專利名稱：發(fā)光裝置、曝光裝置、圖像形成裝置以及發(fā)光控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置、曝光裝置、圖 像形成裝置以及發(fā)光控制方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在諸如打印機(jī)或復(fù)印機(jī)等電子照相式圖像形成裝置中 采用下述這種對(duì)諸如感光鼓等圖像載體的外表面進(jìn)行曝光的曝光裝
置。該曝光裝置包括有諸如發(fā)光二極管(LED)等發(fā)光元件排成一 行(或列)的發(fā)光元件陣列。另外，由于現(xiàn)在越來(lái)越多的圖像形成 裝置具有顏色再現(xiàn)能力，因此能夠利用多個(gè)圖像形成部分輸出多色 圖像的圖像形成裝置得到實(shí)際應(yīng)用。在這種圖像形成裝置中，分別 包括曝光裝置的多個(gè)圖像形成部分并排布置。
在專利公報(bào)中披露了多種用于控制沿快速掃描方向的圖像偏移 的傳統(tǒng)技術(shù)。例如，其中一種傳統(tǒng)技術(shù)使用分別包括具有多個(gè)LED 的LED陣列的圖像形成部分，并且通過(guò)將LED的位置設(shè)定為發(fā)光目 標(biāo)來(lái)控制圖像偏移(見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開No.11-105344)。
同時(shí)，在專利公報(bào)所披露的另一種傳統(tǒng)技術(shù)中，如下在圖像形 成裝置中控制沿快速掃描方向的圖像偏移，其中該圖像形成裝置包 括分別包括有多個(gè)發(fā)光元件的多個(gè)記錄頭并且通過(guò)根據(jù)圖像信息選 擇性地使其中一些發(fā)光元件發(fā)光而形成圖像(見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開 No.10-24619)。具體而言，通過(guò)在除了圖像形成過(guò)程之外的時(shí)刻使 發(fā)光元件發(fā)光以便將記錄頭均勻加溫至一定溫度，從而在該圖像形 成裝置中控制圖像偏移。
這里，當(dāng)使用包括按列陣排列的多個(gè)發(fā)光元件的曝光裝置時(shí)， 可通過(guò)對(duì)原始圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行操作以改變待用于發(fā)光的LED，從而將 所得到的圖像沿快速掃描方向的圖像偏移控制在圖像數(shù)據(jù)的一個(gè)像
6素之內(nèi)。在此之前，如此小的圖像偏移無(wú)關(guān)緊要。然而，隨著近年 來(lái)圖像形成裝置的圖像質(zhì)量的提高，期望要求圖像形成裝置沿快速 掃描方向的定位精度比上述一個(gè)像素大小更精細(xì)。
本發(fā)明的目的是實(shí)現(xiàn)沿快速掃描方向的更精確的定位。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光元件 陣列，其具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多個(gè)發(fā)光元
件；供給單元，其供給對(duì)應(yīng)于第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述第二分 辨率為所述第一分辨率的1/m，其中m為不小于2的整數(shù)；設(shè)定單 元，其將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所述發(fā)光元件陣列中連
續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用從所述供給單元供給的所述發(fā)光 信號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件是 否以單個(gè)組為單位發(fā)光；以及校正單元，其以單個(gè)發(fā)光元件為單位
校正由所述設(shè)定單元進(jìn)行的對(duì)所述發(fā)光元件陣列中的多個(gè)發(fā)光元件 的劃分。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在所述發(fā)光裝置的第一方面中，所述
校正單元通過(guò)使所述連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件沿所述多個(gè)發(fā)光元件的任一 排列方向分別偏移n個(gè)發(fā)光元件來(lái)校正作為參考的對(duì)所述多個(gè)發(fā)光 元件的劃分，其中n為不小于l的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在所述發(fā)光裝置的第一方面或第二方 面中，所述校正單元通過(guò)從m起增加或減少構(gòu)成所述多組中之一的 發(fā)光元件的數(shù)量來(lái)校正作為參考的對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件的劃分。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種曝光裝置，包括發(fā)光元件 芯片，其包括基板和發(fā)光元件陣列，所述發(fā)光元件陣列具有在所述 基板上沿快速掃描方向排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件并且具有第一發(fā) 光元件組、第二發(fā)光元件組以及第三發(fā)光元件組，所述第一發(fā)光元 件組包括在所述快速掃描方向的中央部分排列的發(fā)光元件，所述第 二發(fā)光元件組包括從所述第一發(fā)光元件組沿所述快速掃描方向的一 端側(cè)排列的發(fā)光元件，并且所述第三發(fā)光元件組包括從所述第一發(fā)光元件組沿所述快速掃描方向的另一端側(cè)排列的發(fā)光元件；安裝部 件，多個(gè)所述發(fā)光元件芯片以鋸齒狀安裝到所述安裝部件上以在每 兩個(gè)相鄰發(fā)光元件芯片之間的邊界區(qū)域形成重疊部分，所述重疊部 分包括沿所述快速掃描方向彼此重疊的兩個(gè)相鄰發(fā)光元件芯片中之 一中的所述第二發(fā)光元件組和所述兩個(gè)相鄰發(fā)光元件芯片中另一個(gè) 中的所述第三發(fā)光元件組；供給部分，其向所述多個(gè)發(fā)光元件芯片 的每一個(gè)供給發(fā)光信號(hào)，所述發(fā)光信號(hào)將沿所述快速掃描方向連續(xù) 并且數(shù)目比構(gòu)成所述發(fā)光元件陣列的所述多個(gè)發(fā)光元件少的發(fā)光元 件設(shè)定為發(fā)光對(duì)象；校正部分，其校正所述多個(gè)發(fā)光元件芯片的每 一個(gè)中被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的所述發(fā)光元件的位置和數(shù)量中至少 任何一個(gè)；以及光學(xué)部件，其將由所述多個(gè)發(fā)光元件芯片發(fā)射的光 聚焦到圖像載體上。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在所述曝光裝置的第四方面中，所述 供給部分向所述多個(gè)發(fā)光元件芯片的每一個(gè)供給所述發(fā)光信號(hào)，以 使得被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的發(fā)光元件在每個(gè)所述重疊部分中沿所 述快速掃描方向是連續(xù)的。
根據(jù)本發(fā)明的第六方面，在所述曝光裝置的第四方面中，如果 所述重疊部分中被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的兩個(gè)發(fā)光元件沿所述快速 掃描方向彼此重疊，那么所述供給部分減小所述兩個(gè)發(fā)光元件的每 一個(gè)的發(fā)光強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的第七方面，在所述曝光裝置的第四方面中，如果 所述重疊部分中被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的兩個(gè)發(fā)光元件沿所述快速 掃描方向不連續(xù)，那么所述供給部分增大所述兩個(gè)發(fā)光元件的每一 個(gè)的發(fā)光強(qiáng)度。
在根據(jù)本發(fā)明的第八方面中，提供一種圖像形成裝置，其包括 多個(gè)圖像形成部分，每個(gè)圖像形成部分包括圖像載體；充電裝置， 其對(duì)所述圖像載體充電，曝光裝置，其對(duì)由所述充電裝置充電的所 述圖像載體進(jìn)行曝光，以在所述圖像載體上形成靜電潛像，所述曝 光裝置包括發(fā)光元件陣列、供給單元、設(shè)定單元以及校正單元，所 述發(fā)光元件陣列具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件，所述供給單元供給對(duì)應(yīng)于第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述
第二分辨率為所述第一分辨率的l/m，其中m為不小于2的整數(shù)， 所述設(shè)定單元將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所述發(fā)光元件陣 列中連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用從所述供給單元供給的所 述發(fā)光信號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光 元件是否以單個(gè)組為單位發(fā)光，并且所述校正單元以單個(gè)發(fā)光元件 為單位校正由所述設(shè)定單元進(jìn)行的對(duì)所述發(fā)光元件陣列中的多個(gè)發(fā) 光元件的劃分；顯影裝置，其將形成在所述圖像載體上的所述靜電 潛像顯影以在所述圖像載體上形成圖像；以及轉(zhuǎn)印裝置，其將形成 在所述圖像載體上的所述圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上。
根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供一種發(fā)光裝置的發(fā)光控制方法， 所述發(fā)光裝置包括具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多 個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件陣列，所述發(fā)光控制方法包括供給對(duì)應(yīng)于 第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述第二分辨率為所述第一分辨率的1/m， 其中m為不小于2的整數(shù)；將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所 述發(fā)光元件陣列中連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用所述發(fā)光信 號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件是否 以單個(gè)組為單位發(fā)光；以及以單個(gè)發(fā)光元件為單位校正對(duì)所述發(fā)光 元件陣列中的多個(gè)發(fā)光元件的劃分。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，可以實(shí)現(xiàn)沿所述快速掃描方向更精確的定位。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，可以校正發(fā)光元件陣列的發(fā)光位置在 所述快速掃描方向上的位置偏移。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，可以校正發(fā)光元件陣列的發(fā)光位置在 所述快速掃描方向上的倍率偏差。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，可以實(shí)現(xiàn)沿所述快速掃描方向更精確的定位。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，可以減少在通過(guò)曝光而得到的圖像上形成的沿慢速掃描方向 的黑色條紋和白色條紋。
9根據(jù)本發(fā)明的第六方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，可以減少在通過(guò)曝光而得到的圖像上形成的沿慢速掃描方向 的黑色條紋或白色條紋。
根據(jù)本發(fā)明的第七方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，可以減少在通過(guò)曝光而得到的圖像上形成的沿慢速掃描方向 的黑色條紋和白色條紋。
根據(jù)本發(fā)明的第八方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，所述圖像形成部分可以沿所述快速掃描方向更精確地對(duì)準(zhǔn)。
根據(jù)本發(fā)明的第九方面，與沒(méi)有采用根據(jù)本方面的構(gòu)造的情況 相比，可以實(shí)現(xiàn)沿所述快速掃描方向更精確的定位。
將基于以下附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中
圖1示出了應(yīng)用第一示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的整體構(gòu)造
實(shí)例；
圖2為L(zhǎng)PH的結(jié)構(gòu)的截面圖3A為各LPH的電路板和發(fā)光單元的頂視圖，而圖3B為L(zhǎng)PH
的棒狀透鏡陣列和保持器的頂視圖4為在發(fā)光單元中三個(gè)發(fā)光芯片連接的區(qū)域的放大視圖5示出了安裝在電路板上的信號(hào)生成電路的構(gòu)造和電路板的
配線構(gòu)造；
圖6為示出各發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的示意圖7示出了發(fā)光信號(hào)生成單元的構(gòu)造實(shí)例；
圖8示出了 LPH分別安裝在圖像形成裝置的框架上的實(shí)例；
圖9A、 9C、 9E以及9G為示出存儲(chǔ)在位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的
發(fā)光芯片名稱與位置校正數(shù)據(jù)組之間關(guān)系的表，而圖9B、 9D、 9F
以及9H為示出存儲(chǔ)在倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的發(fā)光芯片名稱與倍
率校正數(shù)據(jù)組之間關(guān)系的表；
圖IOA至IOC為分別示出位置校正數(shù)據(jù)組與各發(fā)光芯片中發(fā)光
點(diǎn)變化之間關(guān)系的示意圖；圖IIA至IIC為分別示出倍率校正數(shù)據(jù)組與各發(fā)光芯片中發(fā)光 點(diǎn)變化之間關(guān)系的示意圖12為示出在第一示例性實(shí)施例中各發(fā)光芯片如何操作的時(shí)
序圖13A至13D示出了 LPH中發(fā)光芯片的發(fā)光點(diǎn)；
圖14A、 14C、 14E以及14G為示出在設(shè)置在各LPH中的位置
校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的發(fā)光芯片名稱與位置校正數(shù)據(jù)組之間關(guān) 系的表，而圖14B、 14D、 14F以及14H為示出在設(shè)置在各LPH中 的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的發(fā)光芯片名稱與倍率校正數(shù)據(jù)組 之間關(guān)系的表；
圖15A至15E為分別示出倍率校正數(shù)據(jù)組與由倍率校正引起的 各發(fā)光芯片中發(fā)光點(diǎn)的光強(qiáng)之間關(guān)系的示意圖16A至16D示出了 LPH中發(fā)光芯片的發(fā)光點(diǎn)；
圖17A至17C為分別示出所示的位置校正數(shù)據(jù)組與各發(fā)光芯片 中發(fā)光點(diǎn)變化之間關(guān)系的示意圖18A至18C為分別示出倍率校正數(shù)據(jù)組與各發(fā)光芯片中發(fā)光 點(diǎn)變化之間關(guān)系的示意圖；以及
圖19為示出在第三示例性實(shí)施例中各發(fā)光芯片如何操作的時(shí) 序圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
<第一示例性實(shí)施例>
