專利名稱：顯示裝置及其制造方法、以及半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有由精細(xì)圖樣化的薄膜制成的半導(dǎo)體層的半導(dǎo) 體器件、這種半導(dǎo)體器件的制造方法、使用這種半導(dǎo)體器件的顯示 裝置以及這種顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)被廣泛用作電子電路中的像素晶體管，尤 其是用在有源矩陣驅(qū)動(dòng)的平板顯示單元中。近來，^使用有才幾材并牛作 為半導(dǎo)體層來用于具有較小厚度的半導(dǎo)體器件已引起了注意。在使 用有機(jī)材料作為半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體器件情況下，這種層可以以低于 使用無機(jī)材料作為半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體器件的溫度形成。因此，這種 有機(jī)薄膜晶體管的優(yōu)勢在于，可以生成具有大面積的薄膜晶體管， 并且有機(jī)薄膜晶體管可形成在具有弱耐熱性的柔性基板(例如，塑 料基為了圖樣化由有機(jī)材料制成的半導(dǎo)體層，執(zhí)行使用印刷法、金 屬掩膜等真空沉積處理。除此之外，還4丸行其他處理，包括在光致
光致抗蝕圖樣上形成有機(jī)材料層之后通過剝離(lift-off)技術(shù)選擇
性地去除光致光致抗蝕圖才羊上側(cè)的有才幾半導(dǎo)體層部分的處理以及 使用光致抗蝕圖樣作為掩膜的圖樣蝕刻半導(dǎo)體層的處理。
然而，使用印刷法、掩膜等的真空沉積處理具有限定有限圖樣 的缺點(diǎn)。具體地，在4吏用金屬掩膜的氣相沉積處理的情況下，難以 在大面積基板上以良好的定位精度來形成圖樣。此外，在使用光致 光致抗蝕圖樣的處理的情況下，用于去除光致光致抗蝕圖樣的抗蝕 劑去除溶液也會(huì)損壞有才幾半導(dǎo)體層，并引起有才幾半導(dǎo)體層中漏電流 的增加、電子遷移率的降低以及閾值電壓改變的問題。
因此，已l是出了形成半導(dǎo)體層的另一種處理。該處理包4舌以下
步驟在其上將形成半導(dǎo)體層的基板上用大量步驟形成分隔壁層 (經(jīng)圖案化的絕緣層)；以及從分隔壁層上方沉積半導(dǎo)體層。因此， 半導(dǎo)體層被圖樣化為由下部和上部的兩部分組成，這兩部分通過上 述步驟分離。換句話說，例如，源電才及/漏電極^皮圖樣化形成在覆蓋 柵電極的柵極絕緣膜上，然后，在源電極/漏電極上形成分隔壁層。 接下來，從分隔壁層上方沉積半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層的一部分被置于 分隔壁層的上部上。另一方面，半導(dǎo)體的其余部分與這部分分離， 并在分隔壁層下設(shè)置作為源電極/漏電極之間的溝道區(qū)域的半導(dǎo)體 層(參見日本未審查專利申請公開第2000-269504A號，尤其是圖1 和圖6及其相關(guān)4苗述；以及Stijn De Vusser等人的"Integrated shadow mask method for patterning small molecule organic semiconductor" (Applied Physics Letters 88, 2006,美國物理協(xié)會(huì)，2006, 103501-1 ~ 103501-3 ))。
此外，在使用具有上述半導(dǎo)體層的薄膜晶體管作為像素晶體管 的液晶顯示裝置的情況下，像素電極在柵電極上4皮形成與源電極/漏電才及同-
電極。此后，以上述類似的方式，形成在源電極/漏電才及和像素電^L 上分隔壁層，然后半導(dǎo)體層^皮形成為源電才及/漏電才及之間的溝道區(qū) 域。隨后，定向膜經(jīng)由絕緣保護(hù)膜從上述這些層的上方形成，使得 這些層可覆蓋定向膜(參見日本未審查專利申請公開第
2000-269504A,尤其是圖1和圖6)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在曰本未審查專利申請公開號第2000-269504A號所4皮 露的液晶顯示裝置中，分隔壁層和半導(dǎo)體層如上所述堆疊在像素電 極上。因此，顯示光在穿過半導(dǎo)體層和分隔壁層之后被顯示。這意 味著所傳送的光由于半導(dǎo)體層和分隔壁層的存在而^皮著色，從而影 響了圖像的色彩質(zhì)量。
此外，即使連接至薄膜晶體管的像素電極延伸到保護(hù)膜外側(cè)， 但由于整個(gè)半導(dǎo)體層都存在于保護(hù)層下，所以難以確係 像素電才及之 間的絕纟彖性。
因此，期望提供一種具有良好圖像質(zhì)量的顯示裝置和這種顯示 裝置的制造方法，其中，該顯示裝置包括半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層通 過從分隔壁層上方沉積來制備并^皮精細(xì)地圖沖羊4b,同時(shí)能夠在不影 響半導(dǎo)體層的情況下圖樣化形成像素電極。此外，還期望提供一種 半導(dǎo)體器件及這種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，半導(dǎo)體器件適合 用作該這種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)基板(例如，背4反或所謂的底板)。
為了響應(yīng)這些需要，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置包括以下部 件。即，形成在基才反上的源電才及和漏電才及。形成在基4反上并與源電 極或漏電極接觸的像素電極。絕緣的分隔壁層形成在基板上，并具 有延伸至源電才及與漏電才及之間的第 一開口以及形成在4象素電才及上
10并延伸至像素電極的第二開口。此外，溝道區(qū)半導(dǎo)體層形成在第一 開口的底部上。在分隔壁層上形成絕緣膜，以覆蓋包括溝道區(qū)半導(dǎo) 體層的第一開口。此外，定向膜從絕緣膜上方覆蓋第一開口 ，以及 從像素電極上方覆蓋第二開口。
換句話說，顯示裝置包括薄膜晶體管和連接至薄膜晶體管的像 素電極，它們形成并配置在基板上。此外，絕緣的分隔壁層形成在 其上形成有薄膜晶體管的源電極/漏電極和像素電極的這種基板上。 分隔壁層設(shè)置有位于對應(yīng)于薄膜晶體管的溝道區(qū)的位置的第一開 口和露出形成像素電極的區(qū)域的第二開口 。第 一開口的底部設(shè)置有 構(gòu)成薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)半導(dǎo)體層，同時(shí)從該處去除第二 開口底部上的半導(dǎo)體層。
由于如上所述構(gòu)造的顯示裝置設(shè)置有形成在分隔壁層中的第 一開口的底部上的溝道區(qū)半導(dǎo)體層，所以這種溝道區(qū)半導(dǎo)體層可通 過/人分隔壁層上方沉積半導(dǎo)體層而精細(xì)分離并圖樣化。此外，除第
一開口之外，分隔壁層還i殳置有第二開口 ，形成^f象素電才及的區(qū)域/人 第二開口露出，并且從該處去除第二開口中的半導(dǎo)體層。因此，從 像素電才及反射的光或穿過<象素電4及的光可以#皮取出而不受半導(dǎo)體 層和分隔壁層的影響。
才艮據(jù)本發(fā)明的另 一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置制造方法包括以下步 驟。在基板上形成薄膜晶體管的源電極/漏電極，同時(shí)像素電極連接 至源電極/漏電極。在基板上形成絕緣的分隔壁層，其中，分隔壁層 具有延伸至源電才及和漏電才及之間的第 一開口以及形成在Y象素電擬_ 的中心并延伸至像素電極的第二開口。此外，溝道區(qū)半導(dǎo)體層由第 一開口底部上的半導(dǎo)體構(gòu)成。此外，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供了一種適合用作上述 顯示裝置的驅(qū)動(dòng)基板(背板)的半導(dǎo)體器件以及這種半導(dǎo)體器件的 制造方法。例如，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖樣被形成為上述像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的任一個(gè)實(shí)施例，溝道區(qū)半導(dǎo)體層通過從分隔壁層 上方沉積而精細(xì)分離并圖樣化。因此，可以獲得不受分隔壁層和殘 留在其頂部上的半導(dǎo)體層的影響的像素電極。此外，可以提高具有 像素電極的顯示裝置的圖^f象質(zhì)量。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第——第四實(shí)施例以及第八實(shí)施例中的任 一個(gè)的使用底柵型薄膜晶體管的顯示裝置中對應(yīng)于 一個(gè)像素的部
