用于顯示設備的陣列基板的制作方法

文檔序號：2755046閱讀：304來源：國知局

專利名稱：用于顯示設備的陣列基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于顯示設備的陣列基板，更具體地，涉及用于包括具有優(yōu)良特性的薄膜晶體管的顯示設備的陣列基板。
背景技術：
本申請要求2009年11月11日提交的韓國專利申請No. 2009-0108550的優(yōu)先權，此處以引證的方式并入其內容。隨著社會正式進入信息時代，將各種電信號表現為視覺圖像的顯示設備領域發(fā)展迅速。特別是，作為具有重量輕、外形薄和功耗低的特點的平板顯示設備的液晶顯示(LCD) 設備或OELD設備被開發(fā)以用作陰極射線管式顯示設備的替代品。由于包括薄膜晶體管(TFT)作為開關元件的LCD設備(被稱為有源矩陣 IXD(AM-IXD)設備)具有高分辨率和顯示運動圖像的優(yōu)良特性，所以AM-IXD設備得到了廣泛的使用。另一方面，由于OELD設備具有高亮度、低功耗和高對比度的優(yōu)良特性，所以OELD 設備已被廣泛使用。此外，OELD設備具有高響應速度、低生產成本等優(yōu)點。IXD設備和OELD設備都需要包括薄膜晶體管(TFT)作為用于控制各像素區(qū)域的通斷的開關元件的陣列基板。此外，OELD設備需要另一 TFT作為用于驅動各像素區(qū)域中的有機電致發(fā)光二極管的驅動元件。圖1是用于OELD設備的相關技術的陣列基板的一部分的截面圖。為了便于解釋，形成了驅動TFT的區(qū)域被定義為驅動區(qū)域TrA。在圖1中，陣列基板包括基板11，該基板11包括像素區(qū)域P和驅動區(qū)域TrA。在基板11上，形成選通線(未示出)和數據線33以限定像素區(qū)域P。選通線和數據線33彼此交叉以限定像素區(qū)域。在像素區(qū)域P中的驅動區(qū)域TrA中，形成柵極15，并且柵絕緣層 18覆蓋柵極15。包括有源層22和歐姆接觸層沈的半導體層觀形成在柵絕緣層18上和驅動區(qū)域TrA中。有源層22由本征非晶硅形成，而歐姆接觸層沈由摻雜非晶硅形成。源極36和與源極36隔開的漏極38形成于半導體層28上。歐姆接觸層沈中對應于源極36 和漏極38之間的空間的部分被去除，使得有源層22的中心通過源極36和漏極38之間的空間而露出。柵極15、柵絕緣層18、半導體層觀、源極36和漏極38構成了驅動TFT Tr0雖然沒有示出，在像素區(qū)域P中形成具有與驅動TFT Tr大致相同的結構的開關TFT。開關TFT 連接到選通線、數據線33和驅動TFTTr。在驅動TFT Tr上形成包括漏接觸孔45的鈍化層42。漏接觸孔45使驅動TFT Tr 的漏極38露出。接觸驅動TFT Tr的漏極38的像素電極50形成于鈍化層42上和各像素區(qū)域P中。在數據線33下面設置包括第一圖案27和第二圖案23的半導體圖案四，其中該第一圖案27由與歐姆接觸層沈相同的材料形成并與歐姆接觸層沈設置在同一層上，而該第二圖案23由與有源層22相同的材料形成并且與有源層22設置在同一層上。
該有源層22在厚度上存在差異。也就是說，有源層22的通過源極36和漏極38 之間的空間露出的中部具有第一厚度Tl，而有源層22的其上形成有歐姆接觸層沈的側部具有與第一厚度Tl不同的第二厚度t2。(tl Φ t2)有源層22中的厚度差由制造方法造成的。有源層22的厚度差使得TFT的特性劣化。圖2是示出了在相關技術的陣列基板中形成半導體層、源極和漏極的工藝的截面圖。為了便于解釋，未示出柵極和柵絕緣層。在圖2中，在基板11上順序地形成本征非晶硅層(未示出)、摻雜非晶硅層(未示出)和金屬層(未示出)。對金屬層、摻雜非晶硅層和本征非晶硅層進行構圖，以形成金屬圖案(未示出)、金屬圖案下面的摻雜非晶硅圖案(未示出)和摻雜非晶硅圖案下面的本征非晶硅圖案(未示出)。接著，蝕刻金屬圖案的中部以形成源極36和與源極36隔開的漏極38。通過蝕刻金屬圖案，摻雜非晶硅圖案的中部通過源極36和漏極38之間的空間而露出。接著，對摻雜非晶硅圖案的露出的中部進行干蝕刻，以在源極36和漏極38下方形成歐姆接觸層26。在這種情況下，在足夠長的時間內執(zhí)行用于摻雜非晶硅圖案的露出的中部的干蝕刻工藝，以便完全去除摻雜非晶硅圖案的露出的中部。通過干蝕刻摻雜非晶硅圖案的露出的中部，本征非晶硅的有源層22的中部被部分地蝕刻。然而，有源層22的側部沒有被蝕刻，因為歐姆接觸層26阻擋了有源層22的側部。結果，有源層22具有厚度差 (tl Φ t2)。如果未在足夠長的時間內執(zhí)行用于摻雜非晶硅圖案的露出的中部的干蝕刻工藝來避免該厚度差，則摻雜非晶硅可能會殘留在有源層22上，使得TFT的特性劣化。因此，需要在足夠長的時間內對摻雜非晶硅圖案的露出的中部執(zhí)行干蝕刻工藝。因此，在用于相關技術的陣列基板的上述制造工藝中，有源層中的厚度差是不可避免的結果，使得TFT的特性劣化。此外，由于考慮到蝕刻厚度，有源層的本征非晶硅層應該以足夠的厚度形成，例如，超過約1000 A，因此產量減少并且生產成本增加。通常，用于TFT的有源層由本征非晶硅形成。由于本征非晶硅的原子是隨機排列的，它對光或電場存在亞穩(wěn)態(tài)，使得作為TFT在穩(wěn)定性上存在問題。此外，由于溝道中的載流子的遷移率相對較低，即0. Icm2A · S 1. OlcmVV · S，因此驅動元件的使用存在限制。為解決這些問題，引入了一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管包括通過利用激光束設備并通過結晶工藝將非晶硅結晶成多晶硅而形成的多晶硅的有源層。然而，參照圖3，該圖示出了相關技術的包括多晶硅的有源層的陣列基板的截面圖，需要摻雜工藝。也就是說，在包括TFT Fr的陣列基板51中，應當向多晶硅的半導體層 55的中心區(qū)55a的兩側摻進高濃度雜質，以形成η+區(qū)55b。根據雜質類型，該區(qū)5 可以是P+區(qū)。因此，需要用于摻雜工藝的注入設備，所以需要新的生產線并且增加了生產成本。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明旨在提供一種用于顯示設備的陣列基板，其能夠基本上克服因相關技術的局限和缺點帶來的一個或更多個問題。本發(fā)明的一個目的是提供一種包括具有改進的特性的薄膜晶體管的陣列基板。
