專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法，更具體地涉及邊緣場切換
模式(Fringe Field Switching mode )的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
邊緣場切換(Fringe Field Switching: FFS )沖莫式的液晶顯示裝置， 是對相向的基板間夾持的液晶施加邊緣電場而進(jìn)行顯示的顯示方式。在 FFS模式的液晶顯示裝置中，由于通過透明導(dǎo)電膜形成像素電極和對置 電極(opposite electrode),所以與IPS模式相比能夠得到更高的孔徑比 和透過率。
在液晶顯示裝置中，當(dāng)根據(jù)觀察的角度看起來較黃或較藍(lán)，即所謂 的色移、色調(diào)反轉(zhuǎn)等發(fā)生時(shí)，視野角特性劣化。因此，在FFS模式的液 晶顯示裝置中，通過采用圖8那樣的結(jié)構(gòu)，從而抑制該色移(color shift) 和色調(diào)反轉(zhuǎn)(tone reversal),進(jìn)行視野角特性的改善。如圖8所示，在 現(xiàn)有的FFS模式的液晶顯示裝置中，使液晶20的分子與柵極配線43垂 直或平行地取向。而且，在經(jīng)由像素電極6和絕緣膜配置的共同電極8 上，以使相對于液晶20的取向軸(慢軸)±1~20。的角度的狹縫以像素 的中心成為對稱的方式配置。才艮據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在施加電壓時(shí)，如圖8 的以虛線記述的那樣，由于液晶20的取向方向變化，所以在一個(gè)像素 中液晶20對稱地工作。由此，能夠防止液晶20的雙折射效果根據(jù)傾斜 方向的觀察角度而變化，因此視野角特性改善。
這時(shí)，如圖9所示，需要將偏振片的吸收軸相對于液晶20的取向 方向(慢軸)在陣列(array)基板一側(cè)作為0°或90°,在對置基板一側(cè) 以與其成為正交尼科爾(crossed Nichols )的方式作為90°或0°。由此， 從該FFS^t式的液晶顯示裝置透過的透過光的偏振方向(光軸)相對于 柵極配線成為0°或90°。
可是，在室外使用液晶顯示裝置時(shí)，有在戴著偏振太陽鏡(sun glasses)的狀態(tài)下觀察圖像的情況。偏振太陽鏡為了使反射光不進(jìn)入眼 睛，其吸收軸配置在水平方向上。因此，當(dāng)來自該液晶顯示裝置的透過光是水平方向時(shí)，偏振太陽鏡吸收光，不再能觀察顯示的圖像。
因此，當(dāng)戴著偏振太陽鏡看圖像時(shí)，在橫置(橫向，landscape),或縱 置(縱向，portrait)的任何一方的顯示變成純黑。
為了解決這樣的問題，在專利文獻(xiàn)l中公開了在偏振片的上側(cè)粘貼 板的技術(shù)。此外，在專利文獻(xiàn)2中，公開了將兩枚水晶板組合在一 起的偏振消除板在偏振片上粘貼，改善以偏振太陽鏡觀察時(shí)的可見性的 方法。進(jìn)而，在專利文獻(xiàn)3中，公開了一種通過規(guī)定顯示面?zhèn)鹊钠衿?的偏振方向，改善以偏振太陽4竟觀察時(shí)的可見性的方法。 專利文獻(xiàn)l:日本專利申請公開平10-10523號公報(bào) 專利文獻(xiàn)2.'日本專利申請公開平10-10522號公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本專利申請公開平10-49082號公報(bào)
本發(fā)明要解決的課題
可是，在專利文獻(xiàn)l、 2中，由于新需要人/4板或偏振消除板等的構(gòu) 件，導(dǎo)致成本上升.(higher cost)。此外，當(dāng)在液晶顯示裝置上安裝這 些構(gòu)件時(shí)，存在液晶顯示裝置的厚度增加的缺點(diǎn)。另一方面，當(dāng)在FFS 模式的液晶顯示裝置中使用專利文獻(xiàn)3的方法時(shí)，對比度(contrast)下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供一種 FFS模式的液晶顯示裝置及其制造方法，該液晶顯示裝置不用新追加構(gòu) 件，能夠在帶著偏振太陽鏡的狀態(tài)下橫向、縱向均能夠觀察顯示，顯示 品質(zhì)優(yōu)越。
用于解決課題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的液晶顯示裝置，設(shè)置有多個(gè)像素，其中，具備第一基板， 具有薄膜晶體管；第二基板，與上述第一基板對置配置；液晶，被夾持 在上述第一基板和上述第二基板之間；取向膜，在上述第一基板及上述 第二基板的與上述液晶相接的一側(cè)的面上形成，具有相對于與上述薄膜 晶體管的柵極電極連接的柵極配線的延伸方向，以成為0°<01<90°的傾 斜角度a傾斜的取向方向；像素電極，在所述像素內(nèi)形成，與上述薄膜 晶體管的漏極電極連接；共同電極，與上述像素電極隔著絕緣膜對置配置；以及狹縫，在上述像素電才及及上述共同電才及的一方的電極上形成， 在與另一方的電極之間相對于上述液晶使邊緣電場產(chǎn)生，上述狹縫具 有第一狹縫(本發(fā)明的實(shí)施方式中的狹縫C)，其在上述像素內(nèi)設(shè)置， 在上述取向方向、或與上述取向方向垂直的垂直方向上延伸；多個(gè)第二 狹縫(本發(fā)明的實(shí)施方式中的狹縫A)，其在上述像素內(nèi)在上述第一狹 縫的單側(cè)的笫一區(qū)域中設(shè)置，相對于上述第一狹縫的延伸方向在規(guī)定的 方向上傾斜角度e而配置；以及多個(gè)第三狹縫(本發(fā)明的實(shí)施方式中的 狹縫B),其在上述像素內(nèi)在上述第一狹縫的與上述第一區(qū)域相反一側(cè) 的第二區(qū)域中設(shè)置,'相對于上述第一狹縫的延伸方向在與規(guī)定的方向的
