專利名稱：混合型微機(jī)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
該專利申請(qǐng)一般地涉及微機(jī)電(MEMQ裝置領(lǐng)域，具體說(shuō)，涉及混合型MEMS裝置組件，尤其是包含MEMS收發(fā)器的混合型MEMS組件。
背景技術(shù)：
目前，在很多領(lǐng)域都發(fā)展了各種MEMS裝置，其產(chǎn)品已商業(yè)化。但是，絕大多數(shù)現(xiàn)有的MEMS裝置都設(shè)計(jì)來(lái)執(zhí)行單一的功能或有限的幾個(gè)不同功能。例如，MEMS壓力傳感器經(jīng)常用來(lái)執(zhí)行檢測(cè)壓力的功能；聲學(xué)收發(fā)器(acoustic transducers)常用來(lái)執(zhí)行超聲波發(fā)射和超聲波探測(cè)。因此，更復(fù)雜的任務(wù)只能通過(guò)使用不同類(lèi)型的MEMS裝置(如果可得到這種裝置的話)來(lái)執(zhí)行。在一些應(yīng)用中，使用不同類(lèi)型的MEMS裝置來(lái)執(zhí)行一項(xiàng)復(fù)雜的任務(wù)不是一件容易的事，可能很麻煩。例如，在很多應(yīng)用中，需要探測(cè)不可視特征，并且一通常在遮擋住那些不可視特征的表面上一產(chǎn)生不可視特征的可視圖像。這在觀看者需要同時(shí)看到不可視特征和不可視特征的可視圖像的情況下是很有用的。例如，在探查人體軀干的一部份時(shí)，定位諸如血管、腫瘤、神經(jīng)、骨頭以及異物等皮下特征是很有用的。已經(jīng)發(fā)展的血管觀察系統(tǒng)使得醫(yī)務(wù)人員能夠定位血管從而進(jìn)行藥物和液體的注射和靜脈內(nèi)輸送。同樣，不用接觸并且不用打開(kāi)目標(biāo) (例如，車(chē)輛、墻或建筑)就能夠觀察目標(biāo)內(nèi)的結(jié)構(gòu)的能力也是很有用處的。將諸如皮下組織的受感染的部分這樣的不可視特征定位，并在一定位置產(chǎn)生該不可視特征的可視圖像使得該圖像與不可視特征對(duì)齊，這也是很有用的?？梢詫?duì)被定位的特征進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚?，例如，頂或超聲波處理?br>
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)例子中公開(kāi)了一種裝置，該裝置包括透明的cMUT，其包含能夠透過(guò)可見(jiàn)光并能產(chǎn)生機(jī)械變形的第一電極，能夠透過(guò)可見(jiàn)光的第二電極；第一電極和第二單極之間存在間隙，使得在第一電極和第二電極之間施加的電場(chǎng)的影響下第一電極能夠變形。在另一個(gè)例子中公開(kāi)了一種MEMS裝置，該裝置包括第一類(lèi)型的第一 MEMS裝置；第二類(lèi)型的第二 MEMS裝置，其中第二 MEMS裝置安裝到第一 MEMS裝置上；信號(hào)環(huán)路(signal loop)，其將第一 MEMS裝置的輸出端連接到第二 MEMS裝置的輸入端，使得第二 MEMS裝置的操作狀態(tài)由第一 MEMS裝置的輸出信號(hào)決定。在另一個(gè)例子中公開(kāi)了一種MEMS裝置，該裝置包括第一類(lèi)型的第一 MEMS裝置； 第二類(lèi)型的第二 MEMS裝置，其中第二 MEMS裝置安裝到第一 MEMS裝置上；信號(hào)環(huán)路，其將第一 MEMS裝置的輸出端連接到第二 MEMS裝置的輸入端，使得第二 MEMS裝置的操作狀態(tài)由第一 MEMS裝置的輸出信號(hào)決定。在另一個(gè)例子中公開(kāi)了一種方法，包括提供一種MEMS裝置，該MEMS裝置具有聲學(xué)收發(fā)器和安裝到該聲學(xué)收發(fā)器上的光閥；使用該聲學(xué)收發(fā)器探測(cè)被表面遮擋住的不可視目標(biāo)；基于對(duì)該不可視目標(biāo)的探測(cè)產(chǎn)生控制信號(hào)；將該控制信號(hào)發(fā)送到光閥以操作該光閥。


由以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的各個(gè)示范性實(shí)施方式能夠被更清楚地理解。圖Ia是具有組裝在一起的不同類(lèi)型的MEMS單元的混合型MEMS裝置單元的框圖；圖Ib是示意性地示出了包括集成的聲學(xué)單元和光學(xué)單元的示例性AO單元 (acoustic-and-optical cell，聲學(xué)和光學(xué)單元)的框圖；圖2示意性地示出了圖1中的AO單元為在遮擋住不可視目標(biāo)的表面上產(chǎn)生該目標(biāo)的可視圖像所進(jìn)行的示例性操作，其中聲學(xué)單元是一個(gè)超聲波傳感器，所述光學(xué)單元是一個(gè)光閥；圖3圖示了圖1中的AO單元為在顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生不可視目標(biāo)的可視圖像所進(jìn)行的示例性操作，其中聲學(xué)單元是一個(gè)超聲波傳感器，所述光學(xué)單元是一個(gè)光閥；圖4是可以用作圖1中的聲學(xué)單元的微電容超聲元件(capacitive-micromachin ed-ultrasound-transducer, cMUT)的示 歹ij的截面圖；圖5是可以用作圖1中的聲學(xué)單元的另一示例性cMUT的截面圖； 圖6是可以用作圖1中的聲學(xué)單元的另一示例性cMUT的截面圖；圖7是可以用作圖1中的光學(xué)單元的基于MEMS的光柵的示例的截面圖；圖8示意性地示出了圖7中的基于MEMS的光柵的一部份的透視圖；圖9圖示了圖7中的基于MEMS的光柵的示例性開(kāi)通(ON)狀態(tài)；圖10圖示了圖7中的基于MEMS的光柵的示例性關(guān)閉(Off)狀態(tài)；圖11是可以用作圖1中的光學(xué)單元的另一示例性光學(xué)單元的截面，其中，該光學(xué)單元由手性材料構(gòu)成；圖12圖示了在不同電場(chǎng)下圖11中的手性材料的極化方向；圖13圖示了另一個(gè)示例性AO單元的截面，其中所述光學(xué)單元是LCD單元；圖14圖示了另一個(gè)示例性AO單元的截面，其中所述光學(xué)元件是電光調(diào)節(jié)器(EOM) 