專利名稱：掩模版圖修正方法、掩模版制作方法和光學鄰近校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻技術(shù)，特別是掩模版圖修正方法、掩模版制作方法和光學鄰近校 正方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路設(shè)計的高速發(fā)展，掩模版形的尺寸日益縮小，光學鄰近效應(yīng)越 來越明顯，即曝光光線穿過掩模版并投射到硅片表面的光刻膠上時，在光刻膠表面所形成 的圖案相較于掩模版圖形會出現(xiàn)變形和偏差，從而影響在硅片表面所形成的圖形，即光刻 圖形。為了保證光刻圖形的精確性，相移掩膜(PSM，Phase Shift Mask)技術(shù)越來越多地被 采用。理論上，掩模版中透光縫隙處的電場El應(yīng)該是相同的，然而，當相鄰縫隙距離非 常小時，相鄰縫隙之間會產(chǎn)生光的衍射，并使縫隙間的電場增強。此時，掩模版圖投影至硅 片上，所獲得的像圖案由于過于接近，將無法被分辨出來。相移掩膜PSM技術(shù)是指，在相鄰 的透光縫隙處設(shè)置厚度與1/2光波長成正比的相移層，使透過相移層的曝光光線與其他透 射光產(chǎn)生180度的光相位差，從而使在相鄰?fù)腹饪p隙中間點上的光強互相抵消或減弱。相移掩膜主要包括交替相移掩膜Alt-PSM(alternating Phase Shift Mask)和衰 減相移掩膜Att-PSM(Attenuated Phase Shift Mask)兩種類型。其中，衰減相移掩膜技術(shù) 是指采用半透明的薄膜作為相移層，將所述薄膜覆蓋于相鄰的縫隙上，使通過該相移層的 透射光反相。在曝光過程中，常采用曝光能量閾值來區(qū)分是否具有對應(yīng)的掩模版案；當 光強迭加后的結(jié)果未超過所述閾值，則認為沒有對應(yīng)的掩模版案；而當光強迭加后的 結(jié)果超過所述閾值，則認為存在對應(yīng)的掩模版案，并可通過后續(xù)的顯影漂洗工藝將其 顯示出來。借助于上述衰減相移掩膜方法，能夠在硅片上獲得分離的相鄰的像圖案，提高分 辨率以及擴大工藝窗口。然而，由于衰減相移掩膜采用半透明的薄膜，一般來說仍具有5% -20%的透光 性，這使得部分曝光光線在一些不存在掩模版案與之對應(yīng)的硅片位置產(chǎn)生了迭加。當 迭加的曝光能量超出了所述閾值時，在硅片上將顯示出像圖案。這種掩模版圖中沒有而曝 光后的硅片上出現(xiàn)的圖案被稱為旁瓣。旁瓣效應(yīng)大大影響了關(guān)鍵尺寸，制約了工藝窗口。為抑制旁瓣效應(yīng)，專利號為200310109456. 3、名稱為“一種防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到 襯底的方法”的中國專利中，公開了一種防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底的方法，通過在接觸孔 光刻后以及刻蝕前增加烘烤的步驟，使光刻膠產(chǎn)生流動并填平旁瓣，從而控制旁瓣被轉(zhuǎn)移 到硅片上。但是由于無法一次性獲得烘烤的溫度和時間范圍，該方案需要重復(fù)多次光刻和 烘烤的工藝步驟，浪費材料和人工，并且該方案基于光刻膠的流動進行校正，并不能對其流 動的方向性和流動量進行控制，使其結(jié)果具有不確定性，不利于產(chǎn)品和制程的穩(wěn)定。此外，現(xiàn)有技術(shù)中對于降低旁瓣效應(yīng)還有若干解決方案，例如，可通過增大掩模版 圖相對于設(shè)計圖形的關(guān)鍵尺寸增量來減小旁瓣效應(yīng)，但該方法同時會導致焦深變??；還可 通過調(diào)整曝光光源數(shù)值孔徑(NA)或一致性參數(shù)(sigma)來降低旁瓣效應(yīng)，然而該方法給嚴重地抑制工藝窗口大小以及焦深；由于掩模版圖與相關(guān)的設(shè)計圖形相對應(yīng)，還可通過修改設(shè)計圖形來降低旁瓣效應(yīng)，然而設(shè)計圖形涉及到眾多電路元件以及電路的功能性實現(xiàn)，對 設(shè)計圖形的修改會帶來巨大的工作量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是降低采用衰減相移掩膜技術(shù)進行光刻所導致的旁瓣效應(yīng)。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種掩模版圖修正方法，包括檢查掩膜版圖；判 斷是否存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，如果不存在，則將所述掩模版圖作為新的掩模版圖，停止對 其進行修正；如果存在，繼續(xù)進入下一步修正；在所述掩膜版圖產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域內(nèi)添加輔 助圖形，形成新的掩膜版圖，重新檢查掩模版圖，直至新的掩膜版圖中不再出現(xiàn)會產(chǎn)生旁瓣 的區(qū)域，修正停止。另外，本發(fā)明還提供了一種包括所述掩模版圖修正方法的掩模版制作方法，還包 括根據(jù)新的掩模版圖，制作掩模版。此外，本發(fā)明還提供了一種包括所述掩模版圖修正方法的光學鄰近校正方法，還 包括根據(jù)新的掩模版圖，對設(shè)計圖形進行光學鄰近校正。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點根據(jù)曝光能量迭加的規(guī)律，當?shù)拥钠毓?能量超出閾值且對應(yīng)的掩模版圖中無圖案時，添加輔助圖形，從而抑制旁瓣效應(yīng)，對曝光圖 形進行修正，并且還可對添加了輔助圖形的新的掩模版圖重復(fù)進行修正，直至不再出現(xiàn)產(chǎn) 生旁瓣的區(qū)域，從而獲得具有較好曝光效果的掩膜版。


