專利名稱：光電混合基板的制造方法和由該方法獲得的光電混合基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及混合設(shè)置有光波導(dǎo)路和電配線的光電混合基 板的制造方法和由該制造方法獲得的光電混合基板。
背景技術(shù)：
最近以光作為介質(zhì)的信息通訊得到普及。在此，作為信息 通訊用電子設(shè)備等所使用的基板，采用混合搭載有光波導(dǎo)路和 電配線的光電混合基板(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。
該光電混合基板通常是層疊電配線(導(dǎo)線)形成為規(guī)定圖 案的電配線基板和作為光通路的芯(光配線)形成為規(guī)定圖案
的光波導(dǎo)路的結(jié)構(gòu)。圖3表示光電混合基板的一例。該圖3所示 的光電混合基板B是在電配線基板a上形成有光波導(dǎo)路p的雙層 的層疊結(jié)構(gòu)。在上述電配線基板a中，多條電配線96埋設(shè)于絕 緣層95中，形成在該狀態(tài)下由另一絕緣層94支承的狀態(tài)。在上 述光波導(dǎo)路(3中，多個(gè)芯93埋設(shè)于上敷層98中，形成在該狀態(tài)下 由下敷層92支承的狀態(tài)。
專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)2001-7463號(hào)乂>才艮

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題
可是，在制造上述以往的光電混合基板B的方法中，制作 了電配線基板a后，進(jìn)行光波導(dǎo)路P的制作，而且，在各自的制 作中需要多道工序，因此，制造光電混合基板B需要很長(zhǎng)時(shí)間。 例如，形成電配線基板a的電配線96的圖案需要經(jīng)過(guò)如下的多 道工序通過(guò)曝光和顯影等將抗蝕劑形成圖案后，對(duì)該抗蝕劑
3以外的部分進(jìn)行電鍍，之后，去除上述抗蝕劑等。此外，形成
光波導(dǎo)路(3的芯93的圖案也需要曝光和顯影等多道工序。
此外，上述以往的光電混合基板B為在電配線基板a上層疊
有光波導(dǎo)路(3的雙層結(jié)構(gòu)，因此，不利于薄型化，無(wú)法應(yīng)對(duì)最近
薄型化的要求。
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而做成的，其目的在于提供一種
能夠減少制造光電混合基板時(shí)的工序，而且能夠?qū)崿F(xiàn)所制造的
光電混合基板的薄型化的光電混合基板的制造方法和由該制造
方法獲得的光電混合基板。 用于解決問(wèn)題的方案
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第l技術(shù)方案提供一種光電 混合基板的制造方法，包括在下敷層上形成芯用樹(shù)脂層的芯 用樹(shù)脂層形成工序；在該芯用樹(shù)脂層上形成抗蝕劑層的抗蝕劑 層形成工序；通過(guò)圖案加工將上述抗蝕劑層與芯用樹(shù)脂層一同 形成為規(guī)定圖案，并使上述芯用樹(shù)脂層形成芯的圖案加工工序； 在具有形成了圖案的抗蝕劑層和芯的下敷層上，以覆蓋抗蝕劑 層和芯的狀態(tài)形成金屬薄膜的金屬薄膜形成工序；將由上述金 屬薄膜覆蓋的抗蝕劑層與金屬薄膜 一 同去除的抗蝕劑層去除工 序；通過(guò)對(duì)形成了圖案且呈突出狀態(tài)的芯的側(cè)面的金屬薄膜和 芯與芯之間的下敷層上的金屬薄膜實(shí)施電解電鍍，用電鍍層填 埋上述芯和與之相鄰的芯之間的槽部，將該電鍍層作為電配線 的電解電鍍工序；在覆蓋上述芯和上述電配線的狀態(tài)下形成上 敷層的上敷層形成工序。
