專(zhuān)利名稱(chēng)：Tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-IXD陣列基板及其制 造方法。
背景技術(shù)：
目前，制造薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-IXD)陣列基板是通過(guò)一組構(gòu)圖工藝形成結(jié)構(gòu)圖形來(lái)完成，一次構(gòu)圖工 藝形成一層結(jié)構(gòu)圖形，構(gòu)圖工藝的次數(shù)可以衡量制造TFT-IXD陣列基板的繁簡(jiǎn)程度，減少 構(gòu)圖工藝的次數(shù)就意味著制造成本的降低?，F(xiàn)在技術(shù)的五次構(gòu)圖工藝包括柵線(xiàn)和柵電極 構(gòu)圖、有源層構(gòu)圖、源電極/漏電極構(gòu)圖、過(guò)孔構(gòu)圖和像素電極構(gòu)圖，每一次構(gòu)圖工藝中又 分別包括薄膜沉積、掩膜曝光和刻蝕工藝，其中刻蝕工藝包括干法刻蝕和濕法刻蝕?，F(xiàn)在技術(shù)采用的四次構(gòu)圖工藝技術(shù)是在五次構(gòu)圖工藝基礎(chǔ)上，利用半色調(diào)(Half Tone Mask)或灰色調(diào)(Gray Tone Mask)掩模板技術(shù)，將有源層構(gòu)圖與源電極/漏電極構(gòu)圖 合并成一個(gè)構(gòu)圖工藝，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝完成有源層、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和TFT溝道 區(qū)域圖形的制作，其工藝過(guò)程主要包括通過(guò)采用普通掩模板的第一次構(gòu)圖工藝形成柵線(xiàn) 和柵電極圖形；通過(guò)采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板的第二次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線(xiàn)、有源層、源 電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形；通過(guò)采用普通掩模板的第三次構(gòu)圖工藝形成鈍化層過(guò) 孔和引線(xiàn)區(qū)圖形；通過(guò)采用普通掩模板的第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極圖形，像素電極通 過(guò)鈍化層過(guò)孔與漏電極連接。由于每次構(gòu)圖工藝均需要把掩模板的圖形轉(zhuǎn)移到薄膜圖形上，而每一層薄膜圖形 都需要精確地罩在另一層薄膜圖形上，因此現(xiàn)有技術(shù)五次構(gòu)圖工藝和四次構(gòu)圖工藝仍存在 工藝復(fù)雜、生產(chǎn)周期長(zhǎng)和使用掩模板數(shù)量多等缺陷，同時(shí)較長(zhǎng)的工藝周期增加了不良發(fā)生 率，造成良品率降低、成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-IXD陣列基板及其制造方法，采用三次構(gòu)圖工藝實(shí) 現(xiàn)TFT-LCD陣列基板的制造，簡(jiǎn)化工藝步驟，縮短工藝時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板，包括柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，所 述柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，所述像素電極與薄膜晶體 管的漏電極直接連接，且所述像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互補(bǔ)狀。所述薄膜晶體管包括源電極，形成在基板上，與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接；漏電極，形成在基板上，與像素電極直接連接，源電極與漏電極之間形成TFT溝道 區(qū)域，且漏電極與像素電極直接連接；摻雜半導(dǎo)體層，形成在源電極和漏電極上；半導(dǎo)體層，形成在上述結(jié)構(gòu)圖形上，其形狀與像素電極的形狀呈互補(bǔ)狀；
柵絕緣層，形成在上述結(jié)構(gòu)圖形上；柵電極，形成在柵絕緣層上，位于TFT溝道區(qū)域的上方，并與柵線(xiàn)連接。所述漏電極部分表面上的摻雜半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層被刻蝕掉，部分像素電極覆蓋在所述漏電極暴露出的部分表面上，使像素電極通過(guò)搭接方式與漏電極連接。位于像素顯示區(qū)域上的柵絕緣層被刻蝕掉。所述半導(dǎo)體層與像素電極之間形成有間隙。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的下方還設(shè)置有遮 光圖形。進(jìn)一步地，所述遮光圖形與數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層在同一次構(gòu)圖 工藝中形成。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-IXD陣列基板制造方法，包括步驟1、在基板上沉積源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括數(shù) 據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形；步驟2、在完成步驟1的基板上沉積半導(dǎo)體薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括半導(dǎo)體 層和像素電極的圖形，像素電極與漏電極直接連接，且像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀 呈互補(bǔ)狀；步驟3、在完成步驟2的基板上沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包 括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。所述步驟1包括在基板上沉積遮光層薄膜、源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；在 摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光 刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完 全保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于源 電極與漏電極之間溝道的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域； 顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠 被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變??；通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻 膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜和遮光層薄膜；通過(guò)灰化工藝完全去除 光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)第二次刻蝕工藝完全 刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，形成包括遮光圖形、數(shù)據(jù)線(xiàn)、 源電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層的圖形，且源電極與漏電極之間形成溝道圖形；剝離剩余的 光刻膠。所述步驟2包括在完成步驟1的基板上，沉積一層半導(dǎo)體薄膜；在半導(dǎo)體薄膜上 涂敷一層光刻膠；采用普通掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域 和光刻膠完全去除區(qū)域，其中光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻 膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體層的圖形所在區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光 刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉 光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形，同時(shí)去除漏電極部分表面的半 導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，使漏電極的部分表面暴露出來(lái)；在完成前述步驟的基板上，沉積一 層透明導(dǎo)電薄膜；采用離地剝離技術(shù)剝離半導(dǎo)體薄膜上的光刻膠，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄 膜也一同去除，形成像素電極的圖形，部分像素電極覆蓋在所述漏電極暴露出的部分表面 上，使像素電極與漏電極直接連接，像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互補(bǔ)狀，且像素電極與半導(dǎo)體層之間形成有間隙。