專利名稱：一種光刻版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光刻版。
背景技術(shù)：
在集成電路制造領(lǐng)域，光刻技術(shù)被用來(lái)將圖案從包含電路設(shè)計(jì)信息的光刻掩膜版 上轉(zhuǎn)移到襯底上。其中的光刻掩膜版(mask)，也稱為光刻版、掩膜版或者光罩，是一種對(duì)于 曝光光線具有透光性的平板，其上具有對(duì)于曝光光線具有遮光性的至少一個(gè)幾何圖形，可 實(shí)現(xiàn)有選擇地遮擋照射到襯底表面光刻膠上的光，并最終在襯底表面的光刻膠上形成相應(yīng) 的圖案。半導(dǎo)體制造中，如何確保設(shè)計(jì)的圖形被準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上，是必須關(guān)注的 重點(diǎn)問(wèn)題之一。然而，圖形是否能準(zhǔn)確轉(zhuǎn)移至襯底上是由多方面的因素決定的，如光刻版版圖中 的圖形設(shè)計(jì)、光刻膠的分辨率大小、曝光/顯影的條件設(shè)定、前烘/后烘的溫度及時(shí)間等。由 于上述多個(gè)因素均對(duì)最終在襯底的光刻膠上形成的圖形有影響，實(shí)際光刻工藝中，難以保 證每一次光刻工藝均能準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移圖形，而若在光刻膠上形成的圖形不正常的情況下進(jìn)入 了后續(xù)的刻蝕、離子注入等工序，則會(huì)導(dǎo)致襯底因無(wú)法返工而報(bào)廢。為此，在光刻工藝后，必須對(duì)芯片進(jìn)行檢測(cè)，以確保及時(shí)發(fā)現(xiàn)光刻中存在的不能滿 足要求的缺陷，并重新進(jìn)行光刻，有效防止了襯底的報(bào)廢。為了在檢測(cè)時(shí)不損傷正式器件， 通常該檢測(cè)是通過(guò)光刻時(shí)在襯底的切割線位置上形成專用于測(cè)試的檢測(cè)圖形，并利用掃描 電子顯微鏡(SEM，Scan ElectronicMicroscope)測(cè)試而實(shí)現(xiàn)。圖1為現(xiàn)有的光刻版版圖，圖2為現(xiàn)有光刻版版圖所用的檢測(cè)圖形，其中，圖1為 多組檢測(cè)圖形在光刻版上的分布情況示意圖，圖2為每組檢測(cè)圖形的示意圖。如圖1所示， 在光刻版100的四角及中心各放置了一組檢測(cè)圖形101，以分別檢測(cè)位于光刻機(jī)鏡頭中心 和邊緣位置的圖形，這是因?yàn)楣饪虣C(jī)鏡頭具有的像差效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致位于鏡頭下不同位置的光 刻圖形形成情況不一致。每一組檢測(cè)圖形101如圖2所示，圖中110和120為通常光刻后被檢測(cè)的位置，其 中110位置代表了圖形密集區(qū)光刻后的效果，120代表了疏散區(qū)光刻后的效果，采用該種檢 測(cè)圖形可以兼顧對(duì)圖形密集區(qū)和疏散區(qū)的光刻情況的檢測(cè)，這是由于即使在同一光刻條件 下，密集區(qū)和疏散區(qū)的圖形往往也會(huì)呈現(xiàn)出不同的光刻效果。在申請(qǐng)?zhí)枮?2823702. 1的中 國(guó)專利文件中能夠發(fā)現(xiàn)更多的關(guān)于現(xiàn)有光刻版檢測(cè)圖形的技術(shù)方案。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體器件特征尺寸(⑶，Critical Dimension)越來(lái)越 小，對(duì)光刻圖形轉(zhuǎn)移到準(zhǔn)確度要求也越來(lái)越高，當(dāng)器件的特征尺寸減小至65nm —下時(shí)，上 述現(xiàn)有的檢測(cè)圖形已不能滿足檢測(cè)要求，原因在于在同一光刻條件下，對(duì)光刻精度的要求 越來(lái)越高，并且現(xiàn)有的光刻版版圖上的圖形會(huì)成像于襯底上材料不同的區(qū)域，，例如有一 部分圖形位于有源區(qū)(AA，Active Area)，有一部分圖形位于隔離區(qū)(STI，Shallow Trench Isolation)，而襯底上的有源區(qū)材料為半導(dǎo)體硅，隔離區(qū)材料為氧化硅，而材料不同的區(qū)域 導(dǎo)致的光刻效果的差別也可能影響到器件的成品率，而現(xiàn)有的檢測(cè)圖形一般都形成于單一的材料區(qū)域，不能夠很好地檢測(cè)其他材料區(qū)域的光刻效果，有可能因其他材料區(qū)域的圖形 異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底在后續(xù)工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率低下的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是現(xiàn)有的檢測(cè)圖形只能檢測(cè)單一材料區(qū)域的光刻效果的缺陷。