本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點將在下面的描述中描述且將從描述中部分地顯現，或者可以通過本發(fā)明的實踐來了解。通過書面的說明書及其權利要求以及附圖中特別指出的結構可以實現和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。為了實現這些和其它優(yōu)點，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，一種用于顯示設備的陣列基板包括基板，其具有像素區(qū)域，該像素區(qū)域包括開關區(qū)域、驅動區(qū)域和存儲區(qū)域；位于所述基板上方的選通線、數據線和電源線，所述選通線和數據線彼此交叉以限定所述像素區(qū)域；位于所述基板上并且位于所述開關區(qū)域中的開關薄膜晶體管TFT，所述開關TFT連接到所述選通線和所述數據線并且包括第一開關柵極、位于所述第一開關柵極上的開關柵絕緣層、位于所述開關柵絕緣層上的本征多晶硅的開關有源層、與所述開關有源層接觸的第一開關歐姆接觸層和第二開關歐姆接觸層、位于所述第一開關歐姆接觸層上的開關源極、以及位于所述第二開關歐姆接觸層上的開關漏極；位于所述基板上并且位于所述驅動區(qū)域中的驅動TFT，所述驅動TFT連接到所述開關TFT和所述電源線并且包括第一驅動柵極、位于所述第一驅動柵極上的驅動柵絕緣層、位于所述驅動柵絕緣層上的本征多晶硅的驅動有源層、與所述驅動有源層接觸的第一驅動歐姆接觸層和第二驅動歐姆接觸層、位于所述第一驅動歐姆接觸層上的驅動源極、以及位于所述第二驅動歐姆接觸層上的驅動漏極；以及像素電極，其連接到所述驅動漏極并設置在所述像素區(qū)域中，其中所述開關 TFT還包括位于所述開關有源層上方的第二開關柵極。在本發(fā)明的另一個方面中，一種用于顯示設備的陣列基板包括位于包括像素區(qū) 域的基板上方的選通線和數據線，所述選通線和所述數據線彼此交叉以限定所述像素區(qū) 域；位于所述基板上并連接到所述選通線和所述數據線的薄膜晶體管TFT，所述TFT包括第一柵極、位于所述第一柵極上的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層上的本征多晶硅的有源層、接觸所述有源層的第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層、位于所述第一歐姆接觸層上的源極、位于所述第二歐姆接觸層上的漏極、以及位于所述有源層上方的第二柵極；以及像素電極，其連接到所述漏極并設置在所述像素區(qū)域中。應當理解，本發(fā)明的上述一般描述和下述詳細描述是示例性和說明性的，且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。

附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結合到本說明書中且構成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是用于OELD設備的相關技術的陣列基板的一部分的截面圖。圖2是示出了在相關技術的陣列基板中形成半導體層、源極和漏極的工藝的截面圖。圖3是相關技術的包括多晶硅的有源層的陣列基板的截面圖。圖4是示出了用于根據本發(fā)明的OELD設備的陣列基板的一個像素區(qū)域的平面圖。圖5是沿著圖4的線V-V提取的截面圖。圖6A到6D分別是示出了用于根據本發(fā)明的修改實施方式的OELD設備的陣列基板的TFT的平面圖。
圖7A到7E分別是圖4和圖6A至6D中的TFT的I-V曲線圖。
具體實施例方式下面將詳細描述優(yōu)選實施方式，在附圖中例示出了其示例。圖4是示出了用于根據本發(fā)明的OELD設備的陣列基板的一個像素區(qū)域的平面圖。在圖4中，在陣列基板的基板101上，設置了相互交叉以限定像素區(qū)域P的選通線 145和數據線130。在基板101上設置第一電源線134，該第一電源線134與數據線130平行。此外，通過電源接觸孔IM連接至第一電源線134的第二電源線147與選通線145平行且間隔開。在像素區(qū)域P中，設置了開關TFT S1Tr和驅動TFT DTr。在本發(fā)明中，開關TFT STr 和驅動TFT DTr中的至少一個包括雙柵極(dual type gateelectrode)。在圖4中，開關 TFT STr和驅動TFT DTr兩者都包括雙柵極。開關TFT STr包括第一開關柵極105a、第二開關柵極148a、開關有源層115a、第一開關歐姆接觸層(未示出)、第二開關歐姆接觸層(未示出)、開關源極133a和開關漏極 136a0開關TFT STr的第一開關柵極10 通過第一柵接觸孔14 連接到選通線145，而開關TFT STr的第二開關柵極148a從選通線145延伸。第二開關柵極148a與開關TFT STr的開關源極133a和開關TFT STr的開關漏極136a以及開關源極133a和開關漏極136a 之間的空間交疊。開關源極133a從數據線130延伸，并與開關漏極136a隔開。第一開關歐姆接觸層和第二開關歐姆接觸層分別通過第一有源接觸孔123a和第二有源接觸孔12 接觸開關有源層115a。開關源極133a設置在第一開關歐姆接觸層上，而開關漏極136a設置在第二開關歐姆接觸層上。驅動TFT DTr包括第一驅動柵極105b、第二驅動柵極148b、驅動有源層115b、第一驅動歐姆接觸層(未示出)、第二驅動歐姆接觸層(未示出)、驅動源極13 和驅動漏極 136b。在像素區(qū)域P中設置通過第二柵接觸孔142b (其使第一驅動柵極10 露出)接觸第一驅動柵極10 的柵極輔助圖案146。此外，在開關漏極136a和柵極輔助圖案146之間設置柵極連接電極172，其通過第一漏接觸孔15 接觸開關漏極136a并通過輔助圖案接觸孔153接觸柵極輔助圖案146。結果，開關漏極136a通過柵極連接電極172和柵極輔助圖案146電連接到第一驅動柵極10恥。第二驅動柵極148b從柵極輔助圖案146延伸。第二驅動柵極148b與驅動TFT DTr的驅動源極133b和驅動TFT DTr的驅動漏極136a以及驅動源極13 和驅動漏極136b之間的空間交疊。驅動源極13 從第一電源線134延伸，并與驅動漏極136b隔開。第一驅動歐姆接觸層和第二驅動歐姆接觸層分別通過第三有源接觸孔123c和第四有源接觸孔123d接觸驅動有源層1Mb。該驅動源極13 設置在第一驅動歐姆接觸層上，而驅動漏極13 設置在第二驅動歐姆接觸層上。在像素區(qū)域P中設置像素電極170，其通過第二漏接觸孔152b連接到驅動漏極 136b。第一驅動柵極10 延伸以與第一電源線134交疊。