專利名稱：有源元件陣列基板及具有該基板的平面顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示裝置的陣列基板，且特別涉及一種有源元件陣列基板以及具有該基板的平面顯示器。
背景技術：
隨著顯示技術的快速發(fā)展，平面顯示器已經(jīng)越來越廣泛地應用于各種顯示領域。 目前常見的平面顯示器包括液晶顯示器(liquid crystaldisplay, IXD)、等離子體顯示器 (plasma display) >^1/1 ^ M7^^ll (organic electro-lun display) , ] /^^ (electrophoreticdisplay)等，且這些平面顯示器還可依據(jù)其顯示畫面所需的光線來源而分為反射式顯示器及穿透式顯示器。其中，由于反射式顯示器具有低能耗、體積小等優(yōu)點， 已經(jīng)成為一種越來越重要的平面顯示器?，F(xiàn)有的反射式平面顯示器是采用透明導電材料作為像素電極，并在像素電極下方形成反射層以反射光線。然而，由于透明導電材料所制成的像素電極無法遮蔽光線，因此用以驅(qū)動平面顯示器各像素的像素晶體管的非晶硅通道層往往容易因照射到光線而產(chǎn)生漏電現(xiàn)象，進而損壞平面顯示器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在于提供一種有源元件陣列基板，其可避免像素晶體管產(chǎn)生漏電現(xiàn)象。本發(fā)明的再一目的是提供一種平面顯示器，其可避免像素晶體管產(chǎn)生漏電現(xiàn)象。本發(fā)明提出一種有源元件陣列基板，其包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素晶體管以及多個像素電極。數(shù)據(jù)線與掃描線相互交叉。每個像素晶體管分別對應電性耦接至一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線，而每個像素電極分別對應電性耦接至一個像素晶體管，且每個像素電極分別包括鎳硼合金。本發(fā)明還提出一種平面顯示器，其包括有源元件陣列基板、與有源元件陣列基板相對的上基板以及設置于兩基板之間的顯示層。有源元件陣列基板包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素晶體管以及多個像素電極。數(shù)據(jù)線與掃描線相互交叉。每個像素晶體管分別對應電性耦接至一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線，而每個像素電極分別對應電性耦接至一個像素晶體管，且每個像素電極分別包括鎳硼合金。在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的每個像素晶體管分別包括通道層，且每個像素電極分別設置于與其對應的像素晶體管的通道層上方。在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的每個像素晶體管分別為薄膜晶體管。在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的每個像素晶體管分別包括柵極、源極及漏極。每個像素晶體管的柵極對應電性耦接至一條掃描線，其源極對應電性耦接至一條數(shù)據(jù)線，而其漏極電性對應耦接至一個像素電極，且上述的源極及漏極與像素電極的材質(zhì)相同。在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的顯示層為電泳顯示層。
在本發(fā)明的較佳實施例中，上述像素電極的硼元素的重量百分比為 0. 05% -0. 2%，且較佳為 0. 1%。本發(fā)明的像素電極是采用不透光的鎳硼合金而制成，因此像素電極可充分地反射光線以遮住所有的外來光線，從而避免像素晶體管因為光照而產(chǎn)生的漏電現(xiàn)象。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1為本發(fā)明一實施例所揭示的平面顯示器的示意圖。
圖2為圖1所示的有源元件陣列基板的示意圖。
圖3為圖2所示的像素區(qū)域的截面示意圖
100 平面顯示器110 有源元件陣列基板120 上基板
130 顯示層111 掃描線112 數(shù)據(jù)線
113:像素晶體管114 像素電極1131柵極
1132 柵極絕緣層1133 通道層1134源極
1135 漏極
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。請參閱圖1，其為本發(fā)明一實施例所揭示的平面顯示器的示意圖。本實施例以電泳顯示器為例來介紹本發(fā)明，當然本領域技術人員可理解的是，本發(fā)明所揭示的平面顯示器也可為其他類型的反射式平面顯示器，例如液晶顯示器。如圖1所示，平面顯示器100包括有源元件陣列基板110、與有源元件陣列基板110相對的上基板120、以及夾設于有源元件陣列基板110與上基板120之間的顯示層130。在本實施例中，顯示層130為電泳顯示層， 而上基板120可以是一彩色濾光片(color filter)。請參閱圖2，其為圖1所示的有源元件陣列基板的示意圖。如圖2所示，有源元件陣列基板110包括多條掃描線111、多條數(shù)據(jù)線112、多個像素晶體管113以及多個像素電極114。掃描線111與數(shù)據(jù)線112相互交叉從而劃分出多個像素區(qū)域(未標示)。每個像素區(qū)域分別設置有一個像素晶體管113與一個像素電極114，且每個像素晶體管113分別電性耦接至對應的掃描線111以及對應的數(shù)據(jù)線112，而每個像素電極114分別電性耦接至對應的像素晶體管113。在本實施例中，像素晶體管113可為薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)。