專利名稱：集成的曝光后烘烤軌道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體制造工藝。更具體地，本發(fā)明涉及光刻晶片系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，在凈化室環(huán)境中使用具有多個加工步驟的處理方案，在半導(dǎo)體 襯底上制造特征。在半導(dǎo)體襯底制造中通常使用集群系統(tǒng)，該集群系統(tǒng)整合多個工藝室，以 在不將襯底移出高度控制處理環(huán)境的情況下進行連續(xù)的處理步驟。在半導(dǎo)體集成電路制造中使用的許多光刻集群系統(tǒng)，當(dāng)前結(jié)合有集成晶片軌道和 光刻系統(tǒng)。晶片光刻集群之內(nèi)的各種模塊執(zhí)行特定功能，所述功能包括給下面的半導(dǎo)體晶 片襯底涂覆稱為光敏抗蝕劑或抗蝕劑的感光性膜。在當(dāng)前軌道系統(tǒng)中，典型地，光刻工具直 接連接到顧及輸入工藝(例如，應(yīng)用抗蝕劑)也顧及輸出工藝(例如，曝光后烘烤/冷卻和 顯影)的軌道。電子器件的制造商往往花費大量的時間試圖優(yōu)化工藝序列以及室處理時間，以在 可能的給定集群工具體系限制和室處理時間的情況下獲得最大的襯底吞吐量。通常，最長 的工藝方案步驟限制工藝序列的吞吐量。另外，特定工藝步驟具有嚴格的時間變化要求。兩個這樣的示例性工藝步驟包括 曝光后烘烤(PEB)步驟和PEB后冷卻步驟。在曝光后，使用PEB步驟以立即加熱襯底以激 勵感光化合物的擴散和減小光刻膠層中駐波效應(yīng)。PEB后冷卻步驟通常在PEB步驟后冷卻 襯底至環(huán)境溫度或接近環(huán)境溫度的溫度，以確保襯底處于所定義溫度，并且典型地被控制 以致每個襯底經(jīng)歷相同時間-溫度分布以將工藝變化減到最小。典型地，因為光刻步驟的 曝光工藝和PEB步驟間的時間變化對最終產(chǎn)品的臨界尺寸一致性(CDU)有影響，所以PEB 步驟必須緊緊與光刻步驟相接。相似地，輸入或輸出支路上最慢的晶片決定了軌道中每批(S卩，以相同方式處理 的一組晶片)的處理時間。例如，在一些情況下，如果快的批次后面跟著慢批次，該慢批次 后面跟著快批次，則從慢批次進入軌道的時間開始直到慢批次離開軌道，每批次都以慢批 次的速度運行。相似地，在其它例子中，軌道的進度圍繞最慢的批次進行。結(jié)果，軌道讓快 批次正常運行，等待慢批次(部分地)騰空軌道。其后，軌道等待開始快批次，直到慢批次 不延遲隨后的快批次晶片。在這種情況下，整個軌道光刻集群的吞吐量被降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了一種晶片處理系統(tǒng)。在一個實施例中，晶片處理系統(tǒng)包括光刻工 具；與該光刻工具連接的本地軌道；傳送裝置處理機，所述傳送裝置處理機用于操作傳送 裝置以及從傳送裝置至光刻工具和/或本地軌道傳送晶片，或者從光刻工具和/或本地軌道至傳送裝置傳送晶片；接口單元，所述接口單元用于在傳送裝置和光刻工具和/或本地 軌道間傳送晶片；以及控制器，所述控制器用于在光刻工具、本地軌道、接口單元和傳送裝 置處理機中規(guī)劃工序。傳送裝置處理機可以手動或自動操作傳送裝置。本地軌道可執(zhí)行從溫度穩(wěn)定、檢驗、干燥(在曝光后)、曝光后烘烤、冷卻和他們的 組合構(gòu)成的組中選擇的處理步驟。可以理解，本地軌道還可執(zhí)行不同的和/或附加的處理 步驟，包括，例如，顯影步驟。接口單元可將本地軌道與光刻工具連接。接口單元可將光刻工具和本地軌道中的一個或兩個，與傳送裝置連接。傳送裝置可將光刻工具和本地軌道中的一個或兩個，與遠程軌道連接。傳送裝置可以是前端開口盒(F0UP)、開放片架或標(biāo)準(zhǔn)機械接口(SMIF)盒。還描述了處理晶片的方法。在一個實施例中，該方法包括步驟在傳送裝置和光刻 工具之間傳送晶片；在光刻工具和連接到光刻工具的本地軌道之間傳送晶片；以及在本地 軌道和傳送裝置之間傳送晶片。該方法還包括從在本地軌道中的穩(wěn)定晶片溫度、干燥(在曝光后)晶片、曝光后烘 烤和冷卻構(gòu)成的組中選擇的一個或多個步驟。