專利名稱：：具有擴(kuò)大的有效面積的單模光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光纖傳輸領(lǐng)域，更具體地，涉及具有擴(kuò)大的有效面積的線路光纖。
背景技術(shù)：
：對于光纖，通常根據(jù)使折射率與光纖半徑相關(guān)聯(lián)的函數(shù)的曲線圖的外形來對折射率分布進(jìn)行分類。在標(biāo)準(zhǔn)方法中，到光纖中心的距離r顯示在x軸上。在y軸上，顯示折射率(在半徑r處)與光纖包層的折射率之差。因此，術(shù)語“階躍”、“梯形”、“三角形”或“a”折射率分布分別用來描述具有階梯形、梯形、三角形或a形形狀曲線的曲線圖。這些曲線通常表示光纖的理論分布或設(shè)定分布，同時(shí)光纖的制造約束條件可能導(dǎo)致略微不同的分布。在標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)成中，光纖包括光纖芯，其功能是傳輸和選擇性地放大光學(xué)信號；和光學(xué)包層，其功能是將光學(xué)信號限制在纖芯內(nèi)。為此，纖芯的折射率n。和包層的折射率~為使得n。>ng。眾所周知，光學(xué)信號在單模光纖中的傳播可被分解成基模和二次模，基模被導(dǎo)入纖芯中，而二次模在纖芯包層組件中被引導(dǎo)經(jīng)過一定距離，二次模被稱為包層模式。在標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)成中，階躍折射率光纖，也稱為SMF(“單模光纖”)，用作用于光纖傳輸系統(tǒng)的線路光纖。這些光纖具有遵守特定的電信標(biāo)準(zhǔn)的色散和色散斜率以及標(biāo)準(zhǔn)化的截止波長和有效面積值。響應(yīng)于在來自不同制造商的光學(xué)系統(tǒng)之間兼容的需求，國際電信聯(lián)盟(ITU)已經(jīng)規(guī)定了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，稱為SSMF(標(biāo)準(zhǔn)單模光纖)的標(biāo)準(zhǔn)光傳輸光纖必須遵守的基準(zhǔn)ITU-TG.6520其中，G.652標(biāo)準(zhǔn)為傳輸光纖建議了在1310nm的波長處的模場直徑(MFD)的范圍為8.6-9.511111[8.6;9.511111]；表示為X。。的光纜截止波長的值最大為1260nm；表示為ZDW的零色散波長的值的范圍為1300-1324nm[1300;1324nm]；在ZDW處的色散斜率的最大值為0.092ps/nm2-kmo在標(biāo)準(zhǔn)方法中，根據(jù)在22米光纖上傳播后不再是單模的光信號所在的波長來測量光纜截止波長，正如國際電工技術(shù)委員會的分會86A在標(biāo)準(zhǔn)IEC60793-1-44中所規(guī)定的。在本來已知的方式中，傳輸光纖的有效面積的增加有助于降低光纖中的非線性效應(yīng)。具有擴(kuò)大的有效面積的傳輸光纖能傳輸更長的距離和/或增加傳輸系統(tǒng)的運(yùn)行容限。典型地，SSMF具有大約為80um2的有效面積Aeff。為增加傳輸光纖的有效面積，曾建議制造與SSMF相比具有擴(kuò)大和變平的纖芯的光纖剖面。然而，光纖的纖芯形狀上的這種改變導(dǎo)致增加了微彎損耗并且導(dǎo)致增加了光纖的有效的光纜截止波長。在標(biāo)準(zhǔn)方法中，根據(jù)在2米光纖上傳播后為單模的光信號所起始的波長來測量有效的截止波長，正如IEC的分會86A在標(biāo)準(zhǔn)IEC60793-1-44中所限定的。US-A-6658190描述了具有大于110ym2的擴(kuò)大的有效面積的傳輸光纖。這些光纖具有非常寬的纖芯，其纖芯寬度是SSMF的寬度的1.5倍至2倍，并且光纖具有固定包層或淺下陷包層。為補(bǔ)償由有效面積的增加而引起的微彎損耗的增加，該文獻(xiàn)建議增加光纖的直徑(圖29)。然而，這種光纖直徑的增加伴隨著成本的增加，并且由于與其他光纖的不兼容而導(dǎo)致光纜敷設(shè)的問題。另外，該文獻(xiàn)指出研究中截止波長隨著光纖的長度而減小(圖5)，并特別指出光纖在傳輸1km后達(dá)到了單模特性。然而，這種對截止波長的測量并未遵守上文所引用的標(biāo)準(zhǔn)化測量法。在該文獻(xiàn)中所描述的光纖具有大于1260nm的光纜截止波長和小于1300nm的零色散波長。US-B-6516123描述了在1550nm的波長處具有大于100um2的有效面積的光纖。每一光纖均具有大于1260nm的光纜截止波長，因而超出了G.652標(biāo)準(zhǔn)。US-B-7076139描述了在1550nm的波長處具有120ym2的有效面積的光纖。然而，該光纖具有大于1260nm的光纜截止波長和大約1280nm的ZDW，因而這些值不滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)。US-A-2005/0244120描述了在1550nm的波長處具有106ym2的有效面積的光纖的一個(gè)示例。然而，該光纖具有1858nm的截止波長，大大超過由G.652標(biāo)準(zhǔn)所強(qiáng)制實(shí)行的限定。