專利名稱：：色散位移光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光纖傳輸領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種衰減得到降低但彎曲損耗并不增加的色散位移光纖。
背景技術(shù)：
：對(duì)光纖而言，折射率分布通常根據(jù)將光纖折射率與半徑相關(guān)起來的函數(shù)的曲線圖這種形式來描述。距光纖中心的距離r習(xí)慣表示在橫座標(biāo)上，并且光纖折射率與光纖包層折射率之間的差表示在縱坐標(biāo)上。作為光學(xué)包層的外包層具有基本恒定的折射率；該光學(xué)包層通常由純石英(silica)組成，但也可以包含一種或多種摻雜物。由此，折射率分布纟皮稱為"階5^型"、"梯型"、"三角型"或"a型"，其曲線圖相應(yīng)地分別具有階梯形、梯形或三角形。這些曲線通常代表的是光纖理論上的或設(shè)定的分布，而對(duì)光纖制造的約束可能導(dǎo)致稍微不同的分布。光纖通常包括作用在于傳輸并可能放大光信號(hào)的光學(xué)纖芯，以及作用在于將光信號(hào)限制在纖芯里的光學(xué)包層。為此目的，纖芯的折射率iie和包層的折射率ng被設(shè)置成n^ng。如眾所周知那樣，光信號(hào)在單模光纖內(nèi)的傳播被分解為在纖芯內(nèi)引導(dǎo)的基模和在纖芯-包層組件內(nèi)特定距離上引導(dǎo)的次模，即所謂的包層模。傳統(tǒng)上，通常所說的SSMF(標(biāo)準(zhǔn)單模光纖)色散位移光纖，也稱作NZDSF光纖(非零色散位移光纖)被用作陸地傳輸系統(tǒng)的線路光纖(linefiber)。在所用波長處(通常為1，550nm附近)具有非零且正色散的位移色散光纖被描述為NZDSF+。典型地，SSMF滿足特定的通信標(biāo)準(zhǔn)，尤其是G.652標(biāo)準(zhǔn)。SSMF具有在1,550nm波長處測量的約為0.19dB/km的衰減(其瑞利貢獻(xiàn)在0.160dB/km的量級(jí))，約為80pm2的有效面積，小于l，350nm的有效截止波長，在1,550nm約為17ps/nm-km的正色散，以及0.058ps/nm2-km的正色散斜率。NZDSF+光纖在1，550nm波長處具有比SSMF更低的色散(通常在3~14ps/nm-km之間)，以及通常小于0.1ps/(nm2.km>々色散斜率。NZDSF+光纖一般被用于短距離傳輸系統(tǒng)，并且滿足特定的通信標(biāo)準(zhǔn)，特別是G.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)。圖1示出SSMF光纖和標(biāo)準(zhǔn)NZDSF光纖的設(shè)定分布。所示出的分布是設(shè)定分布，即表示的是光纖的理論分布，而從預(yù)制件拉制光纖之后實(shí)際得到的光纖可能具有稍微不同的分布。典型地，SSMF光纖包括半徑為4.35iam并且與作為光學(xué)包層的外包層具有折射率差5.2"0-3的中央纖芯。標(biāo)準(zhǔn)的NZDSF光纖包括與作為光學(xué)包層的外包層具有折射率差Dnl的中央纖芯，與外包層具有折射率差Dn2的中間包層，以及與外包層具有折射率差Dn3的環(huán)。該中央纖芯中、中間包層中以及環(huán)中的折射率在它們整個(gè)寬度上都是基本恒定的。纖芯的寬度用它的半徑rl限定，中間包層和環(huán)的寬度分別用它們的外半徑r2和r3限定。典型地，中央纖芯、中間包層、環(huán)以及外包層通過在石英管內(nèi)用CVD型沉積得到，而光學(xué)包層用該管和通常為天然石英或摻雜石英的該管的外覆層(overclad)形成，但是它也可以用任何其他沉積4支術(shù)(VAD或OVD)得到。如圖l所示，該NZDSF具有比SSMF的中央纖芯更小半徑和更大折射率差的中央纖芯。在這種纖芯尺寸下，色散可以被降低。