專利名稱：半色調(diào)掩模版及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半色調(diào)掩模版及其制造方法，特別是一種可調(diào)節(jié)透光率的半色調(diào) 掩模版及其制造方法。
背景技術(shù)：
為了有效降低薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以下簡(jiǎn)稱TFT-IXD)的成本、提高成品率，TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)的制造工藝逐步 得到簡(jiǎn)化。目前，4次掩模(4Mask)工藝日益成熟，逐漸得到推廣應(yīng)用。4次掩模(4Mask)工藝的核心技術(shù)之一包括采用半色調(diào)(Half-tone)掩模版的 半色調(diào)掩模技術(shù)。半色調(diào)掩模版是在傳統(tǒng)掩模版對(duì)應(yīng)陣列基板TFT溝道圖形部分形成具有 一定透過(guò)率的薄膜(即半色調(diào)層)，使得通過(guò)半色調(diào)層的光線發(fā)生衰減而只有部分光線透 過(guò)，從而在基板用于形成TFT溝道圖形區(qū)域上的光刻膠部分曝光，達(dá)到控制曝光的光刻膠 厚度的目的。在半色調(diào)掩模版制造過(guò)程中，透光率是非常重要的參數(shù)，透過(guò)率的變化會(huì)直接影 響到產(chǎn)品的尺寸和特性。半色調(diào)掩模版的透光率一般為30% 50%，透光率主要與半色調(diào) 層的厚度、以及光刻膠和透光設(shè)備等工藝條件有關(guān)。為了確定半色調(diào)層的最佳厚度，現(xiàn)有技 術(shù)通常在生產(chǎn)前先進(jìn)行多次的先行實(shí)驗(yàn)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的反饋不斷調(diào)整工藝參數(shù)，這樣一 來(lái)，導(dǎo)致半色調(diào)掩模版的制造成本急劇上升。此外，在掩模版制造過(guò)程結(jié)束后，掩模版的透 過(guò)率很難再改變。因此當(dāng)掩模版制造完成之后，如果基于實(shí)際工藝條件考慮而需要改變半 色調(diào)層的透過(guò)率時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)只能根據(jù)具體透光率要求重新制造掩模版，進(jìn)一步加劇了半 色調(diào)掩模版制造成本的上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半色調(diào)掩模版及其制造方法，用以實(shí)現(xiàn)半色調(diào)掩模版透 光率的可控性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半色調(diào)掩模版，包括基板，所述基板包括有效 區(qū)域和無(wú)效區(qū)域，所述有效區(qū)域包括半色調(diào)區(qū)域、不透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，所述有效區(qū) 域以外的區(qū)域?yàn)樗鰺o(wú)效區(qū)域，所述半色調(diào)區(qū)域形成有用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)印Ｔ谏鲜黾夹g(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述半色調(diào)區(qū)域?qū)訛橛蔁嶂伦兩牧闲纬傻臒嶂?變色薄膜。所述熱致變色薄膜包括二氧化釩薄膜。所述熱致變色薄膜的優(yōu)選厚度為 800 A ~ 1400 A。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，半色調(diào)掩模版還可包括在所述基板的無(wú)效區(qū)域或所 述不透光區(qū)域，形成有用于進(jìn)行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路。所述溫控電路包 括與所述熱致變色薄膜接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)的電阻器，以及與所述電阻器連接的、用于對(duì)所 述電阻器進(jìn)行通電控制的控制電路。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種半色調(diào)掩模版的制造方法，包括在基板預(yù) 設(shè)的有效區(qū)域上形成不透光區(qū)域?qū)雍陀糜谶M(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)?。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可采用熱致變色材料形成作為所述半色調(diào)區(qū)域?qū)拥臒?致變色薄膜。所述熱致變色材料包括二氧化釩。形成所述不透光區(qū)域?qū)雍桶肷{(diào)區(qū)域?qū)影?括在基板上先形成不透光區(qū)域?qū)?，并在形成有所述不透光區(qū)域?qū)拥幕迳闲纬砂肷{(diào)區(qū) 域?qū)?