圖1示出了應(yīng)用第一示例性實(shí)施例的圖像形成裝置1的整體構(gòu) 造實(shí)例。圖像形成裝置1為串聯(lián)型圖像形成裝置，并且包括圖像形 成處理單元10和控制器20。圖像形成處理單元10形成分別對(duì)應(yīng)于 不同顏色的圖像數(shù)據(jù)組的圖像。與諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC) 2、或圖像 讀取裝置3或FAX (傳真機(jī))調(diào)制解調(diào)器4等裝置連接的控制器20 對(duì)從上述裝置接收到的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行圖像處理，并且控制整個(gè)圖像形成裝置1的操作。
圖像形成處理單元10包括作為多個(gè)圖像形成部分實(shí)例的四個(gè)
圖像形成單元11 (具體為11Y、 11M、 11C以及11K)。每個(gè)圖像 形成單元11包括感光鼓12、充電裝置13、 LED打印頭(LPH) 14 以及顯影裝置15。感光鼓12為圖像載體的實(shí)例。作為充電裝置實(shí)例 的充電裝置13對(duì)感光鼓12進(jìn)行充電。作為曝光裝置實(shí)例的LPH 14 根據(jù)從控制器20發(fā)送的圖像數(shù)據(jù)對(duì)已充電的感光鼓12進(jìn)行曝光。 作為顯影裝置實(shí)例的顯影裝置15利用調(diào)色劑對(duì)形成在感光鼓12上 的靜電潛像進(jìn)行顯影。另外，圖像形成處理單元IO還包括傳送帶16、 驅(qū)動(dòng)輥17、轉(zhuǎn)印輥18以及定影裝置19。傳送帶16用于傳送紙張， 通過(guò)多重轉(zhuǎn)印將分別在圖像形成單元11的各感光鼓12上形成的各 顏色調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紙張上。驅(qū)動(dòng)輥17驅(qū)動(dòng)傳送帶16。作為轉(zhuǎn)印 裝置實(shí)例的各轉(zhuǎn)印輥18將形成在對(duì)應(yīng)感光鼓12上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn) 印到紙張上。定影裝置19進(jìn)行加熱加壓從而將已轉(zhuǎn)印但未定影的調(diào) 色劑圖像定影在紙張上。
圖2為L(zhǎng)PH 14的結(jié)構(gòu)的截面圖。LPH 14包括發(fā)光單元63、電 路板62、棒狀透鏡陣列64以及保持器65。發(fā)光單元63包括多個(gè)LED。 發(fā)光單元63、驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元63的信號(hào)生成電路100 (見(jiàn)后面將說(shuō)明 的圖5)等安裝在電路板62上。作為光學(xué)部件實(shí)例的棒狀透鏡陣列 64將由發(fā)光單元63發(fā)射的光聚焦到感光鼓12的外表面上。保持器 65支撐電路板62和棒狀透鏡陣列64，并且從外部遮蔽發(fā)光單元63。
圖3A為各LPH 14的電路板62和發(fā)光單元63的頂視圖，而圖 3B為L(zhǎng)PH 14的棒狀透鏡陣列64和保持器65的頂視圖。如圖3A所 示，發(fā)光單元63包括在電路板62上沿慢速掃描方向按兩行呈鋸齒 狀排列的60個(gè)發(fā)光芯片C (Cl至C60)。這里，60個(gè)發(fā)光芯片C 為多個(gè)發(fā)光元件芯片的實(shí)例，而電路板62為安裝部件的實(shí)例。
同時(shí)，如圖3B所示，棒狀透鏡陣列64包括沿慢速掃描方向按 兩行以交錯(cuò)布置方式排列且由保持器65保持的多個(gè)棒狀透鏡64a。 例如，每個(gè)棒狀透鏡64a可以為具有圓柱形狀的梯度折射率透鏡， 該梯度折射率透鏡沿其徑向具有折射率分布以形成正立等倍實(shí)像。這種梯度折射率透鏡的實(shí)例包括SELFOC (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.的注冊(cè)商標(biāo))透鏡。圖4為在上述發(fā)光單元63中發(fā)光芯片Cl、 C2以及C3連接的 區(qū)域的放大視圖。這里，每個(gè)發(fā)光芯片C1至C60具有相同的結(jié)構(gòu)。 以發(fā)光芯片C2為例，其包括芯片基板70和發(fā)光元件陣列71。作為 基板實(shí)例的芯片基板70具有矩形形狀。作為發(fā)光元件陣列實(shí)例的發(fā) 光元件陣列71包括在芯片基板70的上表面上沿縱向延伸且按一行 布置的發(fā)光元件。具體而言，發(fā)光元件陣列71具有沿快速掃描方向 延伸且按一行排列的作為多個(gè)發(fā)光元件實(shí)例的260個(gè)發(fā)光晶閘管L。 在發(fā)光元件陣列71中，將每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光晶閘管L之間的中心間距 離設(shè)定為約21.15nm。相應(yīng)地，每個(gè)發(fā)光單元63，即每個(gè)LPH14沿 快速掃描方向具有每英寸1200點(diǎn)(dpi)的輸出分辨率(第一分辨率)。此外，如圖4所示，例如，在彼此相鄰的發(fā)光芯片Cl與C2之 間的邊界區(qū)域中形成重疊部分。在此重疊部分中，設(shè)置在發(fā)光芯片 C1右邊緣部的四個(gè)發(fā)光晶閘管L沿著快速掃描方向分別與設(shè)置在發(fā) 光芯片C2左邊緣部的四個(gè)發(fā)光晶閘管L相重疊。同時(shí)，例如，在彼 此相鄰的發(fā)光芯片C2與C3之間的邊界區(qū)域中也形成重疊部分。在 此重疊部分中，設(shè)置在發(fā)光芯片C2右邊緣部的四個(gè)發(fā)光晶閘管L沿 著快速掃描方向分別與設(shè)置在發(fā)光芯片C3左邊緣部的四個(gè)發(fā)光晶 閘管L相重疊。注意到，在發(fā)光芯片C3至C60中的每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā) 光芯片之間的邊界區(qū)域中形成相似的重疊部分。圖5示出了安裝在電路板62 (見(jiàn)圖2)上的信號(hào)生成電路100 的構(gòu)造和電路板62的配線構(gòu)造。信號(hào)生成電路IOO接收來(lái)自控制器20 (見(jiàn)圖1)的線路同步信 號(hào)Lsync、視頻數(shù)據(jù)組Vdata、時(shí)鐘信號(hào)clk以及諸如復(fù)位信號(hào)RST 等各種控制信號(hào)。信號(hào)生成電路IOO包括發(fā)光信號(hào)生成單元110?；?于從外部接收到的各種控制信號(hào)，發(fā)光信號(hào)生成單元110進(jìn)行諸如 對(duì)視頻數(shù)據(jù)組Vdata的內(nèi)容進(jìn)行排序(sorting)和校正輸出值等處理， 并且將發(fā)光信號(hào)(pl (cpll至cpl60)輸出到發(fā)光芯片C (Cl至C60)。 注意到，在第一示例性實(shí)施例中，向發(fā)光芯片C (Cl至C60)供給13元120?；?從外部接收到的各種控制信號(hào)，轉(zhuǎn)移信號(hào)生成單元120將開始轉(zhuǎn)移 信號(hào)cpS、第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl以及第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2輸出到各發(fā)光芯片 Cl至C60。電路板62設(shè)置有電源線路101和電源線路102。電源線路101 為與各發(fā)光芯片Cl至C60的Vcc端子連接的Vcc=-5.0V的電源線 路。電源線路102為接地線路，其與各發(fā)光芯片Cl至C60的GND 端子連接。電路板62還設(shè)置有開始轉(zhuǎn)移信號(hào)線路103、第一轉(zhuǎn)移信 號(hào)線路104以及第二轉(zhuǎn)移信號(hào)線路105，從信號(hào)生成電路100的轉(zhuǎn)移 信號(hào)生成單元120通過(guò)這些信號(hào)線路分別發(fā)送開始轉(zhuǎn)移信號(hào)(pS、第 一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl以及第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2。電路板62還設(shè)置有60條發(fā) 光信號(hào)線路106 (106—1至106—60)，通過(guò)這些發(fā)光信號(hào)線路從信號(hào) 生成電路100的發(fā)光信號(hào)生成單元110分別將發(fā)光信號(hào)(pl (cpll至 cpl60)輸出到發(fā)光芯片C (C1至C60)。注意到，電路板62還設(shè)置 有分別用于防止過(guò)電流流過(guò)60條發(fā)光信號(hào)線路106 ( 106—1至 106—60)的60個(gè)發(fā)光電流限制電阻器RID。另外，可將每個(gè)發(fā)光信 號(hào)cpll至(pl60設(shè)定成后面將說(shuō)明的高電平(H)或低電平(L)。低 電平對(duì)應(yīng)于-5.0V的電位，而高電平對(duì)應(yīng)于士O.OV的電位。圖6為示出各發(fā)光芯片C (C1至C60)的電路構(gòu)造的示意圖。 每個(gè)發(fā)光芯片C包括260個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260和260個(gè)發(fā) 光晶閘管L1至L260。注意到，各發(fā)光晶閘管L1至L260具有與各 轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260相同的p叩n結(jié)，并且利用pnpn結(jié)中的pn結(jié) 也用作發(fā)光二極管(LED)。發(fā)光芯片C還包括259個(gè)二極管Dl 至D259和260個(gè)電阻器Rl至R260。發(fā)光芯片C還包括用于防止 過(guò)電流流過(guò)用于供給第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl、第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2以及開始 轉(zhuǎn)移信號(hào)(()S的信號(hào)線路的轉(zhuǎn)移電流限制電阻器R1A、R2A以及R3A。 構(gòu)成發(fā)光元件陣列71的發(fā)光晶閘管Ll至L260從圖6的左側(cè)以Ll， L2， ...， L259， L260的順序排列，由此形成發(fā)光元件陣列71 。類似 地，轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260從圖6的左側(cè)以Sl， S2， ...， S259， S260的順序排列，由此形成開關(guān)元件陣列72。此外，二極管D1至D259 從圖6的左側(cè)以D1， D2， ...， D258, D259的順序排列，并且電阻 器Rl至R260從圖6的左側(cè)以Rl， R2， ...， R259， R260的順序排 列。在下文中，將說(shuō)明發(fā)光芯片C中各元件之間的電氣連接。各轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的陽(yáng)極端子與GND端子連接。與電 源線路102 (見(jiàn)圖5)連接的GND端子通過(guò)該線路接地。各奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl， S3， ...， S259的陰極端子經(jīng)由轉(zhuǎn) 移電流限制電阻器R1A與(pl端子連接。通過(guò)第一轉(zhuǎn)移信號(hào)線路104 (見(jiàn)圖5)對(duì)與該線路104連接的cpl端子供給第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl。同時(shí)，各偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S2， S4， ...， S260的陰極端子 經(jīng)由轉(zhuǎn)移電流限制電阻器R2A與cp2端子連接。通過(guò)第二轉(zhuǎn)移信號(hào) 線路105 (見(jiàn)圖5)對(duì)與該線路105連接的(p2端子供給第二轉(zhuǎn)移信 號(hào)cp2。轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的門極端子Gl至G260經(jīng)由對(duì)應(yīng)于各轉(zhuǎn) 移晶閘管S1至S260設(shè)置的電阻器R1至R260分別與Vcc端子連接。 通過(guò)電源線路101 (見(jiàn)圖5)對(duì)與該線路101連接的Vcc端子提供電 源電壓Vcc (-5.0V)。轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的門極端子Gl至G260還分別與發(fā)光晶 閘管Ll至L260的門極端子連接。具體而言，各轉(zhuǎn)移晶閘管以一對(duì) 一的方式與標(biāo)有與轉(zhuǎn)移晶鬧管相同序號(hào)的對(duì)應(yīng)的發(fā)光晶閘管連接。另外，二極管Dl至D259的陽(yáng)極端子分別與轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至 S259的門極端子Gl至G259連接。此外，這些二極管Dl至D259 的各陰極端子與相鄰的所標(biāo)序號(hào)比該二極管序號(hào)大1的轉(zhuǎn)移晶閘管 S2至S260的門極端子G2至G260連接。換言之，二極管Dl至D259 在將轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的門極端子G2至G259中之一夾在每?jī)?個(gè)相鄰二極管之間的狀態(tài)下串聯(lián)連接。二極管Dl的陽(yáng)極端子，即轉(zhuǎn)移晶閘管Sl的門極端子Gl經(jīng)由 轉(zhuǎn)移電流限制電阻器R3A與cpS端子連接。通過(guò)開始轉(zhuǎn)移信號(hào)線路 103 (見(jiàn)圖5)對(duì)cpS端子供給開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS。同時(shí)，類似于各轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的陽(yáng)極端子，各發(fā)光晶間管Ll至L260的陽(yáng)極端子與GND端子連接。各發(fā)光晶閘管L1至L260的陰極端子與cpl端子連接。通過(guò)發(fā)光 信號(hào)線路106 (對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片Cl的發(fā)光信號(hào)線路106—1:見(jiàn)圖5) 對(duì)與該線路106連接的cpl端子供給發(fā)光信號(hào)cpl (對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片 Cl的發(fā)光信號(hào)cpll)。注意到，分別對(duì)其他發(fā)光芯片C2至C60供給 對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)cpl2至cpl60。這里，隨著形成發(fā)光單元63，在每個(gè)發(fā)光芯片C中設(shè)置在圖6 中左側(cè)的四個(gè)發(fā)光晶閘管Ll至L4與設(shè)置在圖6中右側(cè)的四個(gè)發(fā)光 晶鬧管L257至L260構(gòu)成圖4所示的重疊部分。注意到，每個(gè)發(fā)光芯片C具有如上所述的總共260個(gè)發(fā)光晶閘 管L1至L260。然而，在實(shí)際的圖像形成操作中每個(gè)發(fā)光芯片C使 用數(shù)目少于總共260個(gè)發(fā)光晶閘管的發(fā)光晶閘管作為發(fā)光點(diǎn)。這里， "發(fā)光點(diǎn)"表示在圖像形成操作(曝光操作)中使其發(fā)光或者不發(fā) 光的發(fā)光晶閘管L。更具體而言，通常將連續(xù)設(shè)置在中央部分的256 個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L258用作發(fā)光點(diǎn)。然而，根據(jù)后面將說(shuō)明的沿 快速掃描方向的位置校正結(jié)果，有時(shí)可將包括設(shè)置在圖6中左側(cè)的 發(fā)光晶閘管L2或設(shè)置在圖6中右側(cè)的發(fā)光晶閘管L259在內(nèi)的連續(xù) 的256個(gè)發(fā)光晶閘管用作發(fā)光點(diǎn)。同時(shí)，根據(jù)后面將說(shuō)明的沿快速 掃描方向的倍率校正結(jié)果，有時(shí)可將連續(xù)的255或257個(gè)發(fā)光晶閘 管用作發(fā)光點(diǎn)。