第一驅動柵極10 的交疊部分用作第一存儲電極106，第一電源線134的交疊部分用作第二存儲電極137，而第一存儲電極106和第二存儲電極137之間的柵絕緣層(未示出)和層間絕緣層(未示出)用作電介質材料層。第一存儲電極106、第二存儲電極137和柵絕緣層以及層間絕緣層構成了存儲電容器MgC。圖5是沿著圖4的線V-V提取的截面圖。為了便于解釋，定義了設置有開關TFT STr的開關區(qū)域SA、設置有驅動TFT DTr的驅動區(qū)域DA和設置有存儲電容器MgC的存儲區(qū)域STgA。參照圖5和圖4，在基板上101上設置無機絕緣材料或有機絕緣材料的緩沖層102。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力 (photo-acryl)或苯并環(huán)丁烯(BCB)。緩沖層102的厚度為大約1000到大約5000 A。第一開關柵極10 設置在緩沖層102上并且設置在開關區(qū)域SA中。第一驅動柵極10 設置在緩沖層102上并且設置在驅動區(qū)域DA中。例如，第一開關柵極10 和第一驅動柵極10 中的每一個由摻雜多晶硅形成?；蛘?，第一開關柵極10 和第一驅動柵極 105b中的每一個由具有高于約800°C的高熔點的金屬材料形成。例如，用于第一開關柵極 105a和第一驅動柵極10 中的每一個的金屬材料包括鈦(Ti)、鎢(Tw)、諸如鉬-鈦合金 (MoTi)的鉬合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、銅(Cu)、銅合金、以及上述材料的組合中的一種。當第一開關柵極105a和第一驅動柵極10 中的每一個由摻雜多晶硅形成時，第一開關柵極10 和第一驅動柵極10 中的每一個的厚度為大約500至大約1000 A。當第一開關柵極105a 和第一驅動柵極10 中的每一個由上述金屬材料形成時，第一開關柵極10 和第一驅動柵極10 中的每一個的厚度為大約100至大約1000 A，有利地為大約100至大約500 Ao第一驅動柵極10 延伸到存儲區(qū)域STgA中以形成第一存儲電極106。也就是說，第一驅動柵極105的一部分被定義為第一存儲電極106。開關柵絕緣層109a設置在第一開關柵極10 上，而驅動柵絕緣層109b設置在第一驅動柵極10 上。第一柵絕緣層109a和第二柵絕緣層109b中的各層由無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。驅動柵絕緣層的109b還設置在第一存儲電極106上。開關柵絕緣層 109a具有與第一開關柵極10 相同的平面形狀和平面面積，使得第一開關絕緣層109a完全與第一開關柵極10 交疊。驅動柵絕緣層109b具有與第一驅動柵極10 相同的平面形狀和平面面積，使得驅動柵絕緣層109b完全與第一驅動柵極10 交疊。開關有源層11 設置在開關柵絕緣層109a上并對應于第一開關柵極105a。驅動有源層11 設置在驅動柵絕緣層109b上并對應于第一驅動柵極10恥。也就是說，開關有源層11 和驅動有源層11 分別設置在開關區(qū)域SA和驅動區(qū)域DA中。第一有源層11 和第二有源層11 中的每一層由本征多晶硅形成。包括第一至第四有源接觸孔123a、123b、123c和123d的層間絕緣層122設置在基板101的整個表面上方，并設置在開關有源層11 和驅動有源層11 上。第一有源接觸孔 123a和第二有源接觸孔12 分別露出開關有源層11 的兩側，而第三有源接觸孔123c和第四有源接觸孔123d分別露出驅動有源層11 的兩側。層間絕緣層122的對應于開關有源層11 和驅動有源層11 中的各層的中心的一部分用作蝕刻阻止部(etch-stopper)。層間絕緣層122由無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。
第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b設置在層間絕緣層122上并且設置在開關區(qū)域SA中。第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b分別通過第一有源接觸孔123a和第二有源接觸孔12 接觸開關有源層115a。第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d設置在層間絕緣層122上并且設置在驅動區(qū)域SA中。第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d分別通過第三有源接觸孔123c和第四有源接觸孔123d接觸驅動有源層115b。第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b以及第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d由摻雜非晶硅形成。開關源極133a設置在第一開關歐姆接觸層127a上，而開關漏極136a設置在第二開關歐姆接觸層127b上。開關漏極136a與開關源極133a隔開。驅動源極13 設置在第三驅動歐姆接觸層127c上，而驅動漏極13 設置在第四驅動歐姆接觸層127d上。驅動漏極136b與驅動源極13 隔開。連接到開關源極133a的數據線130設置在層間絕緣層122 上方。開關源極133a、開關漏極136a、驅動源極13 、驅動漏極136b和數據線130各具有雙層結構或三層結構。此外，在層間絕緣層122上設置第一電源線134，該第一電源線134與數據線130 平行。第一電源線134的一部分與第一存儲電極106交疊以限定第二存儲電極137。第一存儲電極106、第二存儲電極137、第二柵絕緣層109b以及層間絕緣層122構成了存儲電容器 StgCo第一鈍化層140設置在開關源極133a、開關漏極136a、驅動源極133b、驅動漏極 136b和數據線130上。第一鈍化層140由無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。對第一鈍化層 140和第一鈍化層140下面的層間絕緣層122和第一柵絕緣層109a進行構圖，以形成露出第一開關柵極10 的一部分的第一柵接觸孔142a。此外，對第一鈍化層140和第一鈍化層 140下面的層間絕緣層122和第二柵絕緣層109b進行構圖，以形成露出第一驅動柵極10 的一部分的第二柵接觸孔142b。此外，通過第一鈍化層140形成露出第一電源線134的電源接觸孔154。