專利名稱：：光致抗蝕劑剝離劑組合物的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及光致抗蝕劑剝離劑組合物，具體地說，涉及在液晶顯示器(以下也稱LCD)等平板顯示器(以下也稱FPD)的Cu或Cu合金導線基板和Al或Al合金導線基板的制造中使用的、防腐蝕性以及剝離性優(yōu)異的光致抗蝕劑剝離劑組合物。
背景技術(shù)：
：FPD基于例如LCD(液晶顯示器)、LED(發(fā)光二極管)、EL(電致發(fā)光)、VFD(真空熒光顯示器)、FED(火焰發(fā)射檢測器)、SED(次級電子檢測器)、PDP(等離子體顯示板)等各種顯示原理，具有配設了微細導線的電極結(jié)構(gòu)，在其制造工序中使用光致抗蝕劑。例如，在液晶顯示器中，在形成于基板上的A1、Al合金、Cu、Cu合金等導電性金屬膜、Si02膜等絕緣膜上涂布光致抗蝕劑，對其實施曝光、顯影的處理，形成抗蝕劑圖案，以該圖案化的抗蝕劑作為掩模對上述導電性金屬膜、絕緣膜等進行蝕刻，形成微細導線后，用剝離劑除去不要的抗蝕劑層，從而制造液晶顯示器?，F(xiàn)有技術(shù)中，作為光致抗蝕劑剝離劑組合物使用有機堿、無機堿、有機酸、無機酸、極性溶劑等單一溶劑或它們的混合溶液。并且，已知為了提高光致抗蝕劑剝離性而使用胺和水的混合液，作為導線材料，例如在液晶顯示器中過去多使用Al。專利文獻1公開了如下內(nèi)容，以垸基胺或烷醇胺、和極性有機溶劑、以及成環(huán)元素由氮和碳構(gòu)成的雜環(huán)式含羥基化合物為主成分的光致抗蝕劑剝離劑能夠阻止或大幅抑制Al的腐蝕。但是，近年來，隨著基板的大型化，嘗試著使用電阻率比A1還低的Cu、Cu合金等作為導線材料。專利文獻2公開了如下內(nèi)容，含有具有五元六元雜環(huán)(含有原子團-C(OH一N-或-CONH-)的雜環(huán)式化合物和垸醇4胺的防腐蝕劑能夠防止在半導體晶片上形成的Cu等金屬膜被腐蝕。并且，專利文獻3公開了如下內(nèi)容，含有有機胺化合物、二醇醚、30重量％70重量°/。的水、具有嘌呤化合物或尿酸等的特定結(jié)構(gòu)的雜環(huán)化合物、和糖醇的光致抗蝕劑剝離液組合物在防止含有Cu的單一或多重接合結(jié)構(gòu)的金屬導線腐蝕的性能方面優(yōu)異。但是，Cu或Cu合金導線形成工序尚處于過渡期，例如在液晶面板元件制造現(xiàn)場中，讓一個車間都只進行Cu或Cu合金導線形成工序在現(xiàn)實中是困難的。于是，在以往進行Al或Al合金導線形成工序的車間內(nèi)的一部分引入Cu或Cu合金導線形成工序用的生產(chǎn)線。對于Al或Al合金導線形成工序中使用的光致抗蝕劑和Cu或Cu合金導線形成工序中使用的光致抗蝕劑，光致抗蝕劑本身基本沒有改變。因此，直至光致抗蝕劑的涂布、曝光、顯影形成抗蝕劑圖案的步驟，Cu或Cu合金導線形成工序可以共用Al或Al合金導線形成工序的設備。但是，在其后的工序的、以圖案化的抗蝕劑為掩模進行濕蝕刻形成微細導線的階段中，由于Al和Cu的腐蝕特性完全不同，Cu或Cu合金導線形成工序需要與Al或Al合金導線形成工序不同的蝕刻液。一般來說，Cu或Cu合金導線形成工序中使用氧化劑系的蝕刻液。用作掩模的圖案化的抗蝕劑在進行濕蝕刻時，受蝕刻液的作用而變質(zhì)。變質(zhì)的程度和變質(zhì)的方式因所使用的蝕刻液和蝕刻條件而異，與受到Al或Al合金導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層相比，受到Cu或Cu合金導線形成工序中使用的氧化劑系的蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層形成非常難以剝離的變質(zhì)膜。