分驅(qū)動(dòng)側(cè)基斗反的示意性平面圖2是用于示出才艮據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的沿圖1中的線 II-II線截取的截面圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖， 其中，圖3A~圖3E分別示出了相應(yīng)的步驟；
圖4是才艮據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的對應(yīng)于 一個(gè)^象素的部分顯示 裝置的截面圖5是才艮據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的對應(yīng)于 一 個(gè)〗象素的部分顯示 裝置的截面圖6是才艮據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的對應(yīng)于 一個(gè)^f象素的部分顯示 裝置的截面12圖7是根據(jù)本發(fā)明的第五~第七實(shí)施例以及第八實(shí)施例中的任 一個(gè)的使用底柵型薄膜晶體管的顯示裝置的對應(yīng)于 一個(gè)像素的部 分驅(qū)動(dòng)側(cè)基^反的示意性平面圖8是才艮據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的對應(yīng)于 一個(gè)〗象素的部分顯示 裝置的截面圖9是根據(jù)第五實(shí)施例的顯示裝置制造方法的截面圖，其中， 圖9A~圖9E分別示出了相應(yīng)的步驟；
圖10是才艮據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的對應(yīng)于一個(gè)Y象素的部分顯 示裝置的截面圖11是才艮據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的對應(yīng)于一個(gè)^象素的部分顯 示裝置的截面圖12是根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的使用頂柵型薄膜晶體管的 顯示裝置的對應(yīng)于 一個(gè)^f象素的部分驅(qū)動(dòng)側(cè)基纟反的示意性平面圖13是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的對應(yīng)于一個(gè)像素的部分顯示 裝置的截面圖14 是示出了根據(jù)第八實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面 圖，其中，圖14A~圖14E分別示出了相應(yīng)的步驟；
圖15是根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的IPS才莫式顯示裝置的對應(yīng) 于 一 個(gè)<象素的部分驅(qū)動(dòng)側(cè)基纟反的示意性平面圖；以及
圖16是才艮據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的顯示裝置的對應(yīng)于一個(gè)4象 素的部分驅(qū)動(dòng)側(cè)基4反的平面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在以下描述中， 本發(fā)明的實(shí)施例將應(yīng)用于有源矩陣型液晶顯示裝置，^旦不限于此。
〈第一實(shí)施例〉
參照圖1和圖2,描述了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示裝置。 圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置1-1的、對應(yīng)于一個(gè)4象素的部 分驅(qū)動(dòng)側(cè)基板的示意性平面圖。此處，將底柵型薄膜晶體管用作用 于像素驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管Tr。此外，圖2是沿圖1中的線II-II的截面圖。
在如圖所示的顯示裝置1-1中，》于可見光具有透明性(下文稱 作"透光性")的基板3上的第一層包括沿水平方向排列于其上的 掃描線5和共用線7。薄膜晶體管Tr的4冊電才及5g由朝共用線7的 每條掃描線5形成，并沿垂直方向延伸。此外，每條共用線7的中 間部分被圖樣化為電容元件Cs的下電極7c。
透光的柵極絕緣膜9 (僅在圖2中示出)形成在基板3上，從 而覆蓋了掃描線5和共用線7。
基板3上的第二層形成在柵極絕緣膜9上，并包括由光學(xué)透明 的透射導(dǎo)電材料制成的透射顯示電極11并形成為^f象素電極。此處， 透射顯示電4及11在每個(gè)〗象素的大面積上形成。
此外，多個(gè)信號線13 H義在圖1中示出)故配置在棚-才及絕緯_膜 9上，沿垂直于掃描線5和共用線7的方向延伸。 <象素#^殳置在掃 描線5和信號線13之間的相交處。在每個(gè)像素中，形成了透射顯 示電4及11。
14/人每條信號線13，薄力莫晶體管Tr的一個(gè)源電才及/漏電才及13sd 沿水平方向朝向4冊電才及5g的一側(cè)延伸。位于4冊電才及5g相對側(cè)的另 一個(gè)源電極/漏電極13sd還用作電容元件Cs的上電才及并通過柵極絕 緣膜9延伸到下電極7c的上方。因此，這些堆疊的部分構(gòu)成了電 容元件Cs。此外，還用作電容元件Cs的上電極的源電極/漏電極的 端部被疊加在透射顯示電極11的端部，以與其直4妄接觸。更具體 地，如圖所示，源電極/漏電極13sd的端部可以i殳置在透射顯示電 才及11的端部上或相反。
此外，絕纟彖分隔壁層15形成在其上已形成有透射顯示電核_11、 信號線13和源電極/漏電極13sd的基板3的上側(cè)。分隔壁層15具 有第一開口 15a，處于對應(yīng)于薄膜晶體管Tr的溝道部分的位置或源 電極/漏電極13sd之間的柵電極5g上的位置。除第 一開口 15a以外， 分隔壁層15在透射顯示電4及11上方還具有寬第二開口 15b。只要 第二開口 15b與第一開口 15a分開，則第二開口 15b可以是任意尺 寸和形狀，即使其延伸到對應(yīng)于透射顯示電極11的區(qū)域外部。
此處，重要的是分隔壁層15將稍后描述的半導(dǎo)體層17劃分為 分別位于分隔壁層15上部和下部的兩部分。這種分隔壁層15具有 充分大于半導(dǎo)體層17的厚度的膜厚。此外，第一開口 15a和第二 開口 15b的側(cè)壁是垂直的，或者更優(yōu)選是傾斜的，使得每一開口朝 向開口上側(cè)變窄以形成倒4,形開口 。
如圖所示，這個(gè)分隔壁層15可具有(在截面中)有基本一致 的傾斜角的倒錐形側(cè)壁。在由堆疊層構(gòu)成的分隔壁層15中，開口 可隨著其接近下部膜而變寬。此外，在如下所述通過在分隔壁層15 的上部和下部之間沉積半導(dǎo)體層17來使它們彼此分離的情況下， 只有分隔壁層15的上部可以倒錐形狀形成。構(gòu)成薄膜晶體管Tr的有源層的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch形成在分 隔壁層15的第一開口 15a的底部上。此外，薄"莫晶體管Tr由4冊電 極5g、通過柵極絕緣膜9排列在4冊電才及5g兩側(cè)的源電才及/漏電^L 13sd以及堆疊在4冊電極5g上同時(shí)與源電極/漏電才及13sd 4妄觸的溝 道區(qū)半導(dǎo)體層17ch構(gòu)成。
溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch是乂人分隔壁層15上部形成并在第一開口 15a底部被圖樣化的半導(dǎo)體層17 (僅在圖2中示出)，同時(shí)與分隔 壁層15上的半導(dǎo)體層17的另一部分分離。此外，在第二開口 15b 底部上，半導(dǎo)體層17并沒有形成在透明顯示電4及11上或,人其大范 圍被去除。所以，透明顯示電極11可以大范圍地從半導(dǎo)體層17中 露出。
在其上如上所述形成有溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch、分隔壁層15和 透射顯示電極11的基板3上，進(jìn)一步經(jīng)由絕緣膜19 (僅在圖2中 示出)在基^反3上形成定向月莫21。
優(yōu)選地。絕緣膜19是溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的保護(hù)膜，但是其 在透射顯示電極11上的部分^皮去除了。然而，當(dāng)絕緣"莫19由透明 材料制成時(shí)，透射顯示電極11也可以;陂絕緣膜19所覆蓋。換句話 說，絕緣膜19形成在分隔壁層15上并覆蓋包^l舌溝道區(qū)半導(dǎo)體層 17ch的第一開口 15a。定向膜21還#1形成為可以用作<呆護(hù)膜以從 絕緣膜19的頂部覆蓋第一開口 15a并從透射顯示電極11的頂部覆 蓋第二開口 15b。
此外，在顯示裝置的上述結(jié)構(gòu)中，堆疊在透射顯示電才及11和 基板3上的任意層都應(yīng)該是盡可能具有良好可見光透射性的層。
