專利名稱:納米壓印方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種納米壓印方法,尤其涉及一種能夠在室溫下進行的納米壓印方法。
背景技術:
在現(xiàn)有技術中,制作各種半導體設備時,常需要制作具有數(shù)十納米到數(shù)百納米的微細結構的納米圖形。具有上述微細結構的納米圖形的制作方法主要有光或電子束的光刻方法首先,使用經(jīng)過掩?;蛘邟呙杈劢沟妮椛渚€或者電子束,輻射光致抗蝕劑組合物或掩膜,上述輻射線或電子束將會改變被曝光區(qū)域的抗蝕劑的化學結構;然后,再通過刻蝕的方法除去被曝光區(qū)域或者被曝光區(qū)域外的抗蝕劑,從而獲得特定的圖案。為了適應集成電路技術的迅猛發(fā)展,在現(xiàn)有的光學光刻技術上努力突破分辨率極限的同時,下一代光刻技術在最近幾年內獲得大量的研究。例如,深紫外光刻技術采用波長 13 14nm的光源和精度極高的反射式光學系統(tǒng),有效降低了折射系統(tǒng)中強烈的光吸收,但工藝繁雜、造價昂貴的光刻系統(tǒng),限制了該技術的應用。上世紀九十年代以來,一種新的納米圖形的制作工藝得到了發(fā)展(請參見Chou S Y,Krauss P R,Renstorm P. Imprint of sub 25nm vias and trenches inpolymers. Appl. Phys. Lett. ,1995,67(21) :3114-3116)。上述制作納米圖形的新技術,在本領域中被稱作納米壓印或者納米壓印平板印刷術。納米壓印是指采用繪有納米圖形的模板將基片上的抗蝕劑(resist)薄膜壓印納米圖形,再對基片上的納米圖形進行處理,如刻蝕、剝離等,最終制成具有納米結構的圖形和半導體器件。以納米壓印技術形成納米圖案的方法,通過采用具有納米圖形的硬性模板壓印抗蝕劑層形成納米圖案,而不需要依賴任何輻射曝光形成。所以,納米壓印技術可以消除在常規(guī)的光刻方法中所必須的比如對光的波長的限制,以及在抗蝕劑和基底內粒子的反向散射,和光干擾等限制條件,以實現(xiàn)更高的分辨率。因此,相對于光刻技術,納米壓印技術具有制作成本低、簡單易行、效率高的優(yōu)點,具有廣闊的應用前
旦
ο由于納米壓印技術通過機械方式使聚合物抗蝕劑變形,而不是通過改變平板印刷術的抗蝕劑的化學性能實現(xiàn)。因此,納米壓印技術對聚合物抗蝕劑具有較高的要求,即該聚合物抗蝕劑應為熱塑型或光固化型,且具有良好的成膜性,模量高,保持形變能力,且固化后容易脫模,使得模板與抗蝕劑分離后,該抗蝕劑仍然可以保留在基底?,F(xiàn)有技術中,納米壓印的抗蝕劑主要有,硅橡膠系列,環(huán)氧樹脂系列,丙烯酸酯系列,聚苯乙烯系列等。1998年6月30日公告的美國專利5,772,905,公開了一種聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)作為納米壓印抗蝕劑的技術方案,通過將聚甲基丙烯酸甲酯在硅片上旋轉澆鑄成膜,再采用熱壓的方法在基底上形成納米圖形。所公開的納米壓印的方法要求加熱納米壓印抗蝕劑(約200°C )使之產(chǎn)生塑性形變,然后再將納米壓印抗蝕劑冷卻(低于PMMA的玻璃化轉變溫度Tg,約105°C )固化成型后,除去模板從而形成納米級圖形。但是,由于聚甲基丙烯酸甲酯的玻璃化轉變溫度較高,使得該方法中的加熱溫度過高,使得該納米壓印抗蝕劑的力學穩(wěn)定性降低,與模板的粘附性強,難以脫模,得到的圖形不平整,使獲得的納米圖形的分辨率較低?,F(xiàn)有技術中,為了提高納米圖形的分辨率,在壓印之前,常常需要對模板進行預處理,但是模板的預處理過程繁雜,因此提高了納米壓印的工藝復雜度,以及成本, 該方法不利于實際應用。
發(fā)明內容