通過第一柵接觸孔14 連接到第一開關柵極10 的選通線145設置在第一鈍化層140上。選通線145與數據線130交叉以限定像素區(qū)域P。在第一鈍化層140上設置第二開關柵極148a。第二開關柵極148a從選通線145延伸并與開關源極133a和開關漏極 136a以及開關源極133a和開關漏極136a之間的空間交疊。第二開關柵極148a和選通線 145各具有雙層結構或三層結構。通過第二柵接觸孔142b接觸第一驅動柵極10 的柵極輔助圖案146設置在第一鈍化層140上。還在第一鈍化層140上設置第二驅動柵極148b。第二驅動柵極148b從柵極輔助圖案146延伸并與驅動源極13 和驅動漏極136b以及驅動源極13 和驅動漏極 136b之間的空間交疊。與選通線145平行并且與選通線145隔開的第二電源線147設置在第一鈍化層140上。第二電源線147通過電源接觸孔巧4連接到第一電源線134。圖5示出了開關TFT STr和驅動TFT DTr兩者都包括雙柵極?；蛘?，開關TFT STr 和驅動TFT DTr其中之一可以包括雙柵極。第二鈍化層150設置在選通線145、柵極輔助圖案146、第二開關柵極148a、第二驅動柵極148b和第二電源線147上。第二鈍化層150由無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。輔助圖案接觸孔153穿過第二鈍化層150而形成以使柵極輔助圖案146露出。此外，第一漏接觸孔15 和第二漏接觸孔152b分別穿過第一鈍化層140和第二鈍化層150而形成以使開關漏極136a和驅動漏極136b露出。在第二鈍化層150上和各像素區(qū)域P中設置像素電極170，其通過第二漏接觸孔 152b連接到驅動漏極136b。此外，用于連接開關漏極136a和柵極輔助圖案146的柵極連接電極172設置在第二鈍化層150上。柵極連接電極172的一端通過第一漏接觸孔15 接觸開關漏極136a，而柵極連接電極172的另一端通過輔助圖案接觸孔153接觸柵極輔助圖案146。像素電極170和柵極連接圖案172中的每一個由透明導電材料(例如，氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO))形成。在上述陣列基板中，由于開關有源層11 和驅動有源層11 中的各層由本征多晶硅形成，所以改善了遷移率特性。此外，由于第一開關柵極10 和第一驅動柵極10 中的各柵極由摻雜多晶硅或具有熔點在約800°c以上的金屬材料形成，所以第一開關柵極 10 和第一驅動柵極10 沒有在用于開關有源層11 和驅動有源層11 的結晶工藝中變形。結果，也防止了基板101的變形。此外，由于層間絕緣層122的一部分用作蝕刻阻止部，即使執(zhí)行了干蝕刻工藝，開關有源層11 和驅動有源層11 中的各層的厚度也是均勻的。因此，防止了開關TFT STr 和驅動TFT DTr的特性劣化。此外，由于開關TFT S1Tr和驅動TFT D1Tr中的各TFT具有雙柵極，所以開關TFT STr 和驅動TFT DTr中的各TFT的I-V曲線具有改進的特性。因此，即使由于有機電致發(fā)光二極管中的熱降解而降低了亮度，但是也能夠減小亮度偏差。在圖5中，第二開關柵極148a與開關源極133a和開關漏極136a以及開關源極 133a和開關漏極136a之間的空間交疊，而第二驅動柵極148b與驅動源極13 和驅動漏極 136b以及驅動源極13 和驅動漏極13 之間的空間交疊。然而，對第二開關柵極148a和第二驅動柵極148b中的各柵極的位置和面積沒有限制。圖6A到6D分別為示出了用于根據本發(fā)明的修改實施方式的OELD設備的陣列基板的TFT的平面圖。圖6A至6D示出了開關TFT。然而，圖6A至6D中的結構可以用于驅動 TFT0在從圖6A至6D中提到各元件時不區(qū)分開關或驅動。在圖6A中，作為TFT頂層的第二柵極148a僅與有源層11 的溝道完全交疊。也就是說，第二柵極148a具有等于源極133a和漏極136a之間的距離的寬度。在圖6B中，第二柵極148a僅與有源層11 的溝道的中心交疊。也就是說，第二柵極148a具有小于源極 133a和漏極136a之間的距離的寬度。在圖6C中，第二柵極148a僅與有源層11 的溝道的一部分和漏極136a交疊。在圖6D中，第二柵極148a僅與有源層11 的溝道的一部分和源極133a交疊。通過第二柵極148a具有圖6A至6D的位置和面積，TFT的I-V曲線具有改善的特性。圖7A到7E分別是圖4和圖6A至6D中TFT的I-V曲線圖。圖7A示出了包括單柵極的TFT的I-V曲線圖。圖7B示出了包括雙柵極的TFT的I-V曲線圖，其中一個柵極與溝道和源極及漏極交疊。圖7C至7E分別示出了包括圖6A至6C中的雙柵極的TFT的I-V曲線圖。I-V曲線表示與源極和漏極中的電壓差Vds相對應的源-漏電流IDS。與圖7A相比，圖7B至7E中的I-V曲線向上偏移。這意味著導體TFT時，改善了電流特性。例如，在圖7A中，最上面的曲線在2. 5V的電壓差Vds處具有2. 0*10、的源-漏電流IDS。另一方面，圖7B到7E中最上面的曲線在2. 5V的電壓差Vds處分別具有3. 5*10_6A、 3. 5*10_6Α、2· 8*10_6Α和3. 0*10、的源-漏電流IDS。換言之，改善了 TFT的導通電流特性。在理想情況下，當電壓差Vds超過特定值時，曲線應當接近常數值。在圖7A中，在電壓差Vds超過2. 5V的區(qū)域中，曲線具有大約1. 5*10_6A的差值。在圖7B至7E中，在電壓差Vds超過2. 5V的區(qū)域中，曲線具有1. 0*10_6A的差值。也就是說，圖7B至7E中的曲線基本上接近于常數值。參照圖4和5，下面來解釋制造方法。首先，通過沉積無機絕緣材料或涂敷有機絕緣材料在基板101上形成緩沖層102。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。緩沖層102厚度為大約1000到大約5000 A。當在約600至約800°C的溫度下執(zhí)行結晶工藝時，在沒有緩沖層102的情況下當基板101在結晶工藝中直接暴露于高溫時堿離子能夠擴散到多晶硅中。通過緩沖層102能夠避免這個問題。接著，在緩沖層102上順序地形成柵極材料層(未示出)、第一絕緣材料層(未示出)和本征非晶硅層(未示出)。柵極材料層包括摻雜非晶硅?；蛘撸瑬艠O材料層包括具有大于約800°C的高熔點的金屬材料。例如，用于柵極材料層的金屬材料包括鈦(Ti)、鎢(Tw)、諸如鉬-鈦合金(MoTi) 的鉬合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、銅(Cu)、銅合金、以及上述材料的組合中的一種。