專利名稱：光學器件及其制造方法和母板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學器件及其制造方法、以及在光學器件中使用的母板的制造方法， 具體而言，涉及具有在其上以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距配置通過凸部或凹部所形 成的多個結(jié)構(gòu)體的表面的光學器件。
背景技術(shù)：
通常，在使用由玻璃、塑料等構(gòu)成的透明基板的一些光學器件中，執(zhí)行表面處理， 從而抑制光線的表面反射。作為這種類型的表面處理，存在在光學器件的表面上形成微 小致密的凹凸(蛾眼)的處理(例如，見“Optical and Electro-Optical Engineering Contact”，Vol. 43，No. 11(2005)，ρ 630—637)。通常，在周期性凹凸形狀被配置在光學器件的表面上的情況下，當光透射通過凹 凸形狀時，發(fā)生衍射。因此，透射光的直線傳播組分大量減少。但是，在凹凸形狀的節(jié)距小 于透射光的波長的情況下，不發(fā)生衍射。因此，例如，如隨后所述，當凹凸形狀形成為矩形形 狀時，對于相應(yīng)于節(jié)距、深度等的單一波長的光能夠獲取有效的防反射效果。作為通過使用電子束曝光所制備的蛾眼結(jié)構(gòu)，披露了具有微小帳篷形狀的蛾眼 結(jié)構(gòu)(節(jié)距約為300nm ；深度約為400nm)(例如，見網(wǎng)上NTT Advanced Technology Corporation "Molding DieMaster for Antireflection Bodies(Moth Eye)That Do Not HaveDependency on the Wavelength", 2008 年 2 月 27 日檢索，網(wǎng)址 http //keytech. ntt-at. co. jp/nano/prd_0033.html)。根據(jù)這種蛾眼結(jié)構(gòu)，能夠獲取具有等于或小于的 反射率的高性能的防反射特性。

發(fā)明內(nèi)容
但是，近來，為了改進諸如液晶顯示裝置的各種顯示裝置的可視性，期望實現(xiàn)更好 的防反射特性。另外，在CCD(電荷耦合器件)圖像傳感器件、CMOS(互補金屬氧化物半導 體)圖像傳感器件、光電二極管(PD)等的封裝件中，使用蓋玻片。因此，也期望改進蓋玻片 的防反射特性。期望提供一種具有優(yōu)異的防反射特性的光學器件及其制造方法、及在該光學器件 中使用的母板的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件。該光學器 件包括基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部構(gòu)成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距 配置在基底的表面上。多個結(jié)構(gòu)體被配置為在基底表面上形成多列軌跡，并形成準六方 點陣圖案、四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且結(jié)構(gòu)體對基底表面的填充率等于或高于65%。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件。該光學器 件包括基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部構(gòu)成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距 配置在基底的表面上。多個結(jié)構(gòu)體被配置為在基底表面上形成多列軌跡，并形成準六方點 陣圖案，并且當同一軌跡內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且結(jié)構(gòu)體的底面在軌跡方向 上的直徑為2r時，直徑2r與配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或高于85%。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件。該光學器 件包括基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部構(gòu)成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距 配置在基底的表面上。多個結(jié)構(gòu)體被配置為在基底表面上形成多列軌跡，并形成四方點陣圖案或準四方 點陣圖案，并且當同一軌跡內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pi并且結(jié)構(gòu)體的底面在軌跡方 向上的直徑為2r時，直徑2r與配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或高于90%。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件的母板的制 造方法。該方法包括以下步驟在具有圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的母板的圓周面上形 成抗蝕層；通過在旋轉(zhuǎn)其中形成了抗蝕層的母板并且平行于具有圓柱體形狀或空心圓柱體 形狀的母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，將激光束間歇照射在抗蝕層上，從而 形成具有小于可見光波長的節(jié)距的潛像；通過顯影抗蝕層而在母板的表面上形成抗蝕圖 案；并且通過使用抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理在母板表面上形成具有凹狀或凸狀的結(jié) 構(gòu)體。在形成潛像時，潛像被配置為在母板表面上形成多列軌跡，并形成準六方點陣圖案、 四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且結(jié)構(gòu)體對母板表面的填充率等于或高于65%。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件的母板的制 造方法。該方法包括以下步驟在具有圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的母板的圓周面上形 成抗蝕層；通過在旋轉(zhuǎn)其中形成了抗蝕層的母板并且平行于具有圓柱體形狀或空心圓柱體 形狀的母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，將激光束間歇照射在抗蝕層上，從而 形成具有小于可見光波長的節(jié)距的潛像；通過顯影抗蝕層而在母板的表面上形成抗蝕圖 案；并且通過使用抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理在母板表面上形成具有凹狀或凸狀的結(jié) 構(gòu)體。在形成潛像時，潛像被配置為在母板表面上形成多列軌跡，并形成準六方點陣圖案， 并且當同一軌跡內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且結(jié)構(gòu)體在軌跡方向上的直徑為2r 時，直徑2r與配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl)X100)等于或高于85%。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件的母板的制 造方法。該方法包括以下步驟在具有圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的母板的表面上形成 抗蝕層；通過在旋轉(zhuǎn)其中形成了抗蝕層的母板并且平行于具有圓柱體形狀或空心圓柱體形 狀的母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，將激光束間歇照射在抗蝕層上，從而形 成具有小于可見光波長的節(jié)距的潛像；通過顯影抗蝕層而在母板的表面上形成抗蝕圖案； 并且通過使用抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理在母板表面上形成具有凹狀或凸狀的結(jié)構(gòu) 體。在形成潛像時，潛像被配置為在基底表面上形成多列軌跡，并形成四方點陣圖案或準四 方點陣圖案，并且當同一軌跡內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且結(jié)構(gòu)體在軌跡方向上 的直徑為2r時，直徑2r與配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或高于64%。根據(jù)本發(fā)明另一實施方式，提供了一種具有防反射功能的光學器件的制造方法。