有鑒于此,確有必要提供一種獲得的圖形的保真度好,分辨率較高,且在室溫下即能進行壓印的納米壓印方法。一種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板,所述納米圖形包括多個凸部及多個凹槽,所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層;步驟b,通過壓印抗蝕劑HSQ貼合所述基底和模板,貼合時所述壓印抗蝕劑HSQ直接接觸所述模板的具有納米圖形的表面,并將壓印抗蝕劑HSQ夾持于該基底的抗蝕層與所述模板的所述表面之間;步驟c,在室溫下、通過在該基底和模板施加壓力,將模板表面的納米圖形復制到所述第二抗蝕層,在所述第二抗蝕層形成包括多個凸部及多個凹槽的納米圖形;以及步驟d,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。一種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底,在所述基底的一個表面依次形成一有機第一抗蝕層、一過渡層及一由壓印抗蝕劑HSQ構成的第二抗蝕層;步驟 b,提供一個表面具有納米圖形的模板,并將該模板表面的納米圖形,在室溫下復制到所述第二抗蝕層;步驟c,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。一種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板,所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層;步驟b,提供一表面具有納米圖形的模板,在該模板具有納米圖形的表面形成壓印抗蝕劑HSQ,以形成一第二抗蝕層;步驟c,將基底覆蓋于模板,使所述基底的過渡層與所述模板的覆蓋有壓印抗蝕劑HSQ的表面接觸, 常溫下壓所述模板及基底,并脫模;以及步驟d,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。與現(xiàn)有技術相比較,本發(fā)明納米壓印方法具有以下優(yōu)點其一,該所述第二抗蝕層由壓印抗蝕劑HSQ構成,其可以在室溫下進行壓印,該壓印抗蝕劑HSQ在后續(xù)制造工藝中固化產(chǎn)生交聯(lián),提高了模量。其二,由于該壓印抗蝕劑HSQ在室溫下粘附性小較易脫膜,可保證圖形的完整性及分辨率。其三,基底與第二抗蝕層之間形成有有機第一抗蝕層,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底過程中,對有機第一抗蝕層刻蝕過程對由壓印抗蝕劑 HSQ構成的第二抗蝕層只會發(fā)生固化交聯(lián),對第一抗蝕層起到有效的掩膜作用,減少了第一抗蝕層的納米圖形產(chǎn)生缺陷,保證了第一抗蝕層的納米圖形的分辨率和保真性。其四,本發(fā)明提供的納米壓印方法,其可在室溫下進行壓印,且模板無須預先處理,使得該方法工藝簡單,成本低。
圖1是本發(fā)明納米壓印方法的第一實施例的流程圖。
圖2是本發(fā)明納米壓印方法的第一實施例的工藝流程示意圖。圖3是本發(fā)明納米壓印方法的第二實施例的流程圖。圖4是本發(fā)明納米壓印方法的第二實施例的工藝流程示意圖。主要元件符號說明基底10,30
第一 抗蝕層110,310
過渡層120,320
第二.抗蝕層130,330
模板20,60
第— 凸部24,64
第— 凹槽26,66
第二.凸部14,34
第二.凹槽16,36
具有納米圖形的基底100,300
具體實施例方式以下將結合附圖詳細說明本發(fā)明提供的納米壓印方法。請參閱圖1及圖2,采用本發(fā)明提供的納米壓印方法的第一實施例,其包括以下步驟步驟S11,提供一基底10,在所述基底10的一個表面(未標示)依次形成一第一抗蝕層110、一過渡層120及一第二抗蝕層130。首先,在所述基底10的所述表面形成該第一抗蝕層110。提供一基底10,清洗該基底10 ;在基底10的一表面沉積有機抗蝕劑,后烘干以形成所述第一抗蝕層110。所述有機抗蝕劑可以采用絲網(wǎng)印刷法或旋涂法等沉積于所述基底 10上,形成所述第一抗蝕層110。本實施例中,所述有機抗蝕劑為正性抗蝕劑觀 520。所述基底10的材料可以為硬性材料,如硅、二氧化硅、氮化硅或氮化鎵,所述基底 10的材料還可以為柔性材料,如PSP、PMMA或PET。