；或者，在基板上先形成半色調(diào)區(qū)域?qū)?，并在形成有所述半色調(diào)區(qū)域?qū)拥幕迳闲纬刹?透光區(qū)域?qū)印Ｔ谏鲜黾夹g(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述基板的所述有效區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)樗龌宓臒o(wú) 效區(qū)域；半色調(diào)掩模版的制造方法還可包括在所述基板的無(wú)效區(qū)域或者在不透光區(qū)域， 形成用于進(jìn)行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路。所述形成用于進(jìn)行所述熱致變色薄 膜溫度控制的溫控電路，可包括形成與所述熱致變色薄膜接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)的電阻器，以 及與所述電阻器連接的、用于對(duì)所述電阻器進(jìn)行通電控制的控制電路。通過(guò)上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的半色調(diào)掩模版及其制造方法中，在基板上 形成有用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)樱虼?，?dāng)由于工藝條件發(fā)生變化等因素考慮 需要調(diào)整掩模版的透光率時(shí)，本發(fā)明可通過(guò)半色調(diào)區(qū)域?qū)舆M(jìn)行掩模版的透光率調(diào)節(jié)，而不 需要重新制造掩模版，降低了生產(chǎn)制造成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明半色調(diào)掩模版第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A-A，向剖面圖；圖3為本發(fā)明半色調(diào)掩模版第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明半色調(diào)掩模版第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4中B-B，向剖面圖；圖6為本發(fā)明半色調(diào)掩模版的制造方法第一實(shí)施例流程圖；圖7為本發(fā)明半色調(diào)掩模版的制造方法第二實(shí)施例流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-基板；2-半色調(diào)區(qū)域?qū)樱?1-熱致變色薄膜；3-不透光區(qū)域?qū)樱?-溫控電路； 41-電阻器；42-控制電路； 5-有效區(qū)域。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
圖1為本發(fā)明半色調(diào)掩模版第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1中A-A’向剖面 圖。如圖1和圖2所示的半色調(diào)掩模版包括基板1，在基板1的有效區(qū)域上設(shè)置有半色調(diào)區(qū) 域和不透光區(qū)域，半色調(diào)區(qū)域上形成有用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)?，不透光區(qū)域 上形成有不透光區(qū)域?qū)?，半色調(diào)區(qū)域?qū)?和不透光區(qū)域?qū)?以外的有效區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū) 域；基板1的有效區(qū)域以外的區(qū)域稱為無(wú)效區(qū)域(圖中未示出)。本發(fā)明用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)?可采用熱致變色材料形成，如半 色調(diào)區(qū)域?qū)?為采用熱致變色材料形成的熱致變色薄膜。熱致變色薄膜的厚度可根據(jù)掩模 版實(shí)際所需的透光率確定，優(yōu)選的，熱致變色薄膜的厚度為800 A ~ 1400 A。熱致變色薄膜可采用在不同溫度下透光率會(huì)發(fā)生改變的熱敏材料制備而成。當(dāng)外 界溫度發(fā)生變化時(shí)，熱致變色薄膜的晶體結(jié)構(gòu)也隨之發(fā)生變化。例如當(dāng)基板溫度低于一定 溫度時(shí)，熱致變色薄膜是斜單晶結(jié)構(gòu)；當(dāng)基板溫度升高到相變臨界值時(shí)，熱致變色薄膜發(fā)生 相變，其晶體結(jié)構(gòu)由斜單晶結(jié)構(gòu)變成四方晶系結(jié)構(gòu)。由于晶體結(jié)構(gòu)的變化，熱致變色薄膜的 光電性能以及透光率都發(fā)生了很大的變化，而且這種變化是可逆的?？捎糜谥苽錈嶂伦兩∧さ臒崦舨牧先缍趸C或鈮酸鋰晶體等材料。下面以 二氧化釩的特性為例進(jìn)行說(shuō)明根據(jù)溫差以及組成熱敏材料的顏料性質(zhì)，二氧化釩對(duì)不同 光的透光率會(huì)隨著外界溫度的變化而迅速發(fā)生變化，具體表現(xiàn)在二氧化釩隨著外界溫度的 變化，可迅速由一種顏色改變成另一種顏色。