專利名稱：一種增加二維圖形分辨率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在集成電路制造中光學(xué)臨近修正方法，特別是涉及一種增加二維圖形分辨率的方法。
背景技術(shù)：
在先進(jìn)光刻工藝中，因曝光圖形尺寸的縮小，須對(duì)光掩模圖形進(jìn)行預(yù)先的光學(xué)臨 近修正(Optical Proximity Correction，0PC)，來彌補(bǔ)由光學(xué)系統(tǒng)的有限分辨率造成的光 學(xué)臨近效應(yīng)。傳統(tǒng)的規(guī)則式光學(xué)臨近修正中，對(duì)二維角的圖形采用加增補(bǔ)塊(serif)的方 法來增加圖形的分辨率(見圖2)，使其盡可能的與設(shè)計(jì)圖形保持一致。但因光刻工藝分辨 率的限制，傳統(tǒng)seri f圖形無法滿足一些對(duì)二維角圖形保形性要求較高的工藝要求(見圖 4，6) JnSiGe BCD(SiGe Bipolar-CMOS-DMOS，硅鍺雙極互補(bǔ)型MOS-雙擴(kuò)散M0S)工藝中，對(duì) 發(fā)射極窗口工藝中長方形孔要求角上盡可能的方以接近版圖設(shè)計(jì)(見圖1)。通常二維角圖形保形性要求較高的工藝會(huì)采用降低光刻曝光波長的方法，如把 248nm波長的曝光機(jī)臺(tái)換成193nm波長的曝光機(jī)臺(tái)，二維角圖形保形性會(huì)有所提高，但所付 出的生產(chǎn)成本增加很多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種增加二維圖形分辨率的方法，該方法通過 OPC來增加二維角的圖形的分辨率，使其盡可能的與設(shè)計(jì)圖形保持一致，可用于SiGe BCD 等對(duì)二維角圖形保形性要求較高的工藝中。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一種增加二維圖形分辨率的方法，包括步驟在原 始設(shè)計(jì)的二維角光掩模版圖基礎(chǔ)上添加分立型的增補(bǔ)塊(serif)，該增補(bǔ)塊添加在二維角 光掩模圖的周圍，然后根據(jù)主設(shè)計(jì)圖形和增補(bǔ)塊圖形，進(jìn)行光刻，得到高分辨率的二維角光 刻圖形。所述每個(gè)分立型的增補(bǔ)塊是一種包括2個(gè)或2個(gè)以上任意形狀圖形的增補(bǔ)塊，其 中，該任意形狀圖形是分開的、獨(dú)立存在的，優(yōu)選的圖形個(gè)數(shù)為3個(gè)。所述分立型的增補(bǔ)塊中的各個(gè)形狀圖形的獨(dú)立面積大于0而小于0. 25 μ m2。所述分立型的增補(bǔ)塊中的各個(gè)圖形與主設(shè)計(jì)圖形的距離范圍為_0.5μπι +0.5 μ m，負(fù)號(hào)表示增補(bǔ)塊中的圖形與主設(shè)計(jì)圖形發(fā)生交疊，部分增補(bǔ)塊中的圖形存在于主 設(shè)計(jì)圖形內(nèi)部；正號(hào)表示增補(bǔ)塊中的圖形遠(yuǎn)離主設(shè)計(jì)圖形，不發(fā)生交疊。本發(fā)明有益效果本發(fā)明是采用一種分立型的增補(bǔ)塊(serif)對(duì)二維角的圖形進(jìn)行OPC修正(見圖 3)，仿真后圖形(見圖5)和實(shí)際芯片光刻后的圖形(見圖7)都較傳統(tǒng)增補(bǔ)塊(serif)仿 真及光刻后的圖形(見圖4，6)有明顯改善，與設(shè)計(jì)圖形更接近，也滿足其設(shè)計(jì)要求。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是設(shè)計(jì)版圖；圖2是傳統(tǒng)OPC serif版圖；圖3是分立型serif版圖；圖3A是圖3中的分立型serif中的圖形與主設(shè)計(jì)圖有重疊時(shí)的示意圖；圖4是傳統(tǒng)OPC serif仿真圖形；圖5是分立型serif仿真圖形；圖6是傳統(tǒng)OPC serif光刻后圖形；圖7是分立型serif光刻后圖形。