相反方向上傾殺牛上述角度e而配置。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，是設(shè)置有多個(gè)像素的液 晶顯示裝置的制造方法，其中，具備在第一基板形成薄膜晶體管的工 序；在上述像素內(nèi)形成與上述薄膜晶體管的漏極電極連接的像素電極的 工序；形成共同電極的工序，該共同電極隔著絕^彖膜與上述像素電極對 置配置，具有在與上述像素電極之間使邊緣電場產(chǎn)生的狹縫；在上述共 同電極上形成取向膜的工序，該取向膜具有相對于與上述薄膜晶體管的 柵極電極連接的柵極配線的延伸方向，以成為0?！碼〈90。的傾斜角度a 傾斜的取向方向，以及在上述第一基板上粘合第二基板，在上述第一基 板和上述第二基板之間封入液晶的工序，在上述共同電極的形成工序 中，形成第一狹縫，其在所述像素內(nèi)設(shè)置，在上述取向方向、或與上 述取向方向垂直的垂直方向上延伸；多個(gè)第二狹縫，其在上迷像素內(nèi)在 上述第一狹縫的單側(cè)的第一區(qū)域中設(shè)置，相對于上述第一狹縫的延伸方 向在規(guī)定的方向上傾斜角度e而配置；以及多個(gè)第三狹縫，其在上述像 素內(nèi)在上述第一狹縫的與上述第一區(qū)域相反的一側(cè)的第二區(qū)域中設(shè)置， 相對于上述第一狹縫的延伸方向在與上述規(guī)定的方向相反的方向上傾
斜所述角度e而配置。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供不用新追加構(gòu)件，能夠在帶著偏振太陽鏡的 狀態(tài)下橫向、縱向均能夠觀察顯示，顯示品質(zhì)優(yōu)越的FFS^t式的液晶顯 示裝置及其制造方法。


7圖1是表示在液晶顯示裝置中使用的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)的正面圖。
圖2是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的偏振片的配置方向的圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的TFT陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4是圖3的IV-IV剖面圖。
圖5是表示狹縫寬度為固定的情況下的狹縫長度的總和、和從正面 觀察時(shí)的每單位面積的透過率的關(guān)系的圖表。
圖6是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的狹縫的具體的配置例的圖。 圖7是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的狹縫的另一個(gè)具體的配置例的
圖。 '
圖8是表示現(xiàn)有的FF S模式的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的像素
結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖9是用于說明現(xiàn)有的FFS模式的液晶顯示裝置的偏振片的配置方 向的圖。
附圖標(biāo)記i兌明
1. 柵極電極
2. 半導(dǎo)體層
4. 源才及電^L
5. 漏極電極
6. 像素電極 8.共同電^L
10. 基板
11. 柵極絕緣膜
12. 第二絕緣膜
13. 第三絕緣膜 15.偏振片
20.液晶 25.偏振片 30.透過光 35.偏振太陽鏡 41.顯示區(qū)i或42. 框緣區(qū)域
43. 柵極配線
44. 源才及配線.
45. 掃描信號驅(qū)動電路
46. 顯示信號驅(qū)動電路
47. 像素
48. 49.外部配線 50. TFT
81. 第一區(qū)域
82. 第二區(qū)域
A、 Al、 A2、 An.狹縫
B、 BI、 B2、 Bm.狹縫
C、 狹縫
具體實(shí)施例方式
首先，使用圖1對本實(shí)施方式的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。圖l是表 示在液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管(Thin Film Transistor: TFT)陣 列基板的結(jié)構(gòu)的正面圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置，是在TFT陣列基 板上形成了像素電極和對置電極的FFS模式的液晶顯示裝置。
本實(shí)施方式的液晶顯示裝置具有基板10?；錓O例如是TFT陣列 基板等的陣列基板。在基板10上，設(shè)置有顯示區(qū)域41和以包圍顯示區(qū) 域41的方式設(shè)置的框緣區(qū)域42。在該顯示區(qū)域41中，形成有多個(gè)柵極 配線(掃描信號線)43和多個(gè)源極(source)配線(顯示信號線)44。 多個(gè)柵極配線43平行地設(shè)置。同樣地，多個(gè)源才及配線44平4亍地設(shè)置。 才冊才及配線43與源才及配線44以相互交叉的方式形成。以鄰接的4冊一及配線 43與源極配線44包圍的區(qū)域成為像素47。因此，在基板10中，像素 47排列為矩陣(matrix)狀。
在基板10的框緣區(qū)域42上設(shè)置有掃描信號驅(qū)動電路45和顯示信 號驅(qū)動電路46。柵極配線43從顯示區(qū)域41延伸到框緣區(qū)域42,在基 板10的端部與掃描信號驅(qū)動電路45連接。源極配線44也是同樣地， 從顯示區(qū)域41延伸到框緣區(qū)域42,在基板10的端部與掃描信號驅(qū)動電 路46連接。在掃描信號驅(qū)動電路45的附近連接有外部配線48。此外，
9在顯示信號驅(qū)動電路46的附近連接有外部配線49。外部配線48、 49例 如是FPC (撓性印刷電路，F(xiàn)lexible Printed Circuit)等的配線基板。