或聲光調(diào)節(jié)器(AOM)；圖15是圖14中的示例性EOM的截面，其中照射光是非偏振的；圖16是圖14中的另一示例性EOM的截面，其中照射光是偏振的；圖17圖示了圖1中的示例性AO單元的探測(cè)操作，其中該AO單元的聲學(xué)單元是 cMUT,該AO單元的光學(xué)單元是基于MEMS的光柵；圖18示意性地示出了基于圖17所示的探測(cè)操作進(jìn)行的成像操作，其中在遮擋住被探測(cè)目標(biāo)的表面上產(chǎn)生圖像；圖19示意性地示出了基于圖17所示的探測(cè)操作進(jìn)行的成像操作，其中在顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生圖像；圖20圖示了圖1所示的AO單元的示例性AO陣列；圖21圖示了示例性尋址電路，用于對(duì)圖20中的AO陣列的各AO單元尋址；圖22圖示了另一示例性尋址電路，用于對(duì)圖20中的AO陣列的各AO單元尋址；圖23圖示了包含具有不同光學(xué)性質(zhì)或相應(yīng)于不同聲波的的AO單元的另一示例性AO陣列；圖M圖示了示例性尋址電路，用于對(duì)圖23中的AO陣列的各AO單元尋址；圖25圖示了一行聲學(xué)單元的用于產(chǎn)生沿AO陣列的法線傳播的平面聲波的示例性操作；圖沈圖示了一行聲學(xué)單元的用于產(chǎn)生沿所期望的非法線方向傳播的平面聲波的示例性操作；圖27圖示了用作圖1的光學(xué)元件的干涉測(cè)量光學(xué)調(diào)節(jié)器(IMOD)的示例，其中該 IMOD處于示例性的ON狀態(tài)；圖觀圖示了與圖27中的IMOD的ON狀態(tài)對(duì)應(yīng)的OFF狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹混合型MEMS裝置組件的幾個(gè)選定的例子。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解以下的介紹是為了說(shuō)明的目的，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明范圍內(nèi)的其他變化也是可行的。參照?qǐng)Dla，混合單元98 (hybrid cell)包括MEMS單元A 96以及在功能上與MEMS 單元A96相關(guān)聯(lián)并與MEMS單元A 96組裝在一起的MEMS單元B 94。具體說(shuō)MEMS單元B94 的操作(或者說(shuō)功能)至少依賴于MEMS單元A 96的操作或功能。在一個(gè)例子中MEMS單元B 94的操作至少依賴于MEMS單元A的輸出。這種依賴關(guān)系通過(guò)分析器90和單元B控制器89來(lái)實(shí)現(xiàn)。具體說(shuō)，MEMS單元A 96在單元A控制器93的控制下執(zhí)行期望的功能。 MEMS單元A 96的輸出被傳送到分析器90。分析器90分析MEMS單元A 96的輸出并將被分后的信號(hào)發(fā)送給單元B控制器89。單元B控制器89將控制信號(hào)發(fā)送到MEMS單元B，其中該控制信號(hào)的至少一部分是基于該分析器輸出的所述分析后的信號(hào)的至少一部分來(lái)產(chǎn)生的。結(jié)果，MEMS單元B 94的操作的至少一部分依賴于MEMS單元A輸出的并被發(fā)送到分析器90的至少一部分(或全部)輸出。在一些應(yīng)用中，MEMS單元B 94的操作實(shí)質(zhì)上由從 MEMS單元A輸出并輸入到分析器90 (或者，當(dāng)所述分析器與單元B控制器89集成在一起， 或當(dāng)所述分析器在功能上與單元B控制器89結(jié)合在一起時(shí)，輸入到單元B控制器89)的信號(hào)決定。舉例來(lái)說(shuō)，MEMS單元B在二元狀態(tài)中(例如，在ON和OFF狀態(tài)間)操作，MEMS單元B 94的ON和OFF狀態(tài)實(shí)質(zhì)上由從MEMS單元A 96的輸出的并輸入到分析器90 (或者， 當(dāng)所述分析器與單元B控制器89集成在一起，或當(dāng)所述分析器在功能上與單元B控制器89 結(jié)合在一起時(shí)，輸入到單元B控制器89)的信號(hào)決定。在一些例子中，在MEMS單元A 96進(jìn)行操作的時(shí)間段中MEMS單元B 94保持其操作狀態(tài)(即，ON狀態(tài)或OFF狀態(tài))不變。需要注意的是，在一些應(yīng)用中，該分析器可以起到轉(zhuǎn)換器的作用，將來(lái)自MEMS單元A96的輸出信號(hào)變換為不同的信號(hào)(例如，不同類(lèi)型或相同形式)。在另外一些應(yīng)用中， 分析器90可以是旁路裝置，使得從分析器90輸出的信號(hào)與從MEMS單元A 96的輸出端輸入的信號(hào)實(shí)質(zhì)上一樣。如果沒(méi)有分析器90以及聯(lián)接分析器90的輸入端和MEMS單元A的輸出端的饋線，MEMS單元A 96和B 94將各自獨(dú)立起作用，換言之，MEMS單元A 96和B 94 的操作將相互隔離，或者說(shuō)，基本上互不影響。在圖Ia所示的例子中，單元A控制器92、分析器90和單元B控制器89與混合裝置單元98分離。在另外的例子中，它們中的每一個(gè)或它們合起來(lái)可以與混合單元98集成為一體。例如，單元A控制器92或分析器90或者二者一起可以與MEMS單元A 96集成為一體(或嵌入MEMS單元A 96中)。單元B控制器89也可以與MEMS單元B 94集成為一體 (或嵌入MEMS單元B 94中)。MEMS單元A 96和MEMS單元B 94每個(gè)都可以從各種MEMS裝置中選擇，并且MEMS 單元A 96和MEMS單元B 94的相互關(guān)聯(lián)的功能以及外圍支持元件(例如，電路)一起執(zhí)行期望的功能。