圖1是本發(fā)明掩模版圖修正方法實施方式的流程示意圖；圖2和圖3分別是本發(fā)明掩模版圖修正方法具體實施例中掩膜版圖中兩個相鄰圖 案所對應(yīng)的電場分布和曝光能量分布的示意圖；圖4和圖5是本發(fā)明掩模版圖修正方法具體實施例中對所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域進行 分解的版圖示意圖；圖6和圖7是本發(fā)明掩模版圖修正方法具體實施例中根據(jù)電場場強分布和曝光能 量分布對產(chǎn)生旁瓣進行修正的示意圖；圖8至圖12是本發(fā)明掩模版圖修正方法具體實施例的版圖示意圖；圖13是本發(fā)明掩模版制作方法實施方式的流程示意圖；圖14是圖13中步驟S12實施方式的流程示意圖；圖15是本發(fā)明光學鄰近校正方法實施方式的流程示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明根據(jù)曝光能量迭加的規(guī)律，當?shù)拥钠毓饽芰砍鲩撝登覍?yīng)的掩模版圖 中無圖案時，添加輔助圖形，用于對曝光圖形進行修正，從而抑制旁瓣效應(yīng)，并且對添加了 輔助圖形的新的掩模版圖重復(fù)進行修正，直至不再出現(xiàn)產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，從而獲得新的掩 膜版圖。下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明實施方式作進一步說明。
參考圖1，本發(fā)明實施方式提供了一種掩模版圖修正方法，包括步驟S1，檢查掩 膜版圖；步驟S2，判斷是否存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，如果不存在，則將所述掩模版圖作為新 的掩模版圖，停止對其進行修正，如果存在，進入步驟S3 ；步驟S3，在所述掩膜版圖產(chǎn)生旁 瓣的區(qū)域內(nèi)添加輔助圖形，形成新的掩膜版圖，重新對新的掩模版圖執(zhí)行步驟S1，直至修正停止。具體來說，步驟S1可包括對所述掩膜版圖進行曝光模擬，獲得模擬的曝光圖形。 其中，所述曝光模擬可采用光學模型對所述掩模版圖的尺寸和位置進行曝光工藝步驟的模 擬，并獲得模擬的曝光結(jié)果。所述光學模型可包括多個高斯核函數(shù)，通過多個高斯核函數(shù)的 卷積對各種光學工藝參數(shù)的變化進行調(diào)整，所述光學工藝參數(shù)具體可包括光源波長、樹脂 孔徑、相干系數(shù)、折射系數(shù)等。獲得所述曝光圖形后，步驟S2可包括獲得掩模版圖的曝光能量分布；檢查曝光 能量分布，獲得產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域?qū)?yīng)于曝光能量超過閾值且所述掩 膜版圖中無圖案的區(qū)域。參考圖2和圖3，根據(jù)掩膜版圖中兩個相鄰圖案A1和圖案AO所對應(yīng)的電場分布和 曝光能量分布圖。在波動光學中，當僅考慮光傳播方向上的能量傳輸時，光強和電場存在如 式⑴所述的關(guān)系I(r) = i [^-E\r,t)dt = ^Em\r)(i)其中，I為光強，T為電場周期，E(r, t)為電場場強，Effl(r)為電場場強幅值，r為 距離圖案A1和圖案AO的距離。。也就是說，光強與電場場強幅值的平方呈正比。衰減相移掩膜使所述相鄰圖案A1 和AO處的電場增強，而所述相鄰圖案A1和AO之間的電場相互抵消之后減小為零或反向增 大；相應(yīng)地，體現(xiàn)在曝光能量分布圖上，則在所述相鄰圖案A1和AO之間，呈現(xiàn)出曝光能量增 大甚至超過閾值。因而，在該掩膜版圖上，與曝光能量大于閾值相對應(yīng)的區(qū)域200經(jīng)曝光之 后，會在硅片與所述區(qū)域?qū)?yīng)的位置上產(chǎn)生旁瓣?；谏鲜鲈?，將掩模版圖中每個區(qū)域的曝光能量與閾值相比較。在一種實施方 式中，首先，可將掩膜版圖分為若干個子區(qū)域，檢查每個子區(qū)域，獲得每個子區(qū)域的曝光能 量；其中，對曝光能量的計算或估計可采用任一種計算方法，所選取的計算方法并不對本發(fā) 明的構(gòu)思造成限制；也可根據(jù)光學儀器獲取每個子區(qū)域的曝光能量。然后，將每個子區(qū)域的 曝光能量與閾值進行比較。