所述步驟3可以包括在完成步驟2的基板上，沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜；在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠 形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保 留區(qū)域?qū)?yīng)于柵電極和柵線(xiàn)的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔 的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保 留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留 區(qū)域的光刻膠厚度變??；通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬薄 膜、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形；通過(guò)灰化工藝完全 去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵金屬薄膜；通過(guò)第二次刻蝕工藝完全 刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵電極和柵線(xiàn)的圖形；剝離剩余的光刻膠。所述步驟3也可以包括在完成步驟2的基板上，沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜；在 柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠 形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保 留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線(xiàn)和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素顯示區(qū)域和 數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處 理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全 去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄；通過(guò)第一次刻蝕工藝，完全刻蝕掉像素顯示區(qū) 域所在區(qū)域的柵金屬薄膜和柵絕緣層，暴露出像素顯示區(qū)域的像素電極，完全刻蝕掉數(shù)據(jù) 線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū)域的柵金屬薄膜、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù) 線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形；通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的 柵金屬薄膜；通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵線(xiàn) 和柵電極的圖形；剝離剩余的光刻膠。本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板及其制造方法，首先通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形 成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形，然后采用離地剝離技術(shù)的工藝形成包括半導(dǎo)體層 和像素電極的圖形，最后通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成包括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。本 發(fā)明通過(guò)三次工藝即可實(shí)現(xiàn)TFT-LCD陣列基板的制備，簡(jiǎn)化了工藝步驟，縮短了工藝時(shí)間， 提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。此外，本發(fā)明像素電極與漏電極直接接觸，形成了更穩(wěn) 定的電連接，有效提高了良品率。進(jìn)一步地，本發(fā)明通過(guò)刻蝕掉像素顯示區(qū)域的柵絕緣層， 增加了像素顯示區(qū)域的透光率，提高了顯示品質(zhì)；通過(guò)在源電極和漏電極下方設(shè)置遮光圖 形，有效避免了漏電流的產(chǎn)生，提高了薄膜晶體管的電特性。


圖1為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例的平面圖；圖2為圖1中Al-Al向的剖面圖；圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖4為圖3中A2-A2向剖面圖；圖5為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形后的 平面圖6為圖5中A3-A3向的剖面圖；圖7為圖5中B-B向的剖面圖； 圖8為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中沉 積半導(dǎo)體薄膜后A3-A3向的剖面圖；圖9為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中沉 積半導(dǎo)體薄膜后B-B向的剖面圖；圖10為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 涂敷光刻膠后A3-A3向的剖面圖；圖11為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 涂敷光刻膠后B-B向的剖面圖；圖12為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 光刻膠曝光顯影后A3-A3向的剖面圖；圖13為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 光刻膠曝光顯影后B-B向的剖面圖；圖14為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 刻蝕工藝后A3-A3向的剖面圖；圖15為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 刻蝕工藝后B-B向的剖面圖；圖16為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 沉積透明導(dǎo)電薄膜后A3-A3向的剖面圖；圖17為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 沉積透明導(dǎo)電薄膜后B-B向的剖面圖；圖18為本發(fā)明柵線(xiàn)接口區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；圖19為本發(fā)明數(shù)據(jù)線(xiàn)接口區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；圖20為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例的平面圖；圖21為圖20中A4-A4向的剖面圖；圖22為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中沉積柵絕緣層和 柵金屬薄膜后A4-A4向的剖面圖；圖23為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中光刻膠曝光顯影 后A4-A4向的剖面圖；圖24為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中第一次刻蝕工藝 后A4-A4向的剖面圖；圖25為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中灰化工藝后A4-A4 向的剖面圖；圖26為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中第二次刻蝕工藝 后A4-A4向的剖面圖；圖27為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例的平面圖；圖28為圖27中A5-A5向的剖面圖；圖29為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中沉積各層薄膜后A5-A5向的剖面圖；圖30為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中光刻膠曝光顯影 后A5-A5向的剖面圖；圖31為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中第一次刻蝕工藝 后A5-A5向的剖面圖；圖32為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中灰化工藝后A5-A5 