專利名稱：：壓印方法和模具的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及壓印方法以及該壓印方法中使用的模具，其中具有精細凹凸面(indentedsurface)的模具使用電^t波照射且該精細凹凸形狀轉印到待轉印對象。
背景技術：
：近來，具有利用納米級加工技術加工形成的精細結構的裝置的研究和發(fā)展非?；钴S。納米壓印技術是這樣的技術，其中具有納米尺寸的模具壓到為待轉印對象的基板，且模具的圖案轉印到該基板。該模具具有高生產率，且成本減小變得可能。在納米壓印技術中，熱納米壓印方法和光學納米壓印方法是主流方法。然而，激光輔助直接壓印方法即LADI方法已經凈皮提出作為適于實施高分辨率和高速加工的方法。根據LADI方法，其中預定圖案形成在熔融石英上的模具接觸并壓到硅基板，且通過維持該狀態(tài)，XeCl準分子激光脈沖進行照射。此時，熔化和液化發(fā)生在硅基板的表面，其結果為該預定圖案轉印到硅基板。此外，已經建議，可以在硅基板表面上形成半導體材料、金屬、合金、聚合物或陶資。對于這些技術，參考StephanY.Chou等，Appl.Phys.Lett.,Vol.67,Issue21,pp.3114-3116(1995)以及日本公開專利申請No.2005-521243。然而，已經提出的LADI方法存在下述問題。也就是說，首先，當由透射預定波長的照射用激光的材料制成的基板被使用時，幾乎所有激光被基板透射。結果，不產生熔化和液化基板表面所需的熱量數(shù)量，因此無法實現(xiàn)模具圖案的轉印。也就是說，LADI方法不能用于由透射照射用激光的材料制成的基板。注意，根據上述日本公開專利申請No.2005-521243,提出在基板表面上形成半導體材料、金屬、合金、聚合物或陶瓷。然而，該現(xiàn)有技術文獻未說明形成這種材料的目的，以及解決上述問題的具體方法。此外，形成于基板表面上的這種材料應基本上除去，由此涉及額外工藝，且制作成本會相應5增大。因此，在基板表面上形成材料的方法是不利的。第二，當由不透射預定波長的照射用激光的材料制成的模具被使用時，激光被模具吸收，因此基板表面不熔化和液化。也就是說，在LADI方法中只能使用由透射照射用激光的材料制成的模具。除此之外，由于準分子激光為氣體激光，在長時間使用時穩(wěn)定性會成問題，且需要維護。此外，照射激光的方向限于自由透射預定波長激光的材料制成的模具的一面。因此，設計自由度會降低。
發(fā)明內容鑒于前述問題而進行本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是提供一種實用性更高的壓印方法，LADI方法中的問題可以通過該方法得以解決。本發(fā)明的另一目的是提供一種模具，通過該模具可以實現(xiàn)實用性更高的壓印方法。根據本發(fā)明，一種壓印方法，在模具的凹凸面接觸待轉印對象的待轉印面的狀態(tài)下，使用電磁波照射以軟化該待轉印面，并將該凹凸面的凹凸形狀轉印到該待轉印面，該壓印方法包括加熱層形成步驟，在該凹凸面上形成加熱層，該加熱層吸收該電-茲波并產生熱；以及軟化步驟，通過該才莫具或該待轉印對象使用該電磁波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱，并軟化該待轉印面，其中該模具和該待轉印對象至少其一由透射該電磁波的材料制成。根據本發(fā)明另一方面，一種壓印方法，在模具的凹凸面接觸待轉印對象的待轉印面的狀態(tài)下，使用電磁波照射以軟化該待轉印面，并將該凹凸面的凹凸形狀轉印到該待轉印面，該壓印方法包括加熱層形成步驟，在該待轉印面上形成加熱層，該加熱層吸收該電磁波并產生熱；以及軟化步驟，通過該模具或該待轉印對象使用該電^茲波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱'并軟化該待轉印面，其中該模具和該待轉印對象至少其一由透射該電磁波的材料制成。根據本發(fā)明另一方面，一種模具包括在使用電磁波的壓印方法中使用的凹凸面；以及形成于該凹凸面上的加熱層，其中該加熱層吸收該電》茲波并產生熱。通過結合附圖閱讀下述詳細描述，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點將更加顯而易見。圖1、2、3、4A、4B、5和6描述了說明用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法的示意圖7示意性說明電^f茲波(14)吸收量、加熱層12的熱導率和膜厚、以及由加熱層12產生的熱量之間的關系；圖8、9、10、11、12和13描述了說明用于實施本發(fā)明的第一模式的雙面壓印方法的示意圖14為說明本發(fā)明實施例1中使用的模具41的總體形狀的平面圖15為說明本發(fā)明實施例1中使用的模具41的總體形狀的斷面圖16i兌明結合的樣品46;圖17描述才莫具41的凹凸面41a和待轉印對象43的待轉印面43a上的干涉色；圖18描述當循跡伺服關閉時的全光量信號47、觸發(fā)信號48和推挽信號49;圖19描述當循跡伺服開啟時的全光量信號47、觸發(fā)信號48和推挽信號49;圖20是為模具51的全息板的顯微照片；圖21為描述為模具51的全息板上的凹凸狀態(tài)的AFM圖像；圖22說明結合的樣品56;圖23為待轉印對象53的待轉印面53a的顯孩i吸片；圖24為描述待轉印對象53的待轉印面53a的AFM圖像；圖25、26、27、28A、28B、29、30和31描述了說明用于實施本發(fā)明的第三;^莫式的壓印方法的示意圖32示意性說明電^f茲波(114)吸收量、加熱層112的熱導率和膜厚、以及由加熱層112產生的熱量之間的關系；圖33、34、35、36、37、38和39描述了說明用于實施本發(fā)明的第四模式的雙面壓印方法的示意圖40為說明在本發(fā)明的實施例12中使用的模具143的總體形狀的平面圖41為說明在本發(fā)明的實施例12中使用的模具143的總體形狀的斷面圖；圖42說明結合的樣品146;圖43描述當循跡伺服關閉時的全光量信號147、觸發(fā)信號148和推挽信號149;圖44描述當循跡伺服開啟時的全光量信號147、觸發(fā)信號148和推挽信號149;圖45是為模具153的全息板的顯微照片；圖46為描述為模具153的全息板上的凹凸狀態(tài)的AFM圖像；圖47說明結合的樣品156;圖48為待轉印對象151的待轉印面151a的顯微照片；圖49為描述待轉印對象151的待轉印面151a的AFM圖像；圖50為在作為模具的石英基板的表面上形成的紋理結構的顯微照片；以及圖51說明已經轉印了該紋理結構的待轉印對象141的光透射語。參考符號說明11、21、41、51、113、123、143、153模具lla、21a、21b、41a、51a、113a、123a、123b、143a、153a才莫具的凹凸面12、22、32、42、52、112、122、132、142、152加熱層13、23、33、43、53、63、111、121、131、141、151、161待轉印13a、23a、33a、43a、53a、63a、llla、121a、131a、141a、151a、161a待轉印對象的待轉印面14、24、114、124電石茲波對象45、14541b、43b干涉色槽46、56、146156結合的樣品49、14947、14748、148全光量信號觸發(fā)信號推挽信號具體實施方下面參考附圖描述用于實施本發(fā)明的模式。<用于實施本發(fā)明的第一模式>參考圖1至6描述用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法。圖l至6示意性示出用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法。在圖1至6,ll代表模具，12代表加熱層(heatinglayer),13代表待轉印對象，以及14代表電磁波。另外，lla代表模具11的凹凸面，以及13a代表待轉印對象13的待轉印面。首先，在圖1所述工藝即模具形成工藝中，形成具有凹凸面lla的模具11。凹凸面lla為例如包含納米級凹凸圖案的表面。作為模具11的材料，樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、八1203等為代表的氧化物，以SiN、AN等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；以Ni、Ta為代表的金屬材料等。模具11的凹凸面Ua可以通過FIB(即聚焦離子束)工藝等形成。FIB工藝是這樣的，如所公知，使用足夠窄的Ga(即鎵)離子束，且可以以亞微米水平的精度形成復雜形狀。接著，在圖2所述工藝即加熱層形成工藝中，加熱層12形成于模具11的凹凸面lla上。加熱層12由加熱材津+形成，在下文圖4所述工藝中，該加熱層12吸收通過模具11或待轉印對象13照射的電磁波14,并產生熱量以能夠軟化待轉印對象13的待轉印面13a,其中模具11或待轉印對象n由透射電磁波14的材料制成。通過加熱層12材料的電磁波14吸收量和熱導率以及加熱層12的膜厚，調整加熱層12產生的熱量。圖7示意性說明電-茲波14吸收量、加熱層12的熱導率和膜厚、以及加熱層12產生的熱量之間的關系。在圖7，由三角形界定的斜線部分的面積對應于熱量。通過針對凹凸面lla的凹凸圖案轉印到其的待轉印對象13來優(yōu)化電4i波14吸收量、加熱層12的熱導率和膜厚之間的平tr,可以良好地轉印凹凸面lla的凹凸形狀。例如，選擇具有預定的電^t波14吸收量和預定熱導率的材料，并且考慮該預定的電》茲波14吸收量和預定的熱導率來確定加熱層12的最佳膜厚，使得加熱層12產生所需熱量。吸收量和熱導率優(yōu)選地落在相應范圍內，例如約50至100%和20至400W/m/k。