二氧化釩具有多種晶型，其中VO_2 (M)型晶體 是一種具有特殊相變性能的功能材料，隨著溫度的變化，VO_2 (M)晶體的光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性 質(zhì)也會(huì)隨之發(fā)生變化，例如隨著溫度的提高，VO_2(M)晶體的晶格發(fā)生重新排列，VO_2(M) 晶體透過(guò)率隨之降低，即透射光的透射能量也會(huì)發(fā)生降低。本發(fā)明利用了熱敏材料在外界溫度變化下光學(xué)性質(zhì)(如透光率)隨之發(fā)生變化 的特性，將基于熱敏材料制造的熱致變色薄膜作為掩模版的半色調(diào)區(qū)域?qū)印Ｔ谥苽渫瓿杀?發(fā)明半色調(diào)掩模版后，如果基于實(shí)際工藝條件等因素考慮，需要改變已制備好的掩模版中 半色調(diào)層的透光率時(shí)，則可以對(duì)熱致變色薄膜的溫度進(jìn)行控制，通過(guò)改變熱致變色薄膜的 溫度來(lái)改變熱致變色薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，使得熱致變色薄膜的對(duì)光束的透過(guò)率發(fā)生相應(yīng)的變 化，實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模版透光率的控制，而不需要重新制造掩模版，降低了生產(chǎn)制造成本。上述技術(shù)方案中，本發(fā)明掩模版的基板材料可采用石英玻璃或藍(lán)寶石玻璃。石英 玻璃或藍(lán)寶石玻璃具有導(dǎo)熱性。為實(shí)現(xiàn)對(duì)熱致變色薄膜進(jìn)行溫度控制，可在圖1形成的掩 模版的基礎(chǔ)上形成溫控電路，通過(guò)溫控電路對(duì)熱致變色薄膜的溫度進(jìn)行控制。溫控電路可 形成在基板的無(wú)效區(qū)域，或者，溫控電路還可形成在不透光區(qū)域。圖3為本發(fā)明半色調(diào)掩模版第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例示出了溫控電路形 成在掩模版的無(wú)效區(qū)域的情形。如圖3所示，半色調(diào)掩模版可包括掩模版有效區(qū)域5和無(wú) 效區(qū)域。通常，一個(gè)面板(Panel)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)檠谀０娴挠行^(qū)域5，相鄰面板(Panel)之 間的過(guò)渡區(qū)域即為掩模版的無(wú)效區(qū)域，如有效區(qū)域的周邊區(qū)域通常為無(wú)效區(qū)域。有效區(qū)域 5的細(xì)微結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖1和圖2。本實(shí)施例在基板1的無(wú)效區(qū)域上形成溫控電路4，用于對(duì) 基板1的溫度進(jìn)行整體控制，以使基板溫度可均勻地提高。溫控電路4可以是由與外部供電電極相連的電阻器組成的電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)外部供 電電極對(duì)電阻器通電，該類型的電阻器通常是薄膜器件，可由硅或氧化硅等材料制成。電阻 器產(chǎn)生的熱量傳遞給基板，進(jìn)而提高基板乃至整個(gè)掩模版的溫度。通過(guò)控制流經(jīng)電阻器的電流的大小，即可實(shí)現(xiàn)控制掩模版的溫度，從而導(dǎo)致掩模版中熱致變色薄膜的透光率發(fā)生變化。本實(shí)施例在掩模版有效區(qū)域的周邊無(wú)效區(qū)域上形成有用于對(duì)基板溫度進(jìn)行控制的溫控電路，通過(guò)溫控電路對(duì)基板的溫度進(jìn)行控制，使得熱致變色薄膜因基板溫度的改變， 自身的透光率隨之發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)半色調(diào)掩模版透光率的可控性。圖4為本發(fā)明半色調(diào)掩模版第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖4中B-B’向剖面 圖。本實(shí)施例示出了溫控電路形成在掩模版的不透光區(qū)域的情形。如圖4和圖5所示，半色 調(diào)掩模版的基板1上形成有不透光區(qū)域?qū)?和半色調(diào)區(qū)域?qū)?，半色調(diào)區(qū)域?qū)訛闊嶂伦兩?膜21。在不透光區(qū)域?qū)?上還形成有溫控電路，該溫控電路包括電阻器41和控制電路42， 控制電路通過(guò)對(duì)電阻器41兩端施加電壓，使得電阻器產(chǎn)生熱量，該電阻器的發(fā)熱量隨著所 施加電壓的大小而發(fā)生變化；電阻器41與熱致變色薄膜21接觸，用于將自身產(chǎn)生的熱量傳 遞給熱致變色薄膜21，以使熱致變色薄膜21的溫度發(fā)生改變；控制電路42與電阻器41連 接，用于對(duì)電阻器41進(jìn)行通電控制，通過(guò)對(duì)電阻器41施加不同大小的電流，使得電阻器41 產(chǎn)生不同大小的熱量。在實(shí)際使用過(guò)程中，掩模版的不透光區(qū)域?qū)?