專利名稱：像素陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示陣列(display array)，且特別是有關(guān)于一種像素陣列 (pixel array)0
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示面板主要是由一主動組件陣列基板、一對向基板以及一夾于主動組件陣列基板與對向基板之間的液晶層所構(gòu)成，其中主動組件陣列基板可分為顯示區(qū) (display region)與非顯示區(qū)(non-display region)，其中在顯示區(qū)上配置有以陣列排列 的多個像素單元，而每一像素單元包括薄膜晶體管(TFT)以及與薄膜晶體管連接的像素電 極(pixel electrode) 0此外，在顯示區(qū)內(nèi)配置有多條掃描線(scan line)與數(shù)據(jù)線(data line)，每一個像素單元的薄膜晶體管是與對應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線電性連接。在非顯示區(qū)內(nèi) 則配置有信號線、源極驅(qū)動器(source driver)以與柵極驅(qū)動器(gate driver)。當(dāng)液晶顯示面板欲顯示影像畫面時，其必須通過柵極驅(qū)動器來依序開啟顯示面板 內(nèi)的每一列(row)像素，且每一列像素在開啟的時間內(nèi)會對應(yīng)的接收源極驅(qū)動器所提供的 數(shù)據(jù)電壓。如此一來，每一列像素中的液晶分子就會依據(jù)其所接收的數(shù)據(jù)電壓而作適當(dāng)?shù)?排列。然而，隨著液晶顯示面板的分辨率提升，液晶顯示器就必須通過增加?xùn)艠O驅(qū)動器與源 極驅(qū)動器的使用數(shù)目來配合分辨率的提升，且因柵極驅(qū)動器與源極驅(qū)動器的使用數(shù)目增加 會讓非顯示區(qū)(或稱為邊框)的面積變大?；谏鲜隼碛?，液晶顯示器的生產(chǎn)成本便隨著 柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器的使用數(shù)量而增加，同時邊框也越來越大。若能將柵極驅(qū)動器及/ 或源極驅(qū)動器的使用數(shù)目減少，便可輕易地解決成本無法降低的問題以及做出窄邊框，即 非顯示區(qū)面積較小的產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列，可維持高開口率并減少V型斜紋(mura)瑕疵的產(chǎn)生。本發(fā)明提出一種像素陣列，其位于一基板上。像素陣列包括多個像素組。每一像 素組包括一第一掃描線、一第二掃描線、一數(shù)據(jù)線、一數(shù)據(jù)信號傳輸線、一第一像素單元以 及一第二像素單元。數(shù)據(jù)線不平行于第一掃描線及第二掃描線設(shè)置。數(shù)據(jù)信號傳輸線平行 于第一掃描線以及第二掃描線設(shè)置且與數(shù)據(jù)線電性連接。第一掃描線與第二掃描線之間的 距離小于數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一掃描線及第二掃描線的任一條之間的距離。第一像素單元 與第一掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。第二像素單元與第二掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一掃描線及第二掃描線的任 一條相距5微米以上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的基板具有多個單元區(qū)域，且每一像素組位于一個 單元區(qū)域內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一掃描線以及第二掃描線設(shè)置于單元區(qū)域的中 間部分，數(shù)據(jù)信號傳輸線設(shè)置于單元區(qū)域的邊緣部分。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一掃描線及第二掃描線的任 一條之間的距離實質(zhì)上為單元區(qū)域的長度的9% 38%。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一像素單元以及第二像素單元分別具有一主動組件以及一像素電極，且第一像素單元以及第二像素單元的主動組件設(shè)置于單元區(qū)域的中 間部分。本發(fā)明還提出一種像素陣列，其位于一基板上。像素陣列包括多個像素組。每一 像素組包括一第一掃描線、一第二掃描線、一第一數(shù)據(jù)線、一第二數(shù)據(jù)線、一第一數(shù)據(jù)信號 傳輸線、一第二數(shù)據(jù)信號傳輸線、一第一像素單元、一第二像素單元、一第三像素單元以及 一第四像素單元。第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線不平行于第一掃描線及第二掃描線設(shè)置。