來自外部的各種信號經(jīng)由外部配線48、 49供給到掃描信號驅(qū)動電 路45、及顯示信號驅(qū)動電路46。掃描信號驅(qū)動電路45基于來自外部的 控制信號，將柵極信號(掃描信號)供給到柵極配線43。根據(jù)該柵極信 號，依次選擇柵極配線43。顯示信號驅(qū)動電路46基于來自外部的控制 信號、顯示數(shù)據(jù)(data)，將顯示信號供給到源極配線44。由此，能夠 將與顯示數(shù)據(jù)對應(yīng)的顯示電壓對各像素47供給。
在像素47內(nèi)至少形成有一個(gè)TFT50。 TFT50配置在源極配線44與 柵極配線43的交叉點(diǎn)附近。例如，該TFT50對像素電極供給顯示電壓。 即，根據(jù)來自柵極配線43的柵極信號，作為開關(guān)(switching)元件的 TFT50接通(on )。由此，顯示電壓從源極配線44施加到與TFT50的 漏極電極連接的像素電極。進(jìn)而，像素電極與具有狹縫的共同電極(對 置電極)隔著絕緣膜相向配置。在像素電極與對置電極之間，產(chǎn)生與顯 示電壓對應(yīng)的邊緣電場。再有，在基板10的表面上，形成有取向膜(未 圖示)。關(guān)于像素47的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，在后面敘述。
進(jìn)而，對置基板與基板IO相向地配置。對置基板例如是濾色(color filter )基板，配置在可見側(cè)。對置基板以與陣列基板之間的單元間隙(cell gap)成為例如1 5(im左右的方式相向配置。在對置基板上，形成有黑 矩陣(black matrix (BM))、濾色片、以及取向膜。在濾色片與取向 膜之間，也可以還形成有外涂層(overcoat)膜或柱狀光墊片(photo spacer)。
在基板10與對置基板之間夾持有液晶層。即，在基板10與對置基 板之間導(dǎo)入有液晶。在本實(shí)施方式中，液晶在沒有凈皮施加電壓時(shí)，以相 對于柵極配線43以大于0°小于90。的角度a取向。即，液晶的取向方向 (慢軸)相對于柵極配線43的延伸方向設(shè)定為0。〈a〈90。的角度a。由 此，在基板10及對置基板的與液晶接觸的一側(cè)的面上形成的取向膜， 具有相對于柵極配線43的延伸方向以角度a傾斜的取向方向。
進(jìn)而，在基板10和對置基板的外側(cè)的面上，設(shè)置偏振片、以及相 位差板。此外，在液晶顯示面板(panel)的可見側(cè)的相反側(cè)，配置背光 燈單元(back light unit)等。在本實(shí)施方式中，偏振片的吸收軸被設(shè)定 為相對于液晶的取向方向(慢軸)垂直或平行的朝向。關(guān)于此，使用圖2進(jìn)行說明。圖2是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的偏振片的配置方向的 圖。如圖2所示，在將陣列基板側(cè)的偏振片15的吸收軸設(shè)定為相對于 作為與液晶的取向方向(慢軸)平行的方向的柵;改配線43的延伸方向 成為角度a的朝向的情況下，將對置基板側(cè)的偏振片25的吸收軸作為 與其成為正交尼科爾的角度a+90。。另一方面，在將陣列基板側(cè)的偏振 片15的吸收軸設(shè)定為相對于作為與液晶的取向方向"曼軸)垂直的方 向的柵極配線43的延伸方向成為角度a+90。的朝向的情況下，將對置基 板側(cè)的偏振片25的吸收軸作為與其成為正交尼科爾的角度a。如此，偏 ，振片15、 25具有在與液晶的取向方向、或與取向方向垂直的垂直方向 上設(shè)定的吸收軸。
液晶通過像素電才及和對置電極之間的邊緣電場而^皮驅(qū)動。即，通過 -波施加的電壓，基板間的液晶的取向方向變化。由此，通過液晶層的光 的偏振狀態(tài)變化。即，通過偏振片而成為直線偏振光的光通過液晶層， 偏振狀態(tài)變化。具體地，如圖2所示，來自背光燈單元的光通過陣列基 板側(cè)的偏振片15而成為直線偏振光。該直線偏振光通過液晶20層，從
而偏纟展?fàn)顟B(tài)變4l:。
根據(jù)偏振狀態(tài)，通過對置基板側(cè)的偏振片25的光量變化。即，從 背光燈單元透過液晶顯示面板的透過光中的、通過可見側(cè)的偏振片25 的光的光量變化。液晶的取向方向根據(jù);故施加的顯示電壓而變化。因此， 通過控制顯示電壓，能夠使通過可見側(cè)的偏振片25的光量變化。即， 通過對像素的每一個(gè)改變顯示電壓，能夠顯示所希望的圖像。
以這樣的方式通過對置基板側(cè)的偏振片25的透過光30的光軸，相 對于柵極配線43成為角度a、或a+90。的偏振方向的直線偏振光。具體 地，如圖2所示，奉將對置基板側(cè)的偏振片的吸收軸設(shè)定為相對于柵極 配線43成為角度a+90。的朝向的情況下，相對于柵極配線43角度a的 偏振方向的透過光30從液晶顯示裝置透過。另一方面，在將對置基板 側(cè)的偏振片25的吸收軸設(shè)定為相對于4冊才及配線43成為角度a的朝向的 情況下，相對于柵極配線43角度a+90。的偏振方向的透過光30從液晶 顯示裝置透過。如Ji所述，該角度a的值相對于柵極配線43的延伸方 向設(shè)定為0°<a<90°。由此，從液晶顯示裝置透過的透過光30的偏4展 方向變得與偏振太陽鏡35的吸收軸被配置的水平方向不完全一致。因 此，當(dāng)戴著偏振太陽鏡35看圖像時(shí)，能夠防止在橫置(橫向，landscape),或縱置(縱向，portrait)的任何一方的顯示變成純黑。即，在戴著偏振 太陽鏡35的狀態(tài)下均能夠觀察橫置(橫向)、縱置(縱向)的顯示。