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種光刻版，所述光刻版包括基板和位于基板上 的多組檢測(cè)單元；所述基板包括第一區(qū)和第二區(qū)，且采用所述光刻版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn) 行曝光，形成的與第一區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第一區(qū)域，形成的與第二區(qū)對(duì)應(yīng)的光 刻膠圖形位于襯底第二區(qū)域；所述檢測(cè)單元至少由2種條形組組成，每條形組內(nèi)的條寬相 同，每條形組內(nèi)的條形組間隔相同；至少有一組檢測(cè)單元位于第一區(qū)，至少有一組檢測(cè)單元 位于第二區(qū)?？蛇x的，所述襯底第一區(qū)域?yàn)檠趸鑵^(qū)域；所述襯底第二區(qū)域?yàn)楣鑵^(qū)域?？蛇x的，所述襯底第一區(qū)域?yàn)榈鑵^(qū)域；所述襯底第二區(qū)域?yàn)楣鑵^(qū)域?？蛇x的，所述檢測(cè)單元包括第一條形組和第二條形組?？蛇x的，所述第一條形組包括4條形狀相同的第一條形和一條長(zhǎng)度為第一條形 長(zhǎng)度兩倍，寬度為與條形寬度相同的第二條形，第二條形位于第一條形組中間且第一條形 組的條形之間的間距相同?？蛇x的，所述第二條形組包括4條形狀相同的第三條形，第三條形之間的間隔相 同?？蛇x的，所述檢測(cè)單元包括X向條形組和Y向條形組，以分別監(jiān)測(cè)光刻圖形在X軸 和Y軸方向的光刻效果。可選的，所述檢測(cè)單元位于光刻版版圖四角和中心位置的5個(gè)點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的光刻版版圖能夠?qū)饪虉D 形在X軸和Y軸方向?qū)饪绦ЧM(jìn)行檢測(cè)，并且能夠?qū)γ芗炔煌膱D形進(jìn)行監(jiān)控，此外， 本發(fā)明提供的光刻版版圖還能夠檢測(cè)多種材料區(qū)域的光刻效果，避免了因不同材料區(qū)域的 圖形異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底在后續(xù)工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率低下的現(xiàn)象出 現(xiàn)。


通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為現(xiàn)有的光刻版版圖；圖2為現(xiàn)有光刻版版圖所用的檢測(cè)圖形；圖3是本發(fā)明的光刻版的一實(shí)施例示意圖；圖4為本發(fā)明的光刻版的檢測(cè)單元示意圖。
具體實(shí)施例方式在同一光刻條件下，對(duì)光刻精度的要求越來(lái)越高，并且現(xiàn)有的光刻版版圖上的圖形會(huì)成像于襯底上材料不同的區(qū)域，例如有一部分圖形位于有源區(qū)(AA，Active Area)，有 一部分圖形位于隔離區(qū)(STI，Shallow Trenchlsolation)，而襯底上的有源區(qū)材料為半導(dǎo) 體硅，隔離區(qū)材料為氧化硅，而材料不同的區(qū)域?qū)е碌墓饪绦Ч牟顒e也可能影響到器件 的成品率，而現(xiàn)有的檢測(cè)圖形一般都形成于單一的材料區(qū)域，不能夠很好地檢測(cè)其他材料 區(qū)域的光刻效果，有可能因其他材料區(qū)域的圖形異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底在后續(xù) 工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率低下的問(wèn)題。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)，提出一種光刻版，所述光刻版包括基板和 位于基板上的多組檢測(cè)單元；所述基板包括第一區(qū)和第二區(qū)，且采用所述光刻版對(duì)襯底上 的光刻膠進(jìn)行曝光，形成的與第一區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第一區(qū)域，形成的與第二 區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第二區(qū)域；所述檢測(cè)單元至少由2種條形組組成，每條形組 內(nèi)的條寬相同，每條形組內(nèi)的條形組間隔相同；至少有一組檢測(cè)單元位于第一區(qū)，至少有一 組檢測(cè)單元位于第二區(qū)?？蛇x的，所述襯底第一區(qū)域?yàn)檠趸鑵^(qū)域；所述襯底第二區(qū)域?yàn)楣鑵^(qū)域?？蛇x的，所述襯底第一區(qū)域?yàn)榈鑵^(qū)域；所述襯底第二區(qū)域?yàn)楣鑵^(qū)域?？