當然，本領域技術人員可以理解的是，像素晶體管113也可采用其他類型的晶體管，例如金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，M0SFET)等等。請參閱圖3，其為圖2所示的像素區(qū)域的截面示意圖。如圖3所示，像素晶體管113 設置于有源元件陣列基板110上，且其分別包括柵極1131、柵極絕緣層1132、通道層1133、源極1Π4以及漏極1135，而源極1134以及漏極1135的材質(zhì)可以與像素電極113的材質(zhì)相同。請一并參閱圖2-3，每個像素晶體管113的柵極1131分別電性耦接至對應的掃描線 111，其源極1134分別電性耦接至對應的數(shù)據(jù)線112，而其漏極1135分別電性耦接至對應的像素電極114。值得一提的是，本實施例的通道層1133的材質(zhì)例如為非晶硅，且像素電極114位于通道層1133上方，以避免自外部入射的光線照射到通道層1133而使得像素電極114產(chǎn)生漏電流。如上所述，平面顯示器100通過掃描線111而傳遞相應的掃描信號至每個像素晶體管113以控制每個像素晶體管113是否導通，并通過數(shù)據(jù)線112以及導通的像素晶體管 113而將相應的數(shù)據(jù)信號傳遞至相應的像素電極114以使平面顯示器100顯示畫面。本發(fā)明像素電極114采用不透光的鎳硼合金而制成，且硼元素的重量百分比介于0. 05%至0. 2% 之間，較佳為0. 1%，以反射光線從而阻止光線照射至像素晶體管113的通道層1133。綜上所述，本發(fā)明的像素電極是采用不透光的鎳硼合金而制成，因此像素電極可充分地反射光線以遮住所有的外來光線，從而避免像素晶體管因為光照而產(chǎn)生的漏電現(xiàn)象。此外，本領域技術人員可理解的是，每個像素晶體管的柵極、源極及漏極與像素電極的材質(zhì)可以相同，以進一步地遮住所有的外來光線。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有源元件陣列基板，其特征在于包括 多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線，與該多條掃描線相互交叉；多個像素晶體管，每個像素晶體管分別對應電性耦接至一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線；以及多個像素電極，每個像素電極分別對應電性耦接至一個像素晶體管，其中每個像素電極的材質(zhì)包含鎳硼合金。
2.如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其特征在于每個像素晶體管包括一通道層，且每個像素電極設置于與其對應的像素晶體管的通道層上方。
3.如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其特征在于每個像素電極的材質(zhì)中硼元素的重量百分比為0. 05% -0.2%。
4.如權(quán)利要求3所述的有源元件陣列基板，其特征在于每個像素電極的材質(zhì)中硼元素的重量百分比為0.1%。
5.如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其特征在于每個像素晶體管分別為薄膜晶體管，且每個像素晶體管分別包括柵極，對應電性耦接至一條掃描線； 源極，對應電性耦接至一條數(shù)據(jù)線；以及漏極，對應電性耦接至一個像素電極，且上述的源極及漏極與像素電極的材質(zhì)相同。
6.一種平面顯示器，其包括 一個有源元件陣列基板，其包括 多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線與該多個掃描線相互交叉；多個像素晶體管，每個像素晶體管分別對應電性耦接至一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線；以及多個像素電極，每個像素電極分別對應電性耦接至一個像素晶體管，其中每個像素電極的材質(zhì)中包含鎳硼合金；一個上基板，與該有源元件陣列基板相對設置；以及一個顯示層，設置于該有源元件陣列基板與該上基板之間。
7.如權(quán)利要求6所述的平面顯示器，其特征在于該顯示層為電泳顯示層。
8.如權(quán)利要求6所述的平面顯示器，其特征在于每個像素晶體管包括一層通道層，且每個像素電極設置于與其對應的像素晶體管的通道層上方。
9.如權(quán)利要求6所述的平面顯示器，其特征在于每個像素電極的材質(zhì)中硼元素的重量百分比為0.05% -0.2%。
10.如權(quán)利要求9所述的平面顯示器，其特征在于每個像素電極的材質(zhì)中硼元素的重量百分比為0. 1%。
全文摘要
一種有源元件陣列基板，其包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素晶體管以及多個像素電極。數(shù)據(jù)線與掃描線相互交叉。每個像素晶體管分別對應電性耦接至一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線，而每個像素電極分別對應電性耦接至一個像素晶體管，且每個像素電極分別包括鎳硼合金。本發(fā)明的像素電極是采用不透光的鎳硼合金而制成，因此像素電極可充分地反射光線以遮住所有的外來光線，從而避免像素晶體管因為光照而產(chǎn)生的漏電現(xiàn)象。
文檔編號G02F1/1343GK102213878SQ20101014308
公開日2011年10月12日 申請日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者林士喨, 陳世芳 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司