此外，根據(jù)沿快速掃描方向的位置校正和倍率校正 的結(jié)果，有時(shí)可將包括設(shè)置在圖6中左側(cè)的發(fā)光晶閘管Ll和L2或 設(shè)置在圖6中右側(cè)的發(fā)光晶閘管L259和L260在內(nèi)的連續(xù)的257個(gè) 發(fā)光晶閘管用作發(fā)光點(diǎn)。然而，在每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光芯片C (例如，發(fā)光芯片Cl和C2) 的重疊部分中，將設(shè)置在沿快速掃描方向的相同點(diǎn)上的每?jī)蓚€(gè)發(fā)光 晶閘管中的任一個(gè)用作發(fā)光點(diǎn)，而另一個(gè)發(fā)光晶閘管不用作發(fā)光點(diǎn) (例如，在發(fā)光芯片Cl和C2的重疊部分中，將發(fā)光芯片Cl的發(fā) 光晶閘管L258和發(fā)光芯片C2的發(fā)光晶閘管L2中的任一個(gè)用作發(fā)光 點(diǎn)，而另一個(gè)發(fā)光晶閘管不用作發(fā)光點(diǎn))。注意到，在下面的說(shuō)明中，在構(gòu)成每個(gè)發(fā)光芯片C的發(fā)光晶閘管L1至L260中，將沒(méi)有用 作發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光晶閘管L稱作"非發(fā)光點(diǎn)"。此外，在下面的說(shuō)明中，將設(shè)置在每個(gè)發(fā)光芯片c的中央部分的256個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L258統(tǒng)稱為通常發(fā)光點(diǎn)組LA。同時(shí)，將 設(shè)置在發(fā)光芯片C最左側(cè)部分的兩個(gè)發(fā)光晶閘管Ll和L2統(tǒng)稱為第 一備用發(fā)光點(diǎn)組LB，并且將設(shè)置在發(fā)光芯片C的最右側(cè)部分的兩個(gè) 發(fā)光晶閘管L259和L260統(tǒng)稱為第二備用發(fā)光點(diǎn)組LC。這里，通常 發(fā)光點(diǎn)組LA、第一備用發(fā)光點(diǎn)組LB以及第二備用發(fā)光點(diǎn)組LC分 別等同于第一發(fā)光元件組、第二發(fā)光元件組以及第三發(fā)光元件組。 圖7示出了如圖5所示的發(fā)光信號(hào)生成單元IIO的構(gòu)造實(shí)例。 發(fā)光信號(hào)生成單元110包括圖像數(shù)據(jù)排序部分111。圖像數(shù)據(jù) 排序部分111將接收到的視頻數(shù)據(jù)組Vdata的內(nèi)容進(jìn)行排序，并且 將專用于發(fā)光芯片C1至C60的不同圖像數(shù)據(jù)組分別輸出到發(fā)光芯片 Cl至C60。發(fā)光信號(hào)生成單元110還包括位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112 和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113。位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112在其中存儲(chǔ)對(duì) 各發(fā)光芯片C1至C60預(yù)先設(shè)定的沿快速掃描方向的位置校正的數(shù)據(jù) 組。倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113在其中存儲(chǔ)對(duì)各發(fā)光芯片Cl至C60 預(yù)先設(shè)定的沿快速掃描方向的倍率校正的數(shù)據(jù)組。此外，發(fā)光信號(hào) 生成單元110還包括對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C60設(shè)置的60個(gè)發(fā)光 信號(hào)生成部分114 (114—1至114—60)。每個(gè)發(fā)光信號(hào)生成部分114 對(duì)從圖像數(shù)據(jù)排序部分111輸入的專用于對(duì)應(yīng)的發(fā)光芯片的圖像數(shù) 據(jù)組進(jìn)行以下兩種校正利用從位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器U2讀出的專 用于該發(fā)光芯片的位置校正數(shù)據(jù)組來(lái)進(jìn)行其中一種校正；利用從倍 率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113讀出的專用于該發(fā)光芯片的倍率校正數(shù)據(jù)組 進(jìn)行另一種校正。之后，發(fā)光信號(hào)生成部分114—1至114—60輸出通 過(guò)這些校正所得到的各發(fā)光信號(hào)cpll至(pl60。注意到，在第一示例 性實(shí)施例中，發(fā)光信號(hào)生成部分114 (114—1至114_60)分別用作供 給單元、設(shè)定單元以及校正單元，也共同用作供給部分和校正部分。 注意到，盡管構(gòu)成每個(gè)LPH 14的發(fā)光單元63沿快速掃描方向 具有如上所述的1200dpi的輸出分辨率，但在第一示例性實(shí)施例中，輸入到發(fā)光信號(hào)生成單元110中的視頻數(shù)據(jù)組Vdata沿快速掃描方 向具有600dpi的分辨率(第二分辨率)。換言之，發(fā)光信號(hào)生成單 元110的分辨率為L(zhǎng)PH 14的輸出分辨率的一半(1/2)。相應(yīng)地， 在第一示例性實(shí)施例中，在發(fā)光信號(hào)生成部分114(114—1至114—60) 生成各發(fā)光信號(hào)cpl (cpll至(pl60)的方法中添加新的手段以便以大 約600dpi的輸出分辨率操作發(fā)光單元63。這可以通過(guò)使對(duì)應(yīng)于各發(fā) 光信號(hào)生成部分114的各發(fā)光芯片C (Cl至C60)基本上驅(qū)動(dòng)兩個(gè) 相鄰的發(fā)光晶閘管L對(duì)來(lái)實(shí)現(xiàn)。后面將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
在下文中，將說(shuō)明在每個(gè)LPH 14中進(jìn)行的沿快速掃描方向的位 置校正和倍率校正。
在第一示例性實(shí)施例中，使用參考圖l所說(shuō)明的圖像形成裝置 1中的四個(gè)圖像形成單元11 (IIY、 IIM、 IIC、 11K)形成圖像。 相應(yīng)地，對(duì)應(yīng)于各種顏色設(shè)置LPH 14。然而，由于安裝有每個(gè)LPH 14的圖像形成裝置1的框架和LPH 14本身的精度限制，因此使得難 于以使LPH 14的位置沿快速掃描方向相對(duì)于圖像形成裝置l對(duì)準(zhǔn)的 方式將LPH 14安裝到圖像形成裝置1上。這樣，在此圖像形成裝置 l中，為了沿快速掃描方向精確地對(duì)準(zhǔn)由各LPH 14發(fā)射的光束，進(jìn) 行沿快速掃描方向的位置校正。注意到，在下面的說(shuō)明中，將沿快 速掃描方向的位置校正簡(jiǎn)稱為位置校正。
另外，對(duì)于發(fā)光芯片C安裝到每個(gè)LPH 14上的安裝精度和在 每個(gè)發(fā)光芯片C中發(fā)光晶閘管L的形成精度也存在限制，并且這些 限制使得難于使設(shè)置在各LPH 14中的發(fā)光晶閘管陣列的長(zhǎng)度彼此相 等。這樣，在此圖像形成裝置1中，為了使由各LPH14發(fā)射的光束 沿快速掃描方向精確地具有相等的長(zhǎng)度，進(jìn)行沿快速掃描方向的倍 率校正。注意到，在下面的說(shuō)明中，將沿快速掃描方向的倍率校正 簡(jiǎn)稱為倍率校正。
圖8示出了構(gòu)成圖像形成單元11 (具體為IIY、 IIM、 11C以 及11K)的LPH 14 (具體為14Y、 14M、 14C以及14K)分別安裝 在圖像形成裝置1的未示出的框架上的實(shí)例。注意到，圖8的左側(cè) 和右側(cè)分別對(duì)應(yīng)于圖1所示的圖像形成裝置1的前側(cè)(IN)和后側(cè)(OUT)。順便提及，利用LPH 14中任一個(gè)作為參考進(jìn)行上述位置 校正和倍率校正。下面，將說(shuō)明利用黃色LPH 14Y作為參考而分別 對(duì)品紅色LPH 14M、藍(lán)綠色LPH 14C以及黑色LPH 14K進(jìn)行位置校 正和倍率校正的情況。
注意到，在進(jìn)行這些位置校正和倍率校正之前的初始條件下， 在LPH14的各發(fā)光芯片C (C1至C60)中將通常發(fā)光點(diǎn)組LA (發(fā) 光晶閘管L3至L258)設(shè)定為發(fā)光點(diǎn)。這樣，位于每個(gè)LPH14的IN 側(cè)端的第1個(gè)發(fā)光點(diǎn)為發(fā)光芯片Cl的發(fā)光晶閘管L3 (見(jiàn)圖6)，而 位于每個(gè)LPH 14的OUT側(cè)端的第15360個(gè)發(fā)光點(diǎn)為發(fā)光芯片C60 的發(fā)光晶閘管L258 (見(jiàn)圖6)。
另外，在第一示例性實(shí)施例中，圖像的每個(gè)像素基本上由兩個(gè) 發(fā)光點(diǎn)形成，從而沿快速掃描方向分別具有1200dpi輸出分辨率的各 LPH 14用于輸出如上所述的600dpi的數(shù)據(jù)。這樣，初始條件包括將 每個(gè)發(fā)光芯片C1的發(fā)光晶閘管L3和L4 (第l個(gè)和第2個(gè)發(fā)光點(diǎn) 見(jiàn)圖6)用于形成第1個(gè)像素VI以及將每個(gè)發(fā)光芯片C60的發(fā)光晶 閘管L257和L258 (第15359個(gè)和第15360個(gè)發(fā)光點(diǎn)見(jiàn)圖6)用于 形成第7680個(gè)像素V7680的設(shè)定。這里，假設(shè)在黃色LPH 14Y中 第一個(gè)像素VI和第7680個(gè)像素V7680沿快速掃描方向的位置分別 為第一參考位置Ul和第二參考位置U2。
然后，在品紅色LPH14M中，第1個(gè)像素VI沿快速掃描方向 的位置相對(duì)于第一參考位置Ul向OUT側(cè)偏移0.5個(gè)像素(一個(gè)發(fā) 光點(diǎn))，并且第7680個(gè)像素V7680沿快速掃描方向的位置相對(duì)于第 二參考位置U2向OUT側(cè)偏移0.5個(gè)像素(一個(gè)發(fā)光點(diǎn))。相應(yīng)地， 品紅色LPH 14M相對(duì)于黃色LPH 14Y沿快速掃描方向向OUT側(cè)呈 現(xiàn)0.5個(gè)像素的位置偏移。在下面的說(shuō)明中，將此位置偏移稱作OUT 側(cè)位置偏移。
注意到，這里，已經(jīng)說(shuō)明了沿快速掃描方向向OUT側(cè)發(fā)生位置 偏移的情況。然而，可能發(fā)生相反的情況§卩，第1個(gè)像素V1沿快 速掃描方向的位置相對(duì)于第一參考位置Ul向IN側(cè)偏移0.5個(gè)像素 (一個(gè)發(fā)光點(diǎn))，并且第7680個(gè)像素V7680沿快速掃描方向的位置
19相對(duì)于第二參考位置U2向IN側(cè)偏移0.5個(gè)像素(一個(gè)發(fā)光點(diǎn))， 從而沿快速掃描方向向IN側(cè)發(fā)生0.5個(gè)像素的位置偏移。在下面的 說(shuō)明中，將此位置偏移稱作IN側(cè)位置偏移。
同時(shí)，在藍(lán)綠色LPH 14C中，第1個(gè)像素VI沿快速掃描方向 的位置相對(duì)于第一參考位置Ul沒(méi)有偏移，但第7680個(gè)像素V7680 沿快速掃描方向的位置相對(duì)于第二參考位置U2向IN側(cè)偏移0.5個(gè) 像素(一個(gè)發(fā)光點(diǎn))。相應(yīng)地，藍(lán)綠色LPH 14C具有沿快速掃描方 向比黃色LPH 14Y短0.5個(gè)像素的長(zhǎng)度差值(倍率偏差)。在下面 的說(shuō)明中，將此倍率偏差稱作尺寸縮小偏差。
另一方面，在黑色LPH 14K中，第1個(gè)像素VI沿快速掃描方 向的位置相對(duì)于第一參考位置U1沒(méi)有偏移，但第7680個(gè)像素V7680 沿快速掃描方向的位置相對(duì)于第二參考位置U2向OUT側(cè)偏移0.5 個(gè)像素(一個(gè)發(fā)光點(diǎn))。相應(yīng)地，黑色LPH 14K具有沿快速掃描方 向比黃色LPH 14Y長(zhǎng)0.5個(gè)像素的長(zhǎng)度差值(倍率偏差)。在下面 的說(shuō)明中，將此倍率偏差稱作尺寸放大偏差。
圖9A、 9C、 9E以及9G為示出存儲(chǔ)在位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112 (見(jiàn)圖7)中的發(fā)光芯片名稱與位置校正數(shù)據(jù)組P之間關(guān)系的表，而 圖9B、 9D、 9F以及9H為示出存儲(chǔ)在倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113 (見(jiàn) 圖7)中的發(fā)光芯片名稱與倍率校正數(shù)據(jù)組M之間關(guān)系的表。這里， 位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113設(shè)置在如上所 述的每個(gè)LPH 14中。圖9A至9H示出了當(dāng)在圖8所示的條件下將 黃色LPH 14Y、品紅色LPH 14M、藍(lán)綠色LPH 14C以及黑色LPH 14K 安裝到圖像形成裝置1中時(shí)所設(shè)定的各 種校正數(shù)據(jù)組。注意到，例 如獲取對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光芯片C的位置校正數(shù)據(jù)組P和倍率校正數(shù)據(jù) 組M作為出廠默認(rèn)設(shè)定值，并且將該位置校正數(shù)據(jù)組P和倍率校正 數(shù)據(jù)組M分別存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的LPH 14的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和 倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中。
這里，圖9A和9B分別示出了存儲(chǔ)在黃色LPH 14Y的位置校 正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。圖9C和 9D分別示出了存儲(chǔ)在品紅色LPH 14M的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。圖9E和9F分別示出了存儲(chǔ)在藍(lán)綠色LPH 14C的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。圖9G和9H分別示出了存儲(chǔ)在黑色LPH 14K的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。
如圖9A所示，在黃色LPH 14Y的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112中，將參考位置校正數(shù)據(jù)組P0設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C60的各位置校正數(shù)據(jù)組P。同時(shí)，如圖9B所示，在黃色LPH 14Y的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中，將參考倍率校正數(shù)據(jù)組MO設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C60的各倍率校正數(shù)據(jù)組M。
如圖9C所示，在品紅色LPH 14M的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112中，將第一位置校正數(shù)據(jù)組Pl設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C60的各位置校正數(shù)據(jù)組P。同時(shí)，如圖9D所示，在品紅色LPH 14M的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中，將參考倍率校正數(shù)據(jù)組MO設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C60的各倍率校正數(shù)據(jù)組M。