因此，利用Al或Al合金導線形成工序中使用的剝離劑，在不損害導線材料的條件下將受Cu或Cu合金導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的光致抗蝕劑剝離是困難的。并且，如上所述，Al和Cu的腐蝕特性是不同的。因此，將同一剝離劑應用于各個導線形成工序，兼顧剝離力和防止導線材料被腐蝕是困難的。因此，Al或A合金導線形成工序的生產(chǎn)線和Cu或Cu合金導線形成工序的生產(chǎn)線中需要各自的剝離劑，由此，即便在同一車間內(nèi)，在A1或Al合金導線形成工序的生產(chǎn)線和Cu或Cu合金導線形成工序的生產(chǎn)線中，也需要各自的試劑供給管線。即，為了將Cu或Cu合金導線形成工序引入現(xiàn)有的Al或Al合金導線形成工序用車間，需要重新增設試劑供給管線等設施。為了避免這種操作，期待一種能夠在Al或Al合金導線形成工序的生產(chǎn)線和Cu或Cu合金導線形成工序的生產(chǎn)線上兩用的剝離劑，使用這樣的剝離劑時，在以圖案化的抗蝕劑作掩模進行濕蝕刻形成微細導線的工序中，Cu或Cu合金導線形成工序可以共用Al或Al合金導線形成工序的設備，無需為了將Cu或Cu合金導線形成工序引入現(xiàn)有的Al或Al合金導線形成工序用車間而重新增設試劑供給管線等設施。上述專利文獻1中未考慮到Cu或Cu合金導線形成工序，利用該體系難以將Cu或Cu合金導線形成工序的變質(zhì)抗蝕劑剝離。并且，專利文獻2的防腐蝕劑雖考慮到防止Cu受到腐蝕和對低介電常數(shù)膜的損害，但由于用途限于在半導體晶片上形成的金屬膜，所以蝕刻工序的變質(zhì)膜的形成方式源于半導體用蝕刻法(例如干蝕刻、灰化(ashing))，因此不能說其具有FPD制造工序所必需的光致抗蝕劑剝離力，而且，即使是含有原子團-C(OH)-N-的雜環(huán)式化合物，也發(fā)揮不出防止Cu受腐蝕的效果。另外，上述專利文獻3的組合物在Al或Al合金導線材料的防腐蝕力方面也不充分。專利文獻1:日本特開2001-350276號公報專利文獻2:日本特開2002-97584號公報專利文獻3:日本特開2005-43873號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述諸情況而作出的，目的在于提供一種FPD制造用光致抗蝕劑剝離劑組合物，其能夠在用于FPD的導線基板制造工序中將Al或Al合金導線形成工序中的光致抗蝕劑剝離而不會腐蝕形成于基板上的Al或Al合金導線，并且能夠?qū)u或Cu合金導線形成工序中的光致抗蝕劑剝離而不會腐蝕形成于基板上的Cu或Cu合金導線。本發(fā)明人為了解決上述課題進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，無論是在Al或Al合金導線形成工序中，還是在Cu或Cu合金導線形成工序中，含有具有特定結(jié)構(gòu)的雜環(huán)式化合物、烷醇胺或垸基胺、極性有機溶劑以及糖醇的光致抗蝕劑剝離劑組合物都不會腐蝕導線材料，而且能夠?qū)⒁蚋鲗Ь€形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的光致抗蝕劑層剝離，從而完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑剝離劑組合物，其用于形成Cu或Cu合金導線及形成Al或Al合金導線，其是在FPD制造工序中使用的光致抗蝕劑剝離劑，其特征在于，該組合物含有0.0510重量°/。的選自由具有如下通式(1)的結(jié)構(gòu)的化合物和具有如下通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物組成的組中的至少一種雜環(huán)式化合物(A)(以下也簡稱為雜環(huán)式化合物(A))、545重量％的選自由烷醇伯胺和垸醇仲胺以及浣基伯胺和烷基仲胺組成的組中的至少一種胺(B)(以下也簡稱為胺(B))、3094.85重量％的極性有機溶劑(C)、0.110重量。