯影液(參見，例如，JP-ANo.52-127338、JP-ANo.54-062004和日本專利申請公開(JP-B)No.57-007427)。據(jù)稱這是因為在通過顯影將光刻膠溶解和除去而使鋁基板進行曝光時，顯影液很難腐蝕該基板，并且可以通過調(diào)節(jié)金屬氧化物和氧化硅(硅酸鹽組分)的比例和濃度，調(diào)節(jié)顯影屬性到一定程度。此外，據(jù)報道，硅酸鹽在防止污染方面顯示出顯著的效果，其中這種污染是通過親水化基板上的凹形曝光部位而產(chǎn)生的，而該曝光部位為要顯影的部位(參見，例如，JP-ANo.08-160633,JP-ANo.11-065129，JP-ANo.2003-015318,JP畫ANo.2003-035960，JP-ANo.2003-043701，JP-ANo.2003-043702，JP畫ANo.2003-057847，JP-ANo.2003-057848，JP國ANo.2003-057849,JP畫ANo.2003-107743，JP-ANo.2003-270775和JP-ANo.2003-270776)。除此之外，作為縮短顯影時間的方法有賦予顯影液對聚合物光刻膠的親合性的方法。具體地，可以采用如下措施，如通過向顯影液中加入表面活性劑以增強光刻膠表面的潤濕性，或通過加入有機溶劑增強顯影液的光刻膠滲透性。
發(fā)明內(nèi)容對于制造光盤過程中的母盤壓模(masterstamper),通常這樣形成圖樣將有機光刻膠涂布于玻璃基板上，用激光等形成螺旋式潛在像，并顯影。在這種情況下，一般這樣操作市售的顯影設(shè)備，使得低功率激光從玻璃基板的背面照射出來并穿過基板，透射激光經(jīng)過有機光刻膠的表面不規(guī)則處時發(fā)生了散射，這個現(xiàn)象伴隨著顯影過程發(fā)生。此外，第一級散射光對零級未散射透射光的比率達到預(yù)設(shè)值的時間點作為終點。與此相對，無機光刻膠對可見光經(jīng)常是不透明的，所以會存在不能使用上述方法的情況。因此，對無機光刻膠的顯影常常采用這樣的方法事先測量達到每種光刻膠母盤的合適顯影狀態(tài)的時間，然后通過該顯影時間進行控制。其中，當用新顯影液全部替換長時間使用的、退化的顯影液時，最佳顯影時間和顯影得到的形狀在很大程度上會發(fā)生改變。特別地，在顯影時間發(fā)生較大程度改變的情況下，不僅必須要重設(shè)終點的控制值(managementvalue);而且當顯影液組成隨光刻膠的顯影相應(yīng)地發(fā)生變化時，也必須每次重設(shè)控制值。顯影液在使用一段時間后，才能得知顯影屬性逐漸穩(wěn)定，對于普通光刻膠顯影，常常采用的方法是重復(fù)預(yù)顯影過程，然后將無機光刻膠投入實際使用。然而，對于光盤的母盤壓模而言，由于光刻膠膜的厚度極其薄，薄至納米級，所以在顯影液因光刻膠的顯影而變得穩(wěn)定之前，需要多次的預(yù)顯影過程。因此，本發(fā)明的目的是提供一種顯影液，該顯影液在新鮮到長時間使用后的狀態(tài)下都能夠保持幾乎恒定的顯影速度，同時還能夠縮短顯影時間；以及提供一種使用該顯影液制造精細加工材料的方法。為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題而專門進行了研究，本發(fā)明是這些研究結(jié)果所得的發(fā)明。下面將描述本發(fā)明的要點。首先研究了，在4^性水溶液用作顯影液時，顯影液中含有的堿源之外的鹽類，顯著提高了顯影液溶解金屬氧化物的速度，其中金屬氧化物是無機光刻膠中的可溶組分。然后研究了鹽的種類和顯影屬性(如顯影速度或表面形狀)的關(guān)系，從而完成了本發(fā)明。W03、Mo03等是無機光刻膠中的可溶組分(酸部分)，如果將對W03、Mo03等起直接作用的化合物以溶解于堿性水溶液的狀態(tài)混合入顯影液中，顯影速度按混合量成比例的增加，直到混合到一定量后顯影速率緩慢地趨近(converge)某一顯影速度。該趨近值取決于所加入鹽的種類。通過單獨地或者以混合形式混入這些鹽，可以縮短顯影所需的時間，并控制顯影時間。因此，使顯影液在新鮮到長時間使用后的狀態(tài)下都能夠保持幾乎恒定的顯影速度成為可能。其中，在所添加的化合物為鹽時，堿部分可以與顯影液的堿源相同或不同。另一方面，當加入堿性水溶液中的化合物與石咸源有反應(yīng)性時，例如，如堿性弱于堿源的堿性化合物、酸性氧化物、兩性氧化物、兩性氫氧化物等化合物，在溶解的同時與顯影液的堿源反應(yīng)。因此，可以得到等價于在混合了鹽的堿部分與顯影液堿源相同物質(zhì)的情況下的效果。本發(fā)明的第一發(fā)明是顯影液，其含有i威性水溶液；和硅酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子和磷酸根離子中的至少一種陰離子。本發(fā)明的第二發(fā)明是含有堿性水溶液和顯影促進劑的顯影液，其中所述顯影促進劑是選自硅酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽中的至少一種。本發(fā)明的第三發(fā)明是一種制備精細加工材料的方法，所述方法包括曝光基體材料上的無機光刻膠層；和用顯影液對曝光后的無機光刻膠層進行顯影，其中，所述顯影液含有i成性水溶液；和7硅酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子和磷酸根離子中的至少一種陰離子。在第一和第三發(fā)明中，所述堿性水溶液優(yōu)選為四烴基氫氧化銨(tetraalkylammoniumhydroxide)的水溶液。jt匕夕卜，顯影'液優(yōu)選還含有選自4妄離子和有機銨離子中的至少一種作為陽離子，或者還含有堿金屬離子作為陽離子，或者還含有選自銨離子和有機銨離子中的至少一種以及^^金屬離子作為陽離子。在第一和第三發(fā)明中，當顯影無機光刻膠時，在堿性水溶液中所述陰離子反復(fù)作用于無機光刻膠。此外，當顯影無機光刻膠時，所述陰離子與無才幾光刻"交形成4建。在第一和第三發(fā)明中，當用酸進行滴定以確定滴加量與pH值之間關(guān)系的滴定曲線時，滴定曲線上通常呈現(xiàn)有^威性水溶液的中和點和源自陰離子的拐點。此外，優(yōu)選的是，將堿性水溶液的pH值設(shè)為高于滴定曲線上出現(xiàn)的中和點和拐點中的任一個pH值。此外，優(yōu)選的是，當用酸進行滴定以確定滴加量與導(dǎo)電率(conductivity)之間關(guān)系的滴定曲線時，滴定曲線上具有堿性水溶液中和點和源自陰離子的拐點間的最小區(qū)域。在第二發(fā)明中，所述鹽優(yōu)選為通過硅、硅化合物、碳化合物、硼化合物和磷化合物中的至少一種與堿性水溶液反應(yīng)制備的產(chǎn)物。此外，所述鹽優(yōu)選為通過堿性組分與酸性組分反應(yīng)制備的產(chǎn)物，其中作為堿性組分的是選自堿金屬化合物、銨化合物和堿性氧化物中的至少一種，作為酸性組分的是選自質(zhì)子酸、酸性氧化物、兩性氧化物和兩性氫氧化物中的至少一種。在第二發(fā)明中，優(yōu)選堿性水溶液堿源的陽離子和顯影促進劑的陽離子是相同種類物質(zhì)，特別優(yōu)選的是堿性水溶液堿源的陽離子和所述顯影促進劑的陽離子是銨離子或有機銨離子。在第三發(fā)明中，優(yōu)選在曝光之前還包括通過向堿性水溶液中添加硅酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽來制備顯影液的工序。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，顯影速度在新鮮到長時間使用的狀態(tài)下都能夠保持幾乎恒定，同時還能夠縮短顯影時間。圖1A至圖1C是解釋無機光刻膠反應(yīng)機理的示意圖；圖2是解釋無機光刻膠顯影機理的示意圖；圖3是解釋滴定顯影液時鹽酸滴加量與pH關(guān)系的圖；圖4A至圖4C是根據(jù)本發(fā)明的實施方式解釋光刻膠母盤制造方法的剖面示意圖5A至圖5C是根據(jù)本發(fā)明的實施方式解釋光刻膠母盤制造方法的剖面示意圖6A至圖6C是根據(jù)對比例1的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖7是對比例1中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖8A至圖8C是根據(jù)對比例2的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖9是對比例2中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖10A至圖10C是根據(jù)對比例3的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖11是對比例3中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖12A至圖12C是根據(jù)對比例4的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖13是對比例4中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖14A至圖14C是根據(jù)對比例5的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖15是對比例5中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖16A至圖16C是根據(jù)實施例1的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖17是實施例1中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖18是實施例2中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖19是圖18的局部放大圖20是實施例3中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖21是圖20的局部放大圖22A至圖22C是根據(jù)實施例4的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖23是實施例4中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖24是實施例4中使用含飽和添加劑的顯影液時，鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖25A至圖25C是根據(jù)實施例5的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖26是實施例5中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖27是實施例6中顯影促進劑的混合量與顯影時間的關(guān)系圖；圖28A至圖28C是根據(jù)實施例7的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖29是實施例7中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖30A至圖30C是根據(jù)實施例8的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖31是實施例8中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖32A至圖32C是根據(jù)實施例9的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖33是實施例9中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖34A至圖34C是根據(jù)實施例10的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖35是實施例10中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖36A至圖36C是根據(jù)實施例11的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖37是實施例11中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖38A至圖38C是根據(jù)實施例12的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖39是實施例12中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖40A至圖40C是才艮據(jù)實施例13的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖41是實施例13中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖42A至圖42C是根據(jù)實施例14的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖43是實施例14中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖44A至圖44C是根據(jù)實施例15的無才幾光刻月交母盤的AFM成像；圖45是實施例15中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖46A至圖46C是根據(jù)實施例16的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖47是實施例16中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖48是實施例17至實施例20中顯影促進劑的混合量和顯影時間的關(guān)系圖49是實施例21至實施例24中顯影促進劑的混合量和顯影時間的關(guān)系圖50是實施例25至實施例26中顯影促進劑的混合量和顯影時間的關(guān)系圖51A至圖51C是根據(jù)實施例27的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖52是實施例27中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖53A至圖53C是根據(jù)實施例28的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖54是實施例28中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖55A至圖55C是根據(jù)實施例29的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖56是實施例29中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖57A至圖57C是根據(jù)實施例30的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖58是實施例30中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖59A至圖59C是根據(jù)實施例31的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖60是實施例31中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖61A至圖61C是根據(jù)實施例32的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖62是實施例32中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖63A至圖63C是#4居實施例33的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖64是實施例33中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖65A至圖65C是#4居實施例34的無^/L光刻膠母盤的AFM成像；圖66是實施例34中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖67A至圖67C是根據(jù)實施例35的無機光刻膠母盤的AFM成像；圖68是實施例35中鹽酸滴加量與pH和導(dǎo)電率的關(guān)系圖；圖69是實施例36至實施例38中顯影促進劑的混合量和顯影時間的關(guān)系圖；和圖70是實施例39至實施例42中顯影促進劑的混合量和顯影時間的關(guān)系參考數(shù)字的描述1無才幾光刻月交2分子3還原體4a,4b氧化體5裂紋6膨脹11基板12底層13無機光刻膠層13a潛在像14曝光束15顯影液3L激光S表面具體實施例方式按下列順序描述本發(fā)明的實施方式。(1)第一實施方式(1-1)無機光刻膠(1-2)顯影液(1-3)無機光刻膠的反應(yīng)機理(1-4)無機光刻膠與顯影液的反應(yīng)(1-5)光刻膠母盤的制備方法(1-6)監(jiān)控顯影液的方法(2)第二實施方式(2-1)顯影液(2-2)無機光刻膠與顯影液的反應(yīng)(3)第三實施方式(3-1)顯影液(3-2)無機光刻膠與顯影液的反應(yīng)(1)第一實施方式(1-1)無機光刻月交首先描述本發(fā)明第一實施方式中所使用的無機光刻膠。在光刻方法中，已知無機光刻膠與有機光刻膠相比具有較好的熱穩(wěn)定性，此外，在使用無機光刻膠時容易得到顯著較高的y屬性。例如，不僅在使用紫外線，甚至在使用較細的聚合電子束、離子束等情況下，有機光刻膠，如聚苯乙烯(PS)、聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA)、聚曱基丙烯酸縮水甘油酯-氯苯乙烯共聚物(GMC)、聚(丁烯-l-石風)(PBS)以及苯甲醛酚醛清漆(novolac)等，在顯影后通常只能給出3或3以下的Y屬性。此外，Y=l/(log51-logSO)(其中SO為使光刻膠感光所需的最小曝光量；Sl為使光刻膠完全感光所需的曝光量)。這是因為有機光刻膠具有較大的分子量，導(dǎo)致曝光部分和未曝光部分之間的邊界變得不清晰。另一方面，由硫?qū)俨Ａ?、金屬氧化物等制成的無機光刻膠可給出大于4的y屬性，有時甚至可給出超過8的y屬性。因此，使用無機光刻膠能夠得到比使用有機光刻膠時更陡的圓錐角。就金屬氧化物而言，根據(jù)在基體材料上制備所需形狀的工藝，可以使用任何材料。作為具體的實例可以提及的有一氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(Ti02)、鈦酸鋇(BaTi03)、三氧化鎢(WOs)、二氧化鎢(WO》、一氧化鎢(WO)、三氧化鉬(Mo03)、二氧化鉬(Mo02)、一氧化鉬(MoO)、五氧化二釩(￥205)、四氧化二釩(V204)、三氧化二釩(V203)、氧化鉍(Bi20s)、氧化鈰(Ce02)、氧化銅(CuO)、五氧化二鈮(Nb205)、氧化銻(Sb203)、一氧化硅(SiO)、氧化釓(Gd203)、氧化鉭(Ta20s)、氧化釔(丫203)、氧化鎳(MO)、氧化釤(8111203)、氧化鐵(Fe203)、氧化錫(Sn02)、氧化鋁^1203)、二氧化硅(SiO。、氧化鉻(0"203)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(111203)、氧化鋯(Zr02)、氧化鎂(MgO)、硫酸鋇(BaS04)、硫酸鈣(CaS04)、碳酸鈣(CaC03)、硅酸鈣(CaSi20s)、碳酸鎂(MgC03)、碳酸鋰(Li2C03)、碳酸鈉(Na2C03)、碳酸鈷(CoC03)、碳酸鍶(SrC03)、碳酸鎳(Ni2C03)、堿式碳酸鉍((BiO)2C03)、磷酸鋁(A1P04)、磷酸一氫鋇(BaHP04)、磷酸鋰(Li3P04)、檸檬酸鋅(Zri3(C6H507)2)、硼酸鋅(211038203)、硼酸鋇(BaB407)、氧化鈾(11308)等。其中，無機光刻膠在活化能量射線如激光、電子束、離子束、氫等離子體、紫外線、可見光和紅外線等的作用下對于顯影液產(chǎn)生溶解度的差異(選擇比)，已知所述無機光刻膠含有下列元素作為金屬氧化物中的金屬元素鎢(W)、鉬(Mo)、釩(V)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈦(Ti)、釕(Ru)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鋁(A1)、鉈(T1)、硼(B)、鍺(Ge)、鈮(Nb)、硅(Si)、鈾(U)、碲(Te)、鉍(Bi)、鈷(Co)、鉻(Cr)、錫(Sn)、鋯(Zr)或錳(Mn)等。其中，鴒(W)、鉬(Mo)、釩(V)、鉈(Tl)和鐵(Fe)可以用作金屬元素，特別地，含有鎢(W)、鉬(Mo)和釩(V)的金屬氧化物適合作為無機光刻膠層使用?？梢杂糜谛纬蔁o機光刻膠層的成膜方法有干法；CVD法(化學(xué)氣相沉積一種利用化學(xué)反應(yīng)從氣相中沉積出薄膜的技術(shù))，如熱CVD(thermalCVD)、等離子體CVD(plasmaCVD)和光CVD(photoCVD)等；以及PVD方法(物理氣相沉積一種通過物理方法于真空中將蒸發(fā)物質(zhì)在基板上聚集形成薄膜的技術(shù))，如真空沉積、等離子體輔助沉積、濺射(sputtering)、以及離子噴鍍(ionplating)等。此外，可以用作涂布方法的濕法有刮條涂布法(barcoating)、3走涂(spincoating)和絲網(wǎng)印刷(screenprinting)等,以及LB(LangmuirBlodgett)方法、化學(xué)沉積、陽極氧化、電解沉積等。此外，氧(O)對金屬元素的組成比不必須是化學(xué)計量的，而且金屬元素可以采用高至最大氧化數(shù)范圍內(nèi)的任何值。