專利名稱：適合用來除去光刻膠、光刻膠副產(chǎn)物和蝕刻殘余物的組合物及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從基片上選擇性地除去光刻膠、光刻膠副產(chǎn)物和殘余物以及蝕刻殘余 物，該組合物特別用來選擇性地除去這些物質(zhì)，但是卻不會(huì)腐蝕暴露于該組合物之下的金 屬。另外，本發(fā)明涉及一些適合用來除去這些材料的組合物。
背景技術(shù)：
微電子組件的制造中，例如包括在制造集成電路的芯片和芯片的封裝時(shí)(用來連 接和保護(hù)芯片的制品)中的許多步驟是蝕刻過程。因此，近年來已經(jīng)開發(fā)了許多種不同種 類的蝕刻法來除去材料，有時(shí)是在選擇性的區(qū)域除去材料，這些蝕刻法得到了不同程度的 應(yīng)用。另外，對(duì)例如構(gòu)成最終集成電路芯片的不同層進(jìn)行蝕刻的步驟是最關(guān)鍵、最決定性的步驟。正性膠已經(jīng)被廣泛地用作掩模材料，用來在基片上形成圖案，和形成通路，從而能 夠隨后蝕刻圖案、或在基片中形成圖案。制造基片的最后步驟包括從基片上除去未曝光的 光刻膠材料。然而，另外使用等離子體蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻或離子銑在基片中形成圖案和形 成通路，這使得光刻膠掩模材料極難除去。例如，在高級(jí)DRAMS和具有線路互聯(lián)后端多層布線的邏輯裝置之類的復(fù)合半導(dǎo)體 設(shè)備中，用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)產(chǎn)生貫通層間電介質(zhì)的通路，從而使一個(gè)水平面上的硅、硅 化物或金屬布線與下一個(gè)水平面上的布線提供接觸。這些通路通常露出Al、AlCu、Cu、Ti、 TiN、Ta、TaN、硅或硅化物，例如鎢、鈦或鈷的硅化物。RIE法留下了復(fù)雜混合物的殘余物，該 殘余物可包括再濺射(resputtered)的氧化物材料，還可能含有來自用于形成通路的光刻 膠中的少量有機(jī)材料。同樣，在制造例如鋁、銅及其合金的導(dǎo)電線路時(shí)，導(dǎo)電線路上會(huì)有蝕刻殘余物，這 些殘余物必須除去。因此需要提供一種能夠除去光刻膠和蝕刻(特別是等離子體蝕刻、RIE或離子銑 蝕刻)產(chǎn)生的殘余物的選擇性方法。另外，需要提供一種能夠除去光刻膠蝕刻殘余物的選 擇性方法，相對(duì)于這種方法對(duì)也可能暴露于清洗組合物之下的金屬、硅、硅化物和/或淀積 的氧化物之類的內(nèi)層介質(zhì)的去除作用而言，該方法對(duì)殘余物具有高選擇性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠從基片上選擇性地除去光刻膠、光刻膠副產(chǎn)物、光刻膠殘余 物和/或蝕刻殘余物，而不會(huì)腐蝕也可能暴露于該組合物的金屬的組合物。另外，本發(fā)明提供具有最小金屬浸蝕速率的組合物。更具體地講，本發(fā)明涉及包含以下組成的組合物a)約25-75重量％的至少一種下式表示的胺=NR1R2R3,式中R^R2和R3各自獨(dú)立地 選自H、脂族基、醚基、烷基單胺、烷基二胺、烷基三胺、環(huán)中任選包含至少一個(gè)選自N、0和S 的其它雜原子的N雜環(huán)基；或至少一種化學(xué)式[NR4，R5, R6, R7]_0H表示的季銨化合物，式中 R4、R5, R6和R7各自獨(dú)立地為烷基；b)約10-25重量％羥胺；c)約0-32重量％有機(jī)稀釋劑；d)約 10-30 重量 ％水；并且該組合物的pH大于7。本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及一種用來從基片上除去后蝕刻殘余物、殘余的光刻膠和 /或光刻膠副產(chǎn)物的方法，該方法包括使基片與上述組合物接觸。