/。的糖醇(D)。各式中，Al和A2各自獨立地表示N、NH、O或C，且至少一個不是C;A3A6各自獨立地表示-H、-OH、-NH2、-CH3或=0，且至少一個是-OH或=0。本發(fā)明的一方式中，雜環(huán)式化合物(A)是選自由麥芽酚、2,6-二甲基-Y-吡喃酮、4-羥基-6-甲基-2-吡喃酮、4-羥基香豆素、2,4-二羥基喹啉、2-氨基-4,6-二羥基嘧啶、2,4-二氨基-6-羥基嘧啶、2-氨基-4-羥基-6-甲基嘧啶、4，6-二甲基-2-羥基嘧啶、尿嘧啶以及6-甲基尿嘧啶組成的組中的至少一種。本發(fā)明的其他方式中，胺(B)是選自由單乙醇胺、二乙醇胺、正丙醇胺、單異丙醇胺、單乙基乙醇胺、氨基乙氧基乙醇、單甲基乙醇胺、三亞乙基四胺以及四亞乙基五胺組成的組中的至少一種。本發(fā)明的另一方式中，極性有機溶劑(C)是選自由二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丁醚、二甲亞砜、N-甲基吡咯烷酮7和二甲基乙酰胺組成的組中的至少一種。本發(fā)明的另一方式中，糖醇(D)是選自由山梨糖醇和木糖醇組成的組中的至少一種。本發(fā)明的另一方式中，該組合物還含有相對于組合物總量為25重量％以下的水。本發(fā)明的另一方式中，相對于組合物總量，該組合物含有不足10重量％的水。本發(fā)明的另一其他方式中，胺(B)為一種以上烷醇伯胺和一種以.h烷醇仲胺。本發(fā)明通過具有上述的構(gòu)成，具有如下效果(1)在用于FPD的導線基板制造工序中具有優(yōu)異的抗蝕劑剝離性，能夠?qū)l或Al合金導線形成工序中的光致抗蝕劑剝離，并且能夠?qū)u或Cu合金導線形成工序中的光致抗蝕劑剝離；(2)對作為導線材料的Al或Al合金以及Cu或Cu合金均具有優(yōu)異的防腐蝕性。以下詳細說明本發(fā)明。具體實施例方式本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物在FPD的制造工序、特別是導線基板制造工序中用于形成Cu或Cu合金導線及形成Al或Al合金導線。對上述FPD沒有特別限定，可以舉出上述各種原理的顯示器，例如，適宜應用于LCD、PDP、EL、VFD、SED等。作為上述Cu或Cu合金導線中的Cu合金，可以舉出例如低氧Cu合金、Cu-X(X為Sn、Zr、Be、Pb、Mo、Mn、Fe等)二元合金、Cu-Cr-Zr等三元合金等。作為上述Al或Al合金導線中的Al合金，可以舉出例如A1-X(X為Cu、Mn、Si、Mg、Fe、Zn、Cr、Ti等)二元合金、Al-Mg-Si等三元合金等。對本發(fā)明的雜環(huán)式化合物(A)沒有特別限定，只要是具有通式(l)的結(jié)構(gòu)的化合物和/或具有通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物即可，可以優(yōu)選舉出例如麥芽酚、2,6-二甲基卞吡喃酮、4-羥基-6-甲基-2-吡喃酮、4-羥基香豆素、2,4-二羥基喹啉、2-氨基-4,6-二羥基嘧啶、2，4-二氨基-6-羥基嘧啶、2-氨基-4-羥基-6-甲基嘧啶、4,6-二甲基-2-羥基嘧啶、尿嘧啶、6-甲基尿嘧啶等。其中，從經(jīng)時穩(wěn)定性等的方面出發(fā)，更優(yōu)選為2,4-二羥基喹啉、2-氨基-4，6-二羥基嘧啶、2，4-二氨基-6-羥基嘧啶、尿嘧啶。本發(fā)明中，可以僅使用這些之中的一種，也可以組合兩種以上使用。上述雜環(huán)式化合物(A)的添加量為剝離劑組合物中的0.05重量％10重量％。添加量少于該范圍時，不能充分發(fā)揮防腐蝕效果，以超過該范圍的量添加時，則會減少其他成分的添加量，并且也不會特別提高防腐蝕性。