專利名稱：Tft-lcd陣列基板及制造該陣列基板的雙調(diào)掩膜板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT-LCD，尤其是涉及能夠提高TFT-LCD顯示性能的TFT-LCD陣
列基板及制造該陣列基板的雙調(diào)掩膜板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay,簡(jiǎn)稱 TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱為FPD)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，TFT-LCD分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型。其中，垂 直電場(chǎng)型TFT-LCD需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極；然而 水平電場(chǎng)型TFT-LCD需要在陣列基板上同時(shí)形成像素電極和公共電極。因此，制作水 平電場(chǎng)型TFT-LCD的陣列基板時(shí)，需要額外增加一次形成公共電極的構(gòu)圖工藝。垂直 電場(chǎng)型TFT-LCD包括扭曲向列(TwistNematic，簡(jiǎn)稱為TN)型TFT-LCD ；水平電場(chǎng)型 TFT-LCD包括邊緣電場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，簡(jiǎn)稱為FFS)型TFT-LCD，共平 面切換(In-PlaneSwitching，簡(jiǎn)稱為IPS)型TFT-LCD。水平電場(chǎng)型TFT-LCD，尤其是 FFS型TFT-LCD具有廣視角、開口率高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器領(lǐng)域。目前，TFT-LCD陣列基板是通過(guò)多次構(gòu)圖工藝形成結(jié)構(gòu)圖形來(lái)完成，每一次構(gòu) 圖工藝中又分別包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝包括干法刻 蝕和濕法刻蝕，所以構(gòu)圖工藝的次數(shù)可以衡量制造TFT-LCD陣列基板的繁簡(jiǎn)程度，減少 構(gòu)圖工藝的次數(shù)就意味著制造成本的降低。現(xiàn)有技術(shù)的TFT-LCD陣列基板五次構(gòu)圖工藝 包括柵線和柵電極構(gòu)圖、有源層構(gòu)圖、源電極/漏電極構(gòu)圖、過(guò)孔構(gòu)圖和像素電極構(gòu) 圖?，F(xiàn)有技術(shù)中公開有大量的，通過(guò)減少構(gòu)圖工藝次數(shù)來(lái)降低制造成本，并通過(guò)工 藝的簡(jiǎn)化來(lái)提高生產(chǎn)效率的技術(shù)文獻(xiàn)。現(xiàn)有的4次構(gòu)圖工藝制造TFT-LCD陣列基板的方法，將上述的有源層構(gòu)圖和源 電極/漏電極構(gòu)圖通過(guò)雙調(diào)掩膜板，用一次構(gòu)圖工藝即可完成，形成有源層(ACTIVE)、 TFT溝道、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形。而有源層包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層。所謂雙調(diào)掩膜板，即為具有透光區(qū)域、不透光區(qū)域和半透光區(qū)域的掩膜板。根 據(jù)實(shí)現(xiàn)光半透過(guò)的方法不同，可分為半調(diào)掩膜板(halftonemask)或灰調(diào)掩膜板(graytone mask)。一種通過(guò)光柵來(lái)實(shí)現(xiàn)，一種是通過(guò)改變顏色來(lái)調(diào)整透過(guò)率。圖1是現(xiàn)有的用于構(gòu)圖TFT溝道、源電極和漏電極的圖形的雙調(diào)掩膜板的平面 示意圖。圖2是圖1的A區(qū)域的放大示意圖。圖3是通過(guò)圖2的雙調(diào)掩膜板通過(guò)構(gòu)圖工 藝得到的TFT溝道、源電極和漏電極的圖形。如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的雙調(diào)掩膜 板具有不透光區(qū)域1、半透光區(qū)域2和透光區(qū)域3。具體地，不透光區(qū)域1包括極漏電極 圖塊10、源電極圖塊11和數(shù)據(jù)線圖塊12;半透光區(qū)域2包括TFT溝道圖塊13。如圖3所示，現(xiàn)有的陣列基板包括柵線、數(shù)據(jù)線12，、像素電極(未圖示)、公 共電極(未圖示)及薄膜晶體管(TFT)。TFT為有源開關(guān)元件，包括柵電極(未圖示)、漏電極10，、源電極11，及TFT溝道，柵電極位于TFT溝道的下方。