此外，本發(fā)明的第2技術(shù)方案提供一種光電混合基板，該 光電混合基板是由上述光電混合基板的制造方法獲得的，包括 在下敷層上突出形成為規(guī)定圖案的多個(gè)芯；沿著該突出形成的 芯的側(cè)面和除該芯形成部分之外的下敷層的正面部分形成的金
4屬薄膜；由填埋在該芯和與之相鄰的芯之間的槽部中的電解電 鍍層構(gòu)成的電配線；在覆蓋上述芯和上述電配線的狀態(tài)下形成 的上敷層。
發(fā)明的效果
在本發(fā)明的光電混合基板的制造方法中，使多個(gè)芯(光配 線)突出形成為規(guī)定圖案之后，通過(guò)進(jìn)行電解電鍍所生成的電 鍍層填埋該相鄰的芯與芯之間的槽部，將該電鍍層作為電配線 (導(dǎo)線)。即，在本發(fā)明中，利用作為光波導(dǎo)路等構(gòu)成要素的芯 與芯之間的槽部而制作電配線，因此不必形成新的電配線的圖 案，能夠減少制造光電混合基板時(shí)形成新的電配線的圖案那部 分的工序。其結(jié)果，能夠縮短光電混合基板的制造時(shí)間，能夠 提高生產(chǎn)效率。此外，如上所述，利用芯的圖案形成電配線的 圖案，因此，能夠自動(dòng)地提高芯與電配線之間的定位精度。而 且，利用光波導(dǎo)路的芯與芯之間的槽部形成上述電配線，因此 所制造的光電混合基板可以說(shuō)是單層結(jié)構(gòu)，與以往的雙層結(jié)構(gòu) 相比能夠相當(dāng)薄。
此外，在金屬制基臺(tái)上形成下敷層時(shí)，在該金屬制基臺(tái)上 制造了光電混合基板后，通過(guò)蝕刻僅將上述金屬制基臺(tái)去除， 從而能夠簡(jiǎn)單地獲得光電混合基板。
特別是在金屬制基臺(tái)是不銹鋼制基臺(tái)時(shí)，由于該不銹鋼制 基臺(tái)耐腐蝕性和尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異，所以能夠在穩(wěn)定的狀態(tài)下在 不銹鋼制基臺(tái)上制造光電混合基板。
而且，本發(fā)明的光電混合基板如上所述，利用相鄰的芯與 芯之間的槽部形成電配線，因此可以說(shuō)是單層結(jié)構(gòu)。因而，在 相同的高度位置形成有上述芯與電配線。因此，本發(fā)明的光電 混合基板與以往的雙層結(jié)構(gòu)相比能夠相當(dāng)薄。


圖l的(a) ~ ( d)示意性地表示本發(fā)明的光電混合基板的 制造方法的一實(shí)施方式的說(shuō)明圖。
圖2的(a) ~ (c)示意性地表示上述光電混合基板的制 造方法的說(shuō)明圖。
圖3是示意性地表示以往的光電混合基板的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
接著，#4居附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)^f亍詳細(xì)地說(shuō)明。 圖l的(a) ~ (d)、圖2的(a) ~ (c)表示本發(fā)明的光 電混合基板的制造方法的一實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，首先， 在由不銹鋼板等構(gòu)成的基臺(tái)l的上表面的整個(gè)面上形成由絕緣 材料構(gòu)成的下敷層2[參照?qǐng)Dl的(a)]。接著，在該下敷層2上， 形成由絕緣材料構(gòu)成的芯用樹(shù)脂層3a,之后，在該芯用樹(shù)脂層 3a上形成抗蝕劑層4[參照?qǐng)Dl的(b)]。接著，使上述抗蝕劑層 4與芯用樹(shù)脂層3a—同形成為規(guī)定圖案[參照?qǐng)Dl的(c)]。