蛇x的，所述檢測(cè)單元包括第一條形組和第二條形組?？蛇x的，所述第一條形組包括4條形狀相同的第一條形和一條長(zhǎng)度為第一條形 長(zhǎng)度兩倍，寬度為與條形寬度相同的第二條形，第二條形位于第一條形組中間且第一條形 組的條形之間的間距相同?？蛇x的，所述第二條形組包括4條形狀相同的第三條形，第三條形之間的間隔相 同?？蛇x的，所述檢測(cè)單元包括X向條形組和Y向條形組，以分別監(jiān)測(cè)光刻圖形在X軸 和Y軸方向的光刻效果。可選的，所述檢測(cè)單元位于光刻版版圖四角和中心位置的5個(gè)點(diǎn)。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。半導(dǎo)體器件制作過(guò)程中，當(dāng)光刻時(shí)的特征尺寸變化到一定程度，會(huì)影響到半導(dǎo)體 器件的成品率高低，如器件制作時(shí)，特征尺寸的變化會(huì)影響到器件的電學(xué)特征，尤其對(duì)與 0. 13微米及其以下節(jié)點(diǎn)的器件，由于短溝道效應(yīng)(ShortCharmel Effect)變得更加明顯， 包括器件的閾值電壓在內(nèi)的多個(gè)器件參數(shù)會(huì)隨線寬的變化而波動(dòng)。例如當(dāng)門電路層的線寬 制作得偏小，器件關(guān)閉電路會(huì)明顯變大，使得芯片功耗大幅度增加，甚至導(dǎo)致器件無(wú)法正常 工作。因此，在特征尺寸日益縮小到今天，對(duì)光刻工藝的要求更為嚴(yán)格，必須要確保光刻形 成的圖形質(zhì)量能滿足器件制作的要求。但是，即使在同一光刻條件下，對(duì)于密集度不同的光刻區(qū)域，其光刻效果會(huì)隨著器 件的密集度的不同而有所區(qū)別，對(duì)于大尺寸器件，其對(duì)光刻精度的要求不高，在這方面的檢 測(cè)不很嚴(yán)格，僅按密集區(qū)和疏散區(qū)分別檢測(cè)即可滿足要求。但對(duì)于特征尺寸小于65nm的器件，對(duì)于光刻精度的要求較高，僅將對(duì)光刻效果的檢測(cè)區(qū)分為密集區(qū)和疏散區(qū)，已不能滿足 對(duì)光刻精度的要求。某些密集度不同于檢測(cè)圖形的圖形在光刻中出現(xiàn)的偏差，在大尺寸器 件中可以容忍，在小尺寸器件中則可能會(huì)帶來(lái)襯底報(bào)廢或者器件成品率降低的后果。另外，并且現(xiàn)有的光刻版上的圖形形成在襯底上會(huì)位于襯底的不同區(qū)域，例如 有一部分圖形位于有源區(qū)(AA，Active Area)，有一部分圖形位于隔離區(qū)(STI，Shallow Trench Isolation)，而襯底上的有源區(qū)材料為半導(dǎo)體硅，隔離區(qū)材料為氧化硅，而材料不 同的區(qū)域?qū)е碌墓饪绦Ч牟顒e也可能影響到器件的成品率，而現(xiàn)有的檢測(cè)圖形一般都形 成于單一的材料區(qū)域，不能夠很好地檢測(cè)其他材料區(qū)域的光刻效果，有可能因其他材料區(qū) 域的圖形異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底在后續(xù)工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率低下的問(wèn) 題。為此，本發(fā)明提出一種光刻版，包括所述光刻版包括基板和位于基板上的多組檢 測(cè)單元；所述基板包括第一區(qū)和第二區(qū)，且采用所述光刻版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn)行曝光，形 成的與第一區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第一區(qū)域，形成的與第二區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位 于襯底第二區(qū)域；所述檢測(cè)單元至少由2種條形組組成，每條形組內(nèi)的條寬相同，每條形組 內(nèi)的條形組間隔相同；至少有一組檢測(cè)單元位于第一區(qū)，至少有一組檢測(cè)單元位于第二區(qū)。圖3是本發(fā)明的光刻版的一實(shí)施例示意圖，圖4為本發(fā)明的光刻版的檢測(cè)單元示 意圖，下面結(jié)合圖3和圖4詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例。參考圖3，本發(fā)明提供的光刻版包括基板200和位于基板200上的多組檢測(cè)單元 201 ；所述基板200可以是現(xiàn)有掩膜版形成工藝形成的，所述基板200材料選自透明玻璃或 者透明塑料。需要特別指出的是，本發(fā)明的基板200包括第一區(qū)210和第二區(qū)220，通過(guò)光刻版 的設(shè)計(jì)，所述第一區(qū)210位置與襯底第一區(qū)域?qū)?yīng)，所述第二區(qū)220位置與襯底第二區(qū)域?qū)?