在另一種實施方式中，還可根據(jù)所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域出現(xiàn)的概率，將掩模版圖劃 分為可疑區(qū)域和一般區(qū)域，然后再比較曝光能量與閾值。其中，所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域在所述 可疑區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)的概率較高。發(fā)明人經(jīng)過多次試驗發(fā)現(xiàn)，旁瓣效應(yīng)在掩模版圖中各圖案的 兩側(cè)、圖案之間以及版圖的邊緣出現(xiàn)概率比較高，因此可將這些區(qū)域設(shè)置為可疑區(qū)域。接下來，可以先將可疑區(qū)域劃分為若干個子區(qū)域，對每個子區(qū)域進行檢查，確認是 否存在曝光能量高于閾值的子區(qū)域，然后再對一般區(qū)域進行劃分和檢查；還可以僅對可疑 區(qū)域進行排查，而忽略一般區(qū)域。此外，在獲得所述曝光圖形后，步驟S2還可通過將所述曝光圖形與所述掩膜版圖
進行對比，從而在所述掩模版圖中確定產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域。
接下來，執(zhí)行步驟S3。具體來說，步驟S3可包括對所述掩模版圖中產(chǎn)生旁瓣的 區(qū)域進行分解；根據(jù)分解結(jié)果，添加輔助圖形。出于輔助圖形的設(shè)計目的，所述添加的輔助圖形需要考慮到，一方面通過所述輔 助圖形的尺寸大小、數(shù)量和放置位置等以實現(xiàn)旁瓣效應(yīng)的消除，另一方面所述輔助圖形不 能出現(xiàn)在曝光后的硅片上。因此，可先對較大的區(qū)域進行分解，然后再根據(jù)分解結(jié)果，產(chǎn)生 輔助圖形。在一個具體實施例中，參考圖4和圖5，當獲得掩模版圖中相鄰圖案101和102之 間的產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域110時，如果直接按照該區(qū)域110產(chǎn)生輔助圖形，由于尺寸過大，將顯 示在曝光后的硅片上，因此首先對區(qū)域110進行分解；具體來說，在分解過程中，可根據(jù)分 解區(qū)域與原區(qū)域Iio的比例和相對位置，以及分解區(qū)域與圖案101和圖案102之間的關(guān)系， 將區(qū)域110分解為四個子區(qū)域。然后，分別根據(jù)這四個子區(qū)域，產(chǎn)生輔助圖形111、112、113 和 114。由于每一個新添加的輔助圖形都是獨立獲得的，因此不同的輔助圖形之間，甚至 輔助圖形與原版形之間，都可能因為其它輔助圖形的加入而導致曝光能量分布產(chǎn)生新 的變化。因此對新的掩膜版圖重復(fù)多次進行步驟Sl和步驟S2，直至新的掩膜版圖中不再出 現(xiàn)會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域。在本發(fā)明掩模版圖修正方法的一個具體實施例中，參考圖6，首先，在掩模版圖 300上，獲得沿A-A’方向的電場場強分布曲線311以及曝光能量分布曲線321，由于存在旁 瓣效應(yīng)，將沿A-A’方向的曝光能量與閾值相比較，獲得掩模版圖中產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域所對應(yīng) 的曝光能量在301范圍內(nèi)。接著，參考圖7，確定掩模版圖中所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，并添加輔 助圖形302 ；曝光光線穿過輔助圖形302，沿A-A’方向產(chǎn)生具有電場場強曲線310的電場。 在輔助圖形302的位置，原先的電場場強曲線311與輔助圖形302的電場場強曲線330迭 加，獲得修正后的曝光能量曲線322，從而抑制了旁瓣效應(yīng)。在本發(fā)明掩模版圖修正方法的另一個具體實施例中，參考圖8至圖12。參考圖8， 掩模版圖400上具有多個圖案401。參考圖9，將掩模版圖400進行曝光模擬，獲得所產(chǎn)生 的旁瓣以及其掩模版圖400上對應(yīng)的區(qū)域，例如通過讀取掩模版圖400中每個子區(qū)域的曝 光能量，將曝光能量分布超過閾值的區(qū)域標注出來，并與掩模版圖400進行比較，從而確定 旁瓣410在掩模版圖400上對應(yīng)的區(qū)域。參考圖10，采用本發(fā)明掩模版圖修正方法對掩模 版圖400進行修正，以獲得新的掩模版圖500，例如對于旁瓣410的修正包括將旁瓣410對 應(yīng)的區(qū)域分解為多個子區(qū)域，并在每個子區(qū)域內(nèi)添加輔助圖形，獲得旁瓣410對應(yīng)的輔助 圖形組510。參考圖11，再次對新的掩模版圖500進行曝光模擬，并獲得所產(chǎn)生的旁瓣520。 參考圖12，用本發(fā)明掩模版圖修正方法對掩模版圖500進行修正，以獲得對旁瓣520進行修 正的輔助圖形620，進而獲得新的掩模版圖600。