如圖9E所示，在藍(lán)綠色LPH 14C的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112中，將參考位置校正數(shù)據(jù)組P0設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C4的各位置校正數(shù)據(jù)組P，并且將第二位置校正數(shù)據(jù)組P2設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片C5至C60的各位置校正數(shù)據(jù)組P。同時(shí)，如圖9F所示，在藍(lán)綠色LPH 14C的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中，將參考倍率校正數(shù)據(jù)組M0設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C3和C5至C60的各倍率校正數(shù)據(jù)組M，并且將第一倍率校正數(shù)據(jù)組Ml設(shè)定為對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片C4的倍率校正數(shù)據(jù)組M。
如圖9G所示，在黑色LPH 14K的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112中，將參考位置校正數(shù)據(jù)組P0設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C4的各位置校正數(shù)據(jù)組P，并且將第一位置校正數(shù)據(jù)組Pl設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片C5至C60的各位置校正數(shù)據(jù)組P。同時(shí)，如圖9H所示，在黑色LPH 14K的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中，將參考倍率校正數(shù)據(jù)組MO設(shè)定為對(duì)應(yīng)于各發(fā)光芯片Cl至C3和C5至C60的各倍率校正數(shù)據(jù)組M，并且將第二倍率校正數(shù)據(jù)組M2設(shè)定為對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片C4的倍率校正數(shù)據(jù)組M。圖IOA至IOC為分別示出位置校正數(shù)據(jù)組P與由位置校正引起的各發(fā)光芯片C中發(fā)光點(diǎn)變化之間關(guān)系的示意圖。如上所述，位置校正數(shù)據(jù)組P可以為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO、或第一位置校正數(shù)據(jù)組Pl或第二位置校正數(shù)據(jù)組P2。這里，圖10A至10C分別示出了P=P0， P=P1以及P=P2的情況。
如圖10A所示，在P-P0的情況下，通常發(fā)光點(diǎn)組LA，即發(fā)光晶閘管L3至L258保持設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L258形成128個(gè)像素Wl至W128。在此情況下，各像素Wl至W128由奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管和鄰近于該奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管右側(cè)的偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管形成。具體而言，例如，位于圖IOA左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L3和L4形成，而位于圖IOA右側(cè)的像素W128由發(fā)光晶鬧管L257和L258形成。
相反，如圖10B所示，在P-P1的情況下，將通常發(fā)光點(diǎn)組LA中除了發(fā)光晶閘管L258之外的所有發(fā)光晶閘管以及第一備用發(fā)光點(diǎn)組LB的第2個(gè)發(fā)光晶閘管L2設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。換言之，將發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L2至L257，這樣發(fā)光點(diǎn)向IN側(cè)偏移一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L2至L257形成128個(gè)像素Wl至W128。在此情況下，各像素W1至W128由偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管和鄰近于該偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管右側(cè)的奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管形成。具體而言，例如，位于圖10B左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L2和L3形成，而位于圖10B右側(cè)的像素W128由發(fā)光晶閘管L256和L257形成。
另一方面，如圖IOC所示，在P二P2的情況下，將通常發(fā)光點(diǎn)組LA中除了發(fā)光晶閘管L3之外的所有發(fā)光晶閘管以及第二備用發(fā)光點(diǎn)組LC的第259個(gè)發(fā)光晶閘管L259設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。換言之，將發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L4至L259，這樣發(fā)光點(diǎn)向OUT側(cè)偏移一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L4至L259形成128個(gè)像素Wl至W128。在此情況下，各像素W1至W128由偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管和鄰近于該偶數(shù)序號(hào)的
22發(fā)光晶閘管右側(cè)的奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管形成。具體而言，例如，
位于圖IOC左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L4和L5形成，而位于圖10C右側(cè)的像素W128由發(fā)光晶閘管L258和L259形成。
圖11A至11C為分別示出倍率校正數(shù)據(jù)組M與由倍率校正引起的各發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)變化之間關(guān)系的示意圖。如上所述，倍率校正數(shù)據(jù)組M可以為參考倍率校正數(shù)據(jù)組M0、或第一倍率校正數(shù)據(jù)組Ml或第二倍率校正數(shù)據(jù)組M2。這里，圖11A至11C分別示出了 M=M0、 M=M1和M=M2的情況。
如圖11A所示，在M-M0的情況下，通常發(fā)光點(diǎn)組LA，即發(fā)光晶閘管L3至L258保持設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L258形成128個(gè)像素Wl至W128。在此情況下，各像素Wl至W128由奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管和鄰近于該奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管右側(cè)的偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管形成。具體而言，例如，位于圖IIA左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L3和L4形成，而位于圖IIA右側(cè)的像素W128由發(fā)光晶閘管L257和L258形成。
相反，如圖11B所示，在M=M1的情況下，將通常發(fā)光點(diǎn)組LA的所有發(fā)光晶閘管和第二備用發(fā)光點(diǎn)組LC的第259個(gè)發(fā)光晶閘管L259設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。換言之，將發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L3至L259，這樣發(fā)光點(diǎn)在圖11B的右側(cè)(圖8中的OUT側(cè))增加一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用257個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L259形成128個(gè)像素Wl至W128。在此情況下，各像素Wl至W127由奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管和鄰近于該奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管的偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管形成。具體而言，例如，位于圖IIB左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L3和L4形成，而位于圖11B右側(cè)的像素W127由發(fā)光晶閘管L255和L256形成。同時(shí)，位于圖11B右側(cè)的像素W128由三個(gè)發(fā)光點(diǎn)，即奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L257、鄰近于發(fā)光晶閘管L257右側(cè)的偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L258以及鄰近于發(fā)光晶閘管L258右側(cè)的奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L259形成。另一方面，如圖11C所示，在M-M2的情況下，將通常發(fā)光點(diǎn)組LA中除了發(fā)光晶閘管L258之外的所有發(fā)光晶閘管設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。換言之，將發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L3至L257，這樣，發(fā)光點(diǎn)在圖11C的右側(cè)(圖8中的OUT偵ij)減少一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用255個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L257形成128個(gè)像素Wl至W128。在此情況下，各像素Wl至W127由奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管和鄰近于該奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管右側(cè)的偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管形成。具體而言，例如，位于圖IIC左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L3和L4形成，而位于圖11C右側(cè)的像素W127由發(fā)光晶閘管L255和L256形成。同時(shí)，位于圖11C右側(cè)的像素W128僅由一個(gè)發(fā)光點(diǎn)，即奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L257形成。
在下文中，將說(shuō)明由圖1所示的圖像形成裝置1的各LPH 14進(jìn)行的曝光操作。
在開始圖像形成操作時(shí)，控制器20將視頻數(shù)據(jù)組Vdata分別發(fā)送到構(gòu)成圖像形成單元11的各LPH14的信號(hào)生成電路100。作為響應(yīng)，在設(shè)置在各LPH14中的信號(hào)生成電路100中，轉(zhuǎn)移信號(hào)生成單元120將基于所接收到的控制信號(hào)等而生成的開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS、第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl以及第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2輸出到構(gòu)成發(fā)光單元63的60個(gè)發(fā)光芯片C (Cl至C60)。另外，在信號(hào)生成電路100中，發(fā)光信號(hào)生成單元110將60個(gè)發(fā)光信號(hào)(pl (cpll至cpl60)分別輸出到構(gòu)成發(fā)光單元63的60個(gè)發(fā)光芯片C (Cl至C60)。這里，發(fā)光信號(hào)cpll至cpl60對(duì)應(yīng)于沿快速掃描方向的一行且是基于所接收到的視頻數(shù)據(jù)組Vdata而生成的。作為響應(yīng)，在各LPH 14的發(fā)光單元63中，各發(fā)光芯片Cl至C60使得其發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)所接收到的發(fā)光信號(hào)cpll至cpl60中之一獨(dú)立地發(fā)光或不發(fā)光，由此選擇性地對(duì)對(duì)應(yīng)的感光鼓12進(jìn)行曝光。注意到，在此情況下，各發(fā)光芯片Cl至C60以如下方式設(shè)定其發(fā)光晶閘管L1至L260。具體而言，發(fā)光芯片C使得被設(shè)定為發(fā)光點(diǎn)的每個(gè)發(fā)光晶閘管L發(fā)光或不發(fā)光，而使得被設(shè)定為非發(fā)光點(diǎn)的每個(gè)發(fā)光晶閘管L不發(fā)光。
接下來(lái)，將參考圖12所示的時(shí)序圖詳細(xì)地說(shuō)明在此曝光操作過(guò)程中各發(fā)光芯片C如何操作。注意到，在圖12中，示出第一發(fā)光信
號(hào)cpla、第二發(fā)光信號(hào)(plb、第三發(fā)光信號(hào)(plc、第四發(fā)光信號(hào)(pld 以及第五發(fā)光信號(hào)cple作為發(fā)光信號(hào)cpl。這里，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組P 和倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO和參考倍率校 正數(shù)據(jù)組MO時(shí)，采用第一發(fā)光信號(hào)(pla。此外，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組 P和倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為第一位置校正數(shù)據(jù)組P1和參考倍率校 正數(shù)據(jù)組MO時(shí)，采用第二發(fā)光信號(hào)(plb。此外，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組 P和倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為第二位置校正數(shù)據(jù)組P2和參考倍率校 正數(shù)據(jù)組MO時(shí)，采用第三發(fā)光信號(hào)(plc。此外，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組 P和倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO和第一倍率校 正數(shù)據(jù)組M1時(shí)，采用第四發(fā)光信號(hào)(pld。此外，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組 P和倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO和第二倍率校 正數(shù)據(jù)組M2時(shí)，采用第五發(fā)光信號(hào)cple。
注意到，圖12所示的時(shí)序圖說(shuō)明了在發(fā)光芯片C中使得被設(shè)定 為發(fā)光點(diǎn)的所有發(fā)光晶閘管L發(fā)光的情況。此外，假設(shè)在初始條件 下，將開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS設(shè)定為低電平(L)，將第一轉(zhuǎn)移信號(hào)(pl 設(shè)定為高電平(H)，將第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2設(shè)定為低電平，并且將每 個(gè)發(fā)光信號(hào)cpl (cpla至cple)設(shè)定為高電平。這里，將說(shuō)明一個(gè)發(fā)光 芯片C的操作，但是實(shí)際上發(fā)光芯片C1至C60并行操作。