另一方面，相對基板31 (僅在圖2中示出)— 皮配置為面向驅(qū)動(dòng) 基板3側(cè)，其中，透射顯示電極11如上所述形成。相對基板31由透光材料制成并具有由透射導(dǎo)電材料制成的光學(xué)透明的共用電 33 (對于所有像素是共用的)，同時(shí)以覆蓋該共用電極33的狀態(tài)形 成定向月莫35。此外，液晶層LC和隔離物(未示出)祐^殳置在基氺反 3的定向膜21與相對基板31的定向膜35之間。此外，附加的定向 板(未示出)被分別配置在基板3的外側(cè)和相對基板31的外側(cè)上。 因此，構(gòu)成了顯示裝置1-1。
在這種顯示裝置1-1中，通過偏光才反從基才反3入射的光可以透 過透射顯示電才及11并到達(dá)液晶層LC。然后，只有處于特定偏才展4犬 態(tài)的光才能夠穿過相對基板31側(cè)的偏振板并^皮取出作為顯示光， 其中，特定偏振狀態(tài)是通過根據(jù)施加給透射顯示電極和共用電極33 的電壓的狀態(tài)穿過以予貞定方向定向的'液晶層L C而引起的。
現(xiàn)在，參照圖3來描述如上所述構(gòu)造的顯示裝置1-1的制造方 法。圖3A~圖3E是對應(yīng)于方法的各個(gè)步驟的截面圖。
首先，如圖3A所示，制備透光的基板3?；?可由任何材 料制成，例如塑料或玻璃， <旦不限于此?？蛇x地，其可以是覆蓋有 絕緣保護(hù)膜的玻璃或塑料基板，優(yōu)選地，是具有良好可見光透射率 (80%~90%以上)的基板。此外，當(dāng)此處制造的顯示裝置是柔性 顯示器時(shí)，優(yōu)選地是塑料基板。
與配線、掃描線和共用線(未示出) 一起，第一層部件，即4冊 電才及5g和下電4及7c形成在基板3上?？梢詧?zhí)4亍這些電才及和配線的 形成而不依賴于任何具體技術(shù)和任何具體材料?？梢詫ζ鋺?yīng)用任何 技術(shù)和材料。例如，可優(yōu)選采用光刻法以更精細(xì)地形成電才及和配線。 在這種情況下，將通過光刻法形成的光致光致抗蝕圖樣作為掩才莫來 使形成的電極材料層經(jīng)受錐形圖樣蝕刻。電極材料層的實(shí)例包括鋁 (Al)膜、金(Au)膜、包含金(Au)膜和鉻(Cr)膜的堆疊膜、 銀(Ag)膜、釔(Pd)膜以及這些膜的堆疊膜。接下來，透光的4冊極絕緣膜9形成在基板3上，同時(shí)覆蓋4冊電 極5g、下電極7c等。柵極絕緣膜9可使用任意4支術(shù)和材并+來形成。 例如，柵極絕緣膜9由無機(jī)材料(例如，氧化石圭或氮化石圭)或有才幾 材料(例如，聚乙烯苯酚或聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA))制成， 4旦不限于此。
接下來，在柵極絕緣膜9上形成由透射導(dǎo)電材料制成的具有透 光性的透射顯示電才及11的圖案作為第二層的一部分。該透射顯示 電極11可使用任意技術(shù)和材料來形成。透射導(dǎo)電材料的實(shí)例包括 氧化物薄膜，例如，氧化銦錫(ITO )和氧化銦4辛(IZO )。可選i也， 可以使用任意有機(jī)物質(zhì)，例如PEDOT:聚(3,4-乙烯基二氧噻吩) 和PSS:聚(4-苯乙烯磺酸酯)。然而，當(dāng)使用這種有機(jī)物質(zhì)時(shí)，優(yōu) 選地，有機(jī)物質(zhì)的上表面覆蓋有薄無機(jī)物質(zhì)(分隔壁層)，因?yàn)橐?防止有機(jī)物質(zhì)在隨后的蝕刻步驟中^皮^C壞。
隨后，源電極/漏電極13sd和配線(未示出)在棚4及絕緣膜9 上一皮形成為第二層的一部分。這些電才及和配線可〗吏用4壬意4支術(shù)和才才 泮+來形成。例如，它們可以以類4以于形成處于第一層的4冊電纟及5g 和下電極7c的方式形成。因此，電容元件Cs由位于下電極7c與 一個(gè)源/漏電極13sd之間的棚-極絕《彖膜9構(gòu)成。
接下來，如圖3B所示，在其上形成有透射顯示電4及11和源電 極/漏電極13sd的柵極絕緣膜9上形成具有第一開口 15a和第二開 口 15b的分隔壁層15。開口 15a和15b的每一個(gè)都具有倒錐形的壁。 此外，開口 15a和15b分別形成在與上面參照圖l和圖2描述的位 置相同的位置上。換句話i兌，第一開口 15a形成在柵電才及5g上， 以及第二開口 15b大面積;也形成在透射顯示電才及11上。形成分隔 壁層15的方法實(shí)例包括使用感光樹脂的光圖樣化來形成的方法以 及通過結(jié)合絕緣膜的形成及其蝕刻來形成的方法。絕緣膜的實(shí)例包括樹脂膜(例如，PMMA膜)和無機(jī)絕緣膜(例如，氮化石圭(SiNx ) 膜和氧化硅(SiOx )膜)。
另外，例如，為了形成具有開口 15a和15b (具有倒4,形側(cè)壁， 其中，它們的傾斜角幾乎一致)的分隔壁層15,可以4吏用光敏樹脂 在適當(dāng)調(diào)節(jié)的曝光條件下執(zhí)行光刻。這樣的光刻形成了具有開口 15a和15b (具有倒錐形截面4侖廓的側(cè)壁)的分隔壁層15。還可以 通過類似方法來形成具有多層結(jié)構(gòu)的分隔壁層15。例如，為了^f吏用 光每文樹脂形成這樣的分隔壁層15,可以4吏作為第一層的下層膜的感 光度與設(shè)置在第一層上的第二層的膜的感光度彼此不同?？蛇x地， 第一層可使用光敏樹脂來形成，而第二層可使用能夠選4奪性地圖樣 化第一層的光敏樹脂的材料來形成。另外，當(dāng)絕緣膜的形成與其蝕 刻相結(jié)合時(shí)，可給予第 一層與第二層之間的蝕刻選擇性。
如圖3C所示，在形成該分隔壁層15之后，從分隔壁層15上 方沉積半導(dǎo)體層17。因此，作為半導(dǎo)體層17的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch 形成在第一開口 15a的底部上，同時(shí)與分隔壁層15上的另一半導(dǎo) 體層17分離。
此處，例如，可通過真空蒸鍍在基玲反3的整個(gè)表面上沉積半導(dǎo) 體層17。從而，半導(dǎo)體層17設(shè)置在第二開口 15b的底部，以與設(shè) 置在分隔壁層15上的半導(dǎo)體層17分離。
該半導(dǎo)體層17由有機(jī)半導(dǎo)體制成，例如，并五苯、p塞吩低聚 物(諸如六謹(jǐn)>分)或聚謹(jǐn)>分。當(dāng)采用諸如噴墨法的方法(通過該方 法可以同時(shí)執(zhí)行膜的圖樣化和形成)時(shí)，半導(dǎo)體層17可以選擇性 地僅形成在分隔壁層15中的第一開口 15a的底面上，并且得到的 半導(dǎo)體層17可被用作溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。
19因此，制備了底柵型底接觸的薄膜晶體管Tr。在該薄膜晶體管 Tr中，源電極/漏電極13sd形成在覆蓋4冊電極5g的柵絕^彖膜9上。 另夕卜，設(shè)置溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch以從源電極/漏電極13sd上方堆疊 在柵電極5g上。在該薄膜晶體管Tr中， 一個(gè)源電極/漏電極13sd 用作電容元件Cs的上電極并連接至透射顯示電極11。
隨后，如圖3D所示，沉積絕緣膜19以覆蓋分隔壁層15和半 導(dǎo)體層17。絕緣膜19可以形成為如圖所示不嵌入分隔壁層15的階 梯部分或者形成為具有平坦表面的平坦化膜。另外，當(dāng)絕緣膜19 具有不^見則表面時(shí)，優(yōu)選地，開口 15a和15b的側(cè)壁具有一般的4偉 形截面輪廓而不是倒錐形截面輪廓。另外，該絕緣膜19可具有單 層結(jié)構(gòu)或堆疊結(jié)構(gòu)。
該絕鄉(xiāng)彖膜19由氮化硅、氧化石圭、丙烯酸樹脂(例如，聚對4立 二曱苯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚或PMMA)等制成。
接下來，通過從透射顯示電極11圖樣去除絕緣膜19，來使半 導(dǎo)體層17在分隔壁層15的第二開口 15b的底部處露出來。此處， 可以預(yù)先通過印刷法等形成絕纟彖膜19,以使其在透射顯示電極11 上大面積、i也開口 。
然后，通過從對應(yīng)于第二開口 15b底部的透射顯示電極11去 除半導(dǎo)體層17，使透射顯示電極11從第二開口 15b的底部露出來。 在這種情況下，使用在絕緣膜19的圖樣去除中所使用的光致抗蝕 圖樣或者與絕緣膜19自身一起蝕刻來#1行半導(dǎo)體層17的去除。
隨后，如圖3E所示，/人基才反3的上方沉積定向膜21來覆蓋透 射顯示電極ll。結(jié)果，完成了驅(qū)動(dòng)側(cè)基4反3(即，顯示裝置的底4反)。此后，如圖2所示，由透射導(dǎo)電材料制成的共用電極33和定 向膜35 —個(gè)接一個(gè)地形成在由透明材并牛制成的相對基才反31上。然 后，基板3和相對基板31 ;波配置為;f皮此面對，同時(shí)定向膜21和定 向膜35彼此面對。在基板3和31之間設(shè)置隔離物(未示出)，然 后引入液晶層LC并密封于其間。從而，完成了透明液晶顯示裝置