向的剖面圖；圖33為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中第二次刻蝕工藝 后A5-A5向的剖面圖；圖34為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法的流程圖；圖35為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第一實(shí)施例的流程圖；圖36為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第二實(shí)施例的流程圖；圖37為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第三實(shí)施例的流程圖；圖38為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第四實(shí)施例的流程圖；圖39為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第五實(shí)施例的流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-基板；2-源電極；3-漏電極；4-摻雜半導(dǎo)體層； 5-半導(dǎo)體層；6-柵絕緣層；7-柵電極；8-遮光圖形；11-柵線(xiàn)；12-數(shù)據(jù)線(xiàn)；13-像素電極；21-透明導(dǎo)電薄膜；22-柵金屬薄膜； 23-遮光層薄膜；24-源漏金屬薄膜；25-半導(dǎo)體薄膜； 26-摻雜半導(dǎo)體薄膜；27-數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔；30-光刻膠。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例的平面圖，所反映的是一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)，圖2為圖1中Al-Al向的剖面圖。如圖1和圖2所示，本實(shí)施例TFT-IXD陣列基板 的主體結(jié)構(gòu)包括柵線(xiàn)11、數(shù)據(jù)線(xiàn)12、像素電極13和薄膜晶體管，相互垂直的柵線(xiàn)11和數(shù) 據(jù)線(xiàn)12定義了像素區(qū)域，薄膜晶體管和像素電極13形成在像素區(qū)域內(nèi)，柵線(xiàn)11用于向薄 膜晶體管提供開(kāi)啟信號(hào)，數(shù)據(jù)線(xiàn)12用于向像素電極13提供數(shù)據(jù)信號(hào)。具體地，本實(shí)施例 TFT-IXD陣列基板包括形成在基板1上的數(shù)據(jù)線(xiàn)12、源電極2和漏電極3，源電極2與數(shù)據(jù) 線(xiàn)12連接，漏電極3與源電極2相對(duì)設(shè)置，源電極2與漏電極3之間形成TFT溝道區(qū)域；摻 雜半導(dǎo)體層4形成在源電極2和漏電極3上，半導(dǎo)體層5形成在上述結(jié)構(gòu)圖形上，并覆蓋住 源電極2與漏電極3之間的TFT溝道區(qū)域，漏電極3部分表面的摻雜半導(dǎo)體層4和半導(dǎo)體 層5被刻蝕掉，像素電極13形成在基板1上，并覆蓋在漏電極3暴露出的部分表面上，使漏 電極3與形成在基板1上的像素電極13直接連接，且半導(dǎo)體層5的形狀與像素電極13的 形狀呈互補(bǔ)狀，像素電極13與半導(dǎo)體層5之間形成間隙；柵絕緣層6形成在上述結(jié)構(gòu)圖形 上并覆蓋整個(gè)基板1 ；柵線(xiàn)11和柵電極7形成在柵絕緣層6上，柵電極7位于TFT溝道區(qū)域的上方，并與柵線(xiàn)11連接。本發(fā)明上述技術(shù)方案是一種頂柵電極結(jié)構(gòu)，可以采用三次構(gòu)圖工藝制備完成，具有工藝步驟簡(jiǎn)化、工藝時(shí)間短、生產(chǎn)效率高和生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。圖3 圖19為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例制造過(guò)程的示意圖，可說(shuō)明 本實(shí)施例的技術(shù)方案，以下說(shuō)明中，本發(fā)明所稱(chēng)的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻 蝕、光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所反映 的是一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)，圖4為圖3中A2-A2向剖面圖。首先采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其 它成膜方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉積一層源漏金屬薄膜，然后采用等離 子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或其它成膜方法，沉積一層摻雜半導(dǎo)體薄膜，源漏金屬薄 膜可以是鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積 形成的多層薄膜。使用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜進(jìn)行構(gòu) 圖，在基板1上形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)12、源電極2、漏電極3和摻雜半導(dǎo)體層4的圖形，源電極2 與數(shù)據(jù)線(xiàn)12連接，漏電極3與源電極2相對(duì)設(shè)置，源電極2與漏電極3之間形成TFT溝道 區(qū)域，摻雜半導(dǎo)體層4形成在源電極2和漏電極3上，如圖3和圖4所示。圖5為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形后的 平面圖，所反映的是一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)，圖6為圖5中A3-A3向的剖面圖，圖7為圖5中 B-B向的剖面圖。在完成圖3所示圖形的基板上，通過(guò)沉積半導(dǎo)體薄膜、刻蝕、沉積透明導(dǎo)電 薄膜和離地剝離工藝，形成包括半導(dǎo)體層5和像素電極13的圖形，半導(dǎo)體層5的形狀與像 素電極13的形狀為互補(bǔ)的形狀，且像素電極13與半導(dǎo)體層5之間形成有間隙，如圖5 圖 7所示。本次構(gòu)圖工藝的具體過(guò)程如下所述。圖8為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中沉 積半導(dǎo)體薄膜后A3-A3向的剖面圖，圖9為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo) 體層和像素電極的圖形中沉積半導(dǎo)體薄膜后B-B向的剖面圖。在完成圖3所示圖形的基板 上，采用PECVD或其它成膜方法，沉積一層半導(dǎo)體薄膜25，如圖8和圖9所示。本次沉積后， 在數(shù)據(jù)線(xiàn)12、源電極2和漏電極3圖形區(qū)域，半導(dǎo)體薄膜25形成在摻雜半導(dǎo)體層4上，在其 它區(qū)域(包括TFT溝道區(qū)域)，半導(dǎo)體薄膜25形成在基板1上。圖10為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 涂敷光刻膠后A3-A3向的剖面圖，圖11為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體 層和像素電極的圖形中涂敷光刻膠后B-B向的剖面圖。在完成圖8和圖9所示圖形的基板 上，在半導(dǎo)體薄膜25上涂敷一層光刻膠30，如圖10和圖11所示。圖12為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 光刻膠曝光顯影后A3-A3向的剖面圖，圖13為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例形成半 導(dǎo)體層和像素電極的圖形中光刻膠曝光顯影后B-B向的剖面圖。采用普通掩模板對(duì)光刻膠 30進(jìn)行曝光，使光刻膠30形成完全曝光區(qū)域A和未曝光區(qū)域B，其中完全曝光區(qū)域A對(duì)應(yīng) 于像素電極的圖形所在區(qū)域，未曝光區(qū)域B對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層的圖形所在區(qū)域。顯影處理后， 未曝光區(qū)域B的光刻膠厚度沒(méi)有變化，形成光刻膠完全保留區(qū)域，完全曝光區(qū)域A的光刻膠 被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域，如圖12和圖13所示。本次工藝中，可以通過(guò)相應(yīng) 工藝使光刻膠30的端面形成向內(nèi)傾斜的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，即形成光刻膠30上表面突出、下表面內(nèi)縮的傾斜側(cè)壁。實(shí)際應(yīng)用中，可以采用多種常規(guī)的技術(shù)手段使光刻膠端面形成向內(nèi)傾斜的側(cè)壁結(jié)構(gòu)。例如，可以采用調(diào)整顯影工藝參數(shù)的方法實(shí)現(xiàn)。又如，可以采用將顯影后的基板 浸泡在苯酚溶液中的方法實(shí)現(xiàn)。