然而，同SSMF相比，其纖芯更顯著的摻雜卻會(huì)引入更加明顯的瑞利散射損耗，高于0.164dB/km,從而在1,550nm處導(dǎo)致比0.190dB/km更大的衰減。希望能將NZDSF的衰減減小到與SSMF相等的值。在某種意義上講，周知的是，光纖內(nèi)的衰減主要是由于瑞利散射損耗引起的，而部分是由于吸收損耗和因光導(dǎo)缺陷產(chǎn)生的損耗引起的。在NZDSF的情形中，纖芯內(nèi)存在比SSMF更高濃度的摻雜物增加了因瑞利散射導(dǎo)致的損耗。已知的是，通過用純石英纖芯制作光纖來降低瑞利散射損耗。例如，這在K.Nagayama等人7>布在SEITechnicalReview,No.57，2004年1月的出X反物"UltmLowLoss(0.1484dB/km)PureSilicaCoreFiber"或M.Ohashi等人公布在JournalofLightwaveTechnology,Vol.10,No.5,1992年5月，PP539-543的出版物"OpticalLossPropertyofSilica-BasedSingleModeFibers"中已經(jīng)提出。然而，具有純石英纖芯的光纖因?yàn)楸仨毻ㄟ^用例如氟進(jìn)行摻雜來埋入光學(xué)包層中，因此制作起來很昂貴。還已知的是，可以通過使光纖拉制條件最優(yōu)化來降低因瑞利散射引起的損耗。例如，這在K.Tsujikawa等人公布在JournalofLightwaveTechnology,Vol.18，No.11，2000年11月，pp1528-1532的出片反物"RayleighScatteringReductionMethodforSilica-BasedOpticalFiber"或在K.Mukasa等人公布在ECOC，05，Tu1.4.6的出版物"AhighperformanceGe02/Si02NZ-DSFandtheprospectsforfutureimprovementusingHoleyFibertechnology"中已經(jīng)才是出。然而,所才是出的這些解決方法產(chǎn)業(yè)上應(yīng)用起來很復(fù)雜，因?yàn)樵诩訜岷屠鋮s循環(huán)時(shí)采用多個(gè)光纖拉制溫度，而這些光纖拉制溫度很難控制。文獻(xiàn)US-A-6，576,164也提出一種制作SSMF光纖的方法，其中為降低因瑞利散射引起的損耗而使光纖拉制條件最優(yōu)化。然而在該文獻(xiàn)中提出的方法需要帶有額外冷卻設(shè)備的復(fù)雜裝備。文獻(xiàn)EP-A-l256554描述了一種制作階躍折射率光纖的方法，該光纖包括摻鍺中央纖芯以及具有比石英低的折射率的外部光學(xué)包層。因?yàn)樵摪鼘邮遣糠致袢氲?，所以纖芯內(nèi)摻雜的量可以減小，從而光纖內(nèi)的衰減降低。然而，這種解決辦法成本昂貴，并且不能直接應(yīng)用到NZDSF型光纖。EP-A-1288685^^開了一種包括中央纖芯、中間包層、環(huán)、凹陷包層以及光學(xué)包層的非零色散位移光纖。但是沒有提及瑞利損耗。EP畫A-l434071,EP誦A-l382981，EP國A-l865348和EP畫A-l734390都描述了包括中央纖芯、中間包層、環(huán)、凹陷包層及光學(xué)包層的6色散補(bǔ)償光纖。但是都沒有提及瑞利損耗。EP-A-1610160描述一種包括中央纖芯和至少五個(gè)內(nèi)包層的色散補(bǔ)償光纖。但是也沒有提及瑞利損耗。圖2示出NZDSF光纖的設(shè)定分布，其中整個(gè)結(jié)構(gòu)都被部分埋入，即纖芯較低摻雜，中間包層和外包層具有比石英低的折射率。為成本原因，該光學(xué)包層(可以用OVD、VAD、CVD用形成有光纖預(yù)制件的管或管的外覆層制得)保持為石英。若這種光纖分布實(shí)際地將因瑞利散射引起的損耗減小到基本與SSMF相等的值，則彎曲損耗被非常明顯地消減(參看下面表I和II的例子2a)。還已知的是，特別是從文獻(xiàn)US-A-4,852,968獲知，利用埋入的溝槽，可以減小彎曲損耗。