專利名稱：水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子領(lǐng)域，特別涉及水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置及制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱為IXD)是一種主要的平板顯示裝 置(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱為 FPD)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，液晶顯示裝置分為垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置和水平 電場(chǎng)型液晶顯示裝置。垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括扭曲向列(Twist Nematic，簡(jiǎn)稱 為TN)型液晶顯示裝置；水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括邊界電場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，簡(jiǎn)稱為FFS)型液晶顯示裝置，共平面切換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱為IPS) 型液晶顯示裝置。一般來(lái)講，在液晶顯示裝置中，在像素電極和公共電極之間會(huì)形成存儲(chǔ)電容，在像 素電極這數(shù)據(jù)線之間形成寄生電容。其中，存儲(chǔ)電容用于排列液晶以顯示畫面，寄生電容是 作為干擾電容擾亂液晶的正常排列。因此，在制造液晶顯示裝置的過(guò)程當(dāng)中，為了防止由寄 生電容引起的不良現(xiàn)象，需要在像素電極和數(shù)據(jù)線之間設(shè)置一定的間隔。這樣會(huì)導(dǎo)致了黑 矩陣的遮擋面積增加，從而減低了開口率。開口率是評(píng)價(jià)液晶顯示裝置的一個(gè)主要指標(biāo)。現(xiàn)有的一種提高開口率的技術(shù)在像素電極和數(shù)據(jù)線之間涂布厚厚的有機(jī)絕緣 層，通過(guò)增加像素電極和數(shù)據(jù)線之間的直線距離的方法降低了寄生電容的干擾。即形成數(shù) 據(jù)線后，在基板上形成有機(jī)絕緣膜，最后在該有機(jī)絕緣膜上形成像素電極。通過(guò)增加有機(jī)絕 緣膜的后的方法可以提高30%左右的開口率。現(xiàn)有的另一種提高開口率的技術(shù)在第一基板上形成彩色樹脂的方法。另外，寬視角也是評(píng)價(jià)液晶顯示裝置的一個(gè)主要指標(biāo)。水平電場(chǎng)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)寬視 角的技術(shù)中一個(gè)應(yīng)用較為廣泛的技術(shù)。圖1為現(xiàn)有的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的截面示意圖。如圖1所示，該液晶顯示 裝置包括第一基板11和第二基板21。其中第一基板11包括公共電極13位于第一基板 11上，柵電極12位于公共電極13的一側(cè)，柵絕緣層14覆蓋了柵電極12和公共電極13，在 柵電極12的上方設(shè)有半導(dǎo)體層15，在半導(dǎo)體層15設(shè)有數(shù)據(jù)線16，鈍化層17覆蓋了整個(gè)基 板，像素電極18形成在鈍化層17上，像素電極18通過(guò)鈍化層17的過(guò)孔與數(shù)據(jù)線電連接。在這里，水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板上形成像素電極和公共電極以 形成水平電場(chǎng)，并且通過(guò)水平電場(chǎng)在水平面內(nèi)控制液晶的排列，以實(shí)現(xiàn)較好的寬視角性能。由于水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)不同于垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)，因 此無(wú)法采用上述的兩種提高開口率的技術(shù)。具體為在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用第 一種提高開口率的技術(shù)，則會(huì)導(dǎo)致像素電極和公共電極之間的直線距離變大，從而不能有 效地形成水平電場(chǎng)。在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用第二種提高開口率的技術(shù)，則彩色 樹脂將會(huì)位于水平電場(chǎng)區(qū)域，同時(shí)液晶會(huì)位于水平電場(chǎng)之外，因此即使形成了水平電場(chǎng)也無(wú)法用該水平電場(chǎng)有效地排列液晶。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置及制造方法，以克服現(xiàn)有技術(shù) 中無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù)的缺陷。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，包括第一基板、 第二基板以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括多個(gè) 薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和數(shù)據(jù)線，所述第二基板包括多個(gè)像素 電極以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)并形成水平電場(chǎng)的公共電極，以及所述水平電場(chǎng)型液晶顯示 裝置還包括用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述薄膜晶體管分別進(jìn)行電連接的多個(gè)導(dǎo)電 隔墊物。其中，每個(gè)所述導(dǎo)電隔墊物的一端設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述像素電極上，另一端設(shè)置在 對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管上，以電連接所述像素電極和所述薄膜晶體管。其中，還包括彩色樹脂，所述彩色樹脂位于所述第一基板上面或者位于所述第二 基板上面。其中，還包括黑矩陣，所述黑矩陣位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板 上面。其中，所述像素電極設(shè)有能夠與所述公共電極形成水平電場(chǎng)的多個(gè)縫隙。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，包 括步驟1，提供設(shè)有多個(gè)薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和數(shù)據(jù)線的第 一基板；步驟2，提供設(shè)有多個(gè)像素電極以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)并形成水平電場(chǎng)的公共 電極的第二基板；步驟3，形成用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述薄膜晶體管分別進(jìn)行 電連接的多個(gè)導(dǎo)電隔墊物；步驟4，在所述第一基板和所述第二基板之間夾入液晶層，對(duì)盒 所述第一基板和所述第二基板并且通過(guò)所述導(dǎo)電隔墊物將所述薄膜晶體管和所述像素電 極電連接。