專利名稱:光掩模制造方法以及光掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置制造等中使用的光掩模的制造方法以及光掩模。
背景技術(shù):
半導(dǎo)體裝置制造等中使用的光掩模例如是二值掩模的情況下,在透 明基板上遮光膜形成圖案狀。這種光掩模是經(jīng)過如下工序來制造的,艮口 準(zhǔn)備在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯體的工序;對形成在所述遮
光膜上的抗蝕劑膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成抗蝕劑圖案的工序;以及將所述抗蝕 劑圖案作為掩模對所述遮光膜進(jìn)行蝕刻并形成遮光膜圖案的工序。
但是,對于上述光掩模,不能避免在其制造過程中在遮光膜圖案上 產(chǎn)生缺陷。另外,此處將由膜圖案的過剩和異物附著引起的缺陷稱為黑 缺陷,由膜圖案的不足引起的缺陷稱為白缺陷。
對形成在光掩模上的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢査,當(dāng)存在白缺陷、黑
缺陷時,通常考慮例如使用激光CVD法或者聚焦離子束(FIB)法等來 進(jìn)行局部的膜修正。即在白缺陷的部分,可以通過局部地形成修正膜來 進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚?。另一方面,作為黑缺陷的修正方法,通常是利用FIB 或激光例如使遮光膜成分脫落并將其去除的方法。
但是,對于以往通常的黑缺陷修正方法,雖然能夠修正微小的黑缺 陷區(qū)域,但在較大的黑缺陷區(qū)域的情況下,利用以往的黑缺陷修正方法 進(jìn)行修正非?;ㄙM(fèi)時間且效率低下。另外,對于以往通常的黑缺陷修正 方法,脫落的異物容易附著在缺陷周圍的正常部分(透光部分),需要再 次修正
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有問題而完成的,其第一個目的在于提供一種 具有即使是較大黑缺陷也能夠高效且精度良好地進(jìn)行修正的缺陷修正工 序的光掩模制造方法以及光掩模。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種能夠定量地評價在光掩模的缺陷修 正階段中產(chǎn)生的對準(zhǔn)偏差的光掩模制造方法以及光掩模。
為了解決上述課題,本發(fā)明具有如下結(jié)構(gòu)。 (結(jié)構(gòu)l)
一種光掩模制造方法,其包括準(zhǔn)備在透明基板上形成有遮光膜的 光掩模坯體的工序;對形成在所述遮光膜上的抗蝕劑膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成 抗蝕劑圖案的工序;將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述遮光膜進(jìn)行蝕刻 并形成遮光膜圖案的工序;以及對形成的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢査,當(dāng) 存在由過剩物引起的黑缺陷時對該缺陷部分進(jìn)行修正的工序,該光掩模 制造方法的特征在于,對所述缺陷部分進(jìn)行修正的工序包括以下工序-確定所述缺陷部分的工序;在所述光掩模上再次形成抗蝕劑膜的工序; 在包含所述缺陷部分的規(guī)定區(qū)域內(nèi),進(jìn)行描繪圖案數(shù)據(jù)的圖案描繪,在 描繪后進(jìn)行顯影來形成修正用抗蝕劑圖案的工序,其中該描繪圖案數(shù)據(jù) 是基于所述確定的缺陷部分的位置和形狀而制作的;以及將所述修正用 抗蝕劑圖案作為掩模來實施蝕刻,去除所述缺陷部分的過剩物的工序; 