然而，僅是通過向圖2所給結(jié)構(gòu)增加埋入溝槽，還不能達(dá)到下面表I和11的例子2b所示那樣可接受的彎曲損耗。因此，需要一種NZDSF+光纖，其具有降低的瑞利散射損耗，而不會(huì)惡化其他光學(xué)參數(shù)，特別是不會(huì)惡化彎曲損耗，并且其能以合理成本制作且不用改變光纖拉制設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容因此，為了達(dá)到與SSMF接近的衰減，同時(shí)限制彎曲損耗，并且遵守與NZDSF相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)，特別是在色散、有效面積以及截止波長方面，本發(fā)明提出對(duì)NZDSF光纖的分布的整體優(yōu)化。本發(fā)明更具體地提出一種非零色散位移光纖(NZDSF)，從中央向外圍包括中央纖芯、包括至少三個(gè)區(qū)的內(nèi)包層，以及光學(xué)包層，該中央纖芯具有半徑和與光學(xué)包層之間的折射率差，該內(nèi)包層從中央纖芯向光學(xué)包層包括中間包層，其具有半徑和與光學(xué)包層之間的折射率差；環(huán)，其具有半徑和與光學(xué)包層之間的折射率差；埋入溝槽，其具有半徑，介于2.5|^im~5.5)nm之間的寬度，以及與光學(xué)包層之間的、介于-5xl(T3~-15xl(T3之間的折射率差；所述光纖具有在1,550nm波長處小于或等于0.164dB/km的瑞利散射損耗；在1,550nm波長處對(duì)于16mm的彎曲半徑小于0.5dB/圈(dB/turn)的彎曲損耗，以及在1，625nm波長處對(duì)于30mm的彎曲半徑小于0.5dB/100圈的彎曲損耗。依照這些實(shí)施例，本發(fā)明的光纖還可以包4舌下列特征中的一個(gè)或多個(gè)該中央纖芯具有與光學(xué)包層小于7.5xl0-s的折射率差(Dnl);該中間包層區(qū)與光學(xué)包層的折射率差介于-2.5xl(T3-1.5xl0—3之間；該環(huán)區(qū)與光學(xué)包層的折射率差介于0.0~5><10-3之間；該纖芯的半徑介于2pm~4.35|um之間；該中間包層區(qū)的外半徑介于4.58.5fim之間；該環(huán)區(qū)具有介于3nm~7.5nm之間的寬度；該埋入溝槽區(qū)的內(nèi)半徑大于lO)iim;該埋入溝槽區(qū)的外半徑小于或等于17pm;該光纖對(duì)于1,550nm波長具有小于12ps/nm-km的色散；該光纖對(duì)于1,550nm波長具有小于或等于0.09ps/nm2-km的色散斜率；該光纖具有小于1,600nm的有效截止波長；該光纖具有大于50^1112的有效面積。依照一個(gè)實(shí)施例，該光纖還包括位于該環(huán)區(qū)和該埋入溝槽區(qū)之間的第四內(nèi)包層區(qū)，該第四包層區(qū)具有外半徑和與光學(xué)包層之間的、介于-2.5xl(T3lxlO^之間的折射率差。依照一個(gè)實(shí)施例，該第四包層區(qū)的半徑介于1114.5pm之間。在閱讀下面以示例給出的本發(fā)明的實(shí)施例并參看附圖的描述的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯。在附圖中圖1是已經(jīng)描述了的依照現(xiàn)有技術(shù)的SSMF光纖和NZDSF+光纖的設(shè)定分布的圖解說明；圖2是已經(jīng)描述了的根據(jù)不是依照本發(fā)明的實(shí)施例的NZDSF+光纖的設(shè)定分布的圖解說明；圖3是依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的NZDSF+光纖的設(shè)定分布的圖解說明；圖4是依照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的NZDSF+光纖的設(shè)定分布的圖解說明。具體實(shí)施例方式依照本發(fā)明的光纖是一種非零色散位移光纖，其具有比標(biāo)準(zhǔn)階躍型折射率SSMF光纖的色散更低的色散。