其中，在所述步驟3中，所述導(dǎo)電隔墊物的一端形成在所述第一基板的所述薄膜 晶體管上面，并且另一端露出；在所述步驟4中，所述導(dǎo)電隔墊物的另一端與所述第二基板 的所述像素電極接觸。其中，在所述步驟3中，所述導(dǎo)電隔墊物的一端形成在所述第二基板的所述像素 電極上面，并且另一端露出；在所述步驟4中，所述掉電隔墊物的另一端與所述第一基板的 所述薄膜晶體管接觸。其中，在所述像素電極上形成能夠與所述公共電極形成水平電場(chǎng)的多個(gè)縫隙。其中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成彩色樹脂。其中，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成彩色樹脂。其中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成黑矩陣。其中，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成黑矩陣。本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板上設(shè)置薄膜晶體管陣列，在第二基板上 形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體管和位于第 二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，從而有效的提高了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離。并且增加數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離之 后，可以減少數(shù)據(jù)線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面積，從而有 助于提高開口率。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之間形成的 水平電場(chǎng)，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù) 的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮 度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的截面示意圖；圖2為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第一實(shí)施例示意圖；圖3為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第二實(shí)施例示意圖；圖4為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第三實(shí)施例示意圖；圖5為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第四實(shí)施例示意圖；圖6為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第一實(shí)施例的流程圖；圖7a為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例的流程圖；圖7b為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成薄膜晶體 管的示意圖；圖7c為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成彩色樹脂 的示意圖；圖7d為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成黑矩陣和 公共電極的示意圖；圖7e為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中沉積第一絕緣 層的示意圖；圖7f為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成像素電極 的示意圖；圖7g為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成導(dǎo)電隔墊 物的示意圖；圖8a為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例的流程圖，圖8b為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成薄膜晶體 管的示意圖；圖8c為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成彩色樹脂 的示意圖；圖8d為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成黑矩陣和 公共電極的示意圖；圖Se為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中沉積第一絕緣 層的示意圖；圖8f為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成像素電極 的示意圖8g為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成導(dǎo)電隔墊 物的示意圖；圖9a為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例的流程圖；圖9b為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成薄膜晶體 管的示意圖；圖9c為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成彩色樹脂 的示意圖；圖9d為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成黑矩陣和 公共電極的示意圖；圖9e為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中沉積第一絕緣 層的示意圖；圖9f為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成像素電極 的示意圖；
圖9g為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成導(dǎo)電隔墊 物的示意圖；圖IOa為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例的流程圖；圖IOb為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成薄膜晶 體管的示意圖；圖IOc為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成彩色樹 脂的示意圖；圖IOd為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成黑矩陣 和公共電極的示意圖；圖IOe為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中沉積第一絕 緣層的示意圖；圖IOf為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成像素電 極的示意圖；圖IOg為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成導(dǎo)電隔 墊物的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明11-第一基板；12-柵電極； 13-公共電極；14-柵絕緣層；I5-半導(dǎo)體層；16_數(shù)據(jù)線；17-鈍化層；18-像素電極；21-第二基板；22-彩色樹脂； 23-黑矩陣； 24-導(dǎo)電隔墊物；25-第一絕緣層； 26-第二絕緣層。