當柵極材料層由摻雜硅形成時，柵極材料層的厚度為約500至約1000 A。當柵極材料層由上述金屬材料形成時，柵極材料層的厚度為約100至約1000入，有利地為約100至約500 A。第一絕緣材料層包括無機絕緣材料或有機絕緣材料。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。本征非晶硅層的厚度為約300到1000 A。在相關技術的陣列基板中，考慮到用于歐姆接觸層的蝕刻工藝所蝕刻的厚度，本征非晶硅層的厚度在約1000 A以上。然而，由于層間絕緣層122的一部分在干蝕刻工藝中用作蝕刻阻止部，在干蝕刻工藝之后沒有減小本征非晶硅層的厚度。因此，本發(fā)明的本征非晶硅層具有比相關技術的厚度小的厚度。接著，執(zhí)行結晶工藝，以增加溝道的遷移率，使得本征非晶硅層結晶成本征多晶硅層(未示出)。該結晶工藝是固相結晶工藝或準分子激光退火工藝。例如，固相結晶工藝是在約600至約800°C的溫度下的熱結晶工藝或在約600至700°C的溫度下的交變磁場結晶工藝。當柵極材料層由摻雜非晶硅形成時，摻雜非晶硅通過上述結晶工藝轉變?yōu)閾诫s多晶硅。另一方面，由于用于柵極材料層的上述金屬材料具有約800°C以上的熔點，所以結晶工藝沒有使柵極材料層變形。如果柵極材料層由具有相對較低的熔點的金屬材料形成，則結晶工藝使該層變形。然而，柵極材料層由摻雜非晶硅或具有熔點在約800°C以上的上述金屬材料形成，在結晶工藝中不存在問題。接著，通過掩模工藝對本征多晶硅層、第一絕緣材料層和柵極材料層進行構圖，以從柵極材料層形成第一開關柵極105a，從第一絕緣材料層形成開關柵絕緣層109a，從本征多晶硅層形成第一本征多晶硅圖案(未示出)，從柵極材料層形成第一驅動柵極10 ，從第一絕緣材料層形成驅動柵絕緣層109b，并從本征多晶硅層形成第二本征多晶硅圖案(未示出)。掩模工藝包括涂敷光刻膠(PR)以形成ra層的步驟、利用曝光掩模對ra層進行曝光的步驟、對ra層進行顯影以形成ra圖案的步驟、利用ra圖案作為蝕刻掩模來蝕刻材料層的步驟以及對I3R圖案進行剝離的步驟。第一開關柵極105a、開關柵絕緣層109a和第一本征多晶硅圖案設置在開關區(qū)域SA中并且具有彼此大致相同的平面形狀和平面面積以便完全交疊。第一驅動柵極105b、驅動柵絕緣層109b和第二本征多晶硅圖案設置在驅動區(qū)域 DA中并且具有彼此大致相同的平面形狀和平面面積以便完全交疊。第一驅動柵極10 的一部分被定義為存儲區(qū)域MgA中的第一存儲電極106。接著，對第一本征多晶硅圖案和第二本征多晶硅圖案進行構圖，以在開關柵絕緣層109a上和開關區(qū)域SA中形成開關有源層115a，并在驅動柵絕緣層109b上和驅動區(qū)域 DA中形成驅動有源層1Mb。在這種情況下，存儲區(qū)域STgA中的第二本征多晶硅圖案的一部分被去除以露出第一存儲電極106。接著，在開關有源層11 和驅動有源層11 上形成層間絕緣層122。層間絕緣層 122包括無機絕緣材料或有機絕緣材料。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。對層間絕緣層122進行構圖以形成第一至第四有源接觸孔123a、123b、123c和123d。第一有源接觸孔123a和第二有源接觸孔12 分別露出開關有源層11 的兩側，而第三有源接觸孔123c和第四有源接觸孔123d分別露出驅動有源層11 的兩側。層間絕緣層122的對應于開關有源層11 和驅動有源層11 的各層的中心的一部分用作蝕刻阻止部。層間絕緣層122的其它部分用作絕緣層。接著，在層間絕緣層122上順序地形成摻雜非晶硅層(未示出)和第一金屬材料層(未示出)。摻雜非晶硅層由摻雜非晶硅形成。示出了具有單層的第一金屬材料層。單層的第一金屬材料層由Mo、Mo合金、鉻(Cr)、Cr合金和MoTi中的一種形成。或者，第一金屬材料層可以具有雙層結構或三層結構。對第一金屬材料層和摻雜非晶硅層進行構圖，以形成數據線130、第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b、第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層 127d、開關源極133a、開關漏極136a、驅動源極13 、驅動漏極13 和第一電源線134。摻雜非晶硅層的虛擬圖案(未示出)設置在數據線130和第一電源線134的各條線下面。數據線130沿一個方向延伸。第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層 127b設置在開關區(qū)域SA中并分別通過第一有源接觸孔123a和第二有源接觸孔12 接觸開關有源層115a。第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d設置在驅動區(qū)域 DA中并分別通過第三有源接觸孔123c和第四有源接觸孔123d接觸驅動有源層1Mb。連接到數據級130的開關源極133a設置在第一開關歐姆接觸層127a上，而開關漏極136a設置在第二開關歐姆接觸層127b上。開關漏極136a與開關源極133a隔開。驅動源極13 設置在第三驅動歐姆接觸層127c上，而驅動漏極136b設置在第四驅動歐姆接觸層127d上。驅動漏極136b與驅動源極133b隔開。第一電源線134與數據線130平行并與數據線130隔開。第一電源線134的一部分與第一存儲電極106交疊以限定第二存儲電極137。第一存儲電極106、第二存儲電極 137、第二柵絕緣層109b以及層間絕緣層122構成了存儲電容器MgC。