EP-A-1477831描述了在1550nm的波長處具有大于100um2的有效面積的光纖的示例。圖8的示例示出了具有小于或等于1270nm的截止波長的光纖，但是該光纖具有1295nm(從光纖剖面計(jì)算出的值)的ZDW，也就是說，超出了G.652標(biāo)準(zhǔn)。US-B-6483975描述了在1550nm的波長處具有大于100um2的有效面積的光纖。然而，該光纖的截止波長值太高以致不能滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)。EP-A-1978383描述了具有大于120um2的有效面積的光纖，但是其高于1260nm的截止波長、零色散波長和在零色散波長處的色散斜率不滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)確認(rèn)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)沒有描述在1550nm的波長處具有大于100um2的有效面積且滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)的約束條件的光纖。因此，需要這樣一種傳輸光纖其在1550nm的波長處具有大于或等于100ym2的擴(kuò)大的有效面積，并且具有小于或等于1260nm的光纜截止波長、包含在1300nm和1324nm之間的零色散波長，以及在零色散波長處小于0.092pS/nm2-km的色散斜率；也就是說，需要一種具有擴(kuò)大的面積且除了模場直徑以外滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)的約束條件的光纖。
發(fā)明內(nèi)容為此，本發(fā)明提出了一種光纖剖面，其包括中心纖芯、第一內(nèi)包層、第二內(nèi)包層和光學(xué)外包層；同時(shí)優(yōu)化光纖的中心纖芯、第一和第二內(nèi)包層中的每一個(gè)，以在不對由G.652標(biāo)準(zhǔn)所強(qiáng)制實(shí)行的除模場直徑以外的其他傳輸參數(shù)產(chǎn)生不利影響的情況下擴(kuò)大光纖的有效面積。更特別地，本發(fā)明提出了一種單模光纖，其包括中心纖芯、第一內(nèi)包層、第二內(nèi)包層和光學(xué)外包層；所述光纖具有-在1550nm的波長處的大于100um2的有效面積，以及-小于1260nm的光纜截止波長；-包含在1300nm和1324nm之間的零色散波長；-在零色散波長處小于0.092ps/nm2-km的色散斜率。本發(fā)明涉及因單模G.652光纖而對“三包層”剖面的使用，其通常用于G.653/G.655/G.656色散位移光纖、G.654截止位移光纖或G.657彎曲不敏感光纖。如上所述的本發(fā)明所必需的剖面參數(shù)范圍與用于G.653/G.655/G.656色散位移光纖、G.654截止位移光纖或G.657彎曲不敏感光纖中的三包層剖面的剖面參數(shù)范圍有很大不同。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，中心纖芯具有包含在4.0iim和5.5iim之間的半徑(巧)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第二內(nèi)包層為環(huán)狀物，所述環(huán)狀物具有包含在0.9ym和l.eym之間的由1~3-1~2(1~3減1~2)限定的寬度(w3)；第二內(nèi)包層與光學(xué)包層間有正折射率差。所述環(huán)狀物與光學(xué)外包層間有包含在1X10_3和5.0X10_3之間的折射率差。此外，所述中心纖芯可與光學(xué)外包層間有包含在4.2X10_3和5.2X10_3之間的折射率差，而第一內(nèi)包層可具有包含在0.5ym和1.5ym之間的由r2-ri限定的寬度(w2)，并可與光學(xué)外包層間有包含在-2.0X10_3和1.0X10_3之間的折射率差。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，第二內(nèi)包層為下陷包層，其具有包含在2.5ym和4.51ym之間的由r3-r2限定的寬度(w3)，并且與光學(xué)外包層間有小于_3.5X10_3的折射率差。下陷包層可與光學(xué)外包層間有大于-10.0X10_3的折射率差。中心纖芯可與光學(xué)外包層間有包含在3.5X10_3和5.0X10_3之間的折射率差。第一內(nèi)包層可具有包含在7iim和10um之間的由r2-ri限定的寬度(w2)，并與光學(xué)外包層間有包含在-1.0X10_3和1.0X10_3之間的折射率差。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光纖具有大于或等于lOOym2的有效面積。優(yōu)選地，有效面積嚴(yán)格大于100ym2。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，對于1625nm的波長，曲率半徑為30mm的光纖具有小于或等于0.05dB/100ft的彎曲損耗。