接著，使用圖3及圖4對本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)進(jìn) 行說明。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的TFT陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的平 面圖。圖4是圖3的IV-IV剖面圖。圖3表示TFT陣列基板的像素47 的一個(gè)。在這里，以形成溝道腐蝕(channel-etch)型的TFT50的情況 為例進(jìn)行說明。
在圖3及圖4中，在玻璃(glass)等的透明的絕緣性基板10上， 形成有其一部分構(gòu)成柵極電極1的柵極配線43。柵極配線43以在基板 10上在一個(gè)方向直線地延伸的方式而配設(shè)。4冊極電極1和柵極配線43 例如通過Cr、 Al、 Ta、 TI、 Mo、 W、 Ni、 Cu、 Au、 Ag或以它們作為 主成分的合金膜、或它們的層疊膜而形成。
以覆蓋柵極電極1和柵極配線43的方式，設(shè)置有作為第一絕緣膜 的柵極絕緣膜11。柵極絕緣膜11例如通過氮化硅(silicon)、氧化硅 等絕緣膜形成。而且，在TFT50的形成區(qū)域中，隔著柵極絕緣膜ll在 柵極電極1的對面設(shè)置有半導(dǎo)體層2。在這里，半導(dǎo)體層2以與柵極配 線43重疊的方式在柵極絕緣膜11上形成，與該半導(dǎo)體層2重疊的區(qū)域 的柵極配線43成為柵極電極1。半導(dǎo)體層2例如通過非晶硅、多晶硅
(poly silicon)等形成。
再有，在半導(dǎo)體層2的兩端上，分別形成有被摻雜(doping) 了導(dǎo) 電性雜質(zhì)的歐姆接觸(ohmic contact)膜(未圖示)。與歐姆接觸膜對 應(yīng)的半導(dǎo)體層2的區(qū)域成為源/漏區(qū)域。具體地說，與圖3中的上側(cè)的歐 姆接觸膜對應(yīng)的半導(dǎo)體層2的區(qū)域成為源極區(qū)域，而且，與圖3中的下 側(cè)的歐姆接觸膜對應(yīng)的半導(dǎo)體層2的區(qū)域成為漏極區(qū)域。這樣，在半導(dǎo) 體層2的兩端形成有源/漏區(qū)域，而且，^皮半導(dǎo)體層2的源/漏區(qū)域夾著 的區(qū)域成為溝道(channel)區(qū)域。在半導(dǎo)體層2的溝道區(qū)域上，沒有形 成歐姆接觸膜。歐姆接觸膜例如通過被高濃度地?fù)诫s了磷(phosphorus)
(P)等的雜質(zhì)的、n型非晶硅或n型多晶硅等形成。
在歐姆接觸膜上，形成有源極電極4以及漏極電極5。具體地，在 源極區(qū)域側(cè)的歐姆接觸膜上，形成有源才及電極4。而且，在漏才及區(qū)域側(cè) 的歐姆接觸膜上，形成有漏極電極5。如此，構(gòu)成溝道腐蝕型的TFT50。 而且，源極電極4和漏極電極5以向半導(dǎo)體層2的溝道區(qū)域的外側(cè)延伸的方式形成。即，源極電極4及漏極電極5與歐姆接觸膜同樣地，不在 半導(dǎo)體層2的溝道區(qū)域上形成。
源極電極4向半導(dǎo)體層2的溝道區(qū)域的外側(cè)延伸，與源極配線44 連接。源極配線44在柵極絕緣膜11上形成，在基板10上以在與柵極 配線43交叉的方向上直線延伸的方式配設(shè)。因此，源極配線44在與才冊 極配線43的交叉部中分叉，然后沿著柵極配線43延伸，成為源極電極 4。
漏極電極5向半導(dǎo)體層2的溝道區(qū)域的外側(cè)延伸。即，漏極電極5 具有向TFT50的外側(cè)延伸的延伸部。源極電極4、柵極電極5、以及源 極配線44例如通過Cr、 Al、 Ta、 Ti、 Mo、 W、 Ni、 Cu、 Au、 Ag或以 它們作為主成分的合金膜、或它們的層疊膜而形成。
以覆蓋源極電極4、漏極電極5、以及源極配線44的方式，設(shè)置有 第二絕緣膜12。在第二絕緣膜12上，設(shè)置有到達(dá)漏極電極5的延伸部 的接觸孔(contact hole )(未圖示)。笫二絕緣膜12例如通過氮化硅、 氧化硅等的絕緣膜形成。
在第二絕緣膜12上，設(shè)置有經(jīng)由接觸孔與漏極電極5電連接的像 素電極6。像素電極6以經(jīng)由接觸孔與漏極電極5的延伸部連接的方式 形成。而且，像素電極6從漏極電極5的延伸部上向像素47內(nèi)延伸而 形成。具體地，如圖3所示，像素電才及6在凈皮源才及配線44和柵才及配線 43包圍的區(qū)域中的、除了 TFT50之外的大約整個(gè)面上配設(shè)。像素電極6 通過ITO等的透明導(dǎo)電膜形成。
以覆蓋像素電極6的方式設(shè)置有第三絕緣膜13。第三絕緣膜13例 如通過氮化硅、氧化硅等的絕緣膜形成。而且，在第三絕緣膜13上形 成有共同電極8。共同電極8隔著笫三絕緣膜13配設(shè)在像素電極6的對 面，如圖4所示，在與像素電極6之間設(shè)置有用于使邊緣電場產(chǎn)生的狹 縫。這里，共同電極8例如在除了狹縫部分之外的顯示區(qū)域41的大致 整個(gè)面上形成。由此，共同電才及8與鄰接的全部〗象素47的共同電4及8 電連接。共同電極8通過ITO等的透明導(dǎo)電膜形成。再有，在圖3中僅 記述了共同電極8是狹縫的外形。
這里，如圖3所示，在本實(shí)施方式中，延伸方向不同的多個(gè)狹縫在 共同電極8上形成。其中，多個(gè)狹縫A1、 A2、 ...An(以下，總稱為狹 縫A)設(shè)置在作為像素47的一部分的第一區(qū)域81上。此外，多個(gè)狹縫Bl、 B2、 ...Bn(以下，總稱為狹縫B)設(shè)置在作為像素47的另一部分 的第二區(qū)域82上。而且，在第一區(qū)域81和第二區(qū)域82之間形成有狹 縫C。狹縫C在第一區(qū)域81和第二區(qū)域82的邊界線上形成。
狹縫C在與沒有被施加電壓時(shí)的液晶20的取向方向(慢軸)的相 同方向、或與該取向方向垂直的垂直方向上延伸。即，狹縫C在取向膜 的取向方向，或與該取向方向垂直的垂直方向上延伸。由此，狹》逢C形 成為相對于柵極配線43以角度a或a+90。傾斜。再有，在圖3中，例示 地記述有狹縫C與液晶20的取向方向(慢軸)是相同方向，即在相對 于柵極配線43傾斜了角度a的方向上延伸設(shè)置的情況。在各像素47中， 將該狹縫C的上側(cè)作為第一區(qū)域81,下側(cè)作為第二區(qū)域82。分別在狹 縫C的單側(cè)設(shè)置有第一區(qū)域81,在狹縫C的第一區(qū)域81的相反側(cè)設(shè)置 第二區(qū)域82。
