專利名稱：：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及圖形修正方法、圖形修正系統(tǒng)、掩模制造方法、半導(dǎo)體器件制造方法、圖形修正程序、以及設(shè)計圖形。
背景技術(shù)：
：近年來的半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步非常引人注目，最小加工尺寸為O.18ym的半導(dǎo)體已批量生產(chǎn)。這樣的微細(xì)化通過掩模處理技術(shù)、光刻處理技術(shù)、以及腐蝕處理技術(shù)等微細(xì)圖形形成技術(shù)的飛躍性進步而實現(xiàn)。在圖形尺寸足夠大的時代，通過制作與設(shè)計者描繪的圖形相同形狀的掩模圖形，將該掩模圖形用曝光裝置復(fù)制在涂敷于晶片上的抗蝕劑上，就可以形成設(shè)計那樣的圖形。但是，因圖形尺寸的微細(xì)化，曝光光的衍射對晶片上的圖形尺寸產(chǎn)生的影響增大，用于高精度地形成微細(xì)圖形的掩模和晶片的加工技術(shù)變得困難，從而即使使用與設(shè)計圖形相同的掩模，也難以在晶片上形成設(shè)計那樣的圖形。為了提高設(shè)計圖形的忠實性，使用制作用于在晶片上形成相同于設(shè)計圖形的圖形的掩模圖形的被稱為光鄰近效應(yīng)修正(OpticalProximityCorrection:0PC)、處理鄰近效應(yīng)修正(ProcessProximityCorrection:PPC)的技術(shù)。在0PC、PPC技術(shù)(以下，包括0PC用PPC表示)中，大致有兩種方法。第一種方法，根據(jù)圖形的寬度、或圖形之間的最鄰近圖形間距離等，將構(gòu)成設(shè)計圖形的邊緣移動量作為規(guī)則來規(guī)定，根據(jù)該規(guī)則，使邊緣移動。第二種方法，使用可高精度地預(yù)測曝光光的衍射光強度分布的光刻模擬裝置，最合適地逼近邊緣移動量，以使在晶片上能夠形成與設(shè)計圖形相同的圖形。進而，還提出了通過組合這兩種方法，實現(xiàn)精度更高的修正的修正方法。而且，近年來，不僅提出用于修正掩模圖形的方法，而且提出對設(shè)計者描繪的設(shè)計圖形也根據(jù)某一規(guī)則進行修正的技術(shù)(以下，成為靶MDP處理)。其目的是，預(yù)測在晶片上難以形成特定的圖形種時，通過修正該圖形種，使其容易形成在晶片上。在該方法中，由于設(shè)計圖形自身與設(shè)計者描繪的原來的圖形不同，需要預(yù)先與設(shè)計者商議圖形的變形方法以后進行?？墒牵捎诮陙硖貏e難以確保光刻處理中的處理裕度(容限)，所以需要更復(fù)雜地使設(shè)計圖形變形的技術(shù)。再有，在專利文獻1公開的掩模圖形修正方法中，在設(shè)計規(guī)則上是可制造的，但對于在曝光工序中的曝光量、焦距變動產(chǎn)生的圖形尺寸的變動量大的圖形，需要進行處理。專利文獻l特開2002-131882號公報圖14是表示以往例的靶MDP處理的圖。在現(xiàn)有的靶MDP處理的修正規(guī)則中，首先如圖14所示，根據(jù)圖形間的間隔寬度來規(guī)定修正值。這里，將相鄰的圖形間的距離S分類為S1、S2、S3，并設(shè)SI<S2<S3。這種情況下，設(shè)距離S為SI<S《S2時的耙MDP處理中的修正值為a，距離S為S2<S<S3時的靶MDP處理中的修正值為b，則a、b—般滿足a<b的關(guān)系。S卩，越是至相鄰的圖形的間隔寬的孤立的圖形，越可以通過加寬圖形容易地形成在晶片上。因此，對于孤立圖形102(1)的邊緣l'(粗線表示)，附加比在其附近存在的密集圖形101大的修正值(邊緣移動量)，使圖形變粗。然后，為了能夠在晶片上形成與該設(shè)計圖形相同的圖形形狀，再通過PPC來對掩模圖形進行修正，形成晶片上的完成圖形，此外，對于密集圖形101，由于通常對這種密集圖形進行析像的處理條件已被確定，所以不需要靶MDP處理。