專利名稱：液晶顯示器的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示器的制造方法，特別是涉及一種液晶顯示器的制造方法。
背景技術：
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的熒光粉來顯示圖 像，但液晶顯示的原理則完全不同。圖l是現有液晶盒剖面示意圖，請參見圖l， 液晶顯示(LCD)裝置具有彩膜基板10和陣列基板20，彼此具有一定間隔。其中， 彩膜基板1包括上基板11、遮光樹脂層12、色層13和共通電極14，陣列基板20 包括下基板21、絕緣層22、數據信號引線層23和像素電極24，共通電極14和像 素電極24相互正對。液晶層7夾在彩膜基板和陣列基板之間，彩膜基板10和陣 列基板20還設置有球狀支撐物8，以保持彩膜基板和陣列基板之間的間隙。電壓 通過共通電極14和像素電極24施加到液晶上，改變液晶分子的排列從而顯示圖 像。上述液晶顯示裝置本身不發(fā)射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示 裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據液晶分子的排列控制從背光源入射的 光量從而顯示圖像。
目前在球狀支撐物的散布過程中，首先將整個陣列基板帶上一定的電荷，然 后將球狀支撐物上帶上與陣列基板相反的電荷，使之從散布口掉下，在電荷的相 互吸引下，球狀支撐物隨機的落在陣列基板上。圖2是現有球狀支撐物散布工程 示意圖；圖3是現有陣列基板球狀支撐物分布示意圖。請參見圖2和圖3，在散布 腔室26中，由于球狀支撐物8從散布口 25隨機散落，因此球狀支撐物8均勻分 布在陣列基板20上。通常，像素l包括像素顯示區(qū)2和像素非顯示區(qū)3，像素顯 示區(qū)2包括像素電極，像素非顯示區(qū)3包括柵極線4、數據線5、存儲電容電極線 6和晶體管30。雖然球狀支撐物8—般是透明的高分子樹脂球，具有很好的透光 性，但是畢竟它和它周圍的液晶的折射率不同，如果在像素顯示區(qū)2內分布有球 狀支撐物8，光線經過它之后會有一定的轉向和衰減。并且由于它的存在液晶正常 排列的狀態(tài)被破壞，光線經過此處的液晶后的狀態(tài)與其他地方的狀態(tài)會不同，導 致光線方向和強度的改變，此種現象被稱為由于液晶取向混亂而導致的漏光，其結果是使液晶盒的對比度下降。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種液晶顯示器的制造方法，減少顯示區(qū) 內的球狀支撐物，解決顯示區(qū)漏光和對比度低下的問題，提高了產品品質。
本發(fā)明為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種液晶顯示器的制造 方法，所述方法包括以下步驟
提供一陣列基板，所述陣列基板上形成有多條絕緣交叉的柵極線和數據線， 所述柵極線和數據線分隔區(qū)域內形成有像素電極，所述柵極線和數據線交叉處設 置有薄膜晶體管，所述像素電極通過薄膜晶體管充入來自數據線上的電壓信號；
在所述陣列基板上散布球狀支撐物；
在散布球狀支撐物前，給所述柵極線和數據線分別施加電壓信號Gl、 Dl，所 述G1〉 Dl以打開薄膜晶體管為像素電極充入電壓信號D1，然后給柵極線和數據線 分別施加電壓信號G2、 D2，所述G2〈D2以關閉薄膜晶體管使得像素電極保持電壓 信號D1，最后散布帶電荷的球狀支撐物，且所述電壓信號D1與球狀支撐物的電荷 極性相同，所述電壓信號G2、 D2至少有一個與球狀支撐物的電荷極性相反。
上述的液晶顯示器的制造方法，其中，Gl、 Dl為正電壓信號，所述G2、 D2 為負電壓信號，所述球狀支撐物帶正電荷。
上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述G1為正電壓信號，Dl為負電壓信 號，所述G2為負電壓信號，D2為正電壓信號，所述球狀支撐物帶負電荷。