在上述第一實(shí)施例中，溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch通過/人分隔壁層 15的上方進(jìn)行沉積而形成在第一開口 15a的底部上同時(shí)與分隔壁層 15上的半導(dǎo)體層17分離。因此，溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch可與半導(dǎo)體 層17彼此分離并被精細(xì)圖樣化。此夕卜，第二開口 15b與第一開口 15a —起形成在分隔壁層15中，并露出形成透射顯示電4及11的區(qū) i或。乂人其去除形成在第二開口 15b底部上的半導(dǎo)體層17。因此，可 以耳又出穿過透射顯示電一及l(fā)l的光而不受到半導(dǎo)體層17和分隔壁層 15的影響。
結(jié)果，雖然溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch通過從分隔壁層15的上方沉^ 積而被良好地隔離和圖樣化，但是也能夠獲得顯示光而不受分隔壁 層15和其頂部剩余的半導(dǎo)體層17的任何影響。因此，可以提高具 有透射顯示電才及11的顯示裝置1-1的圖Y象質(zhì)量。
<第二實(shí)施例>
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置1-2的示意性截面圖， 其對應(yīng)于沿圖1中的線II-II的截面。除絕緣膜具有雙層結(jié)構(gòu)之外， 圖中所示的顯示裝置1-2具有與圖2所示第一實(shí)施例的顯示裝置相 同的結(jié)構(gòu)部件。換句話i兌，形成為溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的保護(hù)層 的絕緣膜19 ^皮:沒置為保護(hù)絕緣膜19-1。此外，在保護(hù)絕纟彖膜19-1 上形成平坦化絕參彖月莫19-2以在透射顯示電才及11上估文一個(gè)開口 。 it匕 外，在這個(gè)平坦化絕纟彖膜19-2上形成定向膜21。在制造如上所述構(gòu)造的顯示裝置1-2的方法中，^M亍與圖3A~ 圖3D所示第一實(shí)施例相同的那些過程，直至在透射顯示電才及11上 去除半導(dǎo)體層17。此后，可以在基板3上形成平坦化絕緣膜19-2， 然后對平坦化絕緣膜19-2進(jìn)行圖樣形成開口以露出透射顯示電招_ 1，然后可在其上形成定向膜21。不具體限制形成平坦化絕緣膜19-2 的方法。平坦化絕緣膜19-2可通過印刷法等來形成，以預(yù)先執(zhí)行開 口的圖樣形成來露出透射顯示電才及11。
根據(jù)上述第二實(shí)施例，在形成在分隔壁層15中的第一開口 15a 的底部上形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。此外，用于露出形成透射顯示 電極ll的區(qū)域的第二開口 15b^L形成在分隔壁層15中，然后/人其 去除形成在第二開口 15b的底部的半導(dǎo)體層17。結(jié)果，顯示裝置 1-2能夠獲得顯示光而不受分隔壁層15和其頂部剩余的半導(dǎo)體層17 的4壬何影響，同時(shí)具有良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。
<第三實(shí)施例〉
圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示裝置1-3的示意性截面圖， 其對應(yīng)于沿圖1中的線II-II的截面。除透射顯示電極11被包括在 與柵電極5g和下電極7c相同的第一層中之外，圖中所示的顯示裝 置1-3具有與圖2所示第一實(shí)施例的顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)部件。
換句話說，除柵電極5g和下電極7c之外，基板3上的第一層 還包括透射顯示電才及11。此外，在形成在柵電才及5g頂部上的4冊才及 絕緣膜9中形成開口 9a，并且開口 9a在透射顯示電才及上4皮廣泛地 開口 。開口 9a允許柵4及絕緣膜9上的源電極/漏電才及13sd連接至透 射顯示電才及11。
如上所述構(gòu)造的顯示裝置的制造方法包括首先在基板3上形 成柵電極5g和下電極7c，然后形成由透射導(dǎo)電材料制成的透射顯
22示電極11 。柵電極5g和下電極7C分別均可以由透射導(dǎo)電材:桿制成。
在這種情況下，4冊電才及5g、下電才及7c和透射顯示電極11可在同一
步驟中形成。
此夕卜，形成柵極絕緣膜9，然后在柵才及絕緣膜9中形成開口 9a。 開口 9a在透射顯示電才及11上凈皮廣泛地開口 。隨后，在4冊4及絕纟彖膜 9上形成連接至透射顯示電極11的源電才及/漏電才及13sd。
可4丸行隨后的步-驟，直至通過與上面參照圖3B 3E描述的過 程相同的那些過程形成定向膜21 。
才艮據(jù)上述第三實(shí)施例，在形成在分隔壁層15中的第一開口 15a 的底部上形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。此夕卜，在分隔壁層15中形成 露出形成透射顯示電才及11的區(qū)i或的第二開口 15b。此外，爿t人該處去 除形成在第二開口 15b的底部的半導(dǎo)體層17。因此，如第一實(shí)施例， 顯示裝置1-2能夠獲得顯示光而不受分隔壁層15和保留在其頂部的 半導(dǎo)體層17的任何影響，同時(shí)具有良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。
<第四實(shí)施例>
圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示裝置1-4的示意性截面圖， 其對應(yīng)于沿圖1中的線II-II的截面。圖中所示的顯示裝置l-4是才艮 據(jù)第二和第三實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)組合。換句話說，除絕緣膜 的雙層結(jié)構(gòu)之外，顯示裝置l-4還包括與圖5所示第三實(shí)施例的顯 示裝置相同的部件。
換句話說，形成為溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的保護(hù)層的絕緣膜19 被設(shè)置作為保護(hù)絕緣膜19-1。此外，在保護(hù)絕緣膜19-1上形成平 坦化絕緣膜19-2,以在透射顯示電極11上得到一個(gè)開口 。此外， 在該平坦化絕纟彖膜19-2上形成定向膜21。才艮據(jù)上述第四實(shí)施例，在形成在分隔壁層15中的第一開口 15a 的底部上形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。此外，在分隔壁層15中形成 露出形成透射顯示電才及11的區(qū)域的第二開口 15b。
此外，形成在第二開口 15b的底部的半導(dǎo)體層17 乂人那里^皮去 除。如第一實(shí)施例，即便包括良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch，顯示裝 置1-4也能夠獲得顯示光而不受分隔壁層15和保留在其頂部的半導(dǎo) 體層17的任何影響。
<第五實(shí)施例>
圖7是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半透射/半反射液晶顯示裝置 的、^f應(yīng)于一個(gè)^f象素的驅(qū)動(dòng)側(cè)基^反的一部分的示意'l"生平面圖。jt匕外， 圖8是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的顯示裝置1-5的、對應(yīng)于沿圖7中 的線VIII-VIII截耳又的截面的示意'l"生截面圖。
除與透射顯示電極11 一起形成反射像素電才及以及用于安裝該 反射像素電極23的附加結(jié)構(gòu)之外，圖中所示的顯示裝置1-5具有與 圖2所示第一實(shí)施例的顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)部件。
換句話說，在第五實(shí)施例中，分隔壁層具有對應(yīng)于薄膜晶體管 Tr的溝道區(qū)的第一開口 15a、用于露出透射顯示電極11的第二開口 15b以及延伸至構(gòu)成電容元件Cs的源電才及/漏電才及13sd的第三開口 15c。如前述任意一個(gè)實(shí)施例，具有三個(gè)開口 15a、 15b和15c的分 隔壁層15 #:用作溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的保護(hù)膜的絕纟彖膜19所覆 蓋。此處，絕緣膜19優(yōu)選地^皮設(shè)置為平坦化膜等。
此外，在第三開口15c中，在覆蓋分隔壁層15的絕纟彖膜19和 半導(dǎo)體層中形成延伸至構(gòu)成電容元件Cs的源電極/漏電極13sd的連接孔19a。連接孔19a被形成為保持對分隔壁層15上的半導(dǎo)體層 17的絕纟彖性。
在絕纟彖膜19的一部分上形成反射^f象素電極23以避開第二開口 15b并在第三開口 15c中連接至連接孔19a底部上的源電才及/漏電極 13sd。因此，反射像素電極23通過源電4及/漏電才及13sd連4妄至透射 顯示電極11并且能夠接收與施加給透射顯示電極11的電位相等的電位。