此時，圓標(biāo)記p包圍的部分成為密集圖形IOI和孤立圖形102之間的中間圖形。因此，由于該部分的相鄰部分存在密集圖形IOI，所以被看作是密集的圖形，不附加修正值。此外，如果將這種中間的圖形看作是孤立的圖形，則由于進行與其附近的邊緣r相同的修正，所以會附加非常大的修正值，與相鄰的圖形2之間的距離變得非常短。其結(jié)果，在現(xiàn)有的耙MDP處理中，難以在這樣的密集圖形和孤立圖形之間的中間部位確保充分的光刻裕度，成為在晶片上引起斷路/短路的原因。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行合適的修正的圖形修正方法、圖形修正系統(tǒng)、及圖形修正程序。此外，本發(fā)明的目的在于，提供使用在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行了合適的修正的設(shè)計圖形的掩模制造方法及半導(dǎo)體器件制造方法。此外，本發(fā)明的目的在于，提供在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行了合適的修正的設(shè)計圖形，為了實現(xiàn)解決課題的目的，本發(fā)明的圖形修正方法、圖形修正系統(tǒng)、掩模制造方法、半導(dǎo)體器件制造方法、圖形修正程序、以及設(shè)計圖形如下構(gòu)成。本發(fā)明的圖形修正方法，根據(jù)成為設(shè)計圖形的對象圖形和配置于該對象圖形附近的附近圖形之間的配置狀態(tài)來修正該對象圖形的形狀，包括第一檢測步驟，檢測所述對象圖形的邊緣的第一規(guī)定部和所述附近圖形之間的第一配置狀態(tài)；第二檢測步驟，檢測所述對象圖形的邊緣的第二規(guī)定部和所述附近圖形之間的第二配置狀態(tài)；確定步驟，根據(jù)與所述第一配置狀態(tài)和所述第二配置狀態(tài)對應(yīng)的規(guī)則來確定所述對象圖形的邊緣的修正值；以及修正步驟，對所述對象圖形的邊緣附加所述修正值。在上述的圖形修正方法中，所述確定步驟根據(jù)與所述第一配置狀態(tài)和所述第二配置狀態(tài)的比較結(jié)果對應(yīng)的兩個規(guī)則來確定所述對象圖形的邊緣的修正值。在上述的圖形修正方法中，所述第一及第二配置狀態(tài)是所述對象圖形的邊緣與在垂直于該邊緣的方向上存在的所述附近圖形的邊緣之間的距離。在上述的圖形修正方法中，所述第一及第二配置狀態(tài)是所述對象圖形的寬度。在上述的圖形修正方法中，所述確定步驟在所述第一配置狀態(tài)和所述第二配置狀態(tài)相等時確定第一修正值，在所述第二配置狀態(tài)比所述第一配置狀態(tài)大時確定第二修正值，所述第二修正值比所述第一修正值小。在上述的圖形修正方法中，在通過所述修正步驟進行修正后，通過光鄰近效應(yīng)修正來確定掩模圖形。在上述的圖形修正方法中，以使所述修正步驟產(chǎn)生的修正后的設(shè)計圖形與通過所述掩模圖形形成的晶片上的圖形形狀一致的方式確定所述光鄰近效應(yīng)修正。本發(fā)明的圖形修正系統(tǒng)通過上述圖形修正方法來修正設(shè)計圖形。本發(fā)明的掩模制造方法利用由上述圖形修正方法修正的設(shè)計圖形來制造掩模。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法使用由上述掩模制造方法制造出的掩模來制造半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的圖形修正程序，使計算機執(zhí)行以下步驟第一檢測步驟，檢測成為設(shè)計圖形的對象圖形的邊緣的第一規(guī)定部和配置在所述對象圖形的附近的附近圖形之間的第一配置狀態(tài)；第二檢測步驟，檢測所述對象圖形的邊緣的第二規(guī)定部和所述附近圖形之間的第二配置狀態(tài)；確定步驟，根據(jù)與所述第一配置狀態(tài)和所述第二配置狀態(tài)對應(yīng)的規(guī)則來確定所述對象圖形的邊緣的修正值；以及修正步驟，對所述對象圖形的邊緣附加所述修正值。