6該方法包括以下步驟在具有圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的母板的圓周面上形成抗蝕 層；通過在旋轉(zhuǎn)其中形成了抗蝕層的母板并且平行于具有圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的 母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，將激光束間歇照射在抗蝕層上，從而形成具 有小于可見光波長的節(jié)距的潛像；通過顯影抗蝕層而在母板的表面上形成抗蝕圖案；通過 使用抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理在母板表面上形成具有凹狀或凸狀的結(jié)構(gòu)體；并且通 過使用形成了結(jié)構(gòu)體的母板來制備其上轉(zhuǎn)印有結(jié)構(gòu)體的光學器件。在形成潛像時，潛像被 配置為在母板表面上形成多列軌跡，并形成準六方點陣圖案、四方點陣圖案或準四方點陣 圖案，結(jié)構(gòu)體的轉(zhuǎn)印包括在基底上形成包含硅氧烷樹脂的樹脂層，并且通過將母板壓向樹 脂層而轉(zhuǎn)印母板的結(jié)構(gòu)體，并且結(jié)構(gòu)體對母板表面的填充率等于或高于65%。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，優(yōu)選以四方點陣形狀或準四方點陣形狀周期性地配置主 結(jié)構(gòu)體。此處，四方點陣形狀表示具有正方形形狀的點陣。與四方點陣形狀不同，準四方點 陣形狀表示具有扭曲的正方形形狀的點陣。例如，在結(jié)構(gòu)體配置成直線的情況下，準四方點陣表示通過在成直線的配置方向 (軌跡方向)上拉伸具有正方形形狀的點陣所獲取的扭曲的四方點陣。在結(jié)構(gòu)體曲折配置 的情況下，準四方點陣表示具有由于結(jié)構(gòu)體的曲折配置而被扭曲的正方形形狀的點陣?？?選地，準四方點陣表示在成直線的配置方向(軌跡方向)上通過直線拉伸具有正方形形狀 的點陣被扭曲和根據(jù)結(jié)構(gòu)體的曲折配置被扭曲的四方點陣。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，優(yōu)選以六方點陣形狀或準六方點陣形狀周期性地配置結(jié) 構(gòu)體。此處，六方點陣表示具有正六邊形的點陣。與具有正六邊形的點陣不同，準六方點陣 表示具有扭曲的正六邊形的點陣。例如，在結(jié)構(gòu)體配置成直線的情況下，準六方點陣表示通過在成直線的配置方向 (軌跡方向)上拉伸具有正六邊形的點陣被扭曲的六方點陣。在結(jié)構(gòu)體曲折配置的情況下， 準六方點陣表示通過使具有正六邊形的點陣根據(jù)結(jié)構(gòu)體的曲折配置所獲取的扭曲的六方 點陣。可選地，準六方點陣表示通過在成直線的配置方向(軌跡方向上)直線拉伸具有正 六邊形形狀的點陣被扭曲和根據(jù)結(jié)構(gòu)體的曲折配置被扭曲的六方點陣。在本發(fā)明的實施方式中，橢圓形不僅包括數(shù)學上定義的正橢圓，而且包括或多或 少被扭曲的橢圓。另外，圓形不僅包括數(shù)學上定義的正圓形，而且包括或多或少被扭曲的圓 形。在本發(fā)明的實施方式中，優(yōu)選同一軌跡內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距Pl比兩個相鄰軌 跡之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P2更大。因此，可以提高具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體 的填充率，因此，能夠改進防反射特性。在本發(fā)明的實施方式中，在結(jié)構(gòu)體在基底表面上形成六方點陣圖案或準六方點陣 圖案的情況下，當同一軌跡內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的多 個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時，優(yōu)選P1/P2滿足關(guān)系1. 00 ( P1/P2 < 1. 1或1. 00 < Pl/ P2 ( 1. 1。通過允許這樣數(shù)字范圍內(nèi)的比率，能夠提高具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的結(jié)構(gòu) 體的填充率，從而能夠提高防反射特性。在本發(fā)明的實施方式中，在結(jié)構(gòu)體在基底表面上形成六方點陣圖案或準六方點陣 圖案的情況下，優(yōu)選每個結(jié)構(gòu)體具有在軌跡的延伸方向上的主軸，并且具有橢圓錐形或橢 圓錐臺形，其中，中央部的傾角形成為比前端部或底部更陡。通過形成這種形狀，能夠提高防反射特性和透射特性。在根據(jù)本發(fā)明的實施方式中，在結(jié)構(gòu)體在基底表面上形成六方點陣圖案或準六方 點陣圖案的情況下，優(yōu)選在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體的高度或深度小于在軌跡的列方向上 的結(jié)構(gòu)體的高度或深度。在沒有滿足這種關(guān)系的情況下，軌跡延伸方向上的配置節(jié)距增大。 因此，在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體的填充率降低。當填充率如此降低時，反射特性劣化。在本發(fā)明的實施方式中，在結(jié)構(gòu)體在基底的表面上形成四方點陣圖案或準四方點 陣圖案的情況下，優(yōu)選同一軌跡內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距Pl比兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體 的配置節(jié)距P2更大。因此，能夠提高具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體的填充率，因此， 能夠提高防反射特性。在結(jié)構(gòu)體在基底表面上形成四方點陣圖案或準四方點陣圖案的情況下，優(yōu)選當同 一軌跡內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2 時，P1/P2的比率滿足條件1. 4 < P1/P2 ( 1. 5。通過允許這樣數(shù)字范圍的比率，能夠提高 具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體的填充率，因此，能夠提高防反射特性。在結(jié)構(gòu)體在基底表面上形成四方點陣圖案或準四方點陣圖案的情況下，優(yōu)選每個 結(jié)構(gòu)體具有在軌跡延伸方向上的主軸并具有橢圓錐形或橢圓錐臺形，其中，中央部的傾角 形成為比前端部或底部更陡。通過形成這樣的形狀，能夠提高防反射特性和透射特性。在結(jié)構(gòu)體在基底表面上形成四方點陣圖案或準四方點陣圖案的情況下，優(yōu)選在相 對于軌跡45度或約45度的方向上的結(jié)構(gòu)體的高度或深度小于在軌跡的列方向上的結(jié)構(gòu)體 的高度或深度。在沒有滿足這種關(guān)系的情況下，相對于軌跡45度或約45度方向上的配置 節(jié)距增大。因此，在相對于軌跡45度或約45度方向上的結(jié)構(gòu)體的填充率降低。當填充率 如此降低時，反射特性劣化。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，以微小節(jié)距配置在基底表面上的多個結(jié)構(gòu)體形成多列的 軌跡，并且在三個相鄰軌跡之間形成六方點陣圖案、準六方點陣圖案、四方點陣圖案或準四 方點陣圖案。因此，該表面上的結(jié)構(gòu)體的填充密度能夠增大。因此，可見光的防反射效率增 大，從而能夠獲取具有優(yōu)異的防反射特性和極高透射率的光學器件。另外，當用于光盤的記 錄技術(shù)被用于制造結(jié)構(gòu)體時，能夠以短時間高效地制造用于制造光學器件的母板，并且能 夠輕松實現(xiàn)基底尺寸的增大。因此，能夠提高光學器件的產(chǎn)率。另外，在結(jié)構(gòu)體的微小配置 不僅設(shè)置在光入射面上而且設(shè)置在光出射面上的情況下，能夠進一步提高透射特性。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)具有優(yōu)異的防反射特性的光學器件。


圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖IB是示出了圖IA中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖IC是沿著圖IB所示 的軌跡T1、T3、…所截取的截面圖。圖ID是沿著圖IB所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截取的截 面圖。圖IE是表示用于形成相應(yīng)于圖IB所示的軌跡Τ1、Τ3、…的替像的激光束的調(diào)制波 形的概略線圖。圖IF是表示用于形成相應(yīng)于圖IB所示的軌跡Τ2、Τ4、…的潛像的激光束 的調(diào)制波形的概略線圖。圖2是圖IA所示的光學器件的局部的放大透視圖。圖3Α是圖IA所示的光學器件在軌跡的延伸方向上的截面圖。圖3Β為圖IA所示
8的光學器件在θ方向上的截面圖。圖4是圖IA所示的光學器件的局部的放大透視圖。圖5是圖IA所示的光學器件的局部的放大透視圖。圖6是圖IA所示的光學器件的局部的放大透視圖。圖7是示出了在結(jié)構(gòu)體的邊界不清楚的情況下，結(jié)構(gòu)體的底面的設(shè)定方法的示 圖。圖8Α至圖8D是各自表示當結(jié)構(gòu)體的底面的橢圓率改變時底面形狀的示圖。圖9Α示出了具有圓錐形或圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體的配置實例。圖9Β示出了具有橢圓 錐形或橢圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體的配置實例。圖IOA是示出了用于制造光學器件的輥型母板的構(gòu)造實例的透視圖。圖IOB是示 出了用于制造光學器件的輥型母板的構(gòu)造實例的平面圖。圖11是示出了輥型母板曝光裝置的構(gòu)造實例的示意圖。圖12Α至圖12C是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光學器件的制造方法的處理 流程圖。圖13Α至圖13C是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光學器件的制造方法的處理 流程圖。圖14Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖14Β是示出了圖14Α中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖14C是沿著圖14Β 所示的軌跡Τ1、Τ3、…所截取的截面圖。圖14D是沿著圖14Β所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截 取的截面圖。圖14Ε是表示用于形成相應(yīng)于圖14Β所示的軌跡Τ1、Τ3、…的潛像的激光束 的調(diào)制波形的概略線圖。圖14F是表示用于形成相應(yīng)于圖14Β所示的軌跡Τ2、Τ4、…的潛 像的激光束的調(diào)制波形的概略線圖。圖15是表示當結(jié)構(gòu)體的底面的橢圓率改變時底面形狀的示圖。圖16Α是示出了用于制造光學器件的輥型母板的構(gòu)造實例的透視圖。圖16Β是示 出了用于制造光學器件的輥型母板的構(gòu)造實例的平面圖。圖17Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖17Β是示出了圖17Α中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖17C是沿著圖17Β 所示的軌跡Τ1、Τ3、…所截取的截面圖。圖17D是沿著圖17Β所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截 取的截面圖。圖18Α是示出了用于制造光學器件的光盤母板的構(gòu)造實例的平面圖。圖18Β是示 出了圖18Α中所示的光盤母板的局部的放大平面圖。圖19是示出了光盤母板曝光裝置的構(gòu)造實例的示意圖。圖20Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖20Β是示出了圖20Α中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖21Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖21Β是示出了圖21Α中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖21C是沿著圖21Β 所示的軌跡Tl、Τ3、…所截取的截面圖。圖21D是沿著圖21Β所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截 取的截面圖。圖22是圖21Α中所示的光學器件的局部的放大透視圖。
圖23是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的截面圖。圖24A至圖24D是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光學器件的制造方法的處理 流程圖。圖25示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實例。圖26示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實例。圖27示出了根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實例。圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的圖像傳感器件的封裝件的構(gòu)造實例的 截面圖。圖29是表示實施例1的光學器件的反射率對波長的依賴性的示圖。圖30是表示實施例2的光學器件的反射率對波長的依賴性的示圖。圖31是表示實施例3的光學器件的反射率對波長的依賴性的示圖。圖32是表示實施例4的光學器件的反射率對波長的依賴性的示圖。圖33是表示實施例5的光學器件的反射率對波長的依賴性的示圖。圖34是示出了實施例6的光學器件的頂視圖的SEM照片。圖35是示出了實施例7的光學器件的頂視圖的SEM照片。圖36是示出了實施例8的光學器件的頂視圖的SEM照片。圖37是表示試驗例1的模擬結(jié)果的示圖。圖38是表示試驗例2的模擬結(jié)果的示圖。圖39是表示試驗例3的模擬結(jié)果的示圖。圖40是表示試驗例4的模擬結(jié)果的示圖。圖41是表示試驗例5的模擬結(jié)果的示圖。圖42是表示試驗例6的模擬結(jié)果的示圖。圖43是表示試驗例5的模擬結(jié)果的示圖。圖44A是表示試驗例7的模擬結(jié)果的示圖。圖44B是表示試驗例8的模擬結(jié)果的 示圖。圖45A是表示試驗例9的模擬結(jié)果的示圖。圖45B是表示試驗例10的模擬結(jié)果 的示圖。圖46A是表示試驗例11的模擬結(jié)果的示圖。圖46B是表示試驗例12的模擬結(jié)果 的示圖。圖47A是示出了當結(jié)構(gòu)體以六方點陣形狀配置時的填充率的示圖。圖47B是示出 了當結(jié)構(gòu)體以四方點陣形狀配置時的填充率的示圖。圖48是表示試驗例15的模擬結(jié)果的示圖。圖49是示出了實施例9的光學器件的透射特性的示圖。圖50A是示出了實施例10的光學器件的反射特性的示圖。圖50B是示出了實施 例10的光學器件的透射特性的示圖。圖51A是示出了比較例1的光學器件的透射特性的示圖。圖51B是示出了比較例 2的光學器件的透射特性的示圖。
具體實施例方式將參照附圖描述本發(fā)明的實施方式。1.第一實施方式(結(jié)構(gòu)體以直線形和六方點陣形狀二維配置的實例參見圖IA 至圖1F)2.第二實施方式(結(jié)構(gòu)體以直線形和四方點陣形狀二維配置的實例參見圖14A 至圖14F)3.第三實施方式(結(jié)構(gòu)體以弧形和六方點陣形狀二維配置的實例參見圖17A至 圖 17D)4.第四實施方式(結(jié)構(gòu)體曲折配置的實例參見圖20A和圖20B)5.第五實施方式(在基底表面上形成具有凹形的結(jié)構(gòu)體的實例參見圖21A至圖 21D)6.第六實施方式(通過使用室溫納米印刷技術(shù)制造光學器件的實例參見圖23)7.第七實施方式(對顯示裝置的第一應(yīng)用參見圖25)8.第八實施方式(對顯示裝置的第二應(yīng)用參見圖26)9.第六實施方式(對圖像傳感器件的封裝件的應(yīng)用參見圖27)10.實施例1.第一實施方式光學器件的結(jié)構(gòu)圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖IB是示出了圖IA中所示的光學器件的一部分的放大平面圖。圖IC是沿著圖IB所 示的軌跡T1、T3、…所截取的截面圖。圖ID是沿著圖IB所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截取的 截面圖。圖IE是表示用于形成相應(yīng)于圖IB所示的軌跡Τ1、Τ3、…的潛像的激光束的調(diào)制 波形的概略線圖。圖IF為表示用于形成相應(yīng)于圖IB所示的軌跡Τ2、Τ4、…的潛像的激光 束的調(diào)制波形的概略線圖。圖2和圖4至圖6是圖IA中所示的光學器件1的局部的放大 透視圖。圖3Α是圖IA中所示的光學器件在軌跡延伸方向(下文中，也適當?shù)胤Q作軌跡方 向)上的截面圖。