專利名稱：光阻復合結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種光阻結構，具體地說，涉及用于在浸沒式光刻制造的光阻復
合結構。
背景技術：
浸沒式光刻技術在深亞微米級制程中得到了比較廣泛的應用，其原理是將液體作 為投影成像介質置于主鏡頭和硅片之間，入射光線穿過液體，可以實現將版圖上的圖案投 影在硅片上，由于經過液體的入射光其折射率比經過空氣的折射率更高。比如空氣作為投 影成像的介質時，數值孔徑僅能達到1. O，但使用了折射率為1. 44的去離子水后，數值孔徑 就能夠達到1.4。因此，可以賦予光刻機的鏡頭更高的數值孔徑，帶來光刻技術的分辨率的 提升。 請參閱圖l，圖l為現有技術的光阻復合結構示意圖。為了阻止投射的光產生 反射，先在硅片1的表面上涂覆有一層底部抗反射層2(BARC:bottomanti-reflective coating)，然后在底部抗反射層2上涂覆有光阻層3，由于覆蓋在硅片1上的光阻在跟投影 成像介質比如水接觸時會部分產生化學反應，形成聚合物，影響刻蝕的效果，因此，為了防 止光阻與投影成像介質反應，需要在光阻層3上覆蓋頂層覆蓋物4(top coat)，用以將光阻 層3全部密封。 在形成所述底部抗反射層2、光阻層3以及頂層覆蓋物4的同時，為了避免與涂抹 設備內的側壁污染，需要在硅片l邊緣進行沖洗，使得各層邊緣與所述硅片1的邊緣均保持 一定距離，從而在硅片1上形成一呈階梯狀的光阻復合結構。 請參閱圖2，圖2為在硅片1上形成光阻復合結構的示意圖，硅片固定在旋轉盤5 上，噴嘴6正對著硅片圓心，當硅片1在高速旋轉的時候，從噴嘴6上噴出的涂膠7在離心 力的作用下，均勻地涂覆在硅片1表面上。如此，依次形成底部抗反射層2、光阻層3、頂層 覆蓋物4。 由于現有的這種光阻復合結構在旋轉時，噴嘴6與旋轉盤5難以保持同心狀態(tài)，使 得包覆在光阻層3側面的頂層覆蓋物4并不均勻，有些地方甚至沒有覆蓋住光阻層3，造成 暴露出來的光阻與水接觸時產生化學反應，形成聚合物，造成曝光、顯影后，在硅片周邊還 殘留著部分的光阻，造成污染，降低良率，減少硅片的有效使用面積。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種光阻復合結構，減少污染，提高良率， 增大硅片的有效使用面積。 為解決以上技術問題，本實用新型提供的一種光阻復合結構，用于覆蓋在硅片表 面上，所述光阻復合結構包括涂覆于所述硅片表面上的底部抗反射涂層，形成于所述底部 抗反射涂層表面上的光阻層，以及覆蓋在所述光阻層表面和側面的頂層覆蓋物，所述底部 抗反射涂層以及頂層覆蓋物的邊緣與所述硅片的邊緣平齊。[0009] 所述光阻邊緣距離所述硅片邊緣的距離范圍為0. 4mm lmm。 與現有技術相比，本實用新型提出的光阻復合結構，通過使所述頂層覆蓋物與所
述底部抗反射涂層以及硅片的邊緣保持平齊，在實際的生產過程中，控制邊緣部分的涂抹
工藝變得更加容易，使得光阻層被較好地覆蓋住而沒有暴露出來，有效克服了作為污染源
的光阻暴露的可能性，從而有利于在后續(xù)的曝光、顯影工藝中提升良率。

圖1為圖1為現有技術的光阻復合結構示意圖； 圖2為在硅片上涂覆光阻復合結構的示意圖； 圖3為本實用新型實施例的光阻復合結構示意圖。
具體實施方式為使本實用新型的技術特征更明顯易懂，