雖然沒有示出，本征非晶硅的第一至第四屏障圖案可以設置在第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b中各層下方以及第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d中各層下方。即，第一至第四屏障圖案分別通過第一到第四有源接觸孔 123a、123b、123c和123d接觸開關有源層11 和驅動有源層11 中的各層。第一至第四屏障圖案分別具有與第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b以及第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d大致相同的平面面積和平面形狀。在形成用于第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b以及第一驅動歐姆接觸層127c 和第二驅動歐姆接觸層127d的摻雜非晶硅之前，在層間絕緣層122上形成用于第一至第四屏障圖案的本征非晶硅層。然后，利用摻雜非晶硅層和第一金屬材料層對本征非晶硅層進行構圖。和本征多晶硅與摻雜非晶硅的粘結特性相比，本征多晶硅具有更強的與本征非晶硅的粘結特性。因此，通過分別在開關有源層11 與第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b中的各層之間以及驅動有源層11 和第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d中的各層之間設置本征非晶硅的第一至第四屏障圖案，能夠改善粘結特性。另一方面，在層間絕緣層122上形成用于第一至第四屏障圖案的摻雜非晶硅層或本征非晶硅層之前，可以執(zhí)行利用了緩沖氧化蝕刻劑(B0E:buffered oxide etchant)的清潔工藝。它可以稱為BOE清潔工藝。用于開關有源層11 和驅動有源層11 的本征非晶硅層在600度的高溫下直接暴露于結晶工藝。結果，在開關有源層11 和驅動有源層11 的頂面上形成了熱氧化層(未示出)。例如，該熱氧化層使開關有源層11 與第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b中的各層之間以及驅動有源層11 與第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層127d中的各層之間的歐姆接觸特性劣化。因此，可以在形成用于歐姆接觸層127a、127b、127c和127d的摻雜非晶硅層或者用于第一至第四屏障圖案的本征非晶硅層的步驟之前，對開關有源層11 和驅動有源層11 執(zhí)行BOE清潔工藝，以去除熱氧化層。在本發(fā)明中，因為層間絕緣層122的作為蝕刻阻止部的一部分覆蓋了開關有源層 11 和驅動有源層11 中的各層的中部，因此在用于歐姆接觸層127a、127b、127c和127d 的干蝕刻工藝中對開關有源層11 和驅動有源層11 沒有損害。也就是說，由于在用于歐姆接觸層127a、127b、127c和127d的干蝕刻工藝中層間絕緣層122覆蓋了開關有源層 115a和驅動有源層11 中的各層的中部，因此層間絕緣層122保護了開關有源層11 和驅動有源層115b，使得干蝕刻工藝不會減小開關有源層11 和驅動有源層11 中的各層的厚度。因此，開關有源層115a和驅動有源層11 中的各層都具有均勻厚度。接著，通過沉積無機絕緣材料或涂敷有機絕緣材料，在開關源極133a和驅動源極 133b、開關漏極136a和驅動漏極136b、第二存儲電極137、第一電源線134和數據線130上形成第一鈍化層140。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或BCB。通過掩模工藝對第一鈍化層140以及第一鈍化層140下面的層間絕緣層122和第一柵絕緣層109a進行構圖，以形成露出第一開關柵極10 的一部分的第一柵接觸孔14加。此外，對第一鈍化層140和第一鈍化層140下面的層間絕緣層122和第二柵絕緣層109b進行構圖，以形成露出第一驅動柵極10 的一部分的第二柵接觸孔142b。此外，通過第一鈍化層140形成露出第一電源線134的電源接觸孔154。接著，通過沉積第二金屬材料(例如，鋁(Al)、諸如AlNd的Al合金、銅(Cu)、Cu合金、鉬(110)^0合金、11、11合金、鉻(Cr)、Cr合金或上述材料的組合)，在包括第一柵接觸孔142a、第二柵接觸孔142b和電源接觸孔154的第一鈍化層140上形成第二金屬材料層 (未示出)。示出了具有單層的第二金屬材料層?；蛘?，第二金屬材料層可以具有雙層結構或三層結構。對第二金屬材料層進行構圖，以形成選通線145、第二開關柵極148a、第二驅動柵極148b、柵極輔助圖案146和第二電源線147。選通線145接觸第一開關柵極105并與數據線130交叉。第二開關柵極148a從選通線145延伸。第二開關柵極148a與開關源極133a和開關漏極136a之間的空間交疊。也就是說，第二開關柵極148a與開關有源層11 的溝道交疊。柵極輔助圖案146通過第二柵接觸孔142b接觸第一驅動柵極10恥。第二驅動柵極148b從柵極輔助圖案146延伸。第二驅動柵極148b與驅動源極13 和驅動漏極136b之間的空間交疊。也就是說，第二驅動柵極148b與驅動有源層11 的溝道交疊。第二電源線147通過電源接觸孔IM接觸第一電源線134。第二電源線147與選通線145平行并與選通線145隔開。第二開關柵極 148a和第二驅動柵極148b中的各柵極的位置和形狀可以如圖6A至6D所示進行變化。第一開關柵極105a、開關柵絕緣層109a、開關有源層115a、層間絕緣層122、第一開關歐姆接觸層127a和第二開關歐姆接觸層127b、開關源極133a、開關漏極136a、第一鈍化層140和第二開關柵極148a構成了開關TFT STr0第一驅動柵極105b、驅動柵絕緣層 109b、驅動有源層115b、層間絕緣層122、第一驅動歐姆接觸層127c和第二驅動歐姆接觸層 127d、驅動源極133b、驅動漏極136b、第一鈍化層140和第二驅動柵極148b構成了驅動TFT DTr。接著，在選通線145、第二開關柵極148a、第二驅動柵極148b、柵極輔助圖案146 和第二電源線147上形成第二鈍化層150。第二鈍化層150由無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。例如，無機絕緣材料包括硅氧化物或硅氮化物，而有機絕緣材料包括感光壓克力或 BCB。對第二鈍化層150和第一鈍化層140進行構圖，以形成分別露出開關漏極136a和驅動漏極136b的第一漏接觸孔15 和第二漏接觸孔152b。同時，通過第二鈍化層150形成輔助圖案接觸孔153以露出柵極輔助圖案146。接著，通過沉積透明導電材料(例如，ITO和ΙΖ0)在第二鈍化層150上形成透明導電材料層(未示出)，從而獲得根據本發(fā)明的陣列基板。對透明導電材料層進行構圖以形成連接電極172，該連接電極172用于連接開關漏極136a和柵極輔助圖案146以及像素電極170。像素電極170通過第二漏接觸孔152b連接到驅動漏極136b。柵極連接電極172 的一端通過第一漏接觸孔15 接觸開關漏極136a，而柵極連接電極172的另一端通過輔助圖案接觸孔153接觸柵極輔助圖案146。雖然沒有示出，但是在像素區(qū)域P的邊界處和像素電極170上形成提狀物 (bank)。此外，在像素區(qū)域P中形成有機發(fā)光層，并在有機發(fā)光層上形成對電極(counter electrode)。在另一方面，用于LED設備的陣列基板僅包括開關TFT。在這種情況下，沒有電源線，并且像素電極連接到開關TFT電極的漏極。