所述抗蝕劑圖案包括第一標(biāo)記,所述修正用抗蝕劑圖案包括第二標(biāo)記, 并且所述光掩模制造方法還具有在形成所述修正用抗蝕劑圖案后或者 在去除所述缺陷部分的過剩物的工序后的至少任意一方進(jìn)行檢查的工 序,該進(jìn)行檢査的工序包括下述工序在形成所述修正用抗蝕劑圖案后 進(jìn)行檢查的情況下,測定與所述第一標(biāo)記對應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣和所 述修正用抗蝕劑圖案中的第二標(biāo)記的邊緣之間的距離;在去除所述缺陷 部分的過剩物的工序后進(jìn)行檢查的情況下,測定與所述第一標(biāo)記對應(yīng)的 遮光膜圖案的邊緣和與所述第二標(biāo)記對應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣之間的距 離,并檢查所述距離是否在規(guī)定范圍內(nèi)。 (結(jié)構(gòu)2)
結(jié)構(gòu)1所述的光掩模制造方法的特征在于,關(guān)于所述第一標(biāo)記和在實施對所述缺陷部分進(jìn)行修正的工序時形成的所述第二標(biāo)記,當(dāng)將其形 成在所述透明基板上時,是一個標(biāo)記的外形包含在另一個標(biāo)記的外形內(nèi) 部的形狀的組合。 (結(jié)構(gòu)3)
結(jié)構(gòu)2所述的光掩模制造方法的特征在于,所述第一標(biāo)記和所述第
二標(biāo)記具有在一個方向和與該方向垂直的方向上均對稱的形狀的圖案。
(結(jié)構(gòu)4)
結(jié)構(gòu)2或3所述的光掩模制造方法的特征在于,所述第一標(biāo)記的外 形和所述第二標(biāo)記的外形是相似形狀。 (結(jié)構(gòu)5)
結(jié)構(gòu)2至4的任意一項所述的光掩模制造方法的特征在于,所述第 一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記均包含矩形圖案。 (結(jié)構(gòu)6)
結(jié)構(gòu)1至5的任意一項所述的光掩模制造方法的特征在于,所述檢 査工序是通過對所述光掩模照射光并接收其透射光來進(jìn)行的。 (結(jié)構(gòu)7)
結(jié)構(gòu)1至5的任意一項所述的光掩模制造方法的特征在于,所述檢 査工序是通過對所述光掩模照射光并接收其反射光來進(jìn)行的。 (結(jié)構(gòu)8)
一種在透明基板上具有遮光膜圖案的光掩模,該光掩模是通過使用 包含描繪工序的構(gòu)圖工序在形成在透明基板上的遮光膜上形成圖案從而
制造的,該光掩模的特征在于,該光掩模具有通過包含所述描繪工序的 構(gòu)圖而形成在遮光膜上的第一標(biāo)記,對形成在該光掩模上的遮光膜圖案 進(jìn)行缺陷檢査,當(dāng)存在由過剩物引起的黑缺陷時,通過包含描繪工序的 構(gòu)圖來對該缺陷部分進(jìn)行修正,所述第一標(biāo)記是這樣的矩形圖案該第 一標(biāo)記與通過包含用于對所述缺陷部分進(jìn)行修正的第二次描繪工序的構(gòu) 圖而形成在遮光膜或抗蝕劑膜上的第二標(biāo)記之間的關(guān)系是一個標(biāo)記的外 形包含在另一個標(biāo)記的外形內(nèi)部,使得能夠通過測定所述第一標(biāo)記與所 述第二標(biāo)記之間的距離并檢査所述距離是否在規(guī)定范圍內(nèi),來評價第二次描繪的對準(zhǔn)偏差。