圖3Β示出了圖IA中所示的光學器件在θ方向上的截面圖。例如，光學器件1是具有根據(jù)入射光的入射角的防反射效果的光學片(亞波長結(jié) 構(gòu))。該光學器件1能夠非常適當?shù)貞?yīng)用于諸如具有各種波長頻段的光學設(shè)備(例如，諸如 像機的光學設(shè)備)、顯示器、光電設(shè)備及望遠鏡的各種光學設(shè)備。光學器件1包括基底2，具有主面；以及多個結(jié)構(gòu)體3，它們是以等于或小于反射 率要被減小的光的波長的微小節(jié)距配置在主面上的凸部。這種光學器件1具有防止在圖2 所示的Z方向上透過基底2的光在結(jié)構(gòu)體3與其周圍的空氣之間的界面上反射的功能。下文中，將依次描述在光學器件1中包括的基底2和結(jié)構(gòu)體3?；桌纾?為具有透明性的透明基底。作為基底2的材料，例如，存在包含諸如 聚碳酸酯(PC)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的透明合成樹脂、玻璃等作為其主要成分的 材料。但是，基底2的材料不被限制于此。作為基底2的形狀，例如，存在片形、板形、塊形 等。但是，基底2的形狀不具體限定于此。此處，片被定義為包括薄膜。優(yōu)選根據(jù)諸如像機 等的光學設(shè)備中需要預(yù)定的防反射功能的部分的形狀來適當?shù)剡x擇基底2的形狀。結(jié)構(gòu)體
在基底2的表面上，配置多個作為凸部的結(jié)構(gòu)體3。以等于或小于反射率要被減小 的光的波長頻段的小配置節(jié)距(即，例如，與可見光波長相同程度的配置節(jié)距)以二維方式 周期性配置這些結(jié)構(gòu)體3。此處，配置節(jié)距指的是配置節(jié)距Pl和配置節(jié)距P2。例如，其反 射率要被減小的光的波長頻段為紫外光波長頻段、可見光波長頻段或紅外光波長頻段。此 處，紫外光波長頻段表示IOnm至360nm的波長頻段，可見光波長頻段表示360nm至830nm 的波長頻段，紅外光波長頻段表示830nm至Imm的波長頻段。具體地，配置節(jié)距優(yōu)選等于或 大于175nm并且等于或小于350nm。當配置節(jié)距小于175nm時，會很難制造結(jié)構(gòu)體3。另一 方面，當配置節(jié)距超過350nm時，會發(fā)生可見光的衍射。光學器件1的結(jié)構(gòu)體3具有這樣一種配置結(jié)構(gòu)，以在基底2的表面上形成多列軌 跡T1、T2、T3、…(下文中，被統(tǒng)稱為“軌跡Τ”)。在本發(fā)明的實施方式中，軌跡表示結(jié)構(gòu)體 3被直線連接從而形成列的部分。另外，列方向表示與基底2的成型表面上的軌跡的延伸方 向(X方向)正交的方向。結(jié)構(gòu)體3被配置在兩個相鄰軌跡T之間偏離半個節(jié)距的位置。具體地，在兩個相 鄰軌跡T之間，例如，在配置在一個軌跡(例如，Tl)中的結(jié)構(gòu)體3的中間位置(偏離半個 節(jié)距的位置)處，配置另一個軌跡(例如，Τ2)的結(jié)構(gòu)體3。結(jié)果，如圖IB所示，結(jié)構(gòu)體3被 配置為形成結(jié)構(gòu)體的中心位于三個相鄰軌跡(Tl至Τ3)之間的點al至a7處的六方點陣圖 案或準六方點陣圖案。在該第一實施方式中，六方點陣表示具有正六邊形的點陣圖案。另 外，與正六邊形的點陣圖案不同，準六方點陣圖案表示在軌跡延伸方向(X軸方向)上被拉 伸而發(fā)生扭曲的六方點陣圖案。在結(jié)構(gòu)體3被配置為形成準六方點陣圖案的情況下，如圖IB所示，優(yōu)選在同一軌 跡(例如，Tl)內(nèi)的結(jié)構(gòu)體3的配置節(jié)距Pl (al與a2之間的距離)大于兩個相鄰軌跡(例 如，Tl和T2)之間的結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距，即，在相對于軌跡的延伸方向士 θ方向上的結(jié)構(gòu) 體3的配置節(jié)距Ρ2 (例如，al到a7之間或a2到a7之間的距離)。通過如上配置結(jié)構(gòu)體3，能夠進一步提高結(jié)構(gòu)體3的填充密度?？紤]到使成型容易，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3具有錐形形狀或通過在軌跡方向上拉伸或壓縮 錐形形狀所獲取的形狀。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3具有軸對稱的錐形形狀或通過在軌跡方向上拉伸或 壓縮錐形形狀所獲取的形狀。在結(jié)構(gòu)體3結(jié)合至相鄰結(jié)構(gòu)體3的情況下，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3具 有軸對稱的錐形形狀或通過在軌跡方向上拉伸或壓縮錐形形狀所獲取的形狀，只是其下部 連接至相鄰結(jié)構(gòu)體3。例如，作為錐形形狀，存在圓錐形形狀、圓錐臺形形狀、橢圓錐形形狀、 橢圓錐臺形形狀等。此處，如上所述，錐形形狀為除了圓錐形形狀和圓錐臺形形狀之外還包 括橢圓錐形形狀和橢圓錐臺形形狀的概念。圓錐臺形形狀表示通過切除圓錐形形狀的頂部 所獲取的形狀，橢圓錐臺形形狀表示通過切除橢圓錐形形狀的頂部所獲取的形狀。如圖2和圖4所示，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3具有這樣一種錐形結(jié)構(gòu)，其中，其底面為具有長軸 和短軸的橢圓形、卵形或蛋形，并且具有頂部為曲面的橢圓錐形形狀?？蛇x地，如圖5所示，結(jié) 構(gòu)體3優(yōu)選具有這樣一種錐形結(jié)構(gòu)，其中，其底面為具有長軸和短軸的橢圓形、卵形或蛋形， 并且具有頂部為平面的橢圓錐臺形形狀。在這種情況下，能夠提高列方向上的填充率。考慮到反射特性的提高，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3具有錐形形狀(見圖4)，其具有平緩坡度的 頂部并具有從中央部向底部變得更陡的坡度。另外，考慮到反射特性和透射特性的提高，優(yōu) 選結(jié)構(gòu)體3具有中央部的坡度比底部和頂部的坡度更陡的錐形形狀(見圖2)或頂部平坦
12的錐形形狀(見圖5)。在結(jié)構(gòu)體3具有橢圓錐形形狀或橢圓錐臺形形狀的情況下，優(yōu)選底 面長軸的方向平行于軌跡延伸方向。在圖2等中，結(jié)構(gòu)體3具有相同的形狀。但是，結(jié)構(gòu)體 3的形狀不被限制于此。因此，可以在基底的表面上形成具有兩種以上形狀的結(jié)構(gòu)體3。另 外，結(jié)構(gòu)體3可以與基底2 —體地形成。另外，如圖2和圖4至圖6所示，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3的外圍的一部分或全部上設(shè)置突 起部5。在這種情況下，即使在結(jié)構(gòu)體3的填充率很低的情況下，反射率也能被抑制得很低。 具體地，例如，如圖2、圖4及圖5所示，突起部5設(shè)置在相鄰的結(jié)構(gòu)體3之間。如圖6所示， 細長的突起部5可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3的外圍的全部或一部分上。例如，細長的突起部5從 結(jié)構(gòu)體3的頂部向其下部延伸。突起部5的形狀可以具有三角形或矩形的截面。但是，突 起部5的形狀不被限制于此。因此，可以考慮成型突起部5的難易來選擇突起部5的形狀。 另外，結(jié)構(gòu)體3的外圍的一部分或全部的表面可以粗糙地形成，從而形成微小的凹凸。具體 地，例如，位于相鄰的結(jié)構(gòu)體3之間的表面可以粗糙地形成，從而形成微小的凹凸。另外，在 結(jié)構(gòu)體3的表面上，例如，在其頂部中，可以形成微孔。結(jié)構(gòu)體3的形狀不限于圖中所示的凸狀。因此，可以通過在基底2的表面上所形 成的凹部構(gòu)成結(jié)構(gòu)體3。結(jié)構(gòu)體3的高度不被具體限定。例如，結(jié)構(gòu)體3的高度可以約為 420nm,更具體地，為415nm至421nm。在結(jié)構(gòu)體3配置為凹部的情況下，結(jié)構(gòu)體3的高度變 為結(jié)構(gòu)體3的深度。優(yōu)選在軌跡的延伸方向上的結(jié)構(gòu)體3的高度Hl小于列方向上的結(jié)構(gòu)體3的高度 H2。換句話說，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的高度Hl和H2滿足關(guān)系“HI < H2”。原因如下。當結(jié)構(gòu)體3 被配置從而滿足關(guān)系“HI >H2”時，軌跡延伸方向上的配置節(jié)距Pl加長。因此，軌跡延伸 方向上的結(jié)構(gòu)體3的填充率降低。當填充率如上所述地降低時，反射特性劣化。另外，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比不被限制于所有縱橫比相同的情況。