在一個(gè)例子中，MEMS單元A 96可以是收發(fā)器，例如，MEMS傳感器、MEMS致動(dòng)器、或者能夠執(zhí)行傳感器和致動(dòng)器二者的主要功能的MEMS裝置。以下結(jié)合選定的例子詳細(xì)介紹混合單元98，其中該混合單元98由聲學(xué)MEMS傳感器和光學(xué)裝置組成。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，以下的介紹只是用作說(shuō)明的目的，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明范圍內(nèi)的其他變化也是可行的。參照?qǐng)Dlb，在這個(gè)例子中混合單元100包括基于MEMS的聲學(xué)傳感器單元(以下稱作聲學(xué)傳感器)102和光學(xué)單元104。該聲學(xué)傳感器單元(10 和光學(xué)單元(104)相互關(guān)聯(lián)，并組裝為上述參照?qǐng)DIa描述的MEMS單元A 96和B 94。光學(xué)單元104的操作至少依賴于聲學(xué)傳感器單元102的輸出；這兩個(gè)單元的實(shí)體組裝在一起形成一個(gè)組件。例如，聲學(xué)傳感器單元(10 和光學(xué)單元(104)可以通過(guò)單片MEMS和/或集成電路(IC)處理來(lái)形成。 或者聲學(xué)傳感器單元(10 和光學(xué)單元(104)可以被分別獨(dú)立地制造，然后通過(guò)組裝處理形成所述AO組件單元。在另一種可選擇的情況中，聲學(xué)傳感器單元102的一部分(或光學(xué)單元104的一部分)可以與光學(xué)單元104或光學(xué)單元104的一部分(或部分或整個(gè)聲學(xué)傳感器單元10 —起制造，接著通過(guò)組裝處理形成期望的AO單元。因?yàn)樵撀晫W(xué)傳感器單元和光學(xué)單元被組裝，在一些應(yīng)用中有意利用該光學(xué)單元調(diào)制可見(jiàn)光，在操作期間被有意調(diào)制的或?qū)⒈挥幸庹{(diào)制的可見(jiàn)光會(huì)穿過(guò)聲學(xué)傳感器單元102，在以下的例子中，這一點(diǎn)會(huì)更加清楚。聲學(xué)傳感器單元102的操作由聲學(xué)傳感器控制器104控制。聲學(xué)傳感器單元102 的輸出，例如，探測(cè)到的信號(hào)(或由該探測(cè)到的信號(hào)推導(dǎo)出的其他信號(hào))至少被傳遞到分析器107，該分析器對(duì)聲學(xué)傳感器單元102的探測(cè)信號(hào)進(jìn)行分析。被分析的聲學(xué)信號(hào)被發(fā)送到光學(xué)單元控制器106。該光學(xué)單元控制器(106)將控制信號(hào)發(fā)送到光學(xué)單元(104)以操作該光學(xué)單元，其中該控制信號(hào)至少是基于來(lái)自分析器107的分析后的信號(hào)產(chǎn)生的。根據(jù)該光學(xué)單元控制器106的控制信號(hào)該光學(xué)單元在所述顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生象素。于是，由光學(xué)單元104產(chǎn)生的像素至少依賴于所述聲學(xué)傳感器單元的探測(cè)(例如，探測(cè)結(jié)果)。例如，在顯示標(biāo)的物上出現(xiàn)“亮”像素還是出現(xiàn)“暗”像素至少依賴于聲學(xué)傳感器單元102是否探測(cè)到了 “目標(biāo)”，具體的例子下面參照?qǐng)D2和圖3具體描述。注意光學(xué)單元104與聲學(xué)傳感器單元102互相關(guān)，例如，光學(xué)單元104的操作至少依賴于聲學(xué)傳感器單元102的輸出。在其他的例子中，一種類(lèi)型的單元可以與其他類(lèi)型的多個(gè)單元互相關(guān)。例如，聲學(xué)傳感器單元102可以與多個(gè)光學(xué)單元互相關(guān)；然而至少一個(gè)所述光學(xué)單元與該聲學(xué)單元組裝在一起；其他光學(xué)單元可以與該聲學(xué)傳感器單元組裝在一起也可以不組裝在一起。這種配置有助于提高所產(chǎn)生的圖像。在另外的例子中，光學(xué)單元 104可以與多個(gè)聲學(xué)傳感器單元互相關(guān)；然而至少一個(gè)所述聲學(xué)傳感器單元與該光學(xué)單元組裝在一起；其他聲學(xué)傳感器單元可以與該光學(xué)單元組裝在一起也可以不組裝在一起。圖2圖示了混合單元100的示例性操作。在這個(gè)例子中，聲學(xué)單元102是cMUT(電
6容性顯微加工超聲波收發(fā)器)；光學(xué)單元104是光閥單元，能夠引導(dǎo)可見(jiàn)光以在顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生像素，例如亮像素或暗像素。在圖2所示的例子中，要探測(cè)的目標(biāo)被表面遮擋在后面，該表面也是顯示標(biāo)的物， 該目標(biāo)的可視圖像將顯示在該表面上。所述目標(biāo)可以是皮下特征，例如，血管、腫瘤、神經(jīng)、 骨頭、異物或其他不可視特征；并且所述表面/顯示標(biāo)的物可以是遮擋住該皮下目標(biāo)的皮膚。在cMUT控制器104的控制下，cMUT102產(chǎn)生并向所述表面/目標(biāo)發(fā)射超聲波。該超聲波進(jìn)入所述表面并被該目標(biāo)以回聲的形式反射。該回聲被所述cMUT收集并被輸出到分析器107，分析器107分析回聲信號(hào)以獲得所述目標(biāo)的信息，例如，目標(biāo)是否存在和/或目標(biāo)的幾何尺寸及位置。分析器107將包含所述目標(biāo)的信息的分析后的信號(hào)發(fā)送到光閥控制器106。該光閥控制器106基于至少該分析后的信號(hào)產(chǎn)生控制信號(hào)，并將該控制信號(hào)發(fā)送到光閥單元104。