本實施例中,所述基底10的材料為硅,采用標準工藝清洗基底10后,于基底10的一個表面旋涂^P520,旋涂轉速為500轉/分鐘 6000轉/分鐘,時間為0. 5分鐘 1. 5 分鐘,然后在140°C 180°C烘烤3 5分鐘。從而在所述基底10的所述表面形成該第一抗蝕層110。該第一抗蝕層110的厚度為100納米 500內米。本實施例中,所述標準工藝為超凈間標準清洗工藝。其次,在第一抗蝕層110的遠離所述基底10的表面形成一過渡層120,以覆蓋所述第一抗蝕層110。所述過渡層120的材料為二氧化硅??梢酝ㄟ^濺射法或沉積法,在所述第一抗蝕層110上形成所述過渡層120。本實施例中,所述第一抗蝕層110上沉積玻璃態(tài)二氧化硅,形成一厚度為10納米 100納米的二氧化硅薄膜。最后,形成一第二抗蝕層130覆蓋所述過渡層120。
采用二氧化硅無機類壓印抗蝕劑Oiydrogen silsesquioxane,HSQ),通過液滴涂布、旋涂法等方法沉積于所述過渡層120,以形成第二抗蝕層130。本實施例中,將所述壓印抗蝕劑HSQ采用旋涂的方式涂布于所述過渡層120,旋涂轉速為2500轉/分鐘 7000轉/ 分鐘,旋涂時間為0. 5分鐘 2分鐘,該壓印抗蝕劑HSQ的旋涂在高壓下進行。該第二抗蝕層130的厚度為100納米 500納米,優(yōu)選的為100納米 300納米。該第二抗蝕層130 的厚度的控制也相當?shù)闹匾?jīng)實驗得知該壓印抗蝕劑HSQ固化后,其類似二氧化硅材料, 若其厚度過厚,則在后續(xù)工藝中刻蝕與去除較難;若其厚度過薄,則在后續(xù)工藝中難以滿足足夠的刻蝕選擇比。該壓印抗蝕劑HSQ具有可在室溫下壓印、結構穩(wěn)定性較佳、以及壓印分辨率可達到IOnm以下之高分辨率等特性。步驟S12,提供一個表面具有納米圖形的模板20,并將該模板20表面的納米圖形復制到所述第二抗蝕層130。首先,提供一表面具有納米圖形的模板20。該模板20的材料可為硬性材料,如鎳、硅或者二氧化硅。該模板20的材料也可為柔性材料,如PET、PMMA、PS、PDMS等。該模板20可以通過電子束曝光制備,模板20的表面形成有納米圖形,該納米圖形由模板20的表面的多個第一凸部M和多個第一凹槽沈構成。本實施例中,該模板20的材料為二氧化硅。其次,將模板20形成有納米圖形的表面與所述基底10上的第二抗蝕層130貼合, 常溫下壓所述模板20與基底10后,脫模。在常溫下,可以通過模板20向基底10施加壓力,使得所述模板20上的納米圖形轉移到第二抗蝕層130。具體地,使模板20形成有納米圖形的表面與所述基底10上的第二抗蝕層130貼合,并在真空度為1 X IO^mbar 1 X 10_5mbar,施加壓力為2磅/平方英尺 100磅/平方英尺(Psi)的壓印條件下,保持2 30分鐘,最后將模板20與基底10分離, 從而該模板20表面的納米圖形復制到所述第二抗蝕層130。所述第二抗蝕層130形成的納米圖形包括多個第二凹槽16和第二凸部14。且該第二凹槽16與所述第一凸部M對應,所述第二凸部14與所述第一凹槽沈對應。步驟S13,將所述納米圖形轉移至基底10,在所述基底10表面形成納米圖形。首先,刻蝕去除所述第二抗蝕層130的納米圖形的第二凹槽16底部殘留的壓印抗蝕劑HSQ和第二凹槽16底部的所述過渡層120,露出第一抗蝕層110??涛g去除所述第二凹槽16底部殘留的壓印抗蝕劑HSQ和第二凹槽16底部的過渡層120可以通過等離子體刻蝕的方法。本實施例中,可以采用碳氟(CF4)反應性等離子體刻蝕去除第二凹槽16底部殘留的壓印抗蝕劑HSQ和第二凹槽16底部的所屬過渡層120,露出第一抗蝕層110。具體地,將上述形成有納米圖形的基底10放置于反應性等離子體刻蝕系統(tǒng)中,該反應性等離子體刻蝕系統(tǒng)的一感應功率源產(chǎn)生CF4等離子體,CF4等離子體以較低的離子能量從產(chǎn)生區(qū)域擴散并漂移至所述基底10的第二抗蝕層130,此時該第二抗蝕層的第二凹槽16底部殘留的壓印抗蝕劑HSQ和第二凹槽16底部的所述過渡層120幾乎同步被所述CF4等離子體刻蝕。