專利名稱：畫素組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素組，且特別是有關(guān)于一種具有電容補(bǔ)償設(shè)計(jì)的畫素組。
背景技術(shù)：
一般而言，主動(dòng)式液晶顯示器主要由主動(dòng)組件數(shù)組基板、彩色濾光片(color filter)和 液晶層(liquidcrystal layer)所構(gòu)成。圖l為習(xí)知的一種主動(dòng)組件數(shù)組的俯視示意圖。請(qǐng)參 照?qǐng)Dl，主動(dòng)組件數(shù)組100主要是由以數(shù)組排列的多個(gè)畫素110所構(gòu)成。其中，各個(gè)畫素110均 是由一掃描線(scanline)112、 一數(shù)據(jù)線(dateline) 114、 一主動(dòng)組件l 16以及與主動(dòng)組件 116對(duì)應(yīng)配置的一畫素電極(pixel electrode) 118所組成。
值得一提的是，為了節(jié)省數(shù)據(jù)線114配置數(shù)量以減輕驅(qū)動(dòng)芯片的負(fù)擔(dān)或是使用數(shù)量，主 動(dòng)組件數(shù)組100中，相鄰兩個(gè)畫素110共享一條資料線114。亦即，主動(dòng)組件數(shù)組100的畫素 110是兩兩成組配置的。同時(shí)，為了穩(wěn)定液晶顯示器的顯示畫面，畫素110中還可配置有儲(chǔ)存 電容電極120。另外，為了增加畫素電極118的配置面積，主動(dòng)組件116可以直接配置于掃描 線112上，也就是說掃描線112與主動(dòng)組件116部分共享。
圖2為應(yīng)用圖1的主動(dòng)組件數(shù)組的液晶顯示器的等效電路示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，在習(xí)知主 動(dòng)式液晶顯示器的單一畫素中，通常包含一主動(dòng)組件116、 一液晶電容Cix以及一儲(chǔ)存電容 (storage capacitance)Cst。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2，液晶電容Cix是由主動(dòng)組件數(shù)組100上的畫素電極l 18與彩色濾光 片上的共享電極(common electrode)(未繪示)耦合而成。儲(chǔ)存電容Cst則是由畫素電極118 與儲(chǔ)存電容電極120耦合而成，且儲(chǔ)存電容Cst是與液晶電容Cix并聯(lián)。另外，主動(dòng)組件116的 閘極G、源極S以及汲極D分別與掃描線112 、數(shù)據(jù)線114以及液晶電容Cix中的畫素電極118連 接。主動(dòng)組件116的閘極G與汲極D之間有互相重迭的區(qū)域，亦即圖l中所繪示的斜線區(qū)域。因 此，在閘極G與汲極D之間會(huì)存有一閘極-汲極寄生電容(parasitic capacitance)Cgd。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1及圖2， 一般而言，施加在液晶電容Cix上的電壓與液晶分子的光穿透率之 間具有特定關(guān)系。因此，只要依據(jù)所要顯示的畫面來控制施加在液晶電容Cix上的電壓，即 可使顯示器顯示預(yù)定的畫面。但由于閘極-汲極寄生電容Cgd的存在，液晶電容Cix上所保持的 電壓將會(huì)隨著數(shù)據(jù)配線114上的訊號(hào)變化而有所改變。此電壓變動(dòng)量稱為饋通電壓(feed-through voltage) A Vp，其可表示為公式(l):
^t^=———,
其中AVg為施加于掃描線112上的脈沖電壓的振幅。
在目前的主動(dòng)組件數(shù)組制程中，機(jī)臺(tái)移動(dòng)時(shí)的位移偏差量將導(dǎo)致各個(gè)組件的位置有所差 異。特別是，主動(dòng)組件116的閘極G與汲極D的重迭面積(見圖l的斜線區(qū)域)不同時(shí)，將使得 閘極-汲極寄生電容Cgd不同。如此一來，成對(duì)的各個(gè)畫素100中的饋通電壓AVp不相同，進(jìn) 而在顯示過程中產(chǎn)生顯示亮度不均勻的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種畫素組，其設(shè)計(jì)可以補(bǔ)償因?yàn)橹瞥陶`差而造成的閘極-汲極寄生電容的 變化。