該添加量優(yōu)選為0.1重量％5重量％。本發(fā)明的胺(B)例如為單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、正丙醇胺(NPA)、單異丙醇胺(MIPA)、單乙基乙醇胺(MEEA)、氨基乙氧基乙醇(EEA)和單甲基乙醇胺(MMA)、三亞乙基四胺(TETA)、四亞乙基五胺(TEPA)等。烷醇胺或烷基胺可以僅使用任一者的1種，或者可以將烷醇胺或烷基胺的任一者的2種以上或兩者的2種以上組合使用。這些之中，優(yōu)選選自由單乙醇胺、正丙醇胺、單異丙醇胺和單甲基乙醇胺組成的組中的至少一種，進一步說，將一種以上烷醇伯胺和一種以上垸醇仲胺組合使用更好。胺(B)的添加量為剝離劑組成中的5重量％45重量％。小于該范圍時，則變質(zhì)的光致抗蝕劑層不能充分剝離，以超過該范圍的量添加時，則會引起導線材料的腐蝕。優(yōu)選為10重量％30重量％。作為本發(fā)明的極性有機溶劑(C)，可以舉出例如二乙二醇單甲基醚(MDG)、二乙二醇單乙基醚(EDG)、二乙二醇單丁醚(BDG)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、丙二醇(PG)、二甲亞砜(DMSO)等。這些可以使用一種或兩種以上。其中，優(yōu)選選自由二乙二醇單丁醚、N-甲基吡咯烷酮和二甲基乙酰胺組成的組中的至少一種。作為本發(fā)明的糖醇(D)，可以舉出例如山梨糖醇、木糖醇、蘚醇、甘露醇、麥芽糖醇、乳糖醇、益壽糖(palatinit)。其中優(yōu)選山梨糖醇、木糖醇。糖醇(D)的添加量為剝離劑組成中的0.110重量％。添加量少于該范圍時，則不能充分發(fā)揮防腐蝕效果，以超過該范圍的量添加時，則會減少其他成分的添加量，并且也不會特別提高防腐蝕性。該添加量優(yōu)選為0.35重量％。本發(fā)明根據(jù)需要也可以添加水。水的添加量可以設定為不影響本發(fā)明的目的的范圍，雖然也可以設定成例如超過剝離劑組成中的25重量％的量、例如30重量％或30重量°/。以上，但優(yōu)選為25重量°/。以下。添加量為25重量％以下時，不易引起導線材料的腐蝕。更優(yōu)選為不足10重量％，進一步優(yōu)選的是盡可能少添加水。上述極性有機溶劑(C)的添加量為剝離劑組成中除去上述雜環(huán)式化合物(A)、胺(B)、糖醇(D)以及必要時的水的合計添加量的剩余部分，其添加量為3094.85重量％。小于該范圍時，會引起導線材料的腐蝕，以超過該范圍的量添加時，則變質(zhì)的光致抗蝕劑層不能充分剝離。該添加量優(yōu)選為5090重量％。本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物可以通過依照常規(guī)方法將規(guī)定量的上述成分混合來進行制備。本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物用于FPD的制造工序。FPD的制造工序的導線形成工序中的抗蝕劑剝離工序是將蝕刻液處理后的光致抗蝕劑剝離的工序，對于其他的種類的FPD，本領域技術(shù)人員可以依照上述的LCD的導線形成工序相應進行該抗蝕劑剝離工序。上述光致抗蝕劑剝離工序是Al或Al合金導線形成工序中的抗蝕劑剝離工序和Cu或Cu合金導線形成工序中的抗蝕劑剝離工序，例如，Cu或Cu合金導線形成工序中的抗蝕劑剝離工序的情況下，可以是將Cu或Cu合金導線形成用氧化劑系蝕刻液處理后的光致抗蝕劑剝離的工序。本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物可以加熱(例如3(TC8(TC)后使用。剝離所需的時間取決于光致抗蝕劑的變質(zhì)程度等，一般為例如30秒10分鐘左右。