根據(jù)本發(fā)明的光掩模制造方法,對形成在光掩模上的遮光膜圖案進(jìn) 行缺陷檢查,當(dāng)存在由過剩物引起的黑缺陷時,通過包含描繪工序的構(gòu) 圖來對該缺陷部分進(jìn)行修正,因此即使是較大的黑缺陷,也能夠高效地 進(jìn)行修正。并且,在進(jìn)行黑缺陷的修正時,進(jìn)行兩次描繪,即用于形 成遮光膜圖案的描繪和用于對黑缺陷進(jìn)行修正的描繪。在本發(fā)明中,由 于包含定量地檢査兩次描繪的對準(zhǔn)偏差的檢查工序,因此能夠檢査在光 掩模的黑缺陷修正階段是否產(chǎn)生了對準(zhǔn)偏差,并且在產(chǎn)生了對準(zhǔn)偏差的 情況下定量地檢查對準(zhǔn)偏差的大小。即,可以通過分別在第一次用于形 成遮光膜圖案的描繪時制作特定標(biāo)記(第一標(biāo)記),在第二次用于對黑缺 陷進(jìn)行修正的描繪時制作特定標(biāo)記(第二標(biāo)記),并利用這些標(biāo)記的例如 邊緣之間的距離來評價兩次描繪的對準(zhǔn)偏差,從而定量地檢查在黑缺陷 修正階段實際產(chǎn)生的對準(zhǔn)偏差。并且,由于在掩模的制造過程中能夠評 價對準(zhǔn)偏差,因此必要的話可以在該階段進(jìn)行可行的修正(修正過程的 返工等),即使是較大的黑缺陷,也能夠高效且高精度地進(jìn)行修正,對于 掩模生產(chǎn)有很大的優(yōu)點。
并且,根據(jù)本發(fā)明的光掩模,通過具有與形成遮光膜圖案同時形成 的特定標(biāo)記(第一標(biāo)記),來對形成在光掩模上的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢 査,當(dāng)存在由過剩物引起的黑缺陷時通過包含描繪工序的構(gòu)圖來進(jìn)行修 正的情況下,能夠定量地檢查在黑缺陷修正階段中實際產(chǎn)生的對準(zhǔn)偏差 的大小。即,所述第一標(biāo)記是這樣的矩形圖案該第一標(biāo)記與在用于對 黑缺陷進(jìn)行修正的描繪時形成在遮光膜上的特定標(biāo)記(第二標(biāo)記)之間 的關(guān)系為一個標(biāo)記的外形包含在另一個標(biāo)記的外形內(nèi)部,能夠通過評價 這些標(biāo)記的例如邊緣之間的距離,來定量地檢查在黑缺陷修正階段實際 產(chǎn)生的對準(zhǔn)偏差。而且,由于在掩模的制造過程中能夠評價這樣的對準(zhǔn) 偏差,因此必要的話能夠在該階段進(jìn)行可行的修正(修正過程的返工等)。
圖1是按照工序順序示出本發(fā)明的光掩模制造方法的實施方式的示意性俯視圖。
圖2是用于說明上述實施方式的對準(zhǔn)偏差檢査方法的特定標(biāo)記圖案 形成部分的按照工序順序的剖視圖和俯視圖。
圖3是用于說明上述檢查方法的特定標(biāo)記圖案形成部分的俯視圖。
具體實施例方式
下面,根據(jù)附圖來說明用于實施本發(fā)明的最佳方式。
圖1是用于按照工序順序來說明本發(fā)明的光掩模制造方法的實施方 式的示意性俯視圖。
對于使用的掩模坯體,在透明基板1上形成以鉻為主成分的遮光膜
2,并在該遮光膜2上涂敷抗蝕劑而形成抗蝕劑膜。首先,對抗蝕劑膜進(jìn)
行規(guī)定的圖案描繪。描繪通常使用電子線或者光(短波長光),在本實施 方式中使用電子線。因此,在本實施方式中使用正性光致抗蝕劑作為上 述抗蝕劑。并且,通過對上述抗蝕劑膜描繪規(guī)定的器件圖案,并在描繪
后進(jìn)行顯影,來形成抗蝕劑圖案3 (參照圖1 (a))。另外,在上述器件 圖案的描繪時,同時描繪特定的標(biāo)記圖案。該標(biāo)記圖案用于評價后來進(jìn) 行黑缺陷修正的情況下描繪時的對準(zhǔn)偏差,例如描繪在基板上的形成有 器件圖案的區(qū)域的外側(cè)區(qū)域中。因此,上述抗蝕劑圖案含有通過上述特 定標(biāo)記圖案的描繪、顯影而形成的標(biāo)記(第一標(biāo)記)。第一標(biāo)記的詳細(xì)內(nèi) 容將在后面講述。
接著,將上述抗蝕劑圖案3作為蝕刻掩模對遮光膜2進(jìn)行蝕刻來形 成遮光膜圖案(參照圖1 (b))。由于使用了以鉻為主成分的遮光膜2, 因此蝕刻方法可以是干蝕刻或濕蝕刻中的任意一種,在本實施方式中使 用了濕蝕刻。