作為加熱層12的材料，下述材料是優(yōu)選的，其具有良好的與待轉印對象13的剝離性，以及在多次實施電磁波14照射時產生相同程度的熱。具體而言，優(yōu)選使用下述任意一種為半導體的Si和Ge,為半金屬的Sn、Sb和Bi,為貴金屬的Cu、Au、Pt和Pd等，為過渡金屬的Zn、Ni、Co和Cr以及其合金，以SiC、TiC等為代表的碳化物，例如以SiOx、GeOx等為代表的氧缺乏氧化物的陶瓷等等。此外，加熱層12的材料優(yōu)選包括相變材料。由于相變材料具有大的電磁波14吸收量和發(fā)熱量，因此可以減小加熱層12的最優(yōu)膜厚以產生所需熱量，且因此可以提高生產率。作為該相變材料，可以從用作可再寫類型光學記錄介質的記錄層材料的材料中恰當?shù)剡x擇。例如，優(yōu)選使用包括選自Sb、Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Ag、Bi、Se和Te的一種或多種元素的材料。作為該相變材料，可以考慮熱特性和光學特性而使用期望的材料。GeSbTe合金、AglnSbTe合金、AglnSbTeGe合金、GaSbSnSe合金、GeSbSnMn合金、GelnSbTe合金、GeSbSnTe合金等是優(yōu)選的。此外，加熱層12不僅可具有單層的配置，還可具有堆疊在一起的多個層的配置。通過使用多個層的配置(稱為多層配置)，不僅可以調整加熱量，還可以調整溫度維持、冷卻速度等。因此，可以良好地實施該壓印方法。此外，通過選擇可以多次使用的材料作為加熱層12的材料，模具ll可以多次使用。此外，通過在模具11上提供加熱層12，可以避免加熱材料粘著到待轉印對象13的待轉印面13a。^接著，在圖3的工藝中，形成在才莫具11的凹凸面lla上的加熱層l2的凸部接觸待轉印對象13的待轉印面13a。作為待轉印對象13的材料，例如可以使用以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、八1203等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；或者用作所謂基板的材料例如Si。上述的接觸是按照下述方式進行，模具11和待轉印對象13通過外部壓力被牢固地彼此按壓。具體而言，可以使用專用壓制機器通過機械力來按壓。然而，優(yōu)選使用真空吸著方法，其中真空形成于加熱層12和待轉印對象13的待轉印面13a之間，因此外部氣壓用于將加熱層12和待轉印對象13的待轉印面13a按壓在一起。真空吸著方法可以利用通用設備來實施，且吸著狀態(tài)容易維持。此外，即使當模具11或待轉印對象l3不具有高的機械強度時，仍可以獲得使模具11和待轉印對象13不斷開的最小按壓力。通過利用真空吸著，可以良好地實施壓印方法。真空吸著可以利用現(xiàn)有真空結合機器來實施，該機器用于在真空狀態(tài)下結合用于形成DVD-ROM(其為公知光學記錄介質)的兩個基板，其中在該真空狀態(tài)下，不存在會導致空隙的氣體。接著，在圖4的工藝即軟化工藝中，加熱層12通過模具11或待轉印對象13使用電磁波14照射，該模具11或待轉印對象13由透射電磁波14的材料制成。因此加熱層12產生熱，且待轉印對象13的待轉印面13a因此軟化。模具11和待轉印對象13通過加熱層12利用如上所述的真空吸著而相互牢固地按壓。因此，加熱層12通過使用電磁波14照射而產生熱，待轉印對象13的待轉印面13a由此軟化時，待轉印對象13的待轉印面13a根據模具11的凹凸面lla的形狀而改變形狀。注意，模具11的材料的熔點或軟化點應等于或高于待轉印對象13的材料的熔點或軟化點。模具11和待轉印對象13至少其一應由透射電磁波14的材料制成。當模具11由透射電磁波14的材料制成時，如圖4A所示，加熱層12通過模具11使用電磁波14照射。當待轉印對象13由透射電磁波14的材料制成時，如圖4B所示，加熱層12通過待轉印對象13使用電-茲波14照射。此外，當模具11和待轉印對象13均由透射電磁波14的材料制成時，則或者如圖4A所示，加熱層12通過模具11使用電磁波14照射，或者如圖4B所示，加熱層12通過待轉印對象13使用電磁波14照射。電磁波14的波長優(yōu)選地等于或短于2000nm。當波長大于2000nm時，充分吸收電磁波的加熱材料少。作為電磁波14,激光最為優(yōu)選。這是因為，當使用激光時，可以增大加熱層12上的單位面積光強度即能量密度。此外，作為發(fā)射激光的激光器，半導體激光器特別優(yōu)選。實際上，半導體激光器尺寸小，容易維護，不昂貴且壽命長。在圖4所示軟化工藝中，優(yōu)選實施聚焦工藝，其中由光源發(fā)射的電磁波14被聚焦在加熱層12上。通過實施聚焦工藝，可以高效地實施電磁波14照射。此外，在下述情形中優(yōu)選地在聚焦工藝中實施聚焦伺服控制壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電磁波14的)光源的光學頭(未示出)、或者模具11和待轉印對象13、或者這二者二維地移動。通過實施聚ii焦伺服控制，可以抵消機械誤差并確實地將電磁波14聚焦在加熱層12上。因此可以良好地實施該壓印方法?，F(xiàn)在將描述上述情形，其中壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電磁波14的)光源的光學頭(未示出)、或者模具11和待轉印對象13、或者這二者二維地移動。這種情形為，例如在下文實施例l等中，照射電磁波14,同時，通過真空吸著而被相互按壓的模具11和待轉印對象13置于旋轉臺上并旋轉。聚焦伺服可以通過公知方法來實施；當信息記錄到光學記錄介質或者從光學記錄介質再現(xiàn)信息時，激光跟蹤并聚焦在旋轉的光學記錄介質上，此時通常使用上述伺服控制。接著，在圖5所示工藝即剝離工藝中，模具11與待轉印對象13分離，且因此如圖6所示，；漠具11的凹凸面lla的凹凸形狀轉印到待轉印對象13的待轉印面13a。在現(xiàn)有技術的壓印方法中，由不透射電磁波的材料制成的待轉印對象的待轉印面通過透射電磁波的模具而使用電磁波照射。因此，待轉印對象的待轉印面軟化，且模具的凹凸面的凹凸形狀轉印到待轉印對象的待轉印面。也就是說，在現(xiàn)有技術中，模具的材料限于透射電磁波的材料，待轉印對象的材料限于不透射電磁波的材料(即，吸收電磁波并產生熱的材料)。在根據用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法中，吸收電磁波14并產生熱的加熱層12形成于模具11的凹凸面lla上，加熱層12使用電磁波14照射，加熱層12因此產生熱，待轉印對象13的待轉印面13a由此軟化。因此，模具11和待轉印對象13至少其一應由透射電^f茲波14的材料制成。也就是說，在根據用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法中，不僅可以使用現(xiàn)有技術的壓印方法中使用的由透射電磁波的材料制成的模具和由不透射電磁波的材料制成的待轉印對象的組合，而且可以使用由不透射電磁波的材料制成的模具和由透射電磁波的材料制成的待轉印對象的另一組合。此外，可以使用由透射電磁波的材料制成的模具和由透射電磁波的材料制成的待轉印對象的再一組合。因此可以提供一種實用性高的壓印方法。此外，在根據用于實施本發(fā)明的第一模式的模具11中，吸收電磁波14并產生熱的加熱層12形成于模具11的凹凸面lla上，加熱層12使用電^茲波14照射，加熱層12因此產生熱，待轉印對象13的待轉印面13a由此軟化。因此，可以將凹凸面lla的凹凸形狀也轉印到由透射電^f茲波14的材料制成的待轉印對象13的待轉印面13a。<用于實施本發(fā)明的第二模式>參考圖8至13描述用于實施本發(fā)明的第二模式的壓印方法。用于實施本發(fā)明的第二模式中的壓印方法與用于實施本發(fā)明的第一模式中的壓印方法不同在于，在用于實施本發(fā)明的第二模式中，使用具有兩個凹凸面的模具，且兩個凹凸面的凹凸形狀轉印到兩個待轉印對象的待轉印面。圖8至13示意性示出用于實施本發(fā)明的第二模式的壓印方法。在圖8至13中，21代表模具，22和32代表加熱層，23和33代表待轉印對象，以及24代表電;茲波。另夕卜，21a和21b代表才莫具21的凹凸面，以及23a和33a代表待轉印對象23和33的待轉印面。首先，在圖8所述工藝即模具形成工藝中，形成具有凹凸面21a和21b的模具21。凹凸面21a和21b為例如包含納米級凹凸圖案的表面。作為模具以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、Al2Cb等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；以Ni、Ta為代表的金屬材料等。具有膜形式的材料特別優(yōu)選。模具21的凹凸面21a和21b可以通過FIB(即聚焦離子束)工藝等形成。FIB工藝是這樣的，如所公知，使用足夠窄的Ga(即鎵)離子束，且可以以亞微米水平的精度形成復雜形狀。接著，在圖9所述工藝即加熱層形成工藝中，加熱層22和32形成于模具21的凹凸面21a和21b上。加熱層22和32由加熱材料形成，在下文圖11所述工藝中，該加熱層22和32吸收通過由透射電^茲波24的材料制成的待轉印對象23和33照射的電磁波24，并產生熱量以能夠軟化待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a。加熱層22和32產生熱量的調整、加熱層22和32的材料等與根據用于實施本發(fā)明的第一模式中使用的加熱層12相同，重復的說明予以省略。