形成 該規(guī)定圖案且呈突出狀態(tài)的芯用樹(shù)脂層3a部分形成芯(光配線) 3。接著，利用濺射或無(wú)電解電鍍等，在具有形成上述圖案的抗 蝕劑層4和芯3的下敷層2上以覆蓋抗蝕劑層4和芯3的狀態(tài)形成 金屬薄膜5[參照?qǐng)D1的(d)]。之后，利用蝕刻去除上述抗蝕劑 層4[參照?qǐng)D2的(a)]。此時(shí)，形成于抗蝕劑層4的表面上的金 屬薄膜5也與上述抗蝕劑層4一同被去除。剩余的金屬薄膜5成為 形成在下敷層2的正面上和芯3的兩側(cè)面32上的狀態(tài)。然后，通 過(guò)對(duì)該剩余的金屬薄膜5實(shí)施電解電鍍，用電解電鍍層7a填埋相 鄰的芯3彼此之間的槽部6[參照?qǐng)D2的(b)]。在該狀態(tài)下，位 于上述相鄰的芯3與芯3之間的槽部6內(nèi)的電解電鍍層7a形成電 配線(導(dǎo)線)7。然后，以覆蓋上述芯3和上述電配線7的狀態(tài)形
6成由絕緣材料構(gòu)成的上敷層8[參照?qǐng)D2的(c)]。這樣，獲得芯 (光配線)3和電配線7 (導(dǎo)線)交替配置的可以說(shuō)是單層結(jié)構(gòu) 的光電混合基板A。由于該光電混合基板A被形成于基臺(tái)l上， 所以利用酸等對(duì)由不銹鋼板等構(gòu)成的基臺(tái)l進(jìn)行處理，去除該基 臺(tái)1而使該光電混合基板A產(chǎn)品化，或者使該光電混合基板A與 基臺(tái)l一同產(chǎn)品化。
在該光電混合基板A中，由下敷層2、芯3、上敷層8形成光 波導(dǎo)i 各，在芯3與芯3之間的槽部6內(nèi)形成電配線7。并且，該電 配線7是利用下敷層2、芯3、上敷層8的絕緣性而形成的，所以 可靠性高。此外，在芯3的兩側(cè)面32形成有金屬薄膜5，能夠?qū)?金屬薄膜5作為光的反射面發(fā)揮作用，因此光的傳播變得更加可 靠。
對(duì)以上進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明，形成有上述下敷層2的基臺(tái) l[參照?qǐng)Dl的(a)]是平板狀，使用了如上所述的不銹鋼板等金 屬板，但不限于此，也能夠使用由玻璃、石英、硅、合成樹(shù)脂 等構(gòu)成的基臺(tái)。此外，基臺(tái)l的厚度例如被設(shè)定在20)iim (薄膜 狀的基臺(tái)1 ) ~ 5mm (板狀的基臺(tái)1 )的范圍內(nèi)。
上述下敷層2的形成[參照?qǐng)Dl的(a)]例如如下面的步驟進(jìn) 行。即，首先，在上述基臺(tái)l上涂敷在溶劑中溶解有以往公知的 感光性樹(shù)脂(富有絕緣性的樹(shù)脂)而成的清漆，之后利用加熱 處理使其干燥，從而形成感光性樹(shù)脂層。接著，利用照射線使 該感光性樹(shù)脂層曝光后，進(jìn)行加熱處理，使光反應(yīng)完成。由此， 在下敷層2上形成上述感光性樹(shù)脂層。下敷層2(感光性樹(shù)脂層) 的厚度通常被設(shè)定在10 1000jim的范圍內(nèi)。
在上述下敷層2的形成中，例如采用旋涂法、浸漬法、澆 鑄法、注射法、噴墨法等涂敷上述清漆。然后，對(duì)其進(jìn)行50~ 120°CxlO ~ 30分鐘的加熱處理而使其干燥。并且，上述曝光用的照射線例如可采用可見(jiàn)光、紫外線、紅外線、X射線、(x射線、
卩射線、Y射線等。最好采用紫外線。采用紫外線時(shí)，通過(guò)照射 大能量能得到快的固化速度，而且照射裝置也小型且便宜，能 實(shí)現(xiàn)降低生產(chǎn)成本。紫外線光源例如采用低壓水銀燈、高壓水