此外，參考圖13，基于上述掩模版圖修正方法，本發(fā)明還提供了一種掩模版制作方 法，包括步驟S11，根據(jù)所述掩模版圖修正方法，獲得掩模版圖；步驟S12，根據(jù)所述掩模版 圖，制作掩模版。其中，步驟S12可采用現(xiàn)有的任一種掩模版制作方法。例如，參考圖14，在一種具 體實施方式中，步驟S12可包括步驟S201，硅片清洗處理；具體來說，可用濃硫酸煮，以使 硅片表面清潔，并通過去離子水沖洗以及烘干，使硅片表面干燥，從而能和光刻膠很好地粘附。步驟S202，將光刻膠均勻地涂布于硅片表面。步驟S203，對硅片進行前烘，以使其中的 溶劑揮發(fā)；例如，可在80-110°C下將硅片前烘5-10分鐘。步驟S204，根據(jù)所述掩模版圖，對 硅片進行選擇曝光；本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實際生產(chǎn)和設(shè)計要求，采用現(xiàn)有的曝光系統(tǒng)以 及曝光光線，根據(jù)所述掩模版圖對硅片進行曝光，所選擇的曝光系統(tǒng)以及曝光光線不對本 發(fā)明構(gòu)思造成影響。步驟S205，顯影，即選擇性地除去光刻膠。步驟S206，腐蝕光刻膠層上 出現(xiàn)的金屬蒸發(fā)層。步驟S207，去膠；具體來說，可采用濃硫酸煮沸，使膠層炭化脫落，然后 用水沖洗此外，參考圖15，本發(fā)明還提供了一種基于上述掩模版圖修正方法的光學鄰近校 正方法，包括步驟S21，檢查掩膜版圖；步驟S22，判斷是否存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，如果存 在，進入步驟S23，如果不存在，則進入步驟S24 ；步驟S23，在所述掩膜版圖中確定會產(chǎn)生旁 瓣的區(qū)域，并在所述區(qū)域添加輔助圖形，形成新的掩膜版圖，重新對新的掩模版圖執(zhí)行步驟 S21 ；步驟S24，根據(jù)新的掩模版圖，對與所述掩模版圖對應(yīng)的設(shè)計圖形進行光學鄰近校正。在步驟S24中，獲得新的測試圖形后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可采用現(xiàn)有校正方法，根據(jù) 所形成的新的測試圖形，對與所述掩模版圖對應(yīng)的設(shè)計圖形進行光學鄰近校正，以及使校 正后的設(shè)計圖形根據(jù)增大的工藝窗口進行曝光。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明根據(jù)曝光能量迭加的規(guī)律，當?shù)拥钠毓饽芰砍鲩撝?且對應(yīng)的掩模版圖中無圖案時，添加輔助圖形，從而抑制旁瓣效應(yīng)，對曝光圖形進行修正， 并且還可對添加了輔助圖形的新的掩模版圖重復(fù)進行修正，直至不再出現(xiàn)產(chǎn)生旁瓣的區(qū) 域，從而獲得具有較好曝光效果的掩膜版。此外，本發(fā)明還可根據(jù)多種計算方法獲取掩模版圖中各區(qū)域所對應(yīng)的曝光能量， 不會對工藝窗口、焦深等工藝參數(shù)造成影響，操作方便，而且對曝光能量的計算過程還可通 過計算機實現(xiàn)，節(jié)省了時間和精力，提高了生產(chǎn)效率。雖然本發(fā)明已通過較佳實施例說明如上，但這些較佳實施例并非用以限定本發(fā) 明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對該較佳實施例做出各 種改正和補充，因此，本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求書的范圍為準。
權(quán)利要求
一種掩模版圖修正方法，其特征在于，包括檢查掩膜版圖，判斷是否存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域；如果不存在，則將所述掩模版圖作為新的掩模版圖，停止對其進行修正；如果存在，繼續(xù)進入下一步修正；在所述掩膜版圖產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域內(nèi)添加輔助圖形，形成新的掩膜版圖，重新檢查掩模版圖，直至新的掩膜版圖中不再出現(xiàn)會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，修正停止。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述檢查掩膜版圖，判斷是否 存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域包括對所述掩膜版圖進行曝光模擬，獲得模擬的曝光圖形，根據(jù)所 述曝光圖形，判斷是否存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述檢查掩膜版圖，判斷是否 存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域包括獲得掩膜版圖的曝光能量分布；根據(jù)所述曝光能量分布，獲得產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域?qū)?yīng)于曝光能量 