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，對于1550nm的波長，光纖具有如下的微彎損耗光纖的微彎損耗與受限于相同約束條件的標(biāo)準(zhǔn)單模光纖(SSMF)的微彎損耗之比小于或等于2。在閱讀以下作為示例并結(jié)合附圖給出的本發(fā)明的實(shí)施例的描述時(shí)，本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，附圖示出圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光纖的設(shè)定剖面的圖形表示。圖2為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖的設(shè)定剖面的圖形表示。具體實(shí)施例方式將結(jié)合圖1和圖2來描述本發(fā)明的光纖，圖1和圖2各自表示設(shè)定剖面，即表示光纖的理論剖而，該光纖是在將預(yù)制棒進(jìn)行光纖拉制后實(shí)際獲得的光纖，其能夠具有略微不同的剖面。典型地，中心纖芯和第一和第二內(nèi)包層是通過在石英管中進(jìn)行CVD型沉積而獲得的，而光學(xué)外包層通常通過用天然石英或摻雜石英外包覆管而構(gòu)成，但是也可通過任何其他的沉積技術(shù)(VAD或0VD)來獲得。根據(jù)第一實(shí)施例(圖1)，根據(jù)本發(fā)明的傳輸光纖包括中心纖芯，其與用作光學(xué)包層的光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)h；相當(dāng)于中間包層的第一內(nèi)包層，其與光學(xué)外包層間有6折射率差A(yù)n2；和相當(dāng)于環(huán)狀物的第二內(nèi)包層，其與光學(xué)外包層間有正折射率差A(yù)n3。第一內(nèi)包層(w2，r2，An2)直接包圍中心纖芯OvAn》，而第二內(nèi)包層(w3，r3，An3)的環(huán)狀物直接包圍第一內(nèi)包層(w2，r2，An2)。中間包層的折射率和環(huán)狀物的折射率在其整個(gè)長度上大致不變。中心纖芯的形狀可以是階梯形、梯形、三角形或a形。中心纖芯的寬度由其半徑限定，而中間包層的寬度w2和環(huán)狀物的寬度％由它們各自的外部半徑和內(nèi)部半徑之差限定。在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光纖中，中心纖芯具有包含在4.0iim和5.5iim之間的半徑巧，并且與光學(xué)外包層相比優(yōu)選有包含在4.2X10_3和5.2X10_3之間的折射率差A(yù)ni(例如在石英中)。半徑ri的值必須足夠大以允許有效面積的增加，但也必須足夠小以獲得小于或等于1260nm的光纜截止波長。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光纖的中間包層具有包含在0.5iim和1.5iim之間的寬度w2。該包層還與光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)n2，An2優(yōu)選為包含在-2X10_3和1.0X10_3之間。中間包層的寬度w2必須足夠小以確保在1550nm的波長處的有效面積大于或等于100um2。環(huán)狀物具有包含在0.9ym和1.6ym之間的寬度《3。該環(huán)狀物與光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)n3，An3優(yōu)選為包含在1.0X10_3和5.0X10_3之間。環(huán)狀物的寬度w3必須足夠小以獲得小于或等于1260nm的光纜截止波長、包含在1300nm和1324nm之間的零色散波長和在零色散波長處小于0.092ps/nm2-km的色散斜率。下面的表I給出了與目前本領(lǐng)域中所描述的光纖的折射率分布相比較的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的用于傳輸光纖的可能折射率分布的五個(gè)示例。第一列給出了每一分布的參考符號，接著的三列示出了每一部分(巧，，^)的半徑值和寬度，以及最后幾列示出了每一部分與外包層問的折射率差的值(八！^到An3)。折射率的值在633nm的波長處測得。來自表I中的示例的光纖具有125pm的外部直徑。表I中的值對應(yīng)于光纖的設(shè)定剖面。表I<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>下面的表II示出了為與表I的折射率分布相對應(yīng)的傳輸光纖而模擬的光學(xué)特征。在表II中，第一列復(fù)述了表I的參考符號，接著的列為每一光纖剖面提供了光纜截止波長入cc的值、1310nm的波長的模場直徑2WQ2的值、在1550nm的波長處的有效面積Aeff的值、在1550nm的波長處的色散D的值和在1550nm的波長處的色散斜率P的值。最后幾列為每一光纖剖面提供了零色散波長ZDW的值和在該波長處的色散斜率PZDW的值。