接著，在圖10的工藝中，形成在模具21的凹凸面21a和21b上的加熱層22和32的凸部接觸待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a。作為待轉印對象23和33的材料，例如可以使用以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、A1203等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；或者用作所謂基板的材料例如Si。上述的接觸是按照下述方式進行，模具21和每一個待轉印對象23和33通過外部壓力被牢固地彼此按壓。具體而言，可以使用專用壓制機器通過機械力來按壓。然而，優(yōu)選使用真空吸著方法，其中真空形成于每一個加熱層22和32和待轉印對象23和33的相應一個待轉印面23a和33a之間，因此外部氣壓用于將加熱層22和32和待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a按壓在一起。由于該真空吸著方法與根據用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法中使用的真空吸著方法相同，重復的說明予以省略。接著，在圖ll的工藝即軟化工藝中，每一個加熱層22和32通過每一個待轉印對象23和33使用電磁波24照射，該待轉印對象23和33由透射電磁波24的材料制成。因此加熱層22和32產生熱，且待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a因此軟化。模具21和每一個待轉印對象23和33通過每一個加熱層22和32利用真空吸著而相互牢固地按壓。因此，加熱層22和32通過使用電磁波24照射而產生熱，待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a由此軟化時，待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a根據才莫具21的凹凸面21a和21b的形狀而改變形狀。注意，模具21的材料的熔點或軟化點應等于或高于每一個待轉印對象23和33的材料的熔點或軟化點。待轉印對象23和33均由透射電^茲波24的材料制成。加熱層22和32可以通過待轉印對象23和33使用電磁波24逐個順序地照射。然而，通過使用電磁波24同時從待轉印對象23和33的兩面照射加熱層22和32,生產率可以提高。作為電磁波24的波長等，與根據用于實施本發(fā)明的第一模式的壓印方法情形相同，重復的說明予以省略。在圖11所示軟化工藝中，優(yōu)選實施聚焦工藝，其中由光源發(fā)射的電磁波24被聚焦在加熱層22和32上。通過實施聚焦工藝，可以高效地實施電磁波24照射。此外，在下述情形中優(yōu)選地在聚焦工藝中實施聚焦伺服控制壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電^茲波24的)光源的光學頭(未示出)、或者模具21和待轉印對象23和33、或者這二者二維地移動。通過實施聚焦伺服控制，可以抵消機械誤差并確實地將電磁波24聚焦在加熱層22和32上。因此可以良好地實施該壓印方法?，F(xiàn)在將描述上述情形，其中壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電磁波24的)光源的光學頭(未示出)、或者模具21和待轉印對象23和33、或者這二者二維地移動。這種情形為，例如在下文實施例l等中，照射電^茲波24，同時，通過真空吸著而被相互按壓的模具21和待轉印對象23和33置于旋轉臺上并旋轉。聚焦伺服可以通過公知方法來實施；當信息記錄到光學記錄介質或者從光學記錄介質再現(xiàn)信息時，激光跟蹤并聚焦在旋轉的光學記錄介質上，此時通常使用上述伺服控制。注意，對于使用電》茲波24從待轉印對象23和33的兩面同時照射，同時，通過真空吸著而被相互按壓的模具21和每一個待轉印對象23和33置于旋轉臺上并旋轉的情形，與現(xiàn)有技術的信息記錄再生設備不同的機構是必需的，使得例如兩個光學頭設置在待轉印對象23和33的兩面上。然而，可以在現(xiàn)有^t術的范圍內實現(xiàn)這種機構。接著，在圖12所示工藝即剝離工藝中，模具21從每一個待轉印對象23和33剝離，且因此如圖13所示，模具21的凹凸面21a和21b的凹凸形狀分別轉印到待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a。在現(xiàn)有技術的壓印方法中，由不透射電磁波的材料制成的待轉印對象的待轉印面通過透射電磁波的模具而使用電磁波照射。因此，待轉印對象的待轉印面軟化，且模具的凹凸面的凹凸形狀轉印到待轉印對象的待轉印面。也就是說，在現(xiàn)有技術中，模具的材料限于透射電磁波的材料，待轉印對象的材料限于不透射電》茲波的材料(即，吸收電^茲波并產生熱的材料)。因此，在現(xiàn)有技術中，無法從在兩面與模具接觸的待轉印對象的兩面執(zhí)行壓印方法。在根據用于實施本發(fā)明的第二模式的壓印方法中，吸收電磁波24并產生熱的加熱層22和32形成于^f莫具21的凹凸面21a和21b上，加熱層22和32使用電^f茲波24照射，加熱層22和32因此產生熱，由透射電^F茲波24的材料制成的待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a由此軟化。因此，模具21的凹凸面21a和21b的凹凸形狀轉印到待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a。也就是說，在根據用于實施本發(fā)明的第二模式的壓印方法中，與現(xiàn)有技術的壓印方法不同，可以使用由透射電磁波24的材料制成的待轉印對象23和33，因此可以提供實用性更高的壓印方法(即，雙面壓印方法)。此外，在根據用于實施本發(fā)明的第二模式的壓印方法中，可以提供高速度和生產率提高的壓印方法(即，雙面壓印方法)。此外，在根據用于實施本發(fā)明的第二模式的模具21中，吸收電磁波24并產生熱的加熱層22和32形成于模具21的凹凸面21a和21b上，加熱層22和32使用電磁波24照射，加熱層22和32因此產生熱，待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a由此軟化。因此，可以將凹凸面21a和21b的凹凸形狀也轉印到由透射電^t波24的材料制成的待轉印對象23和33的待轉印面23a和33a。因此，通過用于實施本發(fā)明的第一和第二模式，可以解決LADI方法中的問題，并提供應用性高的壓印方法。此外，可以提供一種模具，通過其可以實現(xiàn)應用性更高的壓印方法。<實施例1>圖14描述在本發(fā)明實施例1中使用的模具41的示意性平面圖。圖15描述本發(fā)明實施例1中使用的模具41的示意性斷面圖。圖14和15所示的模具41為在HD或DVD-RW盤中使用的基板，由聚碳酸脂樹脂制成，直徑約小120mm,厚度約0.6mm,中心孔的直徑約())15mm。槽45(即，凹部)在約小48和小118mm的直徑范圍內螺旋地形成于模具41一個面上，其中槽45的軌道節(jié)距TP1約400nm，槽寬度Wl約200nm，深度Dl約27nm。在實施例l中，除非另外指出，模具圖案是指螺旋的槽45。槽45形成于其上的表面稱為凹凸面41a。圖16說明結合的樣品46。在模具的凹凸面41a上，Ge膜(膜厚約10nm)通過'減射工藝形成作為加熱層42。作為待轉印對象43，由聚碳酸脂樹脂制成的，外部尺寸與模具41相同但是其上不形成槽45的基板被準備。如圖16所示，在模具41的凹凸面41a上形成的加熱層42的凸部在真空中接觸待轉印對象43的待轉印面43a,在維持真空吸著的狀態(tài)下結合，且結合的樣品46因此形成。作為<吏用電》茲波照射的照射系統(tǒng)，<吏用HitachiComputerPeripheralsCo.,Ltd.制作的POP120-7A。該照射系統(tǒng)被用于初始化相變類型光學記錄介質，并安裝具有波長約830nm的半導體激光器的光學頭，該半導體激光器為電磁波的光源。該光學頭具有自動聚焦伺服機構，并將作為光源的半導體激光器16發(fā)射的激光聚焦在結合的樣品46的加熱層42上。聚焦束的尺寸為，沿結合的樣品46半徑方向的長度約75|im,且寬度約l(im。壓印方法本身與用于初始化相變類型光學記錄介質的壓印方法近似相同。也就是說，結合的樣品46置于設在照射系統(tǒng)內的旋轉臺上，結合的樣品46隨后在任意旋轉速度旋轉，聚焦伺服控制被實施，且在所述條件下，激光從待轉印對象43的一面照射。此外，在照射激光時，光學頭沿結合的樣品46的半徑方向移動，且因此形成槽45的范圍的全部被該激光照射。注意，在使用激光照射時，不實施循跡伺服控制。在實施例1中，壓印方法按照表1所示設定條件來實施。在該條件下，壓印方法可以在約40秒每片的時間內完成。然而，在實施例1中，為了可以觀察到壓印方法的狀態(tài)，中途中止該壓印方法的實施。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>在使用激光照射之后，模具41和待轉印對象43相互分離。隨后，當之前與才莫具41的凹凸面41a接觸的待轉印對象43的待轉印面43a視覺上^皮觀察到時，由光干涉導致的與模具41的凹凸面41a相同的干涉色可被看到。為了更容易理解該狀態(tài)，膜厚約200nm的Ag膜形成于待轉印對象43的待轉印面43a上。此外，出于比較目的，膜厚約200nm的Ag膜也形成于模具41的凹凸面41a上。圖17描述用于檢測模具41的凹凸面41a和待轉印對象43的待轉印面43a干涉色的視圖。在圖17中，可以看到模具41的凹凸面41a和待轉印對象43的待轉印面43a二者的同樣的干涉色41b和4313。