這樣,得到在透明基板1上形成有規(guī)定遮光膜圖案的光掩模(參照 圖1 (c))。
對于所制造的上述光掩模,作為使用缺陷檢查裝置得到的缺陷檢查 結(jié)果,如圖1 (c)所示,在光掩模上的一部分上存在包含小區(qū)域缺陷和 大區(qū)域缺陷在內(nèi)的黑缺陷6。該黑缺陷6是由于下述情況而產(chǎn)生的缺陷如上述圖l (a)、 (b)所示,例如附著了如覆蓋抗蝕劑圖案3的開口部那 樣的異物5,妨礙了開口部的遮光膜的蝕刻。
接著,根據(jù)由缺陷檢査確定的黑缺陷6的位置信息和形狀信息,來 制作上述黑缺陷6或包含上述黑缺陷6的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的正常描繪圖案數(shù) 據(jù)。
接著,在上述光掩模上的例如整個表面上形成與上述相同的正性抗 蝕劑膜,向描繪機(jī)輸入含有上述制作的描繪圖案數(shù)據(jù)的必要信息,在上 述黑缺陷6或含有上述黑缺陷6的規(guī)定區(qū)域,進(jìn)行基于上述描繪圖案數(shù) 據(jù)的圖案描繪。然后,在描繪后進(jìn)行顯影來形成抗蝕劑圖案4。由此,去 除黑缺陷6區(qū)域上的抗蝕劑膜而露出遮光膜2 (參照圖1 (d))。另外, 該描繪工序中的位置對準(zhǔn)使用預(yù)先設(shè)置在光掩模的角部等處的對準(zhǔn)標(biāo) 記。此外,在該第二次缺陷修正用的描繪時,也同時描繪特定標(biāo)記圖案。 該特定標(biāo)記圖案用于通過與上述第一標(biāo)記的組合來評價該第二次描繪時 的對準(zhǔn)偏差,與上述第一標(biāo)記的情況同樣,例如在基板上的形成有器件 圖案的區(qū)域的外側(cè)區(qū)域,以與上述第一標(biāo)記成規(guī)定位置關(guān)系(距離關(guān)系) 的方式進(jìn)行描繪。因此,上述抗蝕劑圖案4包含通過上述第二次描繪、 顯影而形成的標(biāo)記(第二標(biāo)記)。第二標(biāo)記的詳細(xì)內(nèi)容將在后面講述。
接著,將上述抗蝕劑圖案4作為掩模來進(jìn)行蝕刻。作為蝕刻方法, 在鉻遮光膜的情況下,例如可以使用干蝕刻或濕蝕刻的任意一種,在本 實施方式中使用了能夠特別進(jìn)行局部蝕刻的濕蝕刻。
通過上述蝕刻,去除了黑缺陷6區(qū)域上的不需要的遮光膜2,露出 了透明基板l (參照圖1 (e))。
然后,通過去除殘余的抗蝕劑圖案,來得到實施了上述黑缺陷修正 后的光掩模(參照圖1 (f))。
接下來,參照圖2來說明為了修正上述黑缺陷而進(jìn)行第二次描繪時 的對準(zhǔn)偏差的檢査方法。圖2是用于說明上述實施方式的檢查方法的特 定標(biāo)記圖案形成部分的按照制造工序順序的剖視圖(左半部分)和俯視 圖(右半部分)。
作為用于形成上述遮光膜圖案(掩模圖案)的抗蝕劑圖案3所包含的第一標(biāo)記,在本實施方式中,使用4種圖案A、 B、 C、 D作為一組(參 照圖2 (a))。 A、 B、 C、 D均是矩形圖案,A是在中央具有較小矩形開 孔(沒有抗蝕劑)部分的圖案,B是形成在中央的較小矩形抗蝕劑圖案, C是具有規(guī)定寬度的矩形框狀開孔部分的圖案,D是在中央具有較大矩 形開孔部分的圖案。
以后的工序與上述圖1的工序完全相同。即,當(dāng)將這種包含第一標(biāo) 記的抗蝕劑圖案3作為蝕刻掩模對遮光膜2進(jìn)行蝕刻(參照圖2 (b)), 并去除殘余的抗蝕劑圖案時,得到形成有與上述第一標(biāo)記A、 B、 C、 D 相應(yīng)的遮光膜圖案的光掩模(參照圖2 (c))。
接下來,通過所得到的光掩模的圖案檢査而發(fā)現(xiàn)了需要修正的黑缺 陷的情況下,在上述光掩模上再次形成抗蝕劑膜,進(jìn)行基于與上述黑缺 陷對應(yīng)的描繪圖案數(shù)據(jù)的圖案描繪,描繪后進(jìn)行顯影來形成抗蝕劑圖案4 (參照圖2 (d))。