上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述陣列基板上還形成有存儲電容電 極線，所述存儲電容電極線上施加OV電壓。
上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述電位信號G1、 G2、 Dl、 D2的電壓 范圍為-40 40V。
上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述電壓信號D1為正電位，所述球狀 支撐物帶有正電荷，所述陣列基板上設置有帶負電位的條狀或平板狀裝置，所述
條狀裝置位于所述像素電極上方。
上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述條狀或平板狀裝置與所述陣列基 板的距離為0. lmm 10mm。上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述條狀或平板狀裝置負電位為一2000~ — 200伏特。上述的液晶顯示器的制造方法，其中，所述條狀或平板狀裝置為高電阻值類 材質。本發(fā)明對比現有技術有如下的有益效果本發(fā)明提供的液晶顯示器的制造方法，減少由于顯示區(qū)內的球狀支撐物引起液晶取向混亂而導致的顯示區(qū)漏光和對 比度低下的問題，提高了產品品質。


圖1是現有液晶盒剖面示意圖；圖2是現有球狀支撐物散布工程示意圖；圖3是現有陣列基板球狀支撐物分布示意圖；圖4是本發(fā)明陣列基板球狀支撐物分布示意圖；圖5是本發(fā)明陣列基板上帶有平板狀裝置后支撐物分布示意圖；圖6是本發(fā)明帶有負電位的條狀裝置與球狀支撐物吸附示意圖；圖7是本發(fā)明帶有正電位的條狀裝置與球狀支撐物吸附示意圖；圖8是本發(fā)明陣列基板上帶有條狀裝置后支撐物分布示意圖；圖9帶有負電位的條狀裝置與與球狀支撐物吸附示意圖；圖IO帶有正電位的條狀裝置與與球狀支撐物吸附示意圖。圖中1像素4柵極線7液晶層10彩膜基板13色層20陣列基板23數據信號引線層26散布腔室24像素電極14共通電極 21下基板8球狀支撐物 11上基板2像素顯示區(qū) 5數據線22絕緣層 25散布口6存儲電容電極線3像素非顯示區(qū)12遮光樹脂層30晶體管 31柵極 32源極33漏極 34平板狀裝置 35條狀裝置具體實施方式
下面結合附圖及典型實施例對本發(fā)明作進一步說明。 圖4是本發(fā)明陣列基板球狀支撐物分布示意圖。請參見圖l和圖4，本發(fā)明提供的液晶顯示器的制造方法包括以下步驟提供一陣列基板20,所述陣列基板20上形成有多條絕緣交叉的柵極線4和數 據線5，所述柵極線4和數據線5分隔區(qū)域內形成有像素電極24，所述柵極線和 數據線交叉處設置有薄膜晶體管30，所述像素電極24通過薄膜晶體管30充入來 自數據線5上的電壓信號；在所述陣列基板20上散布球狀支撐物8;其中，在散布球狀支撐物8前，給 所述柵極線4和數據線5分別施加電壓信號G1、 Dl，所述G1〉 Dl以打開薄膜晶體 管30為像素電極24充入電壓信號Dl，然后給柵極線和數據線分別施加電壓信號 G2、 D2，所述G2〈D2以關閉薄膜晶體管30使得像素電極24保持電壓信號D1，最 后散布帶電荷的球狀支撐物8，且所述電壓信號Dl與球狀支撐物的電荷極性相同， 所述電壓信號G2、 D2至少有一個與球狀支撐物的電荷極性相反。具體來說，首先可以施加正電壓信號G1給柵極線4，正電壓信號D1給數據線 5，施加0V電壓給存儲電容電極線6。比如G1為+30V， D1為+10V。由于G1信號 遠大于D1信號，晶體管30的源極32和漏極33間導通，使得像素電極24被寫入 Dl信號；然后施加負電壓信號G2給柵極線，負電壓信號D2給數據線，施加OV電 壓給存儲電容電極線。比如G2位-20V, D2位-3V。