因此可以看出，模具41的凹凸面41a的凹凸形狀已經轉印到待轉印對象43的待轉印面43a。此外，由于待轉印對象43的待轉印面43a的干涉色43b結束于激光照射結束的部分，在外圍部分中看不到干涉色，因此可以看出，通過激光照射實施了如上所述的凹凸形狀的轉印。接著，使用光盤評估設備(ODU-1000,PulstecIndustrialCo，Ltd.制)，在循跡開啟和關閉時，檢查已經轉印了凹凸形狀的待轉印對象43的待轉印面43a的信號。圖18描述當循跡伺服關閉時的全光量信號47、觸發(fā)信號48和推挽信號49。全光量信號47代表反射率，觸發(fā)信號48代表與一周相對應的時間，推挽信號49用作循跡誤差信號等。此外，橫坐標代表時間，縱坐標代表電壓。在圖18中，可以看到推挽信號49。由此可以看出，模具41的凹凸面41a的凹凸形狀已經轉印到待轉印對象43的待轉印面43a。圖19描述當循跡伺服開啟時的全光量信號47、觸發(fā)信號48和推挽信號49。全光量信號47代表反射率，觸發(fā)信號48代表與一周相對應的時間，推挽信號49用作循跡誤差信號等。此外，橫坐標代表時間，縱坐標代表電壓。在圖19中，由于循跡伺服可以無任何問題地實施，因此可以看出，模具41的凹凸面41a的凹凸形狀已經良好地轉印到待轉印對象43的待轉印面43a。注意，在使用該光盤評估設備進行的該評估中，在實施了激光照射的整個區(qū)域上可以獲得相同的結果。根據本發(fā)明，不同于現(xiàn)有技術中的壓印方法，吸收電磁波并產生熱的加熱層42形成于模具41的凹凸面41a上，加熱層42使用電磁波照射，加熱層42因此產生熱，待轉印對象43的待轉印面43a由此軟化。因此，可以將凹凸形狀轉印到由透射電磁波的材料制成的待轉印對象43。因此可以提供一種實用性提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例1中使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例2至9>在實施例2至9每一個中，與實施例1相同，加熱層42通過濺射工藝形成在才莫具41的凹凸面41a上，如圖14和15所示。首先，在實施例2至4每一個中，Ge用作加熱層42的材料，加熱層42形成為具有表2所示的膜厚。這樣實施該壓印方法。表2還示出結果。從其可以看出，Ge的膜厚具有凹凸形狀可以被轉印的最佳范圍。其中原因如下。也就是說，當Ge膜厚太小時，不會充分吸收激光，且不產生足夠熱量用于轉印凹凸形狀。另一方面，Ge膜厚太大時，Ge膜本身輻射Ge膜已經產生的熱。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>接著，在實施例5至9每一個中，Ag用作加熱層42的材料，加熱層42形成為具有表3所示的膜厚，這樣實施該壓印方法。表3還示出結果?？梢钥闯?，與Ag的膜厚無關地，凹凸形狀的轉印無法實施。其中原因如下Ag本身的熱導率太高，而無法產生足夠熱量用于轉印凹凸形狀。在表2和3中，使用分光橢偏儀(M2000DI，JA.Woolam制)測量膜厚。此外，使用光學評估設備是否可以看到槽信號，這是根據圖18所示當循跡伺服關閉時是否可以看到推挽信號來確定。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表2和3的結果表明，通過加熱層42材料的激光吸收量和熱導率以及加熱層42的膜厚來調整轉印凹凸形狀所需的熱量，這是非常重要的?，F(xiàn)有技術中無法找到這些內容。根據本發(fā)明，不同于現(xiàn)有技術中的壓印方法，吸收電磁波并產生熱的加熱層42形成于模具41的凹凸面41a上，加熱層42使用電磁波照射，加熱層42因此產生熱，待轉印對象43的待轉印面43a由此軟化。因此，可以將凹凸形狀轉印到由透射電磁波的材料制成的待轉印對象43。因此可以提供一種實用性提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例2至9中使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例10〉在實施例10中，加熱層42通過濺射工藝形成在才莫具41的凹凸面41a上，如圖14和15所示。與實施例1至4相同，Ge用作加熱層42的材料。形成膜厚為表2所示四個膜厚的每一個的加熱層42膜，且對四個樣品的每一個實施該壓印方法。在實施例10中，不是從待轉印對象43—面而是從模具41一面實施激光照射。結果，得到與表2所示實施例1至4相同的結果。從其可以看出，在根據本發(fā)明的壓印方法中，可以良好地轉印凹凸形狀，而與激光照射的方向無關。根據本發(fā)明，不同于現(xiàn)有技術中的壓印方法，吸收電磁波并產生熱的加熱層42形成于模具41的凹凸面41a上，加熱層42使用電》茲波照射，加熱層42因此產生熱，待轉印對象43的待轉印面43a由此軟化。因此，當模具41和待轉印對象43均由透射電磁波的材料制成，則當通過模具41或者通過待轉印對象43照射電磁波時，可以將凹凸形狀轉印到待轉印對象43。因此可以提供一種實用性提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例10中使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例11〉在實施例ll中，模具51使用可購得的全息板，并實施雙面壓印方法。圖20描述用作模具51的全息板的顯微照片。模具51的全息板是長方體的薄板，具有25mmx20mmx0.1mm的外部尺寸。圖21為描述為模具51的全息板上的凹凸狀態(tài)的AFM圖像，且使用AFM設備(VN-8000,KEYENCECORPORATION制)進行評估。從圖21所示AFM圖^象的評估可以看出，模具51的全息板具有高度約130nm且節(jié)距約800nm的凹凸形狀(模具51的全息板的具有凹凸形狀的表面在下文中稱為"凹凸面51a，，)。圖22說明結合的樣品56。準備模具51的兩個板，且在每個模具51的凹凸面51a上，Ge膜(膜厚約10nm)通過濺射工藝形成作為加熱層52。作為每一個待轉印對象53和63，由聚碳酸脂樹脂制成的，其上不形成槽45的，且外部尺寸與圖14所示的模具41相同的基板被準備。如圖22所示，在第一模具51的凹凸面51a上形成的加熱層52朝上且在第二模具51的凹凸面51a上形成的加熱層52朝下，以及在真空中，在兩個模具51不相互交疊的情況下，第一加熱層52的凸部和待轉印對象53的待轉印面53a接觸，第二加熱層52的凸部和待轉印對象63的待轉印面63a接觸。因此，在相應構件之間維持真空吸著的狀態(tài)下進行結合，且結合的樣品56因此形成。按照與實施例l相同的工藝，如此形成的結合的樣品56使用激光照射。然而，由于模具51和待轉印對象53和63之間的尺寸關系，待轉印對象53和63之間的一部分不存在模具51。因此，當使用自動聚焦機構時，設備停止于不存在模具51的部分。為此，使用固定聚焦方法。使用表4所示設定條件。表4發(fā)射激光功率2200mW光學頭進給速度36,/轉結合的樣品56的旋轉線速度(m/s)4m/s使用激光逐面照射之后，待轉印對象53和63隨后被分離，且之前與模具51接觸的待轉印對象53和63的待轉印面53a和63a碎見覺上^皮觀察到。結果，由光干涉導致的與模具51相同的干涉色可被看到。圖23為待轉印對象53的待轉印面53a的顯微照片。圖24為描述待轉印對象53的待轉印面53a的AFM圖像，且使用AFM設備(VN-8000,KEYENCECORPORATION制)進行評估。從使用AFM圖像的評估可以確認，待轉印對象53的待轉印面53a具有高度約70mm且節(jié)距約820nm的凹凸形狀。通過相同的方法可以確認，待轉印對象63的待轉印面63a也具有與待轉印對象53的待轉印面53a相同的凹凸形狀。除了如此轉印到待轉印對象53和63的每一個待轉印面53a和63a的凹凸形狀的高度約為模具51的全息板的凹凸面51a的凹凸形狀的一半之外，模具51的凹凸形狀良好地轉印到待轉印對象53和63的待轉印面53a和63a。高度變?yōu)榇蠹s一半的原因為，由于激光的聚焦是通過固定聚焦方法來進行，聚焦會進行不充分，因此未產生足夠的熱量。在如上所述的實施例11中，如圖22所示，在第一才莫具51的凹凸面51a上形成的加熱層52朝上，在第二模具51的凹凸面51a上形成的加熱層52朝下，以及在真空中，兩個模具51不相互交疊的情況下，待轉印對象53和63和模具51疊置使得模具51插在待轉印對象53和63之間。因此，在維持真空吸著的狀態(tài)下進行結合，且結合的樣品56因此形成。然而，從實施例11的結果可以容易想象，如上所述的作為用于實施例本發(fā)明的第二模式的雙面壓印方法可以實現(xiàn)，其中在兩面具有凹凸面的模具被使用，該模具插在由透射電磁波的材料制成的兩個待轉印對象之間，且兩個待轉印對象使用該電^磁波照射。根據本發(fā)明，可以實現(xiàn)雙面壓印方法，且因此可以提供實用性更高的壓印方法。此外，根據本發(fā)明，可以提供高速度和生產率提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例11使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。21<用于實施本發(fā)明的第三模式>參考圖25至31描述用于實施本發(fā)明的第三模式的壓印方法。圖25至31示意性示出用于實施本發(fā)明的第三模式的壓印方法。在圖25至31中，111代表待轉印對象，112代表加熱層，113代表模具，114代表電磁波。另夕卜，llla代表待轉印對象111的待轉印面，113a代表模具113的凹凸面。