其中，柵電極與柵線一體成型，數(shù)據(jù)線12，和源電極11，一體成型，漏電極10，與像素電極連接；TFT 得到柵線提供的開啟信號(hào)后，TFT溝道13’導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線12’的數(shù)據(jù)信號(hào)可以經(jīng)源電極 11’、TFT溝道13，及漏電極10，輸入至像素電極內(nèi)。像素電極就可以與公共電極形 成液晶驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)，顯示圖像。 一并參閱圖2及圖3，掩膜板的源電極圖塊11與陣列基板的源電極11’相對(duì) 應(yīng)，漏電極圖塊10與陣列基板的漏電極10’相對(duì)應(yīng)，漏電極圖塊與所述陣列基板的所述 漏電極對(duì)相對(duì)應(yīng)，，TFT溝道圖塊13與陣列基板的TFT溝道13’相對(duì)應(yīng)。
上述的相對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過(guò)下面的構(gòu)圖工藝具體說(shuō)明。一次構(gòu)圖工藝形成有源層、TFT溝道、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形的具體 步驟如下步驟一、在形成有包括柵電極、柵線及柵絕緣層的圖形的陣列基板上，依次沉 積有源層薄膜和金屬薄膜；步驟二、在所述的金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟三、通過(guò)雙調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光及顯影處理，使得被掩膜板的數(shù)據(jù) 線圖塊、源電極圖塊及漏電極圖塊遮擋而未被曝光的區(qū)域的光刻膠具有第一厚度，被光 刻膠的TFT溝道圖塊遮擋而一定程度被曝光的區(qū)域的光刻膠在顯影過(guò)后具有第二厚度， 處于掩膜板光透過(guò)區(qū)域的光刻膠被完全曝光，在顯影后無(wú)光刻膠剩余，其中第一厚度大
于第二厚度；步驟四、用相應(yīng)的刻蝕劑分別刻蝕掉無(wú)光刻膠的區(qū)域的金屬薄膜和有源層薄 膜；步驟五、對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去掉第二厚度程度的光刻膠，暴露出被光刻 膠的TFT溝道圖塊遮擋的區(qū)域的金屬薄膜；步驟五、用相應(yīng)的刻蝕劑分別刻蝕掉暴露出的金屬薄膜及部分有源層薄膜，形 成有源層、TFT溝道、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形；步驟六、玻璃剩余光刻膠。如上述步驟三所示，被光刻膠的數(shù)據(jù)線圖塊遮擋的陣列基板的區(qū)域上形成數(shù)據(jù) 線的圖形；被光刻膠的源電極圖塊遮擋的陣列基板的區(qū)域上形成源電極的圖形；光刻膠 的漏電極圖塊遮擋的陣列基板的區(qū)域上形成漏電極的圖形；及光刻膠的TFT溝道圖塊遮 擋的陣列基板的區(qū)域上形成TFT溝道的圖形；這就形成了上述的相對(duì)應(yīng)的關(guān)系。但是，從圖2及圖3可以看出，掩膜板的圖塊的形狀與形成后的陣列基板的圖形 的形狀并非完全一致。這是由于刻蝕工藝中存在過(guò)度刻蝕的問(wèn)題而導(dǎo)致的。過(guò)度刻蝕的 產(chǎn)生有很多原因，例如，刻蝕條件，刻蝕劑的選擇，刻蝕時(shí)間，工藝誤差等。上述的構(gòu)圖工藝中，需要對(duì)整個(gè)陣列基板的進(jìn)行兩次刻蝕。兩次刻蝕導(dǎo)致過(guò)度 刻蝕，會(huì)引起了如圖2和圖3所示的，TFT溝道圖塊的形狀和形成的陣列基板上的TFT 溝道的形狀不一致，尤其是形成的TFT溝道的因過(guò)度刻蝕，其實(shí)際寬度小于比理論(陣 列基板的TFT溝道、源電極、漏電極等元件的參數(shù)的理論值，與掩膜板的相應(yīng)圖塊的參 數(shù)一致)。而TFT溝道的寬度是關(guān)系著液晶顯示器的性能的重要參數(shù)，寬度變小時(shí)，信 號(hào)傳輸收到限制，而對(duì)液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間等產(chǎn)生不良影響。發(fā)明 內(nèi)容本發(fā)明的目的是一種TFT-LCD陣列基板及制造該陣列基板的雙調(diào)掩膜板，使其 能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中因過(guò)度刻蝕而引起的TFT溝道寬度變小的問(wèn)題，進(jìn)而提高液晶顯示 器的顯示性能。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括源電極、漏電極 及TFT溝道，所述TFT溝道的兩側(cè)分別設(shè)置有凸起部。