第一區(qū)域81的狹縫A與第二區(qū)域82的狹縫B以相對于該狹縫C 進(jìn)一步傾斜±0的方式設(shè)置。具體地，如圖3所示，狹縫B被設(shè)定為其
延伸方向相對于狹縫C的延伸方向是角度+e。即，狹縫B相對于狹縫C 的延伸方向在規(guī)定的方向上傾斜角度e而配置。優(yōu)選該角度9是1。以上
20°以下。另一方面，狹縫A被設(shè)定為其延伸方向相對于狹縫C的延伸 方向是角度-e。狹縫A被配置為相對于狹縫C的延伸方向在狹縫B的傾
斜方向的相反方向上傾斜角度e,由此，相對于狹縫c的狹縫A的傾斜
角度，與相對于狹縫C的狹縫B的傾斜角度在狹縫C的延伸方向上對 稱。通過將狹縫A、 B以該方式傾斜配置，能夠在一個(gè)像素47中使液晶 20相對于狹縫C對稱地工作。即，能夠使第一區(qū)域81和第二區(qū)域82 的雙折射效果對稱。因此，在從各種角度觀察時(shí)，能夠抑制色移的發(fā)生， 得到良好的視野角特性。
再有，相對于狹縫C的狹縫A的傾斜角度與狹縫B的傾斜角度是 相反的也可。即，也可以相對于狹縫C，將狹縫A傾斜角度+e進(jìn)行配設(shè)， 將狹縫B傾斜角度-e進(jìn)行配設(shè)。因此，在狹縫A、以及狹縫B中， 一方
配置為相對于狹縫c成為i°《e《20。的角度+e,另一方配置為傾斜 -e。狹縫A與狹縫B的傾斜角度的差為2e。
多個(gè)狹縫A1、 A2、 ...An在第一區(qū)域81中分別平行地設(shè)置。此外， 多個(gè)狹縫B1、 B2、 ，.Bm在第而區(qū)域82中分別平行地設(shè)置。多個(gè)狹縫 Al、 A2、 ...An以固定的間隔Sa設(shè)置。而且，多個(gè)狹縫B1、 B2、 ...Bm以與該間隔Sa相同的固定的間隔Sb設(shè)置。通常，間隔Sa、Sb優(yōu)選是1 ~ 10(im。
多個(gè)狹縫A1、 A2、 ...An以固定的狹縫寬度Wa形成。而且，狹縫 Al、 A2、 ...An分別具有狹縫長度L (al ) 、 L (a2) 、 ...L ( an)。狹 縫長度L (al) 、 L (a2)、..丄(an)可以不全部是相同的值。同樣地， 多個(gè)狹縫B1、 B2、 ...Bm以固定的狹縫寬度Wb形成。而且，狹縫B1、 B2、 ...Bm分別具有狹縫長度L (bl) 、 L (b2)、..丄(bm)。狹縫長 度L (bl ) 、 L (b2) 、 ...L (bm)可以不全部是相同的值。這時(shí)，在本 實(shí)施方式中，優(yōu)選以狹縫A的狹縫長度的總和L ( A) =L (al) +L (a2) 十….+L(an),與狹縫B的狹縫長度的總和L(B)=L(bl )+L(b2)+…+L
(bm)成為相同的值的方式，調(diào)整各狹縫的長度。
通過該方式形成L (A) =L (B)的各狹縫，由此能夠在第一區(qū)域 81和第二區(qū)域82使液晶20的工作區(qū)域相等。在下面對此進(jìn)行說明。圖 5是表示狹縫寬度為固定的情況下的狹縫長度的總和、和從正面觀察時(shí) 的每單位面積的透過率的關(guān)系的圖表。如圖5所示，狹縫長度的總和與 透過率具有比例關(guān)系。即，可知液晶20分子的工作區(qū)域與狹縫長度的 總和成比例。因此，通過使在笫一區(qū)域81中設(shè)置的狹縫A的狹縫長度 的總和L(A)，與在第二區(qū)域82中設(shè)置的狹縫B的狹縫長度的總和L
(B)相同，能夠使液晶20的工作區(qū)域在第一區(qū)域81與第二區(qū)域82相 等。由此，在從各種角度觀察時(shí)，能夠進(jìn)一步抑制色移的發(fā)生，得到更 良好的視野角特性。
這里，關(guān)于狹縫A、 B、 C的具體的尺寸， 一邊參照圖6 —邊進(jìn)行 說明。圖6是用于說明本實(shí)施方式的狹縫A、 B、 C的具體的配置例的 圖。在圖6中，例如在具有150pmx50nm的開口部的像素47上，設(shè)置 有與液晶的取向方向(慢軸)相同角度『45。的狹縫C。圖6中在狹縫 C的上側(cè)的第一區(qū)域81上，設(shè)置有9個(gè)狹縫A1 A9，此外，在狹縫C 的下側(cè)的第二區(qū)域82上，設(shè)置有7個(gè)狹縫B1 ~B7。狹縫A1 A9的狹 縫寬度Wa是3.5pm,間隔Sa是5.0pm。同樣地，狹縫B1 B7的狹縫 寬度Wb與Wa是相同的3.5)Lim,間隔Sb是與Sa相同的5.0|iim。像這 樣，在圖6中，狹縫A1 A9與狹縫B1 B7具有相同的狹縫寬度。通 過使相對于狹縫C的狹縫B1 -B7的傾斜角度+6是+10°,相對于狹縫C 的狹縫Al ~ A9的傾斜角度-e是-10。，如圖6所示，狹縫Bl ~B7配設(shè)為相對于柵極配線43的延伸方向傾斜55。。此外，狹縫Al A9配i殳為 相對于柵極配線43的延伸方向傾斜35°。
而且，以狹縫A1 A9的狹縫長度的總和L(A)與狹縫B1 B7的 狹縫長度的總和L (B)成為L (A) =L (B) 二360nm的方式，調(diào)整各狹 縫A1 A9、 B1 B7的狹縫長度。具體地，設(shè)定為成為L (al) =10|tim、 L ( a2 ) =28|um、 L ( a3 ) =47,、 L ( a4 ) =56|xm、 L ( a5 ) =55fim、 L (a6) =55, L ( a7 ) =55, L ( a8 ) =44, 、 L ( a9 ) =10,的狹 縫長度。此外，設(shè)定為成為L (bl) =22pm、 L(b2)=73(im、 L (b3 ) =77,、 L ( b4 ) =73, " b5 ) =57， " b6 ) =38,、 L ( b7 ) =20pm 的狹縫長度。