因此，結(jié)構(gòu)體3可以 配置為具有預(yù)定的高度分布(例如，約為0. 83至1.46的縱橫比范圍)。通過配置具有高度 分布的結(jié)構(gòu)體3，能夠降低反射特性對波長的依賴性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有優(yōu)異的防反射特 性的光學器件1。此處，高度分布指的是具有兩種以上的高度(深度)的結(jié)構(gòu)體3配置在基底2的 表面上。換句話說，高度分布指的是具有基準高度的結(jié)構(gòu)體3和具有與結(jié)構(gòu)體3的基準高 度不同的結(jié)構(gòu)體3配置在基底2的表面上。例如，具有與基準高度不同的高度的結(jié)構(gòu)體3 被周期性或非周期性(隨機性)地配置在基底2的表面上。例如，周期性的方向可以為軌 跡的延伸方向、列方向等。優(yōu)選襟部3a設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3的外緣部。原因為，在這種情況下，在光學器件的制 造處理中，能夠?qū)⒐鈱W器件很容易從模具等中剝離出來。此處，襟部3a表示設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3 的底部的外緣部上的突起部。考慮到上述剝離特性，優(yōu)選襟部3a具有高度從結(jié)構(gòu)體3的頂 部向其下部側(cè)平緩減小的曲面。另外，襟部3a可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3的外緣部的一部分中。 但是，考慮到提高上述剝離特性，優(yōu)選襟部3a設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3的外緣部的全部中。在結(jié)構(gòu) 體3為凹部的情況下，襟部變?yōu)樵O(shè)置在結(jié)構(gòu)體3的凹部的開口的外緣上的曲面。結(jié)構(gòu)體3的高度(深度)不被具體限定。因此，根據(jù)待被透射的光的波長范圍適 當?shù)卦O(shè)定結(jié)構(gòu)體3的高度(深度)，例如，設(shè)定在約236nm至450nm的范圍內(nèi)。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體 3的縱橫比(高度/配置節(jié)距)設(shè)定在0. 81至1. 46的范圍內(nèi)。更優(yōu)選上述縱橫比設(shè)定在0.94至1.28的范圍內(nèi)。原因如下。當縱橫比小于0.81時，反射特性和透射特性會劣化。 另一方面，當縱橫比超過1. 46時，光學器件的制造時的剝離特性劣化，使得不能干凈地執(zhí) 行復制品的復制。另外，考慮到提高反射特性，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比優(yōu)選設(shè)定在0. 94至1. 46的范圍 內(nèi)。此外，考慮到提高透射特性，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比優(yōu)選設(shè)定在0. 81至1. 28的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的實施方式中，通過下面的公式(1)來定義縱橫比。公式(1)縱橫比=H/P此處，H為結(jié)構(gòu)體的高度，P為平均配置節(jié)距(平均周期)。此處，通過下面的公式 (2)來定義平均配置節(jié)距P。公式(2)平均配置節(jié)距P = (Pl+P2+P2)/3此處，Pl為軌跡的延伸方向上的配置節(jié)距(軌跡延伸方向的周期)，并且P2為 在相對于軌跡延伸方向的士 θ (此處，θ = 60° -δ，優(yōu)選0° < δ≤11°，更優(yōu)選 3° ≤ δ≤6° )方向上的配置節(jié)距(θ方向的周期)。另外，假設(shè)結(jié)構(gòu)體3的高度H為列方向上的結(jié)構(gòu)體3的高度。軌跡延伸方向(X方 向)上的結(jié)構(gòu)體3的高度小于列方向(Y方向)上的高度，并且除了軌跡延伸方向之外的方 向上的結(jié)構(gòu)體3的高度與列方向上的高度幾乎相同。因此，通過列方向上的高度來表示亞 波長結(jié)構(gòu)體的高度。但是，當結(jié)構(gòu)體3為凹部時，在上述公式(1)中的結(jié)構(gòu)體的高度H為結(jié) 構(gòu)體的深度H。當同一軌跡內(nèi)的結(jié)構(gòu)體3的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的 配置節(jié)距為Ρ2時，優(yōu)選比率Ρ1/Ρ2滿足關(guān)系1.00≤Ρ1/Ρ2≤1. 1或1. 00 < Ρ1/Ρ2 ≤ 1. 1。 通過使比率在這個范圍內(nèi)，能夠提高具有橢圓錐形形狀或橢圓錐臺形形狀的結(jié)構(gòu)體3的填 充率，因此，能夠提高防反射特性。以100%作為上限，基底表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率等于或高于65%，優(yōu)選等于或 高于73 %，更優(yōu)選等于或高于86 %。通過使填充率在這個范圍內(nèi)，能夠提高防反射特性。為 了提高填充率，優(yōu)選相鄰的結(jié)構(gòu)體3的下部結(jié)合在一起，并且通過調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)體的底面的橢 圓率等來扭曲結(jié)構(gòu)體3。此處，結(jié)構(gòu)體3的填充率(平均填充率)為下述所獲取的值。首先，通過掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝光學器件1的表面的頂視圖。接下來，從所 拍攝的SEM照片中隨機選擇單位點陣Uc，并且測量單位點陣Uc的配置節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距 Tp (參見圖1B)。另外，通過圖像處理測量位于單位點陣Uc中心的結(jié)構(gòu)體3的底面面積S。 接下來，通過使用測量的配置節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp及底面面積S并使用公式(3)來計算填 充率。公式(3)填充率=(S(hex.)/S(unit)) XlOO此處，單位點陣面積S(unit) =Ρ1Χ2Τρ，并且存在于單位點陣內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的底面 面積 S (hex. ) = 2S。對于從所拍攝的SEM照片中隨機選擇的10個單位點陣執(zhí)行上述填充率的計算過程。隨后，通過簡單地平均(算術(shù)平均)所測量的值來計算填充率的平均數(shù)，并且假設(shè)這個 平均數(shù)為基底表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率。當結(jié)構(gòu)體3彼此重疊或當在結(jié)構(gòu)體3之間存在諸如突起部5的亞結(jié)構(gòu)體時，能夠 通過使用對應(yīng)于結(jié)構(gòu)體3的5%的高度的部分(用作閾值)確定面積比的方法來獲取填充率。圖7是示出了在結(jié)構(gòu)體3的邊界不清楚的情況下的填充率的計算方法的示圖。當 結(jié)構(gòu)體3的邊界不清楚時，通過SEM觀察截面，如圖7所示，通過使用對應(yīng)于結(jié)構(gòu)體3的5% (=(d/h) X 100)的高度h的部分作為閾值，并通過使用高度h換算結(jié)構(gòu)體3的直徑來計算 填充率。當結(jié)構(gòu)體3的底面具有橢圓形狀時，通過使用橢圓的長軸和短軸來執(zhí)行相同的處理。圖8A至圖8D均為表示當結(jié)構(gòu)體3的底面的橢圓率改變時的底面形狀的示圖。圖 8A至圖8D中所示的每個橢圓的橢圓率為100%、110%、120%及141%。通過如上所述改變 橢圓率，能夠改變基底表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率。在結(jié)構(gòu)體3形成準六方點陣圖案的情 況下，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率e滿足條件“100%< e < 150%”。通過使橢圓率在這個范 圍內(nèi)，提高了結(jié)構(gòu)體3的填充率。因此，能夠獲取優(yōu)異的防反射特性。此處，當軌跡方向(X方向)上的結(jié)構(gòu)體的底面直徑為a并且在與其正交的列方向 (Y方向)上的直徑為b時，橢圓率e被定義為(a/b)X100。此處，結(jié)構(gòu)體3的直徑a和b 為如下計算的值。通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝光學器件1的表面的頂視圖，并且 從所拍攝的SEM照片中隨機提取10個結(jié)構(gòu)體3。