該方法還包括安排晶片的傳送和處理。還公開了組合的曝光后烘烤和冷卻單元。在一個實施例中，組合的曝光后烘烤和 冷卻單元包括外殼，該外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度 的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度大于該第二長度，該外殼在第一相對側(cè)面上具有開口 以容納晶片；烘烤單元在該外殼中；并且冷卻單元在該外殼中。該冷卻單元包括夾鉗。該烘烤單元可以在該外殼之內(nèi)被隔離。還可在該外殼中提供機械手，以在該外殼內(nèi)傳送晶片。還描述了晶片處理系統(tǒng)的接口。在一個實施例中，該接口包括機械手，用于運送 晶片；多個外殼，所述外殼被設(shè)置在機械手周圍，每個外殼包括具有第一長度的第一和第二 相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度等于或大于該第二長度， 該外殼在第一相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該開口面對該機械手，至少多個外殼中的 一個是集成的烘烤和冷卻單元。該接口可包括多個機械手以運送晶片，多個外殼被設(shè)置在多個機械手的至少一個 周圍。至少多個外殼中的一個可以是均熱單元。該機械手可從光刻工具中收集晶片并傳送晶片至集成的烘烤和冷卻單元。機械手可在光刻工具，均熱單元和集成的烘烤和冷卻單元間傳送晶片。該接口還可包括設(shè)置在該機械手周圍的多個第二外殼，每個第二外殼包括具有第 一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度大 于該第二長度，該外殼在第三相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該開口面對該機械手。該接口可包括多個機械手，其中多個第二外殼設(shè)置在多個機械手的至少一個周 圍。
該接口還可包括分離的機械手以從連接在集成軌道上的外部接口傳送晶片至曝 光單元。


通過參考附圖，以示例的方式表述本發(fā)明，其中圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻晶片系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖；圖2A、2B和2C是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻晶片系統(tǒng)的方塊圖；圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的組合的烘烤和冷卻單元的透視圖；圖4是進一步圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的組合的烘烤和冷卻單元的剖視圖；圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的本地軌道部分的主透視圖；圖6是圖示圖5的本地軌道部分的后透視圖；以及圖7是圖示圖5的本地軌道部分的側(cè)視圖。
具體實施例方式本發(fā)明公開了用以處理晶片的系統(tǒng)和方法。示例性系統(tǒng)包括光刻工具；與該光 刻工具連接的本地軌道；傳送裝置，用于從傳送裝置處理機和至傳送裝置處理機傳送晶片； 傳送裝置處理機，用于操作傳送裝置；在傳送裝置和光刻工具和/或本地軌道間傳送晶片 的接口單元；以及在光刻工具、本地軌道和接口單元中規(guī)劃工序的控制器。結(jié)果，可將關(guān)鍵 工藝設(shè)置得相互更近，并且/或者光刻工具的性能可不依賴于抗蝕劑和顯影工藝(遠程軌 道與光刻工具相關(guān)聯(lián))。還公開了組合的曝光后烘烤和冷卻單元。示例性的組合的曝光后烘烤和冷卻單元 包括較長邊具有用于容納和提供晶片的開口的外殼，并且烘烤和冷卻單元在外殼內(nèi)。還公開了晶片處理系統(tǒng)的接口。