銀燈、超高壓水銀燈等。紫外線照射量通常為10 ~ 10000mJ/cm2, 優(yōu)選為50~ 3000mJ/cm2。之后的力口熱處理，在80 250。C、優(yōu)選 在100~ 200。C的范圍、在10秒~ 2小時(shí)、優(yōu)選在5分鐘~ l小時(shí)的 范圍內(nèi)進(jìn)行。
作為下道工序的芯用樹(shù)脂層3a的形成[參照?qǐng)Dl的(b)]， 是例如通過(guò)與下敷層2的形成工序中的感光性樹(shù)脂層同樣地形 成感光性樹(shù)脂層而進(jìn)行的。芯用樹(shù)脂層3a(芯3 )的形成材料采 用折射率比上述下敷層2和后述上敷層8[參照?qǐng)D2的(c)]的形 成材料的折射率大的材料。例如通過(guò)對(duì)上述下敷層2、芯3、上 敷層8的各形成材料種類進(jìn)行選擇、對(duì)該各形成材料的組成比例 進(jìn)行調(diào)整，能夠調(diào)整該折射率。芯用樹(shù)脂層3a的厚度通常被設(shè) 定在IO ~ 100pm的范圍內(nèi)。
作為之后形成的上述抗蝕劑層4[參照?qǐng)Dl的(b)]的形成材 料，在本實(shí)施方式中使用感光性的光致抗蝕劑。并且，在芯用 樹(shù)脂層3a上涂敷上述光致抗蝕劑后，進(jìn)行加熱處理而使其干燥， 從而形成上述抗蝕劑層4。例如采用旋涂法、浸漬法、澆鑄法、 注射法、噴墨法等涂敷上述光致抗蝕劑?；蛘咭部梢栽谛居脴?shù) 脂層3a上貼合干式薄膜抗蝕劑。上述抗蝕劑層4的厚度通常被設(shè) 定在IO ~ 30pm的范圍內(nèi)。
作為下道工序的上述芯用樹(shù)脂層3 a和抗蝕劑層4的圖案形 成[參照?qǐng)Dl的(c )]例如如下進(jìn)行。即，首先，隔著形成有與 芯3的圖案對(duì)應(yīng)的開(kāi)口圖案的曝光掩模，與上述下敷層2的形成 工序同樣地用照射線使上述抗蝕劑層4曝光，并且利用照射線透過(guò)該抗蝕劑層4而使上述芯用樹(shù)脂層3a曝光之后，進(jìn)行加熱處 理。接著，用顯影液進(jìn)行顯影，使芯用樹(shù)脂層3a的未曝光部分 溶解而將其去除，由此，將殘存在下敷層2上的芯用樹(shù)脂層3a 形成為芯3的圖案，并且使抗蝕劑層4殘存在芯3的圖案上。之后， 通過(guò)加熱處理去除該殘存的芯用樹(shù)脂層3a中的顯影液以及抗蝕 劑層4中的顯影液。由此，在芯3上形成上述殘存的芯用樹(shù)脂層 3a部分。芯3的寬度通常被設(shè)定在8 50nm的范圍內(nèi)。
在形成上述芯3等的圖案時(shí)，上述顯影例如采用浸漬法、 噴射法、攪拌法等。另外，顯影液例如可采用有機(jī)溶劑、含有 堿性水溶液的有機(jī)溶劑等。根據(jù)芯用樹(shù)脂層3a、抗蝕劑層4的感 光性樹(shù)脂組合物的成分適當(dāng)選擇這樣的顯影液和顯影條件。上 述顯影后的加熱處理，通常是在80~ 120°CxlO~ 30分鐘的范圍 內(nèi)進(jìn)行。
之后被形成的上述金屬薄膜5[參照?qǐng)Dl的(d)]是在進(jìn)行之 后的電解電鍍[參照?qǐng)D2的(b)]時(shí)作為陰極使用的金屬層。作 為上述金屬薄膜5的金屬材料列舉出鉻、銅等。上述金屬薄膜5 的厚度通常設(shè)定在600 ~ 2600A的范圍內(nèi)。
(a)]是為了在相鄰的芯3與芯3之間的槽部6中僅殘留金屬薄膜 5而進(jìn)行的。原因在于，在金屬薄膜5殘留在抗蝕劑層4表面的狀 態(tài)下，通過(guò)之后電解電鍍[參照?qǐng)D2的(b)]，在該抗蝕劑層4表 面的金屬薄膜5上形成電鍍層7 a ，位于相鄰的芯3與芯3之間的槽 部6內(nèi)的電鍍層7a (電配線7)發(fā)生短路。上述蝕刻是如下進(jìn)行 的將整體[圖l的(d)的整體]浸漬于蝕刻液中，使蝕刻液自 抗蝕劑層4的端面(露出的面)浸透到抗蝕劑層4內(nèi)，去除抗蝕 劑層4。在進(jìn)行上述蝕刻時(shí)，被去除的抗蝕劑層4的表面上的金 屬薄膜5通過(guò)去除抗蝕劑層4而失去抗蝕劑層4的支承，所以去除抗蝕劑層4的同時(shí)金屬薄膜5也被去除。作為上述蝕刻液列舉出 氫氧化鈉水溶液等。