再有，狹縫A的狹縫寬度Wa與狹縫B的狹縫寬度Wb也可以不是 相同的值。也可以通過將狹縫A的狹縫寬度Wa調(diào)整為與狹縫B的狹縫 寬度Wb不同的值,實(shí)現(xiàn)L(A)二L(B)。即，為了滿足L(A)二L(B), 也可以使狹縫寬度Wa與狹縫寬度Wb不同。圖7是為了說明本實(shí)施方 式的狹縫A、 B、 C的另一個(gè)具體的配置例的圖。在圖7中，以狹縫Al ~ A9的狹縫長度的總和L(A)、與狹縫B1 ~B7的狹縫長度的總和L(B) 成為L ( A) =L (B) =380pm的方式，調(diào)整各狹縫A1 A9、 B1 B7的 狹縫長度。
具體地，設(shè)定為成為"al) =9,、 U a2 ) =27,、 U a3 ) =43,、 L ( a4 ) =55(am、 L ( a5 ) =56,、 L ( a6 ) =56(am、 L ( a7 ) =57|iim、 L (a8)=57|im 、 L ( a9 ) =20pm的狹縫長度。此外，設(shè)定為成為L(bl) =34(1 m、 U b2 ) =7一、 U b3 ) =80, U b4 ) =74降U b5 ) =58pm、 L (b6) =29pm、 L (b7) =21(im的狹縫長度。
再有，像素47的開口部的尺寸是150jxmx50(am，狹縫C的傾斜角 度是與液晶的取向方向(慢軸)相同的0=45°。使相對于狹縫C的狹縫 Bl ~ B7的傾斜角度+0是+10。，相對于狹縫C的狹縫Al ~ A9的傾斜角 度-e是-10。。此外，狹縫Al ~ A9的間隔Sa與狹縫Bl ~B7的間隔Sb 是相同的是5.0|nm，在這樣的情況下，也可以使狹縫Bl ~B7的狹縫寬 度是3.5pm,狹縫Al ~ A9的狹縫寬度Wa是比Wb小的3.0jim。
像這樣，在圖7中，狹縫A1 A9與狹縫B1 B7具有不同的狹縫 寬度。由此，假設(shè)在將狹縫寬度Wa和狹縫寬度Wb作為固定的值的情 況下，第一區(qū)域81、第二區(qū)域82的任何一方的區(qū)域不足夠，不能夠滿足L (A) =L (B)時(shí)，當(dāng)減少不足夠的區(qū)域的狹縫寬度或增加足夠的區(qū) 域的狹縫寬度時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)L (A) =L (B)。此外，在滿足L (A) =L (B)的情況下，假設(shè)狹縫A、 B偏向第一區(qū)域81、第二區(qū)域82內(nèi)的一 部分而配置時(shí)，通過適宜地增大狹縫寬度能夠在各區(qū)域內(nèi)均勻地配設(shè)。 另一方面，優(yōu)選狹縫寬度Wa、 Wb為2 10)im。
接著，對本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法進(jìn)行說明。 首先，在玻璃等的透明的絕緣性基板10的整個(gè)面上，對Cr、 Al、 Ta、 Ti、 Mo、 W、 Ni、 Cu、 Au、 Ag或以它們作為主成分的合金膜、或 它們的層疊膜進(jìn)行成膜。例如使用濺射(sputter)法或蒸鍍法等在基板 10的整個(gè)面上進(jìn)行成膜。之后，涂覆抗蝕劑(resist)，對涂覆了的抗 蝕劑從光掩膜(photomask)上進(jìn)行曝光，〗吏抗蝕劑感光。接著，對感 光后的抗蝕劑進(jìn)行顯影，對抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖(patterning)。以后，將該 一連串的工序稱為照相制版。之后，將該抗蝕劑圖案(pattern)作為掩 膜進(jìn)行蝕刻(etching),除去光抗蝕劑圖案。由此，柵極電極1和柵極 配線43^皮構(gòu)圖。
接著，以覆蓋柵極電極1和柵極配線43的方式，使成為槺極絕緣 膜11的第一絕緣膜、成為半導(dǎo)體層2的材料、以及成為歐姆接觸膜的 材料以該順序進(jìn)行成膜。例如，使用等離子體(plasma)CVD、常壓CVD、 減壓CVD等，在基板10的整個(gè)面上對其進(jìn)行成膜。作為柵極絕緣膜11, 能夠使用氮化硅、氧化硅等。
對于成為半導(dǎo)體層2的材料，能夠使用非晶硅、多晶硅等。此外， 對于成為歐姆接觸膜的材料，能夠使用高濃度地添加了磷(P)等的雜 質(zhì)的n型非晶硅或n型多晶硅等。之后，通過照相制版和精細(xì)加工技術(shù)， 在柵極電極1上島狀地對成為半導(dǎo)體層2的膜、以及成為歐姆接觸膜的 膜進(jìn)行構(gòu)圖。
接著，在本實(shí)施方式中，以覆蓋它們的方式，對Cr、 Al、 Ta、 Ti、 Mo、 W、 Ni、 Cu、 Au、 Ag或以它們?yōu)橹鞒煞值暮辖鹉ぁ⒒蛩鼈兊膶盈B 膜進(jìn)行成膜。例如，使用'賊射法或蒸鍍法等進(jìn)行成膜。之后，經(jīng)過照相 制版、蝕刻、除去抗蝕劑的工序，對源才及電4及4、漏才及電才及5、以及源 極配線44進(jìn)行構(gòu)圖。接著，將源極電極4和漏極電極5作為掩膜，對 成為歐姆接觸膜的膜進(jìn)行構(gòu)圖。即，構(gòu)圖為島狀的歐姆接觸膜中的、不 被源極電極4或漏極電極5覆蓋而露出的部分通過蝕刻被除去。由此，
17在源極電極4和漏極電極5之間形成設(shè)置了溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層2和歐 姆接觸膜。
再有，在上述說明中，將源極電極4和漏極電極5作為掩膜進(jìn)行蝕 刻，^旦也可以將對源極電極4和漏極電才及5進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)使用的抗蝕劑圖 案作為掩膜，進(jìn)行歐姆接觸膜的蝕刻。在該情況下，在除去源極電極4 和漏極電極5上的抗蝕劑圖案之前，進(jìn)行歐姆接觸膜的蝕刻。