超過閾值且所述掩膜版圖中無圖案的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述根據(jù)曝光能量分布獲得 產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域包括將所述掩膜版圖分為若干個子區(qū)域；檢查每個子區(qū)域，獲得其對應(yīng)的曝光能量；將每個子區(qū)域的曝光能量與閾值進行比較，獲得所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求3所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述根據(jù)曝光能量分布獲得 產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域包括根據(jù)所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域出現(xiàn)的概率，將所述掩模版圖分為可疑區(qū)域和一般區(qū)域，其 中，所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域在所述可疑區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)的概率高于其在所述一般區(qū)域出現(xiàn)的概 率；將可疑區(qū)域劃分為若干個子區(qū)域，對每個子區(qū)域進行檢查，然后再對一般區(qū)域進行劃 分和檢查。
6.如權(quán)利要求3所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述根據(jù)曝光能量分布獲得 產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域包括根據(jù)所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域出現(xiàn)的概率，將所述掩模版圖分為可疑區(qū)域和一般區(qū)域，其 中，所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域在所述可疑區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)的概率高于其在所述一般區(qū)域出現(xiàn)的概 率；僅將可疑區(qū)域劃分為若干個子區(qū)域，對每個子區(qū)域進行檢查，確認是否存在曝光能量 高于閾值的子區(qū)域，以獲得產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求5或6所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述可疑區(qū)域為掩模版圖 中各圖案的兩側(cè)、圖案之間以及版圖的邊緣中任一種或其組合。
8.如權(quán)利要求1所述的掩模版圖修正方法，其特征在于，所述在掩膜版圖產(chǎn)生旁瓣的 區(qū)域內(nèi)添加輔助圖形包括對所述掩模版圖中產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域進行分解；根據(jù)分解結(jié)果，產(chǎn)生輔助圖形并添加至所述產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域。
9.一種包括權(quán)利要求1-8所述任一種掩模版圖修正方法的掩模版制作方法，還包括根據(jù)新的掩模版圖，制作掩模版。
10. 一種包括權(quán)利要求1-8所述任一種掩模版圖修正方法的光學鄰近校正方法，還包 括根據(jù)新的掩模版圖，對設(shè)計圖形進行光學鄰近校正。
全文摘要
一種掩模版圖修正方法、掩模版制作方法和光學鄰近校正方法，其中所述掩模版圖修正方法，包括檢查掩膜版圖，判斷是否存在會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域；如果不存在，則將所述掩模版圖作為新的掩模版圖，停止對其進行修正；如果存在，繼續(xù)進入下一步修正；在所述掩膜版圖產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域內(nèi)添加輔助圖形，形成新的掩膜版圖，重新檢查掩模版圖，直至新的掩膜版圖中不再出現(xiàn)會產(chǎn)生旁瓣的區(qū)域，修正停止。本發(fā)明根據(jù)將掩模版圖各區(qū)域的曝光能量與閾值相比較，添加輔助圖形，從而抑制旁瓣效應(yīng)，實施簡單，不影響其它的工藝參數(shù)，且有利于提高生產(chǎn)效率。
文檔編號G03F1/14GK101957555SQ20091005494
公開日2011年1月26日 申請日期2009年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者李承赫 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司