本發(fā)明提出一種畫素組，包括二掃描線、 一數(shù)據(jù)線以及二畫素。二掃描線彼此平行，而 數(shù)據(jù)線與二掃描線相交。二畫素位于二掃描線之間，并分別位于數(shù)據(jù)線的兩側(cè)。二畫素分別 電性連接二掃描線，其中各畫素包括一主動(dòng)組件、 一畫素電極、 一儲(chǔ)存電容電極以及一汲極 補(bǔ)償圖案。 一主動(dòng)組件鄰近數(shù)據(jù)線配置，且主動(dòng)組件包括一閘極、 一汲極以及一源極。閘極 電性連接對(duì)應(yīng)的其中一條掃描線。源極電性連接數(shù)據(jù)線。源極與汲極分別位于閘極的兩側(cè)。 畫素電極電性連接汲極。儲(chǔ)存電容電極與畫素電極至少部分重迭，且儲(chǔ)存電容電極包括一支 部。支部位于畫素電極遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線的一側(cè)，且具有一凹陷。凹陷位于支部接近數(shù)據(jù)線的一側(cè) 。汲極補(bǔ)償圖案連接汲極，且至少部份汲極補(bǔ)償圖案位于凹陷中。支部在凹陷遠(yuǎn)離閘極的一 側(cè)未與汲極補(bǔ)償圖案重迭。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的支部在凹陷接近閘極的一側(cè)與汲極補(bǔ)償圖案的邊緣實(shí)質(zhì) 上切齊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的其中一畫素的支部在凹陷接近閘極的一側(cè)與汲極補(bǔ)償圖 案部分重迭，而另一畫素的支部未與汲極補(bǔ)償圖案部分重迭。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各畫素的支部在凹陷遠(yuǎn)離閘極的一側(cè)與汲極補(bǔ)償圖案之 間的一第一距離大于在凹陷接近閘極的一側(cè)與汲極補(bǔ)償圖案之間的一第二距離。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各畫素的儲(chǔ)存電容電極為U型，且儲(chǔ)存電容電極實(shí)質(zhì)上 圍繞于畫素電極的邊緣。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各畫素的主動(dòng)組件更包括一半導(dǎo)體圖案，其位于閘極與 源極、汲極之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各閘極位于對(duì)應(yīng)的其中一掃描線中。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫素組更包括一連接圖案，以使二畫素的二儲(chǔ)存電容電 極電性連接。舉例而言，連接圖案與二畫素的二儲(chǔ)存電容電極一體成型。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各畫素的汲極補(bǔ)償圖案與汲極一體成型。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各畫素的支部在凹陷所在位置的線寬小于其它位置的線寬。
基于上述，本發(fā)明的畫素組在儲(chǔ)存電容電極中形成凹陷并使汲極補(bǔ)償圖案延伸至凹陷中 ，以補(bǔ)償閘極與汲極之間的閘極-汲極寄生電容變化。因此，本發(fā)明的畫素組應(yīng)用于顯示器 時(shí)有助于提高顯示器的顯示均勻性。另外，本發(fā)明的畫素組不需新增額外的組件而不會(huì)造成 制程成本的負(fù)擔(dān)。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì) 說明如下。


圖1為習(xí)知的一種主動(dòng)組件數(shù)組的俯視示意圖。
圖2為應(yīng)用圖1的主動(dòng)組件數(shù)組的液晶顯示器的等效電路示意圖。
圖3是本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素組的俯視示意圖。
圖4是本發(fā)明的另 一實(shí)施例的畫素組的俯視示意圖。 附圖中主要組件符號(hào)說明
100:主動(dòng)組件數(shù)組110、230A、230B:畫素
112、210A、210B:掃描線
114、220:資料線
116、232A:主動(dòng)組件