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一種增加二維圖形分辨率的方法，包括步驟1)在原始設(shè)計(jì)版圖(圖1)基礎(chǔ)上額外添加分立型的增補(bǔ)塊(serif)，該增補(bǔ)塊添 加在二維角光掩模圖的周圍(如圖3)，其中，每個(gè)分立型的增補(bǔ)塊是由分開的、獨(dú)立存在的 圖形A(正方形)、B (長方形)、C(長方形)組成的，在主設(shè)計(jì)圖的4個(gè)角周圍各設(shè)有一個(gè)分 立型的增補(bǔ)塊，且圖形A、B、C各自的獨(dú)立面積大于0而小于0. 25 μ m2,圖形Α、B、C與主設(shè) 計(jì)圖形的距離分別為dl、d2、d3，且dl、d2、d3的范圍為-0.5ym +0.5μπι(按增補(bǔ)塊中 的圖形與主設(shè)計(jì)圖形最接近點(diǎn)計(jì)算)，負(fù)號(hào)表示圖形Α、B、C與主設(shè)計(jì)圖形發(fā)生交疊(如圖 3Α)，部分圖形存在于主設(shè)計(jì)圖形內(nèi)部；正號(hào)表示圖形A、B、C遠(yuǎn)離主設(shè)計(jì)圖形，不發(fā)生交疊；2)然后根據(jù)主設(shè)計(jì)圖形和增補(bǔ)塊圖形，進(jìn)行光刻，得到高分辨率的二維角光刻圖 形(圖7)。通過采用上述分立型的serif對(duì)二維角的圖形進(jìn)行OPC修正，因分立型serif可 以獨(dú)立設(shè)定各自的形狀大小，故靈活組合后可滿足設(shè)計(jì)要求，而且，仿真后圖形(圖5)和實(shí) 際芯片光刻后的圖形(圖7)都較傳統(tǒng)serif仿真(圖4)及光刻后的圖形(圖6)有明顯 改善，因此，可用于SiGe B⑶等對(duì)二維角圖形保形性要求較高的工藝中。
權(quán)利要求
一種增加二維圖形分辨率的方法，包括步驟在原始設(shè)計(jì)的二維角光掩模版圖基礎(chǔ)上添加分立型的增補(bǔ)塊，該增補(bǔ)塊添加在二維角光掩模圖的周圍，然后根據(jù)主設(shè)計(jì)圖形和增補(bǔ)塊圖形，進(jìn)行光刻，得到高分辨率的二維角光刻圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的增加二維圖形分辨率的方法，其特征在于所述每個(gè)分立型的增補(bǔ)塊是一種包括2個(gè)或2個(gè)以上分開的、獨(dú)立存在的任意形狀圖形的增補(bǔ)塊。
3.如權(quán)利要求2所述的增加二維圖形分辨率的方法，其特征在于所述每個(gè)分立型的增補(bǔ)塊中的圖形個(gè)數(shù)為3個(gè)。
4.如權(quán)利要求2所述的增加二維圖形分辨率的方法，其特征在于所述分立型的增補(bǔ)塊中的各個(gè)形狀圖形的獨(dú)立面積大于0而小于0. 25 μ m2。
5.如權(quán)利要求2所述的增加二維圖形分辨率的方法，其特征在于所述分立型的增補(bǔ)塊中的各個(gè)圖形與主設(shè)計(jì)圖形的距離范圍為-0. 5 μ m +0. 5 μ m,負(fù)號(hào)表示增補(bǔ)塊中的圖 形與主設(shè)計(jì)圖形發(fā)生交疊，部分增補(bǔ)塊中的圖形存在于主設(shè)計(jì)圖形內(nèi)部；正號(hào)表示增補(bǔ)塊 中的圖形遠(yuǎn)離主設(shè)計(jì)圖形，不發(fā)生交疊。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種增加二維圖形分辨率的方法，包括步驟在原始設(shè)計(jì)的二維角光掩模版圖基礎(chǔ)上添加分立型的增補(bǔ)塊(serif)，該增補(bǔ)塊添加在二維角光掩模圖的周圍，然后根據(jù)主設(shè)計(jì)圖形和增補(bǔ)塊圖形，進(jìn)行光刻，得到高分辨率的二維角光刻圖形。本發(fā)明通過采用分立型的serif對(duì)二維角的圖形進(jìn)行OPC修正，仿真后圖形和實(shí)際芯片光刻后的圖形都較傳統(tǒng)serif仿真及光刻后的圖形有明顯改善，與設(shè)計(jì)圖形更接近，也滿足其設(shè)計(jì)要求，可用于SiGe BCD等對(duì)二維角圖形保形性要求較高的工藝中。
文檔編號(hào)G03F1/36GK101989041SQ20091005768
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者何偉明, 朱治國, 魏芳 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司