再如，可以采用負(fù)性光刻膠曝光和顯影的方法實(shí)現(xiàn)。圖14為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 刻蝕工藝后A3-A3向的剖面圖，圖15為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層 和像素電極的圖形中刻蝕工藝后B-B向的剖面圖。通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉完全曝光區(qū)域 A的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層5的圖形，如圖14和圖15所示。本次工藝中，漏電極3部分 表面的摻雜半導(dǎo)體層4和半導(dǎo)體層5被刻蝕掉，暴露出漏電極3的部分表面。對(duì)半導(dǎo)體薄 膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，可通過(guò)控制刻蝕條件可以使半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層的端部形成豎直的側(cè) 壁結(jié)構(gòu)或內(nèi)凹的側(cè)壁結(jié)構(gòu)。圖16為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中 沉積透明導(dǎo)電薄膜后A3-A3向的剖面圖，圖17為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例形 成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形中沉積透明導(dǎo)電薄膜后B-B向的剖面圖。在完成圖14和圖 15所示圖形的基板上，保留半導(dǎo)體層5上方的光刻膠30，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜 方法，沉積一層透明導(dǎo)電薄膜21，如圖16和圖17所示。透明導(dǎo)電薄膜21可采用氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料。最后，采用離地剝離技術(shù)剝離半導(dǎo)體層5上的光刻膠，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜 也一同去除，在像素區(qū)域形成像素電極13圖形，如圖5 圖7所示。由于前述工藝中光刻 膠的端面具有向內(nèi)傾斜的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，因此在本次離地剝離工藝后，半導(dǎo)體層5的形狀與像 素電極13的形狀為互補(bǔ)狀，且像素電極13與半導(dǎo)體層5之間形成有間隙，該間隙可以保證 像素電極13不會(huì)與數(shù)據(jù)線(xiàn)12電連接。在完成圖5所示圖形的基板上，首先采用PECVD或其它成膜方法，沉積柵絕緣層 6，之后采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃ瑬沤^緣層6可以是 SiNx, SiOx或SiOxNy的單層薄膜，或上述材料多層沉積形成的多層薄膜，柵金屬薄膜可以 是鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的 多層薄膜。使用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括柵電極7、柵線(xiàn)11和接口 過(guò)孔的圖形，柵電極7位于TFT溝道區(qū)域的上方且與柵線(xiàn)11連接，部分柵線(xiàn)11與像素電極 13重疊，一起構(gòu)成存儲(chǔ)電容，如圖1和圖2所示。本實(shí)施例使用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線(xiàn)和接口過(guò)孔 圖形的過(guò)程具體為沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜后，首先在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域(即完 全曝光區(qū)域)、光刻膠完全保留區(qū)域(即未曝光區(qū)域)和光刻膠半保留區(qū)域(即半曝光區(qū) 域)，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵電極和柵線(xiàn)的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū) 域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域； 顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠 被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變??；通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻 膠完全去除區(qū)域的柵金屬薄膜、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔 的圖形；通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵金屬薄膜； 通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵電極和柵線(xiàn)的圖形，柵電極位于TFT溝道區(qū)域的上方且與柵線(xiàn)連接，部分柵線(xiàn)與像素電極重疊，一起構(gòu)成存 儲(chǔ)電容；剝離剩余的光刻膠，完成本次構(gòu)圖工藝。圖18為本發(fā)明柵線(xiàn)接口區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖18所示，柵線(xiàn)11形成在柵絕緣 層6上，柵絕緣層6下方保留有半導(dǎo)體層5，半導(dǎo)體層5形成在基板1上，由于本實(shí)施例是頂 柵型結(jié)構(gòu)，柵線(xiàn)11在最上層，因此柵線(xiàn)接口區(qū)域的柵線(xiàn)11可以直接引出。圖19為本發(fā)明 數(shù)據(jù)線(xiàn)接口區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖19所示，數(shù)據(jù)線(xiàn)12形成在基板1上，數(shù)據(jù)線(xiàn)12上方 分別形成有摻雜半導(dǎo)體層4、半導(dǎo)體層5和柵絕緣層6，數(shù)據(jù)線(xiàn)接口區(qū)域開(kāi)設(shè)有數(shù)據(jù)線(xiàn)接口 過(guò)孔27，數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔27內(nèi)的柵絕緣層6、半導(dǎo)體層5和摻雜半導(dǎo)體層4被刻蝕掉，暴露 出數(shù)據(jù)線(xiàn)12的表面，使數(shù)據(jù)線(xiàn)12可以從數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔27引出。本實(shí)施例提供了一種TFT-IXD陣列基板，首先通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù) 線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形，然后采用離地剝離技術(shù)的工藝形成包括半導(dǎo)體層和像素電極 的圖形，最后通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成包括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。本實(shí)施例通過(guò) 三次工藝即可實(shí)現(xiàn)TFT-LCD陣列基板的制備，簡(jiǎn)化了工藝步驟，縮短了工藝時(shí)間，提高了生 產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。與現(xiàn)有技術(shù)其它三次工藝相比，本實(shí)施例前二次工藝均采用普通 掩模板，因此在減少工藝步驟的同時(shí)，提高了生產(chǎn)質(zhì)量。本實(shí)施例像素電極與漏電極直接接 觸，形成了更穩(wěn)定的電連接，有效提高了良品率。圖20為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例的平面圖，所反映的是一個(gè)像素單元 的結(jié)構(gòu)，圖21為圖20中A4-A4向的剖面圖。如圖20和圖21所示，本實(shí)施例是前述第一實(shí) 施例的一種結(jié)構(gòu)變形，主體結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，不同之處在于，像素電極13的部分區(qū) 域，即位于像素顯示區(qū)域上方的柵絕緣層被刻蝕掉，增加了像素區(qū)域的透光率，提高了顯示品質(zhì)。