隨著操作的開始，由信號(hào)生成電路100的轉(zhuǎn)移信號(hào)生成單元120 輸入的開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS從低電平變成高電平。結(jié)果，將高電平的開 始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS供給到發(fā)光芯片C中的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl的門極端子 Gl。在此情況下，此開始轉(zhuǎn)移信號(hào)(pS通過(guò)二極管Dl至D259而供 給到其他轉(zhuǎn)移晶閘管S2至S260的門極端子G2至G260。然而，由 于各二極管Dl至D260引起電壓降，因此最高電壓施加在轉(zhuǎn)移晶閘 管S1的門極端子G1上。
然后，在將開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS設(shè)定為高電平的狀態(tài)下，由轉(zhuǎn)移信 號(hào)生成單元120輸入的第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl從高電平變成低電平。在從 第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl變成低電平起經(jīng)過(guò)第一時(shí)間段ta之后，由轉(zhuǎn)移信號(hào) 生成單元120輸入的第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2從低電平變成高電平。在如上所述將開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS設(shè)定為高電平的狀態(tài)下供給有 低電平的第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl的發(fā)光芯片C中，在供給有低電平的第一 轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl的奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl， S3， ...， S259之中，具 有不低于閾值的最高門極電壓的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl導(dǎo)通。同時(shí)，由于同 時(shí)將第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2設(shè)定為高電平，因此偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管 S2， S4， ...， S260保持為具有高陰極電壓，從而保持關(guān)斷。這樣， 在發(fā)光芯片C中僅有奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl導(dǎo)通。結(jié)果，其門極 端子與奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl的門極端子連接的發(fā)光晶閘管Ll 導(dǎo)通而準(zhǔn)備發(fā)光。
在轉(zhuǎn)移晶閘管Sl導(dǎo)通的狀態(tài)下在從第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2變成高電 平起經(jīng)過(guò)第二時(shí)間段tb之后，第二轉(zhuǎn)移信號(hào)(p2從高電平變成低電平。 作為響應(yīng)，在供給有低電平的第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2的偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶 閘管S2， S4， ...， S260之中，具有不低于閾值的最高門極電壓的轉(zhuǎn) 移晶閘管S2導(dǎo)通。這樣，在發(fā)光芯片C中奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管 S1和與其相鄰的偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S2兩者導(dǎo)通。結(jié)果，除了已 經(jīng)導(dǎo)通的發(fā)光晶閘管L1之外，其門極端子與偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管 S 2的門極端子連接的發(fā)光晶閘管L 2也導(dǎo)通，進(jìn)而發(fā)光晶閘管L1和 L2都準(zhǔn)備發(fā)光。
在轉(zhuǎn)移晶閘管Sl和S2都導(dǎo)通的狀態(tài)下在從第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2 變成低電平起經(jīng)過(guò)第三時(shí)間段tc之后，第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl從低電平變 成高電平。作為響應(yīng)，奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl關(guān)斷，這樣僅有偶 數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S2導(dǎo)通。結(jié)果，奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管Ll關(guān) 斷以至于不能夠發(fā)光，僅偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L2保持導(dǎo)通以準(zhǔn)備 發(fā)光。注意到，在本實(shí)例中，在第一轉(zhuǎn)移信號(hào)(pl變成高電平的同時(shí)， 開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS從高電平變成低電平。
在轉(zhuǎn)移晶閘管S2導(dǎo)通的狀態(tài)下在從第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl變成高電 平起經(jīng)過(guò)第四時(shí)間段td之后，第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl從高電平變成低電平。 作為響應(yīng)，在供給有低電平的第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl的奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶 閘管Sl， S3， ...， S259之中，具有最高門極電壓的轉(zhuǎn)移晶閘管S3 導(dǎo)通。這樣，在發(fā)光芯片C中偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S2和與其相鄰的奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S3兩者導(dǎo)通。結(jié)果，除了已經(jīng)導(dǎo)通的發(fā)光
晶閘管L2之外，其門極端子與奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S3的門極端 子連接的發(fā)光晶閘管L3也導(dǎo)通，進(jìn)而發(fā)光晶閘管L2和L3都準(zhǔn)備發(fā)光。
在轉(zhuǎn)移晶閘管S2和S3都導(dǎo)通的狀態(tài)下在從第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl 變成低電平起經(jīng)過(guò)第五時(shí)間段te之后，第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2從低電平變 成高電平。作為響應(yīng)，偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S2關(guān)斷，這樣僅有奇 數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管S3導(dǎo)通。結(jié)果，偶數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L2關(guān) 斷以至于不能夠發(fā)光，僅奇數(shù)序號(hào)的發(fā)光晶閘管L3保持導(dǎo)通以準(zhǔn)備 發(fā)光。
如上所述，在插入第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl和第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2都被設(shè) 定為低電平的重疊時(shí)間段的同時(shí)，通過(guò)交替地將第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl和 第二轉(zhuǎn)移信號(hào)q>2切換為高電平或低電平，從而在發(fā)光芯片C中按照 序號(hào)順序依次導(dǎo)通轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260。另外，這使得發(fā)光晶閘管 Ll至L260也按照序號(hào)順序依次導(dǎo)通。在此操作過(guò)程中，重復(fù)下面 的過(guò)程首先，在第二時(shí)間段tb中僅有奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管(例 如，轉(zhuǎn)移晶閘管S1)導(dǎo)通；第二，在第三時(shí)間段tc中奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn) 移晶閘管和所標(biāo)序號(hào)比該奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管大1的相鄰的偶數(shù) 序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管(例如，轉(zhuǎn)移晶閘管S1和S2)導(dǎo)通；第三，在第 四時(shí)間段td中僅有偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管(例如，轉(zhuǎn)移晶閘管S2) 導(dǎo)通；第四，在第五時(shí)間段te中偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管和所標(biāo)序號(hào) 比該偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管大l的相鄰的奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管(例 如，轉(zhuǎn)移晶閘管S2和S3)導(dǎo)通；然后，在第二時(shí)間段tb中，僅有 奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管(例如，轉(zhuǎn)移晶閘管S3)導(dǎo)通。
在下文中，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管L1至L260根據(jù)第一發(fā)光信號(hào) cpla進(jìn)行的發(fā)光操作?；旧希谝粚?duì)奇數(shù)序號(hào)和偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶 閘管都導(dǎo)通的各第三時(shí)間段tc中，第一發(fā)光信號(hào)(pla從高水平變成 低電平然后從低電平變成高電平。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘 管S1和S2都導(dǎo)通的時(shí)間段和最右側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S259和S260 都導(dǎo)通的時(shí)間段不進(jìn)行此變化。結(jié)果，除了位于兩端部分的各一對(duì)
27發(fā)光晶閘管之外，發(fā)光芯片C中的各對(duì)發(fā)光晶閘管L3和L4， L5和 L6， ...， L255和L256， L257和L258依次發(fā)光。
接下來(lái)，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第二發(fā)光信號(hào)cplb 進(jìn)行的發(fā)光操作?；旧?，在一對(duì)偶數(shù)序號(hào)和奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管都導(dǎo)通的各第五時(shí)間段te中，第二發(fā)光信號(hào)(plb從高電平變成低 電平然后從低電平變成高電平。然而，在最右側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管 S258和S259都導(dǎo)通的時(shí)間段不進(jìn)行此變化。結(jié)果，除了位于最右部 分的一對(duì)發(fā)光晶閘管之外，發(fā)光芯片C中的各對(duì)發(fā)光晶閘管L2和 L3， L4禾卩L5， ...， L254禾卩L255， L256和L257依次發(fā)光。
接下來(lái)，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管L1至L260根據(jù)第三發(fā)光信號(hào)cpIc 進(jìn)行的發(fā)光操作?；旧?，在一對(duì)偶數(shù)序號(hào)和奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管都導(dǎo)通的各第五時(shí)間段te中，第三發(fā)光信號(hào)cplc從高電平變成低 電平然后從低電平變成高電平。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管 S2和S3都導(dǎo)通的時(shí)間段不進(jìn)行此變化。結(jié)果，除了位于最左部分的 一對(duì)發(fā)光晶閘管之外，發(fā)光芯片C中的各對(duì)發(fā)光晶閘管L4和L5， L6禾卩L7， ...， L256和L257， L258和L259依次發(fā)光。
接下來(lái)，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第四發(fā)光信號(hào)cpld 進(jìn)行的發(fā)光操作?；旧?，在一對(duì)奇數(shù)序號(hào)和偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管都導(dǎo)通的各第三時(shí)間段tc中，第四發(fā)光信號(hào)cpld從高電平變成低 電平然后從低電平變成高電平。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管 Sl和S2都導(dǎo)通的時(shí)間段和最右側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S259和S260 都導(dǎo)通的時(shí)間段不進(jìn)行此變化。另外，在僅有位于右側(cè)的轉(zhuǎn)移晶閘 管S259導(dǎo)通的第二時(shí)間段tb中，第四發(fā)光信號(hào)cpld從高電平變成低 電平然后從低電平變成高電平。結(jié)果，除了位于兩端部分的各一對(duì) 發(fā)光晶閘管之外，發(fā)光芯片C中的各對(duì)發(fā)光晶閘管L3和L4， L5和 L6， ...， L255和L256， L257和L258依次發(fā)光，然后發(fā)光晶閘管 L259單獨(dú)發(fā)光。
最后，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第五發(fā)光信號(hào)cple 進(jìn)行的發(fā)光操作?；旧希谝粚?duì)奇數(shù)序號(hào)和偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管都導(dǎo)通的各第三時(shí)間段tc中，第五發(fā)光信號(hào)cple從高電平變成低電平然后從低電平變成高電平。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管