并且，本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物在剝離處理后不需要異丙醇等溶劑的漂洗，可以直接水洗。實施例以下舉出實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實施例。需要說明的是，表中的縮寫中，下述縮寫如下所述，其余縮寫見上述敘述。MDEA:N-甲基-N，N，-二乙醇胺實施例137、比較例112分別按照表l、2的配比混合各成分，得到剝離劑組合物。對于所得到的各剝離劑組合物，用下述方法對Al或Al合金導線形成工序和Cu或Cu合金導線形成工序的抗蝕劑剝離工序中的導線材料的腐蝕狀況、以及假設剝離處理后直接水洗的情況下水洗時的導線材料的腐蝕狀況進行了評價。評價結(jié)果見表3、4。啊etc;溶劑(重量°/。)水(重量％)雜環(huán)式化合物(重量°/。)遮"實施例1MEA30BDG64—尿啼啶1山梨糖醇5實施例2MIPA30BDG64_尿噴啶1山梨糖醇5實施例3NPA30BDG64_尿嘧啶1山梨糖醇5實施例4MMA30BDG64一尿噴啶1山梨糖醇5實施例5MMA30BDG64.9—尿嘧啶0.1山梨糖醇5實施例6MMA30BDG60—尿嘧啶5山梨糖醇5實施例7MEA30BDG68—尿嘧啶1山梨糖醇1實施例8MMA5BDG89—尿嘧啶1山梨糖醇5實施例9MMA45BDG49—尿嘧啶1山梨糖醇5實施例10MEA30NMP64—尿嘧啶1山梨糖醇5實施例11MEA30DMAC64—尿嘧咬1山梨糖醇5實施例12MEA30BDG568尿嘧啶1山梨糖醇5實施例13MEA30BDG64—麥芽酚1山梨糖醇5實施例14MEA30BDG64—2，6-二甲基卞吡喃酮1山梨糖醇5實施例15MEA30BDG644-羥基-6-甲基-2-吡喃酮1山梨糖醇5實施例16MEA30BDG644-羥基香豆素1山梨糖醇5實施例17MEA30BDG64—2，4-二羥基喹啉1山梨糖醇5實施例18MEA30BDG642-氨基-4,6-二羥基嘧啶1山梨糖醇5實施例19MEA30BDG642，4-二氨基-6-羥基嘧啶1山梨糖醇5實施例20MEA30BDG642-氨基-4-羥基-6-甲基嘧啶1山梨糖醇5實施例21MEA30BDG644,6-二甲基-2-羥基嘧啶1山梨糖醇5實施例22MEA30BDG64—6-甲基尿嘧啶1山梨糖醇5實施例23MEA30BDG64—尿噴啶1木糖醇511<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>評價l.抗蝕劑剝離時Al腐蝕或Cu腐蝕抗蝕劑剝離工序中導線材料的腐蝕狀況的評價如下進行將帶有Al薄膜或Cu薄膜的基板在剝離劑(剝離劑組合物含有水的情況下為4CTC、不含有水的情況下為7(TC)中浸漬規(guī)定時間，通過Al或Cu膜的膜厚的減少量來求出Al或Cu的浸蝕速度(A/分鐘)，以下述基準進行評價。2.水洗時Al腐蝕或Cu腐蝕抗蝕劑剝離后的水洗工序中導線材料的腐蝕狀況的評價如下進行-將帶有Al薄膜或Cu薄膜的基板在以水稀釋10倍的各剝離劑組合物的25'C的試驗液中浸漬規(guī)定時間，通過Al或Cu膜的膜厚的減少量來求出Al或Cu的浸蝕速度(A/分鐘)，以下述基準進行評價。需要說明的是，之所以用水將剝離劑稀釋10倍，是因為剝離劑:水的比為l:9時導線材料的腐蝕速度會顯示出最大值。浸蝕速度測定的評價基準如下。O以上為合格。單位為A/分鐘。剝離時水洗時◎:小于2小于80〇大于等于2且小于5大于等于80且小于100大于等于5且小于10大于等于100且小于120X:大于等于IO大于等于1203.抗蝕劑剝離性本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑必須具有能夠?qū)⑹蹵l導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層和受Cu導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層都剝離的剝離力。