本實(shí)施例TFT-IXD陣列基板也可以通過(guò)三次工藝制備，首先通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝 形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形，然后采用離地剝離技術(shù)的工藝形成半導(dǎo)體層和 像素電極的圖形，最后通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成包括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形，并刻 蝕掉部分像素電極13上方的柵絕緣層。其中，本實(shí)施例前二次工藝與前述第一實(shí)施例的前 二次工藝過(guò)程完全相同，本實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝過(guò)程具體說(shuō)明如下。圖22為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中沉積柵絕緣層和 柵金屬薄膜后A4-A4向的剖面圖。在完成前述二次工藝圖形的基板上，首先采用PECVD或 其它成膜方法，沉積柵絕緣層6，之后采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，沉積一層?xùn)沤?屬薄膜22，如圖22所示。柵絕緣層6可以是SiNx、SiOx或SiOxNy的單層薄膜，或上述材 料多層沉積形成的多層薄膜，柵金屬薄膜22可以是鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬形成 的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的多層薄膜。圖23為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中光刻膠曝光顯影 后A4-A4向的剖面圖。在完成圖22所示圖形的基板上，在柵金屬薄膜22上涂敷一層光刻 膠30，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成完全曝光區(qū)域A、未曝 光區(qū)域B和半曝光區(qū)域C，其中未曝光區(qū)域B對(duì)應(yīng)于柵線(xiàn)和柵電極的圖形所在區(qū)域，完全曝 光區(qū)域A對(duì)應(yīng)于像素顯示區(qū)域和數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū)域，半曝光區(qū)域C對(duì)應(yīng)于上 述圖形以外的區(qū)域。顯影處理后，未曝光區(qū)域B的光刻膠厚度沒(méi)有變化，形成光刻膠完全保 留區(qū)域，完全曝光區(qū)域A的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域，半曝光區(qū)域C的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠半保留區(qū)域，如圖23所示。本實(shí)施例中，像素顯示區(qū)域是指像 素電極中用于顯示的區(qū)域。圖24為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中第一次刻蝕工藝 后A4-A4向的剖面圖。通過(guò)第一次刻蝕工藝，在完全曝光區(qū)域A的像素顯示區(qū)域的所在區(qū) 域，完全刻蝕掉柵金屬薄膜22和柵絕緣層6，暴露出像素顯示區(qū)域的像素電極；在完全曝光 區(qū)域A的數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形的所在區(qū)域，完全刻蝕掉柵金屬薄膜22、柵絕緣層6、半導(dǎo) 體層5和摻雜半導(dǎo)體層4，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形，如圖24所示。其中數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò) 孔的圖形可參見(jiàn)前述實(shí)施例的圖19所示。本次刻蝕工藝中，先采用濕法刻蝕去除柵金屬薄 膜，然后采用干法刻蝕去除柵絕緣層以及數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔內(nèi)的半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層， 當(dāng)像素顯示區(qū)域的柵絕緣層被去除暴露出像素電極后，由于干法刻蝕對(duì)像素電極的刻蝕速 率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于對(duì)半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層的刻蝕速率，因此通過(guò)干法刻蝕即可形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接 口過(guò)孔的圖形，不會(huì)對(duì)像素電極造成損害。圖25為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中灰化工藝后A4-A4 向的剖面圖。通過(guò)灰化工藝，減少光刻膠30的厚度，完全去除半曝光區(qū)域C的光刻膠，暴露 出該區(qū)域的柵金屬薄膜22，如圖25所示。由于未曝光區(qū)域B光刻膠的厚度大于半曝光區(qū)域 C光刻膠的厚度，因此本次工藝后，未曝光區(qū)域B還覆蓋有部分厚度的光刻膠。圖26為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝中第二次刻蝕工藝 后A4-A4向的剖面圖。通過(guò)第二次刻蝕工藝對(duì)半曝光區(qū)域C的柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，完全 刻蝕掉該區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵線(xiàn)11和柵電極7的圖形，如圖26所示。最后，剝離剩余的光刻膠，完成本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖 工藝，如圖20和圖21所示。本發(fā)明第三次構(gòu)圖工藝后，柵電極7位于TFT溝道區(qū)域的上方， 部分柵線(xiàn)11與像素電極13重疊，一起構(gòu)成存儲(chǔ)電容，位于像素顯示區(qū)域上方的柵絕緣層被 刻蝕掉。本實(shí)施例提供了一種TFT-IXD陣列基板，通過(guò)三次工藝即可實(shí)現(xiàn)TFT-IXD陣列基 板的制備，不僅具有第一實(shí)施例的有益效果，而且通過(guò)刻蝕掉像素顯示區(qū)域的柵絕緣層，增 加了像素區(qū)域的透光率，提高了顯示品質(zhì)。圖27為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例的平面圖，所反映的是一個(gè)像素單元 的結(jié)構(gòu)，圖28為圖27中A5-A5向的剖面圖。如圖27和圖28所示，本實(shí)施例是前述第一實(shí) 施例或第二實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)變形，主體結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例或第二實(shí)施例相同，不同之處 在于，本實(shí)施例薄膜晶體管的下方設(shè)置有遮光圖形8，遮光圖形8形成在基板1上，源電極 2、漏電極3和TFT溝道區(qū)域形成在遮光圖形8上，遮光圖形8可以遮擋TFT溝道區(qū)域，使來(lái) 自背光源的光線(xiàn)不能照射到TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層，有效避免漏電流的產(chǎn)生，提高薄膜 晶體管的電特性。本實(shí)施例TFT-IXD陣列基板也可以通過(guò)三次工藝制備，首先通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝 形成包括遮光圖形、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形，然后采用離地剝離技術(shù)的工藝形成包 括半導(dǎo)體層和像素電極的圖形，最后通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成包括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò) 孔的圖形(也可以同時(shí)刻蝕掉像素顯示區(qū)域的柵絕緣層)。其中，本實(shí)施例后二次工藝與前 述二個(gè)實(shí)施例的后二次工藝過(guò)程完全相同，本實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝過(guò)程具體說(shuō)明如下。圖29為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中沉積各層薄膜后A5-A5向的剖面圖。首先在基板1 (如玻璃基板或石英基板)上依次沉積遮光層薄膜23、源 漏金屬薄膜24和摻雜半導(dǎo)體薄膜26，如圖29所示。源漏金屬薄膜24可以是鉬、鋁、鋁釹合 金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的多層薄膜，可以采 用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積，摻雜半導(dǎo)體薄膜26可以采用PECVD或其它成膜 方法沉積，遮光層薄膜23可以采用遮光效果好的樹(shù)脂材料，樹(shù)脂材料的遮光層薄膜23可以 采用PECVD或其它成膜方法沉積。