Sl和S2都導(dǎo)通的時(shí)間段、位于右側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S257和S258 都導(dǎo)通的時(shí)間段以及最右側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S259和S260都導(dǎo)通 的時(shí)間段不進(jìn)行此變化。另外，在僅有位于右側(cè)的轉(zhuǎn)移晶閘管S257 導(dǎo)通的第二時(shí)間段tb中，第五發(fā)光信號(hào)cple從高電平變成低電平然 后從低電平變成高電平。結(jié)果，除了位于兩端部分的各一對(duì)發(fā)光晶 閘管之外，發(fā)光芯片C中的各對(duì)發(fā)光晶閘管L3和L4， L5和L6，...， L255和L256依次發(fā)光，然后發(fā)光晶閘管L257單獨(dú)發(fā)光。
圖13A至13D示出了在圖8所示條件下安裝到圖像形成裝置1 上的LPH 14中的發(fā)光芯片Cl至C6的發(fā)光點(diǎn)。這里，圖13A至13D 分別示出了黃色LPH 14Y、品紅色LPH14M、藍(lán)綠色LPH 14C以及 黑色LPH14K。注意到，基于對(duì)應(yīng)于圖9A至9H所示的不同顏色而 準(zhǔn)備的對(duì)應(yīng)的位置校正數(shù)據(jù)組P和倍率校正數(shù)據(jù)組M對(duì)構(gòu)成各LPH 14的發(fā)光芯片C (C1至C60)的發(fā)光點(diǎn)進(jìn)行校正。
如圖13A所示，將通常發(fā)光點(diǎn)組LA設(shè)定為黃色LPH14Y的各 發(fā)光芯片Cl至C60中的發(fā)光點(diǎn)。這使得在發(fā)光芯片Cl至C60中每 兩個(gè)相鄰的發(fā)光芯片的重疊部分(見(jiàn)圖4)形成沿快速掃描方向連續(xù) 的發(fā)光點(diǎn)。
相反，如圖13B所示，將相對(duì)于通常發(fā)光點(diǎn)組LA向IN側(cè)偏移 一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)組設(shè)定為品紅色LPH 14M的各發(fā)光芯片C1至 C60中的發(fā)光點(diǎn)。這樣可校正圖8所示的品紅色LPH 14M的OUT 側(cè)位置偏移，以使得品紅色LPH 14M的發(fā)光點(diǎn)與黃色LPH 14Y的發(fā) 光點(diǎn)一致。同樣在此情況下，在發(fā)光芯片Cl至C60中每?jī)蓚€(gè)相鄰的 發(fā)光芯片的重疊部分(見(jiàn)圖4)，發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向是連續(xù)的。
同時(shí)，在藍(lán)綠色LPH14C中，如圖13C所示，將通常發(fā)光點(diǎn)組 LA設(shè)定為各發(fā)光芯片Cl至C3中的發(fā)光點(diǎn)，將由通常發(fā)光點(diǎn)組LA 和添加到通常發(fā)光點(diǎn)組LA的OUT側(cè)的一個(gè)發(fā)光點(diǎn)形成的發(fā)光點(diǎn)組 設(shè)定為發(fā)光芯片C4中的發(fā)光點(diǎn)，并且將相對(duì)于通常發(fā)光點(diǎn)組LA向 OUT側(cè)偏移一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)組設(shè)定為各發(fā)光芯片C5至C60中 的發(fā)光點(diǎn)。這樣可校正圖8所示的藍(lán)綠色LPH 14C的尺寸縮 偏差，以使得藍(lán)綠色LPH 14C的發(fā)光點(diǎn)與黃色LPH 14Y的發(fā)光點(diǎn)一致。同 樣在此情況下，在發(fā)光芯片Cl至C60中每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光芯片的重疊 部分(見(jiàn)圖4)，發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向是連續(xù)的。注意到，盡管在 本實(shí)例中增加發(fā)光芯片C4中的發(fā)光點(diǎn)，但如果增加發(fā)光芯片Cl至 C60中任一發(fā)光芯片中的發(fā)光點(diǎn)，將獲得大致相同的結(jié)果。
此外，在黑色LPH 14K中，如圖13D所示，將通常發(fā)光點(diǎn)組 LA設(shè)定為各發(fā)光芯片Cl至C3中的發(fā)光點(diǎn)，將除了位于通常發(fā)光點(diǎn) 組LA的OUT側(cè)的一個(gè)發(fā)光點(diǎn)之外的通常發(fā)光點(diǎn)組LA設(shè)定為發(fā)光 芯片C4中的發(fā)光點(diǎn)，并且將相對(duì)于通常發(fā)光點(diǎn)組LA向IN側(cè)偏移 一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)組設(shè)定為各發(fā)光芯片C5至C60中的發(fā)光點(diǎn)。這 樣可校正圖8所示的黑色LPH 14K的尺寸放大偏差，以使得黑色LPH 14K的發(fā)光點(diǎn)與黃色LPH 14Y的發(fā)光點(diǎn)一致。同樣在此情況下，在 發(fā)光芯片C1至C60中每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光芯片的重疊部分(見(jiàn)圖4)， 發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向是連續(xù)的。注意到，盡管在本實(shí)例中減少發(fā) 光芯片C4中的發(fā)光點(diǎn)，但如果減少發(fā)光芯片Cl至C60中任一發(fā)光 芯片中的發(fā)光點(diǎn)，將獲得大致相同的結(jié)果。
注意到，在上述實(shí)例中，已經(jīng)說(shuō)明了在各發(fā)光芯片C中必須采 用參考位置校正數(shù)據(jù)組P0和參考倍率校正數(shù)據(jù)組M0中的任一個(gè)的 情況。這樣，位于各發(fā)光芯片Cl至C60的IN側(cè)和OUT側(cè)最末端部 的發(fā)光晶閘管Ll和L260都不設(shè)定為發(fā)光點(diǎn)。然而，如果在某一發(fā) 光芯片C中采用下述的組合第一位置校正數(shù)據(jù)組Pl和第二位置校 正數(shù)據(jù)組P2中的任一個(gè)；與第一倍率校正數(shù)據(jù)組Ml和第二倍率校 正數(shù)據(jù)組M2中的任一個(gè)，那么可將發(fā)光晶閘管Ll或L260設(shè)定為 發(fā)光點(diǎn)。
作為另一種選擇，圖像形成裝置1可以構(gòu)造成在各發(fā)光芯片C 中必須采用參考位置校正數(shù)據(jù)組P0和參考倍率校正數(shù)據(jù)組M0中的 任一個(gè)，這樣采用附加的位置校正數(shù)據(jù)組P，以使發(fā)光點(diǎn)可以向IN 側(cè)和OUT側(cè)偏移一個(gè)以上發(fā)光點(diǎn)(高達(dá)兩個(gè))。
<第二示例性實(shí)施例>第二示例性實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例基本相同，但是不同之 處在于不是通過(guò)增加或減少各發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)倍率 校正，而是通過(guò)增大或減小被設(shè)定為各發(fā)光芯片c端部的發(fā)光點(diǎn)的 發(fā)光晶閘管L的發(fā)光強(qiáng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)倍率校正。注意到，在第二示例性 實(shí)施例中，與第一示例性實(shí)施例中相同或相似的組件由相同的附圖 標(biāo)記表示，并且省略其詳細(xì)說(shuō)明。
圖14A、 14C、 14E以及14G為示出存儲(chǔ)在位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 112中的發(fā)光芯片名稱與位置校正數(shù)據(jù)組P之間關(guān)系的表，而圖14B、 14D、 14F以及14H為示出存儲(chǔ)在倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的發(fā)光 芯片名稱與倍率校正數(shù)據(jù)組M之間關(guān)系的表。這里，位置校正數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113設(shè)置在每個(gè)LPH 14中。類似 于第一示例性實(shí)施例，圖14A至14H示出了當(dāng)在圖8所示條件下將 黃色LPH 14Y、品紅色LPH 14M、藍(lán)綠色LPH 14C以及黑色LPH 14K 安裝在圖像形成裝置1中時(shí)所設(shè)定的各種校正數(shù)據(jù)組。
這里，圖14A和14B分別示出了存儲(chǔ)在黃色LPH 14Y的位置 校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。圖14C 和14D分別示出了存儲(chǔ)在品紅色LPH 14M的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。圖14E和14F分別示出 了存儲(chǔ)在藍(lán)綠色LPH 14C的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi)容。圖14G和14H分別示出了存儲(chǔ)在黑色LPH 14K的位置校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器112和倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中的內(nèi) 容。注意到，圖14A、 14C、 14E以及14G中分別示出的位置校正數(shù) 據(jù)組P與第一示例性實(shí)施例中所說(shuō)明的位置校正數(shù)據(jù)組P(如圖9A、 9C、 9E以及9G所示)相同。
如圖14B所示，在黃色LPH 14Y的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中， 對(duì)于各發(fā)光芯片Cl至C60設(shè)定參考倍率校正數(shù)據(jù)組Q0。如圖14D 所示，在品紅色LPH14M的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中，對(duì)于各發(fā) 光芯片C1至C60設(shè)定參考倍率校正數(shù)據(jù)組Q0。如圖14F所示，在 藍(lán)綠色LPH 14C的倍率校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器113中，對(duì)于各發(fā)光芯片Cl 至C3和C6至C60設(shè)定參考倍率校正數(shù)據(jù)組QO，對(duì)于發(fā)光芯片C4設(shè)定第一倍率校正數(shù)據(jù)組Ql，并且對(duì)于發(fā)光芯片C5設(shè)定第二倍率
校正數(shù)據(jù)組Q2。如圖14H所示，在黑色LPH 14K的倍率校正數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器113中，對(duì)于各發(fā)光芯片Cl至C3和C6至C60設(shè)定參考倍 率校正數(shù)據(jù)組QO，對(duì)于發(fā)光芯片C4設(shè)定第三倍率校正數(shù)據(jù)組Q3， 并且對(duì)于發(fā)光芯片C5設(shè)定第四倍率校正數(shù)據(jù)組Q4。
圖15A至15E為分別示出倍率校正數(shù)據(jù)組Q與由倍率校正引起 的每個(gè)發(fā)光芯片C中發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光強(qiáng)度之間關(guān)系的示意圖。如上所 述，倍率校正數(shù)據(jù)組Q可以為參考倍率校正數(shù)據(jù)組QO、或第一倍率 校正數(shù)據(jù)組Ql、或第二倍率校正數(shù)據(jù)組Q2、或第三倍率校正數(shù)據(jù) 組Q3或第四倍率校正數(shù)據(jù)組Q4。這里，圖15A至15E分別示出了 Q=Q0， Q=Q1， Q=Q2， Q=Q3以及Q-Q4的情況。注意到，在第二 示例性實(shí)施例中，不論是否存在倍率校正每個(gè)發(fā)光芯片C中的發(fā)光 點(diǎn)的數(shù)量都為常數(shù)(256)。這樣，在下面的說(shuō)明中，將每個(gè)發(fā)光芯 片C的發(fā)光點(diǎn)稱為發(fā)光點(diǎn)El至E256。
如圖15A所示，在Q-QO的情況下，將發(fā)光點(diǎn)E1至E256設(shè)定 為具有相等的發(fā)光強(qiáng)度。相反，在Q=Q1的情況下，盡管將發(fā)光點(diǎn) El至E255設(shè)定為具有相等的發(fā)光強(qiáng)度，但將OUT側(cè)最末端部發(fā)光 點(diǎn)E256設(shè)定為具有高于其他發(fā)光點(diǎn)El至E255的發(fā)光強(qiáng)度。同時(shí)， 在Q=Q2的情況下，將發(fā)光點(diǎn)E2至E256設(shè)定為具有相等的發(fā)光強(qiáng) 度，并且將IN側(cè)最末端部發(fā)光點(diǎn)E1設(shè)定為具有高于其他發(fā)光點(diǎn)E2 至E256的發(fā)光強(qiáng)度。在Q=Q3的情況下，將發(fā)光點(diǎn)El至E255設(shè)定 為具有相等的發(fā)光強(qiáng)度，并且將OUT側(cè)最末端部發(fā)光點(diǎn)E256設(shè)定 為具有低于其他發(fā)光點(diǎn)El至E255的發(fā)光強(qiáng)度。在Q=Q4的情況下， 將發(fā)光點(diǎn)E2至E256設(shè)定為具有相等的發(fā)光強(qiáng)度，并且將IN側(cè)最末 端部發(fā)光點(diǎn)El設(shè)定為具有低于其他發(fā)光點(diǎn)E2至E256的發(fā)光強(qiáng)度。
在第二示例性實(shí)施例中，在對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260導(dǎo)通 的同時(shí)通過(guò)調(diào)節(jié)發(fā)光信號(hào)cpl保持設(shè)定為低電平的時(shí)間段(發(fā)光時(shí)間 段)的長(zhǎng)度來(lái)控制各發(fā)光晶閘管L1至L260的發(fā)光強(qiáng)度。具體而言， 為了減小發(fā)光強(qiáng)度，將對(duì)應(yīng)的發(fā)光時(shí)間段設(shè)定為短于預(yù)先設(shè)定以達(dá) 到參考發(fā)光強(qiáng)度的參考發(fā)光時(shí)間段。另一方面，為了增大發(fā)光強(qiáng)度，將對(duì)應(yīng)的發(fā)光時(shí)間段設(shè)定為長(zhǎng)于參考發(fā)光時(shí)間段。
圖16A至16D示出了在圖8所示條件下安裝到圖像形成裝置1 上的LPH 14中發(fā)光芯片Cl至C6的發(fā)光點(diǎn)。這里，圖16A至16D 分別示出了黃色LPH 14Y、品紅色LPH14M、藍(lán)綠色LPH 14C以及 黑色LPH14K。注意到，基于如圖14A至14H所示的對(duì)應(yīng)于不同顏 色而準(zhǔn)備的對(duì)應(yīng)的位置校正數(shù)據(jù)組P和倍率校正數(shù)據(jù)組Q對(duì)構(gòu)成每 個(gè)LPH 14的發(fā)光芯片C (Cl至C60)的發(fā)光點(diǎn)進(jìn)行校正。
如圖16A所示，將通常發(fā)光點(diǎn)組LA設(shè)定為黃色LPH14Y的各 發(fā)光芯片Cl至C60中的發(fā)光點(diǎn)。這使得在發(fā)光芯片Cl至C60中每 兩個(gè)相鄰的發(fā)光芯片的重疊部分(見(jiàn)圖4)，發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向 是連續(xù)的。
相反，如圖16B所示，將相對(duì)于通常發(fā)光點(diǎn)組LA向IN側(cè)偏移 一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)組設(shè)定為品紅色LPH 14M的各發(fā)光芯片Cl至 C60中的發(fā)光點(diǎn)。這樣可校正圖8所示的品紅色LPH 14M的OUT 側(cè)位置偏移，以使得品紅色LPH 14M的發(fā)光點(diǎn)與黃色LPH 14Y的發(fā) 光點(diǎn)一致。同樣在此情況下，在發(fā)光芯片Cl至C60中每?jī)蓚€(gè)相鄰的 發(fā)光芯片的重疊部分(見(jiàn)圖4)，發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向是連續(xù)的。