的圖形可對(duì)應(yīng)于TFT-IXD陣列基 板中的信號(hào)線圖形，而掩模版的作為半色調(diào)區(qū)域?qū)拥臒嶂伦兩∧?1的圖形可對(duì)應(yīng)于 TFT-IXD陣列基板中的TFT溝道圖形。在圖4和圖5所示的掩模版中，可在基板1上的每個(gè) 熱致變色薄膜21處形成一個(gè)電阻器41，圖4和圖5示出了控制電路42形成于對(duì)應(yīng)信號(hào)線 圖形的不透光區(qū)域?qū)?的上方的情形，根據(jù)掩模版版實(shí)際制造工藝的不同，控制電路42還 可形成在對(duì)應(yīng)信號(hào)線圖形的不透光區(qū)域?qū)?的下方。通過(guò)控制電路42對(duì)各個(gè)電阻器41施 加電流，使得電阻器41產(chǎn)生熱量，電阻器41產(chǎn)生的熱量傳遞給熱致變色薄膜21，使得熱致 變色薄膜21的溫度發(fā)生變化，從而導(dǎo)致熱致變色薄膜21對(duì)光束的透過(guò)率發(fā)生變化。本實(shí)施例半色調(diào)掩模版中，在對(duì)應(yīng)陣列基板每個(gè)像素區(qū)域中的TFT溝道圖形的掩 模版的熱致變色薄膜處形成有電阻器，且在對(duì)應(yīng)陣列基板信號(hào)線圖形的不透光區(qū)域?qū)拥纳?方或下方形成有對(duì)電阻器進(jìn)行通電控制的控制電路，該結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)對(duì)每列像素的透過(guò)率進(jìn) 行單獨(dú)控制，有利于提高掩模版中各熱致變色薄膜透過(guò)率調(diào)節(jié)的均勻性。圖6為本發(fā)明半色調(diào)掩模版的制造方法第一實(shí)施例流程圖。半色調(diào)掩模版的制造 方法包括在基板預(yù)設(shè)的有效區(qū)域上形成不透光區(qū)域?qū)雍陀糜谶M(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū) 域?qū)?。用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)涌刹捎脽嶂伦兩牧闲纬桑绨肷{(diào)區(qū)域?qū)訛?采用熱致變色材料形成的熱致變色薄膜等。如圖6所示，半色調(diào)掩模版的制造方法可具體 包括步驟11、在基板上沉積不透明金屬材料層。步驟12、在完成步驟11的基板上進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，保留不透光區(qū)域上的不透 明金屬材料層，去除不透光區(qū)域外其他區(qū)域的不透明金屬材料層；不透光區(qū)域上的不透明 金屬材料層即為不透光區(qū)域?qū)?。步驟13、在完成步驟12的基板上，沉積熱致變色薄膜。步驟14、在完成步驟13的基板上，進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝形成半色調(diào)區(qū)域圖形；半 色調(diào)區(qū)域上的熱致變色薄膜被保留，半色調(diào)區(qū)域以外的熱致變色薄膜被完全去除；半色調(diào) 區(qū)域上的熱致變色薄膜即為半色調(diào)區(qū)域?qū)印?br> 上述技術(shù)方案步驟11中，基板材料可采用石英玻璃或藍(lán)寶石玻璃；不透明金屬材料可采用Cr、Mn或Mo、或上述金屬的合金材料；不透明金屬材料層具有一定的溫度穩(wěn)定性， 其優(yōu)選的厚度范圍為1500 A ~ 3500A。上述技術(shù)方案步驟12中，可通過(guò)激光構(gòu)圖工藝形成不透光區(qū)域?qū)拥膱D形，其中不 透光區(qū)域?qū)拥膱D形可對(duì)應(yīng)于TFT-LCD陣列基板中的信號(hào)線圖形。上述技術(shù)方案步驟13中，熱致變色薄膜可采用在不同溫度下透光率會(huì)發(fā)生改變 的熱敏材料制備而成，優(yōu)選的，熱致變色薄膜為二氧化釩薄膜。熱致變色薄膜可采用有機(jī)溶 膠_凝膠法、脈沖激光沉淀技術(shù)或MOCVD法形成，其厚度可根據(jù)掩模版實(shí)際所需的透光率確 定，優(yōu)選的，熱致變色薄膜的厚度為800A ~ 1400A。上述技術(shù)方案步驟14中，可通過(guò)激光構(gòu)圖工藝形成半色調(diào)區(qū)域?qū)拥膱D形，其中半 色調(diào)區(qū)域?qū)拥膱D形可對(duì)應(yīng)于TFT-LCD陣列基板中的TFT溝道圖形，以便在TFT-LCD陣列基 板中的TFT溝道圖形部分形成光刻膠的部分曝光區(qū)域。為了保持薄熱致變色薄膜性質(zhì)的穩(wěn)定性，防止被外界環(huán)境中的氣體等雜質(zhì)腐蝕， 還可在完成步驟14的基板上形成一層保護(hù)膜。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)熱致變色薄膜進(jìn)行溫度控制，還可在基板 上形成溫控電路，通過(guò)溫控電路對(duì)熱致變色薄膜的溫度進(jìn)行控制。溫控電路可形成在基板的無(wú)效區(qū)域。該情形下，溫控電路可在步驟11之前形成， 或者，溫控電路可在步驟12和步驟13之間形成，或者，溫控電路可在步驟14之后形成。