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第一實(shí)施例圖2為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第一實(shí)施例示意圖。如圖2所示，本實(shí) 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11、第二基板21以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板11包括多個(gè)薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和 數(shù)據(jù)線；所述第二基板21包括多個(gè)像素電極18以及與所述像素電極18對(duì)應(yīng)并形成水平 電場(chǎng)的公共電極13 ；以及所述液晶顯示裝置還包括用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述 薄膜晶體管分別進(jìn)行電連接的多個(gè)導(dǎo)電隔墊物24。本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板上設(shè)置薄膜晶體管陣列，在第二基板上 形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體管和位于第 二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，從而有效的提 高了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離。并且增加數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離之 后，可以減少數(shù)據(jù)線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面積，從而有 助于提高開口率。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之間形成的 水平電場(chǎng)，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù) 的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮 度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，每個(gè)所述導(dǎo)電隔墊物的一端設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述像素電 極上，另一端設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管上，以電連接所述像素電極和所述薄膜晶體管。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，還包括彩色樹脂，所述彩色樹脂位于所述第一基板上面 或者位于所述第二基板上面。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，還包括黑矩陣，所述黑矩陣位于所述第一基板上面或者 位于所述第二基板上面。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述像素電極設(shè)有能夠與所述公共電極形成水平電場(chǎng) 的多個(gè)縫隙。如果像素電極設(shè)有多個(gè)縫隙，而公共電極為無(wú)縫隙的板狀電極，則該水平電場(chǎng) 型液晶顯示裝置具體為邊界電場(chǎng)切換型液晶顯示裝置。另外，公共電極也可以具有至少一 個(gè)縫隙，則該水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第二實(shí)施例圖3為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第二實(shí)施例示意圖。如圖3所示，本實(shí) 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11和第二基板21，所述第一基板11包括薄膜晶體管位于第一基板11上面，彩色樹脂22位于所述 薄膜晶體管上面，在所述薄膜晶體管的漏電極上設(shè)有彩色樹脂過(guò)孔；所述第二基板21包 括公共電極13位于第二基板21上面，黑矩陣23位于所述公共電極13之間，并且黑矩陣 23和公共電極13的邊緣部分重疊，黑矩陣23位于公共電極13上面，第一絕緣層25位于所 述公共電極13上面，像素電極18位于第一絕緣層25上面，并且具有至少一個(gè)縫隙，導(dǎo)電隔 墊物24位于像素電極18上面，用于電連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極。本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板11上設(shè)置薄膜晶體管陣列，在第二基 板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體管和位 于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，從而有效 的提高了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離。并且增加數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離 之后，可以減少數(shù)據(jù)線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面積，從而 有助于提高開口率。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之間形成的水平電場(chǎng)，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技 術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的 亮度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成 本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，公共電極具有至少一個(gè)縫隙，這樣該水平電場(chǎng)型液晶顯 示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，在薄膜晶體管上面還可以沉積鈍化層，并且在所述鈍化 層上與所述彩色樹脂過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有鈍化層過(guò)孔。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第三實(shí)施例圖4為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第三實(shí)施例示意圖。如圖4所示，本實(shí) 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11和第二基板21，所述第一基板11包括黑矩陣23 第一基板11上面，第二絕緣層26位于所述黑矩陣23上面，薄膜晶體管位于第二絕緣層26 上面，彩色樹脂22位于所述薄膜晶體管上面，在所述薄膜晶體管的漏電極上設(shè)有彩色樹脂 過(guò)孔；所述第二基板21包括公共電極13位于第二基板21上面，第一絕緣層25位于所述 公共電極13上面，像素電極18位于第一絕緣層25上面，并且具有至少一個(gè)縫隙，導(dǎo)電隔墊 物24位于像素電極18上面，用于電連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極。