由于Gl信號遠小于Dl信號， 晶體管30的源極32和漏極33間關斷不導通，使得像素電極保持D1信號；之后 讓球狀支撐物8帶上一定的正電荷后從散布口掉下，由于像素1的各個區(qū)域的電 壓不同，電荷分布也不同，在不同電荷的相互吸引下，帶有正電荷的球狀支撐物 將大部分落在施加有負電壓的像素柵極線、數據線和0電壓的存儲電容電極線上， 而在相同電荷的相互排斥下，帶有正電荷的球狀支撐物8將僅有少量落在施加有 正電壓信號Dl的像素電極24上。由于存儲電容電極在像素電極下面，當像素電極加信號的情況下，即使存儲電容電極加信號電力線亦是被屏蔽的，因此存儲電容電極線不直接施加負電壓信號G2，但可以通過接地施加OV電壓，以保證像素電壓的保持。當然本發(fā)明也可以 選擇G1為正電壓信號，Dl為負電壓信號，G2為負電壓信號，D2為正電壓信號， 所述球狀支撐物帶負電荷。本發(fā)明提供的液晶顯示器的制造方法使得帶有靜電的 支撐物大部分散布到指定的像素非顯示區(qū)域3，而像素顯示區(qū)內2散布到少量的球 狀支撐物。上述的液晶顯示器的制造方法，所述電位信號G1、 G2、 Dl、 D2的電壓范圍為 -40 40V，由于本發(fā)明法通過給陣列基板上的柵極線、數據線、存儲電容電極線 加不同的電壓信號的散布方法，減少了落在顯示區(qū)內的球狀支撐物的數量，減少 了由于球狀支撐物引起液晶取向混亂而導致的顯示區(qū)漏光和對比度低下的問題， 但還是會出現部分的漏光和對比值低下，對于追求高品質的產品的目的增加了難 度。圖5是本發(fā)明陣列基板上帶有的平板狀裝置后支撐物分布示意圖；圖6是本 發(fā)明帶有負電位的條狀裝置與球狀支撐物吸附示意圖。為了進一步減少像素顯示區(qū)內散布到少量的球狀支撐物，當所述G1、 Dl為正 電壓信號，所述G2、 D2為負電壓信號，所述球狀支撐物帶正電荷時，本發(fā)明使用 帶有一定負電位的裝置，可以是平板狀結構或是條狀結構。請參見圖5，本發(fā)明的 陣列基板20上設置有帶有負電位的平板狀裝置34，平板狀裝置所帶的電位在一 2000至一200伏特間，其與陣列基板20的距離在0. lmm至10mm間，該裝置的材 質可以使塑料等高電阻值類材質。請接著參見圖6，假設平板狀裝置34所帶的電 位在-1000伏特，該裝置與陣列基板的間距在5mra左右。在異性電荷相吸的情況下， 大部分球狀支撐物8吸附到柵極線4和數據線5上；在相同電荷的相互排斥下， 少部分顯示區(qū)內的有正電荷的球狀支撐物8將和施加有正電壓信號D1的像素電極 24排斥，而和帶有一定負電位的平板狀裝置34吸引；最后移出平板狀裝置34。 這樣的話，散布到顯示區(qū)內少量的球狀支撐物被徹底清除，減少了由于顯示區(qū)內 的球狀支撐物引起液晶取向混亂而導致的顯示區(qū)漏光和對比度低下的問題，從而 獲得更好產品品質。圖7是本發(fā)明帶有正電位的條狀裝置與球狀支撐物吸附示意圖。請參見圖7，當所述G1為正電壓信號，Dl為負電壓信號，所述G2為負電壓信號，D2為正電壓信號，所述球狀支撐物帶負電荷時，本發(fā)明可使用帶有一定正 電位的條狀裝置吸附少量散布到顯示區(qū)內的球狀支撐物，平板狀裝置所帶的電位 在+ 200至+2000伏特間。圖8是本發(fā)明陣列基板上帶有的條狀裝置后支撐物分布示意圖；圖9帶有負 電位的條狀裝置與與球狀支撐物吸附示意圖。請參見圖7和圖8，當所述G1、 Dl為正電壓信號，所述G2、 D2為負電壓信號， 所述球狀支撐物帶正電荷時，本發(fā)明采用帶有負電位的條狀裝置35，帶有負電位 的條狀裝置35位于像素電極24的上方，少部分顯示區(qū)內的有正電荷的球狀支撐 物8將和施加有正電壓信號Dl的像素電極24排斥，而和帶有一定負電位的條狀 裝置35吸引；最后移出條狀裝置35。這樣的話，散布到顯示區(qū)內少量的球狀支撐 物被徹底清除。圖IO帶有正電位的條狀裝置與與球狀支撐物吸附示意圖。請參見圖IO，當所述G1為正電壓信號，Dl為負電壓信號，所述G2為負電壓 信號，D2為正電壓信號，所述球狀支撐物帶負電荷時，本發(fā)明采用帶有正電位的 條狀裝置35，吸附少量散布到顯示區(qū)內的球狀支撐物，條狀裝置所帶的電位在十 200至+ 2000伏特間。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領 域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此 本發(fā)明的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