CF4 等離子體系統(tǒng)的功率是10瓦 150瓦,CF4等離子體的通入速率為2 100標況毫升每分 (standard-state cubic centimeter per minute, sccm),形成的氣壓為 1 15 中白,米用 CF4等離子體刻蝕時間為2秒 4分鐘。通過上述方法,第二凹槽16底部殘留的該壓印抗蝕劑 HSQ和第二凹槽16底部的所述過渡層120刻蝕掉,露出第一抗蝕層110,且所述第二抗蝕層 130的第二凸部14也同時被刻蝕變薄,進而能夠保持所述第二抗蝕層130和過渡層120的納米圖形的完整態(tài)。其次,去除第二凹槽16底部的第一抗蝕層110,露出基底10??梢圆捎醚醯入x子體去除第二凹槽16底部的第一抗蝕層110,從而露出基底10。 氧等離子體系統(tǒng)的功率是10瓦 150瓦,氧等離子體的通入速率為2 lOOsccm,形成的氣壓為0. 5帕 15帕,采用氧等離子體刻蝕時間為5秒 1分鐘。通過上述方法,第二凹槽 16底部的第一抗蝕層110被去除,露出基底10。采用氧等離子體刻蝕第一抗蝕層110過程中,與第二凹槽16對應的第一抗蝕層110被氧化而刻蝕掉,由壓印抗蝕劑HSQ構成的所述第二抗蝕層130在氧等離子體的作用下發(fā)生交聯(lián),與所述過渡層120 —并對所述第一抗蝕層110的與第二凹槽16對應部分以外的區(qū)域起到良好的掩膜作用,進而刻蝕過程中有效保持第一抗蝕層110的分辨率。最后,刻蝕第二凹槽16底部的基底10,并用有機溶劑去除殘留的有機材料,從而獲得一具有納米圖形的基底100。將上述基底10放置在一感應耦合等離子體系統(tǒng)中,此時第二凹槽16底部的基底 10沒有第一抗蝕層110的保護;以四氯化硅和氯氣為刻蝕氣體對基底10進行刻蝕,第二凹槽16底部的部分基底將被去除;用丙酮洗去殘留的有機殘留物,該第一抗蝕層Iio為有機物,從而被洗掉,覆蓋于第一抗蝕層110上的過渡層120和第二抗蝕層130也一并被除去, 從而獲得具有納米圖形的基底100。本實施例中,等離子體系統(tǒng)的功率是100瓦,氯氣的通入速率為20sccm 60sccm,四氯化硅的通入速率為20sccm 60sccm,形成氣壓為4帕 15帕,刻蝕第二凹槽16底部的基底10。請參閱圖3及圖4,采用本發(fā)明的納米壓印抗飾劑的納米壓印的方法的第二實施例,其包括以下步驟步驟S21,提供一基底30,在該基底30的表面依次形成第一抗蝕層310以及一過渡層320。本實施例中,基底30的材料與第一實施中的基底10的材料完全相同,第一抗蝕層 310及過渡層320的制作方法、結構、材料以及位置關系分別與第一實施例中的第一抗蝕層 110及過渡層120的制作方法、結構、材料以及位置關系完全相同。步驟S22,提供一表面具有納米圖形的模板60,在該模板60具有納米圖形的表面形成一第二抗蝕層330。本實施例中,所述具有納米圖形的模板60與第一實施例中的模板20完全相同, 該模板60的納米圖形由多個第一凹槽66以及第一凸部64構成。所述采用的第二抗蝕層 330同第一實施例中采用的第二抗蝕層130完全相同。具體地,可以取一定量的壓印抗蝕劑 HSQ,采用液滴涂布方法,緩慢滴在所述模板60具有納米圖形的表面,于密閉的環(huán)境下靜置 1 2個小時。步驟S23,將基底30覆蓋于模板60,使所述基底30的過渡層320與所述模板60 的覆蓋有壓印抗蝕劑HSQ的表面接觸,常溫下壓所述模板60及基底30,并脫模。具體地,將基底30覆蓋于模板60,使所述基底30的過渡層320與所述模板60覆蓋有由壓印抗蝕劑HSQ構成的第二抗蝕層330的表面接觸,并將所述覆蓋有基底30的模板 60放置于壓印機中;設置該壓印機的真空度為真空度為化瓜^虹 化瓜化虹,施加壓力為2磅/平方英尺 100磅/平方英尺(Psi)的壓印條件下,保持2 30分鐘,使壓印抗蝕劑HSQ充滿模板60的納米圖形中的凹槽66并粘附到基底30的過渡層320表面,將模板60與基底30分離,從而在基體30的過渡層320上形成一由第二抗蝕層330構成的納米圖形。