第 一數(shù)據(jù)信號傳輸線以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線平行第一掃描線以及第二掃描線設(shè)置，且第一 數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一數(shù)據(jù)線電性連接。第二數(shù)據(jù)信號傳輸線與第二數(shù)據(jù)線電性連接。第 一掃描線與第二掃描線之間的距離小于第一數(shù)據(jù)信號傳輸線及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線的任 一條與第一掃描線與第二掃描線的任一條之間的距離。第一像素單元與第一掃描線以及第 一數(shù)據(jù)線電性連接。第二像素單元與第二掃描線以及第一數(shù)據(jù)線電性連接。第三像素單元 與第一掃描線以及第二數(shù)據(jù)線電性連接。第四像素單元與第二掃描線以及第二數(shù)據(jù)線電性 連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一掃描線與第二掃描線 的任一條之間相距5微米以上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一掃描線與第二掃描線 的任一條之間相距5微米以上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的基板具有多個單元區(qū)域，且每一像素組位于一個 單元區(qū)域內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一掃描線以及第二掃描線設(shè)置于單元區(qū)域的中 間部分，第一數(shù)據(jù)信號傳輸線及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線設(shè)置于單元區(qū)域的邊緣部分。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一數(shù)據(jù)信號傳輸線及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線的任 一條與第一掃描線及第二掃描線的任一條之間的距離實質(zhì)上為單元區(qū)域的長度的9% 38%。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一像素單元、第二像素單元、第三像素單元、第 四像素單元分別具有一主動組件以及一像素電極，且第一像素單元、第二像素單元、第三像 素單元、第四像素單元的主動組件設(shè)置于單元區(qū)域的中間部分?；谏鲜觯捎诒景l(fā)明的第一掃描線與第二掃描線之間的距離小于數(shù)據(jù)信號傳 輸線與第一掃描線及第二掃描線的任一條之間的距離。因此，本發(fā)明的像素陣列的設(shè)計 除了可使掃描線遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)信號傳輸線，以減少掃描線與數(shù)據(jù)信號傳輸線之間的耦合效應(yīng) (coupling effect)而造成數(shù)據(jù)信號傳輸線與數(shù)據(jù)線的連接處的電位下降，來減少斜紋 (mura)瑕疵，譬如是V型斜紋瑕疵的產(chǎn)生之外，于相同類型的半源極驅(qū)動(HalfSource Driving, HSD)的架構(gòu)下，本發(fā)明的像素陣列可具有較高開口率。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說 明如下


圖IA為本發(fā)明的一實施例的一種像素陣列的等效電路圖；圖IB為圖IA的像素陣列的俯視示意圖；圖2A為本發(fā)明的另一實施例的一種像素陣列的等效電路圖；圖2B為圖2A的像素陣列的俯視示意圖。其中，附圖標(biāo)記10、20 基板10a、20a 單元區(qū)域100,200 像素陣列100a、200a 像素組110、210 第一掃描線120、220 第二掃描線130 數(shù)據(jù)線132、232、242 接觸窗140 數(shù)據(jù)信號傳輸線150、270 第一像素單元152、162、272、282、292、312 主動組件 152a、162a 通道層l52b、l62b:柵極l52c、l62c:源極152d、162d:漏極160、280 第二像素單元154、164、274、284、294、314 像素電極 230 第一數(shù)據(jù)線240 第二數(shù)據(jù)線250 第一數(shù)據(jù)信號傳輸線260 第二數(shù)據(jù)信號傳輸線290 第三像素單元3IO:第四像素單元