本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板上依次設(shè)置黑矩陣和薄膜晶體管陣列， 在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶 體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩陣、彩色樹脂 及薄膜晶體管陣列，并且也不會(huì)使得液晶位于水平電場(chǎng)之外，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在 水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝 置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的 光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，公共電極具有至少一個(gè)縫隙，這樣該水平電場(chǎng)型液晶顯 示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，在薄膜晶體管上面還可以沉積鈍化層。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第四實(shí)施例圖5為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的第四實(shí)施例示意圖。如圖5所示，本實(shí) 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11和第二基板21，所述第一基板11包括薄膜晶體管 位于第一基板11上面，黑矩陣23位于所述薄膜晶體管上面，彩色樹脂22位于所述黑矩陣 23上面，在所述薄膜晶體管的漏電極上設(shè)有彩色樹脂過(guò)孔和黑矩陣過(guò)孔；所述第二基板21 包括公共電極13位于第二基板21上面，第一絕緣層位于所述公共電極13上面，像素電極 18位于第一絕緣層25上面，并且具有至少一個(gè)縫隙，導(dǎo)電隔墊物24位于像素電極18上面， 用于電連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極。本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板上依次設(shè)置薄膜晶體管陣列和黑矩陣， 在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶 體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩陣、彩色樹脂 及薄膜晶體管陣列，并且也不會(huì)使得液晶位于水平電場(chǎng)之外，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在 水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的 光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，公共電極具有至少一個(gè)縫隙，這樣該水平電場(chǎng)型液晶顯 示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，在薄膜晶體管上面還可以沉積鈍化層，并且在所述鈍化 層上與所述彩色樹脂過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有鈍化層過(guò)孔。此時(shí)，黑矩陣過(guò)孔、鈍化層過(guò)孔和彩 色樹脂過(guò)孔位置相同，并且相互貫通。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第一實(shí)施例圖6為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第一實(shí)施例的流程圖。圖6所 示，本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟1，提供設(shè)有多個(gè)薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和數(shù)據(jù)線 的第一基板；
步驟2，提供設(shè)有多個(gè)像素電極以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)并形成水平電場(chǎng)的公共 電極的第二基板；步驟3，形成用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述薄膜晶體管分別進(jìn)行電連接的 多個(gè)導(dǎo)電隔墊物；步驟4，在所述第一基板和所述第二基板之間夾入液晶層，對(duì)盒所述第一基板和所 述第二基板并且通過(guò)所述導(dǎo)電隔墊物將所述薄膜晶體管和所述像素電極電連接。本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法通過(guò)在第一基板上形成薄膜晶體管陣列，在 第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體 管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，從 而有效的提高了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離。并且增加數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直 線距離之后，可以減少數(shù)據(jù)線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面 積，從而有助于提高開口率。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之 間形成的水平電場(chǎng)，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口 率的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示 裝置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的 制造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，可以在所述步驟3中，所述導(dǎo)電隔墊物的一端形成在所 述第一基板的所述薄膜晶體管上面，并且另一端露出；并且可以在所述步驟4中，所述導(dǎo)電 隔墊物的另一端與所述第二基板的所述像素電極接觸。即，可以將導(dǎo)電隔墊物形成在第一 基板上面，然后在對(duì)盒的過(guò)程中將導(dǎo)電隔墊物的另一端與第二基板上的像素電極接觸。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，可以在所述步驟3中，所述導(dǎo)電隔墊物的一端形成在所 述第二基板的所述像素電極上面，并且另一端露出；并且可以在所述步驟4中，所述掉電隔 墊物的另一端與所述第一基板的所述薄膜晶體管接觸。即，可以將導(dǎo)電隔墊物形成在第二 基板上面，然后在對(duì)盒的過(guò)程中將導(dǎo)電隔墊物的另一端與第一基板上的薄膜晶體管接觸。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，在所述像素電極上形成能夠與所述公共電極形成水平 電場(chǎng)的多個(gè)縫隙。