118、234A:畫素電極
120、236A:儲(chǔ)存電容電極
200、200':畫素組
238A、 238B:汲極補(bǔ)償圖案240A、 240B:支部
242A、 242B:四陷
244A、 244B、 246A、 246B: 一側(cè)
A:箭頭
C:半導(dǎo)體圖案
Cgd:閘極-汲極寄生電容
ClX:液晶電容
cst:儲(chǔ)存電容
D:汲極
dl、 d2:距離
G:閘極
S:源極
具體實(shí)施例方式
圖3是本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素組的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，畫素組200包括二掃描線210A 、210B、 一數(shù)據(jù)線220以及二畫素230A、 230B。 二掃描線210A與210B彼此平行，而數(shù)據(jù)線220 與二掃描線210A、 210B相交。二畫素230A、 230B位于二掃描線210A、 210B之間，并分別位于 數(shù)據(jù)線220的兩側(cè)。二畫素230A、 230B分別電性連接二掃描線210A、 210B。
畫素230A包括一主動(dòng)組件232A、 一畫素電極234A、 一儲(chǔ)存電容電極236A以及一汲極補(bǔ)償 圖案238A。同樣地，畫素230B也包括一主動(dòng)組件232B、 一畫素電極234B、 一儲(chǔ)存電容電極 236B以及一汲極補(bǔ)償圖案238B。在本實(shí)施例中，畫素230A與畫素230B中各組件之間的相對(duì)數(shù) 據(jù)線220的配置關(guān)系是相同的，所以以下先以畫素230A進(jìn)行說明。
畫素230A的主動(dòng)組件232A鄰近數(shù)據(jù)線220配置，且主動(dòng)組件232A包括一閘極G、 一汲極D 以及一源極S。閘極G電性連接對(duì)應(yīng)的其中一條掃描線210A。此外，主動(dòng)組件232A更包括一半 導(dǎo)體圖案C，其位于閘極G與源極S、汲極D之間。在本實(shí)施例中，主動(dòng)組件232A所在位置是在 掃描線210A上。也就是說，畫素230A的閘極G是位于掃描線210A中并與掃描線210A—體成型 。源極S電性連接數(shù)據(jù)線220。源極S與汲極D分別位于閘極G的兩側(cè)。畫素電極234A則電性連 接汲極D。
在此，儲(chǔ)存電容電極236A與畫素電極234A至少部分重迭，且儲(chǔ)存電容電極236A包括一支 部240A。支部240A位于畫素電極234A遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線220的一側(cè)，且具有一凹陷242A。凹陷242A
7位于支部240A接近資料線220的一側(cè)，其中支部240A在凹陷242A所在位置的線寬小于其它位 置的線寬。
汲極補(bǔ)償圖案238A連接汲極D，且至少部份汲極補(bǔ)償圖案238A位于凹陷242A中。支部 240A在凹陷242A遠(yuǎn)離閘極G的一側(cè)未與汲極補(bǔ)償圖案238A重迭。在本實(shí)施例中，汲極補(bǔ)償圖 案238A例如是與汲極D為一體成型。也就是說，汲極補(bǔ)償圖案238A是由汲極D遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線220 方向延伸，并沿著支部240A邊緣彎折而部分地延伸至凹陷242A中。
在本實(shí)施例中，各畫素230A與230B的儲(chǔ)存電容電極236A與236B為U型，且儲(chǔ)存電容電極 236A與236B實(shí)質(zhì)上分別地圍繞于畫素電極234A與234B的邊緣。支部240A與240B實(shí)質(zhì)上為U型 儲(chǔ)存電容電極236A與236B遠(yuǎn)離資料線220的其中一個(gè)分支。另外，畫素組200更包括一連接圖 案250，以使二儲(chǔ)存電容電極236A與236B電性連接。舉例而言，連接圖案250與二儲(chǔ)存電容電 極236A與236B—體成型。當(dāng)然，U型的儲(chǔ)存電容電極236A與236B設(shè)計(jì)僅為本實(shí)施例舉例說明 之用，本發(fā)明不限于此。