權利要求
1、一種液晶顯示器的制造方法，包括以下步驟提供一陣列基板，所述陣列基板上形成有多條絕緣交叉的柵極線和數據線，所述柵極線和數據線分隔區(qū)域內形成有像素電極，所述柵極線和數據線交叉處設置有薄膜晶體管，所述像素電極通過薄膜晶體管充入來自數據線上的電壓信號；在所述陣列基板上散布球狀支撐物；其特征在于，在散布球狀支撐物前，給所述柵極線和數據線分別施加電壓信號G1、D1，所述G1＞D1以打開薄膜晶體管為像素電極充入電壓信號D1，然后給柵極線和數據線分別施加電壓信號G2、D2，所述G2＜D2以關閉薄膜晶體管使得像素電極保持電壓信號D1，最后散布帶電荷的球狀支撐物，且所述電壓信號D1與球狀支撐物的電荷極性相同，所述電壓信號G2、D2至少有一個與球狀支撐物的電荷極性相反。
2、 如權利要求1所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述Gl、 Dl 為正電壓信號，所述G2、 D2為負電壓信號，所述球狀支撐物帶正電荷。
3、 如權利要求1所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述Gl為 正電壓信號，Dl為負電壓信號，所述G2為負電壓信號，D2為正電壓信號，所述 球狀支撐物帶負電荷。
4、 如權利要求l、 2或3所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所 述陣列基板上還形成有存儲電容電極線，所述存儲電容電極線上施加0V電壓。
5、 如權利要求1所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述電位信 號G1、 G2、 Dl、 D2的電壓范圍為-40 40V。
6、 如權利要求2所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述電位信 號G1、 G2、 Dl、 D2的電壓范圍為-40 40V。
7、 如權利要求1所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述電壓信 號D1為正電位，所述球狀支撐物帶有正電荷，所述陣列基板上設置有帶負電位的 條狀或平板狀裝置，所述條狀裝置位于所述像素電極上方。
8、 如權利要求7所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述條狀或 平板狀裝置與所述陣列基板的距離為0. l國 10mm。
9、 如權利要求7所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述條狀或 平板狀裝置負電位為一2000 一200伏特。
10、如權利要求7所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述條狀或 平板狀裝置為高電阻值類材質。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器的制造方法，該制造方法在球狀支撐物散布工程中，給陣列基板上的柵極線、數據線、存儲電容電極線加不同的電壓信號，使得帶有靜電的支撐物大部分散布到指定的非顯示區(qū)域。本發(fā)明提供的制造方法，減少由于顯示區(qū)內的球狀支撐物引起液晶取向混亂而導致的顯示區(qū)漏光和對比度低下的問題，提高了產品品質。
文檔編號G02F1/133GK101614894SQ20091005553
公開日2009年12月30日 申請日期2009年7月28日 優(yōu)先權日2009年7月28日
發(fā)明者鋒 焦, 鋒 秦 申請人:上海廣電光電子有限公司