專利名稱：一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種光學(xué)補(bǔ)償彎曲模式液晶顯示器(Optically Compensated Bend Mode Liquid Crystal Display, OCB LCD )，且特別是關(guān)于一種光學(xué)補(bǔ)償彎 曲模式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
為了配合現(xiàn)代生活模式，視頻或影像裝置的體積日漸趨于輕薄。傳統(tǒng)的陰 極射線顯示器(CRT)，雖然仍有其優(yōu)點，但是由于內(nèi)部電子腔的結(jié)構(gòu)，使得顯 示器體積龐大而占空間，且顯示時仍有輻射線傷眼等問題。因此，配合光電技 術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)所發(fā)展的平面式顯示器(Flat Panel Display),例如液晶顯示 器(LCD)、有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)或是等離子顯示器(Plasma Display Panel, PDP)，己逐漸成為顯示器產(chǎn)品的主流。
承上所述，在液晶顯示器領(lǐng)域里，OCB液晶顯示器具有快速響應(yīng)及廣視角 等優(yōu)點，在大尺寸液晶顯示器上具有極大的優(yōu)勢與發(fā)展?jié)摿ΑＨ欢∧ぞw管 (Thin-Film Transistor, TFT)漏電流的問題是各種液晶顯示器所遭遇到的共同瓶 頸，其中以O(shè)CB液晶顯示器特別顯著。請參考圖1，圖1為根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的 OCB液晶的反應(yīng)狀態(tài)圖，OCB液晶顯示器在工作上具有兩種狀態(tài)，當(dāng)液晶跨 壓VPC (Vpixel-Vcom)在臨界電壓VCR(Critical Voltage)之下時，OCB液晶處 于自由能(free energy)較低的伸展態(tài)(Splay state),反之則處于彎曲態(tài)(Bend state)。具伸展態(tài)的OCB液晶，其光穿透度無法控制。因此，為了得到較佳品 質(zhì)的顯示畫面，OCB液晶通常被運用在彎曲態(tài)區(qū)域，如此，當(dāng)顯示畫面由白畫 面轉(zhuǎn)換為黑畫面時，OCB液晶展現(xiàn)出快速響應(yīng)的優(yōu)勢。
當(dāng)OCB液晶處于彎曲態(tài)時，唯一需要注意的就是此液晶的白態(tài)電壓VPCW(即白畫面時的液晶跨壓)必須高于臨界電壓VCR，否則OCB液晶將從具 高自由能的彎曲態(tài)，掉回具低自由能的伸展態(tài)。但是受到來自TFT或液晶電容 的漏電流影響，可能導(dǎo)致面板部份區(qū)域的白態(tài)電壓VPCW值低于臨界電壓VCR 值，因此，位于此區(qū)域的OCB液晶將轉(zhuǎn)回伸展態(tài)，這時畫面上便會出現(xiàn)異常 的顯示畫面。為了解決上述問題，通常會將白態(tài)電壓VPCW拉高而使OCB液 晶維持在具高自由能的彎曲態(tài)。上述做法，雖然可以預(yù)防異常的畫面出現(xiàn)，卻 也犧牲了液晶在白畫面時的穿透度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種像素結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于OCB液晶顯示器上， 配合本發(fā)明的驅(qū)動方法可得到具彎曲態(tài)的低白態(tài)電壓，以增加白畫面時的透光 度。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基底、 一隔離層、一 保護(hù)層、 一像素電極、 一共用電壓連接線及一選擇線。隔離層形成于基底之上， 隔離層之上為一保護(hù)層，像素電極在保護(hù)層之上。共用電壓連接線位于基底與 隔離層之間，而選擇線也在基底與隔離層之間。共用電壓連接線與像素電極形 成一儲存電容，選擇線與像素電極形成一耦合電容。