由先前技術(shù)段落中所描述的公式(1)可知，閘極G與汲極D之間的閘極-汲極寄生電容Cgd 會(huì)影響畫素組200應(yīng)用于顯示器時(shí)的顯示質(zhì)量，而閘極G與汲極D的重迭面積即是影響此閘極-汲極寄生電容Cgd最重要的關(guān)鍵。因此，畫素組200的設(shè)計(jì)較佳是使畫素230A與畫素230B中閘 極G與汲極D的重迭面積相同，如圖3所示。此時(shí)，支部240A在凹陷242A接近閘極G的一側(cè)與汲 極補(bǔ)償圖案238A的邊緣實(shí)質(zhì)上切齊。在另一個(gè)畫素230中，支部240B在凹陷242B接近閘極G的 一側(cè)與汲極補(bǔ)償圖案238B的邊緣也是實(shí)質(zhì)上切齊。
當(dāng)然，本發(fā)明不限于此，在其它的實(shí)施例中，支部240A在凹陷242A接近閘極G的一側(cè)與 汲極補(bǔ)償圖案238A的邊緣可以部分重迭。同時(shí)，支部240B在凹陷242B接近閘極G的一側(cè)與汲 極補(bǔ)償圖案238B的邊緣也部份重迭。值得一提的是，支部240A與汲極補(bǔ)償圖案238A的重迭面 積較佳是等于支部240B與汲極補(bǔ)償圖案238B的重迭面積。
本實(shí)施例的主動(dòng)組件232A與主動(dòng)組件232B的結(jié)構(gòu)大致上是呈現(xiàn)點(diǎn)對(duì)稱的關(guān)系。在制程中 若發(fā)生對(duì)位上的誤差，將使主動(dòng)組件232A與主動(dòng)組件232B中閘極G與汲極D間的重迭面積不同 。此時(shí)，閘極-汲極寄生電容Cgd在兩畫素230A與230B之間將會(huì)有不同的電容值，而影響兩畫 素230A與230B的顯示效果。換言之，制程上的對(duì)位誤差可使畫素組200應(yīng)用于顯示器時(shí)出現(xiàn) 顯示不均的情形。
為了補(bǔ)償對(duì)位誤差所造成的負(fù)面影響，本實(shí)施例的畫素230A與畫素230B中配置有汲極補(bǔ) 償圖案238A以及238B。此外，本實(shí)施例的畫素230A與畫素230B的儲(chǔ)存電容電極236A與236B中 配置有凹陷242A與凹陷242B。 一但發(fā)生制程誤差而使汲極D的位置偏移則汲極補(bǔ)償圖案238A與汲極補(bǔ)償圖案238B的位置也會(huì)改變。此時(shí)，兩畫素230A與230B的閘極G與汲極D之間的重迭 面積會(huì)有所不同。此外，汲極補(bǔ)償圖案238A與支部240A之間的重迭面積也不同于汲極補(bǔ)償圖 案238B與支部240B之間的重迭面積。因此，對(duì)位誤差所造成的閘極-汲極寄生電容Cgd變化可 以獲得補(bǔ)償。
詳言之，圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例的畫素組的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，畫素組200'與 前述的畫素組200實(shí)質(zhì)上相同，其主要差異在于畫素組200'的汲極D、源極S與數(shù)據(jù)線220相對(duì) 掃描線210A、 210B與儲(chǔ)存電容電極236A、 236B朝箭頭A的方向偏移。也就是說，畫素組200' 的組件與畫素組200的組件相同但相對(duì)配置位置不一致。
具體而言，在制作畫素組220'時(shí)，掃描線210A、 210B與儲(chǔ)存電容電極236A、 236B為相同 膜層，所以會(huì)在同一道制程步驟中被圖案化。同樣地，汲極D、源極S、汲極補(bǔ)償圖案238A、 238B與數(shù)據(jù)線220為相同膜層，而也會(huì)在同一道制程步驟中被圖案化。因此，只要其中一道 制程步驟沿箭頭A的方向上發(fā)生了對(duì)位誤差，則兩膜層的圖案將產(chǎn)生相對(duì)的偏移，而產(chǎn)生如 畫素組200'的結(jié)構(gòu)。值得一提的是，畫素組200'的組件配置關(guān)系在本發(fā)明中僅為舉例說明之 用，并非用以限定本發(fā)明。在其它的制程誤差條件下，畫素組200'的各組件之間可能有不同 的配置關(guān)系或是布局方式(layout)。
假設(shè)制程中未發(fā)生對(duì)位誤差，則畫素230A與畫素230B中閘極G與汲極D之間的重迭面積應(yīng) 該相等，如圖3所繪示。不過，汲極D所在膜層相對(duì)掃描線210A沿箭頭A的方向偏移時(shí)，畫素 230A的閘極G與汲極D之間的重迭面積會(huì)相對(duì)變小。同時(shí)，畫素230B的閘極G與汲極D之間的重 迭面積會(huì)相對(duì)變大。因此，畫素230A的閘極G與汲極D之間的閘極-汲極寄生電容Cgd將與畫素 230B的閘極G與汲極D之間的閘極-汲極寄生電容Cgd有所不同而造成顯示不均的負(fù)面影響。