同時(shí)，在藍(lán)綠色LPH14C中，如圖16C所示，將通常發(fā)光點(diǎn)組 LA設(shè)定為各發(fā)光芯片Cl至C4中的發(fā)光點(diǎn)，并且將相對(duì)于通常發(fā)光 點(diǎn)組LA向OUT側(cè)偏移一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)組設(shè)定為各發(fā)光芯片C5 至C60中的發(fā)光點(diǎn)。在此情況下，在發(fā)光芯片C1至C4中每?jī)蓚€(gè)相 鄰發(fā)光芯片的重疊部分和發(fā)光芯片C5至C60中每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光芯片 的重疊部分，發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向是連續(xù)的。相反，發(fā)光芯片C4 和C5的重疊部分缺少發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向連續(xù)所必需的一個(gè)發(fā) 光點(diǎn)。然而，在發(fā)光芯片C4和C5的重疊部分中，增大作為發(fā)光芯 片C4的OUT側(cè)最末端部發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光晶閘管L258和作為發(fā)光芯片 C5的IN側(cè)最末端部發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光晶閘管L4的發(fā)光強(qiáng)度。這將使由 發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向的不連續(xù)性而導(dǎo)致的在對(duì)應(yīng)感光鼓12上形成 的靜電潛像中出現(xiàn)條紋的可能性最小化。具體而言，當(dāng)采用反轉(zhuǎn)顯 影時(shí)條紋表現(xiàn)為白色條紋，而當(dāng)采用已充電區(qū)域顯影時(shí)條紋表現(xiàn)為
33黑色條紋。這樣可校正圖8所示的藍(lán)綠色LPH 14C的尺寸縮小偏差，
以使得藍(lán)綠色LPH 14C的發(fā)光點(diǎn)與黃色LPH 14Y的發(fā)光點(diǎn)一致。注 意到，盡管在本實(shí)例中是在發(fā)光芯片C4和C5的重疊部分調(diào)節(jié)發(fā)光 強(qiáng)度，但如果在其他任意兩個(gè)相鄰發(fā)光芯片C的重疊部分調(diào)節(jié)發(fā)光 強(qiáng)度，也將獲得大致相同的結(jié)果。
此外，在黑色LPH 14K中，如圖16D所示，將通常發(fā)光點(diǎn)組 LA設(shè)定為各發(fā)光芯片Cl至C4中的發(fā)光點(diǎn)，并且將相對(duì)于通常發(fā)光 點(diǎn)組LA向IN側(cè)偏移一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)組設(shè)定為各發(fā)光芯片C5 至C60中的發(fā)光點(diǎn)。在此情況下，在發(fā)光芯片C1至C4中每?jī)蓚€(gè)相 鄰發(fā)光芯片的重疊部分和發(fā)光芯片C5至C60中每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光芯片 的重疊部分，發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向是連續(xù)的。相反，在發(fā)光芯片 C4和C5的重疊部分中，兩個(gè)發(fā)光點(diǎn)沿快速掃描方向重疊。然而， 在發(fā)光芯片C4和C5的重疊部分中，減小作為發(fā)光芯片C4的OUT 側(cè)最末端部發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光晶閘管L25 8和作為發(fā)光芯片C 5的IN側(cè)最 末端部發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光晶閘管L2的發(fā)光強(qiáng)度。這將使由發(fā)光點(diǎn)沿快速 掃描方向的重疊而導(dǎo)致的在對(duì)應(yīng)感光鼓12上形成的靜電潛像中出現(xiàn) 條紋的可能性最小化。具體而言，當(dāng)采用反轉(zhuǎn)顯影時(shí)條紋表現(xiàn)為黑 色條紋，而當(dāng)采用已充電區(qū)域顯影時(shí)條紋表現(xiàn)為白色條紋。這樣可 校正圖8所示的黑色LPH 14K的尺寸放大偏差，以使得黑色LPH 14K 的發(fā)光點(diǎn)與黃色LPH14Y的發(fā)光點(diǎn)一致。注意到，盡管在本實(shí)例中 是在發(fā)光芯片C4和C5的重疊部分調(diào)節(jié)發(fā)光強(qiáng)度，但如果在其他任 意兩個(gè)相鄰發(fā)光芯片C的重疊部分調(diào)節(jié)發(fā)光強(qiáng)度，也將獲得大致相 同的結(jié)果。
這里，在第一和第二示例性實(shí)施例中，在每個(gè)LPH 14具有 1200dpi的輸出分辨率的同時(shí)，視頻數(shù)據(jù)組Vdata具有為每個(gè)LPH 14 的輸出分辨率的一半(1/2)即600dpi的分辨率。然而，視頻數(shù)據(jù)組 Vdata的分辨率不限于此，而是可以為L(zhǎng)PH 14的輸出分辨率的l/m (m為2或更大的整數(shù))。在此情況下，每個(gè)像素可以由連續(xù)m個(gè) 發(fā)光晶閘管L形成。<第三示例性實(shí)施例>
第三示例性實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例基本相同，但是與第一 示例性實(shí)施例的不同之處在于利用具有1200dpi分辨率的視頻數(shù)據(jù)
組Vdata而不是具有600dpi分辨率的視頻數(shù)據(jù)組Vdata驅(qū)動(dòng)具有 1200dpi輸出分辨率的每個(gè)LPH 14。注意到，在第三示例性實(shí)施例 中，與第一示例性實(shí)施例相同或相似的組件由相同的附圖標(biāo)記表示， 并且省略其詳細(xì)說(shuō)明。
圖17A至17C為分別示出圖9所示的位置校正數(shù)據(jù)組與由位置 校正引起的每個(gè)發(fā)光芯片C中發(fā)光點(diǎn)的變化之間關(guān)系的示意圖。這 里，位置校正數(shù)據(jù)組可以為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO、或第一位置校 正數(shù)據(jù)組P1或第二位置校正數(shù)據(jù)組P2。這里，圖17A至17C分別 示出了 P=PO， P=P1以及P=P2的情況。
如圖17A所示，在P二PO的情況下，通常發(fā)光點(diǎn)組LA，即發(fā)光 晶閘管L3至L258保持設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光 芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L258形成256個(gè)像素Wl至 W256。具體而言，例如，位于圖17A左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管 L3形成，而位于圖17A右側(cè)的像素W256由發(fā)光晶閘管L258形成。
相反，如圖17B所示，在P-P1的情況下，將發(fā)光芯片C中的 發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L2至L257，這樣發(fā)光點(diǎn)向IN側(cè)偏移一個(gè) 發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L2至L257形成 256個(gè)像素Wl至W256。具體而言，例如，位于圖17B左側(cè)的像素 Wl由發(fā)光晶閘管L2形成，而位于圖17B右側(cè)的像素W256由發(fā)光 晶鬧管L257形成。
另一方面，如圖17C所示，在P=P2的情況下，將發(fā)光芯片C 中的發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L4至L259，這樣發(fā)光點(diǎn)向OUT側(cè)偏 移一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L4至L259 形成256個(gè)像素W1至W256。具體而言，例如，位于圖17C左側(cè)的 像素Wl由發(fā)光晶閘管L4形成，而位于圖17C右側(cè)的像素W256由 發(fā)光晶閘管L259形成。
圖18A至18C為分別示出圖9所示的倍率校正數(shù)據(jù)組與由倍率校正引起的每個(gè)發(fā)光芯片C中發(fā)光點(diǎn)的變化之間關(guān)系的示意圖。這 里，倍率校正數(shù)據(jù)組可以為參考倍率校正數(shù)據(jù)組MO、或第一倍率校
正數(shù)據(jù)組Ml或第二倍率校正數(shù)據(jù)組M2。這里，圖18A至18C分別 示出了 M=M0， M=M1以及M=M2的情況。
如圖18A所示，在M-M0的情況下，通常發(fā)光點(diǎn)組LA，即發(fā) 光晶閘管L3至L258保持設(shè)定為發(fā)光芯片C中的發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā) 光芯片C利用256個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L258形成256個(gè)像素Wl至 W256。
相反，如圖18B所示，在M-M1的情況下，將發(fā)光芯片C中的 發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L3至L259，這樣發(fā)光點(diǎn)在圖18B的右側(cè) (圖8中的OUT側(cè))增加一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用257 個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L259形成257個(gè)像素Wl至W257。具體而言， 例如，位于圖18B左側(cè)的像素W1由發(fā)光晶閘管L3形成，而位于圖 18B右側(cè)的像素W257由發(fā)光晶閘管L259形成。
另一方面，如圖18C所示，在M-M2的情況下，將發(fā)光芯片C 中的發(fā)光點(diǎn)設(shè)定成發(fā)光晶閘管L3至L257，這樣發(fā)光點(diǎn)在圖18C的 右側(cè)(圖8中的OUT側(cè))減少一個(gè)發(fā)光點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)光芯片C利用 255個(gè)發(fā)光晶閘管L3至L257形成255個(gè)像素Wl至W255。具體而 言，例如，位于圖18C左側(cè)的像素Wl由發(fā)光晶閘管L3形成，而位 于圖18C右側(cè)的像素W255由發(fā)光晶閘管L257形成。
圖19為示出在第三示例性實(shí)施例的曝光操作過(guò)程中每個(gè)發(fā)光 芯片C如何操作的時(shí)序圖。注意到，開始轉(zhuǎn)移信號(hào)cpS、第一轉(zhuǎn)移信 號(hào)cpl以及第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2的波形分別與第一示例性實(shí)施例中的波 形相同。
在下文中，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管L1至L260根據(jù)第一發(fā)光信號(hào) cpla進(jìn)行的發(fā)光操作。注意到，如同第一示例性實(shí)施例，當(dāng)位置校正 數(shù)據(jù)組P和倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為參考位置校正數(shù)據(jù)組P0和參 考倍率校正數(shù)據(jù)組MO時(shí)，采用第一發(fā)光信號(hào)cpla?；旧?，分別在 第二時(shí)間段tb和第四時(shí)間段td中，第一發(fā)光信號(hào)(pla從高電平變成 低電平然后從低電平變成高電平。這里，第二時(shí)間段tb為奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管單獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段，而第四時(shí)間段td為偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn) 移晶閘管單獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管SI
和S2以及最右側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S259和S260分別導(dǎo)通的時(shí)間段 中不進(jìn)行此變化。結(jié)果，發(fā)光芯片C中的發(fā)光晶閘管L3， L4，...， L257， L258 —個(gè)接一個(gè)地依次發(fā)光。
接下來(lái)，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第二發(fā)光信號(hào)cplb 進(jìn)行的發(fā)光操作。如同第一示例性實(shí)施例，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組P和 倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為第一位置校正數(shù)據(jù)組Pl和參考倍率校正 數(shù)據(jù)組MO時(shí)，采用第二發(fā)光信號(hào)(plb?；旧?，分別在第二時(shí)間段 tb和第四時(shí)間段td中，第二發(fā)光信號(hào)cplb從高電平變成低電平然后 從低電平變成高電平。這里，第二時(shí)間段tb為奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管單獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段，而第四時(shí)間段td為偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管單 獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段。然而，在最左側(cè)的一個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管Sl以及最右側(cè) 的三個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S258至S260分別導(dǎo)通的時(shí)間段中不進(jìn)行此變化。 結(jié)果，發(fā)光芯片C中的發(fā)光晶閘管L2， L3， ...， L256， L257 —個(gè) 接一個(gè)地依次發(fā)光。
此外，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第三發(fā)光信號(hào)cplc 進(jìn)行的發(fā)光操作。如同第一示例性實(shí)施例，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組P和 倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為第二位置校正數(shù)據(jù)組P2和參考倍率校正 數(shù)據(jù)組MO時(shí)，采用第三發(fā)光信號(hào)cplc?；旧?，分別在第二時(shí)間段 tb和第四時(shí)間段td中，第三發(fā)光信號(hào)cplc從高電平變成低電平然后 從低電平變成高電平。這里，第二時(shí)間段tb為奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管單獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段，而第四時(shí)間段td為偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管單 獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段。然而，在最左側(cè)的三個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S3以及 最右側(cè)的 一個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S260分別導(dǎo)通的時(shí)間段中不進(jìn)行此變化。 結(jié)果，發(fā)光芯片C中的發(fā)光晶閘管L4， L5， ...， L258， L259 —個(gè) 接一個(gè)地依次發(fā)光。