以下結合附圖與實施例，對本實用新型 做進一步的描述。 請參閱圖3，圖3為本實用新型實施例的光阻復合結構示意圖，本實施的光阻復合 結構應用在待曝光的硅片1表面上，所述光阻復合結構包括底部抗反射涂層2，位于所述 硅片1表面，用于降低照射在硅片1表面上的光引起的反射；光阻3，位于所述底部抗反射 涂層2表面上，用于曝光、顯影，將掩模板(未標示)上的設計圖案映射在硅片l上；頂層覆 蓋物3，覆蓋在所述光阻3表面以及側面，用于防止所述光阻3與其他介質接觸，本實施例中 所述的其他介質指涂抹好的光阻復合結構在浸沒式光刻機曝光時與其接觸的去離子水。其 中，所述底部抗反射涂層2以及頂層覆蓋物4的邊緣與所述硅片1邊緣平齊。 實際涂抹時，頂層覆蓋物4完全覆蓋住所述光阻3，并與所述底部抗反射涂層2以 及硅片1的邊緣保持平齊，完成涂抹光阻復合結構后，在硅片的背面邊緣處進行沖洗，將沾 在硅片1邊緣以及流到硅片1背面的底部抗反射涂層2、光阻3以及頂層覆蓋物4全部清洗 干凈，由于所述頂層覆蓋物4與所述底部抗反射涂層2以及硅片1的邊緣保持平齊，在實際 的生產過程中，控制邊緣部分的涂抹工藝相對于傳統(tǒng)具有階梯的光阻復合結構變得更加容 易，使得光阻得以較好被覆蓋住而沒有暴露出來，有效克服了作為污染源的光阻暴露的可 能性，從而有利于在后續(xù)的曝光、顯影工藝中提升良率。 本實施例中，所述光阻邊緣距離所述硅片距離的范圍為0. 4mm lmm。相應增大了 在硅片1上的光阻3的有效涂抹面積，從而能在硅片1上制造出更多的芯片(die)，大大提 高了硅片1的有效使用面積，減少浪費。 以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行 業(yè)的技術人員應該了解，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不 脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進 都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其 等同物界定。
權利要求一種光阻復合結構，用于覆蓋在硅片表面上，所述光阻復合結構包括涂覆于所述硅片表面上的底部抗反射涂層，形成于所述底部抗反射涂層表面上的光阻層，以及覆蓋在所述光阻層表面和側面的頂層覆蓋物，其特征在于所述底部抗反射涂層以及頂層覆蓋物的邊緣與所述硅片的邊緣平齊。
2. 如權利要求1所述的光阻復合結構，其特征在于所述光阻邊緣距離所述硅片邊緣的距離范圍為0. 4mm lmm。
專利摘要本實用新型公開了一種光阻復合結構，用于覆蓋在硅片表面上，所述光阻復合結構包括涂覆于所述硅片表面上的底部抗反射涂層，形成于所述底部抗反射涂層表面上的光阻層，以及覆蓋在所述光阻層表面和側面的頂層覆蓋物，所述底部抗反射涂層以及頂層覆蓋物的邊緣與所述硅片的邊緣平齊，所述光阻邊緣距離、所述硅片邊緣的距離范圍為0.4mm～1mm。本實用新型提出的光阻復合結構，通過使所述頂層覆蓋物與所述底部抗反射涂層以及硅片的邊緣保持平齊，在實際的生產過程中，控制邊緣部分的涂抹工藝變得更加容易，使得光阻層被較好地覆蓋住而沒有暴露出來，有效克服了作為污染源的光阻暴露的可能性，從而有利于在后續(xù)的曝光、顯影工藝中提升良率。
文檔編號G03F7/11GK201464801SQ20092007837
公開日2010年5月12日 申請日期2009年7月16日 優(yōu)先權日2009年7月16日
發(fā)明者張軻, 陳楓 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司