本發(fā)明的又一個(gè)方面涉及從基片上除去光刻膠的方法，該方法包括使基片與上述 組合物接觸。通過以下詳述，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的，在 以下詳述中，通過簡(jiǎn)單地舉例說明本發(fā)明預(yù)期的最佳實(shí)施方式，僅顯示并描述了本發(fā)明的 優(yōu)選實(shí)施方式。人們將認(rèn)識(shí)到，在不背離本發(fā)明的基礎(chǔ)上，本發(fā)明可以有其它的不同實(shí)施方 式，也可在許多顯而易見的方面對(duì)本發(fā)明的一些細(xì)節(jié)進(jìn)行修改。因此，附圖和描述視為對(duì)本 發(fā)明的說明而非限制。


圖1是清洗之前具有側(cè)壁聚合物的金屬線路的SEM照片。圖2是用根據(jù)本發(fā)明的組合物對(duì)圖1的金屬線路進(jìn)行清洗之后的SEM照片。圖3是清洗之前具有蝕刻殘余物的后蝕刻通路的SEM照片。圖4是用根據(jù)本發(fā)明的組合物對(duì)圖3的后蝕刻通路進(jìn)行清理之后的SEM照片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及選擇性地除去光刻膠和/或蝕刻殘余物，特別是但不限于由反應(yīng)離子 蝕刻產(chǎn)生的殘余物。另外，所述光刻膠和/或蝕刻殘余物存在于也包括金屬、硅、硅酸鹽和 /或沉積二氧化硅之類內(nèi)層(interlevel)介電材料的制品之上或之內(nèi)，所述光刻膠和/或 殘余物與金屬、硅、硅化物和/或內(nèi)層介電材料都將與清洗組合物相接觸。所述金屬通常為 銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鋁和/或鋁合金。根據(jù)本發(fā)明除去的殘余物優(yōu)選為，但 不限于受到反應(yīng)離子蝕刻處理的殘余物。本發(fā)明的組合物通常包含約25-75重量％，更通常約25_40重量％，優(yōu)選約25_30 重量％的至少一種化學(xué)式NR1R2R3表示的胺，式中禮、R2和R3各自獨(dú)立地選自H、脂族基、醚 基、烷基單氨基、烷基二氨基、烷基三氨基、環(huán)中任選地包含至少一個(gè)選自N、0和S的另外的 雜原子的N雜環(huán)基；或至少一種化學(xué)式[NR4R5R6R7FOH表示的季銨化合物，式中R4、R5、R6和 R7各自獨(dú)立地是烷基。合適的脂族基包括直鏈或支鏈的烷基、亞烷基、炔基、芳基、芳基_烷基、烷基_芳基和取代芳基。醚基包括通常包含1-12個(gè)碳原子的丙烯酸醚。氨基包括伯胺、仲胺和叔胺，以及高級(jí)烷基氨基官能團(tuán)，例如二胺和三胺。下面列出了用來描述本發(fā)明的各種術(shù)語(yǔ)的定義。除非有特殊情況下(單獨(dú)的基團(tuán) 或更大基團(tuán)的一部分)的限制，這些術(shù)語(yǔ)的定義將用于本說明書全文。術(shù)語(yǔ)“烷基”表示1-20個(gè)碳原子，優(yōu)選1-8個(gè)碳原子的直鏈或支鏈未取的代烴基。 短語(yǔ)“低級(jí)烷基”表示1-4個(gè)碳原子的烷基。術(shù)語(yǔ)“烯基”和“炔基”表示通常包含2-8個(gè)碳原子的直鏈或支鏈不飽和烴基。術(shù)語(yǔ)“芳基”表示在環(huán)部分中包含6-12個(gè)碳原子的單環(huán)或雙環(huán)芳烴基團(tuán)，例如苯