溫 控電路可以是由與外部供電電極相連的電阻器組成的電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)外部供電電極對(duì)電阻 器通電，電阻器產(chǎn)生的熱量傳遞給基板，進(jìn)而提高基板乃至整個(gè)掩模版的溫度。或者，溫控電路還可形成在不透光區(qū)域。溫控電路可具體包括形成與熱致變色薄 膜接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)的電阻器，以及與電阻器連接的、用于對(duì)電阻器進(jìn)行通電控制的控制 電路；其中，控制電路可形成于不透光區(qū)域?qū)拥纳戏交蛳路?。?duì)于控制電路形成于不透光 區(qū)域?qū)拥南路降那樾危刂齐娐房稍诓襟E11之前形成；對(duì)于控制電路形成于不透光區(qū)域?qū)?上方的情形，控制電路可在步驟12和步驟13之間形成，或者，控制電路可在步驟14之后形 成。圖7為本發(fā)明半色調(diào)掩模版的制造方法第二實(shí)施例流程圖。本實(shí)施例與圖6對(duì)應(yīng) 實(shí)施例的區(qū)別在于，本實(shí)施例在制造掩模版的過(guò)程中，首先形成半色調(diào)區(qū)域?qū)訄D形，之后再 形成不透光區(qū)域?qū)訄D形。如圖7所示，半色調(diào)掩模版的制造方法可具體包括步驟21、在基板上沉積熱致變色薄膜。步驟22、在完成步驟21的基板上，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝形成半色調(diào)區(qū)域圖形；半 色調(diào)區(qū)域上的熱致變色薄膜被保留，半色調(diào)區(qū)域以外的熱致變色薄膜被完全去除；半色調(diào) 區(qū)域上的熱致變色薄膜即為半色調(diào)區(qū)域?qū)?。步驟23、在完成步驟22的基板上，沉積不透明金屬材料層。步驟24、在完成步驟23的基板上進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，保留不透光區(qū)域上的不透 明金屬材料層，去除不透光區(qū)域外其他區(qū)域的不透明金屬材料層；不透光區(qū)域上的不透明 金屬材料層即為不透光區(qū)域?qū)?。為了保持薄熱致變色薄膜性質(zhì)的穩(wěn)定性，防止被外界環(huán)境中的氣體等雜質(zhì)腐蝕， 還可在完成步驟24的基板上形成一層保護(hù)膜。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)熱致變色薄膜進(jìn)行溫度控制，還可在基板 上形成溫控電路，通過(guò)溫控電路對(duì)熱致變色薄膜的溫度進(jìn)行控制。溫控電路可形成在基板的無(wú)效區(qū)域。該情形下，溫控電路可在步驟21之前形成， 或者，溫控電路可在步驟22和步驟23之間形成，或者，溫控電路可在步驟24之后形成?；蛘撸瑴乜仉娐愤€可形成在不透光區(qū)域。溫控電路可具體包括形成與熱致變色薄 膜接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)的電阻器，以及與電阻器連接的、用于對(duì)電阻器進(jìn)行通電控制的控制 電路；其中，控制電路可形成于不透光區(qū)域?qū)拥纳戏交蛳路健?duì)于控制電路形成于不透光 區(qū)域?qū)拥南路降那樾?，控制電路可在步驟21之前形成，或者，控制電路可在步驟22和步驟 23之間形成；對(duì)于控制電路形成于不透光區(qū)域?qū)由戏降那樾?，控制電路可在步驟24之后形 成。通過(guò)上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的半色調(diào)掩模版及其制造方法中，采用了熱 致變色薄膜作為掩模版的半色調(diào)區(qū)域?qū)?，因此，?dāng)由于工藝條件發(fā)生變化等因素考慮需要 調(diào)整掩模版的透光率時(shí)，本實(shí)施例可通過(guò)改變熱致變色薄膜的溫度，使得熱致變色薄膜的 晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，導(dǎo)致熱致變色薄膜對(duì)光束的透過(guò)率發(fā)生改變，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模版的透 光率進(jìn)行控制，而不需要重新制造掩模版，降低了生產(chǎn)制造成本。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換； 而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種半色調(diào)掩模版，包括基板，所述基板包括有效區(qū)域和無(wú)效區(qū)域，所述有效區(qū)域包括半色調(diào)區(qū)域、不透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，所述有效區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)樗鰺o(wú)效區(qū)域，其特征在于，所述半色調(diào)區(qū)域形成有用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)印?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模版，其特征在于，所述半色調(diào)區(qū)域?qū)訛椴捎脽嶂?