因此，對于具有代表性的受A1導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層和受Cu導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層分別進行了剝離試驗。需要說明的是，對該剝離性較差的對象沒有進行導線材料腐蝕狀況的評價。(1)評價用變質(zhì)膜制作方法用旋涂機在硅片上涂布正型光致抗蝕劑(長瀬化成(NagasechemteX)社制造的NPR3510S110mPas)15000A，于IO(TC預烘焙2分鐘。通過光掩模對其曝光、顯影，制成抗蝕劑圖案。將該制成抗蝕劑圖案的硅片在具有代表性的Al導線形成工序用蝕刻液或Cu導線形成工序用氧化劑系蝕刻液中均于4(TC浸漬1分鐘進行處理，制成評價用變質(zhì)膜。水洗、吹氮氣后，使其斷片化制成評價用試樣片。(2)剝離性評價方法剝離處理如下進行將試樣片浸入剝離劑組合物(剝離劑組合物含有水的情況下為40°C、不含有水的情況下為70'C)中，緩慢攪拌1分鐘，進行處理。處理結(jié)束后撈出試樣片，即刻水洗、吹氮氣，然后用光學顯微鏡觀察抗蝕劑的剝離殘余的狀況。剝離性的評價基準如下。O以上為合格。無抗蝕劑殘余。〇看不到抗蝕劑圖案，但有微量抗蝕劑殘余。隱約可見抗蝕劑圖案。X:清晰可見抗蝕劑圖案。____<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表3、4表明，實施例137的Al防腐蝕性和Cu防腐蝕性均優(yōu)異，并且，受Cu導線形成工序用蝕刻液的作用而變質(zhì)的抗蝕劑層的剝離性也良好。并且，特別是混合使用了伯胺和仲胺的實施例33、34，與單獨使用伯胺或仲胺的情況(實施例5)相比，提高了對A1、Cu的防腐蝕性。與此相對，不含有本發(fā)明所使用的具有上述通式(1)的結(jié)構(gòu)或通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物和糖醇中的任意之一的比較例15中發(fā)現(xiàn)了對Cu或Al的腐蝕。由此確認到，通過含有具有上述通式(1)的結(jié)構(gòu)或通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物和糖醇，能夠飛躍性地提高對Cu和Al的防腐蝕能力。并且，極性有機溶劑量未達到本發(fā)明規(guī)定的范圍的比較例6和既不含有極性有機溶劑(C)又不含有糖醇的比較例7(專利文獻2所述的組成)中，發(fā)現(xiàn)了對Cu或Al的腐蝕。胺(B)的含量未達到本發(fā)明的范圍的比較例8中剝離性差，而以超過所述范圍進行添加的比較例9則發(fā)現(xiàn)了Cu腐蝕。含有具有原子團-C(OH一N-的雜環(huán)式化合物但該化合物不是本發(fā)明所使用的具有上述通式(1)的結(jié)構(gòu)或通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物的比較例10中，不具有防止Cu受腐蝕的效果，發(fā)現(xiàn)了Cu腐蝕。并且，使用了烷醇叔胺的比較例ll(專利文獻1所述的組成)中，剝離性差。比較例12(專利文獻3所述的組成)未使用具有上述通式(1)的結(jié)構(gòu)或通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物，并且，水量也多于上述的范圍，發(fā)現(xiàn)了Al腐蝕和Cu腐蝕。