基、萘基、聯(lián)苯基和二苯基，這些基團(tuán)可被取代。一些單環(huán)雜環(huán)基團(tuán)的例子通常在環(huán)中包含5或6個(gè)原子，包括嗎啉基 (morpho 1 ino)、哌嗪、異噻唑、咪唑啉、吡唑啉、吡唑烷、嘧啶、吡嗪。一些醚基的例子為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧 基和叔丁氧基。合適的烷基的例子包括甲基、乙基和丙基。優(yōu)選的芳基為苯基。術(shù)語(yǔ)“芳烷基”或“烷基芳基”表示與烷基直接相連的芳基，例如芐基或苯乙基。術(shù) 語(yǔ)“取代芳基”或“取代烷基芳基”表示例如被1-4個(gè)以下取代基取代的芳基或烷基芳基 例如烷基；取代烷基、鹵素、三氟甲氧基、三氟甲基、羥基、烷氧基、疊氮基、環(huán)烷氧基、雜環(huán)氧 基、烷?；?、烷酰氧基、氨基、烷基氨基、芳烷基氨基、羥烷基、氨基烷基、疊氮基烷基、烯基、 炔基、丙二烯基(allenyl)、環(huán)烷基氨基、雜環(huán)氨基、二烷基氨基、硫醇、烷基硫代、環(huán)烷基硫 代、雜環(huán)硫代、脲基、硝基、氰基、羧基、羧基烷基、氨基甲酰、烷氧羰基、烷基硫羰、芳基硫羰、 烷基磺酰、磺酰胺、芳氧基等。這些取代基還可被商素、羥基、烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、 取代烷基或芳烷基取代。“取代芐基”表示例如被上述用來取代苯基的任意基團(tuán)取代的芐 基。根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選使用的胺是氨基丙基嗎啉之類的氨基烷基嗎啉類和氨基乙基哌 嗪之類的氨基烷基哌嗪類。本發(fā)明的組合物通常還包含約5-25重量％，更通常約10-20重量％，優(yōu)選約12_18 重量％的羥胺。羥胺的化學(xué)式為nh2OH。本發(fā)明的組合物通常還包含約0-32重量％，更通常約10-30重量％，優(yōu)選約15_30 重量％，最優(yōu)選約20-30重量％的有機(jī)稀釋劑。該有機(jī)稀釋劑可與水互溶。通常根據(jù)本發(fā) 明所用的有機(jī)稀釋劑是醇，更具體來說是至少一種下式表示的醇R11-(CHOH)n-R12 ；R11-(CHOH) n-R12- (CH2OH) m_R13 禾口R11-(CHOH)n(CR12OH)mR13，式中η是1-20的整數(shù)，優(yōu)選為1-4的整數(shù)，m為1-20的整 數(shù)，優(yōu)選為1-4的整數(shù)，R11, R12和R13各自獨(dú)立地為H、烷基、芳基或烷氧基。合適的烷基例子為包含1-20個(gè)碳原子、優(yōu)選1-8個(gè)碳原子、最優(yōu)選1-4個(gè)碳原子 的直鏈或支鏈未取代烴基。合適的芳基包括環(huán)部分中包含6-12個(gè)碳原子的單環(huán)或雙環(huán)烴基，例如苯基、萘基；聯(lián)苯基和二苯基。優(yōu)選的芳基為苯基。合適烷基的例子包括甲基、乙基和丙基。通常烷氧基包含1-12個(gè)碳原子。一些烷氧基的例子為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁 氧基、異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基和叔丁氧基?！┏Ｒ?guī)的有機(jī)稀釋劑的例子為丙二醇、二縮三丙二醇甲基醚、1，4_ 丁二醇、丙二 醇丙醚、二甘醇正丁醚(例如可在市場(chǎng)上購(gòu)得的商品名為Dowanol DB的二甘醇正丁醚)，己 氧基丙基胺、聚(氧乙烯)二胺和四氫糠醇(THFA)。優(yōu)選的稀釋劑為醇。需要時(shí)可使用稀釋劑的混合物。根據(jù)本發(fā)明的組合物還可任選地包含緩蝕劑。優(yōu)選當(dāng)該組合物用于金屬基材時(shí)使 用緩蝕劑。緩蝕劑的例子為芳香族羥基化合物、炔醇、含羧基的化合物及其酸酐和三唑化合 物。示例性的芳香族羥基化合物包括苯酚、甲酚、二甲苯酚、鄰苯二酚、間苯二酚、對(duì)苯 二酚、連苯三酚、1. 2. 4-苯三酚(benzenetriol)、水楊醇、對(duì)羥基芐醇、鄰羥基芐醇、對(duì)羥基 苯乙醇、對(duì)氨基苯酚、間氨基苯酚、二氨基苯酚、氨基間苯二酚、對(duì)羥基苯甲酸、鄰羥基苯甲 酸、2，4-二羥基苯甲酸、2-5-二羥基苯甲酸、3，4-二羥基苯甲酸和3，5-二羥基苯甲酸。