例如，在氧化鴒的情況下，wox可以采用0<x^3范圍內(nèi)的任何x值。調(diào)節(jié)構(gòu)成了作為無機光刻膠使用的金屬氧化物的氧含量的方法，可以根據(jù)各種成膜方法適當?shù)剡x擇。例如，在使用賊射方法形成膜時，可以使用諸如下列的方法通過使用含氧氣體反應(yīng)性濺射不含氧的金屬靶而形成膜的方法；通過用惰性氣體濺射氧含量受控的金屬氧化物靶而形成膜的方法等。(1-2)顯影液下面將描述用于顯影上述無機光刻膠的顯影液。根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的顯影液是通過如下方法得到的向堿性水溶液中加入與該-喊性水溶液有反應(yīng)性的元素和/或化合物，在系統(tǒng)中生成一種具有顯影促進作用的鹽(顯影促進劑)，必要時通過過濾等方法除去殘余物，從而得到顯影液。將在下文中依次介紹顯影促進劑和堿性水溶液。(顯影促進劑)進作用，例如與堿性水溶液直接反應(yīng)的元素的實例，包括兩性元素，如鋁(A1)、鋅(Zn)、錫(Sn)和鉛(Pb)等，或硅(Si)等。在堿性水溶液作為酸反應(yīng)的化合物的實例包括弱堿性化合物、酸性氧化物、兩性氧化物、兩性氬氧化物、兩性電解質(zhì)等。所述弱堿性化合物是指溶于水溶液后為堿性、但能與氬氧化物等強堿反應(yīng)的化合物，可以提到，例如碳酸氫銨((NH4)HC03)、碳酸氫四曱基銨([(CH3)4N]HC03)、碳酸氫四乙基銨([(C2H5)4N]HC03)、碳酸氫四丙基銨([(C3H7)4N]HC03)、碳酸氫鋰(LiHC03)、碳酸氫鈉(NaHC03)、碳酸氫鉀(KHC03)、亞磷酸氫鈉(NaHPH03)、磷酸氫二鈉(Na2HP04)、磷酸二氫鈉(NaH2P04)、磷酸氫二鉀(K2HP04)、磷酸二氫鉀(認204)、磷酸氬二銨((NH4)2HP04)、磷酸二氫銨(NH4H2P04)、磷酸氫鋰銨((NH4)LiHP04)、磷酸氫鈉銨((NH4)NaHP04)、磷酸氫鉀銨((NH4)KHP04)、磷酸二氫二乙基銨(C4H,N'H2P04)、磷酸二氫四丁基銨([CH3(CH2)3]4NH2P04]、次磷酸銨14(NH4PH202)、次磷酸鈉(NaPH202)等。作為酸性氧化物，例如可以提到二氧化碳(C02)、二氧化硅(Si02)、氧化鉻(VI)(Cr03)，氧化磷(V)(P205)、氧化硼(8203)、氧化鎵(III)(Ga203)、二氧化硫(S02)、三氧化硫(S03)、二氧化氮(N02)、三氧化氮(N03)、三氧化鎢(W03)、三氧化錳(Mn03)、五氧化二釩(V20s)、五氧化二釩(>204)、氧化鍺(Ge02)、硼酸(H3B03)、磷酸(H3P04)、亞磷酸(11303)、次磷酸(11302)等。作為兩性氧化物，例如可以提到氧化鋁(八1203)、氧化砷(As203)，氧化鋅(ZnO)、氧化鉛(PbO)、氧化錫(SnO)、氧化鉻(III)(0203)等。作為兩性氫氧化物，例如可以提到氫氧化鋁(Al(OH)3)、氫氧化鋅(Zn(OH)2)、氫氧化錫(Sn(OH)2)、氫氧化鉛(Pb(OH)2)等。作為兩性電解質(zhì)，可以提到的是同時具有堿性基團(-腿2)和酸性基團(-COOH)的那些化合物，如氨基酸。通過將這些元素或化合物溶解于堿性水溶液中，或通過〗吏這些元素或化合物與堿性水溶液反應(yīng)得到了一種溶液，當用酸滴定所得溶液時，在許多情況下，會出現(xiàn)中和點，其與堿源的中和點不同。這些溶液通常起到酸的緩沖劑的作用，并且在滴定曲線(pH)上，顯影促進劑與酸的中和點常常表現(xiàn)為伴隨平緩(gentle)曲線的拐點。如下文所述，這些添加劑，或者添加劑與堿源的反應(yīng)產(chǎn)物，被認為對W03或Mo03等具有強烈的親和力，而W03或Mo03等為無才幾光刻月交物質(zhì)的可溶組分，因為所述添加劑或反應(yīng)產(chǎn)物在顯影液中對無機光刻膠的可溶組分的溶解度具有增強作用，所以推測這些添加劑或反應(yīng)產(chǎn)物起到顯影促進劑的作用?？梢愿鶕?jù)所需的顯影速度，適當?shù)卣{(diào)節(jié)和確定混合入顯影液中用作顯影促進劑的這些元素或化合物的合適量。此外，這些元素或化合物可以單獨使用，或者也可以將兩種或多種物質(zhì)混合使用。其中，甚至這些與堿性水溶液反應(yīng)的元素至其完全溶解到發(fā)生反應(yīng)也常常會需要一些時間。此外，酸性氧化物、兩性氧化物和兩性氫氧化物在堿性水溶液中的溶解度不必須是高的。因此，在使用這些元素或化合物作為顯影促進劑時，可以通過加速溶解的方法來縮短制備顯影液的時間，所述方法如加熱或超聲波照射等方法，除此之外，還可以用如下的方法加入過量的量，使混合物靜置一定時間，并在使用前用過濾等方法除去溶解后仍剩余的部分。此外，還可以使用的方法將添加劑溶解在i咸性水溶液提前制備出液體，然后向這種液體中加入新鮮的堿性水溶液以稀釋該液體。(;威性水;容液)對所述堿性水溶液沒有特別限制，可以使用任何溶于水的堿。對于起到堿源作用的堿性化合物的類型，可以使用的無機堿性化合物有氫氧化鋰、氫氧化鈉(NaOH),氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、磷酸鋰(1^304)、磷酸三鈉(Na3P04)、磷酸氫二鈉(Na2HP04)、磷酸二氫鈉(NaH2P04)、磷酸三鉀(K3P04)、磷酸氫二鉀(K2HP04)、磷酸二氫鉀(KH2P04)、磷酸三銨((NH4)3P04)、磷酸氫二銨((NH4)2HP04)、磷酸二氪銨(,41€204)、磷酸氫鋰銨((NH4)2HP04)、磷酸氫鈉銨((NH4)NaHP04)、磷酸氫鉀銨((NH4)KHP04)、碳酸鈉(Na2C03)、碳酸氫鈉(NaHC03)、碳酸鉀(&0:03)、碳酸氫鉀(KHC03)、碳酸銨((NH4)2C03)、碳酸氫銨((NH4)HC03)、硼酸鈉^328407)、硼酸鉀(K2B407)、硼酸銨((NH4)2B407)、硅酸鈉(Na2Si03)、硅酸鉀(K2Si03)、硅酸銨((NH4)2Si03)、硅酸四曱基銨([(CH3)4N]2Si03)、硅酸四乙基銨([(C2H5)4N]2Si03)、硅酸四丙基銨([(C3H7)4N]2Si03)、硅酸四丁基銨([(C4H9)4N]2Si03)和氨水(NH40H)等；以及有機堿金屬化合物，如一曱基胺(CH3NH2)、二曱基胺((CH3)2NH)、三曱基胺((CH3)3N)、一乙基胺(0必5,2)、二乙基胺((C2Hs)2NH)、三乙基胺((C2Hs)3N)、一異丙基胺((33117,2)、二異丙基胺((C3H7)2NH)、三異丙基胺((C3H7)3N)、正丁基胺(C4H9NH2)、一乙醇胺(NH2(C2H4OH))、二乙醇胺(NH(C2H40H)2)、三乙醇胺(N(C2HUOH)3)、一異丙醇胺(NH2(C3H7OH))、二異丙醇胺(NH(C3H7OH)2)、四甲基氫氧化銨((CH3)4NOH)、氫氧化四乙基銨((C2H5)4NOH)、氫氧化四丙基銨((C3H7)4NOH)、氫氧化四丁基銨((C4H9)4NOH)和膽堿((CH3)3N(OH)CH2CH20H)等。它們可以單獨使用，也可以以兩種或多種物質(zhì)的混合物使用。對堿的濃度也沒有特別限制，但是當用酸滴定已加入顯影促進劑的顯影液時，顯影液需要具有高于所有顯影促進劑中和點的pH值。一般而言，優(yōu)選調(diào)節(jié)堿源的濃度至pH為10或更高，更優(yōu)選至pH為12或更高。關(guān)于溶解有石咸源的堿性水溶液，如果使用的是沒有混合顯影促進劑的溶液，其顯影時間會長至一定程度，則通過顯影促進劑調(diào)節(jié)顯影時間的范圍就會擴大，這樣將顯影時間調(diào)節(jié)為所需時間就變得容易，容易確保顯影時間的邊緣(margin)。在這一點上，作為堿源優(yōu)選使用水可溶的銨化合物如四曱基氫氧化銨、氨水、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丁基銨和氫氧化四正丙基銨等。一般而言，對于有機光刻膠，當pH值升高時，向光刻膠中的滲透能力會變得過強，因此有機光刻膠常會導(dǎo)致如剝離(detachment)等問題。然而，無機光刻膠如穿透膜一樣的滲透危險較小。因此，可以使用高pH值的顯影液，這樣就會延長顯影液的使用壽命。其中，由于顯影而溶解的無機光刻膠的金屬氧化物部分，如wo3,在堿性水溶液中溶劑化。對于溶劑化物的形式，作為穩(wěn)定化合物，如磷鎢酸鈉.n水合物(Na3P04.12W03'nH20，)、磷鴒酸銨'n水合物(2(NH4)3P04.12W03.nH20),鴒酸銨.五水合物(5(NH4)20.12\￥03.51120)和鴒(VI)酸鈉.二水合物(Na2W(V2H20)等的結(jié)構(gòu)已知，由此可以認為當堿源直接作用于無機光刻膠中的可溶組分(酸組分)如W03等并水合時，進行了顯影。顯影液可以與合適的表面活性劑、有機溶劑、消泡劑等混合使用，以提高無機光刻膠的潤濕性或者用于消泡等。對顯影液的溫度無特別限制，但是為了調(diào)節(jié)薄膜的溶解速度，可以適當調(diào)節(jié)溫度。(1-3)無機光刻膠的反應(yīng)機理下面將解釋推測的無機光刻膠的反應(yīng)機理。在使用金屬氧化物作為熱敏無機光刻膠的情況下，認為光刻膠膜受激光照射的位置上發(fā)生局部熱膨脹、在構(gòu)成無機光刻膠的分子之間氧發(fā)生再分布(氧化/還原反應(yīng))以及同時發(fā)生金屬氧化物的分解釋放出氧氣。此外，由于短時間且局部劇烈加熱所造成的快速分子振動的增加，在激光照射處就會發(fā)生瞬間體積膨脹和化學(xué)反應(yīng)，并產(chǎn)生微細的裂紋。下面參照圖1描述推測的無機光刻膠的反應(yīng)機理。當無機光刻膠1受到激光L的照射時(參見圖1A)，在由激光L的照射劇烈加熱的分子2(例如無定形WOl5)中，一些分子會釋放出氧而成為還原體3(例如無定形WO)，同時一些分子接受上述的氧成為氧化體4a(例如無定形W03)或氧化體4b(例如，晶態(tài)W03)(參見圖1B)。在用作無才幾光刻M^的金屬氧化物中，如氧化鎢(WOx，O<x^3)或氧化鉬(MoOx,0<x^3)等，氧化態(tài)高(即x大)的化合物具有高的堿溶性，而氧化態(tài)低(即x小)的化合物具有低的堿溶性。因此，在激光照射的部位，氧化部分具有增大的堿溶性而還原部分具有減小的堿溶性。同樣地，當氧化產(chǎn)物和還原產(chǎn)物同時存在的混合物通過堿性顯影而進行顯影處理時，氧化產(chǎn)物溶解，而分散于其中還原產(chǎn)物也一起被脫除(參見圖1C)。因此，可以認為發(fā)生氧化/還原反應(yīng)的所有位置上都被顯影，并形成形狀圖樣。此外，在氧化/還原反應(yīng)時，還原體3的體積與初始分子相比減小，而氧化體4a和4b的體積增加。對此，以金屬氧化物的比重為例，晶態(tài)W30:14.7g/cm3，晶態(tài)W02:10.8g/cm3，晶態(tài)W03:7.2g/cm3,無定形W03:6.8g/cm3，晶態(tài)Mo02:6.5g/cm3,以及晶態(tài)Mo03:4.7g/cm3，因此，比重隨氧化的發(fā)展而減少(體積增加)。同時，當利用激光照射來加熱成膜后的無定形金屬氧化物層時，在以激光照射的部位為中心，生成大量的晶態(tài)顆粒。