首先，在圖25所述工藝即加熱層形成工藝中，準備待轉印對象lll，且在待轉印對象in的待轉印面llla上形成加熱層112。作為待轉印對象111的材料，例如可以使用以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以SiOz、八1203等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶資材料；或者用作所謂基板的材料例如Si等。加熱層112由加熱材料形成，在下文圖28所述工藝中，加熱層112吸收通過由透射電磁波114的材料制成的待轉印對象111或模具113照射的電磁波114，并產生熱量以能夠軟化待轉印對象111的待轉印面llla。通過加熱層112材料的電磁波114吸收量和熱導率以及加熱層112的膜厚，調整加熱層112產生的熱量。圖32示意性說明電磁波114吸收量、加熱層112的熱導率和膜厚、以及加熱層112產生的熱量之間的關系。在圖32，由三角形界定的斜線部分的面積對應于熱量。通過針對凹凸面113a的凹凸圖案轉印到其的待轉印對象111來優(yōu)化電；茲波114吸收量、加熱層112的熱導率和膜厚之間的平4軒，可以良好地轉印凹凸面113a的凹凸形狀。例如，選擇具有預定的電磁波114吸收量和預定熱導率的材料，并且考慮該預定的電磁波114吸收量和預定的熱導率來確定加熱層112的最佳膜厚，使得加熱層112產生所需熱量。吸收量和熱導率優(yōu)選地落在相應范圍內，例如約50至100%和20至400W/m/k。作為加熱層112的材料，下述材料是優(yōu)選的，其具有良好的與待轉印對象lll的剝離性，以及在多次實施電磁波114照射時產生相同程度的熱。具體而言，優(yōu)選使用下述任意一種為半導體的Si和Ge，為半金屬的Sn、Sb和Bi，為貴金屬的Cu、Au、Pt和Pd等，為過渡金屬的Zn、Ni、Co和Cr以及其合金，以SiC、TiC等為代表的碳化物，例如以SiOx、GeOx等為代表的氧缺乏氧化物的陶瓷材料、以及其化合物或復合物。此外，加熱層ll2的材料優(yōu)選包括相變材料。由于相變材料具有大的電磁波114吸收量和熱導率，因此可以減小加熱層112的最優(yōu)膜厚以產生所需熱量，且因此可以提高生產率。作為該相變材料，可以從用作可再寫類型光學記錄介質的記錄層材料的材料中恰當?shù)剡x擇。例如，優(yōu)選使用包括選自Sb、Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Ag、Bi、Se和Te的一種或多種元素的材料。作為該相變材料，可以考慮熱特性和光學特性而使用期望的材料。GeSbTe合金、AglnSbTe合金、AglnSbTeGe合金、GaSbSnSe合金、GeSbSnMn合金、GelnSbTe合金、GeSbSnTe合金等是優(yōu)選的。此外，加熱層112不僅可具有單層的配置，還可具有堆疊在一起的多個層的配置。通過使用多個層的配置(稱為多層配置)，不僅可以調整加熱量，還可以調整溫度維持、冷卻速度等。因此，可以良好地實施該壓印方法。接著，在圖26所述工藝即模具形成工藝中，形成具有凹凸面113a的模具113。凹凸面113a為例如包含納米級凹凸圖案的表面。作為模具113的材料，例如可以使用成型材料或者納米壓印方法通常使用的材料，例如以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、Al203等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；以Ni、Ta為代表的金屬材料等。模具113的凹凸面113a可以通過FIB(即聚焦離子束)工藝等形成。FIB工藝是這樣的，如所公知，使用足夠窄的Ga(即鎵)離子束，且可以以亞微米水平的精度形成復雜形狀。接著，在圖27的工藝中，待轉印對象111的待轉印面llla上形成的加熱層112接觸模具113的凹凸面113a的凸部。上述的接觸是按照下述方式進行，待轉印對象111和模具113通過外部壓力被牢固地彼此按壓。具體而言，可以使用專用壓制機器通過機械力來按壓。然而，優(yōu)選使用真空吸著方法，其中真空形成于加熱層112和才莫具113的凹凸面113a之間，因此外部氣壓用于將加熱層112和模具113的凹凸面113a相互按壓。真空吸著方法可以利用通用設備來實施，且吸著狀態(tài)容易維持。此外，即使當待轉印對象111或模具113不具有高的機械強度時，仍可以獲得使待轉印對象111和模具113不斷開的最小按壓力。通過利用真空吸著，可以良好地實施壓印方法。真空吸著可以利用現(xiàn)有真空結合機器來實施，該機器用于在真空狀態(tài)下結合用于形成DVD-ROM(其為公知光學記錄介質)的兩個基板，其中在該真空狀態(tài)下，不存在會導致空隙的氣體。接著，在圖28的工藝即軟化工藝中，加熱層112通過待轉印對象111或模具113使用電磁波114照射，該待轉印對象111或模具113由透射電磁波114的材料制成。因此加熱層112產生熱，且待轉印對象111的待轉印面llla因此軟化。待轉印對象111和模具113通過加熱層112利用如上所述的真空吸著而相互牢固地按壓。因此，加熱層112通過使用電磁波114照射而產生熱，待轉印對象111的待轉印面llla由此軟化時，待轉印對象111的待轉印面llla根據模具113的凹凸面113a的形狀而改變形狀。注意，模具113的材料的熔點或軟化點等于或高于待轉印對象111的材料的熔點或軟化點。待轉印對象111和模具113至少其一應由透射電磁波114的材料制成。當模具113由透射電磁波114的材料制成時，如圖28A所示，加熱層112通過模具113使用電磁波114照射。當待轉印對象lll由透射電磁波114的材料制成時，如圖28B所示，加熱層112通過待轉印對象111使用電磁波114照射。此外，當待轉印對象111和模具113均由透射電磁波114的材料制成時，則或者如圖28A所示，加熱層112通過模具113使用電磁波114照射，或者如圖28B所示，加熱層112通過待轉印對象111使用電磁波114照射。然而，優(yōu)選的是，如圖28B所示，加熱層112通過待轉印對象111使用電磁波ll4照射。這是因為，當加熱層112通過模具113使用電磁波114照射時，由于模具113的凹凸面113a的凹凸形狀而發(fā)生電^茲波干涉。當干涉發(fā)生時，加熱層112無法均勻地用電磁波114照射，且轉印到待轉印對象lll的待轉印面111a的凹凸形狀的精度會降低。另一方面，當加熱層112通過待轉印對象111使用電磁波114照射時，待轉印面llla是平坦的，直到加熱層112產生熱且待轉印對象ill的待轉印面llla由此軟化。結果是不發(fā)生上述問題。電》茲波114的波長優(yōu)選地等于或短于2000nm。當波長大于2000nm時，充分吸收電》茲波的加熱材^F少。作為電^f茲波114，激光最為優(yōu)選。這是因為，當使用激光時，可以增大加熱層112上的單位面積光強度即能量密度。此外，作為發(fā)射激光的激光器，半導體激光器特別優(yōu)選。實際上，半導體激光器尺寸小，容易維護，不昂貴且壽命長。在圖28所示軟化工藝中，優(yōu)選實施聚焦工藝，其中由光源發(fā)射的電磁波114被聚焦在加熱層112上。通過實施聚焦工藝，可以高效地實施電磁波114照射。此外，在下述情形中優(yōu)選地在聚焦工藝中實施聚焦伺服控制壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電磁波114的)光源的光學頭(未示出)、或者待轉印對象111和模具113、或者這二者二維地移動。通過實施聚焦伺服控制，可以抵消機械誤差并確實地將電磁波114聚焦在加熱層112上。因此可以良好地實施該壓印方法?，F(xiàn)在將描述上述情形，其中壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電磁波114的)光源的光學頭(未示出)、或者待轉印對象111和模具113、或者這二者二維地移動。這種情形為，例如在下文實施例12等中，照射電磁波114，同時，通過真空吸著而被相互按壓的待轉印對象111和模具113置于旋轉臺上并旋轉。聚焦伺服可以通過公知方法來實施；當信息記錄到光學記錄介質或者從光學記錄介質再現(xiàn)信息時，激光跟蹤并聚焦在旋轉的光學記錄介質上，此時通常使用上述伺服控制。接著，在圖29所示工藝即剝離工藝中，模具113從待轉印對象111剝離。接著，在加熱層除去工藝中，如圖30所示，在待轉印對象111的待轉印面llla上形成的加熱層112被除去。結果，如圖31所示，模具113的凹凸面113a的凹凸形狀轉印到待轉印對象111的待轉印面llla。注意，加熱層112可以通過例如濕法蝕刻來除去。濕法蝕刻是指使用具有腐蝕和溶解目標金屬等特性的液態(tài)化學物質的蝕刻。在現(xiàn)有技術的壓印方法中，由不透射電磁波的材料制成的待轉印對象的待轉印面通過透射電磁波的模具而使用電磁波照射。因此，待轉印對象的待轉印面軟化，且模具的凹凸面的凹凸形狀轉印到待轉印對象的待轉印面。也就是說，在現(xiàn)有技術中，模具的材料限于透射電磁波的材料，待轉印對象的材料限于不透射電磁波的材料(即，吸收電磁波并產生熱的材料)。與此相反，在根據用于實施本發(fā)明的第三模式的壓印方法中，吸收電磁波114并產生熱的加熱層112形成于待轉印對象111的待轉印面llla上，加熱層112使用電磁波114照射，加熱層112因此產生熱，待轉印對象111的待轉印面llla由此軟化。因此，待轉印對象111和模具113至少其一應由透射電磁波114的材料制成。25也就是說，在根據用于實施本發(fā)明的第三模式的壓印方法中，不僅可以使用現(xiàn)有技術的壓印方法中使用的由透射電磁波的材料制成的模具和由不透射電磁波的材料制成的待轉印對象的組合，而且可以使用由不透射電磁波的材料制成的模具和由透射電磁波的材料制成的待轉印對象的另一組合。