示例性的炔醇包括2- 丁炔-1，4- 二醇、3，5- 二甲基-1-己炔-3-醇、2-甲基-3- 丁 炔-2-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3，6-二甲基-4-辛炔-3，6-二醇，2，4-7，9-四甲基-5-癸 炔-4，7-二醇和2，5-二甲基-3-己炔2，5-二醇。示例性的含羧基的有機(jī)化合物及其酸酐包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、乙二 酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、馬來酸、富馬酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、1，2，3-苯三甲酸、羥基乙 酸、乳酸、蘋果酸和檸檬酸、乙酸酐和水楊酸。示例性的三唑化合物包括苯并三唑、鄰甲苯三唑、間甲苯三唑、對(duì)甲苯三唑、羧基 苯并三唑、1-羥基苯并三唑、硝基苯并三唑和二羥基丙基苯并三唑。優(yōu)選的緩蝕劑為鄰苯二酚、五倍子酸、連苯三酚、4-甲基鄰苯二酚富馬酸和二乙基 羥胺(DEHA)。當(dāng)使用緩蝕劑時(shí)，緩蝕劑的含量通常約為1-25重量％，更通常約1-7重量％，優(yōu)選 約為3-5重量％ .該組合物也包含水。水的量通常約10-30重量％。本發(fā)明組合物的pH通常大于7，更通常約為7. 5-13。本發(fā)明的組合物不含或至少基本不含鏈烷醇胺(即最多可包含小于10%的鏈烷 醇胺)。本發(fā)明的組合物能夠有效地除去很多種正性光刻膠，例如含酯或鄰萘醌的光刻膠 和線型酚醛清漆類的粘合劑，以及含嵌段的聚羥基苯乙烯或聚羥基苯乙烯與光致生酸劑共 聚物的化學(xué)放大的光刻膠。具有本發(fā)明去膠組合物的去膠組合物能夠有效將其從基片上 除去的、而且可在市場(chǎng)上購(gòu)得的光刻膠組合物的例子包括Clariant有限公司的AZ 1518， AZ 4620，Shipley 有限公司的光刻膠 S1400，APEX-E 正性 DUV，UV5 正性 DUV，Megaposit SPRTM 220系列JSR微電子光刻膠KRF 系列，ARF 系列；和Tokyo Ohka Kogyo有限 公司的光刻膠TSCR系列和TDUR-P/N系列。
本發(fā)明組合物能夠從其上除去光刻膠和/或蝕刻后殘余物，而不會(huì)腐蝕基片本身 的基片包括鋁鈦/鎢和鋁/硅、鋁/硅/銅之類的金屬基片；以及二氧化硅、氮化硅和砷化 鎵之類的基片。根據(jù)本發(fā)明的除去光刻膠和/或后蝕刻殘余物的方法可包括將光刻膠施涂在基 片上形成光刻膠層；通過掩模圖案使施涂的光刻膠層曝光，并通過常用的方法使曝光的光 刻膠層顯影形成光刻膠圖案；通過已知的方法使基片貫穿(thorugh)光刻膠圖案；任選地 任選地進(jìn)行其它改性處理，例如灰化和離子注入；通過浸入之類的合適方法使基片與本發(fā) 明的光刻膠組合物接觸。以下實(shí)施例用來進(jìn)一 步說明本發(fā)明，但是并與
實(shí)施例1
丙二醇20. 00%
氨基丙基嗎啉(APM)39. 20%
羥胺(50% )36. 10%
鄰苯二酚4. 70%
實(shí)施例2
丙二醇20. 00%
氨基丙基嗎啉(APM)36. 50%
羥胺(50% )32. 00%
水10. 00%
五倍子酸1. 50%
實(shí)施例3
組分組成
二縮三丙二醇甲基醚(t-PGME)20. 00%