實(shí)際應(yīng)用中，遮光層薄膜也可以采用遮光效果好的金屬 材料，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積，但需要在遮光層薄膜與源漏金屬薄 膜之間增加一個(gè)絕緣層。圖30為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中光刻膠曝光顯影 后A5-A5向的剖面圖。在完成圖29所示圖形基板上，在摻雜半導(dǎo)體薄膜26上涂敷一層光 刻膠30，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成完全曝光區(qū)域A、未 曝光區(qū)域B和半曝光區(qū)域C，其中未曝光區(qū)域B對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形所在 區(qū)域，半曝光區(qū)域C對(duì)應(yīng)于源電極與漏電極之間溝道的圖形所在區(qū)域，完全曝光區(qū)域A對(duì)應(yīng) 于上述圖形以外區(qū)域。顯影處理后，未曝光區(qū)域B的光刻膠厚度沒(méi)有變化，形成光刻膠完全 保留區(qū)域，完全曝光區(qū)域A的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域，半曝光區(qū)域C 的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠半保留區(qū)域，如圖30所示。圖31為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中第一次刻蝕工藝 后A5-A5向的剖面圖。通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉完全曝光區(qū)域A的摻雜半導(dǎo)體薄膜 26、源漏金屬薄膜24和遮光層薄膜23，如圖31所示。圖32為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中灰化工藝后A5-A5 向的剖面圖。通過(guò)灰化工藝，減少光刻膠30的厚度，完全去除半曝光區(qū)域C的光刻膠，暴露 出該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜26，如圖32所示。由于未曝光區(qū)域B光刻膠的厚度大于半曝光 區(qū)域C光刻膠的厚度，因此本次工藝后，未曝光區(qū)域B還覆蓋有部分厚度的光刻膠30。圖33為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝中第二次刻蝕工藝 后A5-A5向的剖面圖。通過(guò)第二次刻蝕工藝對(duì)半曝光區(qū)域C的摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬 薄膜進(jìn)行刻蝕，完全刻蝕掉該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，形成遮光圖形8、數(shù) 據(jù)線(xiàn)12、源電極2、漏電極3和摻雜半導(dǎo)體層4的圖形，使遮光圖形8遮擋住溝道區(qū)域，如圖 33所示。最后，剝離剩余的光刻膠，完成本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖 工藝，如圖27和圖28所示。本實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后，遮光圖形8形成在基板1上，源 電極2和漏電極3形成在遮光圖形8上，之間的溝道被遮光圖形8遮擋，摻雜半導(dǎo)體層4形 成在源電極2和漏電極3上。本實(shí)施例提供了一種TFT-IXD陣列基板，通過(guò)三次工藝即可實(shí)現(xiàn)TFT-IXD陣列基 板的制備，不僅具有前述第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)，而且通過(guò)在源電極和漏電極下 方設(shè)置遮光圖形，有效避免了漏電流的產(chǎn)生，提高了薄膜晶體管的電特性。圖34為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法的流程圖，包括步驟1、在基板上沉積源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括數(shù) 據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形；步驟2、在完成步驟1的基板上沉積半導(dǎo)體薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括半導(dǎo)體層和像素電極的圖形，像素電極與漏電極直接連接，且像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀 呈互補(bǔ)狀；步驟3、在完成步驟2的基板上沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包 括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板制造方法，首先通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成包 括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形，然后形成形狀互補(bǔ)的半導(dǎo)體層和像素電極，最后通過(guò)第 三次構(gòu)圖工藝形成包括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。本發(fā)明通過(guò)三次工藝即可實(shí)現(xiàn) TFT-LCD陣列基板的制備，簡(jiǎn)化了工藝步驟，縮短了工藝時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn) 成本。本發(fā)明像素電極直接與漏電極連接提高了電接觸，提高了良品率，具有廣泛的應(yīng)用前圖35為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第一實(shí)施例的流程圖，在圖34所示技 術(shù)方案中，所述步驟1包括步驟11、在基板上沉積一層源漏金屬薄膜；步驟12、在完成步驟11的基板上沉積一層摻雜半導(dǎo)體薄膜；步驟13、使用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜進(jìn)行構(gòu) 圖，形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層的圖形。本實(shí)施例是一種采用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極 和摻雜半導(dǎo)體層的圖形的技術(shù)方案，采用普通掩模板的構(gòu)圖工藝已廣為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟 知，這里不再贅述。圖36為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第二實(shí)施例的流程圖，在圖34所示技 術(shù)方案中，所述步驟1包括步驟21、在基板上沉積遮光層薄膜、源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；步驟22、在摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；步驟23、采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完 全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于 數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極與漏電極之間 溝道的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域；顯影處理后，光刻膠 完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠 半保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄；步驟24、通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄 膜、源漏金屬薄膜和遮光層薄膜；步驟25、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的摻 雜半導(dǎo)體薄膜；步驟26、通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和 源漏金屬薄膜，形成包括遮光圖形、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層的圖形，且源電 極與漏電極之間形成溝道圖形；步驟27、剝離剩余的光刻膠。本實(shí)施例是一種采用多步刻蝕工藝通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成遮光圖形、數(shù)據(jù) 線(xiàn)、源電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層圖形的技術(shù)方案，其過(guò)程已在前述圖27 圖33所示技術(shù)方案中詳細(xì)介紹，這里不再贅述。