在本實施方式中,作為上述抗蝕劑圖案4所包含的第二標(biāo)記,使其 分別與上述第一標(biāo)記A、 B、 C、 D對應(yīng),使用4種圖案a、 b、 c、 d作為 一組(參照圖2 (d))。 a、 b、 c、 d均是矩形圖案,a是比第一標(biāo)記A大 的矩形圖案,b是比第一標(biāo)記B大的矩形圖案,c是比第一標(biāo)記C小的矩 形圖案,d是比第一標(biāo)記D小的矩形圖案。
這樣,在本實施方式中分別組合第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記a、第一標(biāo) 記B和第二標(biāo)記b、第一標(biāo)記C和第二標(biāo)記c、第一標(biāo)記D和第二標(biāo)記d 來使用。這些第一標(biāo)記和第二標(biāo)記是形成在透明基板上時一個標(biāo)記的外 形包含在另一個標(biāo)記外形內(nèi)部的形狀。另外,這些第一標(biāo)記和第二標(biāo)記 具有在一個方向和與該方向垂直的方向上均對稱的形狀的圖案。另外, 這些第一標(biāo)記的外形和第二標(biāo)記的外形是矩形的相似形狀,并且作為這 些標(biāo)記的圖案數(shù)據(jù),包含具有共同重心的矩形圖案。
因此,本實施方式中的第一標(biāo)記A、 B、 C、 D和第二標(biāo)記a、 b、 c、 d在形成于透明基板上時,在各自的組合中,在透明基板表面的平面視圖 中、在一個方向上,按照第一標(biāo)記邊緣、第二標(biāo)記邊緣、第二標(biāo)記邊緣、 第一標(biāo)記邊緣的順序排列(標(biāo)記C、 c、 D、 d的情況),或者按照第二標(biāo)記邊緣、第一標(biāo)記邊緣、第一標(biāo)記邊緣、第二標(biāo)記邊緣的順序排列(標(biāo)
記A、 a、 B、 b的情況)(參照圖2 (d))。
這里,在進(jìn)行上述黑缺陷修正時通過第二次描繪形成的抗蝕劑圖案 4形成后(圖2 (d)的工序)進(jìn)行檢查的情況下,測定與第一標(biāo)記相應(yīng) 的膜圖案的邊緣與上述抗蝕劑圖案4的第二標(biāo)記的邊緣之間的距離,并 檢查該距離是否在規(guī)定范圍內(nèi),由此評價第二次描繪時的對準(zhǔn)偏差。即 在本實施方式的情況下,如圖3所示,在4種圖案的任意一個中,例如 在X方向上測定與第一標(biāo)記A相應(yīng)的遮光膜2圖案的邊緣與抗蝕劑圖案 4的第二標(biāo)記a的邊緣之間的距離mA和nA,用(mA-nA) /2來評價對準(zhǔn) 偏差的大小,并檢査該值是否在預(yù)先設(shè)定的規(guī)定范圍(允許范圍)內(nèi)。 在第一標(biāo)記B和第二標(biāo)記b、第一標(biāo)記C和第二標(biāo)記c、第一標(biāo)記D和 第二標(biāo)記d的每個組合中,也同樣地進(jìn)行檢查。另外,也可以同樣地對Y 方向的對準(zhǔn)偏差進(jìn)行評價。在圖2 (d)和圖3中附加o符號的位置是本實 施方式中的優(yōu)選測定位置。
這樣,通過用于進(jìn)行黑缺陷修正的第二次描繪形成的抗蝕劑圖案4 形成后進(jìn)行檢查,當(dāng)對準(zhǔn)偏差的大小超過了允許范圍時,可以通過去除 上述抗蝕劑圖案4并重新進(jìn)行抗蝕劑膜形成、描繪(抗蝕劑構(gòu)圖的返工), 來進(jìn)行修正。
這樣,當(dāng)根據(jù)需要在上述抗蝕劑圖案4形成后進(jìn)行檢查之后,將包 含上述第二標(biāo)記的抗蝕劑圖案4作為蝕刻掩模對遮光膜2進(jìn)行蝕刻(參 照圖2 (e)),并去除殘余的抗蝕劑圖案時,形成與第一標(biāo)記A、 B、 C、 D和第二標(biāo)記(的組合)相應(yīng)的膜圖案(參照圖2 (f))。