這里，當比較無定形顆粒和晶態(tài)顆粒的堿溶性時，在化合物為相同氧化態(tài)如同為W03的情況下，不形成晶格網(wǎng)絡(luò)的部分(即無定形顆粒)以比晶體更短的時間溶解于堿中。相反，在用負膠型光刻膠形成圖樣時，可以利用這個性質(zhì)。這種體積的增加和減少以及晶態(tài)顆粒的產(chǎn)生，且在短時間內(nèi)同時發(fā)生，被認為是裂紋產(chǎn)生的原因。此外，金屬氧化物受強熱分解釋放出氧氣也被認為導(dǎo)致裂紋5的擴大或，在晶體內(nèi)產(chǎn)生空隙(voids)。這里，對于諸如氧化鴒(WOx,0〈x^3)或氧化鉬(MoOx,0〈x^3)等這樣的金屬氧化物，氧化態(tài)較高的化合物(如，x為2或更大)被認為其因激光照射而加熱所生成的氧氣的比例也升高，這被認為導(dǎo)致了裂紋5的擴大或晶體間空隙的產(chǎn)生，并因此誘使體積膨脹(圖lb，膨脹6)。因此，顯影后得到的形狀圖樣的邊緣部分的膨脹(圖1C,膨脹6)也變得更大。相反，具有較低氧化態(tài)(如x小于2)的化合物被認為氧氣的產(chǎn)生量較小。因此，激光照射的部位的體積膨脹也減小，顯影后得到的形狀圖樣的邊緣部分的膨脹(圖1C，膨脹6)也變得更小。此外，所形成的裂紋5或晶體間空隙被認為對增強顯影液滲透入內(nèi)部有貢獻。因此，所使用的高氧化態(tài)金屬氧化物越多，對堿溶性的增強越大。此外，金屬氧化物在基體表面形成無機光刻膠層的情況下，優(yōu)選在基體材料上形成相應(yīng)的底層(foundationlayer)用于儲存熱(即儲熱層)，然后在上面形成無機光刻膠層。這是因為可增加曝光敏感度。(1-4)無機光刻膠與顯影液的反應(yīng)下面描述推測的無機光刻膠材料與顯影液之間的反應(yīng)。無機光刻膠對應(yīng)于低分子量并為無定形或晶態(tài)形式的無機化合物。因此，在顯影無機光刻膠時，主要過程為這些無機光刻膠分子和顯影液的堿性成分反應(yīng)這樣較簡單的中和反應(yīng)。因此，可以通過向顯影液中加入具有反應(yīng)促進作用或催化作用的化合物等以縮短顯影時間。盡管向堿性水溶液中加入化合物以促進反應(yīng)的機理還不明了，但是推測^L理大致如下文所述。向堿性水溶液中加入的化合物與堿源反應(yīng)并形成鹽。例如，當硅(Si)、二氧化碳(C02)和碳酸氬四曱基銨([(CH3)4N]HC03)溶于四曱基氫氧化銨((CH3)4N.OH)的水溶液時，它們分別通過如下反應(yīng)形成鹽，如硅酸四甲基銨([(CH3)4N]20Si02)和碳酸四甲基銨([(CH3)4N]2'C03)等。Si+2(CH3)4N*OH+H204[(CH3)4N]20.Si02+H2個C02+2(CH3)4N.〇H4[(CH3)4N]2C03+H20HC03+(CH3)4N'OH—[(CH3)4N]2C03+H20在下文中，將參考圖2，以在四曱基氫氧化銨的水溶液中生成的硅酸四曱基銨為例，描述推測的無機光刻膠的顯影機理。在圖2中，省略了對水分子的描述。此外，在圖2中，"TMA，，表示(CH3)4N。硅酸四曱基銨被認為在顯影溶液中與酸性物質(zhì)(W03)形成了一種中間體，該酸性物質(zhì)是由于無機光刻膠的潛在像的形成在無機光刻膠中生成的。中間體作為水溶性的穩(wěn)定化合物，如和硅鴒酸(Si(V12W(V26H20)或鵠(VI)酸鈉二水合物(Na2WOr2H20)的結(jié)構(gòu)一樣存在，因而認為中間體在W03與Si02之間、在W03與(CH3)4N'OH或(CH3)4N.ON(CH3)4之間也形成了鍵。隨后，該中間體發(fā)生水合從顯影液中滲出。進一步，所述溶劑化物將wo3輸送至顯影液中的堿源，即四曱基氫氧化銨((CH3)4N.OH)，使其與Si02分離，Si02就能夠再次與無機光刻膠中的W03形成中間體。推測從無機光刻膠滲出的W03在溶劑中溶劑化成如[(CH3)4N]20WOs的形式。因而推測所加入的鹽反復(fù)用作將W03從無機光刻膠輸送至顯影液中堿源的媒介，而且?guī)缀鯖]有消耗。也就是說，推測此處的機理為SK)2起到一種催化劑的作用。當顯影促進劑是碳酸四曱基銨時，C02起到催化劑的作用?？梢哉J為在這樣的^/L理中，就如同在傳統(tǒng)方法的情況下，通過用新的顯影液或石咸補充消摔毛的顯影液，以保持了恒定的顯影速度。因此，當將具有催化作用的化合物混入顯影液作為顯影促進劑，并將顯影時間從開始就設(shè)置為恒定時，顯影液會一直保持一個穩(wěn)定的顯影速度。當用酸如鹽酸等滴定含有顯影促進劑的顯影液時，在多數(shù)情況下，顯影促進劑和酸的中和點在滴定曲線(pH)上作為伴隨平緩曲線的拐點出現(xiàn)。認為在該區(qū)域內(nèi)，顯影促進劑起一種對酸的緩沖劑的作用，同時進行中和反應(yīng)。如果制備的顯影液的pH值高于顯影液堿源的中和點和顯影促進劑的所有中和點，則顯影促進劑會對無機光刻膠中激光照射處產(chǎn)生的酸成分如W03等起到作用。因此，需要使顯影液的pH值高于顯影液中堿源的中和點和顯影促進劑的所有中和點。圖3為用稀鹽酸滴定顯影液的滴定曲線(pH)，其中所述顯影液是通過將碳酸四曱基銨溶于四甲基氫氧化銨中得到的。在滴定曲線(pH)上的各區(qū)域分別發(fā)生的反應(yīng)推測如下。至第一拐點3COH+HC1—[(CH3)4N]2C03+[(CH3)4N]C1+H20第一至第二拐點2C03+HC1—(CH3)4NHC03+[(CH3)4N]C1第二至第三拐點(CH3)4NHC03+HC1—[(CH3)4N]C1+H20+C02對于顯影液堿源而言起酸作用的物質(zhì)，與堿源反應(yīng)形成溶劑化物，并證實在堿性區(qū)域具有緩沖作用，這樣的物質(zhì)也可作為顯影促進劑。例如，W03，同時也是無機光刻膠中可溶組分，被認為在顯影液(CH3)4N'OH水溶液中處于溶劑化狀態(tài)，形成了如[(CH3)4N]20W03TlH20的結(jié)構(gòu)。當用鹽酸滴定W03溶于(CH3)4N，OH水溶液所得到的產(chǎn)物時，伴隨平緩曲線的拐點出現(xiàn)于pHll附近，此外，(CH3)4N*OH的中和點位于pH7附近。這表示了顯影促進劑和堿源的反應(yīng)物與鹽酸的中和反應(yīng)的終點。與[(CH3)4N]2OSi02或[(CH3)4N]2OC03的情況類似，推測如[(CH3)4N]20W(VnH20—樣的溶劑化物自身作用于無機光刻膠中的酸性物質(zhì)W03。同樣地，起顯影促進劑作用的溶劑化物被認為重復(fù)這樣一個循環(huán)捕集無機光刻膠中的W03并將其洗脫入顯影液中，然后將W03輸送至顯影液的堿源。當重復(fù)顯影^使用WOX(0〈x^3)作為無機光刻膠的母盤時，出現(xiàn)了顯影速度持續(xù)增加的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象被認為可能是\￥03作為自體催化劑(autocatalyst)的結(jié)果。20因此，如果在堿性水溶液中形成反應(yīng)產(chǎn)物或配位產(chǎn)物的元素或化合物能夠在堿性區(qū)域起到pH緩沖作用的話，該元素或化合物就可以用作顯影促進劑。通過加入這種元素或化合物所形成的顯影液，在用酸滴定時，在其滴定曲線(pH)上表現(xiàn)出酸與添加劑的中和反應(yīng)的區(qū)域。這常常在滴定曲線(pH)上呈現(xiàn)為伴隨平緩曲線的拐點，并常常在滴定曲線(導(dǎo)電率)上呈現(xiàn)為最小值。換句話說，一種鹽或其他類似物是否可以用作顯影促進劑在實際進行顯影前是可以預(yù)測的，通過判斷滴定后堿性區(qū)域是否出現(xiàn)如上所述的區(qū)域來證實。(1-5)光刻膠母盤(resistmaster)的制備方法下面，參考圖4和圖5，通過使用上述的無機光刻膠和顯影液，描述光刻膠母盤的制備方法的一個實施例。該制備母盤(master)的方法適合作為高密度光盤如Blu-rayDisc(注冊商標)等的母盤的制備方法。此外，該制備母盤的方法不是意在限制光盤類型，而是能用于制備只讀型、數(shù)據(jù)追加型(dataaddition)和可再寫型中任何一種的母盤。向堿性水溶液中混合一定量的顯影促進劑，該混合量已被證實為能夠獲得穩(wěn)定的顯影性質(zhì)。如圖4A所示，制備得到平滑基板ll(如由硅等制成)。然后，根據(jù)需要，例如通過濺射方法，在基板11上形成底層12,如圖4B所示。對于構(gòu)成底層12的物質(zhì)，可以提到例如硫化鋅和二氧化硅的混合物(ZnS-Si02混合物)、五氧化二鉭(Ta20s)、二氧化鈦(Ti02)、無定形硅(a-Si)、二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)等，出于良好的曝光敏感度，優(yōu)選具有高儲熱能力的物質(zhì)，如ZnS-Si02混合物、五氧化二鉭(丁3205)、二氧化鈥(7102)、二氧化硅(SiO》等。在ZnS-Si02混合物構(gòu)成底層12的情況下，好u化鋅(ZnS)的含量選自例如70mol%~100mol。/。的范圍，二氧化硅(Si02)的含量選自例如0mol%~30mol0/0的范圍。接著，例如通過濺射方法，在底層12上形成無才幾光刻膠層13，如圖4C所示?？梢匀我庠O(shè)置基板11上形成的無機光刻膠層13的厚度，但是需要將該值設(shè)置為可以得到所需凹陷(pit)或凹槽(groove)深度的值。例如，在Blu-rayDisc(注冊商標)的情況下，無才幾光刻爿交層13的厚度優(yōu)選在15nm~80nm的范圍內(nèi)，在DVD-RW(DigitalVersatileDisc-ReWritable)的情況下，厚度優(yōu)選為20nm90nm。接著，通過旋轉(zhuǎn)基板11同時用曝光束14照射無機光刻膠層13,以曝光無機光刻膠層13的整個表面，如圖5A所示。由此，對應(yīng)于所需光盤的平臺(land)和凹槽或凹陷等的潛在像13a就形成于無機光刻膠層13的整個表面上。接著，通過在旋轉(zhuǎn)基板11時滴加顯影液15至無才幾光刻膠層13上，對無機光刻膠層13進行顯影，如圖5B所示。由此，在無機光刻膠層13上形成了螺旋式或同心環(huán)式的細微的凹凸圖樣，如圖5C所示。由此得到了所需的光刻膠母盤。如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實施方式，在顯影液中通過與堿性水溶液的反應(yīng)，制備可以加速無機光刻膠的酸成分洗脫的鹽，與不含該鹽的顯影液相比，顯影時間大大縮短。同樣地，通過調(diào)節(jié)混合量，可以從新鮮顯影液的狀態(tài)開始，始終保持相同的顯影性質(zhì)。(1-6)顯影液的監(jiān)控方法可以通過用酸如鹽酸等進行滴定，肉眼鑒別出顯影液中的殘余堿量、顯影促進劑的存在或缺失、二氧化碳氣體的吸收度、硅晶片(sukucibwafer)的溶解度等。當用酸如鹽酸等滴定含有顯影促進劑的顯影液時，如果得到以pH為指標(index)的滴定曲線，則多數(shù)情況下會得到伴隨平緩曲線的拐點。然而，因為pH值是對數(shù)標準，變化的差異很可能被模糊。與此相反，如果使用導(dǎo)電率作為指標得到了滴定曲線，因為在pH拐點部分得到最小值，在顯影促進劑的多個拐點之間的部分，滴定曲線(導(dǎo)電率)形成明確的最小區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，調(diào)節(jié)顯影液的pH值，使其高于顯影液44源的中和點和顯影促進劑的所有中和點的值。