依照本發(fā)明的光纖具有降低了的瑞利散射損耗，在1,550nm處小于0.164dB/km。依照本發(fā)明的光纖還具有有限的彎曲損^>,在1,550nm處對(duì)于16mm的彎曲半徑，彎曲損耗小于0.5dB/圏，在1,625nm處對(duì)于30mm的彎曲半徑，彎曲損耗小于0.5dB/100圏。將參看圖3和圖4來描述本發(fā)明的光纖，該圖3和圖4圖解了兩種可能實(shí)施例的設(shè)定分布。射率差Dnl的中央纖芯，以及位于中央纖芯與光學(xué)包層之間的至少三個(gè)內(nèi)包層區(qū)。在本文中，中央纖芯和內(nèi)包層區(qū)通過在石英管中用CVD型沉積制得，光學(xué)包層用該管和通常為天然或摻雜石英的該管的外覆層制得，但是也可以用任何其他沉積技術(shù)(VAD或OVD)制得。第一包層區(qū)是與光學(xué)包層具有折射率差Dn2的中間包層，第二包層區(qū)是與光學(xué)包層具有折射率差Dn3的環(huán)，第三包層區(qū)是與光學(xué)包層具有折射率差Dnt的埋入溝槽。在圖3中，存在第四包層區(qū)，它以階躍形式位于環(huán)和埋入溝槽之間，與光學(xué)包層具有折射率差Dn4。中間包層Dn2、環(huán)Dn3、埋入溝槽Dnt以及如果需要的階3夭Dn4的折射率在它們的整個(gè)寬度上基本恒定。這里，中央纖芯具有階躍形，但是也可以具有梯形、三角形或oc形。該纖芯的寬度由它的半徑rl限定，而包層由它們各自的外半徑r2-r4限定；埋入溝槽的寬度由半徑差Wtr限定。除其他因素之外，瑞利損耗取決于纖芯Dnl的折射率分布，內(nèi)包層和外包層Dn2、Dn3和Dn4的折射率分布，以及由下式《會(huì)出的光纖截面上的光場分布其中，r是光纖橫截面的半徑，^W是光場，"(。是瑞利系數(shù)。依照本發(fā)明的光纖是NZDSF光纖，其中央纖芯的半徑rl大于2pm但小于SSMF光纖的中央纖芯半徑，即小于4.35ium,優(yōu)選地小于4.00fim，與光學(xué)包層的折射率差Dnl大于SSMF光纖，即大于5.0xl(T3,但保持為小于7.5xl0—3,以限制纖芯中的摻雜量。在光纖具有這種纖芯分布下，可以降低色散，并且通過限制纖芯內(nèi)的摻雜量，可以控制因瑞利散射引起的損耗。依照本發(fā)明的光纖還包括位于纖芯與光學(xué)包層之間、包括至少三個(gè)區(qū)的包層。第一區(qū)是半徑為r2并且與光學(xué)包層的折射率差為Dn2的中間包層。該中間包層可以是稍微埋入的，它具有與外包層介于-2.5xl(T31.5xl0^之間的折射率差Dn2。該中間包層的外半徑r2介于4.5|tim~8.5pm之間。第二區(qū)是半徑為r3并且與光學(xué)包層的折射率差為Dn3的環(huán)。不像圖2的分布，該環(huán)是不埋入的，它具有與光學(xué)包層介于0.05xl(^之間的折射率差。環(huán)的寬度(r3-r2)介于3(LAm7.5jum之間。第三區(qū)是具有半徑rtr、可控寬度Wtr和可控深度Dnt的埋入溝槽。如圖3所示，還可以添加具有半徑r4和與光學(xué)包層的折射率差Dn4的第四包層區(qū)，其以階躍的形式位于環(huán)和埋入溝槽之間。該階躍比環(huán)和埋入溝槽都要窄，并且可以是稍微埋入的，它可以具有介于1114.5pm之間的外半徑r4,以及與光學(xué)包層介于-2.5xl(T3lxlO—s之間的折射率差Dn4。在埋入溝槽的深度Dnt介于-15xl(T3~-5xl(^之間和埋入溝槽的寬度Wtr介于2.5|im~5.5jum之間的情況下，可以在有效地限制彎曲損耗的同時(shí)控制截止頻率，即同時(shí)將更高階模的傳播限制在光纖內(nèi)。因此，依照本發(fā)明的光纖具有小于1,600nm的有效截止波長，優(yōu)選地具有小于1,450nm的光纜截止波長，這符合G.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)要求的條件。