具體實施例方式圖IA為本發(fā)明的一實施例的一種像素陣列的等效電路圖。圖IB為圖IA的像素 陣列的俯視示意圖。請同時參考圖IA與圖1B，在本實施例中，像素陣列100位于一基板10 上，且像素陣列100包括多個像素組100a。其中，基板10具有多個單元區(qū)域10a，且每一像 素組IOOa位于一個單元區(qū)域IOa內(nèi)。詳細(xì)來說，每一像素組IOOa包括一第一掃描線110、一第二掃描線120、一數(shù)據(jù)線 130、一數(shù)據(jù)信號傳輸線140、一第一像素單元150以及一第二像素單元160。其中，數(shù)據(jù)線 130不平行于第一掃描線110以及第二掃描線120設(shè)置。在本實施例中，數(shù)據(jù)線130例如是 垂直第一掃描線110及第二掃描線120設(shè)置，且第一掃描線110以及第二掃描線120實質(zhì) 上設(shè)置于基板10的單元區(qū)域IOa的中間部分。數(shù)據(jù)信號傳輸線140平行于第一掃描線110以及第二掃描線120設(shè)置，且數(shù)據(jù)信號傳輸線140通過一接觸窗132與數(shù)據(jù)線130電性連接。具體來說，數(shù)據(jù)信號傳輸線140 設(shè)置于基板10的單元區(qū)域IOa的邊緣部分。此外，本實施例的第一掃描線110、第二掃描 線120以及數(shù)據(jù)信號傳輸線140例如是同一膜層。也就是說，第一掃描線110、第二掃描線 120以及數(shù)據(jù)信號傳輸線140是通過同一道制造工藝步驟所形成。特別是，在本實施例中，在單一像素組IOOa中，第一掃描線110與第二掃描線120 之間的距離小于數(shù)據(jù)信號傳輸線140與第一掃描線110及第二掃描線120的任一條之間的 距離。更具體來說，本實施例的數(shù)據(jù)信號傳輸線140與第一掃描線110及第二掃描線120 的任一條相距5微米以上。數(shù)據(jù)信號傳輸線140與第一掃描線110及第二掃描線120的任 一條之間的距離實質(zhì)上為基板10的單元區(qū)域IOa的長度的9% 38%。
在本實施例中，每一數(shù)據(jù)信號傳輸線140分別與其中一條數(shù)據(jù)線130電性連接。詳細(xì)而言，本實施例的每一數(shù)據(jù)信號傳輸線140的延伸方向與第一掃描線110及第二掃描線 120的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行，且第一掃描線110與第二掃描線120之間的距離小于數(shù)據(jù)信號 傳輸線140與第一掃描線110及第二掃描線120的任一條之間的距離。如此一來，本實施例 的像素陣列100的設(shè)計除了可有效減少數(shù)據(jù)線130末端的扇出線路(fan-out trace)的數(shù) 量之外，亦可使第一掃描線110及第二掃描線120遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)信號傳輸線140，以減少第一掃 描線110(或第二掃描線120)與數(shù)據(jù)信號傳輸線140之間的耦合效應(yīng)(coupling effect) 而造成數(shù)據(jù)信號傳輸線140與數(shù)據(jù)線130的連接處的電位下降，來減少斜紋(mura)瑕疵， 譬如是V型斜紋(mura)瑕疵的產(chǎn)生。此處，所述的數(shù)據(jù)信號傳輸線140的設(shè)計即為一種于 像素上沿數(shù)據(jù)線(Tracking data-line in Pixel, TDP)布線的架構(gòu)。請再同時參考圖IA與圖1B，本實施例的第一像素單元150與第一掃描線110以及 數(shù)據(jù)線130電性連接。第二像素單元160與第二掃描線120以及數(shù)據(jù)線130電性連接。其 中，第一像素單元150具有一主動組件152以及一像素電極154，而第二像素單元160具有 一主動組件162以及一像素電極164。第一像素單元150以及第二像素單元160的主動組 件152、162分別設(shè)置于基板10的單元區(qū)域IOa的中間部分，且主動組件152、162例如是由 通道層152a、162a、柵極152b、162b、源極152c、162c以及漏極152d、162d所組成的薄膜晶 體管(TFT)。由于本實施例的像素陣列100的設(shè)計是使兩相鄰的第一像素單元150與第二像素 單元160與同一條數(shù)據(jù)線130電性連接，因而得以使所需的數(shù)據(jù)線130的數(shù)目減半，進(jìn)而減 少源極驅(qū)動器(未繪示)的使用數(shù)量。此處的像素陣列的設(shè)計即為所謂的半源極驅(qū)動(Half Source Driving, HSD)架構(gòu)。簡言之，由于本實施例是采用半源極驅(qū)動(HSD)的像素架構(gòu)搭配數(shù)據(jù)信號傳輸 線140的設(shè)計(即TDP的布線架構(gòu))，因此，可有效減少數(shù)據(jù)線130的使用數(shù)量以及有 效減少數(shù)據(jù)線130末端的扇出線路(fan-out trace)的數(shù)量，故可以輕易地達(dá)成窄邊界 (slim-border)的設(shè)計需求(邊緣例如為1.9mm)。此外，相對于公知于半源極驅(qū)動(HSD) 的像素架構(gòu)下將數(shù)據(jù)信號傳輸線140設(shè)置于第一掃描線110與第二掃描線120之間(開口 率例如約為36. 9% )而言，本實施例的像素陣列100的設(shè)計可具有較高的開口率(開口率 例如約為42. 5%)。圖2A為本發(fā)明的另一實施例的一種像素陣列的等效電路圖。圖2B為圖2A的像 素陣列的俯視示意圖。請同時參考圖2A與圖2B，為了更輕易地達(dá)成窄邊界(slim-border) 的設(shè)計需求，本實施例提供另一種像素陣列200。