此外，反射^f象素電才及23 ^皮配置在分隔壁層15以及覆蓋該分隔 壁層15的絕》彖月莫19上，并且^皮:沒計(jì)為具有不同于透射顯示電才及11 的高度。反射像素電極23的高度與形成透射顯示電極11的透射顯 示部與形成反射像素電極23的反射顯示部之間的液晶層LC的單元 間隙值相對應(yīng)。此外，可通過分隔壁層15以及覆蓋該層15的絕全彖 膜19來調(diào)節(jié)反射像素電極23的高度。此外，絕緣膜19可形成為 如圖所示不嵌入分隔壁層15的階梯部分中或者可形成為具有平坦 表面的平坦化膜。
此外，形成定向膜21以覆蓋上述透射顯示電才及11和反射像素 電極23。
在該顯示裝置1-5中，形成透射顯示電極的透射顯示部接收通 過偏光^反乂人基^反3入射的光。隨后，如第一實(shí)施例，光穿過透射顯 示電極ll并延伸至液晶層LC。然后，只有處于特定偏振狀態(tài)的光 才能夠穿過相對基4反31側(cè)的偏振4反并且可以取出作為顯示光，其 中，特定偏振狀態(tài)通過根據(jù)施加給透射顯示電極和共用電極33的 電壓的狀態(tài)穿過以預(yù)定方向定向的液晶層LC所引起。
相反，配置有反射像素電極23的反射顯示部接收通過偏光板 從相對基板31入射的光。隨后，光穿透液晶層LC并在反射像素電才及23上反射，然后再次穿過液晶層LC。在這種情形下，只有處于 特定偏振狀態(tài)的光才能夠再次穿過相對基才反31側(cè)的偏"t展外反并且可 以取出作為顯示光，其中，特定偏振狀態(tài)通過才艮才居施加^合透射顯示 電極23和共用電極33的電壓的狀態(tài)反復(fù)地穿過以預(yù)定方向定向的 液晶層LC所引起。
現(xiàn)在，參照圖9描述如上所述構(gòu)造的顯示裝置1-5的制造方法。 圖9A 9E是對應(yīng)于方法的各個(gè)步驟的截面圖。
首先，如圖9A所示，執(zhí)行與第一實(shí)施例相同的那些步驟，直 至在基板3上形成斥冊電極5g和下電極7c并被4冊才及絕緣膜9覆蓋， 在其上形成透射顯示電才及11，并形成源電才及/漏電才及13sd。
接下來，如圖9B所示，在其上形成有透射顯示電極11和源/ 漏電極13sd的柵-極絕緣膜9中形成第一開口 15a、第二開口 15b和 第三開口 15c。這些開口 15a、 15b和15c具有倒一維形截面4侖廓的側(cè) 壁。此外，以上面參照圖7和圖8描述的類似方式形成并定位各個(gè) 開口 15a、 15b和15c。換句話iJt，在4冊電才及5g上形成第一開口 15a, 在透射顯示電才及11上的一個(gè)廣泛區(qū)i或上形成第二開口 15b，以及在 構(gòu)成電容元寸牛Cs的源電才及/漏電才及13sd上形成第三開口 15c?！坟跋Σ?， 形成這種分隔壁層15的方法與第一實(shí)施例類似。
在形成上述分隔壁層15之后，如圖9C所示，從分隔壁層15 的上方沉積半導(dǎo)體層17。因此，組成半導(dǎo)體層17的溝道區(qū)半導(dǎo)體 層17ch形成在第一開口 15a的底部上，以與i殳置在分隔壁層15上 的半導(dǎo)體層17分離。以與第一實(shí)施例類似的方式執(zhí)行半導(dǎo)體層17
的形成。
隨后，如圖9D所示，形成絕纟彖膜19以覆蓋分隔壁層15和半 導(dǎo)體層17。此處，絕緣膜19優(yōu)選被形成為平坦化膜。接下來，通過從透射顯示電4及11圖樣去除絕緣膜19來4吏半導(dǎo)體層17在分隔 壁層15的第二開口 15b的底部露出。此外，在這種情況下，在分 隔壁層15的第三開口 15c底部上的絕纟彖膜19從那里凈皮去除，然后 形成連4妾孑L 19a以在連4妾孑L 19a的底部露出半導(dǎo)體層17。
以與第一實(shí)施例類似的方式執(zhí)行這種絕緣膜19的形成?？蛇x 地，絕緣膜19可通過印刷法等來形成，以預(yù)先具有連4妄孔19a同 時(shí)在透射顯示電才及11上被廣泛地開口 。此夕卜，絕纟彖膜19可以4皮i殳 置為回流膜(reflowfilm)。在這種情況下，可以在已經(jīng)具有連接孔 19a的絕緣膜19上執(zhí)行回流處理。因此，連接孔19a的開口邊緣部 19a可以#^修圓，并且防止接下來形成的反射像素電極:帔逐步切割。 此外，絕緣膜19可以如圖所示被形成為不嵌入分隔壁層15的階梯
然后，通過從對應(yīng)于第二開口 15b的底部的透射顯示電極11 去除半導(dǎo)體層17以^f吏透射顯示電才及11從第二開口 15b的底部露出， 同時(shí)去除連4妾孔19a的底部上的半導(dǎo)體層17以露出源電才及/漏電^L 13sd。
隨后，如圖9E所示，通過連接孔19a連接源電極/漏電極13sd 的反射像素電極23形成在絕緣膜19上。接下來，從基板3的上方 設(shè)置定向膜21以覆蓋透射顯示電極11和反射像素電極23。結(jié)果， 得到了驅(qū)動(dòng)側(cè)基板3 (即，顯示裝置的底外反)。
此后，如圖8所示，在由透明材并+制成的相對基才反31上逐個(gè) 地形成由透射導(dǎo)電材料制成的共用電極33和定向膜35。然后，使 基板3和相對基板31配置為相互面對，同時(shí)使定向膜21和定向膜 35相互面對。在基板3與31之間設(shè)置隔離物(未示出)，然后在其 中引入并密封液晶層LC。由此，得到了半透射/半反射液晶顯示裝 置1-5。即使在上述第五實(shí)施例的半透射/半反射顯示裝置1-5的情況 下，也在形成在分P鬲壁層15中的第一開口 15a的底部上形成溝道 區(qū)半導(dǎo)體層17ch。此外，用于露出形成透射顯示電極11的區(qū)域的 第二開口 15b形成在分隔壁層15中，然后^^該處去除形成在第二 開口 15b的底部上的半導(dǎo)體層17。如第一實(shí)施例，在該透射顯示部 中，顯示裝置1-5能夠獲得顯示光而不受分隔壁層15和保留在其頂 部的半導(dǎo)體層17的任何影響，同時(shí)具有良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層 17ch。此外，反射像素電極23從半導(dǎo)體層17的上方引出。因此， 即使在反射顯示的情況下也能不受半導(dǎo)體層17的影響而獲得顯示 光。
此外，反射像素電極23和透射顯示電極11可以在去除了第二 絕緣膜19-2的部分上相互直接連接。在這種情況下，沒有必要在分 隔壁層15中形成第三開口 15c。此外，沒有必要在絕多彖月莫19中形 ^li^"t妻孑L 19a。
<第六實(shí)施例>
圖10是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的顯示裝置1-6的示意性截面
圖，其對應(yīng)于沿圖7中的線vm-vm的截面。除絕^彖月莫具有雙層結(jié)
構(gòu)之外，圖中所示的顯示裝置l-6具有與圖8所示第五實(shí)施例的顯 示裝置相同的結(jié)構(gòu)部件。
換句話i兌，形成為溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的第一^f呆護(hù)層的絕續(xù)^ 膜19被設(shè)置為第一絕緣膜19-1。此外，以覆蓋絕緣膜19-1和透射 顯示電極11上的開口的形狀形成絕緣膜19-2。形成第二絕緣膜19-2 以覆蓋形成在第 一絕緣膜19-1中的開口的內(nèi)壁。絕緣膜19-1和19-2
可以如圖所示^皮形成為不嵌入由分隔壁層15引起的階梯部分或者 可以;故形成為具有平坦平面的平坦化月莫。此外，在第二絕,彖膜19-2中形成第二連接孑L 19-2a。第二連"f妄孑L 19-2a在形成在第一絕纟彖膜 19-1中的連4妻孑L 19a中到達(dá)源電才及/漏電極13sd。
此夕卜，通過第二連接孔19-2a連接至源電極/漏電極13sd的反 射像素電極23形成在第二絕緣膜19-2上。
在如上所述構(gòu)造的顯示裝置1-6的情況下，如第五實(shí)施例的半 透射/半反射顯示裝置1-5,顯示裝置1-6能夠獲得顯示光而不受透 射顯示部和反射顯示部中的每一個(gè)的半導(dǎo)體層17的任何影響，同 時(shí)具有良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。
此外，絕緣膜19-1和19-2分別具有堆疊結(jié)構(gòu)。因此，能夠緩 和由用于圖案化溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的分隔壁層15引起的任何階 梯部分，或者第一絕緣膜19-1的連接孔19a的上邊緣能夠被第二絕 緣膜19-2覆蓋同時(shí)修圓邊緣。因此，可以防止形成在其上部的反射 <象素電才及23 ^皮逐步切割。
此外，可以從透射顯示電極11去除第二絕緣膜19-2。在這種 情況下，第二絕纟彖月莫19-2可以是不透光的。此外，在這種情況下， 反射像素電極23和透射顯示電才及11可以在去除了第二絕緣膜19-2 的部分上相互直接連接。只要反射像素電極23和透射顯示電極11 相互直4妄連4妾，就沒有必要在分隔壁層15中形成第三開口 15c。同 樣，沒有必要在絕緣膜19中形成連接孔19a。
<第七實(shí)施例>