在最終工序后進(jìn)行對準(zhǔn)偏差檢查的情況下,如圖3所示,例如在X 方向上,測定與第一標(biāo)記C相應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣和與第二標(biāo)記c相 應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣之間的距離mc和nc,利用(mc-nc) /2來評價對 準(zhǔn)偏差的大小,并檢查該值是否在預(yù)先設(shè)定的規(guī)定范圍(允許范圍)內(nèi)。 另外,也可以同樣地對Y方向的對準(zhǔn)偏差進(jìn)行評價。在圖2 (f)中附加 o符號的位置是本實施方式中的優(yōu)選測定位置。另外,在該階段,有的標(biāo) 記的圖案可能會消失(例如第一標(biāo)記A、第二標(biāo)記b、第二標(biāo)記d),但也可以在上述抗蝕劑圖案4形成后的階段,通過第一標(biāo)記和第二標(biāo)記的 組合來進(jìn)行檢查。
為了排除由制造過程引起的CD (Critical Dimension,臨界尺寸)偏 差(圖案變細(xì))的因素而僅單純地評價對準(zhǔn)偏差的因素,優(yōu)選第一標(biāo)記 和第二標(biāo)記具有在一個方向和與該方向垂直的方向上均對稱(例如左右 對稱、上下對稱)的形狀的圖案,以能夠檢測例如在X軸、Y軸各自方 向上有無對準(zhǔn)偏差。并且,優(yōu)選第一標(biāo)記和第二標(biāo)記配置成下述位置關(guān)系, 即通過1次測定即可精度良好地測定第一標(biāo)記和第二標(biāo)記的邊緣之間的 距離。并且,優(yōu)選第一標(biāo)記的外形和第二標(biāo)記的外形是相似形狀,以使得 能夠容易地測定第一標(biāo)記和第二標(biāo)記的邊緣之間的距離。
并且,如本實施方式那樣,還優(yōu)選將多個圖案設(shè)成組來用作檢査用 的標(biāo)記圖案。尤其是在通過第二次描繪形成抗蝕劑圖案4后的階段進(jìn)行 檢查的情況下,由于在基板上留有抗蝕劑圖案的狀態(tài)下進(jìn)行檢查,因此 也會影響抗蝕劑的透射率。此外,優(yōu)選根據(jù)利用反射光和透射光中的那 一種進(jìn)行測定會得到更高的測定精度(通過哪一種能得到更高的對比 度),來選擇在測定時容易測定的標(biāo)記圖案。根據(jù)情況,可以利用反射光、 透射光兩者來進(jìn)行檢査。
艮口,如本實施方式那樣,可以在所有的產(chǎn)品中將多個檢查用標(biāo)記圖 案(第一標(biāo)記與第二標(biāo)記的組合)設(shè)為組來使用,或者也可以針對每個 產(chǎn)品選擇1種至2種左右的標(biāo)記圖案來使用。
另外,上述實施方式中所使用的第一標(biāo)記A、 B、 C、 D以及第二標(biāo) 記a、 b、 c、 d只表示代表性的示例,當(dāng)然為了取得本發(fā)明的效果,標(biāo)記 的形狀、大小、第一標(biāo)記和第二標(biāo)記的組合、其位置關(guān)系等無需局限于 上述的實施方式。
如通過上述實施方式說明的那樣,根據(jù)本發(fā)明能夠得到如下效果。
(1) 對形成在光掩模上的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢査,當(dāng)存在由過剩 物引起的黑缺陷時,通過包含描繪工序的構(gòu)圖來對該缺陷部分進(jìn)行修正, 因此即使是較大的黑缺陷,也能夠高效地進(jìn)行修正。