示例性接口包括多個設(shè)置在一個或多個機械手周 圍的外殼，該機械手在外殼之間運送晶片，其中至少多個外殼中的一個是集成的烘烤和冷 卻單元。結(jié)果，PEB步驟可與曝光單元緊緊相接以更好地控制PEB的時序，引發(fā)更好的CDU 控制。接口還解決了在軌道接口常見的各種時序的沖突。另外，輸出路徑上的緩沖可增大， 其使得傳送裝置時序安排與PEB軌道時序安排的緊密的連接得以放松。另外，允許分離的 涂覆和顯影環(huán)節(jié)。圖1示出了晶片光刻集群10。晶片光刻集群10可并入多個處理步驟，包括，例如， 抗蝕劑涂覆、曝光前和曝光后烘烤、曝光、顯影、清洗、冷卻、預(yù)調(diào)節(jié)等步驟中的一個或多個。晶片光刻集群10包括光刻工具12、本地軌道部件14、接口單元16以及遠程軌道 部件18。在一個實施例中，晶片光刻集群10還包括一個或多個傳送裝置20。集群10還包 括傳送裝置處理機21。在一個實施例中，本地軌道部件14直接連接光刻工具12。就是說，晶片可直接從 光刻工具12傳送到本地軌道部件14。在一個實施例中，本地軌道部件14包括與光刻工藝相連的時間關(guān)鍵 (time-critical)步驟。時間關(guān)鍵步驟是那些具有嚴格時間變化要求的步驟。在一個實施 例中，由于CDU對最終產(chǎn)品有影響，所以時間關(guān)鍵步驟緊緊相連。包含在本地軌道部件14 中的示例性工藝包括，但不限于，例如，檢驗、溫度穩(wěn)定化、干燥(在曝光后)、曝光后烘烤、冷卻和它們的組合。在一個實施例中，本地軌道14是曝光后烘烤軌道。在一個實施例中， 本地軌道14是用于晶片從傳送裝置處理機到光刻工具12、或者從光刻工具12到傳送裝置 處理機的傳送路徑。遠程軌道部件18還可與本地軌道部件14相隔離，如圖1中所示。遠程軌道部件 18可分成多個單元。在一個實施例中，接口單元16用于從傳送裝置至光刻工具12和/或本地軌道部 件14傳送晶片，反之亦然。接口單元16還可用于從傳送裝置20傳送晶片和將晶片傳送到 傳送裝置20。傳送裝置20可為放置晶片用以傳送的盒或片架。在一個實施例中，接口單元16包括一個或多個用于在光刻工具12和本地軌道部 件14之間傳送晶片的機械手(未示出)。一個或多個機械手典型地每個都包括致動機制和 一個或多個晶片保持器。在一個實施例中，接口單元16包括一個或多個傳送裝置處理機。該傳送裝置處理 機可以是自動的或手動的。一個或多個機械手可用以從傳送裝置中拾取晶片并且將他們送 入系統(tǒng)以及將它們向后送入傳送裝置。接口單元16可以是任何本領(lǐng)域公知的分度器，用于傳送和處理晶片。接口單元16 是可移動的。傳送裝置20可用于在光刻工具12和/或本地軌道部件14與遠程軌道部件18之 間傳送晶片。在一個實施例中，傳送裝置20是前端開口盒(F0UP)、開放片架或標(biāo)準(zhǔn)機械接 口(SMIF)盒。傳送裝置20可以是任何其他本領(lǐng)域公知的用以存儲和傳送晶片的運輸盒。典型地，傳送裝置20自動接收和發(fā)送、以及打開和關(guān)閉?？梢岳斫?，傳送裝置20的 操作可以選擇手動方式。接口單元16可包括一個或多個傳送裝置。例如，接口單元16可 以包括四個或五個傳送裝置。可以理解，可以使用少于四個或多于五個傳送裝置。晶片光刻集群10還包括中央控制器或調(diào)度機(未示出)，所述中央控制器或調(diào)度 機對光刻工具12和本地軌道部件14中的處理進行安排。中央控制器還可以對光刻工具12 和本地軌道部件14間的和/或經(jīng)過接口 16的晶片傳送進行控制。中央控制器可以包括一 個或多個獨立的控制器。在使用中，晶片從輸入路徑移動至光刻工具12。在一個實施例中，輸入路徑位于遠 程軌道18中，并且晶片從遠程軌道18移動至傳送裝置20，以及從傳送裝置20至接口單元 16。從接口單元16，晶片移動至光刻工具12。在一個實施例中，本地軌道14中的機械手用 以移動晶片。在一個實施例中，接口單元16中的機械手用以移動晶片。在光刻工具12中 完成光刻工藝后，晶片可以從光刻工具12傳送至本地軌道部件14或傳送裝置20，用于另外 的處理。在本地軌道部件14中處理晶片后，處理過程可以完成?？蛇x擇地，晶片可從本地 軌道部件14傳送至遠程軌道部件18，用于另外的處理。