因此，第一拐點出現(xiàn)在滴定曲線(pH)上的時間取作得到穩(wěn)定顯影條件所需的顯影液使用壽命。在監(jiān)控實際使用的顯影液的退化度時，僅通過測量導(dǎo)電率，得到指標就可以了，無需取樣液體和進4亍滴定。下面將描述使用導(dǎo)電率作為指標的顯影液監(jiān)控方法。首先說明監(jiān)控顯影液時所用設(shè)備的構(gòu)成。監(jiān)控設(shè)備包括測量單元，用以測量顯影液導(dǎo)電率的；記憶單元，用來儲存被判定為接近壽命終點的顯影液的導(dǎo)電率數(shù)值，或者儲存導(dǎo)電率變化的微分值(絕對值)；壽命判定單元，通過比較測量單元的測量值和記憶單元的儲存值以確定顯影液是否到達壽命終點。此外，在監(jiān)控顯影液之前，事先進行下列處理。首先，事先測量顯影液的導(dǎo)電率數(shù)據(jù)。然后，基于這些數(shù)據(jù)，確定表示顯影液壽命的導(dǎo)電率值或?qū)щ娐首兓奈⒎种?絕對值)，并且將該值存儲于監(jiān)控設(shè)備的記憶單元。接下來說明使用上述監(jiān)控設(shè)備監(jiān)控顯影液的方法。首先，監(jiān)控設(shè)備測量了顯影無機光刻膠時所用顯影液的導(dǎo)電率。接著，監(jiān)控設(shè)備比較導(dǎo)電率的測量值或?qū)щ娐首兓奈⒎种?絕對值)與記憶單元中的存儲值，并確定導(dǎo)電率的測量值或?qū)щ娐首兓奈⒎种?絕對值)是等于還是小于記憶單元中事先存儲的值。在導(dǎo)電率的測量值或?qū)щ娐首兓奈⒎种?絕對值)等于或小于記憶單元中事先存儲的值的情況下，會在顯示設(shè)備上向用戶顯示提示顯影液已經(jīng)抵達壽命終點的圖片。還可以，通過聲音輸出單元向用戶給出提示顯影液已經(jīng)抵達壽命終點的聲音。另一方面，如果確定測量導(dǎo)電率大于記憶單元中事先存儲的導(dǎo)電率值或?qū)щ娐首兓奈⒎种?絕對值)，則再次重復(fù)測量導(dǎo)電率，并重復(fù)上述比較和判定過程。(2)第二實施方式本發(fā)明第二實施方式的顯影液是通過向堿性水溶液中加入顯影促進劑，或通過向水中加入兼起堿源作用的顯影促進劑而得到的。因為該實施方式與上述第一實施方式類似，因此除了顯影液以及無機光刻膠與顯影液反應(yīng)這兩部分之外，省略進一步的解釋。(2-1)顯影液(顯影促進劑)對于添加作為顯影促進劑的鹽，可以使用能與酸性物質(zhì)形成中間體的化合物，該酸性物質(zhì)是來自無機光刻膠的可溶組分，一般而言，可以使用弱酸和強堿形成的對于顯影促進劑，例如可以使用下文所示的鹽。對于硅酸鹽而言，例如，可以提到的有硅酸鋰(Li2Si03)、硅酸鉀(K2Si03)、硅酸鈉(Na2Si03)、硅酸銨((NH4)2Si03)、硅酸四曱基銨([(CH3)4N]2Si03)、硅酸四乙基銨([(C2H5)4N]2Si03)、硅酸四丙基銨([(C3H7)4N]2Si03)，等。這里，硅酸鈉的分子式具體表示為Na20.nSi02.xH20，n值為摩爾比，而重量比由(Si(VNa2O)xl.0315表示。n-0.54的產(chǎn)品是可以市購的，且他們分為n=0.5(原硅酸鈉(sodiumorthosilicate))，n=1(石圭酸鈉)，11=2(1號硅酸鈉)，11=2.5(2號硅酸鈉)，11=3(3號硅酸鈉)，n=4(4號硅酸鈉)。然而，n值可以連續(xù)變化。對于碳酸鹽，例如，可以提到的是碳酸四曱基銨([(CH3)4N]2C03)、碳酸四乙基銨([(C2H5)4N]2C03)、碳酸四丙基銨([(C3H7)4N]2C03)、碳酸銨((NH4)2C03)、碳酸鉀(K2C03)、碳酸鈉(Na2C03)、碳酸鋰(Li2C03)等。對于硼酸鹽，例如，五硼酸銨((麗4)20.58203)、四硼酸銨((NH4)2.B407)、四硼酸鉀(K2B407)、四硼酸鈉(Na2B40)、四硼酸二鈉(Na2B40)、硼酸鋰(Li2B407)、四苯基硼酸鈉(NaB(C6H5)4)、硼酸銨((NH4)2B407)、硼酸鉀(K2B407)、硼酸三乙醇胺(C6HuN03B)、硼酸鈉(Na2B407)、硼酸鋰(1^28407)，等。對于磷酸鹽，例如，可以提及的是磷鎢酸銨(2(NH4)3PCV24W03)、12-鎢(IV)磷酸(H3(PW1204()))、鎢磷酸鈉(Na3(P04.12W03))、三聚磷酸鈉(Na5P301())、焦磷酸鈉(Na4P20》、焦磷酸(11^207)、焦磷酸鉀(1^^207)、焦磷酸四鈉(Na4P20》、焦磷酸鈉(Na4P20》、偏磷酸鉀((KP03)n)、偏磷酸鈉((NaP03)n)、磷酸鋰(Li3P04)、磷酸三鈉(Na3P04)、磷酸三鉀(Ka3P04)、磷酸三銨((NH4)3P04)等?？梢愿鶕?jù)所需的顯影速度進行適當?shù)恼{(diào)節(jié)和確定，向顯影液中混合作為顯影促進劑使用的鹽的混合量。這些鹽可以單獨使用，或?qū)煞N或多種物質(zhì)混合使用。此外，關(guān)于石咸性水溶液，因為本實施方式與上述第一實施方式類似，因此省略對其的解釋。(2-2)無機光刻膠和顯影液的反應(yīng)第二實施方式的顯影液是這樣制備的從一開始就向作為顯影促進劑的堿性水溶液中加入第一實施方式記載的鹽，所述鹽是通過與石咸性水溶液中的堿源反應(yīng)得到的，或者是用與此不同的方法得到的。根據(jù)該制備方法，在制備顯影液時不消耗堿源，同時也可定量控制顯影促進劑的濃度。關(guān)于用顯影液來顯影無機光刻膠的反應(yīng)機理，因本實施方式與第一實施方式類似，因而省略對其的解釋。對此，例如，在使用氫氧化銨化合物如四曱基氫氧化銨等作為顯影液堿源并加入了堿金屬鹽作為顯影促進劑的情況下，堿金屬產(chǎn)生的顯影促進作用有可能優(yōu)先于催化作用產(chǎn)生的顯影促進作用。因此，如果顯影液的堿源是氫氧化銨化合物，則可以通過排除堿金屬而有效地誘導(dǎo)催化作用，例如通過使用堿組成為與堿源相同的銨鹽的顯影促進劑等。作為一個優(yōu)選的組合，可以提到的實例是使用硅酸四曱基銨或碳酸四曱基銨作為四甲基氫氧化銨水溶液的顯影促進劑。如上所述，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式，當將加速無機光刻膠中酸組分洗脫的鹽加入顯影液中后，相比于不含該鹽的顯影液，可以在很大程度上縮短顯影時間。同樣地，通過混合入控制量的鹽，可以從新鮮顯影液的狀態(tài)開始，始終保持相同的顯影性質(zhì)，根據(jù)鹽的結(jié)構(gòu)，還可以縮短顯影時間。(3)第三實施方式本發(fā)明第三實施方式的顯影液是這樣得到的:通過使用氫氧化銨化合物作為顯影液的主要堿源，并加入堿金屬鹽作為顯影促進劑。因為本實施方式與上述第一實施方式類似，因此除了顯影液以及無機光刻膠與顯影液反應(yīng)這兩部分之外，省略進一步的解釋。(3-1)顯影液氫氧化銨化合物作為堿源保證了足夠的氫氧根離子(OH-)的濃度，通過作為顯影促進劑加入的鹽中含有的堿金屬離子，調(diào)節(jié)了向無機光刻膠膜的滲透力，或調(diào)節(jié)了溶液中溶解的酸組分的穩(wěn)定性，進而調(diào)節(jié)了顯影速度?？梢哉J為，與第一實施方式和第二實施方式基于催化劑作用的，具有不同之處。如上所述，堿金屬離子產(chǎn)生的顯影促進作用大于碳酸鹽或硅酸鹽等所產(chǎn)生的催化作用。此外，在加入不具催化作用的化合物(如氯化鈉)作為顯影促進劑的情況下，即使對顯影液進行滴定，也不出現(xiàn)拐點。(顯影促進劑)使用堿金屬氫氧化物或分子中具有至少一個堿金屬的鹽類作為顯影促進劑。該鹽是由選自質(zhì)子性化合物和質(zhì)子惰性化合物中的至少一種酸組分，和選自堿金屬的至少一種堿組分所形成的。這里，將不加區(qū)分地給出具催化作用的化合物和無催化作用的化合物的實例。對于硅酸鹽，例如可以提到硅酸鋰(Li2Si03)、硅酸鈉(Na2Si03)、硅酸鉀(K2Si03)等。對于碳酸鹽，例如，可以提到的是碳酸氫鋰(LiHC03)、碳酸氫鈉(NaHC03)，碳酸氫鉀(KHCO;j)、碳酸鋰(1^2<:03)、碳酸鈉(Na2C03)、碳酸鉀(K2C03)、碳酸銣(Rb2C03)、碳酸銫(Cs2C03)等。對于硼酸鹽，可以提到的是四硼酸鋰(Li2B407)、四硼酸鈉(Na2B40)、四硼酸鉀(K2B407)、四硼酸二鈉(Na2B407)、四苯基硼酸鈉(NaB(QH5)4)、硼酸鋰(Li2B40)、硼酸鈉(Na2B407)、硼酸鉀0^28407)等。對于磷酸鹽，例如，可以提及的是三聚磷酸鈉(Na5P301())、二磷酸鈉(Na4P207)、焦磷酸鉀(K4P207)、焦磷酸四鈉(Na4P20)、焦磷酸鈉^34207)、偏磷酸鈉((NaP03)n)、偏磷酸鉀((KP03)n)、磷酸鋰(1^304)、磷酸三鈉(Na3P04)、磷酸三鉀(Ka3P04)、亞磷酸氫鈉(NaHPH03)，亞磷酸二鉀(K2PHOs)、次磷酸鈉(NaPH202)、鵠磷酸鈉(Na3(P(V12W03))、磷酸氫二鈉(Na2HP04)、磷酸二氫鈉(NaH2P04)、磷酸氫二鉀(K2HP04)、磷酸二氫鉀(101204)、磷酸氫鋰銨(LiNH2HP04)、磷酸氫鈉銨(NaNH4HP04),磷酸氫鉀銨(NaNH4HP04)等。對于卣化物，例如可以提及的是氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化鉀(KF)、氟化銣(RbF)、氟化銫(CsF)、氯化鋰(LiCl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KC1)、氯化茹(RbCl)、氯化銫(CsCl)、渙化鋰(LiBr)、溴化鈉(NaBr)、溴化鉀(KBr)、溴化銣(RbBr)，溴化銫(CsBr)、碘化鋰(LiI)、碘化鈉(Nal)、碘化鉀(KI)、碘化銣(RbI)、硪化銫(CsI)等。對于硝酸鹽，例如可以提到硝酸鋰(LiN03)、硝酸鈉(NaN03)、硝酸鉀(KN03)、硝酸銣(RbN03)、硝酸銫(CsN03)等。對于硫酸鹽，例如，可以提到的是硫酸鋰(Li2S04)、硫酸鈉(Na2S04)、硫酸鉀(K2S04)、硝酸銣(Rb2S04)、硝酸銫(CS2S04)等。對于氫氧化物，例如，可以提到氫氧化鋰(LiOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銣(RbOH)、氫氧化銫(CsOH)等。除此之外，對于有機酸鹽，例如，可以使用起到石威金屬離子源作用的26水溶性鹽乙酸鋰(CH3COOLi)、乙酸鈉(CH3COONa)、乙酸鉀(CH3COOK)、曱酸鋰(HCOOLi)、曱酸鈉(HCOONa)、曱酸鉀(HCOOK)、苯曱酸鉀(C6H5COOK)、苯曱酸鈉(C6H5COONa)、檸檬酸三銨((1^)3^:507)、檸檬酸氫二銨((NH4)2HC6Hs07)、檸檬酸二氫鉀(KH2C6H507)、檸檬酸氫二鉀(K2HC6H507)、檸檬酸三鉀(K3C6H507)、檸檬酸三鈉^&3(:611507)、檸檬酸氫二鈉(Na2HQH507)、檸檬酸二氫鈉^&112(:611507)、檸檬酸鋰(1^3<:6:507)、酒石酸銨((NH4)2C4H406)、酒石酸氫銨(NH4HC4H406)、酒石酸鉀(K2C4H406)、酒石酸氫鉀(KHC4H406)、酒石酸氫鈉(NaHC4H406)、酒石酸鉀鈉(NaKC4H406)、酒石酸鈉(Na2C4H406)、酒石酸鋰(1^20^406)等。