權(quán)利要求1、一種光致抗蝕劑剝離劑組合物，其用于形成Cu或Cu合金導線及形成Al或Al合金導線，其是在平板顯示器制造工序中使用的光致抗蝕劑剝離劑，其特征在于，該組合物含有0.05重量％～10重量％的選自由具有如下通式(1)的結(jié)構(gòu)的化合物和具有如下通式(2)的結(jié)構(gòu)的化合物組成的組中的至少一種雜環(huán)式化合物(A)、5重量％～45重量％的選自由烷醇伯胺和烷醇仲胺以及烷基伯胺和烷基仲胺組成的組中的至少一種胺(B)、30重量％～94.85重量％的極性有機溶劑(C)、以及0.1重量％～10重量％的糖醇(D)，各式中，A1和A2各自獨立地表示N、NH、O或C，且至少一個不是C；A3～A6各自獨立地表示-H、-OH、-NH2、-CH3或＝O，且至少一個是-OH或＝O。2、如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，所述雜環(huán)式化合物(A)是選自由麥芽酚、2,6-二甲基個吡喃酮、4-羥基-6-甲基-2-吡喃酮、4-羥基香豆素、2,4-二羥基喹啉、2-氨基-4,6-二羥基嘧啶、2,4-二氨基-6-羥基嘧啶、2-氨基-4-羥基-6-甲基嘧啶、4,6-二甲基-2-羥基嘧啶、尿嘧啶以及6-甲基尿嘧啶組成的組中的至少一種。3、如權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，所述胺(B)是選自由單乙醇胺、二乙醇胺、正丙醇胺、單異丙醇胺、單乙基乙醇胺、氨基乙氧基乙醇、單甲基乙醇胺、三亞乙基四胺以及四亞乙基五胺組成的組中的至少一種。4、如權(quán)利要求13的任一項所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，所述極性有機溶劑(C)是選自由二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丁醚、二甲亞砜、丙二醇、N-甲基吡咯烷酮和二甲基乙酰胺組成的組中的至少一種。5、如權(quán)利要求14的任一項所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，所述糖醇(D)是選自由山梨糖醇和木糖醇組成的組中的至少一種。6、如權(quán)利要求15的任一項所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，該組合物還含有相對于組合物總量為25重量％以下的水。7、如權(quán)利要求6所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，相對于組合物總量，水的含量小于10重量％。8、如權(quán)利要求17的任一項所述的光致抗蝕劑剝離劑組合物，其中，所述胺(B)為一種以上烷醇伯胺和一種以上垸醇仲胺。全文摘要本發(fā)明提供FPD制造用光致抗蝕劑剝離劑組合物，其能夠在FPD制造工序中剝離光致抗蝕劑，而不會腐蝕Al或Al合金導線，而且也不會腐蝕Cu或Cu合金導線。本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑組合物含有選自由麥芽酚、2，6-二甲基-γ-吡喃酮、4-羥基-6-甲基-2-吡喃酮、4-羥基香豆素、2，4-二羥基喹啉、2-氨基-4，6-二羥基嘧啶、2，4-二氨基-6-羥基嘧啶、2-氨基-4-羥基-6-甲基嘧啶、4，6-二甲基-2-羥基嘧啶、尿嘧啶和6-甲基尿嘧啶組成的組中的至少一種雜環(huán)式化合物0.05～10重量％；烷醇伯胺或仲胺或者烷基伯胺或仲胺5～45重量％；極性有機溶劑30～94.85重量％；糖醇0.1～10重量％。文檔編號G03F7/42GK101681129SQ20088001601公開日2010年3月24日申請日期2008年5月13日優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日發(fā)明者安江秀國,山邊崇史,西嶋佳孝申請人:長瀬化成株式會社