在一個實施例中，傳送裝置20可用 于從本地軌道部件14至遠程軌道部件18傳送晶片。在一個實施例中，時間關(guān)鍵工藝可借助于包括在本地軌道部件14中的此類時間 關(guān)鍵工藝緊密地在一起，以簡化基于關(guān)鍵參數(shù)的控制，其包括，例如，晶片溫度和PEB時間 變化。光刻中的非關(guān)鍵或較不關(guān)鍵(less-critical)工藝可設(shè)置在遠程軌道部件18中。從 而，通過將這樣的工藝相互鄰近定位，可最小化時間關(guān)鍵工藝的影響。作為典型時間關(guān)鍵工藝的曝光后烘烤的性能取決于烘烤位置的數(shù)量和所需烘烤時間?？稍诒镜剀壍啦考?4中設(shè)置烘烤步驟，以使得它實質(zhì)上與光刻工具12集成。此外， 本地軌道部件14例如可包括所有的烘烤單元，以提供任何數(shù)量的必要烘烤位置。通過在本地軌道部件14中將烘烤工序與其它更不關(guān)鍵的時間關(guān)鍵工藝分隔開， 并通過根據(jù)需要安排烘烤位置，集群的總生產(chǎn)率可增大，而不必增加占地空間。在一個實施例中，晶片光刻集群10與傳統(tǒng)晶片光刻集群尺寸相同或更小，并且各 部件是相互獨立的。結(jié)果，在不對整個制造工藝產(chǎn)生大的影響的情況下，實現(xiàn)生長路徑和更 新環(huán)節(jié)。圖2A、2B和2C是具有控制器120的圖1中的晶片光刻集群的方塊圖?？刂破?20 可與光刻工具12、本地軌道部件14以及接口單元16獨立，如圖2A中所示。可選擇地，如 圖2B中所示，控制器120可位于光刻工具中。可選擇地，如圖2C中所示，控制器120可位 于本地軌道中。圖3是圖示組合的曝光后烘烤和冷卻單元200的透視圖。單元200包括外殼202， 該外殼202包括具有第一長度a的第一側(cè)面204，以及具有第二長度3的第二側(cè)面206。 在一個實施例中，第二長度3大于第一長度a。該單元還包括在第二側(cè)面206上的開口 208?？梢岳斫?，開口 208可位于第二側(cè)面206上的幾乎任何位置。由于開口 208位于 第二側(cè)面206中，如其后表述的，更緊湊的集群系統(tǒng)是可能的。如圖4中所示，單元200包括機械手210、夾鉗212和烘烤單元214。在一個實施 例中，單元200還包括緩沖位置216。在一個實施例中，單元200還包括隔離元件218。機械手210包括允許晶片傳送到外殼202之內(nèi)各個位置的致動機制。可以理解， 單元200可包括多于一個的機械手和/或夾鉗。夾鉗212可包括用于支撐晶片的保持器，所述保持器與機械手210連接。夾鉗212 還包括冷卻功能。例如，夾鉗212可以是水冷的和可控制的。烘烤單元214可以是任何為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的傳統(tǒng)烘烤單元。烘烤單元 214應(yīng)該位于距離夾鉗212的冷卻位置充分遠的地方。緩沖位置216位于或接近單元的第二側(cè)面206的開口 208的位置。緩沖位置216 可包括冷卻部分。使用隔離元件218隔離烘烤單元214與緩沖位置216。在一個實施例中，隔離元件 在烘烤單元214的所有側(cè)面上隔離烘烤單元214。在使用中，晶片放置在單元200的第二側(cè)面206的開口 208中。晶片位于緩沖位 置216上。機械手210用夾鉗212從緩沖位置216取晶片至烘烤單元214。當(dāng)在烘烤單元 214中完成所需烘烤工藝時，機械手210用夾鉗212將晶片移出烘烤單元214。激活夾鉗 212的冷卻功能以冷卻晶片。當(dāng)冷卻工藝完成時，機械手210使晶片返回緩沖位置216。當(dāng) 晶片返回緩沖位置216時，可使用另一機械手(未示出)將晶片從單元200中移出。圖5-7圖示了用于晶片光刻集群的接口 300。在一個實施例中，在晶片光刻集群10中使用接口 300，如上面參考圖1所示。在一 個實施例中，接口 300是接口 16，如上面分別在參考圖1和2中表示的。如圖5中所示，接口 300包括第一導(dǎo)軌302、第一機械手304和第一夾鉗306。