該由第二抗蝕層330構成的納米圖形包括多個第二凹槽36以及第二凸部34。步驟S24,通過刻蝕的方法,將所述納米圖形轉移至基底30,在所述基底30表面形成納米圖形。首先,刻蝕去除第二抗蝕層330構成的納米圖形凹槽36底部殘留的壓印抗蝕劑 HSQ和第二凹槽36底部的過渡層320,露出第一抗蝕層310。其次,去除第二凹槽36底部的第一抗蝕層310,露出基底30。最后,刻蝕第二凹槽36底部的基底30,并用有機溶劑去除殘留的有機材料,從而獲得一具有納米圖形的基底300。本實施例中,上述將所述納米圖形轉移至基底30,在所述基底30表面刻蝕出納米圖形的方法與第一實施例中的方法相同。與現(xiàn)有技術相比較,本發(fā)明納米壓印方法具有以下優(yōu)點與現(xiàn)有技術相比較,本發(fā)明納米壓印方法具有以下優(yōu)點其一,該所述第二抗蝕層由壓印抗蝕劑HSQ構成,其可以在室溫下進行壓印,該壓印抗蝕劑HSQ在后續(xù)制造工藝中固化產(chǎn)生交聯(lián),提高了模量,且形變較小。其二,由于該壓印抗蝕劑HSQ在室溫下粘附性小較易脫膜(脫膜時什么狀態(tài)),保證了圖形的完整性及辨率。其三,基底與第二抗蝕層之間形成有有機第一抗蝕層,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底過程中,對有機第一抗蝕層刻蝕過程對由壓印抗蝕劑HSQ 構成的第二抗蝕層只會發(fā)生固化交聯(lián),對第一抗蝕層起到有效的掩膜作用,減少了第一抗蝕層的納米圖形產(chǎn)生缺陷,保證了第一抗蝕層的納米圖形的分辨率和保真性。其四,本發(fā)明提供的納米壓印方法,其可在室溫下進行壓印,且模板無須預先處理,使得該方法工藝簡單,成本低。另外,本領域技術人員還可在本發(fā)明精神內做其他變化,當然,這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化,都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內。
權利要求
1.一種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板,所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層;步驟b,通過壓印抗蝕劑HSQ貼合所述基底和模板,貼合時所述壓印抗蝕劑HSQ直接接觸所述模板的具有納米圖形的表面,并將壓印抗蝕劑HSQ夾持于該基底的抗蝕層與所述模板的所述表面之間,以形成第二抗蝕層;步驟c,在室溫下、通過在該基底和模板施加壓力,將模板表面的納米圖形復制到所述第二抗蝕層,在所述第二抗蝕層形成納米圖形;以及步驟d,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。
2.如權利要求1所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟a進一步包括在所述基底的第一抗蝕層的遠離所述基底的表面進一步沉積二氧化硅,以形成一過渡層的步驟。
3.如權利要求2所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟b中首先所述壓印抗蝕劑HSQ涂布于基底上,以形成所述第二抗蝕層,其次將所述模板的具有納米圖形的表面貼合至基底的第二抗蝕層。
4.如權利要求3所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟c的具體操作步驟包括將基底以及模板放置于一壓印機中,設置壓印機的真空度為IXKT11Iibar 1 X 1 (T5Hibar ;施加壓力為2磅/平方英尺 100磅/平方英尺(Psi)的壓印條件下,保持2 30分鐘,把模板的凸部壓到基底上的第二抗蝕層中,使第二抗蝕層的壓印抗蝕劑HSQ充滿模板的納米圖形中的凹槽;以及將模板與基底分離,從而將該模板表面的納米圖形復制到所述壓印抗蝕層。