本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基底、 一隔離層、 一保護(hù)層、 一像素 電極、 一共用電壓連接線及一選擇線。隔離層形成于基底之上，隔離層之上為 一保護(hù)層，像素電極在保護(hù)層之上。共用電壓連接線位于基底與隔離層之間， 而選擇線則位于隔離層與保護(hù)層之間。共用電壓連接線與像素電極形成一儲存 電容，選擇線與像素電極形成一耦合電容。
依照本發(fā)明的上述的像素結(jié)構(gòu)，因為儲存電容與液晶電容從耦合電容中得 到一個脈沖信號，使得像素跨壓的均方根高于臨界電壓，使白態(tài)電壓可以更接 近臨界電壓，因而提升了液晶在白畫面時的光穿透度。
本發(fā)明因采用耦合電容與液晶電容并聯(lián)，使耦合電容提供一過驅(qū)動電壓給 液晶電容，因此具有下列優(yōu)點
1. 即使液晶的最低跨壓不足，此液晶仍然可以維持在彎曲態(tài)，因而能夠正 常顯示畫面。
2. 當(dāng)液晶工作在白畫面時，不會因為驅(qū)動電壓的驅(qū)動能力不足，而造成液晶轉(zhuǎn)態(tài)。
3. 增加了像素的可工作電壓范圍。
4. 白態(tài)電壓可以更接近臨界電壓，因而提升了液晶在白畫面時的光穿透度。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā) 明的具體實施方式
作詳細(xì)說明，其中
圖1為OCB液晶跨壓與光穿透度函數(shù)關(guān)系圖。
圖2為一脈沖電壓的電壓變化波形圖。
圖3為多脈沖電壓的電壓變化波形圖。
圖4為本發(fā)明實施例的單一TFT像素的等效電路圖。
圖5為本發(fā)明實施例的液晶顯示器像素等效電路圖。
圖6為本發(fā)明實施例的液晶顯示器像素等效電路圖。
圖7為本發(fā)明實施例的液晶顯示器像素等效電路圖。
圖8A 8F為本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)圖。
圖9A 9F為本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖IO為本發(fā)明實施例的步驟流程圖。
具體實施例方式
OCB液晶的光穿透度，是取決于施加在液晶的電場。當(dāng)施加在液晶的電場 在液晶開始反應(yīng)前發(fā)生改變時，液晶受本身材料的黏滯系數(shù)與彈性系數(shù)的影 響，其排列的方向會受電場改變影響。換言之，此時液晶的排列是受到電場加 之于液晶的力矩在單位時間上的平均值來決定，而上述的力矩與電場大小的平 方成正比，因為光穿透度與液晶的排列形式有關(guān)，所以光穿透度就與驅(qū)動電壓 的均方根值有關(guān)。其公式如下
其中，V(t)為電壓的時間函數(shù)，T為V(t)的變化周期。
利用此原理，我們可以在像素跨壓上加入一組或多組的脈沖信號，來解決現(xiàn)有技術(shù)所遭遇的問題。請參考圖2及圖3，液晶跨壓在白畫面有一最小值為白態(tài)電壓VPCW，此白態(tài)電壓VPCW可能因為薄膜晶體管的漏電流或電容其他不良效應(yīng)而微幅下降。如圖2及圖3所示，在充電時間tl時液晶跨壓等于白態(tài)電壓VPCW，但是當(dāng)液晶進(jìn)入維持時間t2時，白態(tài)電壓VPCW微幅下降成為較低電位的白態(tài)電壓VPCWF。當(dāng)此低電位的白態(tài)電壓VPCWF低于臨界電壓VCR，液晶就會從彎曲態(tài)轉(zhuǎn)變成伸展態(tài)，而液晶跨壓的均方根維持在臨界電壓VCR之上時，液晶仍為彎曲態(tài)。因此，在液晶反應(yīng)時間t2內(nèi)加入一個或多個脈沖信號(例如圖2加入的脈沖信號PS及圖3加入的脈沖信號PS1與PS2)，液晶在反應(yīng)時間內(nèi)的電壓均方根值(root-mean square, RMS)便會得到提升而大于臨界電壓VCR。