表II<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>對于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的五個(gè)示例，表II中應(yīng)當(dāng)注意的是，在1550nm的波長處的有效面積Aeff大于或等于100um2，甚至有四個(gè)示例嚴(yán)格大于100um2。波長1310nm的模場直徑2WQ2大于9.5iim。因此，根據(jù)第一實(shí)施例的光纖不滿足G.652的所有標(biāo)準(zhǔn)。然而，波長1310nm的模場直徑2WQ2超出G.652標(biāo)準(zhǔn)并沒有不良影響，因?yàn)榇蠖鄶?shù)現(xiàn)有的光學(xué)系統(tǒng)在1310nm的波長處不再運(yùn)行?？捎^察到，光纜截止波長入。。小于或等于1260nm，零色散波長ZDW包含在1300nm和1324nm之間，以及在零色散波長處的色散斜率PZDW小于0.092ps/nm2-km。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光纖滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)于光纜截止波長、零色散波長和在零色散波長處的色散斜率的約束條件。對根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光纖進(jìn)行優(yōu)化，以在保持光學(xué)參數(shù)除關(guān)于模場直徑的規(guī)格以外滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)遵守有效面積大于或等于100um2的約束條件。為更好地理解這些優(yōu)化，將結(jié)合在表I和表II中以粗體顯示的參數(shù)來描述目前本領(lǐng)域?qū)饫w的限定。在US-B-6516123中所描述的光纖中，由于環(huán)狀物的寬度w3太大，因此光纜截止波長大于1260nm。在US-B-7076139中所描述的光纖中，由于環(huán)狀物的寬度w3太大，因此光纜截止波長大于1260nm;并且由于纖芯的寬度ri和中間包層的寬度w2太大，因此零色散波長小于1300nm，并且在零色散波長處的色散斜率大于0.092pS/nm2-km。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例(圖2)，根據(jù)本發(fā)明的傳輸光纖包括中心纖芯，其與用作光學(xué)包層的光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)ni；相當(dāng)于中間包層的第一內(nèi)包層，其與光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)n2；和相當(dāng)于下陷包層的第二內(nèi)包層，其與光學(xué)外包層間有負(fù)折射率差A(yù)n3。第一內(nèi)包層(w2，r2，An2)直接包圍中心纖芯(巧，An》，而第二內(nèi)包層(w3，r3，An3)的下陷包層直接包圍第一內(nèi)包層(w2，r2，An2)。中間包層的折射率和下陷包層的折射率在其整個(gè)長度上大致不變。中心纖芯的形狀可以是階梯形、梯形、三角形或a形。中心纖芯的寬度由其半徑。限定，而中間包層的寬度w2和下陷包層的寬度w3由它們各自的外部半徑和內(nèi)部半徑之差限定。在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖中，中心纖芯具有包含在4.0iim和5.5iim之間的半徑巧，并與光學(xué)外包層相比優(yōu)選為有包含在3.5X10_3和5.0X10_3之間的折射率差A(yù)ni(例如在石英中)。中心纖芯的半徑。的值必須足夠大以允許達(dá)到大于或等于100um2的有效面積，但也必須足夠小以獲得小于1260nm的光纜截止波長。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖的中間包層具有包含在7.Oilm和10.Oilm之間的寬度w2。該包層還與光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)n2，八1!2優(yōu)選為包含在-1.0\10_3和1.0\10_3之間。中間包層的寬度必須足夠大以允許零色散波長大于1300nm且在零色散波長處的色散斜率小于0.092pS/nm2-km。另外，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖包括下陷包層，該下陷包層具有包含在2.5iim和4.5iim之間的寬度w3。該下陷包層與光學(xué)外包層間有折射率差A(yù)n3，八叫小于-3.5X10_3且優(yōu)選為大于-10X10_3。下陷包層的寬度和深度以如下這種方式分別選擇為足夠小和足夠大結(jié)合上述的參數(shù)來優(yōu)化其分布，以便獲得小于或等于1260nm的光纜截止波長、包含在1300nm和1324nm之間的零色散波長和在零色散波長處小于0.092ps/nm2-km的色散斜率。下面的表III給出了與目前本領(lǐng)域中所描述的光纖的折射率分布相比較的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于傳輸光纖的可能折射率分布的四個(gè)示例。