本發(fā)明的設(shè)計圖形的對象圖形在其附近的圖形配置變化的部位有兩個或兩個以上的臺階。圖1是表示本發(fā)明實施例的圖形修正方法中的靶MDP處理的流程圖。圖2是表示本發(fā)明實施例的實施靶MDP處理的設(shè)計圖形的圖。圖3是表示本發(fā)明實施例的實施靶MDP處理的設(shè)計圖形的圖。圖4是表示本發(fā)明實施例的實施靶MDP處理的設(shè)計圖形的圖。圖5是表示本發(fā)明實施例的實施靶MDP處理的設(shè)計圖形的圖。圖6是表示本發(fā)明實施例的實施靶MDP處理的設(shè)計圖形的圖。圖7是表示本發(fā)明的實施例的采用第二修正規(guī)則實施靶MDP處理情況下的設(shè)計圖形的圖。圖8是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法的設(shè)計圖形的圖。圖9是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法的設(shè)計圖形的圖。圖10是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法的設(shè)計圖形的圖。圖11是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法的設(shè)計圖形的圖。圖12是表示對于現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法產(chǎn)生的設(shè)計圖形，進行光鄰近效應(yīng)修正，形成掩模圖形，將該掩模圖形曝光在晶片上的結(jié)果的圖。圖13是表示對于圖12，使聚焦位置也和曝光量一起變動的結(jié)果的圖。圖14是表示現(xiàn)有例的耙MDP處理的圖。符號說明101密集圖形102孤立圖形1、2、11圖形A、B、C圖形部分A1、B1、C1、A1，、B1，、C1'邊緣A2、B2、C2中點具體實施例方式以下，參照本發(fā)明的實施例。圖1是本發(fā)明實施例的圖形修正方法中的靶MDP處理的流程圖。而圖2圖6是表示實施了該靶MDP處理的設(shè)計圖形的圖。以下，根據(jù)圖1、圖2圖6來說明該靶MDP處理的步驟。再有，該靶MDP處理由未圖示的計算機執(zhí)行圖形修正程序來進行，首先，如圖2所示，在步驟S101中，分割作為處理對象的圖形。圖2所示的設(shè)計圖形有密集圖形101和孤立圖形102。這里，將處理對象的一個圖形1分割為包含在密集圖形101中的部分A、形成孤立圖形102的部分C、以及它們中間的部分B。如圖3所示，在步驟S102中，測定圖形1中的各部分A、B、C的邊緣A1、B1、C1的各端部和配置在它們附近(相鄰)的各圖形(邊緣C1附近的圖形未圖示)之間的第一距離SA、SB、SC。再有，在與圖形1的邊緣A1、B1、C1垂直的方向上，存在所述各圖形。如圖4所示，在步驟S103中，提取各邊緣A1、B1、C1的中點A2、B2、C2。如圖5所示，在步驟S104中，測定各邊緣A1、Bl、Cl的中點Al、B2、C2和配置在它們附近的各圖形(邊緣B1、C1附近的圖形未圖示)之間的第二距離SA'、SB'、SC'。在步驟S105中，比較第一距離SA、SB、SC和第二距離SA'、SB'、SC'。從圖3、圖5中，可獲得SA=SA'、SB<SB'、SC=SC'的判定。在步驟S106中，對圖形1進行修正。在該耙MDP處理的第一修正規(guī)則中，根據(jù)上述步驟S105的比較結(jié)果，對于判定為第一距離和第二距離相等的邊緣，按照與其附近的圖形之間的距離來規(guī)定修正值。這里，將邊緣和其附近圖形之間的基準(zhǔn)距離分類為Sl、S2、S3，并設(shè)SI<S2<S3。這種情況下，設(shè)邊緣和其附近圖形之間的實際距離S為Sl<S《S2時的修正值為a，實際距離S為S2<S《S3時的修正值為b。