在本實施例中，像素陣列200位于一基板 20上，且此像素陣列200包括多個像素組200a。其中，基板20具有多個單元區(qū)域20a，且每 一像素組200a位于一個單元區(qū)域20a內(nèi)。詳細(xì)來說，每一像素組200a包括一第一掃描線210、一第二掃描線220、一第一數(shù) 據(jù)線230、一第二數(shù)據(jù)線240、一第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250、一第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260、一第 一像素單元270、一第二像素單元280、一第三像素單元290以及一第四像素單元310。第 一數(shù)據(jù)線230以及第二數(shù)據(jù)線240不平行于第一掃描線210及第二掃描線220設(shè)置。在本 實施例中，第一數(shù)據(jù)線230例如是垂直第一掃描線210及第二掃描線220設(shè)置，第二數(shù)據(jù)線 240例如是垂直第一掃描線210及第二掃描線220設(shè)置，且第一掃描線210以及第二掃描線220實質(zhì)上設(shè)置于基板20的單元區(qū)域20a的中間部分。第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260平行第一掃描線210以及 第二掃描線220設(shè)置。第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250通過一接觸窗232與第一數(shù)據(jù)線230電性連接。第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260通過一接觸窗242與第二數(shù)據(jù)線240電性連接。具體來說，第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260設(shè)置于基板20的單元區(qū)域20a的邊 緣部分。此外，本實施例的第一掃描線210、第二掃描線220、第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260例如是同一膜層。也就是說，第一掃描線210、第二掃描線220、第 一數(shù)據(jù)信號傳輸線250以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260是通過同一道制造工藝步驟所形成。特別是，在本實施例中，在像素組200a中，第一掃描線210與第二掃描線220之間 的距離小于第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260的任一條與第一掃描線210與第二掃描線220的任一條之間的距離。更具體來說，第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250與第 一掃描線210與第二掃描線220的任一條之間相距5微米以上。第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260 與第一掃描線210與第二掃描線220的任一條之間相距5微米以上。第一數(shù)據(jù)信號傳輸線 250及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260的任一條與第一掃描線210及第二掃描線220的任一條之 間的距離實質(zhì)上為基板20的單元區(qū)域20a的長度的9% 38%。在本實施例中，每一數(shù)據(jù)信號傳輸線(例如是第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260)分別與其中一條數(shù)據(jù)線(例如是第一數(shù)據(jù)線230以及第二數(shù)據(jù)線 240)電性連接。詳細(xì)而言，本實施例的第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250與第二數(shù)據(jù)信號傳輸線 260的延伸方向與第一掃描線210及第二掃描線220的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行，且第一掃描 線210與第二掃描線220之間的距離小于第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260的任一條與第一掃描線210與第二掃描線220的任一條之間的距離。