在本實(shí)施例中，制程的對(duì)位誤差也會(huì)使汲極補(bǔ)償圖案238A與238B相對(duì)儲(chǔ)存電容電極236A 、236B沿箭頭A的方向偏移。因此，在畫素230B中，支部240B在凹陷242B接近閘極G的一側(cè) 244B與汲極補(bǔ)償圖案238B部分重迭。同時(shí)，在畫素230A中，支部238A未與汲極補(bǔ)償圖案238A 重迭。具體而言，在畫素230A中，支部238A在凹陷242A遠(yuǎn)離閘極G的一側(cè)246A與汲極補(bǔ)償圖 案238A之間的一第一距離dl例如是大于在凹陷242A接近閘極G的一側(cè)244A與汲極補(bǔ)償圖案 238A之間的一第二距離d2。不過，本發(fā)明不限于此，隨著制程對(duì)位誤差的程度不同，第一距 離dl與第二距離d2的大小將呈現(xiàn)不同的關(guān)系。
汲極補(bǔ)償圖案238A與238B的位移將使閘極G與汲極D之間的閘極-汲極寄生電容Cgd差異獲 得補(bǔ)償。詳言之，制程誤差的影響使得畫素230A的閘極-汲極寄生電容Cgd較理想值小，而畫 素230B的閘極-汲極寄生電容Cgd較理想值大。因此，由先前技術(shù)所描述的公式(l)可知，畫素組200'若未配置汲極補(bǔ)償圖案238A、 238B與凹陷242A、 242B時(shí)，畫素230B的饋通電壓A Vp 可能較畫素230A的饋通電壓高AVp。在本實(shí)施例中，支部240B與汲極補(bǔ)償圖案238B部份重迭 所造成的電容耦合效應(yīng)有助于提高儲(chǔ)存電容Cst的大小而降低畫素230B的饋通電壓AVp。如 此一來，畫素230A與畫素230B的饋通電壓AVp差異可以有效減小，而有助于提高畫素組200' 的顯示均勻性。
在汲極補(bǔ)償圖案238A、 238B與凹陷242A、 242B的補(bǔ)償作用下，畫素230A與畫素230B的饋 通電壓AVp可以大致相等。也就是說，本實(shí)施例的設(shè)計(jì)可以有效地補(bǔ)償因?yàn)閷?duì)位誤差而對(duì)畫 素組200'的顯示效果所造成的負(fù)面影響。進(jìn)一步而言，本實(shí)施例的畫素組200'中，汲極補(bǔ)償 圖案238A、 238B與汲極D為一體成型且在相同的制程步驟中形成，所以本實(shí)施例不需新增任 何組件。亦即，本實(shí)施例的畫素組200'在不增加制程成本的前提之下，可以有效補(bǔ)償因?yàn)橹?程對(duì)位誤差所造成的負(fù)面影響。
綜上所述，本發(fā)明的畫素組利用汲極補(bǔ)償圖案與共享電極的支部的凹陷提供補(bǔ)償作用以 降低制程對(duì)位誤差所造成的負(fù)面影響。具體而言，制程誤差會(huì)使本發(fā)明的畫素組中兩畫素的 汲極以及汲極補(bǔ)償圖案同時(shí)地偏移而影響兩畫素的閘極-汲極寄生電容與儲(chǔ)存電容的電容值 。因此，兩畫素的饋通電壓可以獲得補(bǔ)償而使本發(fā)明的畫素組應(yīng)用于顯示器時(shí)具有良好的顯 示均勻性。此外，本發(fā)明的汲極補(bǔ)償圖案是由汲極所延伸出來，而支部為儲(chǔ)存電容電極的一 部份，所以本發(fā)明的畫素組不需新增任何組件。換言之，本發(fā)明的畫素組除了可以補(bǔ)償對(duì)位 誤差的負(fù)面影響外，其制作方法可以整合于習(xí)知畫素組的制程步驟當(dāng)中，而不會(huì)增加制程成 本也不會(huì)使制程步驟復(fù)雜化。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有 通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù) 范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
10
權(quán)利要求