其中，柵極電壓VG表示掃描線上的柵極驅(qū)動電壓，用以開啟相對應(yīng)的掃描線，數(shù)據(jù)線輸出的電壓則以數(shù)據(jù)線供應(yīng)電壓VDL表示。選擇線所輸出的過驅(qū)動電壓VSEL，其信號波形可為脈沖信號(如PS、 PS1、 PS2)。共用電壓VCOM則表示共用電壓的電壓電位。
借由脈沖信號PS，即使較低電位的白態(tài)電壓VPCWF最后等于臨界電壓VCR，甚至小于臨界電壓VCR，也不會造成OCB液晶轉(zhuǎn)態(tài)進(jìn)入不易控制的伸展態(tài)。因此，在實際應(yīng)用上，通過上述方法可將白態(tài)電壓VPCW工作在更接近臨界電壓VCR的電壓值。如圖1所示，白態(tài)電壓VPCW愈接近VCR，液晶的光穿透度也會更高，顯示器在顯示白畫面時可以更為明亮，而且可擴(kuò)大液晶從黑畫面到白畫面的電壓工作范圍。
圖4繪示為本發(fā)明一實施例的單一 TFT像素的電路結(jié)構(gòu)圖，此像素適用于OCB液晶顯示器。請參考圖4，此像素包括一晶體管、 一儲存電容CST1、 一液晶電容CLC及一耦合電容CST2。晶體管TFT的第一端耦接于數(shù)據(jù)線DL，液晶電容CLC則耦接于晶體管TFT的第二端與共用電壓VCOM之間，晶體管TFT的柵極則受控于掃描線SCL。上述的共用電壓VCOM為一參考電壓，可設(shè)為接地電壓或視實際需求而決定。耦合電容CST2則耦接于晶體管TFT的第二端與一選擇線SEL之間。在本實施例中，晶體管TFT可為薄膜晶體管(thin-film transistor, TFT)。
此外，儲存電容CST1與液晶電容CLC并聯(lián)，以提升液晶電容CLC的蓄電能力。當(dāng)液晶電容CLC充電后，會因為晶體管TFT的漏電現(xiàn)象等負(fù)面影響而造成像素的電壓值下降，而儲存電容CST1與液晶電容CLC并聯(lián)可產(chǎn)生較大的電容值并儲存較多電荷量，因此可以減緩像素的電壓下降速度。
當(dāng)數(shù)據(jù)線DL通過晶體管TFT將電壓儲存于液晶電容CLC與儲存電容CST1后，選擇線SEL經(jīng)由耦合電容CST2耦合一過驅(qū)動電壓(如VSEL)至液晶電容CLC，在一短暫的時間內(nèi)拉高像素的電壓。過驅(qū)動電壓在像素的電壓上產(chǎn)生一個脈沖信號(如圖2及圖3所示的PS)，使得液晶在反應(yīng)時間內(nèi)的電壓均方根值增加。即使后來像素的電壓因漏電或其他因素低于臨界電壓VCR，液晶所受到的總力矩仍然較大，而使液晶維持于彎曲態(tài)。
上述實施例的驅(qū)動方法與像素結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于幀反轉(zhuǎn)(Frame Inversion)、歹ll反轉(zhuǎn)(Row Inversion)、行反轉(zhuǎn)(Column Inversion)及點反轉(zhuǎn)(Dot Inversion)的OCB液晶顯示器。圖5繪示為本發(fā)明另一實施例的顯示器的像素電路圖。顯示器500包括多數(shù)個像素，其像素結(jié)構(gòu)則如圖4所示。掃描線SCL1 SCLN分別對應(yīng)于多數(shù)個液晶電容CLC，其中每一列的液晶電容會對應(yīng)到一選擇線，而數(shù)據(jù)線DL1 DLM則用以驅(qū)動該些液晶電容CLC。在數(shù)據(jù)線DL1 DLM對其中一列的液晶電容CLC充電后，相對應(yīng)的選擇線會根據(jù)數(shù)據(jù)線DL1 DLM的驅(qū)動極性，輸出一過驅(qū)動電壓至同一列的液晶電容CLC,其像素的電壓變化則如圖2所示。選擇線SEL1 SELN會在數(shù)據(jù)線DL1 DLM輸出電壓后，經(jīng)由耦合電容CST2耦合一過驅(qū)動電壓(本實施例中為一脈沖信號)至相對應(yīng)的液晶電容，使液晶電容CLC兩端的電壓差的均方根維持在臨界電壓VCR之上。即使后來白態(tài)電壓VPCW低于臨界電壓VCR，液晶所受到的總力矩仍然較大，而使液晶維持于彎曲態(tài)。