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種制造上述陣列基板的雙調(diào)掩膜板，所述 雙調(diào)掩膜板包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域及透光區(qū)域；所述不透光區(qū)域包括源電極圖塊和極漏電極圖塊，所述源電極圖塊與所述陣列 基板的所述源電極相對(duì)應(yīng)，所述漏電極圖塊與所述陣列基板的所述漏電極相對(duì)應(yīng)，所述 漏電極圖塊與所述陣列基板的所述漏電極相對(duì)應(yīng)；所述半透光區(qū)域包括TFT溝道圖塊，所述TFT溝道圖塊與所述陣列基板的所述 TFT溝道相對(duì)應(yīng)；所述不透光區(qū)域還包括第一側(cè)翼圖塊，所述第一側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述漏電極圖 塊靠近TFT溝道圖塊的一端的兩側(cè)；所述不透光區(qū)域還包括第二側(cè)翼圖塊，所述第二側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述源電極圖 塊靠近TFT溝道圖塊的一端的兩側(cè)；所述半透光區(qū)域還包括第三側(cè)翼圖塊，所述第三側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述TFT溝道 圖塊的兩側(cè)，所述第二側(cè)翼圖塊與所述陣列基板的凸起部相對(duì)應(yīng)。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板及制造該陣列基板的雙調(diào)掩膜 板，通過(guò)在TFT溝道的兩側(cè)形成凸起部，即時(shí)引起較大的過(guò)度刻蝕，也能夠保證TFT溝 道的參數(shù)，并且增加了 TFT溝道的實(shí)際寬度，降低了 TFT溝道信號(hào)傳輸?shù)难舆t，提高了 液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間，提高了液晶顯示器的性能。


圖1是現(xiàn)有的用于構(gòu)圖TFT溝道、源電極和漏電極的圖形的雙調(diào)掩膜板的平面 示意圖；圖2是圖1的A區(qū)域的放大示意圖；圖3是通過(guò)圖2的雙調(diào)掩膜板通過(guò)構(gòu)圖工藝得到的TFT溝道、源電極和漏電極的 圖形；圖4為本發(fā)明的雙調(diào)掩膜板第一實(shí)施例的平面示意圖；圖5為通過(guò)圖4的雙調(diào)掩膜板得到的TFT-LCD陣列基板的示意圖；圖6為本發(fā)明的雙調(diào)掩膜板第二實(shí)施例的平面示意圖；圖7為通過(guò)圖6的雙調(diào)掩膜板得到的TFT-LCD陣列基板的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖4為本發(fā)明的雙調(diào)掩膜板第一實(shí)施例的平面示意圖；圖5為通過(guò)圖4的雙調(diào)掩膜板得到的TFT-LCD陣列基板的示意圖。如圖4所示，本發(fā)明的雙調(diào)掩膜板包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和透光區(qū)域。 具體地，不透光區(qū)域包括極漏電極圖塊10、源電極圖塊11和數(shù)據(jù)線圖塊12;半透光區(qū)域 包括TFT溝道圖塊13。如圖5所示，現(xiàn)有的陣列基板包括柵線(未圖示)、數(shù)據(jù)線12’、像素電極(未 圖示)、公共電極(未圖示)及薄膜晶體管(TFT)。TFT為有源開關(guān)元件，包括柵電極 (未圖示)、漏電極10，、源電極11，及TFT溝道13，，柵電極位于TFT溝道13，的下 方。其中，柵電極與柵線一體成型，數(shù)據(jù)線12’和源電極11’ 一體成型，漏電極10’ 與像素電極連接；TFT得到柵線提供的開啟信號(hào)后，TFT溝道13，導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線12，的 數(shù)據(jù)信號(hào)可以經(jīng)源電極11，、TFT溝道13，及漏電極10，輸入至像素電極內(nèi)。像素電 極就可以與公共電極形成液晶驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)，顯示圖像。請(qǐng)一并參閱圖4及圖5，掩膜板的源電極圖塊11與陣列基板的源電極11’相對(duì) 應(yīng)，漏電極圖塊10與陣列基板的漏電極10’相對(duì)應(yīng)，TFT溝道圖塊13與陣列基板的TFT 溝道13，相對(duì)應(yīng)。上述結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同，故不再贅述。