接著，以覆蓋源極電極4、漏極電極5、以及源極配線44的方式， 對第二絕緣膜12進(jìn)行成膜。例如，作為第二絕緣膜12使用CVD法等 在基板10的整個(gè)面上成膜氮化硅、氧化硅等的無機(jī)絕緣膜。由此，半 導(dǎo)體層2的溝道區(qū)域被笫二絕緣膜12覆蓋。然后，在成膜了第二絕緣 膜12之后，通過照相制版、蝕刻、抗蝕劑除去的工序，在第二絕緣膜 12上形成到達(dá)漏極電極5的延伸部的接觸孔。
在第二絕緣膜12上，通過濺射法等在基板10的整個(gè)面上對ITO等 透明導(dǎo)電膜進(jìn)行成膜。然后，經(jīng)過照相制版、蝕刻、抗蝕劑除去的工序， 對該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖。由此，形成經(jīng)由接觸孔與漏極電極5連接的 像素電極6。
以覆蓋像素電極6的方式對第三絕緣膜13進(jìn)行成膜。例如，作為 第三絕緣膜13使用CVD法等在基板10的整個(gè)面上成膜氮化硅、氧化 硅等的無機(jī)絕緣膜。像素電極6被第三絕緣膜13覆蓋。
接著，在第三絕緣膜13上，通過濺射法等在基板10的整個(gè)面上對 ITO等透明導(dǎo)電膜進(jìn)行成膜。然后，經(jīng)過照相制版、蝕刻、抗蝕劑除去 的工序，對該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖。由此，隔著第三絕緣膜13在像素 電極6的對面，形成具有延伸方向不同的多個(gè)狹縫A、 B、 C的共同電 極8。通過以上的工序，完成本實(shí)施方式的TFT陣列基板。
在以該方式制作的TFT陣列基板上，在以后的單元(cell)工序中 形成取向膜。此外，在另外制作的對置基板上也同樣地形成取向膜。然 后，對該取向膜，在與液晶20的接觸面上在一個(gè)方向上實(shí)施賦予樣t細(xì) (micro)的傷痕的取向處理(摩擦(rubbing)處理)。這時(shí)，在本實(shí) 施方式中，將在TFT陣列基板上的共同電極8上設(shè)置的狹縫C的延伸方 向的相同方向或垂直方向作為摩4察方向。由此，形成具有相對于4冊才及配 線43的延伸方向，以0?！碼〈90。的傾斜角度a傾斜的取向方向的取向 膜。接著，涂覆密封(sealing)材料，粘合TFT陣列基板和對置基板。 在粘合TFT陣列基板和對置基板之后，使用真空注入法，從液晶注入口 注入液晶20。然后，密封液晶注入口。液晶20的取向方向(慢軸)在 與摩4察方向相同的方向上取向。在這樣形成的液晶單元的兩面上粘貼偏 振片，連接驅(qū)動電路之后，安裝背光燈單元。這時(shí)，在TFT陣列基板側(cè) 的偏振片15和對置基板側(cè)的偏振片25中，將一個(gè)偏振片的吸收軸配置 在相對于液晶20的取向方向(慢軸)成為垂直的朝向上，將另一個(gè)偏 振片的吸收軸配置在相對于液晶20的取向方向(慢軸)成為平行的朝 向上。這樣，完成了本實(shí)施方式的液晶顯示裝置。
如上所述，在本實(shí)施方式中，將沒有對像素電極6和共同電極8之 間施加電壓時(shí)的液晶20的取向方向(慢軸)作為相對于柵極配線43的 延伸方向成為0?！碼〈90。的角度a。因此，偏振片的吸收軸凈皮配置為相 對于液晶20的取向方向(慢軸)垂直或平行的朝向。由此，從液晶顯 示裝置透過的透過光30的光軸成為在橫向、縱向均與偏振太陽鏡35的 吸收軸被配置的水平方向不同的方向。因此，在戴著偏振太陽鏡35的 狀態(tài)下觀察顯示時(shí)，能夠防止在橫向、或縱向的任何一種顯示變?yōu)槿凇?br> 此外，將在共同電極8上形成的狹縫A、 B的一方和另一方，相對 于在與液晶20的取向方向(慢軸)平行或垂直方向上延伸形成的狹縫C 分別傾斜+e、 -e進(jìn)行配設(shè)，使液晶20分子相對于狹縫C對稱地工作。 由此，能夠抑制一個(gè)像素47區(qū)域的雙折射效果根據(jù)觀察角度而變化。 因此，在從各種角度觀察時(shí)，能夠抑制色移的發(fā)生，得到良好的視野角 特性。此外，不會如專利文獻(xiàn)1、 2那樣追加構(gòu)件而導(dǎo)致厚度增加，能 夠使液晶顯示裝置薄型化。而且，不會如在FFS模式的液晶顯示裝置中 應(yīng)用專利文獻(xiàn)3的方法那樣，使對比度下降。像這樣，根據(jù)本實(shí)施方式， 能夠提供不用新追加構(gòu)件，能夠在帶著偏振太陽鏡的狀態(tài)下橫向、縱向 均能夠觀察顯示，顯示品質(zhì)優(yōu)越的FFS模式的液晶顯示裝置及其制造方 法。
再有，在本實(shí)施方式中，對形成有溝道腐蝕型的TFT50的液晶顯示 裝置進(jìn)行了說明，但也可以設(shè)置頂柵(top-gate)型等其他的TFT50。
此外，在上述說明中，共同電極8在除了狹縫部分之外的顯示區(qū)域 41的大致整個(gè)面上形成，但并不限定于此。只要多個(gè)狹縫A、多個(gè)狹縫 B、以及狹縫C滿足上述條件的話，共同電極8的形狀能夠適宜地變更。進(jìn)而，例示地對在隔著第三絕緣膜13的像素電極6上，形成具有狹縫 的共同電極8的情況進(jìn)行了說明，但并不限定于此。例如，也可以在具 有狹縫的像素電極6下隔著絕緣膜使共同電極8對置配置。在該情況下， 在像素電極6上形成多個(gè)狹縫A、多個(gè)狹縫B、以及狹縫C。因此，只 要在隔著絕緣膜對置配置的像素電極6和共同電極8的任何一方上，以 滿足上述條件的方式形成用于使邊緣電場產(chǎn)生的狹縫A、 B、 C即可。