接下來，測量所提取的結(jié)構(gòu)體3的每一個 的底面的直徑a和b。隨后，通過簡單地平均(算術(shù)平均)各個所測量的值a和b來計算直 徑a和b的平均值，并且這些平均值被設(shè)定為結(jié)構(gòu)體3的直徑a和b。圖9A表示具有圓錐形形狀或圓錐臺形形狀的結(jié)構(gòu)體3的配置實例。圖9B表示具 有橢圓錐形形狀或橢圓錐臺形形狀的結(jié)構(gòu)體3的配置實例。如圖9A和圖9B所示，優(yōu)選結(jié) 構(gòu)體3的下部結(jié)合在一起，從而彼此重疊。特別地，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的下部結(jié)合至與其相鄰的 結(jié)構(gòu)體3的下部的一部分或全部。具體地，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的下部在軌跡方向、θ方向或上 述兩個方向上結(jié)合在一起。在圖9Α和圖9Β中，示出了彼此相鄰的所有結(jié)構(gòu)體3的下部結(jié) 合在一起的實例。通過如上所述結(jié)合結(jié)構(gòu)體3，能夠提高結(jié)構(gòu)體3的填充率。另外，優(yōu)選結(jié) 構(gòu)體在等于或小于考慮了折射率的光路長度的使用環(huán)境下的光的波長頻段的最大值的1/4 的部分處結(jié)合在一起。因此，能夠獲取優(yōu)異的反射特性。如圖9Β所示，在具有橢圓錐形形狀或橢圓錐臺形形狀的結(jié)構(gòu)體3的下部結(jié)合在一 起的情況下，例如，結(jié)合部的高度以結(jié)合部a、b及c的順序變小。直徑2r與配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或大于85%。優(yōu)選上述比率 等于或大于90%，并且更優(yōu)選上述比率等于或大于95%。其原因為，通過使上述比率在這 個范圍內(nèi)，提高了結(jié)構(gòu)體3的填充率，從而提高了防反射特性。當比率((2r/Pl) X100)增加 并且結(jié)構(gòu)體3的重疊變得更大時，防反射特性會劣化。因此，優(yōu)選上述比率((2r/Pl)X100) 的上限值被設(shè)定為，使得結(jié)構(gòu)體在等于或小于考慮了折射率的光路長度的使用環(huán)境下的光 的波長頻段的最大值的1/4的部分處結(jié)合在一起。此處，配置節(jié)距Pl為結(jié)構(gòu)體3在軌跡方 向上的配置節(jié)距，并且直徑2r為結(jié)構(gòu)體的底面在軌跡方向上的直徑。在結(jié)構(gòu)體的底面具有 圓形形狀的情況下，直徑2r變?yōu)樵撝睆健Ａ硪环矫?，在結(jié)構(gòu)體的底面具有橢圓形狀的情況下，直徑2r變?yōu)殚L軸直徑。輥型母板的構(gòu)造圖IOA和圖IOB示出了用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光學器件的輥型母板的構(gòu)造實 例。如圖IOA和圖IOB所示，例如，輥型母板11具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中，作為凹部的多個 結(jié)構(gòu)體13以幾乎與諸如可見光的光的波長相等的節(jié)距配置在母板12的表面上。母板12 具有實心圓柱體或空心圓柱體形狀。作為母板12的材料，例如可以使用玻璃。但是，母板 12的材料不限于此。通過使用隨后描述的輥型母板曝光裝置使二維圖案在空間上彼此連 接，并且通過生成極性反轉(zhuǎn)格式器信號及用于將每個單獨軌跡的記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同 步的信號以CAV以適當?shù)耐干涔?jié)距形成圖案。因此，能夠記錄六方點陣圖案或準六方點陣 圖案。通過適當?shù)卦O(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率及輥的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，在期望的記錄區(qū)中形 成具有均勻的空間頻率的點陣圖案。光學器件的制造方法接下來，將參照圖11、圖12A至圖12C及圖13A至圖13C來描述如上所述的光學器 件1的制造方法。根據(jù)第一實施方式的光學器件的制造方法包括抗蝕膜形成處理，其中，在母板上 形成抗蝕層；曝光處理，其中，通過使用輥型母板曝光裝置在抗蝕膜上形成具有馬賽克(嵌 花，mosaic)圖案的潛像；以及顯影處理，其中，形成了潛像的抗蝕層被顯影。另外，上述光 學器件的制造方法包括蝕刻處理，其中，通過使用等離子體蝕刻來制造輥型母板；以及復 制處理，其中，通過使用紫外線固化樹脂來制造復制基板。曝光裝置的構(gòu)造首先，將參照圖11描述在馬賽克圖案的曝光處理中使用的輥型母板曝光裝置的 結(jié)構(gòu)。通過使用光盤記錄裝置作為基礎(chǔ)來構(gòu)成這種輥型母板曝光裝置。激光源21是用于形成為在作為記錄介質(zhì)的母板12的表面上的膜的抗蝕層的曝光 的光源。例如，激光源21振蕩波長λ = 266nm的激光束15以用于記錄。從激光源21所 發(fā)射的激光束15以光束保持彼此平行的方式直線傳播，并且入射至光電調(diào)制器(EOM) 22。 透射通過光電調(diào)制器22的光束15被反射鏡23反射，并引導至調(diào)制光學系統(tǒng)25。反射鏡23由偏光分束器構(gòu)成，并且具有反射一種偏光分量并透射另一種偏光分 量的功能。透射通過反射鏡23的偏光分量被光電二極管24接收。隨后，通過根據(jù)所接收 的信號控制光電調(diào)制器22來執(zhí)行激光束15的相位調(diào)制。在調(diào)制光學系統(tǒng)25中，激光束15通過聚光透鏡26會聚在通過玻璃(SiO2)等所形 成的聲光調(diào)制器(AOM) 27中。在激光束15通過聲光調(diào)制器27進行強度調(diào)制并發(fā)散之后， 激光束15通過透鏡28轉(zhuǎn)換成平行光束。從調(diào)制光學系統(tǒng)25所輸出的激光束15在移動光 學臺32上被反射鏡31反射并被引導為水平和平行。移動光學臺32包括光束擴展器33和物鏡34。在被引導至移動光學臺32的激光 束15通過光束擴展器33以期望的光束形狀成形后，激光束15通過物鏡34被照射至位于 母板12上的抗蝕層。母板12放置在連接至主軸馬達35的轉(zhuǎn)臺上。隨后，與旋轉(zhuǎn)母板12 同時地，激光束15間歇性地照射至抗蝕層，同時在母板12的高度方向上移動激光束15，從 而執(zhí)行抗蝕層的曝光處理。所形成的潛像具有在圓周方向上具有長軸的近似橢圓的形狀。 通過在箭頭R所表示的方向上移動移動光學臺32來執(zhí)行激光束15的移動。
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曝光裝置包括控制機構(gòu)37，其用于在抗蝕層上形成相應(yīng)于圖IB所示的六方點陣 或準六方點陣的二維圖案的潛像?？刂茩C構(gòu)37包括格式器29和驅(qū)動器30。格式器29包 括極性反轉(zhuǎn)單元。極性反轉(zhuǎn)單元控制激光束15對抗蝕層的照射定時。驅(qū)動器30接收極性 反轉(zhuǎn)單元的輸出，并控制聲光調(diào)制器27。在這種輥型母板曝光裝置中，為每個單獨的軌跡生成極性反轉(zhuǎn)格式器信號和用于 將記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步的信號，從而空間上連接二維圖案，并且通過聲光調(diào)制器27 對所述信號執(zhí)行強度調(diào)制。通過以適于恒角速度(CAV)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)、適當?shù)恼{(diào)制頻率、及適 當?shù)耐干涔?jié)距來形成圖案，能夠記錄六方點陣或準六方點陣圖案。例如，如圖IOB所示，為 了將圓周方向的周期設(shè)定為315nm并將相對于圓周方向約60度方向(約60度方向)上的 周期設(shè)定為300nm，透射節(jié)距可以設(shè)定為251nm(勾股定理)。極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率 根據(jù)輥的旋轉(zhuǎn)次數(shù)(1800rpm、900rpm或450rpm)而改變(見表1)。能夠通過將遠紫外激光 束放大成具有通過位于移動光學臺32上的光束擴展器(BEX) 33放大五倍的光束直徑，并通 過具有0. 9的數(shù)值孔徑(NA)的物鏡34將光束照射在位于母板12的抗蝕層上從而形成微 小潛像，而在所期望的記錄區(qū)上獲取具有均勻的空間頻率(圓周周期為315nm和在相對于 圓周方向約60度的方向(約-60度的方向)上的周期為300nm)的準六方點陣圖案。表1