在本實施例中，設(shè)SA(SA')《S1，不對邊緣A1進行修正，而設(shè)S1〈S2《S2，對于邊緣C1采用修正值a。而且，在該靶MDP處理的第二修正規(guī)則中，根據(jù)上述步驟S105的比較結(jié)果，對于判定為第一距離<第二距離的邊緣，按照與其附近圖形之間的距離來規(guī)定修正值。這種情況下的修正值比第一修正規(guī)則的修正值小。例如，設(shè)邊緣和其附近圖形之間的實際距離S為Sl<S《S2時的修正值為a/2，實際距離S為S2<S《S3時的修正值為b/2。在本實施例中，設(shè)SI<SB《S2對于邊緣Bl采用修正值a/2。其結(jié)果，如圖6所示，對于圖形1的邊緣C1附加修正值a，對于邊緣Bl附加修正值a/2。再有，對圖形1的另一邊緣Ar、Bl'、Cl'也進行與上述SIOIS106同樣的處理，對于邊緣C1'附加修正值a，對于邊緣Bl'附加修正值a/2。即，在密集圖形101和孤立圖形102之間的中間部分B的邊緣B1、B1'上，分別附加修正值a/2。由此，在密集圖形IOI和孤立圖形102之間的中間部位上進行合適的修正，可獲得在該部位帶有臺階的設(shè)計圖形。如以上那樣，在本實施例中，首先，將對象圖形的邊緣進行分割，測定(檢測)從分割后的各邊緣的端部(第一規(guī)定部)至配置在其附近的圖形的距離(對象圖形和附近圖形之間的第一配置狀態(tài))，同時測定(檢測)從各邊緣的中點(第二規(guī)定部)至其附近圖形的距離(對象圖形和附近圖形之間的第二配置狀態(tài))。在邊緣Al(Al')、Cl(Cl')中，從端部至其附近圖形的距離和從中點至其附近圖形的距離相等。這種情況下，從邊緣ci(cr)至其附近圖形為比較寬的間隔(sc)，所以邊緣C1(C1')被看成是孤立圖形的邊緣，按照第一修正規(guī)則使用修正值a。而在邊緣A1(A1')的附近配置的圖形存在于距離SA的位置，所以被看成是密集圖形，不采用修正值。在該狀態(tài)下，帶有邊緣B1(B1')的部分B不改變其寬度，仍為細(xì)的圖形，所以難以確保處理裕度。在邊緣B1(B1')中，從端部至附近圖形的距離和從中點至附近圖形的距離不同。這種情況下，判定為邊緣B1(B1')從中點至附近圖形的距離SB'比從端部至附近圖形的距離SB長，采用與上述第一修正規(guī)則不同的第二修正規(guī)則。該第二修正規(guī)則的修正值比第一修正規(guī)則的修正值小。通過采用該第二修正規(guī)則，即使對于在第一修正中沒有附加修正值的邊緣B1(B1')，也可以附加合適的修正值。通過這樣的方法，即使對于以往沒有附加修正而不能充分確保處理裕度的邊緣，也可以進行修正，所以大幅度提高處理裕度。圖7是表示采用第二修正規(guī)則來實施上述靶MDP處理的情況下的設(shè)計圖形的圖。而下表是可用于第二修正規(guī)則的修正表。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>在圖7中，設(shè)作為對象的圖形1中的密集圖形和孤立圖形之間的中間部分B的線寬度為W，圖形1的邊緣整體和附近圖形2之間的距離為Rl，部分B的邊緣上的特定點(邊緣的中點附近的點)B3和附近圖形(未圖示)之間的距離為R2，最鄰近圖形2和部分B的分割線B4的延長線之間的距離為F。在F=150mm時，在第二修正規(guī)則中可以根據(jù)上述表確定修正值(修正量)。圖8(a)、圖8(b)、圖8(c)是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法產(chǎn)生的設(shè)計圖形的圖，在各圖中，用圓標(biāo)記包圍了進行修正的部分。對于圖8(a)所示的修正前的設(shè)計圖形，在圖8(b)中通過現(xiàn)有的耙MDP處理來進行修正，在對象圖形11中設(shè)置一階臺階。對此，在圖8(c)中，對于圖8(a)所示的修正前的設(shè)計圖形，通過本發(fā)明的靶MDP處理來進行修正，在對象圖形中設(shè)置二階臺階。