在上述蝕刻后的電解電鍍[參照?qǐng)D2的(b)]是通過(guò)在電解 槽中，將上述金屬薄膜5作為陰極，向上述電解槽中施加電壓而 進(jìn)行的。由此，利用電解電鍍?cè)谏鲜鼋饘俦∧?的表面上形成電 鍍層7a。作為利用上述電解電鍍所形成的電鍍層7a的金屬材料， 列舉有銅、鎳、金、錫等。作為上述電解電鍍優(yōu)選填孔鍍。之 所以這樣優(yōu)選是因?yàn)樘羁族冞m于將電鍍層7a填埋在相鄰的芯3 與芯3之間的槽部6[參照?qǐng)D2的(a)]內(nèi)。另外，上述槽部6內(nèi)的 電鍍層7a也可以處于不完全填埋槽部6的狀態(tài)，還可以處于自槽 部6的上端面突起的狀態(tài)。
在上述電解電鍍后進(jìn)行的上敷層8的形成[參照?qǐng)D2的(c)] 與上述下敷層2的形成同樣地進(jìn)行。即，在覆蓋上述芯3和上述 電配線7地形成感光性樹(shù)脂層后，進(jìn)行曝光和加熱處理，使上述 感光性樹(shù)脂層形成為上敷層8。上敷層8(感光性樹(shù)脂層)的厚 度通常被設(shè)定在IO ~ 1000nm的范圍內(nèi)。
這樣，在基臺(tái)1上制造光電混合基板A[參照?qǐng)D2的(c)]。 該光電混合基板A如上所述，可以在設(shè)置于基臺(tái)l上的狀態(tài)下使 用，也可以通過(guò)剝離基臺(tái)l或通過(guò)蝕刻等來(lái)去除基臺(tái)l來(lái)使用。
在上述光電混合基板A中，由多個(gè)芯3、自上下夾持這些芯 3的下敷層2和上敷層8構(gòu)成光波導(dǎo)路，在該光波導(dǎo)路內(nèi)的相鄰的 芯3與芯3之間形成有電配線7。即，上述光電混合基板A在光波 導(dǎo)路內(nèi)的與芯(光配線)3同 一面上(相同層)形成電配線(導(dǎo) 線)7。由此，上述光電混合基板A與以往的雙層結(jié)構(gòu)的光電混 合基板B (參照?qǐng)D3)相比，相當(dāng)薄。而且，如上所述，在芯3 的兩側(cè)面32形成有金屬薄膜5，因此，能夠使該金屬薄膜5作為 在芯3內(nèi)傳播光的反射面而發(fā)揮作用。能夠使光傳播更可靠。另
10外，配置在各電配線7的周圍的下敷層2、芯3和上敷層8是構(gòu)成 上述光波導(dǎo)路的絕緣體，所以電配線7不會(huì)發(fā)生短路。
另外，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)曝光和顯影等形成芯3和 抗蝕劑層4的圖案，也可以通過(guò)除此之外的方法形成該圖案，例 如，使用旋轉(zhuǎn)刀具等進(jìn)行切削而進(jìn)行。此時(shí)，芯3和抗蝕劑層4 的形成材料不限定于感光性材料，也可以是熱固性樹(shù)脂。
另外，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)使用蝕刻液進(jìn)行蝕刻來(lái)去 除抗蝕劑層4和抗蝕劑層4表面上的金屬薄膜5，但也可以通過(guò)除 此之外的方法去除抗蝕劑層4和抗蝕劑層4表面上的金屬薄膜5。 例如，也可以通過(guò)研磨等物理方法來(lái)進(jìn)行。