旋轉(zhuǎn)次數(shù)[rpm]1800900450225蛾眼[MHz]37. 7018. 859. 434. 71抗蝕膜形成處理首先，如圖12A所示，制備實心圓柱體形狀的母板12。例如，這個母板12為玻璃母 板。接下來，如圖12B所示，在母板12的表面上形成抗蝕層14。例如，作為抗蝕層14的材 料，可以使用有機抗蝕劑和無機抗蝕劑中的任意一種。例如，作為有機抗蝕劑，能夠使用酚 醛樹脂型抗蝕劑或化學放大型抗蝕劑。另外，作為無機抗蝕劑，可以使用由諸如鎢或鉬的一 種或兩種以上過渡金屬形成的金屬氧化物。曝光處理接下來，如圖12C所示，與旋轉(zhuǎn)母板12同時地，通過使用上述輥型母板曝光裝置將 激光束(曝光光束)15照射至抗蝕層14。此時，通過間歇性地照射激光束15同時在母板 12的高度方向(與實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的母板12的中心軸平行的方向)上 移動激光束15，抗蝕層14的整個表面被曝光。因此，相應(yīng)于激光束15的軌跡的潛像以幾乎 與可見光波長相等的節(jié)距形成在抗蝕層14的整個表面上。例如，潛像16被配置為在母板表面上形成多列軌跡，并且形成六方點陣圖案或準 六方點陣圖案。例如，潛像16具有橢圓形狀，其長軸在軌跡延伸方向上。顯影處理接下來，將液體顯影劑滴在抗蝕層14上，同時旋轉(zhuǎn)母板12，從而，如圖13A所示，對 抗蝕層14執(zhí)行顯影處理。如圖所示，在通過正型抗蝕劑形成抗蝕層14的情況下，已經(jīng)用激 光束15曝光的曝光部的液體顯影劑的溶解速度高于未曝光部。因此，在抗蝕層14上形成 了對應(yīng)于潛像(曝光部)16的圖案。
蝕刻處理接下來，通過使用在母板12上所形成的抗蝕層14的圖案(抗蝕劑圖案)作為掩 模對母板12的表面執(zhí)行蝕刻處理。因此，如圖13B所示，能夠獲取具有長軸在軌跡延伸方 向上的橢圓錐形形狀或橢圓錐臺形形狀的凹部(S卩，結(jié)構(gòu)體13)。例如，就蝕刻方法而言， 使用干蝕刻。此時，例如，通過以交替方式執(zhí)行蝕刻處理和打磨處理，能夠形成錐形結(jié)構(gòu)體 13的圖案。另外，能夠制備深度為抗蝕層14三倍以上(選擇比等于或大于3)的玻璃母板。 因此，能夠?qū)崿F(xiàn)結(jié)構(gòu)體3的高縱橫比。作為干蝕刻，優(yōu)選執(zhí)行使用輥型蝕刻裝置的等離子體 蝕刻。輥型蝕刻裝置為具有實心圓柱體形狀的電極的等離子蝕刻裝置。輥型蝕刻裝置被構(gòu) 造為，使得實心圓柱體形狀的電極插入母板12的管形中空空間中，并且對母板12的圓柱狀 表面執(zhí)行等離子體蝕刻處理。如上所述，例如，能夠獲取具有約120nm至350nm深度的凹狀的六方點陣圖案或準 六方點陣圖案的輥型母板11。復制處理接下來，例如，將輥型母板11和通過轉(zhuǎn)印材料涂覆的諸如片的基底2彼此緊密接 觸。隨后，基底2被剝離，同時通過照射紫外線來固化基底2。因此，如圖13C所示，在基底 2的圓柱體表面上形成了作為凸部的多個結(jié)構(gòu)體，從而制備了諸如蛾眼紫外線固化復制片 的光學器件1。例如，通過紫外線固化材料和引發(fā)劑形成轉(zhuǎn)印材料。另外，轉(zhuǎn)印材料包括所需的填 料、功能性添加劑等。例如，通過單官能團單體、雙官能團單體或多官能團單體形成紫外線固化材料。具 體地，通過使用下面的任意一種材料或混合多種下面的材料來獲取紫外線固化材料。作為單官能團單體，例如包括羧酸類材料(丙烯酸)、羥基類材料(2-羥乙基丙烯 酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、或4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基、及脂環(huán)類材料(丙烯酸異丁酯、丙 烯酸叔丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯及丙烯酸環(huán)己 基酯)，以及其他官能團單體(2-甲氧基丙烯酸酯、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯、2-乙二 醇乙基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基 丙烯酸酯、N，N- 二甲氨基乙基丙烯酸酯、N，N- 二甲氨基丙基丙烯酰胺、N，N- 二甲基丙烯酰 胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛 基)丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥丙基丙烯酸酯、2-(全 氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2，4，6-三溴苯丙烯酸酯、 2，4，6_三溴酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6_三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯、2-乙基己基丙烯酸酯等。作為雙官能團單體，例如包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基 醚、尿烷丙烯酸酯等。作為多官能團單體，例如包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯 和二季戊四醇六丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。作為引發(fā)劑，例如包括2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯基乙烷-1-酮、1_羥基-環(huán)己基 苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。作為填料，例如可以使用任意的無機微粒和有機微粒。例如，作為無機微粒，包括諸如SiO2、TiO2、ZrO2, SnO2或Al2O3的金屬氧化物微粒。作為功能性添加劑，例如包括勻染劑、表面調(diào)整劑及消泡劑。作為基底2的材料， 例如包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙 烯共聚物、纖維素二醋酸脂、纖維素三醋酸酯、纖維素醋酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、 聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚氨酯、玻璃等?；?的成型方法不被具體限定。因此，可以通過使用注射成型體、壓制成型體、 或鑄造成型體來執(zhí)行成型。根據(jù)需要，可以對基底的表面執(zhí)行諸如電暈處理的表面處理。2.第二實施方式光學器件的結(jié)構(gòu)圖14A是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖14B是示出了圖14A中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖14C是沿著圖14B 中所示的軌跡Tl、T3、…所截取的截面圖。圖14D是沿著圖14B中所示的軌跡T2、T4、… 所截取的截面圖。圖14Ε是表示用于形成相應(yīng)于圖14Β中所示的軌跡Τ1、Τ3、…的潛像 的激光束的調(diào)制波形的概略線圖。圖14F是表示用于形成相應(yīng)于圖14Β中所示的軌跡Τ2、 Τ4、…的潛像的激光束的調(diào)制波形的概略線圖。根據(jù)第二實施方式的光學器件1與根據(jù)第一實施方式的不同在于結(jié)構(gòu)體3在相鄰 三列的軌跡之間形成四方點陣圖案或準四方點陣圖案。在此處的描述中，與正方形點陣圖 案不同，準四方點陣圖案表示在軌跡延伸方向(X方向)上被拉伸的扭曲的四方點陣圖案。結(jié)構(gòu)體3的高度或深度不被具體限定。因此，例如，結(jié)構(gòu)體3的高度或深度處于 約159nm至312nm的范圍內(nèi)。另外，例如，在相對于軌跡(約)45度方向上的節(jié)距P2處于 約275nm至297nm的范圍內(nèi)。例如，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比(高度/配置節(jié)距)處于約0. 54至 1.13的范圍內(nèi)。此外，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比不被限制于彼此相同。因此，結(jié)構(gòu)體3可以被構(gòu)成 具有恒定的高度分布。優(yōu)選在同一軌跡內(nèi)的結(jié)構(gòu)體3的配置節(jié)距長于兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配 置節(jié)距P2。另外，當同一軌跡內(nèi)的結(jié)構(gòu)體3的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu) 體3的配置節(jié)距為P2時，優(yōu)選比率P1/P2滿足關(guān)系1. 