圖9(a)、圖9(b)、圖9(c)是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法產(chǎn)生的設(shè)計圖形的圖。在各圖中，用圓標(biāo)記包圍了進行修正的部分。對于圖9(a)所示的修正前的設(shè)計圖形，在圖9(b)中通過現(xiàn)有的耙MDP處理來進行修正，在對象圖形ll中設(shè)置一階臺階。對此，在圖9(c)中，對于圖9(a)所示的修正前的設(shè)計圖形，通過本發(fā)明的靶MDP處理來進行修正，在對象圖形中設(shè)置二階臺階。圖10(a)、圖10(b)、圖10(c)是表示現(xiàn)有的方法和本發(fā)明的方法產(chǎn)生的設(shè)計圖形的圖。在各圖中，用圓標(biāo)記包圍了進行修正的部分。對于圖10(a)所示的修正前的設(shè)計圖形，在圖10(b)中通過現(xiàn)有的耙MDP處理來進行修正，在對象圖形11中設(shè)置一階臺階。對此，在圖10(c)中，對于圖10(a)所示的修正前的設(shè)計圖形，通過本發(fā)明的耙MDP處理來進行修正，在對象圖形中設(shè)置二階臺階。圖ll(a)是表示按現(xiàn)有的方法制成的設(shè)計圖形的圖，圖ll(b)是表示按本發(fā)明的方法制成的設(shè)計圖形的圖。與圖ll(a)相比，在本發(fā)明的方法中如圖ll(b)所示，可以制成對象圖形11在其周邊環(huán)境(附近的圖形)變化的部位有兩個或兩個以上的臺階的設(shè)計圖形。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以形成處理裕度提高的設(shè)計圖形形狀。圖12(a)、圖12(b)是表示分別對于圖11(a)、圖ll(b)所示的設(shè)計圖形，進行光鄰近效應(yīng)修正，制成掩模圖形，在晶片上曝光該掩模圖形的結(jié)果。再有，以使圖1Kb)所示的設(shè)計圖形和通過所述掩模圖形形成的晶片上的圖形的形狀一致的方式確定所述光鄰近效應(yīng)修正。圖12(a)、圖12(b)表示假設(shè)曝光裝置的聚焦為最佳(最佳聚焦)時，將從曝光裝置照射的曝光量為最佳值(最佳劑量)的情況和從最佳值變化±10%情況時的完成平面形狀重疊表示的情況。圓標(biāo)記包圍的部分是要關(guān)注的部位，由此可知，與圖12(a)相比，圖12(b)所示的本發(fā)明的方法的該部分的完成形狀平穩(wěn)地變化。圖13(a)、圖13(b)是表示分別對于圖12(a)、圖12(b)，使聚焦位置也和曝光量一起變動的結(jié)果的圖。圓標(biāo)記包圍的部分是要關(guān)注的部位。在相同曝光量之間進行比較時，相對于在圖12(a)所示的現(xiàn)有方法中圖形產(chǎn)生斷線的情況，在案圖12(b)所示的本發(fā)明的方法中不產(chǎn)生斷線，本發(fā)明的處理裕度提高的效果明顯。由此可以證明若按照本發(fā)明的方法來制成設(shè)計圖形，對于該設(shè)計圖形，在必要的情況下制成對包含光鄰近效應(yīng)修正的晶片處理中造成的尺寸變換差進行了修正的對象圖形，并在晶片上曝光，則與現(xiàn)有的方法相比，可以確保大的處理裕度。再有，可以通過實施本實施例的圖形修正方法的計算機來構(gòu)筑圖形修正系統(tǒng)。此外，可以用按照本實施例的圖形修正方法修正的設(shè)計圖形來制造掩模。此外，可以使用該掩模來制造半導(dǎo)體器件。如以上那樣，根據(jù)本實施例，根據(jù)構(gòu)成對象圖形的邊緣和相鄰圖形邊緣的距離和對象圖形的寬度，作成規(guī)定對象圖形的邊緣修正量(移動量)的規(guī)則，按照該規(guī)則來修正對象圖形的邊緣。即，根據(jù)對象圖形的邊緣端部和相鄰圖形的邊緣的最小距離、對象圖形的邊緣中心部和相鄰圖形的邊緣的最小距離，通過規(guī)定與各種距離對應(yīng)的不同的邊緣修正量，可以實現(xiàn)現(xiàn)有方法中不能實現(xiàn)的圖形修正。其結(jié)果，可以大幅度提高光刻等處理裕度，可以極大提高半導(dǎo)體器件的成品率。