應(yīng)，具體地采用所述光刻版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn)行曝光，形成的與第一區(qū)210對(duì)應(yīng)的光刻 膠圖形位于襯底第一區(qū)域，形成的與第二區(qū)220對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第二區(qū)域。還需要特別指出的是，本發(fā)明提供的光刻版，至少有一組檢測(cè)單元201位于第一 區(qū)210，至少有一組檢測(cè)單元201位于第二區(qū)220。為了便于理解本發(fā)明，在一實(shí)施例中，以所述光刻版為在形成有有源區(qū)和隔離區(qū) 的襯底上進(jìn)行光刻的光刻版為例做示范性說(shuō)明，所述有源區(qū)的材料為晶體硅，所述隔離區(qū) 的材料為SiO2，所述第一區(qū)210的位置與襯底上晶體硅對(duì)應(yīng)，具體的說(shuō)，位于第一區(qū)210的 圖形在光刻工藝中形成對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形應(yīng)該位于襯底的晶體硅區(qū)域；同樣的，所述第二 區(qū)220位置與襯底上SW2對(duì)應(yīng)，具體的，位于第二區(qū)220的圖形在光刻工藝中形成對(duì)應(yīng)的 光刻膠圖形應(yīng)該位于襯底的S^2區(qū)域?qū)?yīng)。所述第一區(qū)210位置與襯底第一區(qū)域?qū)?yīng)，所 述第二區(qū)220位置與襯底第二區(qū)域?qū)?yīng)的形成方法可以在設(shè)計(jì)版圖時(shí)制定下來(lái)。在采用本發(fā)明提供的光刻版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，會(huì)有一組檢測(cè)單元 201的圖形位于襯底的晶體硅表面，有一組檢測(cè)單元201的圖形位于SiO2表面，采用本發(fā)明 的光刻版就能夠同時(shí)對(duì)形成在襯底的晶體硅表面和S^2表面的圖形進(jìn)行檢測(cè)，避免了因不 同材料區(qū)域的圖形異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底在后續(xù)工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率 低下的現(xiàn)象出現(xiàn)。在另一實(shí)施例中，所述光刻版為在形成有氮化硅區(qū)域和硅的襯底上進(jìn)行光刻的光刻版版圖，那么，所述第一區(qū)210位置與襯底第一區(qū)域?qū)?yīng)即為與襯底氮化硅區(qū)域?qū)?yīng)；所 述第二區(qū)220位置與襯底第二區(qū)域?qū)?yīng)即為與襯底硅區(qū)域?qū)?yīng)，在采用本發(fā)明提供的光刻 版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，會(huì)有一組檢測(cè)單元201的圖形位于襯底的氮化硅表面， 有一組檢測(cè)單元201的圖形位于襯底硅表面。依舊參考圖3，在本實(shí)施例中提供的光刻版考慮到了區(qū)域的四角和中心位置的5 個(gè)點(diǎn)的監(jiān)測(cè)，而實(shí)際光刻圖形的質(zhì)量會(huì)因光刻機(jī)鏡頭像差的影響，位于光刻機(jī)鏡頭下不同 位置所形成的情況都會(huì)不同，隨著器件尺寸的縮小，對(duì)于這些因?yàn)殓R頭帶來(lái)的細(xì)微差別有 可能也必須加以考慮，本領(lǐng)域的專業(yè)人員可以根據(jù)實(shí)際的光刻機(jī)鏡頭選用不同的布局，在 此特地說(shuō)明，不應(yīng)過(guò)分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖4為本發(fā)明的光刻版的檢測(cè)單元示意圖，如圖4所示，所述檢測(cè)單元包括第一條 形組230和第二條形組M0，其中，第一條形組230由4條形狀(長(zhǎng)Ll與寬I^)相同的第 一條形2301和一條長(zhǎng)度L3為第一條形2301長(zhǎng)度Ll兩倍，寬度為與第一條形2301寬度相 同的第二條形2302組成，第二條形2302位于第一條形組230中間，第一條形組230的條形 之間的間距L4相同；第二條形組MO由4條形狀(長(zhǎng)L5與寬L6)相同的第三條形MOl組 成，第三條形MOl之間的間隔為L(zhǎng)7。本發(fā)明的提供的檢測(cè)單元可以通過(guò)設(shè)定L4，來(lái)獲得圖形密集區(qū)和疏散區(qū)的光刻情 況的檢測(cè)，設(shè)定L7來(lái)獲得介于圖形密集區(qū)和疏散區(qū)的之間的光刻情況的檢測(cè)，所述L4和L7 的具體設(shè)置參數(shù)可以由制作器件的特征尺寸確定。