基于來(lái)自光閥控制器106的該控制信號(hào)，光閥單元104導(dǎo)致在所述顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生像素，在本例中，是在遮擋目標(biāo)的表面上產(chǎn)生像素。例如，如果目標(biāo)存在就在顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生亮(或暗)象素；而如果目標(biāo)不存在，則在顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生暗(或亮) 象素。作為另一種選擇，如圖3所示，可以在遠(yuǎn)離遮擋目標(biāo)的表面的顯示標(biāo)的物上顯示圖像。在圖3所示的例子中，目標(biāo)的像可以沿著視線與被探測(cè)目標(biāo)對(duì)齊。具體說(shuō)，被探測(cè)目標(biāo)(實(shí)際目標(biāo))、目標(biāo)的像和觀測(cè)者的眼睛基本上在一條直線上，使得觀測(cè)者的眼睛所看到的目標(biāo)的像基本上與之際目標(biāo)重合。這樣，觀測(cè)者能夠“看到”被表面遮擋的目標(biāo)。在另外的應(yīng)用中，目標(biāo)的像可以顯示在遠(yuǎn)離所述表面的位于任何期望的空間位置的顯示標(biāo)的物上。圖4圖示了可以用于圖1至3中的cMUT的示例性cMUT的截面圖。如圖4所示， cMUTlOl包括基板108、底電極110、支撐114、可彎曲元件116、頂電極118和間隙112。在頂電極118和底電極110之間施加的電場(chǎng)的作用下，可彎曲元件能夠彎曲。圖5圖示了另一個(gè)示例性cMUT的截面圖。除了在間隙120中設(shè)置了介電結(jié)構(gòu)120 外，圖5所示的cMUT和圖4所示的cMUT —樣。提供該介電結(jié)構(gòu)120是為了防止在操作期間由于頂電極118和底電極110之間的物理接觸導(dǎo)致的短路。該介電結(jié)構(gòu)120由幾個(gè)薄壁構(gòu)成(例如，側(cè)壁和頂壁)，從而使得該介電結(jié)構(gòu)在頂電極118和底電極110之間施加的電場(chǎng)中基本上顯示出單位-K ( S卩，介電常數(shù)K近似為1)。該介電結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有的cMUT裝置更優(yōu)越。為了避免由于頂電極118和底電極110之間的物理接觸導(dǎo)致的短路，一些現(xiàn)有的 cMUT裝置在頂電極和底電極之間使用介電/絕緣層。但是，在操作期間這種介電/絕緣層會(huì)在電場(chǎng)中導(dǎo)致價(jià)電子(bonded electrons)或被俘獲的電子(tapped electrons)導(dǎo)致， 這樣的電子反過(guò)來(lái)會(huì)導(dǎo)致頂電極和底電極之間的電場(chǎng)的不均勻，這會(huì)顯著降低cMUT的性能，或甚至引發(fā)裝置故障。在一些方法中，在頂電極和底電極之間采用柱子來(lái)解決短路的問(wèn)題。但是這些柱子具有同樣或相似的電荷俘獲問(wèn)題。由于圖5中的介電結(jié)構(gòu)基本上具有單位-K，從而能夠消除或減弱cMUT裝置中存在的由于具有非單位-K的介電材料/結(jié)構(gòu)的存在引起的電荷俘獲問(wèn)題或其他類(lèi)似問(wèn)題。為了使介電結(jié)構(gòu)120的效率最大化，可以將該介電結(jié)構(gòu)定位在可彎曲元件116的中心122附近，在工作狀態(tài)中，可彎曲元件116的中心122的彎曲最大?；蛘?，如圖6所示， 可以提供給本具有單位-κ的多個(gè)介電結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D6，介電結(jié)構(gòu)120定位在可彎曲元件116的中心122附近。另外兩個(gè)介電結(jié)構(gòu)1 和IM均基本上具有單位-K，定位在介電結(jié)構(gòu)120的相反兩側(cè)。在其他例子中，可以設(shè)置基本上具有單位-κ的任何合適或期望的數(shù)量的介電結(jié)構(gòu)。圖7示出了圖2中的示例性的光閥單元124。參照?qǐng)D7，光閥單元IM包括能夠進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整的衍射光柵131。圖8示出了衍射光柵131的透視圖，其中圖7所示的衍射光柵的截面是沿著AA'線截取的。參照?qǐng)D8，衍射光柵131由一系列平行的可變形元件(例如，元件132)、頂元件(未示出)和底電極(如圖7中的128)構(gòu)成，所要操控的光(如可見(jiàn)光)可透射通過(guò)這些可變形元件。通過(guò)多個(gè)柱所述可彎曲元件被支撐在基板1 之上。每個(gè)可彎曲元件定位在頂電極和底電極之間，使得在施加在頂電極和底電極之間的電場(chǎng)的作用下該可彎曲元件能夠變形，例如，朝著底電極變形。頂電極可以形成在可彎曲元件的頂表面、底表面或可彎曲元件的內(nèi)部。為了調(diào)制所述光(例如可見(jiàn)光)，頂電極能夠透射通過(guò)要操縱的光，例如，對(duì)可見(jiàn)光是透明的。當(dāng)要調(diào)制的光來(lái)自底部，例如來(lái)自基板126方向并射向衍射光柵131時(shí)，基板 126和底電極能夠透射該入射光。圖9和10圖示了衍射光柵在調(diào)制從底部入射的光的過(guò)程中的操作，所述入射的光來(lái)自例如光閥單元124的基板126。參照?qǐng)D9，圖中的光柵處于ON狀態(tài)(或者也可定義為 OFF狀態(tài))。衍射光柵131的配置使得入射光能夠通過(guò)該衍射光柵。在圖10所示的OFF狀態(tài)(或與圖9中的狀態(tài)相反的ON狀態(tài))，一些可變形元件，例如可變形元件132，在施加到相應(yīng)的頂電極和底電極上的電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生變形從而使在所述相應(yīng)的頂電極和底電極之間的間隙閉合。結(jié)果，該衍射光柵的光學(xué)性質(zhì)改變了。入射光被改變偏離了圖9中的被調(diào)制的光的傳播方向。圖11圖示了可以用于圖2種的混合單元的光閥單元的另一個(gè)例子。在圖11中， 光閥單元IM使用設(shè)置在頂電極136和形成在基板142上的底電極140之間的固態(tài)手性材料 138。