此外，本發(fā)明不限于上述實施例，在不變更主要精神的范圍內(nèi)可適當(dāng)變形實施。根據(jù)本發(fā)明，可以提供在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行合適的修正的圖形修正方法、圖形修正系統(tǒng)、及圖形修正程序。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供使用在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行了合適的修正的設(shè)計圖形的掩模制造方法及半導(dǎo)體器件制造方法。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行合適的修正的設(shè)計圖形。權(quán)利要求一種半導(dǎo)體器件，其具有基于設(shè)計圖形的物理圖形，其中所述設(shè)計圖形包括對象圖形和修正圖形；所述對象圖形包括邊緣的第一部分，在該第一部分和與之相對的圖形之間具有第一距離；邊緣的第二部分，在該第二部分和與之相對的圖形之間具有第二距離，該第二距離與所述第一距離不同；邊緣的第三部分，其具有邊緣的第一區(qū)域和邊緣的第二區(qū)域，在該第一區(qū)域和與之相對的圖形之間具有所述第一距離，在該第二區(qū)域和與之相對的圖形之間具有所述第二距離；所述修正圖形被附加到所述邊緣的第一部分、所述邊緣的第二部分和所述邊緣的第三部分中的至少一個上，以使得該邊緣的第一部分、該邊緣的第二部分和該邊緣的第三部分在所述設(shè)計圖形的維度上相互不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述修正圖形被附加到所述邊緣的第二部分和所述邊緣的第三部分的每一個上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中附加到所述邊緣的第二部分上的所述修正圖形與附加到所述邊緣的第三部分上的所述修正圖形在尺寸上不同。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中附加到所述邊緣的第二部分上的所述修正圖形大于附加到所述邊緣的第三部分上的所述修正圖形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述對象圖形的所述邊緣的第三部分設(shè)置于所述邊緣的第一部分與所述邊緣的第二部分之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述對象圖形的所述邊緣的第三部分的一端與所述邊緣的第一部分的一端接觸，另一端與所述邊緣的第二部分的一端接觸。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述邊緣的第二部分的所述設(shè)計圖形的維度大于所述邊緣的第三部分的所述設(shè)計圖形的維度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述邊緣的第一部分的所述設(shè)計圖形的維度小于所述邊緣的第三部分的所述設(shè)計圖形的維度。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述對象圖形和與該對象圖形相對的圖形是線圖形。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述對象圖形和與該對象圖形相對的圖形是在相同方向上延伸的線圖形。11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中附加到所述邊緣的第二部分上的所述修正圖形和附加到所述邊緣的第三部分上的所述修正圖形基于不同的修正規(guī)則。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器，其中所述邊緣的第一區(qū)域包括所述邊緣的第三部分的一端。