此外，本發(fā)明的檢測(cè)單元還提供了第三條形組230a和第四條形組MOb，第三條形 組230a為第一條形組230旋轉(zhuǎn)90度后獲得的條形組，第四條形組MOb為第二條形組240 旋轉(zhuǎn)90度后獲得的條形組。通過(guò)第一條形組230和第三條形組230a，以及第二條形組240 和第四條形組MOb，本發(fā)明的檢測(cè)圖形能夠?qū)饪虉D形在X軸和Y軸方向?qū)饪绦ЧM(jìn)行 檢測(cè)。本發(fā)明提供的光刻版版圖能夠?qū)饪虉D形在X軸和Y軸方向?qū)饪绦ЧM(jìn)行檢 測(cè)，并且能夠?qū)γ芗炔煌膱D形進(jìn)行監(jiān)控，此外，本發(fā)明提供的光刻版版圖還能夠檢測(cè)多 種材料區(qū)域的光刻效果，避免了因不同材料區(qū)域的圖形異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底 在后續(xù)工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率低下的現(xiàn)象出現(xiàn)。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光刻版，其特征在于，包括所述光刻版包括基板和位于基板上的多組檢測(cè)單元；所述基板包括第一區(qū)和第二區(qū)， 且采用所述光刻版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn)行曝光，形成的與第一區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯 底第一區(qū)域，形成的與第二區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第二區(qū)域；所述檢測(cè)單元至少由2種條形組組成，每條形組內(nèi)的條寬相同，每條形組內(nèi)的條形組 間隔相同；至少有一組檢測(cè)單元位于第一區(qū)，至少有一組檢測(cè)單元位于第二區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述襯底第一區(qū)域?yàn)檠趸鑵^(qū)域；所述襯 底第二區(qū)域?yàn)楣鑵^(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述襯底第一區(qū)域?yàn)榈鑵^(qū)域；所述襯 底第二區(qū)域?yàn)楣鑵^(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述檢測(cè)單元包括第一條形組和第二條 形組。
5.如權(quán)利要求4所述的光刻版，其特征在于，所述第一條形組包括4條形狀相同的第 一條形和一條長(zhǎng)度為第一條形長(zhǎng)度兩倍，寬度為與第一條形寬度相同的第二條形，第二條 形位于第一條形組中間且第一條形組的條形之間的間距相同。
6.如權(quán)利要求4所述的光刻版，其特征在于，所述第二條形組包括4條形狀相同的第 三條形，第三條形之間的間隔相同。
7.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述檢測(cè)單元包括X向條形組和Y向條形 組，以分別監(jiān)測(cè)光刻圖形在X軸和Y軸方向的光刻效果。
8.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述檢測(cè)單元位于光刻版版圖四角和中 心位置的5個(gè)點(diǎn)。
全文摘要
一種光刻版，所述光刻版包括基板和位于基板上的多組檢測(cè)單元；所述基板包括第一區(qū)和第二區(qū)，且采用所述光刻版對(duì)襯底上的光刻膠進(jìn)行曝光，形成的與第一區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第一區(qū)域，形成的與第二區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形位于襯底第二區(qū)域；所述檢測(cè)單元至少由2種條形組組成，每條形組內(nèi)的條寬相同，每條形組內(nèi)的條形組間隔相同；至少有一組檢測(cè)單元位于第一區(qū)，至少有一組檢測(cè)單元位于第二區(qū)。本發(fā)明能夠檢測(cè)多種材料區(qū)域的光刻效果，避免了因不同材料區(qū)域的圖形異常情況未被檢測(cè)出來(lái)而導(dǎo)致襯底在后續(xù)工藝中報(bào)廢或者出現(xiàn)成品率低下的現(xiàn)象出現(xiàn)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102087468SQ200910199999
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2009年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者程潔, 黃宜斌 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司