第一列給出了每一分布的參考符號，接著的三列示出了每一部分(巧，，^)的半徑值和寬度，以及最后幾列示出了每一部分與外包層間的折射率差的值(八！^到An3)。折射率的值在633nm的波長處測得。來自表III中的示例的光纖具有125pm的外部直徑。表III中的值對應(yīng)于光纖的設(shè)定剖面。表III<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>下面的表IV示出了為與表III的折射率分布相對應(yīng)的傳輸光纖而模擬的光學(xué)特征。在表IV中，第一列復(fù)述了表III的參考符號，接著的列為每一光纖剖面提供了光纜截止波長A。。的值，1310nm的波長的模場直徑2WQ2的值，在1550nm的波長處的有效面積Aeff的值，在1550nm的波長處的色散D的值和在1550nm的波長處的色散斜率P的值。最后幾列為每一光纖剖面提供了零色散波長ZDW的值和在該波長處的色散斜率PZDW的值。表IV<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>對于根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的四個(gè)示例，表IV中應(yīng)當(dāng)注意的是，在1550nm的波長處的有效面積Aeff大于或等于100ym2，甚至嚴(yán)格大于100ym2。波長1310nm的模場直徑2WQ2大于9.5i!m。因此，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖不滿足G.652的所有標(biāo)準(zhǔn)。然而，波長1310nm的模場直徑2WQ2超出G.652標(biāo)準(zhǔn)并沒有不良影響，因?yàn)榇蠖鄶?shù)現(xiàn)有的光學(xué)系統(tǒng)在1310nm的波長處不再運(yùn)行?？捎^察到，光纜截止波長值入。。小于或等于1260nm，零色散波長ZDW包含在1300nm和1324nm之間，以及在零色散波長處的色散斜率PZDW小于0.092ps/nm2-km。因此，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于光纜截止波長、零色散波長和在零色散波長處的色散斜率的約束條件。對根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光纖進(jìn)行優(yōu)化，以在保持光學(xué)參數(shù)除關(guān)于模場直徑的規(guī)格以外滿足G.652標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)遵守有效面積大于或等于100um2的約束條件。為更好地理解這些優(yōu)化，將結(jié)合在表III和表IV中以粗體顯示的參數(shù)來描述目前本領(lǐng)域?qū)饫w的限定。在EP-A-1978383中所描述的光纖中，由于纖芯的半徑巧太大并且中間包層的寬度《2太小，因此光纜截止波長大于1260nm，零色散波長小于1300nm，并且在零色散波長處的色散斜率大于0.092ps/nm2-km。在US-A-2005/0244120中所描述的光纖中，由于纖芯的半徑巧、下陷包層的寬度w3和折射率差八叫太大，因此光纜截止波長大于1260nm。最后，在EP-A-1477831中所描述的光纖中，由于包層非常寬且淺，因此零色散波長小于1300nm。對于1625nm的波長，半徑為30mm的根據(jù)本發(fā)明的光纖具有小于0.05dB/(100轉(zhuǎn))的彎曲損耗。這些彎曲損耗值相當(dāng)于標(biāo)準(zhǔn)光纖的彎曲損耗值。而且，根據(jù)本發(fā)明的光纖具有如下的微彎損耗根據(jù)本發(fā)明的光纖的微彎損耗與受限于相同約束條件的SSMF中的微彎損耗之比小于或等于2，甚至1.5?？梢岳缤ㄟ^一種稱為固定直徑圓筒法的方法來測量微彎損耗。在IEC分會86A于基準(zhǔn)IECTR-62221之下的技術(shù)建議中描述了這種方法。根據(jù)本發(fā)明的傳輸光纖尤其適于長距離的傳輸系統(tǒng)。在不顯著降低光纖的其他光學(xué)參數(shù)的情況下的有效面積的增加允許在不增加非線性效應(yīng)的情況下增加傳輸?shù)墓庑盘柕哪芰繌亩纳屏藗鬏斁€路的信噪比，這是在以地面為基礎(chǔ)的或水下長距離的光學(xué)傳輸系統(tǒng)中所尤其期望的。根據(jù)本發(fā)明的光纖與SSMF相比增加了有效面積值。另外，根據(jù)本發(fā)明的光纖除關(guān)于在1310nm的波長處的模場直徑2W。的值的規(guī)格以外遵守標(biāo)準(zhǔn)ITU-TG.652的建議。因此，根據(jù)本發(fā)明的光纖可安裝在多種傳輸系統(tǒng)中，與該系統(tǒng)的其他光纖具有良好的兼容性。