圖11是才艮據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的顯示裝置1-7的示意性截面 圖。除了在第一絕緣膜19-1與第二絕緣膜19-2之間配置了遮蔽層 25之外，圖中所示的顯示裝置1-7具有與圖IO所示第六實(shí)施例的 顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)部件。換句話說，遮蔽層25由導(dǎo)電材料制成，并在遮蔽層25凈皮堆疊 在溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch上方的位置i殳置在第一絕緣膜19-1與第二 絕緣膜19-2之間。
制造具有這種遮蔽層25的顯示裝置的方法包括以下步驟在 形成第一絕緣膜19-1之后但在形成第二絕緣膜19-2之前在第一絕 緣膜19-1上形成遮蔽層25。例如，可以以類似于形成斥冊電才及5g和 下電極7c的方式執(zhí)行形成這種遮蔽層25的方法，但沒有對其進(jìn)行
具體限制。
在上述第七實(shí)施例中，除第六實(shí)施例的有利效果之外，還形成 了設(shè)置在反射像素電極23與溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch之間的遮蔽層 25。因此，反射像素電才及23的電位不會(huì)影響溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch， 使得能夠防止所謂的背溝道效應(yīng)。因此，本實(shí)施例的顯示裝置1-7 能夠發(fā)揮減小薄膜晶體管Tr的工作電壓的有利效果。
<第爿\實(shí)施例>
圖12是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的顯示裝置1-8的對應(yīng)于一個(gè)像 素的部分驅(qū)動(dòng)側(cè)基板的示意性平面圖。此處，采用了頂4冊型薄膜晶 體管Tr，作為像素驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。另外，圖13是根據(jù)本發(fā)明第八 實(shí)施例的顯示裝置1-8的、對應(yīng)于沿圖12中的線xni-xin的截面 的示意性截面圖。與先前的實(shí)施例相同的部件分配有相同的參考標(biāo) 號，并省略對共有結(jié)構(gòu)的描述。
在圖中所示的顯示裝置1-8中，驅(qū)動(dòng)側(cè)基板3上的第一層包括 透射顯示電極11和垂直方向上進(jìn)行配線的多條信號線13。對于每 條信號線13,薄力莫晶體管Tr的一個(gè)源/漏電才及13sd在水平方向上延 伸。另外，第一層包括面向第一個(gè)源電才及/漏電才及并用作電容元件的 下電極的另一個(gè)源電極/漏電極13sd。源/漏電極13sd的末端i殳置透射顯示電才及11的末端上，橫_得它們可以直4妄連4妾至透射顯示電核_
11。另夕卜，在透射顯示電極11和源電極/漏電極13sd的堆疊狀態(tài)下， 如圖所示，源電才及/漏電極13sd的末端可i殳置在透射顯示電4及11的
末端上或相反。
另外，如第一實(shí)施例的絕緣分隔壁層15形成在如上所述形成 有透射顯示電極11,信號線13和源電極/漏電極13sd的基板3的 上側(cè)。絕緣分隔壁層15包4舌與第一實(shí)施例類似的第一開口 15a和 第二開口 15b。另外，還形成有延伸至構(gòu)成電容元件Cs的源電極/ 漏電才及13c的第三開口 15c。
換句話說，第一開口 15a位于對應(yīng)于薄膜晶體管Tr，的溝道區(qū) 域的位置或源電極/漏電極13sd之間的位置。建立第二開口 15b使 得可以廣泛地才丸4亍透射顯示電才及11頂部的開口 。第三開口 15c形成 在延伸至薄膜晶體管Tr，的一個(gè)源電極/漏電極13sd的、位于構(gòu)造電 容元件Cs的下電才及的一側(cè)。
另夕卜，如第一實(shí)施例，如下所述，分隔壁層15具有足夠的膜 厚來將半導(dǎo)體層17中分隔壁層15的上部的一部分與其下部的另一 部分分離。垂直i殳置開口 15a、 15b和15c的側(cè)壁。更優(yōu)選地，這 些側(cè)壁的每一個(gè)者卩具有倒《,形截面4侖廓，其中，開口的直徑朝向開 口的頂部逐沐斤減小。
構(gòu)成薄膜晶體管Tr，的有源層的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch形成在分 隔壁層15的第一開口 15a的底部。溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch是乂人分隔 壁層15的上部形成并形成在第一開口 15a的底部，同時(shí)與分隔壁 層15上的另一個(gè)半導(dǎo)體層17分離的半導(dǎo)體層17 (僅在圖13中示 出)。另外，第二開口 15b底部的透射顯示電才及l(fā)l上的半導(dǎo)體層17 一皮那里^皮廣泛去除，以/人半導(dǎo)體層17中廣泛露出透射顯示電才及11。 另外，半導(dǎo)體層17形成在第三開口 15c底部的源/漏電極13sd上。然后，形成柵極絕緣膜9(僅在圖13中示出)以覆蓋上述溝道 區(qū)半導(dǎo)體層17ch和第三開口 15c中的半導(dǎo)體層17。 /人該處去除透 射顯示電極11上的柵極絕緣膜9。
另夕卜，在柵極絕緣膜9上，僅在圖12中示出的掃描線5和共 用線7在與信號線13垂直的水平方向上進(jìn)行配線。另外，像素分 別一皮設(shè)置在掃描線5和信號線13之間的相交處。在每個(gè)4象素中， 放置透射顯示電極11。從每條掃描線5，薄膜晶體管Tr，的柵電極 5g延伸至其覆蓋位于源電極/漏電極13sd之間的溝道區(qū)半導(dǎo)體層 17c的位置。另外，頂柵型薄膜晶體管Tr，由 一對源電極/漏電極13sd、 形成在這些源電才及/漏電極13sd上的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17c和通過棚-極絕緣膜9形成在溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch上的4冊電才及5g構(gòu)成。
另夕卜，每條共用線7的中間部分圖樣化為構(gòu)成電容元件Cs的 上電極7c，。配置上電極以通過柵極絕緣膜9使其設(shè)置在用作下電 才及的源電才及/漏電才及13sd上。另外，在第三開口 15c的底部，電容 元件Cs由設(shè)置在用作下電才及的源電才及/漏電極13sd和下電4及7c，之 間的柵極絕緣膜9和半導(dǎo)體層17構(gòu)成。
另夕卜，在其上形成有柵電極5g和上電極7c，的基板上，通過絕 緣膜19 (僅在圖13中示出)形成定向膜21。因此，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)側(cè)基 板3的上部。優(yōu)選地，絕緣膜19是溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch的保護(hù)膜， 〈旦是其在透射顯示電極11上的部分#:去除。然而，當(dāng)絕^彖膜19由 透明材料制成時(shí)，透射顯示電極11也可以;故絕纟彖膜19所覆蓋。換: 句話說，絕緣膜19形成在分隔壁層15上，并覆蓋包含溝道區(qū)半導(dǎo) 體層17ch的第一開口 15a。另外，絕》彖力莫19可以形成為如圖所示 具有平坦表面的平坦化膜，或者^皮形成為不嵌入分隔壁層15的階 梯部分。還形成定向膜21以使其可以用作用于從絕緣膜19的頂部 覆蓋第一開口 15a以及用于/人透射顯示電才及11的頂部覆蓋第二開 口 15b的4呆護(hù)月莫。另一方面，如第一實(shí)施例的相對基板31 (僅在圖13中示出) 被配置為面對驅(qū)動(dòng)基板3的一側(cè)，其中，如上所述形成透射顯示電 極ll。即，相對基板31由透光材料制成。在面對透射顯示電極ll 的相對基板31的表面上，形成由透射導(dǎo)電材料制成的透光共用電 極33。該電極33對所有像素是共用的。相反，以覆蓋該共用電極 33的狀態(tài)形成定向膜35。另夕卜，液晶層LC和隔離物(未示出)祐L 設(shè)置在基板3的定向膜21和相對基板31的定向膜35之間。
以此方式，構(gòu)成了顯示裝置1-8。顯示裝置1-8可以扭J于如第 一實(shí)施例的^丸行透射顯示。
現(xiàn)在，參照圖14描述制造如上所述構(gòu)造的顯示裝置1 -8的方法。 圖14A 圖14E是對應(yīng)于該方法的各個(gè)步驟的截面圖。
首先，如圖14A所示，制備透光基板3，然后在其上部上形成 透射顯示電極ll。另外，除源電極/漏電極13sd之外，在基板3上 對信號線進(jìn)行配線。以類似于第 一 實(shí)施例的方式才丸4亍這些電極和配 線的形成，并且可以應(yīng)用使用任何技術(shù)和材料，4旦并不限于此。
接下來，如圖14B所示，在其上形成有透射顯示電4及11和源 電極/漏電極13sd的基板3上形成分隔壁層15。分隔壁層15包括 第一開口 15a、第二開口 15b和第三開口 15c,每個(gè)開口者P具有倒 4偉形截面4侖廓。另外，所形成的開口 15a、 15b ^口 15c的4立置與上 面參照圖12和圖13描述的類似。這些開口以類4以于第一實(shí)施例的 方式來形成。