另外，在上述實(shí)施方式中，在下敷層2、上敷層8的形成中， 使用感光性樹(shù)脂作為材料，通過(guò)曝光等進(jìn)行其形成，但也可以 是除此之外的情況。例如，也可以使用聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù) 脂等熱固性樹(shù)脂作為下敷層2、上敷層8的材料，在涂敷該熱固 性樹(shù)脂溶解于溶劑而成的清漆等之后，通過(guò)加熱處理(通常， 300 ~ 400°Cx60~ 1S0分鐘)進(jìn)行固化等，形成下敷層2、上敷 層8。另外，作為下敷層2、上敷層8還可以使用樹(shù)脂薄膜。
接著，說(shuō)明實(shí)施例。但是，本發(fā)明不限于實(shí)施例。
實(shí)施例
(下敷層和上敷層的形成材料)
將下述通式(1 )所示的雙苯氧基乙醇芴縮水甘油醚(成分 A) 35重量份、作為脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂的3，，4，-環(huán)氧環(huán)己基曱基 -3,4-環(huán)氧己烷羧酸酯(大賽璐化學(xué)公司制造、 CELLOXIDE2021P )(成分B ) 40重量<分、(3，，4，-環(huán)氧環(huán)己烷) 曱基_3，，4，-環(huán)氧環(huán)己基-羧酸酯(大賽璐化學(xué)公司制造、 CELLOXIDE2081 )(成分C) 25重量份、4，4，-雙[二 (卩羥基乙氧 基)苯基锍]苯石克醚-雙-六氟銻酸鹽的50%碳酸丙二酯溶液(成
ii分D) l重量份混合，調(diào)制下敷層和上敷層的形成材料。
化1
(式中，R廣R6全部為氫原子，n=l) (芯的形成材料)
通過(guò)將上述成分A: 70重量份、1，3，3-三{4-[2-( 3-氧雜環(huán)丁 烷基)]丁氧基苯基}丁烷30重量份、上述成分D: l重量份溶 解到乳酸乙酯28重量份中，從而調(diào)制芯的形成材料。
(光電混合基板的制作)
利用旋涂法在不銹鋼制基臺(tái)(厚度為20pm)的正面上涂敷 上述下敷層的形成材料后，通過(guò)進(jìn)行10(TC x 15分鐘的加熱處理 使其干燥。接下來(lái)，隔著形成有希望開(kāi)口圖案的光掩模(曝光 掩模)，由2000mJ/cn^的紫外線照射進(jìn)行了曝光。接著，通過(guò)進(jìn) 行100。Cxi5分鐘的加熱處理形成了下敷層。用接觸式膜厚計(jì)測(cè) 量該下敷層的厚度為25pm。另外，該下敷層的、波長(zhǎng)830nm的 折射率為1.542。
接著，利用旋涂法在上述下敷層的正面上涂敷上述芯的形 成材料后，通過(guò)進(jìn)行100。Cxl5分鐘的加熱處理使其干燥，形成 了芯用樹(shù)脂層。接著，利用旋涂法在該芯用樹(shù)脂層上涂敷了光 致抗蝕劑后，通過(guò)加熱處理使其干燥，形成了抗蝕劑層(厚度 為20pm)。接著，在該抗蝕劑層上方配置了形成有與芯的圖案 相同形狀的開(kāi)口圖案的光掩模。然后，從其上方，利用接觸曝 光法用4000mJ/cm2的紫外線照射進(jìn)行曝光后，進(jìn)行了 120 °C x30分鐘的加熱處理。接著，使用y- 丁內(nèi)酯水溶液進(jìn)行顯影，溶解
去除上述抗蝕劑層和芯用樹(shù)脂層的未曝光部分之后，進(jìn)行了 120 。Cx30分鐘的加熱處理。由此，將殘存的規(guī)定圖案的芯用樹(shù)脂 層部分作為芯。用SEM (電子顯微鏡)測(cè)量該芯的截面尺寸為 寬50(imx高50jim。相鄰的芯與芯之間的間隙為50pm。另夕卜，該 芯的、波長(zhǎng)830nm的折射率為1.588。
接著，利用濺射在具有形成圖案的抗蝕劑層和芯的下敷層 上以覆蓋抗蝕劑層和芯的狀態(tài)形成了由鉻和銅的合金構(gòu)成的金 屬薄膜(厚度1500A)。之后，浸漬于由氫氧化鈉水溶液構(gòu)成的 蝕刻液中，將抗蝕劑層和形成于其表面上的金屬薄膜一同去除。 然后，在殘存的金屬薄膜(下敷層的正面的金屬薄膜和芯的兩 側(cè)面的金屬薄膜)的表面上，利用電解電鍍，形成由銅構(gòu)成的 電鍍層，用上述的電鍍層填埋了相鄰的芯與芯之間的槽部。以 該電鍍層作為電配線。