圖37為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第三實(shí)施例的流程圖，在圖34所示技 術(shù)方案中，所述步驟2包括步驟31、在完成步驟1的基板上，沉積一層半導(dǎo)體薄膜；步驟32、在半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；步驟33、采用普通掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域 和光刻膠完全去除區(qū)域，其中光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻 膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體層的圖形所在區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光 刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除；步驟34、通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo) 體層的圖形，同時(shí)去除漏電極部分表面的半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，使漏電極的部分表面 暴露出來(lái)；步驟35、在完成前述步驟的基板上，沉積一層透明導(dǎo)電薄膜；步驟36、采用離地剝離技術(shù)剝離半導(dǎo)體層上的光刻膠，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜 也一同去除，形成像素電極的圖形，部分像素電極覆蓋在所述漏電極暴露出的部分表面上， 使像素電極與漏電極直接連接，像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互補(bǔ)狀，且像素電極 與半導(dǎo)體層之間形成有間隙。本實(shí)施例是一種采用離地剝離工藝同時(shí)形成半導(dǎo)體層和像素電極的圖形的技術(shù) 方案，其過(guò)程已在前述圖5 圖17所示技術(shù)方案中詳細(xì)介紹，這里不再贅述。進(jìn)一步地，為 了使光刻膠的端面形成向內(nèi)傾斜的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，即形成光刻膠上表面突出、下表面內(nèi)縮的傾 斜側(cè)壁，因此步驟33與步驟34之間還可以包括將顯影后的基板浸泡在苯酚溶液中的步驟。圖38為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第四實(shí)施例的流程圖，在圖34所示技 術(shù)方案中，所述步驟3包括步驟41、在完成步驟2的基板上，沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜；步驟42、在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；步驟43、采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完 全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于 柵電極和柵線(xiàn)的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū) 域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻 膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠 厚度變薄；步驟44、通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬薄膜、柵 絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形；步驟45、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵 金屬薄膜；步驟46、通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成 柵電極和柵線(xiàn)的圖形；步驟47、剝離剩余的光刻膠。本實(shí)施例是一種采用多步刻蝕工藝通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔圖形的技術(shù)方案。圖39為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板制造方法第五實(shí)施例的流程圖，在圖34所示技 術(shù)方案中，所述步驟3包括步驟51、在完成步驟2的基板上，沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜；步驟52、在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；步驟53、采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完 全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于 柵線(xiàn)和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素顯示區(qū)域和數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò) 孔的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完 全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半 保留區(qū)域的光刻膠厚度變??；步驟54、通過(guò)第一次刻蝕工藝，完全刻蝕掉像素顯示區(qū)域所在區(qū)域的柵金屬薄膜 和柵絕緣層，暴露出像素顯示區(qū)域的像素電極，完全刻蝕掉數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū) 域的柵金屬薄膜、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形；步驟55、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵 金屬薄膜；步驟56、通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成 柵線(xiàn)和柵電極的圖形；步驟57、剝離剩余的光刻膠。本實(shí)施例是一種采用多步刻蝕工藝通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò) 孔圖形的同時(shí)去除像素顯示區(qū)域柵絕緣層的技術(shù)方案，其過(guò)程已在前述圖20 圖26所示 技術(shù)方案中詳細(xì)介紹，這里不再贅述。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照 較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的 技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述像素電極與薄膜晶體管的漏電極直接連接，且所述像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互補(bǔ)狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括源電極，形成在基板上，與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接；漏電極，形成在基板上，與像素電極直接連接，源電極與漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域；摻雜半導(dǎo)體層，形成在源電極和漏電極上；半導(dǎo)體層，形成在上述結(jié)構(gòu)圖形上，其形狀與像素電極的形狀呈互補(bǔ)狀；柵絕緣層，形成在上述結(jié)構(gòu)圖形上；柵電極，形成在柵絕緣層上，位于TFT溝道區(qū)域的上方，并與柵線(xiàn)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述漏電極部分表面上的摻 雜半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層被刻蝕掉，部分像素電極覆蓋在漏電極暴露的部分表面上，使像素 電極通過(guò)搭接方式與漏電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，位于像素顯示區(qū)域上的柵絕 緣層被刻蝕掉。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層與像素電極之 間形成有間隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述源 電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的下方還設(shè)置有遮光圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述遮光圖形與數(shù)據(jù)線(xiàn)、源 電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