氨基丙基嗎啉(APM)36. 50%
羥胺(50% )32. 00%
水10. 00%
五倍子酸1. 50%
實(shí)施例4
組成
1，4_ 丁二醇29. 60%
氨基丙基嗎啉(APM)29. 60%
羥胺(50% )36. 10%
鄰苯二酚4. 70%
實(shí)施例5
組成
Dowanol DB29. 60%
氨基丙基嗎啉(APM)29. 60%羥胺(50% ) 鄰苯二酚 實(shí)施例6
m._
36. 10% 4. 70%
遞
丙二醇丙醚(PGPE) 氨基丙基嗎啉 羥胺(50% ) 鄰苯二酚 實(shí)施例7
m._
20. 00%
39. 20%
36. 10% 4. 70%
遞
丙二醇
氨基丙基嗎啉(APM) 羥胺(50% ) 水
鄰苯三酚 實(shí)施例8
m._
20. 00% 35. 00% 32. 00% 10. 00% 3. 00%
遞
丙二醇
氨基丙基嗎啉(APM) 羥胺(50% ) 水
五倍子酸 鄰苯二酚 實(shí)施例9
組分_
28. 00% 28. 00% 31. 00% 9. 00% 2. 00% 2. 00%
成
組
丙二醇28.50%
氨基乙基哌嗪(piperzine)28. 50%
羥胺(50%)31.00%
水8.00%
4-甲基鄰苯二酚4.00% 實(shí)施例10
組分_BM
丙二醇
二亞乙基三胺 羥胺(50% ) 水
五倍子酸 鄰苯二酚
28. 00% 28. 00%
31. 00% 8. 00% 2. 50% 2. 50%
測(cè)試上述制劑的腐蝕速率。根據(jù)ASTM步驟F533-02a用于測(cè)試硅芯片厚度和厚度
9變化的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試法測(cè)量當(dāng)基片暴露于本發(fā)明的制劑時(shí)，緩蝕劑的抗腐蝕能力。一些鋁和鈦 的腐蝕速率結(jié)果如下 測(cè)試在75°C下進(jìn)行。結(jié)果的單位為A/分鐘。進(jìn)行了清洗試驗(yàn)，在此試驗(yàn)中使具有蝕刻后殘余物的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明的組合物接 觸，然后用去離子水洗，再用N2干燥。對(duì)比圖1和圖2，圖1顯示用本發(fā)明的組合物清洗之 前的具有側(cè)壁聚合物的金屬線路的掃描電子顯微照片，圖2顯示在65°C用實(shí)施例2的組合 物清洗15分鐘的金屬線路的掃描電子顯微照片。對(duì)比圖3和圖4，圖3顯示用本發(fā)明的組合物清洗之前的具有蝕刻殘余物的后蝕刻 通路的掃描電子顯微照片，圖4顯示在75°C用實(shí)施例2的組合物清洗15分鐘的后蝕刻通路 的掃描電子顯微照片。本發(fā)明以上的描述舉例說明并描述了本發(fā)明。另外，說明書僅顯示和描述了本發(fā) 明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是如上所述，應(yīng)理解可將本發(fā)明用于各種其它組合、改變和環(huán)境中， 能夠在本文所述的本發(fā)明范圍之內(nèi)、在上述內(nèi)容的等價(jià)內(nèi)容之內(nèi)和/或在相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù) 或知識(shí)范圍內(nèi)對(duì)其進(jìn)行改變和修改。上文所述的實(shí)施方式是用來進(jìn)一步解釋已知的實(shí)施本 發(fā)明的最佳實(shí)施方式，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在這些或其它實(shí)施方式中應(yīng)用本發(fā)明， 并且根據(jù)本發(fā)明的特定應(yīng)用或用途對(duì)其進(jìn)行各種修改。因此，本發(fā)明并不限于所公開的內(nèi) 容。同樣，同樣地，應(yīng)理解附加的權(quán)利要求書也包括作為替代的實(shí)施方式。