(2) 在進(jìn)行黑缺陷的修正時,進(jìn)行2次描繪,S卩用于形成遮光膜圖案的描繪和用于對黑缺陷進(jìn)行修正的描繪。在本發(fā)明中,能夠定量地 檢查在光掩模的黑缺陷修正階段中實際產(chǎn)生的對準(zhǔn)偏差的大小。即,可 以通過分別在第一次用于形成遮光膜圖案的描繪時制作特定標(biāo)記(第一 標(biāo)記),在第二次用于對黑缺陷進(jìn)行修正的描繪時制作特定標(biāo)記(第二標(biāo) 記),并利用這些標(biāo)記的例如邊緣之間的距離來評價兩次描繪的對準(zhǔn)偏 差,從而定量地檢查在黑缺陷修正階段實際產(chǎn)生的對準(zhǔn)偏差。
(3)此外,由于能在掩模的制造過程中評價對準(zhǔn)偏差,因此必要的 話能夠在該階段進(jìn)行可行的修正(修正過程的返工等),即使是較大的黑 缺陷,也能夠高效且精度良好地進(jìn)行修正,對于掩模生產(chǎn)有很大的優(yōu)點。 以上,參照優(yōu)選實施方式說明了本發(fā)明,但本發(fā)明不限于上述實施 方式。在權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的主旨和范圍內(nèi),可以對本發(fā)明進(jìn)行 本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解的各種變更。
權(quán)利要求
1.一種光掩模制造方法,其包括準(zhǔn)備在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯體的工序;對形成在所述遮光膜上的抗蝕劑膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成抗蝕劑圖案的工序;將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述遮光膜進(jìn)行蝕刻并形成遮光膜圖案的工序;以及對形成的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢查,當(dāng)存在由過剩物引起的黑缺陷時對該缺陷部分進(jìn)行修正的工序,該光掩模制造方法的特征在于,對所述缺陷部分進(jìn)行修正的工序包括以下工序確定所述缺陷部分的工序;在所述光掩模上再次形成抗蝕劑膜的工序;在包含所述缺陷部分的規(guī)定區(qū)域中,進(jìn)行基于描繪圖案數(shù)據(jù)的圖案描繪,在描繪后進(jìn)行顯影來形成修正用抗蝕劑圖案的工序,其中所述描繪圖案數(shù)據(jù)是根據(jù)所述確定的缺陷部分的位置和形狀而制作的;以及將所述修正用抗蝕劑圖案作為掩模來實施蝕刻,去除所述缺陷部分的過剩物的工序,所述抗蝕劑圖案包括第一標(biāo)記,所述修正用抗蝕劑圖案包括第二標(biāo)記,所述光掩模制造方法還具有在形成所述修正用抗蝕劑圖案后或者在去除所述缺陷部分的過剩物的工序后的至少任意一方進(jìn)行檢查的工序,該進(jìn)行檢查的工序包括下述工序在形成所述修正用抗蝕劑圖案后進(jìn)行檢查的情況下,測定與所述第一標(biāo)記對應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣和所述修正用抗蝕劑圖案中的第二標(biāo)記的邊緣之間的距離;在去除所述缺陷部分的過剩物的工序后進(jìn)行檢查的情況下,測定與所述第一標(biāo)記對應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣和與所述第二標(biāo)記對應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣之間的距離,并檢查所述距離是否在規(guī)定范圍內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模制造方法,其特征在于,關(guān)于所述第一標(biāo)記和在實施對所述缺陷部分進(jìn)行修正的工序時形成 的所述第二標(biāo)記,當(dāng)將其形成在所述透明基板上時,是一個標(biāo)記的外形 包含在另一個標(biāo)記的外形內(nèi)部的形狀的組合。