如此一來，本實施例的像素陣列200的設(shè)計除了可有效減少數(shù)據(jù)線(包括第一數(shù)據(jù)線230以及第二數(shù)據(jù)線 240)末端的扇出線路(fan-out trace)的數(shù)量之外，亦可使第一掃描線210及第二掃描線 220遠(yuǎn)離第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260，以減少第一掃描線210 (或 第二掃描線220)與第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250 (或第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260)之間的耦合效 應(yīng)(coupling effect)而造成第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250與第一數(shù)據(jù)線230的連接處的電位 下降(或第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260與第二數(shù)據(jù)線240的連接處的電位下降)，來減少斜紋 (mura)瑕疵，譬如是V型斜紋(mura)瑕疵的產(chǎn)生。此處，所述的第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250 以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260的設(shè)計即為一種于像素上沿數(shù)據(jù)線(Trackingdata-line in Pixel, TDP)布線的架構(gòu)。請再同時參考圖2A與圖2B，第一像素單元270與第一掃描線210以及第一數(shù)據(jù)線230電性連接。第二像素單元280與第二掃描線220以及第一數(shù)據(jù)線230電性連接。第三像素單元290與第一掃描線210以及第二數(shù)據(jù)線240電性連接。第四像素單元310與第二 掃描線220以及第二數(shù)據(jù)線240電性連接。其中，第一像素單元270、第二像素單元280、第 三像素單元290、第四像素單元310分別具有一主動組件272、282、292、312以及一像素電極 274、284、294、314，且第一像素單元270、第二像素單元280、第三像素單元290、第四像素單 元310的主動組件272、282、292、312設(shè)置于基板20的單元區(qū)域20a的中間部分。由于本實施例的像素陣列200的設(shè)計是使兩相鄰的第一像素單元270與第二像素單元280與同一條數(shù)據(jù)線(即第一數(shù)據(jù)線230)電性連接，兩相鄰的第三像素單元290與第四像素單元310與同一條數(shù)據(jù)線(即第二數(shù)據(jù)線240)電性連接，因而得以使所需的數(shù)據(jù)線 的數(shù)目減半，進(jìn)而減少源極驅(qū)動器(未繪示)的使用數(shù)量。此處，所述的像素陣列的設(shè)計即 為所謂的半源極驅(qū)動(Half SourceDriving, HSD)架構(gòu)。簡言之，由于本實施例是采用半源極驅(qū)動(HSD)的像素架構(gòu)搭配數(shù)據(jù)信號傳輸線 (包括第一數(shù)據(jù)信號傳輸線250以及第二數(shù)據(jù)信號傳輸線260)的設(shè)計(即TDP的布線架 構(gòu))，因此，相對于圖IB的像素陣列100而言，本實施例除了可有效減少數(shù)據(jù)線(包括第一 數(shù)據(jù)線230以及第二數(shù)據(jù)線240)的使用數(shù)量外，亦可更進(jìn)一步地減少數(shù)據(jù)線末端的扇出線 路(fan-out trace)的數(shù)量，故可以更輕易地達(dá)成窄邊界(slim-border)的設(shè)計需求(邊 緣例如為0. 9mm)。綜上所述，由于本發(fā)明的第一掃描線與第二掃描線之間的距離小于數(shù)據(jù)信號傳 輸線與第一掃描線及第二掃描線的任一條之間的距離。因此，本發(fā)明之像素陣列的設(shè)計 除了可使掃描線遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)信號傳輸線，以減少掃描線與數(shù)據(jù)信號傳輸線之間的耦合效應(yīng) (coupling effect)而造成數(shù)據(jù)信號傳輸線與數(shù)據(jù)線的連接處的電位下降，來減少V型斜 紋(mura)瑕疵的產(chǎn)生之外，于相同類型的半源極驅(qū)動(Half Source Driving,HSD)的架構(gòu) 下，本發(fā)明的像素陣列可具有較高開口率。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種像素陣列，位于一基板上，其特征在于，該像素陣列包括多個像素組，每一像素組包括一第一掃描線以及一第二掃描線；一數(shù)據(jù)線，其不平行于該第一掃描線及該第二掃描線設(shè)置；一數(shù)據(jù)信號傳輸線，其平行于該第一掃描線以及該第二掃描線設(shè)置且與該數(shù)據(jù)線電性連接，其中該第一掃描線與該第二掃描線之間的距離小于該數(shù)據(jù)信號傳輸線與該第一掃描線及該第二掃描線的任一條之間的距離；一第一像素單元，其與該第一掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；以及一第二像素單元，其與該第二掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該數(shù)據(jù)信號傳輸線與該第一掃描線 