對于本領域技術人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，可以在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權利要求及其等同物的范圍內的本發(fā)明的修改和變型。
權利要求
1.一種用于顯示設備的陣列基板，該陣列基板包括基板，其具有像素區(qū)域，該像素區(qū)域包括開關區(qū)域、驅動區(qū)域和存儲區(qū)域；位于所述基板上方的選通線、數據線和電源線，所述選通線和數據線彼此交叉以限定所述像素區(qū)域；位于所述基板上并且位于所述開關區(qū)域中的開關薄膜晶體管TFT，所述開關TFT連接到所述選通線和所述數據線并且包括第一開關柵極、位于所述第一開關柵極上的開關柵絕緣層、位于所述開關柵絕緣層上的本征多晶硅的開關有源層、與所述開關有源層接觸的第一開關歐姆接觸層和第二開關歐姆接觸層、位于所述第一開關歐姆接觸層上的開關源極、以及位于所述第二開關歐姆接觸層上的開關漏極；位于所述基板上并且位于所述驅動區(qū)域中的驅動TFT，所述驅動TFT連接到所述開關 TFT和所述電源線并且包括第一驅動柵極、位于所述第一驅動柵極上的驅動柵絕緣層、位于所述驅動柵絕緣層上的本征多晶硅的驅動有源層、與所述驅動有源層接觸的第一驅動歐姆接觸層和第二驅動歐姆接觸層、位于所述第一驅動歐姆接觸層上的驅動源極、以及位于所述第二驅動歐姆接觸層上的驅動漏極；以及像素電極，其連接到所述驅動漏極并設置在所述像素區(qū)域中，其中所述開關TFT還包括位于所述開關有源層上方的第二開關柵極。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述驅動TFT還包括位于所述驅動有源層上方的第二驅動柵極。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述基板的表面上的層間絕緣層，該表面包括形成在該表面上的所述開關有源層和所述驅動有源層，并且所述層間絕緣層包括第一至第四有源接觸孔，所述第一至第四有源接觸孔分別露出所述開關有源層的兩側和所述驅動有源層的兩側，其中所述第一開關歐姆接觸層和所述第二開關歐姆接觸層分別通過所述第一有源接觸孔和所述第二有源接觸孔接觸所述開關有源層，并且所述第一驅動歐姆接觸層和所述第二驅動歐姆接觸層分別通過所述第三有源接觸孔和所述第四有源接觸孔接觸所述驅動有源層。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述層間絕緣層的表面上的第一鈍化層，該表面包括形成在該表面上的所述開關源極、所述開關漏極、所述驅動源極和所述驅動漏極，其中，所述第一鈍化層、所述層間絕緣層和所述開關柵絕緣層包括使所述開關TFT的所述第一開關柵極露出的第一柵接觸孔，并且所述選通線設置在所述第一鈍化層上并通過所述第一柵接觸孔接觸所述開關TFT的所述第一開關柵極。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述第一鈍化層的表面上的第二鈍化層，該表面包括形成在該表面上的選通線，其中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層包括露出所述驅動漏極的第一漏接觸孔，并且所述像素電極設置在所述第二鈍化層上并通過所述第一漏接觸孔接觸所述驅動漏極。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述第一鈍化層上的柵極輔助圖案；以及位于所述第二鈍化層上的連接電極，其中，所述第一鈍化層和所述驅動柵絕緣層還包括露出所述驅動TFT的所述第一驅動柵極的第二柵接觸孔，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層還包括露出所述開關漏極的第二漏接觸孔，并且所述第二鈍化層還包括露出所述柵極輔助圖案的輔助圖案接觸孔，并且其中，所述柵極輔助圖案通過所述第二柵接觸孔接觸所述驅動TFT的所述第一驅動柵極，并且所述連接圖案分別通過所述第二漏接觸孔和所述輔助圖案接觸孔接觸所述開關漏極和所述柵極輔助圖案。
7.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述開關TFT的所述第一開關柵極和所述驅動TFT的所述第一驅動柵極中的各柵極包括摻雜多晶硅并且厚度為約500至約1000人。
8.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述開關TFT的所述第一開關柵極和所述驅動TFT的所述第一驅動柵極中的各柵極包括熔點在約800°C以上的金屬材料，并且厚度為約loo至約1000入。
9.根據權利要求8所述的陣列基板，其中所述金屬材料包括鈦(Ti)、鎢(Tw)、包含鉬-鈦合金(MoTi)在內的鉬合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、銅(Cu)、銅合金、以及上述材料的組合中的一種。
10.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述電源線包括平行于所述數據線的第一子電源線和平行于所述選通線并連接到所述第一子電源線的第二子電源線，并且其中，所述驅動源極從所述第一子電源線延伸。
11.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述第二開關柵極與所述開關源極、所述開關漏極以及所述開關源極與所述開關漏極之間的空間交疊。
12.根據權利要求2所述的陣列基板，其中所述第二驅動柵極與所述驅動源極、所述驅動漏極以及所述驅動源極與所述驅動漏極之間的空間交疊。
13.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述第二開關柵極僅與所述開關源極和所述開關漏極之間的空間交疊。
14.根據權利要求2所述的陣列基板，其中所述第二驅動柵極僅與所述驅動源極和所述驅動漏極之間的空間交疊。
15.根據權利要求13所述的陣列基板，其中所述第二開關柵極的寬度小于或等于所述開關源極和所述開關漏極之間的距離。