權(quán)利要求一種單模光纖，包括中心纖芯，其具有半徑(r1)，且與光學(xué)外包層間有正折射率差(Δn1)；第一內(nèi)包層，其具有半徑(r2)和寬度(w2)，且與外包層間有折射率差(Δn2)；第二內(nèi)包層，其具有半徑(r3)和寬度(w3)，且與外包層間有折射率差(Δn3)；所述光纖具有在1550nm的波長處大于或等于100μm2的有效面積；小于1260nm的光纜截止波長；包含在1300nm和1324nm之間的零色散波長；在所述零色散波長處小于0.092ps/nm2-km的色散斜率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模光纖，其中，所述中心纖芯具有包含在4.0μm和5.5μm之間的半徑(巧)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層為環(huán)狀物，所述環(huán)狀物與所述光學(xué)外包層間有正折射率差(Δη3)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層的所述環(huán)狀物具有包含在0.9μm禾口1.6μm之間的限定為r3_r2的寬度(W3)。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層的所述環(huán)狀物與所述光學(xué)外包層間有包含在1X10_3和5.0X10_3之間的折射率差(An3)06.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其中，所述中心纖芯與所述光學(xué)外包層間有包含在4.2X10_3和5.2X10_3之間的折射率差(An1)07.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其中，所述第一內(nèi)包層具有包含在0.5μm禾口1.5μm之間的由巧-巧限定的寬度(W2)。8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其中，所述第一內(nèi)包層與所述光學(xué)外包層間有包含在-2.OX10_3和1.OX10_3之間的折射率差(An2)09.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層為與所述外包層間有負(fù)折射率差(Δη3)的下陷包層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層的所述下陷包層具有包含在2.5μm禾口4.5μm之間的由r3_r2限定的寬度(W3)。11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層的所述下陷包層與所述光學(xué)外包層間有小于-3.5XΙΟ"3的折射率差(Δη3)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的單模光纖，其中，所述第二內(nèi)包層的所述下陷包層與所述光學(xué)外包層間有大于-10.OX10_3的折射率差(Δη3)。13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其中，所述中心纖芯與所述光學(xué)外包層間有包含在3.5X10_3和5.OX10_3之間的折射率差(An1)014.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其中，所述第一內(nèi)包層具有包含在7μm禾口10μm之間的由巧-巧限定的寬度(W2)。15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其中，所述第一內(nèi)包層與所述光學(xué)外包層間有包含在-1.0X10_3和1.0X10_3之間的折射率差(An2)016.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖具有大于IOOym2的有效面積。17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其特征在于，對于1625nm的波長，曲率半徑為30mm的所述單模光纖具有小于或等于0.05dB/100的彎曲損耗。18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的單模光纖，其特征在于，對于1550nm的波長，所述單模光纖的微彎損耗與受限于相同約束條件的標(biāo)準(zhǔn)單模光纖SSMF的微彎損耗之比小于或等于2。全文摘要一種單模光纖，包括中心纖芯(r1，Δn1)、第一內(nèi)包層(w2，Δn2)、第二內(nèi)包層(w3，Δn3)和外包層。所述光纖在1550nm的波長處具有大于或等于100μm2的有效面積。所述光纖還具有小于1260nm的光纜截止波長；包含在1300nm和1324nm之間的零色散波長；以及小于0.092ps/nm2-km的色散斜率。所述光纖在除關(guān)于在1310nm的波長處的模場直徑的規(guī)格以外遵守G.652標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)具有大于100μm2的有效面積。文檔編號G02B6/036GK101825739SQ201010111640公開日2010年9月8日申請日期2010年1月27日優(yōu)先權(quán)日2009年1月27日發(fā)明者D·莫蘭,L-A·德蒙莫里永,M·比戈-阿斯特呂克,P·西亞爾,S·里夏爾申請人:德雷卡通信技術(shù)公司