如果在像素電極上形成多個(gè)縫隙，而在公共電極上沒(méi)有形成縫隙，則該水 平電場(chǎng)型液晶顯示裝置具體為邊界電場(chǎng)切換型液晶顯示裝置。另外，公共電極也可以形成至少一個(gè)縫隙，則該水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成彩 色樹脂?；蛘咚霾襟E2還包括在提供的所述第二基板上，形成彩色樹脂。如果在兩個(gè)基 板上沒(méi)有形成彩色樹脂，則需要在背光模組中采用具有三原色的光源，例如發(fā)光二極管等。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成黑 矩陣?；蛘咚霾襟E2還包括在提供的所述第二基板上，形成黑矩陣。如果不形成黑矩陣 時(shí)，雖然能夠最大化液晶顯示裝置的亮度，但是位于數(shù)據(jù)線和柵線上方的光學(xué)不良會(huì)被肉 眼看見。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例圖7a為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例的流程圖。圖7b 為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成薄膜晶體管的示意圖。圖 7c為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成彩色樹脂的示意圖。圖 7d為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成黑矩陣和公共電極的 示意圖。圖7e為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中沉積第一絕緣 層的示意圖。圖7f為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成像素 電極的示意圖。圖7g為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第二實(shí)施例中形成導(dǎo) 電隔墊物的示意圖。如圖7a 7g所示，本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟101，在第一基板11上面形成薄膜晶體管。在這里，形成薄膜晶體管的方法是 公知技術(shù)，因此在這里不進(jìn)行贅述。步驟102，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設(shè)有彩色樹脂22過(guò)孔。步驟103，在所述第二基板上先形成黑矩陣23，后形成公共電極13。此時(shí)，公共電 極13形成在黑矩陣23之間，并且黑矩陣23的邊緣和公共電極13的邊緣相互重疊，并且公 共電極13的邊緣位于黑矩陣23邊緣的上面。步驟104，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個(gè)基板表面。步驟105，在所述公共電極13上方形成具有至少一個(gè)縫隙的像素電極18。步驟106，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導(dǎo)電隔墊物24。在本實(shí)施例中，步驟101和步驟102屬于第一基板的制造方法，步驟103至步驟 106屬于第二基板的制造方法。本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法通過(guò)在第一基板上形成薄膜晶體管陣列，在 第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體 管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，從 而有效的提高了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離，并且不影響公共電極和像素電極之間 形成的水平電場(chǎng)，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率 的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝 置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制 造成本。
進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成彩色樹脂之前，可以在薄膜晶體管上面沉積鈍化 層，然后在鈍化層上形成彩色樹脂。形成鈍化層過(guò)孔的時(shí)候，可以在沉積鈍化層后單獨(dú)形成 鈍化層過(guò)孔，也可以在形成彩色樹脂過(guò)孔的時(shí)候同時(shí)形成。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成公共電極時(shí)可以形成具有至少一個(gè)縫隙的公共電 極。這樣通過(guò)該液晶顯示裝置的制造方法制造出來(lái)的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例圖8a為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例的流程圖。圖8b 為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成薄膜晶體管的示意圖。圖 8c為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成彩色樹脂的示意圖。圖 8d為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成黑矩陣和公共電極的 示意圖。圖8e為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中沉積第一絕緣 層的示意圖。圖8f為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成像素 電極的示意圖。圖8g為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第三實(shí)施例中形成導(dǎo) 電隔墊物的示意圖。如圖8a 8g所示，本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟201，在第一基板11上面形成薄膜晶體管。在這里，形成薄膜晶體管的方法是 公知技術(shù)，因此在這里不進(jìn)行贅述。步驟202，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設(shè)有彩色樹脂22過(guò)孔。步驟203，在所述第二基板上先形成公共電極13，后形成黑矩陣23。黑矩陣23形 成在公共電極13之間，并且公共電極13的邊緣和黑矩陣23的邊緣相互重疊，并且黑矩陣 23的邊緣位于公共電極13邊緣的上面。步驟204，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個(gè)基板表面。步驟205，在所述公共電極13上方形成具有至少一個(gè)縫隙的像素電極18。步驟206，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導(dǎo)電隔墊物24。在本實(shí)施例中，步驟201和步驟202屬于第一基板的制造方法，步驟203至步驟 206屬于第二基板的制造方法。