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光掩模制造方法,其特征在于, 所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記具有在一個方向和與該方向垂直的方向上均對稱的形狀的圖案。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光掩模制造方法,其特征在于 所述第一標(biāo)記的外形和所述第二標(biāo)記的外形是相似形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光掩模制造方法,其特征在于 所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記均包含矩形圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的光掩模制造方法,其特征 在于,所述檢查工序是通過對所述光掩模照射光并接收其透射光來進(jìn)行的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的光掩模制造方法,其特征 在于,所述檢査工序是通過對所述光掩模照射光并接收其反射光來進(jìn)行的。
8. —種在透明基板上具有遮光膜圖案的光掩模,該光掩模是通過使 用包含描繪工序的構(gòu)圖工序在形成在透明基板上的遮光膜上形成圖案從 而制造的,該光掩模的特征在于,該光掩模具有通過包含所述描繪工序的構(gòu)圖而形成在遮光膜上的第 一標(biāo)記,對形成在該光掩模上的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢查,當(dāng)存在由過剩物 引起的黑缺陷時,通過包含描繪工序的構(gòu)圖來對該缺陷部分進(jìn)行修正,所述第一標(biāo)記是這樣的矩形圖案該第一標(biāo)記與通過包含用于對所 述缺陷部分進(jìn)行修正的第二次描繪工序的構(gòu)圖而形成在遮光膜或抗蝕劑 膜上的第二標(biāo)記之間的關(guān)系是一個標(biāo)記的外形包含在另一個標(biāo)記的外形 內(nèi)部,使得能夠通過測定所述第一標(biāo)記與所述第二標(biāo)記之間的距離并檢 査所述距離是否在規(guī)定范圍內(nèi),來評價第二次描繪的對準(zhǔn)偏差。
全文摘要
本發(fā)明涉及光掩模制造方法以及光掩模,該光掩模制造方法包括準(zhǔn)備在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯體的工序;對形成在所述遮光膜上的抗蝕劑膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成抗蝕劑圖案的工序;將抗蝕劑圖案作為掩模對遮光膜進(jìn)行蝕刻并形成遮光膜圖案的工序;以及對形成的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢查,當(dāng)存在由過剩物引起的黑缺陷時對該缺陷部分進(jìn)行修正的工序。對缺陷部分進(jìn)行修正的工序在光掩模上再次形成抗蝕劑膜,在包含缺陷部分的規(guī)定區(qū)域中進(jìn)行規(guī)定的圖案描繪并顯影,來形成修正用抗蝕劑圖案,并將該抗蝕劑圖形作為掩模實施蝕刻,去除缺陷部分的過剩物。
文檔編號G03F1/72GK101685254SQ20091017424
公開日2010年3月31日 申請日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月28日
發(fā)明者佐野道明, 早瀬三千彥 申請人:Hoya株式會社