8.—種TFT-IXD陣列基板制造方法，其特征在于，包括步驟1、在基板上沉積源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù) 線(xiàn)、源電極和漏電極的圖形；步驟2、在完成步驟1的基板上沉積半導(dǎo)體薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括半導(dǎo)體層和 像素電極的圖形，像素電極與漏電極直接連接，且像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互 補(bǔ)狀；步驟3、在完成步驟2的基板上沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵 線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-IXD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括在基板上沉積遮光層薄膜、源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；在摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、 光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電 極和漏電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極與漏電極之間溝道的圖形所 在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域 的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的 光刻膠厚度變??；通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄 膜和遮光層薄膜；通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄 膜，形成包括遮光圖形、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和摻雜半導(dǎo)體層的圖形，且源電極與漏電極 之間形成溝道圖形； 剝離剩余的光刻膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-IXD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括 在完成步驟1的基板上，沉積一層半導(dǎo)體薄膜；在半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；采用普通掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全 去除區(qū)域，其中光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū) 域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體層的圖形所在區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有 變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形， 同時(shí)去除漏電極部分表面的半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，使漏電極的部分表面暴露出來(lái)； 在完成前述步驟的基板上，沉積一層透明導(dǎo)電薄膜；采用離地剝離技術(shù)剝離半導(dǎo)體薄膜上的光刻膠，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜也一同去 除，形成像素電極的圖形，部分像素電極覆蓋在所述漏電極暴露出的部分表面上，使像素電 極與漏電極直接連接，像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互補(bǔ)狀，且像素電極與半導(dǎo)體 層之間形成有間隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT-IXD陣列基板制造方法，其特征在于，還包括將顯影后 的基板浸泡在苯酚溶液中以使光刻膠的端面形成向內(nèi)傾斜的側(cè)壁結(jié)構(gòu)的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-IXD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟3包括 在完成步驟2的基板上，沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜；在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、 光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵電極和柵線(xiàn) 的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū)域，光刻膠半 保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有 變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變??；通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬薄膜、柵絕緣層、半導(dǎo) 體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形；通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵金屬薄膜； 通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵電極和柵線(xiàn) 的圖形；剝離剩余的光刻膠。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-IXD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟3包括在完成步驟2的基板上，沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜； 在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、 光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線(xiàn)和柵電極 的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素顯示區(qū)域和數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在 區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的 光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光 刻膠厚度變??；通過(guò)第一次刻蝕工藝，完全刻蝕掉像素顯示區(qū)域所在區(qū)域的柵金屬薄膜和柵絕緣層， 暴露出像素顯示區(qū)域的像素電極，完全刻蝕掉數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形所在區(qū)域的柵金屬薄 膜、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)接口過(guò)孔的圖形；通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵金屬薄膜； 通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵線(xiàn)和柵電極 的圖形；剝離剩余的光刻膠。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。陣列基板包括柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，所述像素電極與薄膜晶體管的漏電極直接連接，且所述像素電極的形狀與半導(dǎo)體層的形狀呈互補(bǔ)狀。制造方法包括沉積源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，形成包括源電極和漏電極的圖形；沉積半導(dǎo)體薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括半導(dǎo)體層和像素電極的圖形；沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜，形成包括柵線(xiàn)、柵電極和接口過(guò)孔的圖形。本發(fā)明通過(guò)三次工藝即可實(shí)現(xiàn)TFT-LCD陣列基板的制備，簡(jiǎn)化了工藝步驟，縮短了工藝時(shí)間，降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101840117SQ20091008022
公開(kāi)日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者常有軍, 蘇順康 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司