其中，選擇線SEL1 SELN所輸出的過驅(qū)動電壓會隨著數(shù)據(jù)線DL1 M的驅(qū)動極性而變，當(dāng)數(shù)據(jù)線DL1 M為正極性驅(qū)動時，過驅(qū)動電壓為正極性，當(dāng)數(shù)據(jù)線DL1 M為負(fù)極性驅(qū)動時，過驅(qū)動電壓為負(fù)極性。所以，圖5所示的實施例可適用于幀反轉(zhuǎn)與列反轉(zhuǎn)兩種驅(qū)動方式的顯示器。
圖6則是可適用于行反轉(zhuǎn)的液晶顯示器。圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器像素等效電路圖。由于行反轉(zhuǎn)的驅(qū)動極性以行來劃分，所以在圖6的實施例中，數(shù)據(jù)線DL1 M與選擇線SEL1 M為一對一。選擇線SEL1 M根據(jù)數(shù)據(jù)線DL1 M的驅(qū)動極性，輸出相對應(yīng)的過驅(qū)動電壓至液晶電容CLC。由于選擇線SEL1 M可依照數(shù)據(jù)線DL1 M的驅(qū)動極性來改變，因此，在本發(fā)明另一實施例中，圖6所示的像素電路圖也可適用于點反轉(zhuǎn)的顯示器。
在本發(fā)明另一實施例中，顯示器可在每一列的像素電容(表示整體像素的等效電容)配置兩條選擇線以適應(yīng)點反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式。圖7為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素等效電路圖，由于點反轉(zhuǎn)的驅(qū)動極性以個別像素來劃分，相鄰的像素驅(qū)動極性皆不同。所以在圖7實施例中，每一條掃描線對應(yīng)于兩條選擇線，選擇線以交錯方式(例如選擇線SEL1耦接至奇數(shù)個像素，選擇線SEL2耦接至偶數(shù)個像素，反之亦可)耦接至同一列(掃描線)的像素電容。以選擇線SEL1、 2為例，選擇線SEL1、 2的驅(qū)動極性相反，并隨著數(shù)據(jù)線DL1 DLM而變。在點反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式中，相鄰的像素需要不同的驅(qū)動極性，而選擇線SEL1、2即可依照數(shù)據(jù)線DL1 DLM的驅(qū)動極性，在數(shù)據(jù)線DL1 DLM對液晶電容CLC充電后，輸出相對應(yīng)的過驅(qū)動電壓至液晶電容CLC，使液晶維持在彎曲態(tài)。
上述圖5 圖7中的像素結(jié)構(gòu)請參照上述圖4的說明，像素的電壓波形也可參照圖2、 3的說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員經(jīng)由本發(fā)明的揭示應(yīng)可輕易推知上述圖5 圖7的其余工作細(xì)節(jié)，在此不加累述。