本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法通過(guò)在第一基板上形成薄膜晶體管陣列，在 第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體 管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，從 而有效的提高了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的直線距離，并且不影響公共電極和像素電極之間 形成的水平電場(chǎng)，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率 的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝 置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制 造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成彩色樹脂之前，可以在薄膜晶體管上面沉積鈍化 層，然后在鈍化層上形成彩色樹脂。形成鈍化層過(guò)孔的時(shí)候，可以在沉積鈍化層后單獨(dú)形成鈍化層過(guò)孔，也可以在形成彩色樹脂過(guò)孔的時(shí)候同時(shí)形成。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成公共電極時(shí)可以形成具有至少一個(gè)縫隙的公共電 極。這樣通過(guò)該液晶顯示裝置的制造方法制造出來(lái)的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例圖9a為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例的流程圖。圖9b 為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成薄膜晶體管的示意圖。圖 9c為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成彩色樹脂的示意圖。圖 9d為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成黑矩陣和公共電極的 示意圖。圖9e為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中沉積第一絕緣 層的示意圖。圖9f為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成像素 電極的示意圖。圖9g為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第四實(shí)施例中形成導(dǎo) 電隔墊物的示意圖。如圖9a 9g所示，本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟301，在第一基板11上面先形成黑矩陣23，后形成薄膜晶體管。即在第一基 板11上形成黑矩陣23之后，在所述黑矩陣23上面形成薄膜晶體管。在這里，形成薄膜晶 體管的方法是公知技術(shù)，因此在這里不進(jìn)行贅述。步驟302，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設(shè)有彩色樹脂22過(guò)孔。步驟303，在所述第二基板上形成公共電極13。步驟304，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個(gè)基板表面。步驟305，在所述公共電極13上方形成具有至少一個(gè)縫隙的像素電極18。步驟306，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導(dǎo)電隔墊物24。在本實(shí)施例中，步驟301和步驟302屬于第一基板的制造方法，步驟303至步驟 306屬于第二基板的制造方法。本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法通過(guò)在第一基板上依次形成黑矩陣和薄膜 晶體管陣列，在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基 板上的薄膜晶體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩 陣、彩色樹脂及薄膜晶體管陣列，并且也不會(huì)使得液晶位于水平電場(chǎng)之外，從而克服了現(xiàn)有 技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的 液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于 提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成黑矩陣之后，還可以在黑矩陣上面形成第二絕緣層。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成彩色樹脂之前，可以在薄膜晶體管上面沉積鈍化層，然后在鈍化層上形成彩色樹脂。形成鈍化層過(guò)孔的時(shí)候，可以在沉積鈍化層后單獨(dú)形成 鈍化層過(guò)孔，也可以在形成彩色樹脂過(guò)孔的時(shí)候同時(shí)形成。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成公共電極時(shí)可以形成具有至少一個(gè)縫隙的公共電極。這樣通過(guò)該液晶顯示裝置的制造方法制造出來(lái)的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例圖IOa為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例的流程圖。圖 IOb為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成薄膜晶體管的示意 圖。圖IOc為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成彩色樹脂的示 意圖。圖IOd為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中形成黑矩陣和公 共電極的示意圖。圖IOe為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中沉積 第一絕緣層的示意圖。圖IOf為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例中 形成像素電極的示意圖。圖IOg為本發(fā)明水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法的第五實(shí)施例 中形成導(dǎo)電隔墊物的示意圖。如圖IOa IOg所示，本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法 包括步驟401，在第一基板11上面先形成薄膜晶體管，后形成黑矩陣23。即在第一基 板11上形成薄膜晶體管之后，在所述薄膜晶體管上面形成黑矩陣23。在這里，形成薄膜晶 體管的方法是公知技術(shù)，因此在這里不進(jìn)行贅述。步驟402，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設(shè)有彩色樹脂22過(guò)孔。步驟404，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個(gè)基板表面。步驟405，在所述公共電極13上方形成具有至少一個(gè)縫隙的像素電極18。步驟406，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導(dǎo)電隔墊物24。在本實(shí)施例中，步驟401和步驟402屬于第一基板的制造方法，步驟403至步驟 406屬于第二基板的制造方法。