請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明雙調(diào)掩膜板與現(xiàn)有技術(shù)中不同之處在于本發(fā)明雙調(diào)掩膜板的不透光區(qū)域還包括第一側(cè)翼圖塊14，所述第一側(cè)翼圖塊14 分別設(shè)置于漏電極圖塊10靠近TFT溝道圖塊13的一端的兩側(cè)；不透光區(qū)域還包括第二 側(cè)翼圖塊15，所述第二側(cè)翼圖塊15設(shè)置于源電極圖塊11靠近TFT溝道圖塊13的一端的 兩側(cè)；半透光區(qū)域還包括第三側(cè)翼圖塊16，所述第三側(cè)翼圖塊16設(shè)置于所述TFT溝道圖 塊13的兩側(cè)。經(jīng)發(fā)明人多年實(shí)踐及研究得到了上述側(cè)翼的優(yōu)選參數(shù)。第一側(cè)翼圖塊I4的寬度H1和第二側(cè)翼圖塊15的寬度H2優(yōu)選為2 μ m以下。當(dāng) 超過(guò)2 μ m時(shí)，第一側(cè)翼圖塊14和第二側(cè)翼圖塊15會(huì)經(jīng)構(gòu)圖工藝后在陣列基板上形成圖 形，有可能導(dǎo)致源電極和漏電極電連接，破壞TFT結(jié)構(gòu)。通過(guò)本發(fā)明圖4的雙調(diào)掩膜板得到的TFT結(jié)構(gòu)，如圖5所示，在雙調(diào)掩膜板的第 三側(cè)翼圖塊16相對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成了凸起部131，。TFT溝道13’兩側(cè)的凸起部131，， 能夠在受到嚴(yán)重的過(guò)度刻蝕情形下，保證TFT溝道的實(shí)際寬度L1達(dá)到并大于理論值，不 僅解決了現(xiàn)有技術(shù)中TFT溝道狹窄引起的傳輸信號(hào)延遲的問(wèn)題之余，得到了更加降低信 號(hào)延遲的效果，提高了響應(yīng)時(shí)間，進(jìn)而提高了液晶顯示器的性能。圖6為本發(fā)明的雙調(diào)掩膜板第二實(shí)施例的平面示意圖；圖7為通過(guò)圖6的雙調(diào)掩 膜板得到的TFT-LCD陣列基板的示意圖。如圖6所示，本發(fā)明的雙調(diào)掩膜板包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和透光區(qū)域。 具體地，不透光區(qū)域包括極漏電極圖塊10、源電極圖塊11和數(shù)據(jù)線圖塊12;半透光區(qū)域 包括TFT溝道圖塊13。 如圖7所示，現(xiàn)有的陣列基板包括柵線(未圖示)、數(shù)據(jù)線12’、像素電極(未 圖示)、公共電極(未圖示)及薄膜晶體管(TFT)。TFT為有源開關(guān)元件，包括柵電極 (未圖示)、漏電極10，、源電極11，及TFT溝道13，，柵電極位于TFT溝道13，的下 方。其中，柵電極與柵線一體成型，數(shù)據(jù)線12’和源電極11’ 一體成型，漏電極10’與像素電極連接；TFT得到柵線提供的開啟信號(hào)后，TFT溝道13，導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線12，的 數(shù)據(jù)信號(hào)可以經(jīng)源電極11，、TFT溝道13，及漏電極10，輸入至像素電極內(nèi)。像素電 極就可以與公共電極形成液晶驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)，顯示圖像。 請(qǐng)一并參閱圖6及圖7，掩膜板的源電極圖塊11與陣列基板的源電極11’相對(duì) 應(yīng)，漏電極圖塊10與陣列基板的漏電極10’相對(duì)應(yīng)，TFT溝道圖塊13與陣列基板的TFT 溝道13，相對(duì)應(yīng)。上述結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同，故不再贅述。請(qǐng)參閱圖6，本發(fā)明雙調(diào)掩膜板與現(xiàn)有技術(shù)中不同之處在于本發(fā)明雙調(diào)掩膜板的不透光區(qū)域還包括第一側(cè)翼圖塊14，所述第一側(cè)翼圖塊14 分別設(shè)置于漏電極圖塊10靠近TFT溝道圖塊13的一端的兩側(cè)；不透光區(qū)域還包括第二 側(cè)翼圖塊15，所述第二側(cè)翼圖塊15設(shè)置于源電極圖塊11靠近TFT溝道圖塊13的一端的 兩側(cè)；半透光區(qū)域還包括第三側(cè)翼圖塊16，所述第三側(cè)翼圖塊16設(shè)置于所述TFT溝道圖 塊13的兩側(cè)；第一側(cè)翼圖塊14或第二側(cè)翼圖塊15延伸形成第四側(cè)翼圖塊17，第四側(cè)翼 圖塊17設(shè)置于第三側(cè)翼圖塊16的側(cè)面。本實(shí)施例中，繪示了將第二側(cè)翼圖塊15進(jìn)行延 伸形成第四側(cè)翼圖塊17的情形。