為了降低制作成本，埋入溝槽區(qū)可以具有限于17pm的外半徑rtr。為了降低因瑞利散射引起的損耗，同時(shí)限制彎曲損耗，而不干擾光纖的其他光學(xué)參數(shù)，與中間包層區(qū)和環(huán)區(qū)結(jié)合來最優(yōu)化埋入溝槽區(qū)。埋入溝槽區(qū)因中間包層和環(huán)的存在而距離纖芯足夠遠(yuǎn)，其內(nèi)徑大于或等于10)im。在溝槽相對(duì)于中央纖芯具有這個(gè)距離的情況下，可以不會(huì)太多地干擾基模的傳播，從而使有效面積和色散值保持為符合G.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)要求的條件。為了保證彎曲損耗的降低并控制直接更高階模(LP11和LP02)的損耗以及因此得出的截止波長，溝槽還是足夠深和窄的。下面的表I給出依照本發(fā)明的傳輸光纖的可能折射率分布的六個(gè)例子(例3和例4)，以及作為與標(biāo)準(zhǔn)SSMF光纖對(duì)比的不符合本發(fā)明的五個(gè)例子(例l和例2)。第一列為每個(gè)分布指定參考編號(hào)。后面的幾列給出每段的半徑值(rl-r4)以及埋入溝槽的寬度(Wtr);接下來的幾列給出每段與光學(xué)包層的折射率差的值(Dnl-Dn4和Dnt)。這些折射率的值是在633nm波長處測量的。表I中各例的光纖具有125|im的外直徑。表I中的各值對(duì)應(yīng)于光纖的設(shè)定分布。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>依照本發(fā)明的光纖用上表中的各個(gè)例子以非限制性的方式給出。特別地，要注意，依照本發(fā)明的光纖具有比SSMF窄的中央纖芯以及比SSMF大的折射率差。還要注意，依照本發(fā)明的光纖在中央纖芯與光學(xué)包層之間具有至少三個(gè)包層區(qū)，這些區(qū)中的一個(gè)是具有寬度介于2.5|iim~5.5iam之間和與光學(xué)包層之間的折射率差介于-5xl(T3~15xl(r3之間的埋入溝槽(Wtr,Dnt)。該埋入溝槽距離中央纖芯相對(duì)較遠(yuǎn)，其內(nèi)半徑大于10|am。在溝槽相對(duì)于中央纖芯具有這個(gè)距離的情況下，可能不會(huì)太多地干擾基模的傳播，以將有效面積和色散值保持為符合G.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)要求的條件；并且，為了保證彎曲損耗的降低并控制直接更高階模(LPll和LP02)的損耗以及因此得出的截止波長，溝槽的寬度和深度被最優(yōu)化。而且，在表I中，可以注意到，依照本發(fā)明的光纖的中央纖芯與光學(xué)包層之間具有小于7.5xl(rM旦大于SSMF即大于5.0xl(T3的折射率差Dnl;中間包層區(qū)Dn2與光學(xué)包層具有介于-2.5xl(T3~1.5xl(T3之間的折射率差，環(huán)區(qū)Dn3與光學(xué)包層之間具有介于0.05xl0-s之間的折射率差。還要注意，第四包層區(qū)(當(dāng)存在時(shí))比埋入溝槽區(qū)要窄和較少埋入或完全沒有埋入；該第四包層區(qū)具有的與光學(xué)包層之間的折射率差Dn4介于-2.5xl(y3lxl()J之間。還要注意，在表I中，光纖的中央纖芯比SSMF窄，其半徑rl介于2pm~4.0iim之間。依照本發(fā)明的、具有如前所述折射率分布的NZDSF光纖具有降低了的瑞利散射損耗，并因而具有接近于SSMF的衰減，同時(shí)不會(huì)增加彎曲損耗。而且，具有依照本發(fā)明折射率分布的NZDSF光纖滿足G.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)的要求，如ITU-T推薦標(biāo)準(zhǔn)所定義那樣。下面的表II給出具有對(duì)應(yīng)于表I的折射率分布的傳輸光纖的光學(xué)性質(zhì)。在表II中，第一列是對(duì)表1的參考編號(hào)的重復(fù)。