可以根據(jù)所需的顯影速率進行適當?shù)恼{(diào)節(jié)和確定，向顯影液中混合的作為顯影促進劑使用的上述鹽類的混合量。此外，這些鹽可以單獨使用，或?qū)煞N或多種物質(zhì)混合使用。(石威性水溶液)關(guān)于堿性水溶液，可以使用不含堿金屬的堿性氫氧化物所形成的水溶液。對于起堿源作用的堿性化合物的類型，可以使用四曱基氫氧化銨((CH3)4NOH)、氫氧化四乙基銨((C2H5)4NOH)、氫氧化四丙基銨((C3H7)4NOH)、氫氧化四丁基銨((C4H9)4NOH)和膽堿((CH3)3N(OH)CH2CH20H)等。它們可以單獨使用，或者將兩種或更多種物質(zhì)混合使用。對這些氫氧根離子源的濃度沒有特別限制，但是在用酸滴定加入了顯影促進劑的堿性水溶液時，需要確定pH值高于顯影促進劑的中和點，一般而言調(diào)節(jié)氫氧根離子源的濃度，使pH值為10或以上，優(yōu)選使pH值為12或以上。因為這些四烴基氬氧化銨的水溶液本身不具有對無機光刻膠的高顯影能力，所以當僅使用這些四烴基氫氧化銨的水溶液時，需要較長時間顯影。就此而言，通過僅加入控制量的堿金屬化合物作為顯影促進劑，可以在大范圍上調(diào)節(jié)顯影速度。(3-2)無4幾光刻膠與顯影液的反應(yīng)顯影促進劑加入堿性水溶液促進反應(yīng)的機理目前還不清楚，但是大致推測該機制按照下述方式進行例如，即使將氯化四曱基銨((CH3)4N'C1)溶于四曱基氫氧化銨((CH3)4N'OH)的水溶液中，也不能縮短顯影時間；但是加入氯化鈉(NaCl)就可以將顯影時間大大縮短。由此，可以看出陽離子部分的性質(zhì)在很大程度上決定了顯影促進作用。使用氫氧化四烷基銨中的四曱基氫氧化銨作為氫氧根離子源，并使用氯化鈉作為堿金屬離子源，以此為例進行描述。加入氯化鈉溶于四曱基氫氧化銨的水溶液中，并幾乎完全離解成陽離子(Na+)和陰離子(Cr)。因無機光刻膠形成潛在像，酸性物質(zhì)(W03)在無機光刻膠中生成，并被溶液中的氫氧根離子(OH-)攻擊，并溶解。此時，在陽離子如四曱基銨離子((CH3)4N^和鈉離子等的作用下，加速了W03的溶解。推測這是因為在W03從無機光刻膠離開并通過溶劑化而穩(wěn)定的這段時間內(nèi)，形成了一種中間體狀態(tài)，并且由于鈉離子(Na+)形成這種中間體狀態(tài)的速率要快于四曱基銨離子((CH3)4N^，或者由于鈉離子(Na+)向無機光刻膠膜的滲透能力要大于四曱基銨離子((CH3)4N^，因而表現(xiàn)出顯影促進效果。這里，氧化鴒(W03)是無機光刻膠中的可溶組分，它在銨鹽、堿金屬鹽、鎂鹽等狀態(tài)下為水溶性的，但是在其他金屬鹽狀態(tài)下幾乎不可溶。在顯影液陽離子部分所含的元素為堿土金屬如鈣或鎂等的情況下，當顯影促進劑混合入強堿性水溶液時，形成了微溶于水的氬氧化鈣(在水中的溶解度1.7%:20。C)或氫氧化鎂(在水中的溶解度0.0009%，18。C)并沉淀出來，因而不能獲得所需特性。因此，限定本發(fā)明中的顯影促進劑的陽離子部分包括堿金屬。下面，以實施例具體描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不僅限于這些實施例。此外，實施例1至實施例6相應(yīng)于第一實施方式，實施例7至實施例28相應(yīng)于第二實施方式，實施例29至實施例42相應(yīng)于第三實施方式。<對比例1>下面是對比例1的顯影液組成及評估方法。添力口劑無堿源四曱基氫氧化銨評估方式顯影，滴定(顯影液的滴定)提供2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液(TokyoOhkaKogyoCo.，Ltd.，NMD-3)作為堿性水溶液，并用作顯影液。接著，用0.5N鹽酸滴定該顯影，測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果見圖7。其中使用通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出的稀釋液來進行測量。圖7中的箭頭分別表示與pH和導(dǎo)電率相關(guān)的滴定曲線。后文的滴定曲線中所用箭頭與圖7中箭頭的含義相同。(光刻膠母盤的制備方法)按如下方式制備光刻膠母盤。首先通過濺射方法在基板上形成100nm的無定形硅底層。在這里，該底層是為了在激光照射無機光刻膠層時能有效的累積熱量。底層的膜制備條件如下所示?；?英寸硅晶片靶材硅制備膜的氣體氬(Ar)'26[SCCM]制備膜開始時的氣壓5.0xl0,Pa]制備膜的功率DC135[W]接著，通過濺射方法在底層上形成25nm的無4幾光刻力交層。無機光刻膠層的膜制備條件如下所示。靶材鴒(W)/鉬(Mo)/氧(0)=32/8/60(原子數(shù)比)制備膜的氣體氬(Ar)'26[SCCM]制備膜開始時的氣壓5.0xl(T4[Pa]制備膜的功率DC135[W](曝光方法)接著，通過用激光照射無機光刻膠層進行曝光，同時旋轉(zhuǎn)上述制得的光刻膠母盤。無機光刻膠層的曝光條件如下所示。光源半導(dǎo)體激光(波長405[nm])物鏡NA=0.9光刻膠母盤進料速度0.K[pm/轉(zhuǎn)]軸CLV(恒定襯板速率(ConstantLinerVelocity))才莫式4.9[m/s](顯影方法)接著，對曝光后的無機光刻膠層進行顯影，制備得到DC凹槽圖樣。對無機光刻膠層進行顯影的條件如下所示顯影液溫度26。C顯影方法顯影液連續(xù)流到光刻膠母盤上下面將更詳細的描述顯影過程。首先，將2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液置于顯影槽(SonyDisc&DigitalSolutions,Inc.制造，PTR3000)中，并保持在26°C。接著，將無機光刻膠母盤安裝于旋轉(zhuǎn)臺上，保持400rpm的旋轉(zhuǎn)，進行預(yù)漂洗、顯影以及后漂洗過程，最后通過在1800rpm下震脫進行干燥。預(yù)漂洗、顯影以及后漂洗的處理過程的條件如下所示。預(yù)漂洗60秒的連續(xù)純水流。顯影在設(shè)定時間(360秒至480秒間的三個點)的連續(xù)顯影液流。后漂洗180秒的連續(xù)純水流。如上所述，得到了所需的用于光盤的光刻膠母盤。(AFM測量)接著，用AFM(原子力顯微鏡)測量每個形成于無機光刻膠母盤上的凹槽。結(jié)果列于表1和圖6A6C中。其中，形狀圖樣充分向下溶解至光刻膠底部使得側(cè)面幾何形狀成為線性，且以凹槽的半寬變?yōu)榧s160nm的時間[秒]定為最佳顯影時間。相應(yīng)地，未添加顯影促進劑的顯影液的最佳顯影時間為420秒。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖7中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。<對比例2>下面是對比例2的顯影液組成及評估方法。添力口劑無石威源氫氧化鈉評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將0.2mol/LNaOH水溶液用作顯影液。將該顯影液置于顯影槽(SonyDisc&DigitalSolutions,Inc.制造，PTR3000)中，并保持在26°C。除了該顯影液是連續(xù)流動的且顯影時間設(shè)為30秒90秒中的三個點之外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表1和圖8A圖8C中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖9中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。<對比例3>下面是對比例3的.顯影液組成及評估方法。添力口劑無堿源磷酸三鈉.12H20評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將0.2mol/L磷酸三鈉'12H20水溶液用作顯影液。將該顯影液置于顯影槽(SonyDisc&DigitalSolutions,Inc.制造，PTR3000)中，并保持在26T:。除了該顯影液是連續(xù)流動的且顯影時間設(shè)為90秒120秒中的三個點之外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表l和圖10A圖10C中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖11中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。<只十比例4>下面是對比例4的顯影液組成及評估方法。添加劑氯化四甲基銨堿源四甲基氬氧化銨評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，通過混合10.0g/L氯化四曱基銨((CH3)4N'C1)和2.38重量％的四甲基氬氧化銨水溶液得到一種溶液，該溶液用作顯影液。將該顯影液置于顯影槽(SonyDisc&DigitalSolutions,Inc.制造，PTR3000)中，并保持在26。C。除了該顯影液是連續(xù)流動外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表1和圖12A圖12C中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖13中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量?！粗籺t匕侈'5>下面是對比例4的顯影液組成及評估方法。添加劑四氟硼酸四甲基4妄堿源四曱基氫氧化銨評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，通過混合10.0g/L四氟硼酸四甲基銨((CH3)4N.BF4)和2.38重量％的四曱基氪氧化銨水溶液得到一種溶液，該溶液用作顯影液。將該顯影液置于顯影槽(SonyDisc&DigitalSolutions,Inc.制造，PTR3000)中，并保持在26。C。除了該顯影液是連續(xù)流動外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表1和圖14A圖14C中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖15中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進4亍測量。在實施例.l至實施例6中將描述向堿性水溶液中混入添加劑的方法以及由此得到的顯影液對無機光刻膠產(chǎn)生的顯影促進作用，其中添加劑通過與堿源形成鹽能夠形成一種顯影促進劑。<實施例1>下面是實施例1的顯影液組成及評估方法。