然后，與形成上述下敷層相同，覆蓋上述芯和上述電配線
地形成了上敷層。用接觸式膜厚計(jì)測(cè)量該下敷層的厚度為 25pm。另外，該下敷層的、波長(zhǎng)830nm的折射率為1.542。
這樣一來(lái)，能夠在基臺(tái)上制造下述的光電混合基板芯(光 配線)和電配線(導(dǎo)線)處于相同高度位置且交替配置，其上 下分別配置了下敷層和上敷層。
1權(quán)利要求
1.一種光電混合基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序在下敷層上形成芯用樹(shù)脂層的芯用樹(shù)脂層形成工序；在該芯用樹(shù)脂層上形成抗蝕劑層的抗蝕劑層形成工序；通過(guò)圖案加工將上述抗蝕劑層與芯用樹(shù)脂層一同形成為規(guī)定圖案，并使上述芯用樹(shù)脂層形成芯的圖案加工工序；在具有形成圖案的抗蝕劑層和芯的下敷層上，以覆蓋抗蝕劑層和芯的狀態(tài)形成金屬薄膜的金屬薄膜形成工序；將由上述金屬薄膜覆蓋的抗蝕劑層與金屬薄膜一同去除的抗蝕劑層去除工序；通過(guò)對(duì)形成圖案且呈突出狀態(tài)的芯的側(cè)面的金屬薄膜和芯與芯之間的下敷層上的金屬薄膜實(shí)施電解電鍍，用電鍍層填埋上述芯和與之相鄰的芯之間的槽部，將該電鍍層作為電配線的電解電鍍工序；在覆蓋上述芯和上述電配線的狀態(tài)下形成上敷層的上敷層形成工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光電混合基板的制造方法，在金 屬制基臺(tái)上形成下敷層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電混合基板的制造方法，金屬 制基臺(tái)是不銹鋼制基臺(tái)。
4. 一種光電混合基板，是通過(guò)上述權(quán)利要求l所述的光電 混合基板的制造方法而獲得的，其特征在于，包括在下敷層 上突出形成為規(guī)定圖案的多個(gè)芯；沿著該突出形成的芯的側(cè)面 和除該芯形成部分之外的下敷層的正面部分形成的金屬薄膜； 由填埋在該芯和與之相鄰的芯之間的槽部中的電解電鍍層構(gòu)成 的電配線；在覆蓋上述芯和上述電配線的狀態(tài)下形成的上敷層。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠減少制造光電混合基板時(shí)的工序，且能夠?qū)崿F(xiàn)所制造的光電混合基板的薄型化的光電混合基板的制造方法和由該方法獲得的光電混合基板。在芯用樹(shù)脂層上形成抗蝕劑層后，使芯用樹(shù)脂層和抗蝕劑層形成為規(guī)定圖案，將該芯用樹(shù)脂層部分作為芯(光配線)(3)。接著，以覆蓋抗蝕劑層和芯(3)的狀態(tài)在下敷層(2)上形成金屬薄膜(5)，之后，將抗蝕劑層與其表面的金屬薄膜(5)一同去除。接著，通過(guò)對(duì)殘存的金屬薄膜(5)實(shí)施電解電鍍，用電解電鍍生成的電鍍層(7a)填埋相鄰的芯(3)與芯(3)之間的槽部(6)，將該電鍍層(7a)作為電配線7。
文檔編號(hào)G02B6/13GK101493547SQ20091000118
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
發(fā)明者內(nèi)藤俊樹(shù), 大藪恭也, 宗和范, 疋田貴巳 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社