在布局方面，本發(fā)明特舉出六種布局的實施方式來說明上述圖4 7中的像素結(jié)構(gòu)的布局方式，但本發(fā)明的布局方式并不受其限制。以下說明請同時參考圖4、圖8A 圖8F，圖9A 圖9F，其中圖9A 圖9F分別為圖8A 圖8F的剖面圖。圖8A 圖8F為根據(jù)本實施例的像素結(jié)構(gòu)圖。在本實施例中，晶體管U0，例如為薄膜晶體管，可為標(biāo)準(zhǔn)制程，在此不加累述，液晶電容CLC的兩端分別為像素電極PE與共用電壓VCOM，儲存電容CST1則與液晶電容CLC并聯(lián)，可由像素電極PE與共用電壓連接線VCOML (本實施例中為第一金屬層Ml )或是像素電極PE與第二金屬層M2所形成，其中共用電壓連接線VCOML設(shè)置在面板內(nèi)，并耦接至共用電壓VCOM。至于耦合電容CST2則可由像素電極PE與選擇線SEL所構(gòu)成，在本實施例中，選擇線SEL可由第一金屬層M1、第二金屬層M2所形成。換言之，耦合電容CST2可由像素電極PE與第一金屬層M1、像素電極PE與第二金屬層M1或是第一金屬層M1 (例如用于選擇線SEL的金屬層)與第二金屬層M2所構(gòu)成。
接下來，則分別以圖8A 圖8F、圖9A 圖9F來說明。在液晶顯示器的制程中，主要分為5層，分別為基底SUB、第一金屬層M1、隔離層(insulation)INS、第二金屬層M2、保護(hù)層(passivation)PAS。
首先詳述圖8A 8C的作法，在圖8A 8C中，共同電壓VCOM與選擇線SEL皆使用第一金屬層M1來布局，而在圖8A中，儲存電容CST1與耦合電容CST2主要皆由第一金屬層M1與像素電極PE所形成。在圖8B中，儲存電容CST1主要由第一金屬層M1與第一金屬層M2所形成，耦合電容CST2主要皆由第一金屬層M1與像素電極PE所形成。在圖8C中，儲存電容CST1與耦合電容CST2主要皆由第一金屬層Ml與第二金屬層M2所形成。
由制程的觀點來看，請參照圖9A 圖9C，圖9A 圖9C分別為圖8A 圖8C的剖面圖。主要在基底SUB上利用第一金屬層Ml形成兩組隔離的金屬線，一個做為選擇線SEL，另一個則是共用電壓連接線VCOML。接下來再依序形成隔離層INS及保護(hù)層PAS，然后將像素電極PE置于保護(hù)層PAS之上，而第二金屬層M2則位于隔離層INS與保護(hù)層PAS之間。若需利用第二金屬層M2與第一金屬層Ml形成單位面積電容值較高的儲存電容CST1 (如圖8B、 8C)，則像素電極PE可經(jīng)由接觸窗(contact hole)連接至第二金屬層M2。
在圖8D 8F中，則是利用第二金屬層M2來形成選擇線SEL，其布局方式請參考圖8D 8F。在制程方面，請參考圖9D 9F，共同電壓連接線VCOML以第一金屬層M1來布局，而選擇線SEL則以第二金屬層M2來布局。在圖8D與圖8F中，請對照圖9D與圖9F所示的剖面圖，儲存電容CST1主要由第一金屬層M1與像素電極PE來形成，耦合電容CST2主要由第二金屬層M2與像素電極PE來形成。在圖8E中，請對照圖9E，儲存電容CST1主要由第一金屬層Ml與第二金屬層M2來形成，耦合電容CST2主要由第二金屬層M2與像素電極PE來形成。
上述圖8A 8E的像素結(jié)構(gòu)圖僅為本發(fā)明的實施例，本發(fā)明的布局方式并不受其限制，設(shè)計者可依實際布局需求調(diào)整其布局方式，本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員經(jīng)由本發(fā)明的揭示，應(yīng)可輕易推知其余可行的布局方式，在此不加累述。
接下來，由另一個觀點來看，上述實施例可歸納為一驅(qū)動方法，圖10為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素驅(qū)動方法，包括下列步驟首先提供一電壓至一像素(Sll),然后經(jīng)由一耦合電容將一過驅(qū)動電壓耦合至上述的像素(S12)。在實際應(yīng)用上，數(shù)據(jù)線提供一電壓，而過驅(qū)動電壓由一選擇線提供。過驅(qū)動電壓在數(shù)據(jù)線供應(yīng)電壓上形成一脈沖信號，而此脈沖信號使得像素跨壓的均方根值高
于臨界電壓，使液晶的白態(tài)電壓VPCW可以等于甚至低于臨界電壓VCR，而液晶仍為彎曲態(tài)，因此增加了像素的可工作電壓范圍。