“手性材料”是這樣一種材料，其包含具有基本相同的旋向性(handedness) 的手性體(chiral object)。手性體(例如具有螺旋手性微結(jié)構(gòu)的分子和分子組合)是一種三維體，這種三維體的性質(zhì)使得它不能通過(guò)平移或旋轉(zhuǎn)與其鏡像重合。本領(lǐng)域技術(shù)人員都理解，“旋向性，，是指一個(gè)手性體是“右利的”還是“左利的”。如果手性體是左手的(右手的)，則其鏡像是右手的(左手的)。就這方面來(lái)說(shuō)，一個(gè)手性體的鏡像是具有相反旋向性的對(duì)映結(jié)構(gòu)體。手性體可以被隨機(jī)地或有規(guī)則地定向(導(dǎo)致主要取向或主光軸)；也可以在調(diào)制器的空間中均勻地或非均勻地分布。頂電極和/或底電極能夠透射過(guò)要調(diào)制的入射光。固態(tài)手性材料是這樣的手性材料，其包含的多個(gè)手性體的各個(gè)質(zhì)心與向列式液晶材料的質(zhì)心相比具有長(zhǎng)程有序的性質(zhì)。例如，固態(tài)手性材料中的各手性體的各個(gè)質(zhì)心能夠排列為具有特定晶格參數(shù)的二維或三維晶格。注意，雖然各手性體被排列為使得各手性體的各個(gè)質(zhì)心具有長(zhǎng)程有序，各手性體可以被隨機(jī)地或有規(guī)則地排列。所述手性材料可以具有或不具有主光軸。而且，由手性材料構(gòu)成的物體也可能具有缺陷和/或空穴和/或甚至其他非手性體，雖然這不是優(yōu)選的。該固態(tài)手性材料138可以是無(wú)機(jī)材料，該無(wú)機(jī)材料的分子具有螺旋手性微結(jié)構(gòu)， 例如MgF2。其他的示例性的手性材料是金屬或半導(dǎo)體氧化物，例如，Si02and A1203。這種固態(tài)手性材料的各個(gè)分子的各質(zhì)心與液晶態(tài)的分子相比具有長(zhǎng)程有序。換言之，手性材料 138顯示出固態(tài)材料的宏觀性質(zhì)，例如具有特定的溶點(diǎn)。手性材料138具有基本上同樣的旋向性——右旋向性或左旋向性，這依賴于具體的材料。各個(gè)分子可以在頂電極和底電極之間的空間中規(guī)則地排列，從而能夠限定主導(dǎo)光軸或主光軸。如圖11所示意性地示出的，在主軸和該固態(tài)手性材料138的法向所形成的平面中，主軸和該法向形成主夾角Ω?；蛘撸鱾€(gè)分子可以在頂電極和底電極之間隨機(jī)地排列，從而不存在主光軸或主導(dǎo)光軸。該固態(tài)手性材料138具有電光性質(zhì)。具體說(shuō)，當(dāng)一束入射偏振光在固態(tài)手性材料中傳播時(shí)，依賴于施加在固態(tài)手性材料上的電場(chǎng)E，該偏振光會(huì)改變其偏振方向。如圖11所示意性地示出的，傳播通過(guò)電極136的偏振入射光以入射角θ in入射到手性材料138上， 該入射角是入射光和該固態(tài)手性材料的法向的夾角。該偏振光在該固態(tài)手性材料中傳播； 然后被電極140的反射表面反射。從電極140反射的偏振光在該固態(tài)手性材料中朝著透射性電極136傳播；并從透射性電極136出射。在該固態(tài)手性材料中朝著電極140傳播和朝著透射性電極136傳播的過(guò)程中，根據(jù)所述電場(chǎng)E (例如該電場(chǎng)E的幅值)該偏振光改變其偏振方向。結(jié)果，從該固態(tài)手性材料出射的光(以下稱為被調(diào)制的光)可以具有與入射光不同的偏振方向。被調(diào)制的光與該固態(tài)手性材料的法向之間的反射角θ out與入射角θ in 相同。為了展示，圖12示意性地示出了在施加的電場(chǎng)E的作用下被調(diào)制的光的偏振方向的變化。參照?qǐng)D12，當(dāng)所述手性材料是左手性材料時(shí)，如圖12所示，在施加的電場(chǎng)E基本為零時(shí)，被調(diào)制光的偏振面相對(duì)于進(jìn)行調(diào)制之前的入射光的偏振面向左旋轉(zhuǎn)了。當(dāng)電場(chǎng)不為零時(shí)，如圖12所示，被調(diào)制光的偏振面相對(duì)于進(jìn)行調(diào)制之前的入射光的偏振面向右旋轉(zhuǎn)了。與此類(lèi)似，當(dāng)該手性材料是右手性材料時(shí)，在不施加電場(chǎng)的情況下，被調(diào)制光的偏振面相對(duì)于進(jìn)行調(diào)制之前的入射光的偏振面向右旋轉(zhuǎn)；并且在施加電場(chǎng)的情況下，被調(diào)制光的偏振面相對(duì)于進(jìn)行調(diào)制之前的入射光的偏振面向左旋轉(zhuǎn)。偏振面旋轉(zhuǎn)角度的大小遵守Kerr效應(yīng)，其中最終的折射率差正比于電場(chǎng)的平方。 或者，偏振面旋轉(zhuǎn)角度的大小遵守Pockel效應(yīng)，其中最終的折射率差正比于電場(chǎng)的四次方。在調(diào)制操作中，入射光以入射角θ in入射到調(diào)制器上。盡管該入射角不優(yōu)選為主夾角Ω，但它可以是任何值，其中該主夾角定義為固態(tài)手性材料的主軸與固態(tài)手性材料的法向的夾角。也可以采用其他的光閥用于所述混合單元。例如，如圖13所示，液晶顯示單元或其他類(lèi)型的自發(fā)光裝置，如，等離子體單元可以用作圖2中的光閥?；蛘撸鐖D14所示，其他類(lèi)型的電光調(diào)制器(EOM)或聲光調(diào)制器(AOM)可以用作圖2中的光閥。作為例子，圖15 示意性地示出了 EOM單元的例子。參照?qǐng)D15，EOM單元150包括設(shè)置在(例如層壓在)兩個(gè)電極巧4和158之間的 EO材料156。具有不同偏振性(如，相互正交)的偏光器152和160布置在EO材料156的相對(duì)兩側(cè)。