隨后，如圖14C所示，在分隔壁層15上方沉積半導(dǎo)體層17。 因此，由半導(dǎo)體層17組成的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch形成在第一開口 15a的底部，從而與設(shè)置在分隔壁層15上的半導(dǎo)體層17分離。另 外，這種半導(dǎo)體層17的形成方法可以類似于第一實(shí)施例的方法。隨后，如圖14D所示，形成絕緣膜9以覆蓋分隔壁層15和半 導(dǎo)體層17。柵極絕緣膜9以與第一實(shí)施例類似的方式形成。接下來， 通過對透射顯示電極11上的柵極絕緣膜9進(jìn)行圖樣去除，在分隔 壁層15的第二開口 15b底部露出半導(dǎo)體層17。
此處，可以預(yù)先通過印刷法等形成柵極絕緣膜9以^吏其在透射 顯示電才及11上^皮大面積、的開口 。
接下來，使用用于柵電極膜9的圖樣去除的光致抗蝕圖樣或?qū)?柵極絕緣膜9本身作為掩膜，利用在第二開口 15b底部上乂人透射顯 示電極ll上去除半導(dǎo)體層17,透射顯示電極ll從第二開口 15b的
底部露出。
此后，如圖14E所示，除柵電4及5g和上電才及7c，的形成之外， 掃描線和共用配線也形成在棚-才及絕纟彖膜9上?？?lt;吏用4壬意4支術(shù)和才才 料來執(zhí)行這些電極和配線的形成。
從而，獲得了頂柵/底接觸型薄膜晶體管Tr，。這種薄膜晶體管 Tr，包括通過柵極絕緣膜9形成在溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch上的柵電招_ 5g，其中，形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch以在一對源電極/漏電極13sd 上方延伸。另外，獲得電容元件Cs。電容元件Cs由i殳置在用作下 電極的源電極/漏電才及13sd與第三開口 15c的底部的上電4及7c，之間 的柵-極絕纟彖膜9和半導(dǎo)體層17。
此后，絕緣膜19被形成在基板3上，同時(shí)覆蓋柵電極5g和下 電極7c。該絕緣膜19纟皮形成為允許透射顯示電才及11廣泛露出的形 狀?？梢詧?zhí)行這種絕緣膜19的形成，使得將絕緣膜19沉積在基板 3上，然后在分隔壁層15的第二開口 15b的底部^Vf亍透射顯示電才及 11上的絕緣膜19的圖樣去除。可選地，可以采用印刷法等，以預(yù) 先在透射顯示電極ll上作出較寬的開口。另外，絕緣月莫19可以形成為具有圖中所示平坦表面的平坦化膜，或者^皮形成為不嵌入分隔
壁層15的階梯部分。另外，當(dāng)絕緣膜19具有不規(guī)則表面時(shí)，優(yōu)選 地，使開口 15a和15b的側(cè)壁具有一般錐形截面專侖廓而不是倒錐形 截面l侖廓。另外，該絕》彖月莫19可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
這種絕緣膜19由氮化石圭、氧化石圭、丙烯酸樹脂(例如，聚只于 位二曱苯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚或PMMA)等制成。
此后，從基板3的上方設(shè)置定向膜21,從而完成驅(qū)動(dòng)側(cè)基板3 (即，顯示裝置的底4反)。
隨后，如圖13所示，由透射導(dǎo)電材料制成的共用電才及33和定 向膜35 —個(gè)接一個(gè)地形成在由透明材料制成的相對基板31上。然 后，基板3和相對基板31被配置為彼此面對，同時(shí)定向膜21和定 向膜35彼此面對。然后，在基板3和31之間設(shè)置隔離物(未示出)， 然后引入液晶層LC， 4吏用頂柵型晶體管完成透射型液晶顯示裝置 1-8。
根據(jù)上述第八實(shí)施例，在形成在分隔壁層15中的第一開口 15a 的底部上形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。另外，露出形成透射顯示電核^ 11的區(qū)域的第二開口 15b形成在分隔壁層15中。另外，/人該處去 除形成在第二開口 15b底部上的半導(dǎo)體層17。因此，如第一實(shí)施例， 顯示裝置l-8可以獲得顯示光而不受分隔壁層15和保留在其上的半 導(dǎo)體層17的影響，同時(shí)具有良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。
<第九實(shí)施例>
圖15是4艮據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的顯示裝置1-9的對應(yīng)于 一個(gè)傳_ 素的部分驅(qū)動(dòng)側(cè)基才反的示意性平面圖。顯示裝置l-9是4吏用頂4冊型 薄膜晶體管Tr，作為像素驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tr的IPS (平面內(nèi)切換)的液晶顯示裝置。另外，圖16是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的顯示裝 置1-9的對應(yīng)于圖15中的線XVI-XVI的截面的示意性截面圖。對 與先前實(shí)施例相同的部件分配相同的參考標(biāo)號，并省略只于共有結(jié)構(gòu)
的描述。
圖中所示的顯示裝置1-9具有與第一實(shí)施例的顯示裝置1-1相 同的結(jié)構(gòu)部件，除了透射顯示電才及11和共用電極33包4舌在同一層 中，并且沒有在相對基4反31上形成任何共用電才及33。另夕卜，連接 至共用電極33的共用配線7a可形成在基板3上，與用作電容元件 Cs的下電極7c的共用配線7分離。在這種情況下，例如，共用配 線7a包括在與柵電極5g和用作電容元件Cs的下電極7c的共用配 線7相同的層中。
換句話說，在根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的覆蓋柵電極5g和電容 元件的下電極7c的柵極絕緣膜9上，透射顯示電極11和共用電招_ 33以并行配置交替地進(jìn)行配線，即，所謂的梳狀配置。另外，共用 電極33通過形成在4冊極絕緣膜9中的連接孔9a( 4又在圖15中示出) 連接至共用配線7a，其中，共用配線7a形成在與4冊電才及5g和用作 電容元件Cs的下電極7c的共用配線7相同的層中。
另外，形成在分隔壁層15中的第二開口 15b被成形為使其可 以在透射顯示電極11和共用電極33上^皮大面積地開口 。
在如上所述構(gòu)造的顯示裝置中，當(dāng)液晶層LC的定向在施加在 透射顯示電極11與共用電極33之間的橫向電場中變?yōu)轭A(yù)定狀態(tài) 時(shí)，通過偏光板從基板3入射并穿過液晶層LC的光可以在穿過相 對基板31上的偏光4反之后浮皮取出作為顯示光。
在制造如上所述構(gòu)造的顯示裝置1-9的方法中，除了在形成透 射顯示電極11之前在柵極絕緣膜中形成連接孑L 9a的附加步驟以外，執(zhí)行與圖3所示第一實(shí)施例相同的處理。形成連接孑L 9a以到 達(dá)柵-極絕》彖膜9中的共用配線7。另外，可通過與圖樣4匕透射顯示 電極11相同的步驟來執(zhí)行共用電極33的圖樣化。
如上所述構(gòu)造的IPS型顯示裝置1-9包纟舌形成在分隔壁層15 中的第一開口 15a底部上的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。另外，露出形成 透射顯示電極11的區(qū)域的第二開口 15b形成在分隔壁層15中。另 外，形成在第二開口 15b底部上的半導(dǎo)體層17祐7人那里去除。因 此，如第一實(shí)施例，顯示裝置可以獲得顯示光而不受半導(dǎo)體層17 的影響，同時(shí)具有良好的溝道區(qū)半導(dǎo)體層17ch。
另外，第九實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)可通過與第五或第六實(shí)施 例的結(jié)合而被設(shè)置為半透射/半反射型顯示裝置。另外，第九實(shí)施例 的顯示裝置1-9的結(jié)構(gòu)可通過與第八實(shí)施例的結(jié)合而設(shè)置有頂柵型
薄膜晶體管。
另夕卜，通過在位于低于梳狀透射顯示電極11的層中的柵絕緣 才及9下方i殳置共用電才及33，第九實(shí)施例的顯示裝置109可構(gòu)成為 FFS (邊緣電場轉(zhuǎn)換)模式的液晶顯示裝置。在這種情況下，共用 電極33可以形成在相對于第二開口 15b的整個(gè)表面上。顯示裝置 的這種結(jié)構(gòu)也可以獲得類似的效果。
另外，第一~第九實(shí)施例的顯示裝置可設(shè)置有透射顯示電才及11 來作為反射像素電極。即使在這種情況下，反射像素電極上的分隔 壁層15和半導(dǎo)體層17也可以從那里去除。因此，從相對基板31 入射的光可以在反射像素電極上被反射并取出作為顯示光，而不受 分隔壁層15和半導(dǎo)體層17的影響。