后面的幾列為每種光纖分布提供在1,550nm波長處的色散值D和色散斜率值P，以及在1，550nm波長處的有效面積值A(chǔ)eff。4妄下來的幾列為每種光纖分布提供在1，550nm波長處的瑞利散射損耗值和彎曲損耗值PPC，分別在1,625nm波長處10mm的半徑上，在1,550nm波長處16mm的半徑上，在1,550nm波長處25mm的半徑上以及在1,625nm波長處30mm的半徑上。最后一列為每種分布提供根據(jù)目前標(biāo)準(zhǔn)在兩米光纖上測量到的有效截止波長XCeff的值。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>例la、lb和lc不屬于本發(fā)明；它們對(duì)應(yīng)于如圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)NZDSF光纖。例2a和2b也不屬于本發(fā)明。例2a示出在圖2中，其對(duì)應(yīng)于例1的光纖，相對(duì)于外光學(xué)包層^皮埋入1.5xl(T3。未示出的例2b對(duì)應(yīng)于例2a的分布，僅是增加有溝槽。注意，例1的光纖具有比SSMF高的衰減，而例2的光纖具有等于SSMF的衰減但具有增加的彎曲損耗。例3a、3b和3c是依照本發(fā)明的；它們對(duì)應(yīng)于如圖3所示的NZDSF光纖，其具有位于環(huán)與埋入溝槽之間的第四階躍形包層區(qū)。例4a、4b和4c也是依照本發(fā)明，它們對(duì)應(yīng)于如圖4所示的NZDSF光纖，即其具有位于中央纖芯與光學(xué)包層之間的三個(gè)包層區(qū)。從表II可以看出，依照本發(fā)明的光纖的彎曲損耗等同于SSMF的彎曲損耗，或者甚至更好。另外，依照本發(fā)明的光纖與標(biāo)準(zhǔn)NZDSF光纖相比具有降低了的瑞利散射損耗，依照本發(fā)明的光纖的瑞利散射損耗可以被降低為標(biāo)準(zhǔn)SSMF光纖的瑞利散射損耗。因此，依照本發(fā)明的光纖的衰減在1，550nm波長處接近于SSMF的衰減。從表II還要注意，位于中央纖芯與光學(xué)包層之間的一組三個(gè)包層區(qū)被相結(jié)合地最優(yōu)化。實(shí)際上，例2b清楚地表明，僅通過向具有降低了瑞利損耗的NZDSF光纖的分布添加埋入溝槽，還不能在降低彎曲損耗的同時(shí)保持瑞利散射損耗的減小。從表II還要注意，在依照本發(fā)明的光纖的折射率分布下，可以保證小于12ps/nm匿km的正色散和小于0.09ps/nm2-km的色散斜率，以及大于50iLm^的有效面積和小于1,600nm的截止波長。依照本發(fā)明的光纖能夠符合ITU-TG.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)的推薦標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)特別推薦小于1,450nm的光纜截止波長A^，介于8pm~llium之間的模直徑，在1,550nm處小于10ps/nm-km的正色散。因此，依照本發(fā)明的光纖可以裝設(shè)在很多傳輸系統(tǒng)中，其能與系統(tǒng)中的其他光纖很好地相容。這些符合G.655和G.656標(biāo)準(zhǔn)的要求的有效面積、色散以及有效截止波長的值可以通過對(duì)埋入溝槽、中間包層和環(huán)進(jìn)行聯(lián)合優(yōu)化來獲得。1權(quán)利要求1.一種色散位移光纖(NZDSF)，從中央向外圍包括中央纖芯，包括至少三個(gè)區(qū)的內(nèi)包層，以及光學(xué)包層，該中央纖芯具有半徑(r1)和與光學(xué)包層之間的折射率差(Dn1)，該內(nèi)包層從中央纖芯向光學(xué)包層包括中間包層，具有半徑(r2)和與光學(xué)包層之間的折射率差(Dn2)；環(huán)，具有半徑(r3)和與光學(xué)包層之間的折射率差(Dn3)；埋入溝槽，具有半徑(rtr)、介于2.5μm～5.5μm之間的寬度(Wtr)以及與光學(xué)包層之間介于-5×10-3～-15×10-3之間的折射率差(Dnt)，所述光纖具有在1,550nm波長處小于或等于0.164dB/km的瑞利散射損耗；在1,550nm波長處對(duì)于16mm的彎曲半徑小于0.5dB/圈的彎曲損耗，以及在1,625nm波長處對(duì)于30mm的彎曲半徑小于0.5dB/100圈的彎曲損耗。