添加劑硅粉末堿源四甲基氫氧化銨評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，在不銹鋼把桶中稱量1000ml的2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液和13.3g的硅粉末，并用熱攪拌子在10(TC下攪拌。接著，在硅粉末均溶解后停止攪拌，并將系統(tǒng)冷卻至室溫。接著將其轉(zhuǎn)移至多功能槽(Polytank)，并加入新鮮的2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液直至總體積為12L。該混合物在室溫下過夜，并通過膜過濾器(AdvantecToyoKaisha,Ltd.，VH020)過濾。將得到的顯影液置于PTR3000顯影槽中，并保持在26°C。除了該顯影液是連續(xù)流動的且顯影時間設(shè)為240秒~300秒中的三個點之外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表1和圖16A圖16C中。同樣地，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖17中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。對比例1中顯影液沒有添加顯影促進劑，只表現(xiàn)出堿源四曱基氫氧化銨的拐點，見圖7。但是，實施例1中的顯影液加入了硅，在滴定曲線(見圖17)上，由于添加的硅與四曱基氫氧化銨水溶液反應(yīng)形成了顯影促進劑，和鹽酸產(chǎn)生了中和反應(yīng)，并且滴定曲線(pH)表現(xiàn)出接近pHll的、伴隨平緩曲線的拐點，而在滴定曲線(導(dǎo)電率)上形成了從該點到四曱基氫氧化銨的中和點的一個最小區(qū)域。<實施例2>下面是實施例2的顯影液組成及評估方法。添力口劑珪4分末石咸源四曱基氫氧化銨i平估方式滴定提供2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液作為堿性水溶液。向該水溶液中加入硅(Si)粉末并完全溶于其中，制備濃度分別為2.0、4.0和6.0g/L的三種類型。然后，分別用膜過濾器(AdvantecToyoKaisha,Ltd.,VH020)過濾這些溶液，得到不同的顯影液。接著，以與對比例l相同的方式，用0.5N鹽酸滴定該顯影，測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果見圖18，圖19中還給出了因顯影促進劑的中和所產(chǎn)生拐點的鄰近區(qū)域的放大圖。其中，圖19中的T1、T2和T3分別為2.0、4.0和6.0g/L濃度的顯影液的滴定曲線。<實施例3>下面是實施例3的顯影液組成及評估方法。添加劑二氧化碳氣體(干水)堿源四甲基氫氧化銨i平估方式滴定200ml的2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液和0.2、0.4或0.6g的干冰混合并密封于不銹鋼的壓力罐中，在室溫下靜置2天。接著，分別用膜過濾器(AdvantecToyoKaisha,Ltd.，VH020)過濾這些溶液，得到不同的顯影液。對于不同的顯影液，以與對比例l相同的方式，用0.5N鹽酸滴定該顯影，測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果見圖20，圖21中還給出了因顯影促進劑的中和所產(chǎn)生拐點的鄰近區(qū)域的放大圖。其中，圖21中的T1、T2和T3分別為0.2、0.4和0.6g/L濃度的顯影液的滴定曲線。<實施例4>下面是實施例4的顯影液組成及評估方法。添加劑三氧化鎢^減源四曱基氫氧化銨評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將粉末狀三氧化鴒加入燒杯中的2.38重量°/。的四曱基氬氧化銨水溶液至濃度為2.5g/L，在完全溶解的過程中進行超聲波照射。用膜過濾器(AdvantecToyoKaisha,Ltd.，VH020)進行過濾，得到顯影液。接著，除了該顯影液是在26。C的狀態(tài)下連續(xù)流動，且顯影時間設(shè)為60秒~180秒中的三個點之外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表1和圖22A-圖22C中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖23中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。其中，將三氧化鵠溶于2.38重量％的四曱基氫氧化銨中直至飽和，量取這樣的溶液10ml，并加入50ml純水稀釋該溶液，然后用0.5N鹽酸滴定所得稀釋液，結(jié)果示于圖24中。對圖23和圖24進行比較，在高濃度三氧化鎢情況下，在pH11附近清楚的出現(xiàn)了拐點，而這樣的拐點在低濃度的三氧化鎢時幾乎很難發(fā)現(xiàn)。但是，當比較導(dǎo)電率時，在圖24和圖23中都清楚的出現(xiàn)了最小區(qū)域。在進入該區(qū)域前進行取代，顯影液就能保持穩(wěn)定的顯影性質(zhì)。此外，以導(dǎo)電率作為指標時，可以很方便的發(fā)現(xiàn)顯影液退化的程度。<實施例5>下面是實施例5的顯影液組成及評估方法。添力口劑硼酸堿源四曱基氫氧化銨評估方式顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將硼酸加入2.38重量°/。的四曱基氫氧化銨水溶液，得到了濃度為5.0g/L的顯影液。接著，除了該顯影液是在26。C的狀態(tài)下連續(xù)流動之外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表1和圖25A圖25C中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖26中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。(表<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>160nm的顯影時間幾乎都是一樣的。也就是說，可以看出盡管向顯影液中加入了強^5咸和強酸形成的中性鹽，其中強^5威的堿性成分與顯影液中石威源相同，例如為氯化四曱基銨或四氟硼酸四曱基銨等，仍然幾乎沒有觀察到顯影速度的增加。另一方面，還可以理解的是，如在對比例3中即使加入堿金屬鹽如氯化鈉的中性鹽的情況下，顯影速度也得到大幅的增加。然而，顯影時間長于對比例2中使用氫氧化鈉進行顯影的情況，并且所得表面形貌上產(chǎn)生的凹凸也減少了。也就是說，認為對比例3是介于對比例1和對比例2中的過渡顯影狀態(tài)。推測這是因為不同濃度的堿金屬向無機光刻膠膜的滲透能力不同造成的，或者是由于溶解酸組分的穩(wěn)定性的不同，而不是因為催化作用的不同而導(dǎo)致的。(c)將實施例1和實施例2至實施例5進行比較，可以看出凹槽半寬到約160nm的顯影時間與對比例1相比都縮短了。特別地，實施例3的顯影時間顯著減少。因此，可以理解的是，當加入硅、二氧化碳、三氧化鎢、硼酸等作為添加劑時，它們分別顯示出不同的顯影促進作用。用含氧化鎢為主要成分的無機光刻膠層在硅基板上形成膜后制備光刻膠母盤，在對該光刻膠母盤反復(fù)顯影時，顯影時間與顯影次數(shù)成比例地逐漸縮短，并趨近一固定值。推測這是由于無機光刻膠中的氧化鴒、硅基板中的硅和空氣中的二氧化碳分別溶入堿性水溶液中，并與顯影液的^威源反應(yīng)形成顯影促進劑，并且顯影時間趨近一個穩(wěn)定值，該穩(wěn)定值相應(yīng)于三種組分的溶解比率。在對比例1至對比例5中，滴定曲線(pH)上沒有出現(xiàn)任何非起源于堿源中和的拐點，并且pH的中和點幾乎保持不變(參見圖7、圖9、圖11、圖13和圖15)，而在實施例1至實施例5中，在滴定曲線(pH)上出現(xiàn)了起源于顯影液中制備的顯影促進劑的拐點以及堿源中和的點(參見圖17~圖21、圖23、圖24和圖26)。進一步，相應(yīng)的滴定曲線(導(dǎo)電率)在pH拐點部位具有最低值。也就是說，對于將硅、二氧化碳氣體、三氧化鎢、硼酸等顯影促進劑原料加入堿性水溶液而制備得到的顯影液而言，通過用酸進行滴定以及檢查滴定曲線形狀上的任何形狀變化可以證實添加劑的存在。特別地，在實施例2和實施例3中，如果硅或干水的溶解濃度低，通過滴定曲線(pH)確定顯影促進劑造成的拐點就變得困難；而滴定曲線(導(dǎo)電率)以極其清晰的形式顯示了最低值，這樣確定也就變得容易。這樣，為了簡單的檢測顯影液的狀態(tài)，測量導(dǎo)電率是一個有效的方法。此外，通過證實滴定曲線(pH)上是否出現(xiàn)源于堿源以外的拐點，就可以在實際對無機光刻膠進行顯影之前，預(yù)測一個元素或氧化物是否能用作顯影促進劑。<實施例6〉以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將硼酸作為顯影促進劑加入2.38重量％的四甲基氫氧化銨水溶液中，制備濃度分別為O.O、2.5、5.0和10.0g/L的四種顯影液。接著，除了使用不同的顯影液外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，測定凹槽實現(xiàn)約160nm半寬的顯影時間。顯影促進劑混合量和顯影時間的關(guān)系示于圖27中。如圖27所示，證實硼酸的顯影促進作用較弱，并幾乎與混合量成比例。推測在顯影液中，堿源四曱基氬氧化銨與硼酸形成的化合物作用于無機光刻膠的可溶組分(酸組分)，并因此促進了顯影過程。在實施例7至實施例26中，描述了使用2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液作為堿性水溶液并向其中加入顯影促進劑而制備出顯影液的方法，以及所得顯影液對無機光刻膠所施加的顯影作用。<實施例7至實施例16>以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將表2中所示的顯影促進劑加入2.38重量°/。的四曱基氫氧化銨水溶液中，分別制備各顯影促進劑濃度為10g/L的顯影液。接著，除了使用不同的顯影液外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，這樣就獲得了所需的用于光盤的光刻膠母盤。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。測量結(jié)果示于表2和圖28、圖30.......圖44和圖46中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖29、圖31、......圖45和圖47中。通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。<實施例17至實施例26>以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將表3中所示的顯影促進劑加入2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液中，分別制備濃度分別為0.0、2.5、5.0和10.0g/L的四種顯影液。