上述的像素結(jié)構(gòu)，因為液晶電容從耦合電容得到一個脈沖信號，使得像素跨壓的均方根高于臨界電壓，使白態(tài)電壓可以更接近臨界電壓，因此提升了液晶在白畫面時的光穿透度。
綜上所述，本發(fā)明的實施例，因利用耦合電容使過驅(qū)動電壓在數(shù)據(jù)線供應(yīng)電壓上形成一個脈沖信號，而具有下列優(yōu)點
1. 即使液晶的白態(tài)電壓低于臨界電壓，此液晶仍然可以維持在彎曲態(tài)，因而能夠正常顯示畫面。
2. 當(dāng)液晶工作在白畫面時，不會因為驅(qū)動電壓的驅(qū)動能力不足，而造成液
晶轉(zhuǎn)成伸展態(tài)。
3. 增加了像素的可工作電壓范圍。
4. 白態(tài)電壓可以更接近臨界電壓，因而提升了液晶在白畫面時的光穿透度。
5. 上述實施例所提供的像素結(jié)構(gòu)可以適用于各種像素極性反轉(zhuǎn)類型的OCB顯示器。
6. 本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，可輕易根據(jù)上述實施例的制程布局圖(layout),實現(xiàn)上述實施例，且不需要增加額外的成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基底；一隔離層，形成于該基底之上；一保護(hù)層，形成于該隔離層之上；一像素電極，形成于該保護(hù)層之上；一共用電壓連接線，形成于該基底與該隔離層之間；以及一選擇線，形成于該基底與該隔離層之間；其中，該共用電壓連接線與該像素電極形成一儲存電容，該選擇線與該像素電極形成一耦合電容。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該選擇線由第一金屬層所 構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共用電壓連接線由第一 金屬層所構(gòu)成。
4. 一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基底；一隔離層，形成于該基底之上； 一保護(hù)層，形成于該隔離層之上； 一像素電極，形成于該保護(hù)層之上；一共用電壓連接線，形成于該基底與該隔離層之間；以及 一選擇線，形成于該隔離層與該保護(hù)層之間；其中，該共用電壓連接線與該像素電極形成一儲存電容，該選擇線與該像 素電極形成一耦合電容。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共用電壓連接線由第一 金屬層所構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該選擇線由第二金屬層所 構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基底、一隔離層、一保護(hù)層、一像素電極、一共用電壓連接線及一選擇線。隔離層形成于基底之上，隔離層之上為一保護(hù)層，像素電極在保護(hù)層之上。共用電壓連接線位于基底與隔離層之間，而選擇線也在基底與隔離層之間。共用電壓連接線與像素電極形成一儲存電容，選擇線與像素電極形成一耦合電容。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，因為液晶電容從耦合電容得到一個脈沖信號，使得像素跨壓的均方根高于臨界電壓，使白態(tài)電壓可以更接近臨界電壓，因此提升了液晶在白畫面時的光穿透度。
文檔編號G02F1/13GK101655626SQ20091017116
公開日2010年2月24日 申請日期2007年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日
發(fā)明者王智杰, 簡耀黌, 鄭戎杰, 陳麗珊, 陳司芬 申請人:中華映管股份有限公司