及該第二掃描線的任一條相距5微米以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該基板具有多個單元區(qū)域，且每一像 素組位于一個單元區(qū)域內(nèi)，其中該第一掃描線以及該第二掃描線設(shè)置于該單元區(qū)域的中間 部分，該數(shù)據(jù)信號傳輸線設(shè)置于該單元區(qū)域的邊緣部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該基板具有多個單元區(qū)域，且每一像 素組位于一個單元區(qū)域內(nèi)，其中該數(shù)據(jù)信號傳輸線與該第一掃描線及該第二掃描線的任一 條之間的距離實質(zhì)上為該單元區(qū)域的長度的9% 38%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該基板具有多個單元區(qū)域，且每一像 素組位于一個單元區(qū)域內(nèi)，其中該第一像素單元以及該第二像素單元分別具有一主動組件 以及一像素電極，且該第一像素單元以及該第二像素單元的主動組件設(shè)置于該單元區(qū)域的 中間部分。
6.一種像素陣列，位于一基板上，其特征在于，該像素陣列包括多個像素組，每一像素 組包括一第一掃描線以及一第二掃描線；一第一數(shù)據(jù)線以及一第二數(shù)據(jù)線，其不平行于該第一掃描線及該第二掃描線設(shè)置； 一第一數(shù)據(jù)信號傳輸線以及一第二數(shù)據(jù)信號傳輸線，其平行該第一掃描線以及該第二 掃描線設(shè)置，且該第一數(shù)據(jù)信號傳輸線與該第一數(shù)據(jù)線電性連接，該第二數(shù)據(jù)信號傳輸線 與該第二數(shù)據(jù)線電性連接，其中該第一掃描線與該第二掃描線之間的距離小于該第一數(shù)據(jù) 信號傳輸線及該第二數(shù)據(jù)信號傳輸線的任一條與該第一掃描線與該第二掃描線的任一條 之間的距離；一第一像素單元，其與該第一掃描線以及該第一數(shù)據(jù)線電性連接； 一第二像素單元，其與該第二掃描線以及該第一數(shù)據(jù)線電性連接； 一第三像素單元，其與該第一掃描線以及該第二數(shù)據(jù)線電性連接；以及 一第四像素單元，其與該第二掃描線以及該第二數(shù)據(jù)線電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素陣列，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)信號傳輸線與該第一掃 描線與該第二掃描線的任一條之間相距5微米以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素陣列，其特征在于，該第二數(shù)據(jù)信號傳輸線與該第一掃 描線與該第二掃描線的任一條之間相距5微米以上，其中該基板具有多個單元區(qū)域，且每 一像素組位于一個單元區(qū)域內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素陣列，其特征在于，該基板具有多個單元區(qū)域，且每一像 素組位于一個單元區(qū)域內(nèi)，其中該第一掃描線以及該第二掃描線設(shè)置于該單元區(qū)域的中間 部分，該第一數(shù)據(jù)信號傳輸線及該第二數(shù)據(jù)信號傳輸線設(shè)置于該單元區(qū)域的邊緣部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素陣列，其特征在于，該基板具有多個單元區(qū)域，且每一 像素組位于一個單元區(qū)域內(nèi)，其中該第一數(shù)據(jù)信號傳輸線及該第二數(shù)據(jù)信號傳輸線的任 一條與該第一掃描線及該第二掃描線的任一條之間的距離實質(zhì)上為該單元區(qū)域的長度的 9% 38%，其中該第一、第二、第三、第四像素單元分別具有一主動組件以及一像素電極， 且該第一、第二、第三、第四像素單元的主動組件設(shè)置于該單元區(qū)域的中間部分。
全文摘要
本發(fā)明公開一種像素陣列，其位于一基板上且包括多個像素組。每一像素組包括一第一掃描線，一第二掃描線，一數(shù)據(jù)線、一數(shù)據(jù)信號傳輸線、一第一像素單元以及一第二像素單元。數(shù)據(jù)線不平行于第一掃描線及第二掃描線設(shè)置。數(shù)據(jù)信號傳輸線平行于第一掃描線以及第二掃描線設(shè)置且與數(shù)據(jù)線電性連接。第一掃描線與第二掃描線之間的距離小于數(shù)據(jù)信號傳輸線與第一掃描線及第二掃描線的任一條之間的距離。第一像素單元與第一掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。第二像素單元與第二掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。
文檔編號G02F1/1362GK101799605SQ201010138348
公開日2010年8月11日 申請日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者李怡慧, 林志宏, 王參群, 陳東煌, 陳昱丞 申請人:友達(dá)光電股份有限公司