1.一種畫素組，其特征在于，包括二掃描線，彼此平行；一數(shù)據(jù)線，與該二掃描線相交；二畫素，位于該二掃描線之間，并分別位于該數(shù)據(jù)線的兩側(cè)，且該二畫素分別電性連接該二掃描線，其中各該畫素包括一主動(dòng)組件，鄰近該數(shù)據(jù)線配置，該主動(dòng)組件包括一閘極，電性連接對(duì)應(yīng)的其中一該掃描線；一源極，電性連接該數(shù)據(jù)線；一汲極，該源極與該汲極分別位于該閘極的兩側(cè)；一畫素電極，電性連接該汲極；一儲(chǔ)存電容電極，該儲(chǔ)存電容電極與該畫素電極至少部分重迭，且該儲(chǔ)存電容電極包括一支部，該支部位于該畫素電極遠(yuǎn)離該數(shù)據(jù)線的一側(cè)，且具有一凹陷，而該凹陷位于該支部接近該數(shù)據(jù)線的一側(cè)；以及一汲極補(bǔ)償圖案，連接該汲極，且至少部份該汲極補(bǔ)償圖案位于該凹陷中，而該支部在該凹陷遠(yuǎn)離該閘極的一側(cè)未與該汲極補(bǔ)償圖案重迭。
2 根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，所述支部在該凹陷接 近該閘極的一側(cè)與該汲極補(bǔ)償圖案的邊緣實(shí)質(zhì)上切齊。
3 根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中一該畫素的該支 部在該四陷接近該閘極的一側(cè)與該汲極補(bǔ)償圖案部分重迭，而另一該畫素的該支部未與該汲 極補(bǔ)償圖案部分重迭。
4 根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中各該畫素的該支 部在該凹陷遠(yuǎn)離該閘極的一側(cè)與該汲極補(bǔ)償圖案之間的一第一距離大于在該凹陷接近該閘極 的一側(cè)與該汲極補(bǔ)償圖案之間的一第二距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中各該畫素的該儲(chǔ) 存電容電極為U型，且該儲(chǔ)存電容電極實(shí)質(zhì)上圍繞于該畫素電極的邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中各該畫素的該主 動(dòng)組件更包括一半導(dǎo)體圖案，位于該閘極與該源極、該汲極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中各該閘極位于對(duì) 應(yīng)的其中一該掃描線中。
8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，更包括一連接圖案， 以使該二畫素的該二儲(chǔ)存電容電極電性連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中各該畫素的該汲 極補(bǔ)償圖案與該汲極一體成型。
10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素組，其特征在于，其中各該畫素的該 支部在該凹陷所在位置的線寬小于其它位置的線寬。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種畫素組包括二掃描線、一數(shù)據(jù)線以及二畫素。二掃描線彼此平行而數(shù)據(jù)線與二掃描線相交。二畫素位于二掃描線之間并分別位于數(shù)據(jù)線的兩側(cè)。各畫素包括一主動(dòng)組件、一畫素電極、一儲(chǔ)存電容電極以及一汲極補(bǔ)償圖案。主動(dòng)組件鄰近數(shù)據(jù)線配置，且包括一閘極、一源極以及一汲極。儲(chǔ)存電容電極與畫素電極至少部分重迭，且包括一支部。支部位于畫素電極遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線的一側(cè)，且具有一凹陷。凹陷位于支部接近數(shù)據(jù)線的一側(cè)。汲極補(bǔ)償圖案連接汲極。至少部分汲極補(bǔ)償圖案位于凹陷中。支部在凹陷遠(yuǎn)離閘極的一側(cè)未與汲極補(bǔ)償圖案重迭。本發(fā)明可以補(bǔ)償因?yàn)橹瞥陶`差而造成的閘極汲極寄生電容的變化，設(shè)計(jì)新穎、合理，具有較好的市場(chǎng)價(jià)值。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101614923SQ20091030519
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2009年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月4日
發(fā)明者仇翊溱, 張?jiān)? 游輝鐘 申請(qǐng)人:華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司