EO材料156出電光效應(yīng)，其中EO材料156的光學(xué)性質(zhì)隨著兩個(gè)電極之間的電場(chǎng)而改變，并且電場(chǎng)比要調(diào)制的光的頻率變化得慢得多。在電場(chǎng)中變化的性質(zhì)可以是EO材料 156的透射性、發(fā)光性和吸收性。這些性質(zhì)的改變可以遵守Pockel效應(yīng)、遵守Kerr效應(yīng)或其他效應(yīng)。依賴于EO調(diào)制所遵守的具體的效應(yīng)，EO材料156可以選自各種材料組，例如， 塑料、晶體(如，石英、方解石、亞磷酸二氫鉀(通常稱為KDP)、鈮酸鋰和硝酸鋇鈉(barium sodiumniobate)),以及本領(lǐng)域中很多其他材料。在一個(gè)示例性操作中，入射光是非偏振的，該入射光傳播通過(guò)第一偏振器160。產(chǎn)生的偏振光傳播通過(guò)EO材料156并到達(dá)出射偏振器152。出射偏振器152的偏振方向定位在一個(gè)角度(例如，與偏振器160的偏振方向成90° )，使得當(dāng)在電極IM和158之間沒(méi)有施加電壓時(shí)基本上沒(méi)有入射光從偏振器152出射。當(dāng)在所述電極上施加適當(dāng)?shù)碾妷?，從而也橫跨EO材料156施加了適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，從EO材料出射的光的偏振方向被旋轉(zhuǎn)到與偏振器152的偏振方向?qū)R的角度，從而穿過(guò)該偏振器152。當(dāng)入射光已經(jīng)是偏振光時(shí)，可以不提供和圖16所示意性地示出的前偏振器160。圖17圖示了包括如圖5所示的cMUT示例性的混合單元和包含圖7所示的衍射光柵的光閥。在探測(cè)操作中，cMUT的可變形原件在頂電極和底電極之間的電場(chǎng)(AC電場(chǎng)或AC 和DC電場(chǎng)的結(jié)合)的作用下產(chǎn)生振動(dòng)。該振動(dòng)產(chǎn)生向被探測(cè)的目標(biāo)傳播的超聲波。在探測(cè)過(guò)程中，光閥保持其狀態(tài)不變(OFF或ON狀態(tài))。從cMUT輸出的被探測(cè)信號(hào)被傳送到所述分析器(如圖1和2所示)，該分析器分析該被探測(cè)信號(hào)。假定存在所述目標(biāo)并且該cMUT探測(cè)到了該目標(biāo)，則分析器將分析后的信號(hào)發(fā)送到光閥控制器(如圖1和2所示)，其中該分析后的信號(hào)攜帶著關(guān)于目標(biāo)出現(xiàn)的信息。該光閥控制器發(fā)送控制信號(hào)到光閥單元，從而將光閥切換到ON狀態(tài)(或OFF狀態(tài))。 然后該光閥單元在顯示標(biāo)的物上產(chǎn)生亮(或暗)的像素，如圖所示。在一個(gè)例子中，所示目標(biāo)不存在或cMUT沒(méi)有探測(cè)到該目標(biāo)，分析器將攜帶著這樣的信息的分析后的信號(hào)發(fā)送至光閥控制器。該光閥控制器發(fā)送控制信號(hào)至光閥單元從而將光閥單元切換至OFF(或0N) 狀態(tài)，于是導(dǎo)致在顯示標(biāo)的物上的暗(或亮)像素。采用上述同樣的操作步驟，可以在顯示標(biāo)的物上的任何期望的位置交替地顯示像素(亮或暗像素)，正如圖19所示。以上討論的混合單元可以形成混合單元陣列，圖20示出了混合單元陣列的一個(gè)例子。參見(jiàn)圖20，混合單元陣列164包括如上所述的混合單元排成的陣列。根據(jù)具體的應(yīng)用，陣列中混合單元的數(shù)量可以是任何合適的數(shù)量。例如該混合單元陣列可以包含4X4， 4X5，10X4，10X5，10X10，15X5，15 X 10，20 X 10，20 X 20，100 X 100，512 X 256 或任何其他合適數(shù)量的混合型MEMS單元。陣列中的混合單元能夠被單獨(dú)地尋址，從而被單個(gè)地操作。因?yàn)槊總€(gè)混合單元包括多個(gè)(例如在上面討論的例子中是2個(gè))MEMS單元。該混合單元陣列可以以很多不同的方式被尋址。在一個(gè)例子中，相同類(lèi)型的MEMS單元被作為單元層來(lái)處理，為每個(gè)層提供一個(gè)尋址電路。例如，參見(jiàn)圖la，多個(gè)混合單元98可以形成混合單元陣列。在所述混合單元陣列中的混合單元98的MEMS單元A(如，96)可以作為單元層來(lái)處理；而MEMS單元B (如， 94)可以作為混合單元陣列中的另一個(gè)單元層來(lái)處理。可以對(duì)每個(gè)層執(zhí)行對(duì)單個(gè)單元的尋址，換言之，混合單元陣列中的不同單元層中的MEMS單元可以被獨(dú)立地尋址，雖然不同單元層中的MEMS單元的操作是相互關(guān)聯(lián)的。圖21圖示了一個(gè)示例性尋址電路。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，該尋址電路172用于尋址某一具體單元層，例如由圖Ia中的MEMS單元A構(gòu)成的單元層。在由MEMS單元B構(gòu)成的單元層中的MEMS單元B可以通過(guò)使用同樣的電路被尋址。仍然為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，僅示出了所述陣列的每一行或每一列中的6個(gè)MEMS單元。可以通過(guò)同樣的方法對(duì)同一單元層中的其他MEMS 單元尋址。參見(jiàn)圖21，尋址電路172包括字線驅(qū)動(dòng)器168、位線驅(qū)動(dòng)器176、字線170、位線 (如，位線175)和存儲(chǔ)器單元(174)。在圖21所示的例子中，存儲(chǔ)器單元是1T1C( 一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器)電路。其他類(lèi)型的存儲(chǔ)器單元，例如，DRAM、SRAM或鎖存也是可以采用的。字線170連接到字線驅(qū)動(dòng)器168和存儲(chǔ)器單元(例如，174)的晶體管的柵極。