本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法通過(guò)在第一基板上依次形成薄膜晶體管陣 列和黑矩陣，在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過(guò)導(dǎo)電隔墊物將位于這列基 板上的薄膜晶體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩 陣、彩色樹脂及薄膜晶體管陣列，并且也不會(huì)使得液晶位于水平電場(chǎng)之外，從而克服了現(xiàn)有 技術(shù)無(wú)法在水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術(shù)的缺陷。另外，本實(shí)施例的 液晶顯示裝置通過(guò)提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當(dāng)減少用于 提高亮度的光學(xué)薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成黑矩陣之前，還可以在薄膜晶體管下面形成第二絕 緣層，并且在薄膜晶體管的漏電極上形成第二絕緣層過(guò)孔。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，形成公共電極時(shí)可以形成具有至少一個(gè)縫隙的公共電 極。這樣通過(guò)該液晶顯示裝置的制造方法制造出來(lái)的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，其特征在于，所述第一基板包括多個(gè)薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和數(shù)據(jù)線，所述第二基板包括多個(gè)像素電極以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)并形成水平電場(chǎng)的公共電極，以及所述水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置還包括用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述薄膜晶體管分別進(jìn)行電連接的多個(gè)導(dǎo)電隔墊物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，其特征在于，每個(gè)所述導(dǎo)電隔墊 物的一端設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述像素電極上，另一端設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管上，以電連 接所述像素電極和所述薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，其特征在于，還包括彩色樹 脂，所述彩色樹脂位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板上面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，其特征在于，還包括黑矩陣， 所述黑矩陣位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板上面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極設(shè) 有能夠與所述公共電極形成水平電場(chǎng)的多個(gè)縫隙。
6.一種水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括步驟1，提供設(shè)有多個(gè)薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和數(shù)據(jù)線的第 一基板；步驟2，提供設(shè)有多個(gè)像素電極以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)并形成水平電場(chǎng)的公共電極 的第二基板；步驟3，形成用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述薄膜晶體管分別進(jìn)行電連接的多個(gè) 導(dǎo)電隔墊物；步驟4，在所述第一基板和所述第二基板之間夾入液晶層，對(duì)盒所述第一基板和所述第 二基板并且通過(guò)所述導(dǎo)電隔墊物將所述薄膜晶體管和所述像素電極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述步驟3中，所述導(dǎo)電隔墊物的一端形成在所述第一基板的所述薄膜晶體管上 面，并且另一端露出；在所述步驟4中，所述導(dǎo)電隔墊物的另一端與所述第二基板的所述像素電極接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述步驟3中，所述導(dǎo)電隔墊物的一端形成在所述第二基板的所述像素電極上面， 并且另一端露出；在所述步驟4中，所述掉電隔墊物的另一端與所述第一基板的所述薄膜晶體管接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述 像素電極上形成能夠與所述公共電極形成水平電場(chǎng)的多個(gè)縫隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求6 9任一所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成彩色樹脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求6 9任一所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成彩色樹脂。
12.根據(jù)權(quán)利要求6 9任一所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成黑矩陣。
13.根據(jù)權(quán)利要求6 9任一所述的水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成黑矩陣。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置及制造方法，其中該水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括多個(gè)薄膜晶體管、用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)薄膜晶體管的柵線和數(shù)據(jù)線，所述第二基板包括多個(gè)像素電極以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)并形成水平電場(chǎng)的公共電極，以及所述水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置還包括用于將每個(gè)所述像素電極和每個(gè)所述薄膜晶體管分別進(jìn)行電連接的多個(gè)導(dǎo)電隔墊物。本實(shí)施例的液晶顯示裝置通過(guò)在第一基板上設(shè)置薄膜晶體管陣列，在第二基板上形成公共電極和像素電極的方式，克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101833200SQ20091007995
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2009年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
發(fā)明者王靜, 裴揚(yáng), 閔泰燁, 高文寶 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司