權(quán)利要求
一種不含鏈烷醇胺的組合物，所述組合物包含a)至少一種胺，它包括氨基烷基嗎啉；b)羥胺；c)有機(jī)稀釋劑；d)水；e)腐蝕抑制劑；所述組合物的pH大于7。
2.如權(quán)利要求1所述的組合物，它還包括另一種通式NR1R2R3表示的胺，其中，禮、&和 R3各自選自H、脂族基團(tuán)、醚基團(tuán)、胺基團(tuán)和芳基；N是雜環(huán)基團(tuán)，它任選地含有至少一個(gè)選 自N、0和S的附加的環(huán)雜原子；或至少一種化學(xué)式[NR4R5R6R7]_0H表示的季銨化合物，式中 R4> R5> R6和R7各自獨(dú)立地為烷基。
3.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于所述氨基烷基嗎啉是氨基丙基嗎啉。
4.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于所述有機(jī)稀釋劑包括可與水互溶的醇。
5.如權(quán)利要求4所述的組合物，其特征在于所述的醇由以下化學(xué)式中的至少一個(gè)表示R11-(CHOH)n-R12 ； R11-(CHOH)n-R12-(CHOH)m-R13 ； R11-(CHOH)n(CR12OH)mR13 ； 式中η為1-20的整數(shù) m為1-20的整數(shù)，Rn、R12和R13各自獨(dú)立地為H、烷基、芳基或烷氧基。
6.如權(quán)利要求4所述的組合物，其特征在于所述的醇包括以下醇類中的至少一種丙 二醇、二縮三丙二醇甲基醚、1，4_ 丁二醇、丙二醇丙醚、二甘醇正丁醚、己氧基丙基胺、聚 (氧乙烯)二胺和四氫糠醇。
7.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于所述腐蝕抑制劑包括選自以下化合物的至 少一種鄰苯二酚、4-甲基鄰苯二酚、富馬酸、五倍子酸和連苯三酚。
8.如權(quán)利要求1所述的組合物，其pH為7.5-13。
9.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于所述有機(jī)稀釋劑包括至少一種選自己氧基 丙胺、聚(氧乙烯)二胺及其混合物的試劑。
10.一種從基片上除去蝕刻后殘余物、殘留光刻膠和/或光刻膠副產(chǎn)物的方法，包括使 其上帶有蝕刻殘余物、殘留光刻膠和光刻膠副產(chǎn)物中至少一種的基片與一種不含鏈烷醇胺 的組合物接觸，所述組合物包括a)至少一種胺，它包括氨基烷基嗎啉；b)羥胺；c)有機(jī)稀釋劑；d)水；e)腐蝕抑制劑； 所述組合物的PH大于7。
11. 一種從基片上除去光刻膠的方法，該方法包括使其上帶有光刻膠的基片與不含鏈 烷醇胺的組合物接觸，該組合物包括a)至少一種胺，它包括氨基烷基嗎啉；b)羥胺；c)有機(jī)稀釋劑；d)水；e)腐蝕抑制劑； 所述組合物的PH大于7。
全文摘要
公開了一種不含鏈烷醇胺的組合物，所述組合物包含a)至少一種胺，它包括氨基烷基嗎啉；b)羥胺；c)有機(jī)稀釋劑；d)水；e)腐蝕抑制劑；所述組合物的pH大于7。還公開了用所述組合物從基片上除去光刻膠、光刻膠副產(chǎn)物和殘余物，以及蝕刻殘余物的方法。
文檔編號(hào)G03F7/26GK101916052SQ20101025176
公開日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2004年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者D·L·德拉姆, 里克爾 J·M, T·維德 申請(qǐng)人:空氣產(chǎn)品及化學(xué)制品股份有限公司