專利名稱：用于鍺硅碳器件的光刻標記結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路領域，特別是涉及一種用于鍺硅碳器件的光刻標記結 構。
背景技術：
SiGe (鍺硅)是繼Si (硅)和GaAs (砷化鎵)之后的一種重要的半導體材料。由 于SiGe具有優(yōu)于純Si的良好特性，且工藝上與Si工藝兼容，而其制作出的器件和電路性 能幾乎可達到GaAs等化合物半導體器件和電路的水平，甚至在許多方面可代替化合物半 導體器件和電路器件的應用。在微電子器件和電路應用方面，SiGe不僅在頻率和速度上可 以超越Si，而且在成本上可以超越GaAs。由于SiGe贗晶薄膜中存在壓應變，為了增加SiGe外延的臨界厚度，通常采用在 SiGe中引入適量的C(碳)原子，即為SiGeC(鍺硅碳)外延；其生長后的SEM(掃描電子顯 微鏡)照片如圖1所示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種用于鍺硅碳器件的光刻標記結構，使光刻標 記信號在鍺硅碳外延生長后光刻對準和套刻時具有高信噪比。為解決上述技術問題，本發(fā)明的用于鍺硅碳器件的光刻標記結構是采用如下技術 方案實現(xiàn)的所述光刻標記的垂直結構從下到上依次為硅基板；標記形成層一有源區(qū)和 場區(qū)；多晶硅層；鍺硅碳外延層。圖3給出了兩種不同結構的光刻標記在尼康S204B光刻機上對準信號對比示意 圖；其中，圖3a是鍺硅碳外延層不覆蓋在多晶硅層上的光刻標記信號；圖3b是鍺硅碳外延 層覆蓋在多晶硅層上的光刻標記信號。由于鍺硅碳外延在多晶硅上的生長形貌要好于直接 在場區(qū)上的生長形貌，比較圖3a和圖3b能夠明顯的看到，采用本發(fā)明的光刻標記結構(參 見圖3b)，能使光刻標記信號在鍺硅碳外延生長后光刻對準和套刻時具有高信噪比。


下面結合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1是SiGeC外延生長后的SEM照片；圖2是應用于鍺硅碳器件的光刻標記的垂直結構示意圖；圖3是兩種不同結構的光刻標記信號對比圖；圖4是光刻標記中的對準標記和套刻標記水平結構的一種典型示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明中光刻標記的水平結構與傳統(tǒng)的光刻標記沒有區(qū)別，圖4給出了一種對準 標記和套刻標記典型的水平結構。其中圖4a是一種典型的對準標記的水平結構，圖4b —種典型的套刻標記的水平結構。結合圖2所示，在一實施例中所述的用于鍺硅碳器件的光刻標記結構其垂直結構 從下到上依次為硅基板；有源區(qū)和場區(qū)(標記形成層)；二氧化硅薄膜層；多晶硅層；鍺硅碳外延層。其中，所述二氧化硅薄膜層可以根據(jù)需要選擇采用，即可以采用二氧化硅薄膜層， 也可以不采用二氧化硅薄膜層。當采用二氧化硅薄膜層時，其厚度為20埃至500埃。所述 鍺硅碳外延層應覆蓋在多晶硅層之上，多晶硅層的厚度為50埃至10000埃，鍺硅碳外延層 的厚度為50埃至10000埃。本發(fā)明的光刻標記結構適用于鍺硅碳器件的量產(chǎn)。以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限 制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應 視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種用于鍺硅碳器件的光刻標記結構，其特征在于所述光刻標記的垂直結構從下 到上依次為硅基板；標記形成層---有源區(qū)和場區(qū)；多晶硅層；鍺硅碳外延層。
2.如權利要求1所述的光刻標記結構，其特征在于在所述標記形成層和多晶硅層之 間還包括二氧化硅層，該二氧化硅層的厚度為20埃至500埃。
3.如權利要求1所述的光刻標記結構，其特征在于所述鍺硅碳外延層應覆蓋在多晶 硅層之上。
4.如權利要求1所述的光刻標記結構，其特征在于所述多晶硅層的厚度為50埃至 10000埃，鍺硅碳外延層的厚度為50埃至10000埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于鍺硅碳器件的光刻標記結構，所述光刻標記垂直結構從下到上依次為硅基板；標記形成層---有源區(qū)和場區(qū)；多晶硅層；鍺硅碳外延層。本發(fā)明能使光刻標記信號在鍺硅碳外延生長后光刻對準和套刻時仍具有優(yōu)良的信噪比表現(xiàn)，適用于鍺硅碳器件的量產(chǎn)。
文檔編號G03F7/20GK102129178SQ20101002728
公開日2011年7月20日 申請日期2010年1月18日 優(yōu)先權日2010年1月18日
發(fā)明者吳鵬, 王雷, 闞歡 申請人:上海華虹Nec電子有限公司