此外，可以使用由透射電磁波的材料制成的模具和由透射電磁波的材料制成的待轉印對象的再一組合。因此可以提供一種實用性高的壓印方法。<用于實施本發(fā)明的第四模式>參考圖33至39描述用于實施本發(fā)明的第四模式的壓印方法。用于實施本發(fā)明的第四模式中的壓印方法與用于實施本發(fā)明的第三模式中的壓印方法不同在于，在用于實施本發(fā)明的第四模式中，使用具有兩個凹凸面的模具，且兩個凹凸面的凹凸形狀分別轉印到兩個待轉印對象的待轉印面。圖33至39示意性示出用于實施本發(fā)明的第四模式的壓印方法。在圖33至37中，121和131代表待轉印對象，122和132代表加熱層，123代表模具，124代表電磁波。另外，121a和131a代表待轉印對象121和131的待轉印面，以及123a和123b代表模具123的凹凸面。首先，在圖33所述工藝即加熱層形成工藝中，準備待轉印對象121和131,且在待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a上分別形成加熱層122和132。作為待轉印對象121和131的材料，例如可以使用以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、Al203等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；或者用作所謂基板的材料例如Si。加熱層122和132由加熱材料形成，在下文圖36所述工藝中，加熱層122和132吸收通過由透射電/f茲波124的材料制成的待轉印對象121和131照射的電磁波124,并產生熱量以能夠分別軟化4寺轉印對象121和131的纟寺轉印面121a和131a。加熱層122和132產生熱量的調整、加熱層122和132的材料等與根據用于實施本發(fā)明的第三模式中使用的加熱層112相同，重復的說明予以省略。接著，在模具形成工藝中，如圖34所示，形成具有凹凸面123a和123b的模具123。凹凸面123a和123b為例如包含納米級凹凸圖案的表面。作為26例如以聚碳酸脂樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等為代表的樹脂；以Si02、Al2Cb等為代表的氧化物，以SiN、A1N等為代表的氮化物，以SiC、GC(即玻璃碳)等為代表的碳化物的結晶或陶瓷材料；以Ni、Ta為代表的金屬材料等。具有膜形式的材料特別優(yōu)選。模具123的凹凸面123a和123b可以通過FIB(即聚焦離子束)工藝等形成。FIB工藝是這樣的，如所公知，使用足夠窄的Ga(即鎵)離子束，且可以以亞微米水平的精度形成復雜形狀。接著，如圖35所示，形成在待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a上的加熱層122和132分別接觸模具123的凹凸面123a和123b的凸部。上述的接觸是按照下述方式進行，模具123和每一個待轉印對象121和131通過外部壓力被牢固地彼此按壓。具體而言，可以使用專用壓制機器通過機械力來按壓。然而，優(yōu)選使用真空吸著方法，其中真空形成于每一個加熱層122和132和才莫具123的相應一個凹凸面123a和123b之間，因此外部氣壓用于將加熱層122和132分別和模具123的凹凸面123a和123b按壓在一起。由于該真空吸著方法與根據用于實施本發(fā)明的第三模式的壓印方法中使用的真空吸著方法相同，重復的說明予以省略。接著，在圖36的工藝即軟化工藝中，每一個加熱層122和通過相應一個待轉印對象121和131使用電磁波124照射，該待轉印對象121和131由透射電磁波124的材料制成。因此加熱層122和132產生熱，且待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a因此軟化。模具123和每一個待轉印對象121和131通過相應一個加熱層122和D2例如利用真空吸著而相互牢固地按壓。因此，加熱層122和132通過使用電-茲波124照射而產生熱，待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a由此軟化時，待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a根據模具123的凹凸面123a和123b的形狀而改變形狀。注意，模具123的材料的熔點或軟化點等于或高于每一個待轉印對象121和131的材料的熔點或軟化點。待轉印對象121和131均由透射電磁波124的材料制成。加熱層122和132可以通過待轉印對象121和131使用電磁波124逐個順序地照射。然而，通過使用電磁波124同時從待轉印對象121和131的兩面照射加熱層122和132，生產率可以提高。作為電磁波124的波長等，與根據用于實施本發(fā)明的第三^^莫式的壓印方法情形相同，重復的說明予以省略。在圖36所示軟化工藝中，優(yōu)選實施聚焦工藝，其中由光源發(fā)射的電磁波124被聚焦在加熱層122和132上。通過實施聚焦工藝，可以高效地實施電磁波124照射。此外，在下述情形中優(yōu)選地在聚焦工藝中實施聚焦伺服控制壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電》茲波124的)光源的光學頭(未示出)、或者模具123和待轉印對象121和131、或者這二者二維地移動。通過實施聚焦伺服控制，可以抵消機械誤差并確實地將電磁波124聚焦在加熱層122和132上。因此可以良好地實施該壓印方法?，F(xiàn)在將描述上述情形，其中壓印方法按照這樣的方式來實施，即，具有(發(fā)射電磁波124的)光源的光學頭(未示出)、或者模具123和待轉印對象121和131、或者這二者二維地移動。這種情形為，例如在下文實施例12等中，照射電磁波124，同時，通過真空吸著而被相互按壓的模具123和待轉印對象121和131置于旋轉臺上并旋轉。聚焦伺服可以通過公知方法來實施；當信息記錄到光學記錄介質或者從光學記錄介質再現(xiàn)信息時，激光跟蹤并聚焦在旋轉的光學記錄介質上，此時通常使用上述伺服控制。注意，對于使用電》茲波124從待轉印對象121和131的兩面同時照射，同時，通過真空吸著而被相互按壓的模具123和每一個待轉印對象121和131置于旋轉臺上并旋轉的情形，與現(xiàn)有技術的信息記錄再生設備不同的機構是必需的，使得例如兩個光學頭設置在待轉印對象121和131的兩面上。然而，可以在現(xiàn)有4支術的范圍內準備這種機構。接著，在圖37所示工藝即剝離工藝中，模具123從每一個待轉印對象121和131剝離，且因此如圖38所示，沖莫具123的凹凸面123a和123b的凹凸形狀分別轉印到待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a。注意，加熱層122和132可以通過例如濕法蝕刻來除去。濕法蝕刻是指使用具有腐蝕和溶解目標金屬等特性的液態(tài)化學物質的蝕刻。在現(xiàn)有技術的壓印方法中，由不透射電磁波的材料制成的待轉印對象的待轉印面通過透射電磁波的模具而使用電磁波照射。因此，待轉印對象的待轉印面軟化，且模具的凹凸面的凹凸形狀轉印到待轉印對象的待轉印面。也就是說，在現(xiàn)有技術中，模具的材料限于透射電磁波的材料，待轉印對象的材料限于不透射電-茲波的材料(即吸收電磁波并產生熱的材料)。因此，在現(xiàn)有技術中，無法從在兩面與模具接觸的待轉印對象的兩面執(zhí)行壓印方法。在根據用于實施本發(fā)明的第四模式的壓印方法中，吸收電磁波124并產生熱的加熱層122和132形成于待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a上，加熱層122和132^f吏用電^茲波124照射，加熱層122和132因此產生熱，由透射電》茲波124的材料制成的待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a由此軟化。因此，模具123的凹凸面123a和123b的凹凸形狀分別轉印到待轉印對象121和131的待轉印面121a和131a。也就是說，在根據用于實施本發(fā)明的第四模式的壓印方法中，與現(xiàn)有技術的壓印方法不同，可以使用由透射電^f茲波124的材料制成的待轉印對象121和131，因此可以提供實用性更高的壓印方法(即，雙面壓印方法)。此外，在根據用于實施本發(fā)明的第四模式的壓印方法中，可以提供高速度和生產率提高的壓印方法(即，雙面壓印方法)。<實施例12>圖40描述在本發(fā)明實施例12中使用的模具143的示意性平面圖。圖41描述本發(fā)明實施例12中使用的模具143的示意性斷面圖。圖40和41所示的模具143為在HD或DVD-RW盤中使用的基板，由聚碳酸脂樹脂制成，直徑約cl)120mm,厚度約0.6mm,中心孔的直徑約小15mm。槽(即，凹部)145在約小48和小118mm的直徑范圍內螺旋地形成于沖莫具143—個面上，其中槽145的軌道節(jié)距TP1約400nm,槽寬度Wl約200nm,深度Dl約27nm。在實施例12中，除非另外指出，模具圖案是指螺旋的槽145。槽145形成于其上的表面稱為凹凸面143a。圖42說明結合的樣品146。作為待轉印對象141,由聚碳酸脂樹脂制成的，外部尺寸與模具143相同但是其上不形成槽145的基板被準備。在待轉印對象141的待轉印面141a上，Ge膜(膜厚約10nm)通過濺射工藝形成作為加熱層142。如圖42所示，在待轉印對象141的待轉印面141a上形成的加熱層142在真空中接觸斗莫具143的凹凸面143a的凸部，在維持真空吸著的狀態(tài)下結合，且結合的樣品146因此形成。