這些晶體管的各源極連接到不同的位線；這些位線連接到位線驅(qū)動(dòng)器176。這些晶體管的漏極連接到MEMS單元，如圖21所示。通過(guò)使用由所述字線驅(qū)動(dòng)器和位線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的字線和位線，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的內(nèi)容可以被寫(xiě)入或讀出。存儲(chǔ)器單元的內(nèi)容被輸出到與存儲(chǔ)器單元的輸出端連接的各MEMS單元。因此，與存儲(chǔ)器單元連接的MEMS單元能夠根據(jù)存儲(chǔ)在所連接的存儲(chǔ)器單元的內(nèi)容而操作。圖22圖示了另一個(gè)改進(jìn)的尋址電路。參見(jiàn)圖22，提供了電荷泵線178，其連接到 ITlC存儲(chǔ)器單元的電容器。2006年3月14日發(fā)行授予Richards的美國(guó)專利7，012，592 詳細(xì)描述了該電荷泵像素線，通過(guò)引用，該美國(guó)專利的內(nèi)容全部并入本文。在一些應(yīng)用中，具有相同類(lèi)型但不容操作參數(shù)的MEMS單元可以設(shè)置在混合型陣列中。例如，在具有如圖18和20所示的混合單元的混合單元陣列中，可以提供具有不同頻率的cMUT(例如，在施加相同電壓時(shí)具有不同超聲波頻率)。圖23圖示了具有這種MEMS 單元的示例性混合型陣列?；旌闲完嚵?82包含圖Ia所示的混合單元。然而，一個(gè)或多個(gè)相同類(lèi)型的MEMS單元顯示出不同的功能參數(shù)。例如，混合單元100和184是具有圖23所示cMUT的混合單元。100和184中的cMUT顯示不同的電聲響應(yīng)性質(zhì)。具體說(shuō)，在施加相同的電壓時(shí)，單元100中的cMUT產(chǎn)生的超聲波的頻率遠(yuǎn)大于單元184中的cMUT產(chǎn)生的超聲波的頻率。結(jié)果，單元184中的cMUT產(chǎn)生的超聲波可以作為對(duì)單元100中的cMUT產(chǎn)生的超聲波的小的擾動(dòng)。在需要時(shí)，在相同層但具有不同功能參數(shù)MEMS單元可以被分別尋址，圖M圖示了這樣的一個(gè)例子。參照?qǐng)D對(duì)，提供多條字線來(lái)連接同一單元層中具有不同功能參數(shù)的個(gè) MEMS單元。應(yīng)該理解，以上的討論是為了說(shuō)明的目的，不應(yīng)理解為是對(duì)本發(fā)明的限制。其他的變化也是可行的。例如，在具有混合型MEMS單元的混合型陣列中，MEMS單元可以被用作探頭單元(probe cell)以用于探測(cè)(例如，定位所關(guān)心的物理點(diǎn)和/或目標(biāo))；與該探頭單元相關(guān)聯(lián)的另一個(gè)MEMS單元可以被用作處理單元。所述處理可以是各個(gè)方面的，例如， 醫(yī)學(xué)處理。具體說(shuō)，在醫(yī)學(xué)應(yīng)用中，所述探頭單元可用于確定所關(guān)心目標(biāo)(例如，感染的組織)的位置；該處理單元可用于產(chǎn)生適當(dāng)?shù)奶幚硎侄危珥敼?、超聲等，用于處理被定位的目?biāo)。在另外的例子中，需要時(shí)可將光學(xué)元件，如透鏡，附加到該陣列上。除了產(chǎn)生平面超聲波或其他聲波外，具有聲學(xué)MEMS單元(例如cMUT)的混合單元陣列可以非同步地操作，這樣的一個(gè)例子示于圖25和沈。參照?qǐng)D25，在所述陣列的一行中 WcMUT能夠同步地操作，這導(dǎo)致沿該混合型陣列的法向傳播的基本上的平面聲波。如圖沈所示，通過(guò)以基本上相同的間隔T操作各cMUT，就產(chǎn)生了平面波，但該平面波的傳播方向偏離的該混合型陣列的法向。在另一例子中，上面參照?qǐng)D9和10描述的衍射光柵可以被很多其他合適的器件代替，例如，被干涉光學(xué)調(diào)制器(iMOD)代替，這樣的一個(gè)例子示于圖27和觀。參照?qǐng)D28，示例性的iMOND包括具有反射表面的能夠變形的靜態(tài)底電極和靜態(tài)的透射性頂電極。該頂電極被柱抬起從而在頂電極和底電極之間形成空間。該空間使得底電極能夠發(fā)生形變。圖中示出了覆蓋各所述電極和空間的透射性頂基板。光學(xué)膜位于該基板的底表面附近。當(dāng)如圖27所示在頂電極和底電極之間不施加電壓時(shí)，入射光在iMod單元中傳播并在相長(zhǎng)干涉的情況下從iMod單元出射。當(dāng)在頂電極和底電極之間施加電壓時(shí)，底電極產(chǎn)生變形并將頂電極和底電極之間的間隙閉合。結(jié)果，入射光在iMod單元中傳播并被所述膜的表面/界面、該底電極的反射面反射，這對(duì)在其中傳播的光造成破壞性的干擾?；旧蠜](méi)有光從iMod單元出射。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，以上的討論的目的是為了介紹，上面所舉的例子是許多可能的例子中的一部份，其他的變型也是可行的。本說(shuō)明書(shū)中提到的“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等，其含義是，結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特性、結(jié)構(gòu)或特征包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說(shuō)明書(shū)各處出現(xiàn)的這種短語(yǔ)不一定是指同一個(gè)實(shí)施例。另外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體特性、結(jié)構(gòu)或特征時(shí)，這意味著本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠該特性、結(jié)構(gòu)或特征應(yīng)用于其他的實(shí)施例中。