經(jīng)發(fā)明人多年實(shí)踐及研究得到了上述側(cè)翼的優(yōu)選參數(shù)。第一側(cè)翼圖塊I4的寬度氏、第二側(cè)翼圖塊15的寬度H2及第四側(cè)翼圖塊17的寬 度氏優(yōu)選為2μιη以下。當(dāng)超過(guò)2μιη時(shí)，第一側(cè)翼圖塊14和第二側(cè)翼圖塊15會(huì)經(jīng)構(gòu) 圖工藝后在陣列基板上形成圖形，有可能導(dǎo)致源電極和漏電極電連接，破壞TFT結(jié)構(gòu)。通過(guò)本發(fā)明圖6的雙調(diào)掩膜板得到的TFT結(jié)構(gòu)，如圖7所示，在雙調(diào)掩膜板的第 三側(cè)翼圖塊16相對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成了凸起部132’。TFT溝道13’兩側(cè)的凸起部132’， 使得TFT溝道的實(shí)際寬度L2進(jìn)一步增加，得到了比上述第一實(shí)施例更加降低信號(hào)延遲的 效果，進(jìn)一步提高了液晶顯示器的性能。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限 制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理 解其依然可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換 亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括源電極、漏電極及TFT溝道，其特征在于，所述 TFT溝道的兩側(cè)分別設(shè)置有凸起部。
2.—種制造如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的雙調(diào)掩膜板，其特征在于，所 述雙調(diào)掩膜板包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域及透光區(qū)域；所述不透光區(qū)域包括源電極圖塊和漏電極圖塊，所述源電極圖塊與所述陣列基板的 所述源電極相對(duì)應(yīng)，所述漏電極圖塊與所述陣列基板的所述漏電極相對(duì)應(yīng)；所述半透光區(qū)域包括TFT溝道圖塊，所述TFT溝道圖塊與所述陣列基板的所述TFT 溝道相對(duì)應(yīng)；所述不透光區(qū)域還包括第一側(cè)翼圖塊，所述第一側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述漏電極圖塊靠 近TFT溝道圖塊的一端的兩側(cè)；所述不透光區(qū)域還包括第二側(cè)翼圖塊，所述第二側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述源電極圖塊靠 近TFT溝道圖塊的一端的兩側(cè)；所述半透光區(qū)域還包括第三側(cè)翼圖塊，所述第三側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述TFT溝道圖塊 的兩側(cè)，所述第二側(cè)翼圖塊與所述陣列基板的凸起部相對(duì)應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙調(diào)掩膜板，其特征在于，其中所述第一側(cè)翼圖塊或第二側(cè) 翼圖塊延伸形成第四側(cè)翼圖塊，所述第四側(cè)翼圖塊設(shè)置于所述第三側(cè)翼圖塊的側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙調(diào)掩膜板，其特征在于，所述第一側(cè)翼圖塊、第二側(cè)翼圖 塊及第四側(cè)翼圖塊的寬度為2 μ m以下。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT-LCD陣列基板及制造該陣列基板的雙調(diào)掩膜板。該陣列基板包括源電極、漏電極及TFT溝道，所述TFT溝道的兩側(cè)分別設(shè)置有凸起部。本發(fā)明通過(guò)在TFT溝道的兩側(cè)形成凸起部，即時(shí)引起較大的過(guò)度刻蝕，也能夠保證TFT溝道的參數(shù)，并且增加了TFT溝道的實(shí)際寬度，降低了TFT溝道信號(hào)傳輸?shù)难舆t，提高了液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間，提高了液晶顯示器的性能。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102023425SQ200910092898
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月10日
發(fā)明者金熙哲 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司