變色材料形成的熱致變色薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半色調(diào)掩模版，其特征在于，所述熱致變色材料包括二氧化釩。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半色調(diào)掩模版，其特征在于，還包括在所述基板的無(wú)效區(qū)域 或所述不透光區(qū)域，形成有用于進(jìn)行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半色調(diào)掩模版，其特征在于，所述溫控電路包括與所述熱致 變色薄膜接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)的電阻器，以及與所述電阻器連接的、用于對(duì)所述電阻器進(jìn)行 通電控制的控制電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半色調(diào)掩模版，其特征在于，所述熱致變色薄膜的厚度為 800A ~ 1400A。
7.一種半色調(diào)掩模版的制造方法，其特征在于，包括在基板預(yù)設(shè)的有效區(qū)域上形成不 透光區(qū)域?qū)雍陀糜谶M(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)印?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半色調(diào)掩模版的制造方法，其特征在于，采用熱致變色材料 形成作為所述半色調(diào)區(qū)域?qū)拥臒嶂伦兩∧ぁ?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半色調(diào)掩模版的制造方法，其特征在于，所述熱致變色材料 包括二氧化釩。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半色調(diào)掩模版的制造方法，其特征在于，形成所述不透 光區(qū)域?qū)雍桶肷{(diào)區(qū)域?qū)影ㄔ诨迳舷刃纬刹煌腹鈪^(qū)域?qū)?，并在形成有所述不透光區(qū)域?qū)拥幕迳闲纬砂肷{(diào)區(qū) 域?qū)?；或者在基板上先形成半色調(diào)區(qū)域?qū)?，并在形成有所述半色調(diào)區(qū)域?qū)拥幕迳闲纬刹煌腹鈪^(qū) 域?qū)印?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半色調(diào)掩模版的制造方法，其特征在于，所述基板的所 述有效區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)樗龌宓臒o(wú)效區(qū)域；所述半色調(diào)掩模版的制造方法還包括在所述基板的無(wú)效區(qū)域或者在不透光區(qū)域，形成用于進(jìn)行所述熱致變色薄膜溫度控制 的溫控電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半色調(diào)掩模版的制造方法，其特征在于，所述形成用于進(jìn) 行所述熱致變色薄膜溫度控制的溫控電路，包括形成與所述熱致變色薄膜接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)的電阻器，以及與所述電阻器連接的、用 于對(duì)所述電阻器進(jìn)行通電控制的控制電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半色調(diào)掩模版及其制造方法。半色調(diào)掩模版包括基板，所述基板包括有效區(qū)域和無(wú)效區(qū)域，所述有效區(qū)域包括半色調(diào)區(qū)域、不透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，所述有效區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)樗鰺o(wú)效區(qū)域，所述半色調(diào)區(qū)域形成有用于進(jìn)行透光率調(diào)節(jié)的半色調(diào)區(qū)域?qū)?。本發(fā)明半色調(diào)區(qū)域?qū)涌蛇M(jìn)行透光率調(diào)節(jié)，因此，當(dāng)由于工藝條件發(fā)生變化等因素考慮需要調(diào)整掩模版的透光率時(shí)，本發(fā)明可通過(guò)半色調(diào)區(qū)域?qū)舆M(jìn)行掩模版的透光率調(diào)節(jié)，而不需要重新制造掩模版，降低了生產(chǎn)制造成本。
文檔編號(hào)G03F1/08GK101813881SQ20091007820
公開(kāi)日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2009年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月20日
發(fā)明者周偉峰, 明星, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司