此外，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第四發(fā)光信號(hào)cpld 進(jìn)行的發(fā)光操作。如同第一示例性實(shí)施例，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組P和 倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO和第一倍率校正
37數(shù)據(jù)組M1時(shí)，采用第四發(fā)光信號(hào)cpld?；旧希謩e在第二時(shí)間段 tb和第四時(shí)間段td中，第四發(fā)光信號(hào)(pld從高電平變成低電平然后 從低電平變成高電平。這里，第二時(shí)間段tb為奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管單獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段，而第四時(shí)間段td為偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管單
獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管Sl和S2以及 最右側(cè)的一個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S260分別導(dǎo)通的時(shí)間段中不進(jìn)行此變化。 結(jié)果，發(fā)光芯片C中的發(fā)光晶閘管L3， L4， ...， L258， L259 —個(gè) 接一個(gè)地依次發(fā)光。注意到，是否允許發(fā)光晶閘管L259發(fā)光取決于 是否允許相鄰的發(fā)光晶閘管L258發(fā)光。具體而言，如果使發(fā)光晶閘 管L258發(fā)光，也會(huì)使發(fā)光晶閘管L259發(fā)光。相反，如果使發(fā)光晶 閘管L258不發(fā)光，也會(huì)使發(fā)光晶閘管L259不發(fā)光。
最后，將說(shuō)明由發(fā)光晶閘管Ll至L260根據(jù)第五發(fā)光信號(hào)cple 進(jìn)行的發(fā)光操作。如同第一示例性實(shí)施例，當(dāng)位置校正數(shù)據(jù)組P和 倍率校正數(shù)據(jù)組M分別為參考位置校正數(shù)據(jù)組PO和第二倍率校正 數(shù)據(jù)組M2時(shí)，采用第五發(fā)光信號(hào)cple。基本上，分別在第二時(shí)間段 tb和第四時(shí)間段td中，第五發(fā)光信號(hào)(ple從高電平變成低電平然后 從低電平變成高電平。這里，第二時(shí)間段tb為奇數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘 管單獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段，而第四時(shí)間段td為偶數(shù)序號(hào)的轉(zhuǎn)移晶閘管單 獨(dú)導(dǎo)通的時(shí)間段。然而，在最左側(cè)的兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管Sl和S2以及 最右側(cè)的三個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管S258至S260分別導(dǎo)通的時(shí)間段中不進(jìn)行 此變化。結(jié)果，發(fā)光芯片C中的發(fā)光晶閘管L3， L4， ...， L256， L257 一個(gè)接一個(gè)地依次發(fā)光。
同樣在第三示例性實(shí)施例中，在每個(gè)LPH 14中保持發(fā)光點(diǎn)沿快 速掃描方向的連續(xù)性的同時(shí)，可校正LPH 14的相對(duì)位置偏移和倍率 偏差。
在第一至第三示例性實(shí)施例中，將每個(gè)發(fā)光芯片C中的各轉(zhuǎn)移 晶閘管Sl至S260的陽(yáng)極端子設(shè)定為具有彼此相同的電位，而將各 轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的陰極端子設(shè)定為隨著向其供給第一轉(zhuǎn)移信 號(hào)cpl還是第二轉(zhuǎn)移信號(hào)cp2而具有不同的電位。然而，轉(zhuǎn)移晶閘管 Sl至S260的電位設(shè)定不限于此，而是可將各轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至S260的陰極端子設(shè)定為具有彼此相同的電位，而將各轉(zhuǎn)移晶閘管Sl至 S260的陽(yáng)極端子設(shè)定為隨著向其供給第一轉(zhuǎn)移信號(hào)cpl還是第二轉(zhuǎn) 移信號(hào)cp2而具有不同的電位。
此外，在第一至第三示例性實(shí)施例中，將各發(fā)光晶閘管Ll至 L260的陽(yáng)極端子設(shè)定為具有彼此相同的電位，而將各發(fā)光晶閘管Ll 至L260的陰極端子設(shè)定為響應(yīng)發(fā)光信號(hào)cpl (cpll至cpl60)而具有不 同的電位。然而，發(fā)光晶閘管Ll至L260的電位設(shè)定不限于此，而 是可將各發(fā)光晶閘管Ll至L260的陰極端子設(shè)定為具有彼此相同的 電位，而將各發(fā)光晶閘管Ll至L260的陽(yáng)極端子設(shè)定為響應(yīng)發(fā)光信 號(hào)cpl而具有不同的電位。
此外，例如通過(guò)以將所謂自掃描發(fā)光芯片用作每個(gè)發(fā)光芯片C 的情況為例說(shuō)明了第一至第三示例性實(shí)施例。這里，發(fā)光芯片C設(shè) 置有包括多個(gè)發(fā)光晶閘管L的發(fā)光元件陣列71和包括多個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘 管的開關(guān)元件陣列72。然而，發(fā)光芯片C的構(gòu)造不限于此，而是可 以包括多個(gè)發(fā)光二極管和用于在導(dǎo)通模式與非導(dǎo)通模式之間切換對(duì) 應(yīng)的發(fā)光二極管的多個(gè)開關(guān)元件。換言之，發(fā)光芯片C僅須包括多 個(gè)發(fā)光元件和用于使這些發(fā)光元件發(fā)光或不發(fā)光的一個(gè)或多個(gè)開關(guān) 元件。
出于解釋和說(shuō)明的目的提供了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的前述說(shuō) 明。其本意并不是窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的確切形式。顯然， 對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行許多修改和變型。選擇和說(shuō)明
該示例性實(shí)施例是為了更好地解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，因 此使得本技術(shù)領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明所適用的各種實(shí) 施例并預(yù)見(jiàn)到適合于特定應(yīng)用的各種修改。目的在于通過(guò)所附權(quán)利 要求及其等同內(nèi)容限定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光元件陣列，其具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件；供給單元，其供給對(duì)應(yīng)于第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述第二分辨率為所述第一分辨率的1/m，其中m為不小于2的整數(shù)；設(shè)定單元，其將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所述發(fā)光元件陣列中連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用從所述供給單元供給的所述發(fā)光信號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件是否以單個(gè)組為單位發(fā)光；以及校正單元，其以單個(gè)發(fā)光元件為單位校正由所述設(shè)定單元進(jìn)行的對(duì)所述發(fā)光元件陣列中的多個(gè)發(fā)光元件的劃分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述校正單元通過(guò)使所述連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件沿所述多個(gè)發(fā)光元件的任一排列方向分別偏移n個(gè)發(fā)光元件來(lái)校正作為參考的對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件的劃分，其中n為不小于l的整數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，所述校正單元通過(guò)從m起增加或減少構(gòu)成所述多組中之一的發(fā)光元件的數(shù)量來(lái)校正作為參考的對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件的劃分。
4. 一種曝光裝置，包括發(fā)光元件芯片，其包括基板和發(fā)光元件陣列，所述發(fā)光元件陣列具有在所述基板上沿快速掃描方向排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件并且具有第一發(fā)光元件組，其包括在所述快速掃描方向的中央部分排列的發(fā)光元件；第二發(fā)光元件組，其包括從所述第一發(fā)光元件組沿所述快速掃描方向的一端側(cè)排列的發(fā)光元件；以及第三發(fā)光元件組，其包括從所述第一發(fā)光元件組沿所述快速掃描方向的另 一 端側(cè)排列的發(fā)光元件；安裝部件，多個(gè)所述發(fā)光元件芯片以鋸齒狀安裝到所述安裝部件上以在每?jī)蓚€(gè)相鄰發(fā)光元件芯片之間的邊界區(qū)域形成重疊部分，所述重疊部分包括沿所述快速掃描方向彼此重疊的兩個(gè)相鄰發(fā)光元件芯片中之一中的所述第二發(fā)光元件組和所述兩個(gè)相鄰發(fā)光元件芯片中另一個(gè)中的所述第三發(fā)光元件組；供給部分，其向所述多個(gè)發(fā)光元件芯片的每一個(gè)供給發(fā)光信號(hào)，所述發(fā)光信號(hào)將沿所述快速掃描方向連續(xù)并且數(shù)目比構(gòu)成所述發(fā)光元件陣列的所述多個(gè)發(fā)光元件少的發(fā)光元件設(shè)定為發(fā)光對(duì)象；校正部分，其校正所述多個(gè)發(fā)光元件芯片的每一個(gè)中被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的發(fā)光元件的位置和數(shù)量中至少任何一個(gè)；以及光學(xué)部件，其將由所述多個(gè)發(fā)光元件芯片發(fā)射的光聚焦到圖像載體上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，所述供給部分向所述多個(gè)發(fā)光元件芯片的每一個(gè)供給所述發(fā)光信號(hào)，以使得被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的發(fā)光元件在每個(gè)所述重疊部分中沿所述快速掃描方向是連續(xù)的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，如果所述重疊部分中被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的兩個(gè)發(fā)光元件沿所述快速掃描方向彼此重疊，那么所述供給部分減小所述兩個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)的發(fā)光強(qiáng)度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，如果所述重疊部分中被設(shè)定為所述發(fā)光對(duì)象的兩個(gè)發(fā)光元件沿所述快速掃描方向不連續(xù)，那么所述供給部分增大所述兩個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)的發(fā)光強(qiáng)度。
8. —種圖像形成裝置，其包括多個(gè)圖像形成部分，每個(gè)圖像形成部分包括圖像載體；充電裝置，其對(duì)所述圖像載體充電，曝光裝置，其對(duì)由所述充電裝置充電的所述圖像載體進(jìn)行曝光，以在所述圖像載體上形成靜電潛像，所述曝光裝置包括發(fā)光元件陣列，其具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件；供給單元，其供給對(duì)應(yīng)于第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述第二分辨率為所述第一分辨率的l/m，其中m為不小于2的整數(shù)；設(shè)定單元，其將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所述發(fā)光元件陣列中連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用從所述供給單元供給的所述發(fā)光信號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件是否以單個(gè)組為單位發(fā)光；以及校正單元，其以單個(gè)發(fā)光元件為單位校正由所述設(shè)定單元進(jìn)行的對(duì)所述發(fā)光元件陣列中的多個(gè)發(fā)光元件的劃分；顯影裝置，其將形成在所述圖像載體上的所述靜電潛像顯影以在所述圖像載體上形成圖像；以及轉(zhuǎn)印裝置，其將形成在所述圖像載體上的所述圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上。
9. 一種發(fā)光裝置的發(fā)光控制方法，所述發(fā)光裝置包括具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件陣列，所述發(fā)光控制方法包括供給對(duì)應(yīng)于第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述第二分辨率為所述第一分辨率的1/m，其中m為不小于2的整數(shù)；將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所述發(fā)光元件陣列中連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用所述發(fā)光信號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件是否以單個(gè)組為單位發(fā)光；以及以單個(gè)發(fā)光元件為單位校正對(duì)所述發(fā)光元件陣列中的多個(gè)發(fā)光元件的劃分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光裝置、曝光裝置、圖像形成裝置以及發(fā)光控制方法，所述發(fā)光裝置包括發(fā)光元件陣列，其具有以對(duì)應(yīng)于第一分辨率的間隔排列成一行的多個(gè)發(fā)光元件；供給單元，其供給對(duì)應(yīng)于第二分辨率的發(fā)光信號(hào)，所述第二分辨率為所述第一分辨率的1/m，其中m為不小于2的整數(shù)；設(shè)定單元，其將所述多個(gè)發(fā)光元件劃分成分別包括所述發(fā)光元件陣列中連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件的多組，并且利用從所述供給單元供給的所述發(fā)光信號(hào)來(lái)設(shè)定分別包括在所述多組的每一組中的連續(xù)m個(gè)發(fā)光元件是否以單個(gè)組為單位發(fā)光；以及校正單元，其以單個(gè)發(fā)光元件為單位校正由所述設(shè)定單元進(jìn)行的對(duì)所述發(fā)光元件陣列中的多個(gè)發(fā)光元件的劃分。
文檔編號(hào)G03G15/04GK101673752SQ20091012943
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月10日
發(fā)明者土屋健 申請(qǐng)人:富士施樂(lè)株式會(huì)社