2.如權(quán)利要求l的光纖，其中該中央纖芯與光學(xué)包層之間具有小于7.5xl(r3的折射率差(Dnl)。3.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該中間包層區(qū)與光學(xué)包層的折射率差(Dn2)介于-2.5xl(T31.5xl0-3之間。4.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該環(huán)區(qū)與光學(xué)包層的折射率差(Dn3)介于0.05xl(y3之間。5.如前述任一權(quán)利要求的光纖，還包括位于該環(huán)區(qū)(r3，Dn3)和該埋入溝槽區(qū)(Wtr，Dnt)之間的第四內(nèi)包層區(qū)，該第四包層區(qū)具有半徑(r4)和與光學(xué)包層之間介于-2.5xl(T3lxlO-s之間的折射率差。6.如權(quán)利要求5的光纖，其中該第四包層區(qū)的半徑(r4)介于11(im~14.5jam之間。7.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該纖芯的半徑(rl)介于2拜~4.35jum之間。8.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該中間包層區(qū)的外半徑(r2)介于4.5拜~8.5(im之間。9.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該環(huán)區(qū)具有介于3|Lim~7.5)im之間的寬度(r3-r2)。10.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該埋入溝槽區(qū)的內(nèi)半徑大于10|um。11.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中該埋入溝槽區(qū)的外半徑(rtr)小于或等于17|im。12.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中對(duì)于1,550nm波長該光纖具有小于12ps/nm-km的色散。13.如前述任一權(quán)利要求的光纖，其中對(duì)于1,550nm波長該光纖具有小于或等于0.09ps/nm、km的色散斜率。14.如前述任一權(quán)利要求的光纖，具有小于1,600nm的有效截止波長。15.如前述任一權(quán)利要求的光纖，具有大于50)Lim"的有效面積。全文摘要本發(fā)明公開了一種色散位移光纖(NZDSF)，包括中央纖芯(r1，Dn1)，以及具有至少第一中間包層區(qū)(r2，Dn2)、第二環(huán)區(qū)(r3，Dn3)及第三埋入溝槽(wtr，Dnt)三個(gè)區(qū)的內(nèi)包層。該埋入溝槽區(qū)具有與光學(xué)包層介于-5×10^-3～-15×10^-3之間的折射率差(Dnt)和介于2.5μm～5.5μm之間的寬度(Wtr)。所提出的光纖具有降低了的瑞利散射損耗，在1,550nm波長處小于0.164dB/km，并具有有限的彎曲損耗。文檔編號(hào)G02B6/02GK101551488SQ20091020395公開日2009年10月7日申請(qǐng)日期2009年4月7日優(yōu)先權(quán)日2008年4月4日發(fā)明者D·莫蘭,E·雷尼耶,L-A·德蒙莫里永,M·比戈-阿斯特呂克,P·西亞爾,S·里夏爾申請(qǐng)人:德雷卡通信技術(shù)公司