本領(lǐng)i或的^支術(shù)人員應(yīng)理解，4艮才居i殳計(jì)要求和其他因素，可以有 多種》務(wù)改、組合、再組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的4又利要求或 等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括源電極和漏電極，形成在基板上；像素電極，形成在所述基板上，并與所述源電極或所述漏電極接觸；絕緣的分隔壁層，形成在所述基板上，并具有延伸至所述源電極和所述漏電極之間的第一開口以及形成于所述像素電極上并延伸至所述像素電極的第二開口；溝道區(qū)半導(dǎo)體層，形成在所述第一開口的底部上；絕緣膜，形成在所述分隔壁層上，以覆蓋包括所述溝道區(qū)半導(dǎo)體層的所述第一開口；以及定向膜，從所述絕緣膜上方覆蓋所述第一開口并從所述像素電極上方覆蓋所述第二開口。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中在所述分隔壁層的上部上形成由與所述溝道區(qū)半導(dǎo)體層 的材料相同的材料制成的半導(dǎo)體層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述溝道區(qū)半導(dǎo)體層由有機(jī)材料制成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括面向所述基板的相對基板和設(shè)置在所述基板與所述相對 基斗反之間的液晶層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述薄膜晶體管是底柵型晶體管，并且始的順序形成柵電極和柵極絕緣膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述l象素電才及是透射顯示電極，并且在所述分隔壁層的上層上，反射^f象素電才及通過所述絕緣 膜電連接至所述透射顯示電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，還包括第三開口，形成在所述分隔壁層之中，并延伸至所述源 電才及或所述漏電4及；以及連接孔，延伸至所述第三開口的內(nèi)側(cè)中的所述源電4及或 所述漏電4及，至少形成在所述絕緣膜中，其中所述反射像素電極通過在所述連4妾孔的底部露出的所述 源電才及或所述漏電4及連4妄至所述透射顯示電才及。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，還包括第三開口，延伸至所述源電極或所述漏電才及，形成在所 述分隔壁層中；以及半導(dǎo)體層，放置在所述第三開口的底部上，并由與所述 溝道區(qū)半導(dǎo)體層的材料相同的材料制成，其中在所述絕纟彖膜和方文置在所述第三開口的底部上的所述半 導(dǎo)體層中形成連接孔，其中，所述連接孔延伸至在所述第三開 口的內(nèi)側(cè)中的所述源電4及或所述漏電才及，同時(shí)與所述分隔壁層 上的所述半導(dǎo)體層絕纟彖，以及所述反射像素電極通過在所述連4妄孔的底部露出的所述源電極或所述漏電極連4妄至所述透射顯示電^L。
9. 才艮據(jù)權(quán)利要求6所述所述的顯示裝置，其中，參照所述分隔壁層的高度，調(diào)節(jié)所述反射〗象素電4及相對 于所述透射顯示電極的位置高度的位置高度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述薄膜晶體管是頂4冊型晶體管；并且在所述溝道區(qū)半導(dǎo)體層上通過棚-才及絕纟彖3莫形成4冊電才及。
11. 一種顯示裝置制造方法，包4舌以下步驟在基板上形成薄膜晶體管的源電極/漏電極，同時(shí)形成連 接至所述源電極/漏電極的像素電極；在所述基板上形成絕緣的分隔壁層，其中，所述分隔壁 層具有延伸至所述源電極與所述漏電沖及之間的第 一開口以及 位于所述像素電極上并延伸至所述像素電極的第二開口 ；以及在所述第一開口的底部上形成由半導(dǎo)體層構(gòu)成的溝道區(qū) 半導(dǎo)體層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置制造方法，其中所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟包括從所述分隔壁層 上方沉積半導(dǎo)體層，以在所迷第一開口的底部上形成由所述半 導(dǎo)體層形成的溝道區(qū)半導(dǎo)體層，從而與所述分隔壁層的上部分離。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置制造方法，其中所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟包括從所述分隔壁層 上方沉積半導(dǎo)體層，以在所述第一開口的底部上形成由所述半 導(dǎo)體層形成的溝道區(qū)半導(dǎo)體層，從而與所述分隔壁層的上部分 離；以及在所述第二開口的底部上形成由與所述溝道區(qū)半導(dǎo)體層 的材料相同的材料制成的半導(dǎo)體層，其中在所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟之后，才丸行從所述第 二開口的底部去除所述半導(dǎo)體層的步驟。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置制造方法，其中，所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟包括采用僅在所述第 一開口的底部選擇性地制備含有半導(dǎo)體材料的溶液的技術(shù)，在 所述第 一開口的底部上形成由所述半導(dǎo)體層構(gòu)成的溝道區(qū)半導(dǎo)體層。
15. —種半導(dǎo)體器件，包括源電才及和漏電才及，〗立于基^反上；導(dǎo)電圖案，形成在所述基板上，并與所述源電極或所述 漏電扭j妄觸；絕緣的分隔壁層，具有延伸至所述源電才及和所述漏電招_ 之間的第 一開口以及位于所述導(dǎo)電圖案的中心并延伸至所述 導(dǎo)電圖案的第二開口；溝道區(qū)半導(dǎo)體層，形成在所述第一開口的底部上；絕緣膜，形成在所述分隔壁層上，以覆蓋包括所述溝道 區(qū)半導(dǎo)體層的所述第一開口；以及定向膜，從所述絕緣膜的上方覆蓋所述第一開口并從所 述導(dǎo)電圖案上方覆蓋所述第二開口 。
16. —種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟在基板上形成薄膜晶體管的源電才及/漏電極，同時(shí)形成連 接至所述源電極/漏電極的像素電極；在所述基板上形成絕緣的分隔壁層，其中，所述分隔壁 層具有延4申至所述源電才及和所述漏電才及之間的第 一開口以及 位于導(dǎo)電圖案的中心并延伸至所述導(dǎo)電圖案的第二開口；以及在所述第一開口的底部上形成由半導(dǎo)體層形成的溝道區(qū) 半導(dǎo)體層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟包4舌乂人所述分隔壁層 上方沉積半導(dǎo)體層，以在所述第一開口的底部上形成由所述半 導(dǎo)體層形成的溝道區(qū)半導(dǎo)體層J人而與所述分隔壁層的上部分離。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟包4舌從所述分隔壁層上方沉積半導(dǎo)體層，以在所述第一開口 的底部上形成由所述半導(dǎo)體層形成的溝道區(qū)半導(dǎo)體層，從而與 所述分隔壁層的上部分離；以及在所述第二開口的底部上形成由與所述溝道區(qū)半導(dǎo)體層 的材料相同的材料制成的半導(dǎo)體層，其中在所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟之后，執(zhí)4于乂人所述第 二開口的底部去除所述半導(dǎo)體層的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，所述形成溝道區(qū)半導(dǎo)體層的步驟包4舌采用〗又在所述第一開口的底部選擇性地制備含有半導(dǎo)體 材料的溶液的技術(shù)，在所述第一開口的底部上形成由所述半導(dǎo)體層構(gòu)成的溝 道區(qū)半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置及其制造方法、以及半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中，該顯示裝置包括基板上的源電極/漏電極、像素電極、絕緣的分隔壁層、溝道區(qū)半導(dǎo)體層。源電極/漏電極和像素電極形成在基板上并彼此接觸。絕緣的分隔壁層形成在基板上，并設(shè)置有延伸至源電極和漏電極之間的第一開口以及形成在像素電極之上并延伸至像素電極的第二開口。溝道區(qū)半導(dǎo)體層形成于第一開口的底部上。絕緣膜形成在分隔壁層上以覆蓋包括溝道區(qū)半導(dǎo)體層的第一開口。定向膜從絕緣膜上方覆蓋第一開口并從像素電極上方覆蓋第二開口。通過本發(fā)明，可以提高具有像素電極的顯示裝置的圖像質(zhì)量。
文檔編號G02F1/1343GK101609832SQ20091014907
公開日2009年12月23日 申請日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月17日
發(fā)明者八木巖 申請人:索尼株式會(huì)社