16.根據權利要求14所述的陣列基板，其中所述第二驅動柵極的寬度小于或等于所述驅動源極和所述驅動漏極之間的距離。
17.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述第二開關柵極與所述開關源極和所述開關漏極之一以及所述開關源極與所述開關漏極之間的空間交疊。
18.根據權利要求2所述的陣列基板，其中所述第二驅動柵極與所述驅動源極和所述驅動漏極之一以及所述驅動源極與所述驅動漏極之間的空間交疊。
19.根據權利要求1所述的陣列基板，該陣列基板還包括直接位于所述基板上的緩沖層，該緩沖層包括無機絕緣材料或有機絕緣材料。
20.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述驅動TFT的所述第一驅動柵極延伸到所述存儲區(qū)域中以形成第一存儲電極，并且所述電源線的一部分與所述第一存儲電極交疊以形成存儲電容器。
21.根據權利要求1所述的陣列基板，該陣列基板還包括分別位于所述第一開關歐姆接觸層和所述第二開關歐姆接觸層中的各層與所述開關有源層之間的以及所述第一驅動歐姆接觸層和所述第二驅動歐姆接觸層中的各層與所述驅動有源層之間的第一至第四屏障圖案，其中，所述第一至第四屏障圖案中的各屏障圖案由本征非晶硅形成，并且所述第一開關歐姆接觸層和所述第二開關歐姆接觸層以及所述第一驅動歐姆接觸層和所述第二驅動歐姆接觸層中的各層由摻雜非晶硅形成。
22.一種用于顯示設備的陣列基板，該陣列基板包括位于包括像素區(qū)域的基板上方的選通線和數據線，所述選通線和所述數據線彼此交叉以限定所述像素區(qū)域；位于所述基板上并連接到所述選通線和所述數據線的薄膜晶體管TFT，所述TFT包括第一柵極、位于所述第一柵極上的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層上的本征多晶硅的有源層、接觸所述有源層的第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層、位于所述第一歐姆接觸層上的源極、位于所述第二歐姆接觸層上的漏極、以及位于所述有源層上方的第二柵極；以及像素電極，其連接到所述漏極并設置在所述像素區(qū)域中。
23.根據權利要求22所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述基板的表面上的層間絕緣層，該表面包括形成在該表面上的所述有源層，并且所述層間絕緣層包括第一有源接觸孔和第二有源接觸孔，所述第一有源接觸孔和所述第二有源接觸孔分別露出所述有源層的兩側，其中所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層分別通過所述第一有源接觸孔和所述第二有源接觸孔接觸所述有源層。
24.根據權利要求23所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述層間絕緣層的表面上的第一鈍化層，該表面包括形成在該表面上的所述源極和所述漏極，其中，所述第一鈍化層、所述層間絕緣層和所述柵絕緣層包括使所述第一柵極露出的柵接觸孔，并且所述選通線設置在所述第一鈍化層上并通過所述第一柵接觸孔接觸所述第一柵極。
25.根據權利要求M所述的陣列基板，該陣列基板還包括位于所述第一鈍化層的表面上的第二鈍化層，該表面包括形成在該表面上的所述選通線，其中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層包括使所述漏極露出的漏接觸孔，并且所述像素電極設置在所述第二鈍化層上并通過所述漏接觸孔接觸所述漏極。
26.根據權利要求22所述的陣列基板，其中所述TFT的第一柵極包括摻雜多晶硅并且厚度為約500至約1000 A。
27.根據權利要求22所述的陣列基板，其中所述TFT的第一柵極包括熔點在約800°C 以上的金屬材料，并且厚度為約100至約1000 A。
28.根據權利要求27所述的陣列基板，其中所述金屬材料包括鈦(Ti)、鎢(Tw)、包含鉬-鈦合金(MoTi)在內的鉬合金、鉬(Mo)、鉭(Ta)、銅(Cu)、銅合金、以及上述材料的組合中的一種。
29.根據權利要求22所述的陣列基板，其中所述第二柵極與所述源極、所述漏極以及所述源極與所述漏極之間的空間交疊。
30.根據權利要求22所述的陣列基板，其中所述第二柵極僅與所述源極和所述漏極之間的空間交疊。
31.根據權利要求30所述的陣列基板，其中所述第二柵極的寬度小于或等于所述源極和所述漏極之間的距離。
32.根據權利要求22所述的陣列基板，其中所述第二柵極與所述源極和所述漏極之一以及所述源極與所述漏極之間的空間交疊。
33.根據權利要求22所述的陣列基板，該陣列基板還包括直接位于所述基板上的緩沖層，該緩沖層包括無機絕緣材料或有機絕緣材料。
34.根據權利要求22所述的陣列基板，該陣列基板還包括分別位于所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層中的各層與所述有源層之間的第一屏障圖案和第二屏障圖案，其中所述第一屏障圖案和所述第二屏障圖案中的各屏障圖案由本征非晶硅形成，并且所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層中的各層由摻雜非晶硅形成。
全文摘要
一種用于顯示設備的陣列基板，該陣列基板包括基板，其具有像素區(qū)域，該像素區(qū)域包括開關區(qū)域、驅動區(qū)域和存儲區(qū)域；位于基板上方的選通線、數據線和電源線；位于基板上并且位于開關區(qū)域中的開關薄膜晶體管(TFT)，開關TFT連接到選通線和數據線并且包括第一開關柵極、開關柵絕緣層、開關有源層、第一和第二開關歐姆接觸層、開關源極、以及開關漏極；位于基板上并且位于驅動區(qū)域中的驅動TFT，驅動TFT連接到開關TFT和電源線并且包括第一驅動柵極、驅動柵絕緣層、驅動有源層、第一和第二驅動歐姆接觸層、驅動源極、以及驅動漏極；以及像素電極，其連接到驅動漏極并設置在像素區(qū)域中，其中開關TFT還包括位于開關有源層上方的第二開關柵極。
文檔編號G02F1/1362GK102062981SQ201010200580
公開日2011年5月18日申請日期2010年6月8日優(yōu)先權日2009年11月11日
發(fā)明者崔惠英, 崔熙東, 梁斗錫申請人:樂金顯示有限公司

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