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述邊緣的第二區(qū)域包括所述邊緣的第三部分的中點。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述邊緣的第一區(qū)域包括所述邊緣的第三部分的一端，所述邊緣的第二區(qū)域包括所述邊緣的第三部分的中點。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述對象圖形的所述邊緣的第三部分設(shè)置于所述邊緣的第一部分與所述邊緣的第二部分之間，所述修正圖形被附加到所述邊緣的第二部分和所述邊緣的第三部分的每一個上，附加到所述邊緣的第二部分上的所述修正圖形大于附加到所述邊緣的第三部分上的所述修正圖形，所述物理圖形包括與從所述設(shè)計圖形的所述邊緣的第二部分到其所述邊緣的第一部分的部分對應(yīng)的物理圖形，該物理圖形具有從所述邊緣的第二部分到所述邊緣的第一部分的平滑表面。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述物理圖形的平滑表面比基于下述的設(shè)計圖形的物理圖形平滑，即該設(shè)計圖形中所述修正圖形被附加到所述邊緣的第二部分上且未被附加到所述邊緣的第三部分上。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述物理圖形在與下述圖形的一端相對的邊緣部分處具有平滑表面，即該圖形與該物理圖形相對。18.—種半導(dǎo)體器件，其具有物理圖形，其中所述物理圖形包括第一物理圖形和位于該第一物理圖形的邊緣部分處的第二物理圖形；所述第一物理圖形包括邊緣的第一部分，在該邊緣的第一部分和與之相對的圖形之間具有第一距離；邊緣的第二部分，在該第二部分和與之相對的圖形之間具有第二距離，該第二距離與所述第一距離不同；邊緣的第三部分，其設(shè)置于所述邊緣的第一部分和所述邊緣的第二部分之間，且具有邊緣的第一區(qū)域和邊緣的第二區(qū)域，在該第一區(qū)域和與之相對的圖形之間具有所述第一距離，在該第二區(qū)域和與之相對的圖形之間具有所述第二距離；所述第二物理圖形位于所述邊緣的第二部分和所述邊緣的第三部分的每一個上；位于所述邊緣的第二部分上的所述第二物理圖形大于位于所述邊緣的第三部分上的所述第二物理圖形；所述物理圖形從所述邊緣的第二部分到所述邊緣的第一部分具有平滑表面。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中所述物理圖形以下述方式具有平滑表面使得該物理圖形從所述邊緣的第二部分到所述邊緣的第一部分在維度上減小。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中所述物理圖形在與下述圖形的一端相對的邊緣部分處具有平滑表面，即該圖形與該物理圖形相對。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其具有基于設(shè)計圖形的物理圖形，其中設(shè)計圖形包括對象圖形和修正圖形；對象圖形包括邊緣的第一部分，在該第一部分和與之相對的圖形之間具有第一距離；邊緣的第二部分，在該第二部分和與之相對的圖形之間具有第二距離，該第二距離與第一距離不同；邊緣的第三部分，其具有邊緣的第一區(qū)域和邊緣的第二區(qū)域，在該第一區(qū)域和與之相對的圖形之間具有所述第一距離，在該第二區(qū)域和與之相對的圖形之間具有第二距離；修正圖形被附加到邊緣的第一部分、邊緣的第二部分和邊緣的第三部分中的至少一個上，以使得該邊緣的第一部分、該邊緣的第二部分和該邊緣的第三部分在設(shè)計圖形的維度上相互不同。文檔編號G03F1/68GK101713920SQ20091025335公開日2010年5月26日申請日期2004年7月2日優(yōu)先權(quán)日2003年7月2日發(fā)明者小谷敏也申請人:株式會社東芝