以上的說明是為了說明本發(fā)明的實(shí)施方式的說明，本發(fā)明并不限定 于上述實(shí)施方式。此外，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員，能夠在本發(fā)明的范圍 中容易地對以上的實(shí)施方式的各要素進(jìn)行變更、追加、變換。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，設(shè)置有多個(gè)像素，其中，具備第一基板，具有薄膜晶體管；第二基板，與所述第一基板對置配置；液晶，被夾持在所述第一基板和所述第二基板之間；取向膜，在所述第一基板及所述第二基板的與所述液晶相接的一側(cè)的面上形成，具有相對于與所述薄膜晶體管的柵極電極連接的柵極配線的延伸方向，以成為0°＜α＜90°的傾斜角度α傾斜的取向方向；像素電極，在所述像素內(nèi)形成，與所述薄膜晶體管的漏極電極連接；共同電極，與所述像素電極隔著絕緣膜對置配置；以及狹縫，在所述像素電極及所述共同電極的一方的電極上形成，在與另一方的電極之間相對于所述液晶使邊緣電場產(chǎn)生，所述狹縫具有第一狹縫，其在所述像素內(nèi)設(shè)置，在所述取向方向、或與所述取向方向垂直的垂直方向上延伸；多個(gè)第二狹縫，其在所述像素內(nèi)在所述第一狹縫的單側(cè)的第一區(qū)域中設(shè)置，相對于所述第一狹縫的延伸方向在規(guī)定的方向上傾斜角度θ而配置；以及多個(gè)第三狹縫，其在所述像素內(nèi)在所述第一狹縫的與所述第一區(qū)域相反的一側(cè)的第二區(qū)域中設(shè)置，相對于所述第一狹縫的延伸方向在與所述規(guī)定的方向相反的方向上傾斜所述角度θ而配置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述多個(gè)第二狹縫 的狹縫長度的總和，與所述多個(gè)第三狹縫的狹縫長度的總和成為相同的值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中，所述多個(gè)第二 狹縫與所述多個(gè)第三狹縫具有相同的狹縫寬度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中，所述多個(gè)第二 狹縫與所述多個(gè)第三狹縫具有不同的狹縫寬度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中，所述角度e 是1°以上20°以下。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中，還具備偏振 片，其設(shè)置在所述第二基板的與所述笫一基板配置的一側(cè)相反的一側(cè)，具有設(shè)定在所述取向方向、或所述垂直方向上的吸收軸。
7. —種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置設(shè)置有多個(gè)像 素，其中，該制造方法具備在第一基板上形成薄膜晶體管的工序；在所述像素內(nèi)形成與所述薄膜晶體管的漏極電極連接的像素電極 的工序；形成共同電極的工序，該共同電極隔著絕緣膜與所述像素電極對置 配置，具有在與所述像素電極之間使邊緣電場產(chǎn)生的狹縫；在所述共同電極上形成取向膜的工序，該取向膜具有相對于與所述 薄膜晶體管的柵極電極連接的柵極配線的延伸方向，以成為0°<a<90°的傾斜角度a傾斜的取向方向；以及在所述第 一基板上粘合第二基板，在所述第 一基板和所述第二基板 之間封入液晶的工序，在所述共同電極的形成工序中，形成第一狹縫，其在所述像素內(nèi)設(shè)置，在所述取向方向、或與所述取向 方向垂直的垂直方向上延伸；多個(gè)第二狹縫，其在所述像素內(nèi)在所述第 一 狹縫的單側(cè)的第 一 區(qū)域中設(shè)置，相對于所述第一狹縫的延伸方向在規(guī)定的方向上傾斜角度e而配置；以及多個(gè)第三狹縫，其在所述像素內(nèi)在所述第 一狹縫的與所述第 一區(qū)域 相反的一側(cè)的第二區(qū)域中設(shè)置，相對于所述第一狹縫的延伸方向在與所述規(guī)定的方向相反的方向上傾斜所述角度e而配置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，在所述 共同電極的形成工序中，以所述多個(gè)第二狹縫的狹縫長度的總和，與所 述多個(gè)第三狹縫的狹縫長度的總和成為相同的值的方式形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，在 所述共同電極的形成工序中，以與所述多個(gè)笫三狹縫相同的狹縫寬度形 成所述多個(gè)笫二狹縫。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中， 在所述共同電極的形成工序中，以與所述多個(gè)第三狹縫不同的狹縫寬度 形成所述多個(gè)第二狹縫。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，所述角度e是1°以上20°以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中， 還具備在所述第二基板的與配置所述第一基板一側(cè)的相反的一側(cè)上設(shè) 置偏振片的工序，在所述設(shè)置偏振片的工序中，將所述偏振片的吸收軸設(shè)定在所述取 向方向、或所述垂直方向上。
全文摘要
本發(fā)明提供FFS模式的液晶顯示裝置及其制造方法，該液晶顯示裝置不用新追加構(gòu)件，能夠在帶著偏振太陽鏡的狀態(tài)下橫向、縱向均能夠觀察顯示，顯示品質(zhì)優(yōu)越。本發(fā)明的液晶顯示裝置具備取向膜，其具有相對于柵極配線(43)的延伸方向以0°＜α＜90°的傾斜角度(α)傾斜的取向方向；像素電極(6)；共同電極(8)，隔著絕緣膜與像素電極(6)對置配置；以及狹縫，在像素電極(6)和共同電極(8)的一方上形成，在與另一方之間使液晶(20)產(chǎn)生邊緣電場。該狹縫具有第一狹縫(C)，在取向方向、或與其垂直的方向上延伸；多個(gè)第二狹縫(A)和多個(gè)第三狹縫(B)，相對于第一狹縫(C)分別傾斜角度±θ。
文檔編號G02F1/133GK101620332SQ20091015131
公開日2010年1月6日 申請日期2009年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日
發(fā)明者森井康裕, 米村浩治 申請人:三菱電機(jī)株式會社