接 口 300還可包括第二導(dǎo)軌308、第二機械手310和第二夾鉗312?？梢岳斫?，接口 300可以包括多于兩個的機械手和多于兩個的夾鉗。例如，接口 300可包括三個、四個或五個機械手。 可以理解，可使用多于五個機械手。類似地，，接口 300可包括三個、四個、五個或甚至更多 的夾鉗。接口 300還包括設(shè)置在機械手310周圍的多個單元。在示例性實施例中，多個單 元包括多個處理單元，例如，均熱單元314和曝光后烘烤單元316。冷卻板也可包括在曝光 后烘烤單元316中。在這樣的實施例中，曝光后烘烤單元316可以是組合的曝光后烘烤和 冷卻單元200，如上面參考圖3和4表述的。冷卻板也可附加地或可選擇地包括在夾鉗306 和/或夾鉗312中。接口 300可任選包括輸入和/或輸出緩沖器318?？梢岳斫?，接口 300 可包括任何數(shù)量或類型的單元，依賴于處理方案和設(shè)計約束。多個單元設(shè)置在機械手304和310周圍，以使得可通過機械手304和/或機械手 310訪問每個單元的開口。如上面所表述，曝光后烘烤單元316可以是如上面參考圖3和 4所表述的組合的曝光后烘烤和冷卻單元200。由于圖示單元316的開口位于其最長的側(cè) 面面，所以多個單元能夠更緊湊布置。就是說，大量單元能夠被并入接口 300中。如圖6和 7中所示，不包括開口的單元316的多個部分能設(shè)置于其他單元后面，例如其他曝光后烘烤 單元316、均熱單元314或輸出緩沖器318。機械手304和/或機械手310從光刻工具(未示出)或傳送裝置(未示出)中 收集晶片并且在接口 300之內(nèi)傳送晶片。在一個實施例中，一個或多個機械手在光刻工具 (未示出)的輸出緩沖器和曝光后干燥單元(即，均熱單元)314之間傳送晶片。在一個實 施例中，一個或多個機械手在均熱單元314和PEB單元316之間傳送晶片。在一個實施例 中，一個或多個機械手在PEB單元316和接口 300的輸出緩沖器318之間傳送晶片。一個 或多個機械手可以包括冷卻板，以在從PEB單元316移出晶片后冷卻晶片，和/或PEB單元 316可以是其中具有冷卻板的結(jié)合單元，如上所述。每個機械手順序從掃描器拾取晶片，對 于所有內(nèi)部處理允許多路控制時間。在一個實施例中，機械手306在光刻工具和均熱單元 314之間傳送晶片。在一個實施例中，第二機械手310在均熱單元314和PEB單元316之 間，以及，可選擇地，在PEB單元316和輸出緩沖器318之間傳送晶片，如上所述。在一個實 施例中，第二機械手310還傳送晶片至輸出接口 322，用以傳送至集群的另一部分，例如傳 送裝置20，和/或接口 16。如圖6中所示，還可以提供專用機械手320，其顧及所有晶片的輸入路徑。這減少 了機械手304和310的任務(wù)。在一個實施例中，輸入路徑位于輸出路徑之下。每個機械手可分別控制并且與光刻工具控制集成，以解決在傳統(tǒng)軌道接口中常見 的各種時序的沖突。在使用中，夾鉗306通過機械手304拾起晶片，并且移動晶片至曝光后均熱單元 314或直接至PEB單元316。在均熱后，晶片通過機械手310和夾鉗312移動至PEB單元 316。在晶片冷卻后，晶片移動至輸出緩沖器318或至輸入/輸出接口 322。前面的描述與附圖一起僅僅說明了所述方法的可能的實施例并且僅僅作了如上 的解釋。本領(lǐng)域其他的普通技術(shù)人員可以理解落入本發(fā)明主題的范圍和精神之內(nèi)的許多其 他具體實施例。本發(fā)明的保護范圍是通過所附的權(quán)利要求限定的而不是通過前面的說明書 限定的。落入所附權(quán)利要求的內(nèi)涵或等價范圍之內(nèi)的任何和全部改進均視為在其保護范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