作為使用電磁波照射的照射系統(tǒng)，使用HitachiComputerPeripheralsCo.,Ltd.制作的POP120-7A。該照射系統(tǒng)^C用于初始化相變類型光學記錄介質，并安裝具有波長約830nm的半導體激光器的光學頭，該半導體激光器為電磁波的光源。該光學頭具有自動聚焦伺服機構，并將作為光源的半導體激光器發(fā)射的激光聚焦在結合的樣品146的加熱層142上。聚焦束的尺寸為，沿結合的樣品146半徑方向的長度約75pm，且寬度約lpm。壓印方法本身與用于初始化相變類型光學記錄介質的壓印方法近似相同，結合的樣品146置于設在照射系統(tǒng)內的旋轉臺上，結合的樣品146隨后在任意旋轉速度旋轉，聚焦伺服控制被實施，且在所述條件下，激光從待轉印對象141的一面照射。此外，在照射激光時，光學頭沿結合的樣品146的半徑方向移動，且因此形成槽145的范圍的全部被該激光照射。注意，在使用激光照射時，不實施循跡伺服控制。在實施例12中，壓印方法按照表5所示設定條件來實施。在該條件下，壓印方法可以在約40秒每片的時間內完成。然而，在實施例12中，為了可以觀察到壓印方法的狀態(tài)，中途中止該壓印方法的實施。發(fā)射激光功率1800mW光學頭進給速度36,/轉結合的樣品的旋轉線速度8m/s在使用激光照射之后，模具143和待轉印對象141相互分離。隨后，當之前與才莫具！43的凹凸面143a接觸的待轉印對象141的待轉印面141a視覺上被觀察到時，由光干涉導致的與模具143的凹凸面143a相同的干涉色可被看到。因此可以看出，模具143的凹凸面143a的凹凸形狀已經轉印到待轉印對象141的待轉印面141a。此外，由于待轉印對象141的待轉印面Mla的干涉色141b結束于激光照射結束的部分，在外圍部分中看不到干涉色，因此可以看出，通過激光照射實施了如上所述的凹凸形狀的轉印。為了以另一種方式確i人沖莫具143的凹凸面143a的凹凸形狀已經轉印到待轉印對象141的待轉印面141a，膜厚約200nm的Ag膜形成于待轉印對象141的待轉印面141a上。此外，出于比較目的，膜厚約200謹?shù)腁g膜也形成于模具143的凹凸面143a上。在形成Ag膜之后，使用光盤評估設備(ODU-1000,PulstecIndustrialCo.,Ltd.制)，在循跡開啟和關閉時，檢查已經轉印了凹凸形狀的待轉印對象141的待轉印面141a的信號。圖43描述當循跡伺服關閉時的全光量信號147、觸發(fā)信號148和推挽信號149。全光量信號147代表反射率，觸發(fā)信號148代表與一周相對應的時間，推挽信號149用作循跡誤差信號等。此外，橫坐標代表時間，縱坐標代表電壓。在圖43中，可以看到推挽信號149。由此可30以看出，沖莫具143的凹凸面143a的凹凸形狀已經轉印到待轉印對象141的待轉印面141a。圖44描述當循跡伺服開啟時的全光量信號147、觸發(fā)信號148和推挽信號149。全光量信號147代表反射率，觸發(fā)信號148代表與一周相對應的時間，推挽信號149用作循跡誤差信號等。此外，橫坐標代表時間，縱坐標代表電壓。在圖44中，由于循跡伺服可以無任何問題地實施，因此可以看出，模具143的凹凸面143a的凹凸形狀已經良好地轉印到待轉印對象141的待轉印面141a。注意，在使用該光盤評估設備進行的該評估中，在實施了激光照射的整個區(qū)域上可以獲得相同的結果。根據本發(fā)明，不同于現(xiàn)有技術中的壓印方法，吸收電磁波并產生熱的加熱層142形成于待轉印對象141的待轉印面141a上，加熱層142使用電磁波照射，加熱層142因此產生熱，待轉印對象141的待轉印面141a由此軟化。因此，可以將凹凸形狀轉印到由透射電磁波的材料制成的待轉印對象141。因此可以提供一種實用性提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例12中使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例13至20〉在實施例13至20每一個中，與實施例12相同，加熱層142通過濺射工藝形成在待轉印對象141的待轉印面141a上。首先，在實施例13至15每一個中，Ge用作加熱層142的材料，加熱層142形成為具有表6所示的膜厚。這樣實施該壓印方法。表6還示出結果。從其可以看出，Ge的膜厚具有凹凸形狀可以被轉印的最佳范圍。其中原因如下。也就是說，當Ge膜厚太小時，不會充分吸收激光，且不產生足夠熱量用于轉印凹凸形狀。另一方面，Ge膜厚太大時，Ge膜本身輻射Ge膜已經產生的熱。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>接著，在實施例16至20每一個中，Ag用作加熱層142的材料，加熱層142形成為具有表7所示的膜厚，并實施該壓印方法。表7還示出結果。與Ag的膜厚無關地，凹凸形狀的轉印無法實施。其中原因如下Ag本身的熱導率太高，而無法產生足夠熱量用于轉印凹凸形狀。在表6和7中，使用分光橢偏儀(M2000DI,JA.Woolam制)測量膜厚。此外，使用光學評估設備是否可以看到槽信號，這是根據圖43所示當循跡伺服關閉時是否可以看到推挽信號來確定。表7Ag膜厚(nm)視覺上看到/未看到干涉色用光學評估設備看到/未看到槽信號實施例162未看到未看到實施例17未看到未看到實施例1810未看到未看到實施例1915未看到未看到實施例2020未看到未看到表6和7的結果表明，通過加熱層142材料的激光吸收量和熱導率以及加熱層142的膜厚來調整轉印凹凸形狀所需的熱量，這是非常重要的?，F(xiàn)有技術中無法找到這些內容。根據本發(fā)明，不同于現(xiàn)有技術中的壓印方法，吸收電磁波并產生熱的加熱層142形成于待轉印對象141的待轉印面141a上，加熱層142使用電磁波照射，加熱層142因此產生熱，待轉印對象141的待轉印面141a由此軟化。因此，可以將凹凸形狀轉印到由透射電^f茲波的材料制成的待轉印對象141。因此可以提供一種實用性提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例13至20中使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例21〉在實施例21中，模具153使用可購得的全息板，并實施雙面壓印方法。圖45描述用作模具153的全息板的顯微照片。模具153的全息板是長方體的薄板，具有25mmx20mmxO.lmm的外部尺寸。圖46為描述為模具153的全息板上的凹凸狀態(tài)的AFM圖像，且使用AFM設4^VN-8000，KEYENCECORPORATION制)進行評估。從圖46所示AFM圖像的評估可以看出，模具153的全息板具有高度約130nm且節(jié)距約800nm的凹凸形狀(模具153的全息板的具有凹凸形狀的表面在下文中稱為"凹凸面153a")。32圖47說明結合的樣品156。準備模具153的兩個板。作為每一個待轉印對象151和161，由聚碳酸脂樹脂制成的，其上不形成槽145的，且外部尺寸與圖40所示的模具143相同的基板被準備。隨后通過與實施例12相同的方法，在待轉印對象151和161的待轉印面151a和161a上，Ge膜(膜厚約10nm)通過濺射工藝形成作為加熱層152和162。如圖47所示，第一模具153的凹凸面153a朝上且第二才莫具153的凹凸面153a朝下，以及在真空中，在兩個^^莫具153不相互交疊的情況下，第一凹凸面153a的凸部接觸在待轉印對象151的待轉印面151a上形成的加熱層152，第二凹凸面153a的凸部接觸在待轉印對象161的待轉印面161a上形成的加熱層162。因此，在維持真空吸著的狀態(tài)下進行結合，且結合的樣品156因此形成。按照與實施例12相同的工藝，如此形成的結合的樣品156使用激光照射。然而，由于模具153和待轉印對象151和161之間的尺寸關系，待轉印對象151和161之間的一部分不存在模具153。因此，當使用自動聚焦機構時，設備停止于不存在模具153的部分。為此，使用固定聚焦方法。使用表8所示設定條件。表8發(fā)射激光功率2000mW光學頭進給速度36iom/轉結合的樣品的旋轉線速度(m/s)4m/s使用激光逐面照射之后，待轉印對象151和161隨后被分離，且之前與模具153接觸的待轉印對象151和161的待轉印面151a和161a視覺上被觀察到。結果，由光干涉導致的與模具153相同的干涉色可被看到。圖48為待轉印對象151的待轉印面151a的顯孩i照片。圖49為描述待轉印對象151的待轉印面151a的AFM圖像，且使用AFM設備(VN-8000，KEYENCECORPORATION制)進行評估。從使用AFM圖像的評估可以確認，待轉印對象151的待轉印面151a具有高度約70mm且節(jié)距約820nm的凹凸形狀。通過相同的方法可以確認，待轉印對象161的待轉印面161a也具有與待轉印對象151的待轉印面151a相同的凹凸形狀。除了如此轉印到待轉印對象151和161的每一個待轉印面151a和161a的凹凸形狀的高度約為^t具153的全息板的凹凸面153a的凹凸形狀的一半之外，模具153的凹凸形狀良好地分別轉印到待轉印對象151和161的待轉印面151a和161a。高度變?yōu)榇蠹s一半的原因為，由于激光的聚焦是通過固定聚焦方法來進行，聚焦會進行不充分，因此未產生足夠的熱量。因此可以看出，通過調整激光照射條件(特別是有關光強的參數(shù))，可以調整待轉印對象的形狀和尺寸。在實施例21,由于實驗環(huán)境，模具153使用分別在一個面上具有凹凸面M3a的兩個全息板。隨后，在第一模具153的凹凸面153a朝上且第二模具153的凹凸面153a朝下，且在真空中，在兩個模具153不相互交疊的情況下，待轉印對象151和161和模具153疊置使得模具153插在待轉印對象151和161之間。