接著，除了使用不同的顯影液外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，測定凹槽實現(xiàn)約160nm半寬的顯影時間。顯影促進劑混合量和顯影時間的關(guān)系示于圖48至圖50中。(表2)<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>堿源四曱基氫氧化銨在實施例16中，顯影時間與對比例1相比縮短了至約1/2。如對比例3所示，由于氯離子不具有顯影促進作用，可以基于銨離子的作用進行評價。沐3)<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>在實施例27中，描述了4吏用0.2mol/L磷酸三鈉水溶液作為堿性水溶液，并加入硅酸四曱基銨作為顯影促進劑而制備出顯影液的方法，以及所得顯影液對無機光刻膠所施加的顯影作用。<實施例27>下面是實施例27的顯影液組成及評估方法。添加劑硅酸四曱基銨堿源磷酸三鈉.12H20評估方法顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將硅酸四曱基銨加入0.2mol/L磷酸三鈉.12H2O水溶液中，制備出濃度為10g/L的顯影液。接著，除了所使用的顯影液不同外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，并得到了所需的用于光盤的光刻膠母盤。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表4和圖51中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖52中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。(表4)<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>堿源磷酸三鈉'12H20比較實施例27與對比例3,可以看出，即使使用磷酸三鈉.12H20作為堿源，也可以證實基于所添加的硅酸四曱基銨的顯影促進作用。在實施例28中，描述了使用硅酸鈉作為顯影促進劑和堿源而制備出顯影液的方法，以及所得顯影液對無機光刻膠所施加的顯影作用。20<實施例28>下面是實施例28的顯影液組成及評估方法。添加劑以及名威源珪酸鈉評估方法顯影，滴定以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將用作顯影促進劑和堿源的硅酸鈉溶于純水中，由此制備出0.2mol/L的顯影液。接著，除了所使用的顯影液不同外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，并得到了所需的用于光盤的光刻膠母盤。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。結(jié)果示于表5和圖53中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖54中。其中，通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>堿源硅酸鈉在實施例29至實施例42中，描述了使用2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液作為堿性水溶液并向其中加入顯影促進劑而制備出顯影液的方法，以及所得顯影液對無機光刻膠所施加的顯影作用。<實施例29至實施例35>以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到一種光刻膠母盤。接著，將表6中所示的顯影促進劑加入2.38重量％的四甲基氫氧化銨水溶液中，分別制備各顯影促進劑濃度為10g/L的顯影液。接著，除了使用不同的顯影液外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，獲得了所需的用于光盤的光刻膠母盤。接著使用AFM測量無機光刻膠母盤上形成的凹槽。測量結(jié)果示于表6和圖55、圖57.......圖65和圖67中。此外，用鹽酸滴定顯影過程中所用的顯影液，并測定鹽酸的滴加量和pH值以及導(dǎo)電率之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖56、圖58.......圖66和圖68中。通過向10ml顯影液樣品中加入50ml純水制備出稀釋液，并用0.5N鹽酸滴定該稀釋液來進行測量。(表6)<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>如圖56、圖58.......圖66和圖68的滴定曲線所示，這些i成金屬鹽沒有除主要堿源之外的中和點。添加這些鹽產(chǎn)生的顯影促進作用被認為不是基于如第一和第二實施例中的催化作用，而是僅僅基于堿金屬離子的促進作用。<實施例36至實施例42>首先，以與對比例1相同的方法進行光刻膠母盤的制備和曝光，得到了一種光刻膠母盤。接著，將表5中所示的顯影促進劑加入2.38重量％的四曱基氫氧化銨水溶液中，制備濃度分別為O.O、2.5、5.0和10.0g/L的四種顯影液。接著，除了使用不同的顯影液外，按照對比例1中的相同方法對光刻膠母盤進行顯影，測定凹槽實現(xiàn)約164nm半寬的顯影時間。顯影促進劑混合量和顯影時間的關(guān)系示于圖69和圖70中。沐7)<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>堿源四曱基氫氧化銨基于所使用的無機光刻膠類型以及顯影后所需的表面形貌，可以利用上述結(jié)果合適地選擇堿源和顯影促進劑的組合。例如，在制備光盤母盤壓模的光刻膠母盤時，可以根據(jù)用途的不同分別得到良好的圖樣形狀，例如在制造凹槽形狀時，使用將硅酸四曱基銨作為顯影促進劑加入四甲基氫氧化銨水溶液中的產(chǎn)物；或者在制造凹陷形狀時，使用將碳酸四曱基銨作為顯影促進劑加入四曱基氫氧化銨水溶液中的產(chǎn)物。此外，由于加入了顯影45促進劑，從使用一開始就可以獲得穩(wěn)定的顯影性能。上文詳細地討論了本發(fā)明的實施方式和實施例，但是本發(fā)明并不僅局限于上述實施方式和實施例，基于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思可以^:出各種改進。例如，在上述實施方式和實施例中的數(shù)值僅僅是示例性的，根據(jù)需要也可以使用不同于上述的數(shù)值。此外，本發(fā)明除了應(yīng)用于Blu-rayDisc(注冊商標)、HD-DVD(HeighDefinitionDigitalVersatileDisc)等之外，并不4又限于傳統(tǒng)的光盤，也可用于比，Blu-rayDisc(注冊商標)或HD-DVD等光盤具有更高光密度的下一代光盤。此外，在上述實施方式和實施例中，討論了將本發(fā)明應(yīng)用于制備光盤的光刻膠母盤的各種情況，但是本發(fā)明并不受限于制備光盤用光刻膠母盤的方法，可用于具有微細凹凸圖樣的不同設(shè)備，例如太陽能電池中的防光反射結(jié)構(gòu)、燃料電池中的燃料流通道等，或者用于它們的制備方法中。此外，在上述實施方式和實施例中，解釋了本發(fā)明用于制備光盤基板的光刻膠母盤的制造方法各種情況，但是本發(fā)明還可以用于制備用來形成光盤中間層的光刻膠母盤的方法。權(quán)利要求1.顯影液，其含有堿性水溶液；和硅酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子和磷酸根離子中的至少一種陰離子。2.權(quán)利要求l所述的顯影液，其中所述堿性水溶液是四烴基氫氧化銨的水溶液。3.權(quán)利要求l所述的顯影液，其還含有選自銨離子和有機銨離子中的至少一種作為陽離子。4.權(quán)利要求l所述的顯影液，其還含有堿金屬離子作為陽離子。5.權(quán)利要求l所述的顯影液，其還含有選自銨離子和有機銨離子中的至少一種以及堿金屬離子作為陽離子。6.權(quán)利要求l所述的顯影液，其中當顯影無機光刻膠時，在所述堿性水溶液中所述陰離子反復(fù)作用于無機光刻膠。7.權(quán)利要求l所述的顯影液，其中當顯影無機光刻膠時，所述陰離子與無機光刻膠形成鍵。8.權(quán)利要求1所述的顯影液，其中當用酸進行滴定以確定滴加量與pH值之間關(guān)系的滴定曲線時，所述滴定曲線上呈現(xiàn)有所述i咸性水溶液的中和點和源自陰離子的拐點。9.權(quán)利要求1所述的顯影液，其中將所述堿性水溶液的pH值設(shè)為高于滴定曲線上出現(xiàn)的中和點和拐點中的任一個pH值。10.權(quán)利要求9所述的顯影液，其中當用酸進行滴定以確定滴加量與導(dǎo)電率之間關(guān)系的滴定曲線時，所述滴定曲線上呈現(xiàn)有所述堿性水溶液中和點和源自所述陰離子的拐點間的最小區(qū)域。11.顯影液，其含有堿性水溶液和顯影促進劑，其中所述顯影促進劑是硅酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽中的至少一種。12.權(quán)利要求11所述的顯影液，其中所述鹽是通過選自硅、硅化合物、碳化合物、硼化合物和磷化合物中的至少一種與所述堿性水溶液反應(yīng)制備的產(chǎn)物。13.權(quán)利要求11所述的顯影液，其中所述鹽是通過4^性組分與酸性組分反應(yīng)制備的產(chǎn)物，其中作為堿性組分的是選自堿金屬化合物、銨化合物和堿性氧化物中的至少一種，作為酸性組分的是選自質(zhì)子酸、酸性氧化物、兩性氧化物和兩性氬氧化物中的至少一種。14.權(quán)利要求11所述的顯影液，其中所述堿性水溶液堿源的陽離子和所述顯影促進劑的陽離子是相同種類。15.權(quán)利要求14所述的顯影液，其中所述堿性水溶液堿源的陽離子和所述顯影促進劑的陽離子是銨離子或有機銨離子。16.—種制備^t細加工材料的方法，所述方法包括曝光基體材料上的無機光刻膠層；和用顯影液對所述曝光后的無機光刻膠進行顯影，其中，所述顯影液含有》威性水;容液；和硅酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子和磷酸根離子中的至少一種陰離子。17.權(quán)利要求16所述的制備微細加工材料的方法，其在所述曝光之前還包括通過向堿性水溶液中添加選自硅酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽中的至少一種來制備顯影液的工藝。全文摘要本發(fā)明公開了一種顯影液，其含有堿性水溶液；和硅酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子和磷酸根離子中的至少一種陰離子；和銨離子、有機銨離子和堿金屬離子中的至少一種陽離子。所述堿性水溶液可以是四烴基氫氧化銨的水溶液。文檔編號G03F7/32GK101641647SQ20088000876公開日2010年2月3日申請日期2008年1月17日優(yōu)先權(quán)日2007年1月17日發(fā)明者安達則夫,齊藤則之申請人:索尼株式會社