而且， 為了易于理解，一些方法步驟被描述為獨(dú)立的步驟；但是，這些獨(dú)立描述的步驟不應(yīng)被認(rèn)為必須按照一定的順序執(zhí)行。也就是說(shuō)，一些步驟同時(shí)也可以按照另外的順序執(zhí)行。此外，示例性的示圖顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各種方法。這里的這種示例性方法實(shí)施例是利用相應(yīng)的裝置實(shí)施例來(lái)描述的，并可以應(yīng)用于這些相應(yīng)的裝置實(shí)施例。但是，這些方法實(shí)施例不是為了限制本發(fā)明。雖然這里展示和說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員能理解，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變而不脫離本發(fā)明的原則和精神。因此，以上的各實(shí)施例從任何意義上講都應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而不是對(duì)這里所描述的本發(fā)明的限制。本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)而不是上述說(shuō)明書(shū)限定。在說(shuō)明書(shū)的等價(jià)描述的含義和范圍內(nèi)的所有變化都包含在本發(fā)明的范圍中。在本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)“優(yōu)選”不是排它的，其含義是“優(yōu)選為但并不限于”。權(quán)利要求書(shū)中的術(shù)語(yǔ)，在與說(shuō)明書(shū)所描述的本發(fā)明的一般概念一致的情況下，應(yīng)按照它們的最寬范圍解釋。例如，術(shù)語(yǔ)“連接”和“耦合”(及其派生詞匯)意味著直接和間接的連接/耦合。作為另一個(gè)例子，“具有”和“包括”及其派生詞和變異詞或詞組都和“包含”具有相同的意思(即，都是“開(kāi)放式”術(shù)語(yǔ))_只有詞組“由…構(gòu)成”和“實(shí)質(zhì)上由…構(gòu)成” 應(yīng)被認(rèn)為是“關(guān)閉式”的。不應(yīng)按照112條第6款解釋權(quán)利要求書(shū)，除非詞組“意味著”和相關(guān)的功能出現(xiàn)在某項(xiàng)權(quán)利要求中，并且該權(quán)利要求沒(méi)有描述充分的結(jié)構(gòu)來(lái)執(zhí)行該功能。
1權(quán)利要求
1.一種裝置，包括透明的微電容超聲器，其包括第一電極，該第一電極對(duì)可見(jiàn)光是透明的并能夠產(chǎn)生機(jī)械變形； 第二電極，該第二電極對(duì)可見(jiàn)光是透明的；并且在該第一電極和第二電極之間具有一定間隔，使得在施加在第一大電極和第二電極之間的電場(chǎng)的作用下該第一電極能夠變形。
2.如權(quán)利要求1所述，組裝到所述透明微電容超聲器上的光閥。
3.如權(quán)利要求2中所述光閥包括手性材料。
4.如權(quán)利要求2中所述微電容超聲器包括一個(gè)介電結(jié)構(gòu)，該介電結(jié)構(gòu)顯示出近似為一的介電常數(shù)。
5.如權(quán)利要求2中所述混合單元陣列包括不同MEMS單元的第一和第二單元層。
6.一種微機(jī)電裝置，包括 第一類(lèi)型的第一 MEMS裝置；第二類(lèi)型的第二 MEMS裝置；其中該第二 MEMS裝置組裝到該第一 MEMS裝置上；以及信號(hào)環(huán)路，其將所述第一 MEMS裝置的輸出端連接到第二 MEMS裝置的輸入端，使得第二 MEMS裝置的操作狀態(tài)由該第一 MEMS裝置的輸出信號(hào)決定。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置的陣列。
8.一種方法，包括提供一種MEMS裝置，該MEMS裝置包括微聲學(xué)收發(fā)器和安裝到該聲學(xué)收發(fā)器上的光閥；使用該聲學(xué)收發(fā)器探測(cè)不可視目標(biāo)，其中該目標(biāo)被一個(gè)表面遮擋住； 基于對(duì)該不可視目標(biāo)的探測(cè)產(chǎn)生控制信號(hào)；以及將該控制信號(hào)發(fā)送到光閥以操作該光閥。
9.如權(quán)利要求8在一個(gè)顯示標(biāo)的物上利用光閥產(chǎn)生一個(gè)可見(jiàn)光圖像。該可見(jiàn)光圖像位于在觀察方向與所述不可視目標(biāo)重疊的位置。該可見(jiàn)光圖像對(duì)應(yīng)于不可視目標(biāo)。
10.如權(quán)利要求9，包含在生成的可見(jiàn)光圖像中選擇一個(gè)區(qū)域，該區(qū)域?qū)?yīng)于不可視目標(biāo)的一個(gè)特定區(qū)域； 利用與縮選擇區(qū)域?qū)?yīng)的一個(gè)或者多個(gè)微超聲收發(fā)器產(chǎn)生具有特定頻率的超聲波，照射不可視目標(biāo)的特定區(qū)域，從而改變?cè)撎囟▍^(qū)域的性質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種混合型MEMS裝置，其包括不同類(lèi)型的MEMS單元，其中所述各MEMS單元組裝在一起并在功能上相互關(guān)聯(lián)，使得各MEMS單元基于不同類(lèi)型的MEMS單元的輸出而操作。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK102169249SQ20101013276
公開(kāi)日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2010年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月27日
發(fā)明者張彪, 白虹 申請(qǐng)人:張彪, 白虹