5.如權利要求3所述的納米壓印的方法,其特征在于,將上述壓印抗蝕劑HSQ采用旋涂的方式涂布于所述過渡層,旋涂轉速為2500轉/分鐘 7000轉/分鐘,旋涂時間為0. 5 分鐘 2分鐘,該壓印抗蝕劑HSQ的旋涂在高壓下進行。
6.如權利要求2所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟b中首先所述壓印抗蝕劑HSQ涂布于所述模板具有納米圖形的表面,以形成所述第二抗蝕層,其次將基底覆蓋于模板。
7.如權利要求6所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟c的具體操作步驟包括將所述壓印抗蝕劑HSQ滴在所述模板形成有納米圖形的表面,于密閉的環(huán)境下靜置1 2個小時。
8.如權利要求7所述的納米壓印的方法,其特征在于,將上述壓印抗蝕劑HSQ采用液滴涂布方法,緩慢滴在所述模板具有納米圖形的表面。
9.如權利要求4或7所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟d的具體操作步驟為一并刻蝕殘留在所述第二抗蝕層的凹槽底部的壓印抗蝕劑HSQ及所述過渡層,露出凹槽底部的第一抗蝕層;刻蝕凹槽底部的第一抗蝕層,露出基底;以及刻蝕凹槽底部的基底,并用有機溶劑去除殘留的有機材料,從而獲得一具有納米圖形的基底。
10.如權利要求9所述的納米壓印的方法,其特征在于,所述步驟d中采用氧等離子體去除第二凹槽底部的第一抗蝕層,從而露出基底同時固化第二抗蝕層,氧等離子體系統(tǒng)的功率是10瓦 150瓦,氧等離子體的通入速率為2 lOOsccm,形成的氣壓為0. 5帕 15 帕,采用氧等離子體刻蝕時間為5秒 1分鐘。
11.一種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底,在所述基底的一個表面依次形成一有機第一抗蝕層、一過渡層及一由壓印抗蝕劑HSQ構成的第二抗蝕層;步驟b,提供一個表面具有納米圖形的模板,并將該模板表面的納米圖形,在室溫下復制到所述第二抗蝕層;步驟c,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。
12.—種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板,所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層;步驟b,提供一表面具有納米圖形的模板,在該模板具有納米圖形的表面形成壓印抗蝕劑HSQ,以形成一第二抗蝕層;步驟c,將基底覆蓋于模板,使所述基底的過渡層與所述模板的覆蓋有壓印抗蝕劑HSQ 的表面接觸,常溫下壓所述模板及基底,并脫模;以及步驟d,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。
全文摘要
本發(fā)明提供一種納米壓印方法,其包括以下步驟步驟a,提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板,所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層;步驟b,通過壓印抗蝕劑HSQ貼合所述基底和模板;步驟c,通過在該基底和模板施加壓力,將模板表面的納米圖形復制到所述第二抗蝕層,在所述第二抗蝕層形成包括多個凸部及多個凹槽的納米圖形;以及步驟d,將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底,在所述基底表面形成納米圖形。本發(fā)明提供的納米壓印方法工藝簡單,成本較低,獲得的納米圖形的圖保真度好,分辨率高。
文檔編號G03F7/00GK102279517SQ20101020076
公開日2011年12月14日 申請日期2010年6月14日 優(yōu)先權日2010年6月14日
發(fā)明者張立輝, 朱振東, 李群慶, 金元浩, 陳墨 申請人:清華大學, 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司