一種組合的曝光后烘烤和冷卻單元，包括外殼，該外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度大于該第二長度，該外殼在第一相對側(cè)面上具有開口以容納晶片；在該外殼中的烘烤單元；并且在該外殼中的冷卻單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合的曝光后烘烤和冷卻單元，其中該冷卻單元包括至少一 個夾鉗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合的曝光后烘烤和冷卻單元，其中該烘烤單元在該外殼之 內(nèi)被隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合的曝光后烘烤和冷卻單元，進一步包括在該外殼中的一 個或多個機械手，以在該外殼內(nèi)傳送晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合的曝光后烘烤和冷卻單元，進一步包括在該外殼中的傳 送裝置，以在該外殼內(nèi)傳送晶片。
6.一種晶片處理系統(tǒng)的接口，包括機械手，用于運送晶片；多個外殼，所述多個外殼設(shè)置在機械手周圍，每個外殼包括具有第一長度的第一和第 二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相對側(cè)面，該第一長度等于或大于該第二長 度，該外殼在第一相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該開口面對該機械手，多個外殼中的至 少一個是集成的烘烤和冷卻單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接口，其中該接口包括用于運送晶片的多個機械手，所述多 個外殼排列在多個機械手的至少一個周圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接口，其中至少多個外殼中的一個是均熱單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接口，其中該機械手從光刻工具中收集晶片和傳送晶片至集 成的烘烤和冷卻單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接口，其中該機械手在該光刻工具、均熱單元以及集成的烘 烤和冷卻單元之間傳送晶片。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接口，進一步包括設(shè)置在該機械手周圍的多個第二外殼，每 個第二外殼包括具有第一長度的第一和第二相對側(cè)面，以及具有第二長度的第三和第四相 對側(cè)面，該第一長度大于該第二長度，該外殼在第三相對側(cè)面上具有開口以容納晶片，該開 口面對該機械手。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接口，其中該接口包括多個機械手，其中多個第二外殼設(shè) 置在多個機械手的至少一個周圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接口，進一步包括分離的機械手，所述機械手用于從與集成 軌道連接的外部接口傳送晶片至曝光單元。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成的曝光后烘烤的軌道，還公開了用以處理晶片的系統(tǒng)和方法，組合的曝光后烘烤和冷卻單元，以及接口。示例性系統(tǒng)包括光刻工具、本地軌道、傳送裝置、傳送裝置處理機、接口單元和用于規(guī)劃處理過程的控制器。示例性的組合的曝光后烘烤和冷卻單元包括在其側(cè)面上有開口的外殼，以及外殼中的烘烤單元和冷卻單元。示例性的接口包括多個設(shè)置在機械手周圍的外殼，其中機械手用以在外殼間傳送晶片，多個外殼中的一個是集成的烘烤和冷卻單元。
文檔編號G03F7/40GK101846891SQ20101016395
公開日2010年9月29日 申請日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月6日
發(fā)明者B·A·J·拉提克休斯, H·M·塞格斯, P·R·巴瑞, R·T·普拉格, S·L·奧爾-喬恩格皮爾, 約翰內(nèi)斯·昂伍李 申請人:Asml荷蘭有限公司