因此，在維持真空吸著狀態(tài)下結合，且結合的樣品156因此形成。然而，從實施例21的結果可以容易想象，如上所述的作為用于實施例本發(fā)明的第四模式的雙面壓印方法可以實現(xiàn)，其中在兩面具有凹凸面的模具被使用，該模具插在由透射電磁波的材料制成的兩個待轉印對象之間，通過兩個待轉印對象進行電磁波照射，且凹凸面的凹凸形狀轉印到待轉印對象的待轉印面。根據本發(fā)明，可以實現(xiàn)雙面壓印方法，且因此可以提供實用性更高的壓印方法。此外，根據本發(fā)明，可以提供高速度和生產率提高的壓印方法。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例21使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例22>在實施例22中，按照與實施例12相同的方式，在待轉印對象141的待轉印面141a上，Ge膜(膜厚約10nm)通過濺射工藝形成作為加熱層142。作為模具，具有與實施例12中使用的模具143相同形狀的石英基板被準備。在如此準備的作為模具的石英基板的表面上，形成圖50所示的紋理結構。圖50示出在作為模具的石英基板的表面上形成的紋理結構的顯微照片。圖50中的紋理結構的尺寸為，點節(jié)距為400nm且高度為500nm。圖50所示紋理結構對應于實施例12的凹凸面143a。注意，紋理結構是指根據預定規(guī)則布置的重復圖案，以及例如在其表面上具有許多精細凹凸形狀的結構。接著，按照與實施例12相同的方法，作為模具的石英基板的表面上形成的紋理結構轉印到待轉印對象141的待轉印面141a。圖51說明待轉印對象141的光透射譜。在圖51中，符號A代表紋理結構已經轉印到待轉印面141a的待轉印對象141，符號x代表作為模具的在其表面上形成有紋理結構的石英基板，符號O代表在其表面上未形成有紋理結構的石英基板。描述模具和石英基板的透射率的目的是與待轉印對象141的透射率比較。從圖51可以看出，在等于或大于600nm的波長區(qū)域內，待轉印對象141(A)和作為轉印用模具的石英基板(x)按照相似方式具有比石英基板(o)的透射率高的透射率。這是因為紋理結構提供了抗反射功能。由于待轉印對象141具有與作為轉印用模具的石英基板等效的特性，可以看出轉印已經良好地實施。從上述結果可以看出，根據本發(fā)明，在其表面上形成有紋理結構的這種模具可以在壓印方法中使用，且紋理結構的轉印可以實現(xiàn)。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例22使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。<實施例23>在實施例23中，按照與實施例12相同的方式，在待轉印對象141的待轉印面141a上，Ge膜(膜厚約10nm)通過濺射工藝形成作為加熱層142。隨后按照與實施例12相同的方式，形成結合的樣品146。因此，按照結合的樣品從模具143—面使用激光照射的方式，實施該壓印方法。對于如此形成的待轉印對象141,使用在實施例12中使用的評估設備進行循跡，且因此掃描了2500個軌道(即約lmm的寬度)。此時，待轉印對象141的旋轉線速度按照表9所示變化，且檢查是否發(fā)生循跡故障。符號O代表不發(fā)生循跡故障，符號x代表發(fā)生循跡故障。出于比較目的，實施例12的情形也示于表9。如表9所示可以看出，在從模具—面照射激光的條件下進行的壓印方法中，對于待轉印對象141,當旋轉線速度高于預定值時，循跡故障發(fā)生。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>從上述結果可以看出，可以提供一種壓印方法，其中通過從待轉印對象一面照射激光而提高轉印性能。注意，本發(fā)明的優(yōu)點不受在實施例23使用的材料、層配置、照射系統(tǒng)、照射方法、評估設備等限制。本發(fā)明不限于所具體4皮露的實施例，且可以進行變動和調整而不背離本發(fā)明的范圍。本申請是基于分別于2008年3月12、2008年3月12日和2008年12月25日提交的日本優(yōu)先申請No.2008-063168、2008-063169和2008-331051,其全部內容引用結合于此。權利要求1.壓印方法，在模具的凹凸面接觸待轉印對象的待轉印面的狀態(tài)下，使用電磁波照射以軟化該待轉印面，并將該凹凸面的凹凸形狀轉印到該待轉印面，所述壓印方法包括加熱層形成步驟，在該凹凸面上形成加熱層，該加熱層吸收該電磁波并產生熱；以及軟化步驟，通過該模具或該待轉印對象使用該電磁波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱，并軟化該待轉印面，其中該模具和該待轉印對象至少其一由透射該電磁波的材料制成。2.壓印方法，在模具的凹凸面接觸待轉印對象的待轉印面的狀態(tài)下，使用電磁波照射以軟化該待轉印面，并將該凹凸面的凹凸形狀轉印到該待轉印面，所述壓印方法包括加熱層形成步驟，在該待轉印面上形成加熱層，該加熱層吸收該電^茲波并產生熱；以及軟化步驟，通過該模具或該待轉印對象使用該電磁波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱，并軟化該待轉印面，其中該模具和該待轉印對象至少其一由透射該電石茲波的材料制成。3.如權利要求1所述的壓印方法，其中該模具具有另一凹凸面，且另一待轉印對象具有另一待轉印面；在該模具的兩個凹凸面接觸待轉印對象的兩個待轉印面的狀態(tài)下，使用該電》茲波照射，該待轉印面軟化，且兩個凹凸面的凹凸形狀轉印到兩個待轉印面；在該加熱層形成步驟中，在該兩個凹凸面上形成吸收該電；茲波并產生熱的加熱層；以及在該軟化步驟中，通過由透射該電^茲波的材料制成的該兩個待轉印對象使用該電磁波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱，并軟化該待轉印面。4.如權利要求2所述的壓印方法，其中該模具具有另一凹凸面，且另一待轉印對象具有另一待轉印面；在該模具的兩個凹凸面接觸待轉印對象的兩個待轉印面的狀態(tài)下，使用該電；茲波照射，該待轉印面軟化，且兩個凹凸面的凹凸形狀轉印到兩個待轉印面；在該加熱層形成步驟中，在該兩個待轉印面上形成吸收該電磁波并產生熱的力p熱層；以及在該軟化步驟中，通過由透射該電磁波的材料制成的該兩個待轉印對象使用該電磁波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱，并軟化該待轉印面。5.如權利要求3所述的壓印方法，其中在該軟化步驟中，通過該兩個待轉印對象使用該電^l波同時照射該加熱層。6.如權利要求4所述的壓印方法，其中在該軟化步驟中，通過該兩個待轉印對象使用該電磁波同時照射該加熱層。7.如權利要求1所述的壓印方法，其中該軟化步驟包括將照射的該電磁波聚焦在該加熱層上的聚焦步驟。8.如權利要求2所述的壓印方法，其中該軟化步驟包括將照射的該電磁波聚焦在該加熱層上的聚焦步驟。9.如權利要求7所述的壓印方法，其中在該聚焦步驟中，實施聚焦伺服控制。10.如權利要求8所述的壓印方法，其中在該聚焦步驟中，實施聚焦伺服控制。11.如權利要求1所述的壓印方法，其中考慮該加熱層的材^"的電^f茲波吸收量和熱導率來確定該加熱層的膜厚。12.如權利要求2所述的壓印方法，其中考慮該加熱層的材料的電磁波吸收量和熱導率來確定該加熱層的膜厚。13.如權利要求1所述的壓印方法，其中該加熱層的材料是金屬、半導體、電介質、半金屬和有機材料中的任意一種，或者是金屬、半導體、電介質、半金屬和有機材料中的任意至少兩種的混合物；該加熱層的材料包括相變材料；以及該加熱層為單層或者層疊在一起的多層。14.如權利要求2所述的壓印方法，其中該加熱層的材料是金屬、半導體、電介質、半金屬和有機材料中的任意一種，或者是金屬、半導體、電介質、半金屬和有機材料中的任意至少兩種的混合物；該加熱層的材料包括相變材料；以及該加熱層為單層或者層疊在一起的多層。15.如權利要求1所述的壓印方法，其中該電》茲波包括激光；以及用于激光照射的激光器為半導體激光器。16.如權利要求2所述的壓印方法，其中該電石茲波包括激光；以及用于激光照射的激光器為半導體激光器。17.如權利要求1所述的壓印方法，其中該模具為膜的形式。18.如權利要求2所述的壓印方法，其中該模具為膜的形式。19.模具，包括在使用電磁波的壓印方法中使用的凹凸面；以及形成于該凹凸面上的加熱層，其中該加熱層吸收該電石茲波并產生熱。20.如權利要求19所述的模具，其中在該壓印方法中，在模具的凹凸面接觸待轉印對象的待轉印面的狀態(tài)下，電磁波用來照射，該待轉印面軟化，且該凹凸面的凹凸形狀轉印到該待轉印面；加熱層形成在該凹凸面上，該加熱層吸收該電》茲波并產生熱；以及該加熱層通過該模具或該待轉印對象使用該電磁波照射，該加熱層被致使產生熱，且該待轉印面被軟化，其中該模具和該待轉印對象至少其一由透射該電^f茲波的材料制成。全文摘要本發(fā)明公開了一種壓印方法和模具。一種壓印方法，在模具的凹凸面接觸待轉印對象的待轉印面的狀態(tài)下，使用電磁波照射以軟化該待轉印面，并將該凹凸面的凹凸形狀轉印到該待轉印面，該壓印方法包括加熱層形成步驟，在該凹凸面上形成加熱層，該加熱層吸收該電磁波并產生熱；以及軟化步驟，通過該模具或該待轉印對象使用該電磁波照射該加熱層，致使該加熱層產生熱，并軟化該待轉印面，其中該模具和該待轉印對象至少其一由透射該電磁波的材料制成。文檔編號G03F7/00GK101533219SQ200910126538公開日2009年9月16日申請日期2009年3月12日優(yōu)先權日2008年3月12日發(fā)明者出口浩司,田中薰申請人:株式會社理光