4 < P1/P2 ( 1. 5。通過使比率處于 這個范圍內(nèi)，能夠提高具有橢圓錐形形狀或橢圓錐臺形形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率，因此，能 夠提高防反射特性。另外，優(yōu)選在相對于軌跡約45度方向上的結(jié)構(gòu)體3的高度或深度小于 在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體3的高度或深度。優(yōu)選在從軌跡延伸方向傾斜的配置方向(θ方向)上的結(jié)構(gòu)體3的高度Η2小于 軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體3的高度HI。換句話說，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的高度Hl和H2滿足條件 "HI > H2”。圖15是表示當結(jié)構(gòu)體3的底面的橢圓率改變時底面的形狀的示圖。各橢圓3p32 及33的橢圓率為100%、163. 3%及141%。通過如上所述地改變橢圓率，能夠改變基底表 面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率。在結(jié)構(gòu)體3形成四方點陣圖案或準四方點陣圖案的情況下，優(yōu) 選結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率e滿足條件“150%彡e ( 180%”。通過使橢圓率處于這個范圍內(nèi)， 提高了結(jié)構(gòu)體3的填充率。因此，能夠獲取優(yōu)異的防反射特性。以100%作為其上限，基底表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率等于或高于65%，優(yōu)選等于 或高于73 %，更優(yōu)選等于或高于86 %。通過使填充率處于這個范圍內(nèi)，能夠提高防反射特性。此處，結(jié)構(gòu)體3的填充率(平均填充率)為如下所述所獲取的值。首先，通過掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝光學器件1的表面的頂視圖。接下來，從所 拍攝的SEM照片中隨機選擇單位點陣Uc，并且測量單位點陣Uc的配置節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距 Tp (見圖14B)。另外，通過圖像處理測量在單位點陣Uc中所包括的四個結(jié)構(gòu)體3的任意一 個的底面面積S。接下來，通過利用已經(jīng)測量的配置節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp及底面面積S使 用下面的公式(4)來計算填充率。公式(4)填充率=(S(tetra)/S(unit))XlOO此處，單位點陣面積S (unit) = 2X ((PlXTp) X (1/2)) = Pl X Tp，并且存在于單 位點陣內(nèi)的結(jié)構(gòu)體的底面面積S(tetra) = S。 對從所拍攝的SEM照片中隨機選擇的10個單位點陣執(zhí)行上述填充率的計算過程。 隨后，通過簡單平均(算術(shù)平均)所測量的值來計算填充率的平均值，并且假設(shè)這個平均值 為基底表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率。直徑2r與配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或大于64%。優(yōu)選上述比率 等于或大于69%，更優(yōu)選上述比率等于或大于73%。其原因為，通過使上述比率處于這個 范圍內(nèi)，提高了結(jié)構(gòu)體3的填充率，從而來提高防反射特性。此處，配置節(jié)距Pl為結(jié)構(gòu)體3 的軌跡方向上的配置節(jié)距，并且直徑2r為軌跡方向上的結(jié)構(gòu)體的直徑。在結(jié)構(gòu)體的底面具 有圓形形狀的情況下，直徑2r變?yōu)樵撝睆?。另一方面，在結(jié)構(gòu)體的底面具有橢圓形狀的情 況下，直徑2r變?yōu)殚L軸直徑。圖16A和圖16B示出了用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光學器件的輥型母板的構(gòu)造實 例。這個輥型母板與第一實施方式的不同在于，在表面上處于凹狀的結(jié)構(gòu)體13形成四方點 陣圖案或準四方點陣圖案。輥型母板的構(gòu)造通過使用輥型母板曝光裝置使二維圖案彼此空間連接，并且通過生成極性反轉(zhuǎn)格 式器信號及用于將每個單獨軌跡的記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步的信號以CAV以適當?shù)耐?射節(jié)距形成圖案。因此，能夠記錄四方點陣圖案或準四方點陣圖案。優(yōu)選通過適當?shù)卦O(shè)定 極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率及輥的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，通過激光束的照射在位于母板12上的抗蝕 劑的期望區(qū)域中形成具有均勻的空間頻率的點陣圖案。3.第三實施方式光學器件的構(gòu)造圖17A是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖17B是示出了圖17A中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖17C是沿著圖17B 所示的軌跡T1、T3、…所截取的截面圖。圖17D是沿著圖17Β所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截 取的截面圖。根據(jù)第三實施方式的光學器件1與根據(jù)第一實施方式的不同在于每個軌跡T具有 弧形形狀，并且結(jié)構(gòu)體3以弧形形狀配置。如圖17Β所示，結(jié)構(gòu)體3被配置，從而形成準六 方點陣圖案，其中，結(jié)構(gòu)體3的中心位于相鄰三列的軌跡(Tl至Τ3)之間的點al至a7處。 此處，與正六方點陣圖案不同，準六方點陣圖案表示沿著軌跡T的弧形形狀被扭曲的六方
20點陣圖案。換句話說，與正六方點陣圖案不同，準六方點陣圖案表示沿著軌跡T的弧形形狀 被扭曲和被拉伸從而在軌跡的延伸方向(X軸方向)上被扭曲的六方點陣圖案。除了上述情況之外，光學器件1的結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。因此，忽略其描述。光盤母板的構(gòu)造圖18A和圖18B示出了用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光學器件的光盤母板的構(gòu)造實 例。如圖18A和圖18B所示，光盤母板41具有這樣一種構(gòu)造，其中，作為凹部的多個結(jié)構(gòu)體 43配置在盤狀母板42的表面上。這些結(jié)構(gòu)體43以等于或小于光學器件1的使用環(huán)境中的 光的波長頻段的節(jié)距(即，例如，與可見光的波長幾乎相同的節(jié)距)被周期性二維配置。例 如，結(jié)構(gòu)體43配置在具有同心圓形狀或螺旋形狀的軌跡上。除了上述情況之外，光盤母板41的結(jié)構(gòu)與第一實施方式的輥型母板11相同。因 此，忽略其描述。光學器件的制造方法首先，將參照圖19描述用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光盤母板41的曝光裝置。移動光學臺32包括光束擴展器33、反射鏡38及物鏡34。在通過光束擴展器33將 導向移動光學臺32的激光束15以期望的光束形狀形成后，激光束15通過反射鏡38和物 鏡34照射至位于盤狀母板42上的抗蝕層。母板42放置在與主軸馬達35連接的轉(zhuǎn)臺(沒 有示出)上。隨后，與旋轉(zhuǎn)母板42同時地，將激光束間歇性地照射至位于母板42上的抗蝕 層，同時在母板42的旋轉(zhuǎn)半徑方向上移動激光束15，從而執(zhí)行抗蝕層的曝光處理。所形成 的潛像具有長軸在圓周方向上的近似橢圓的形狀。通過在箭頭R所表示的方向上移動移動 光學臺32來執(zhí)行激光束15的移動。圖19中所示的曝光裝置包括控制機構(gòu)37，用于在抗蝕層上形成通過圖17B所示 的六方點陣或準六方點陣的二維圖案所構(gòu)成的潛像。控制機構(gòu)37包括格式器29和驅(qū)動器 30。格式器29包括極性反轉(zhuǎn)單元。極性反轉(zhuǎn)單元控制激光束15對于抗蝕層的照射定時。 驅(qū)動器30接收極性反轉(zhuǎn)單元的輸出，并控制聲光調(diào)制器27?？刂茩C構(gòu)37對于每個單獨軌跡將通過AOM 27執(zhí)行的激光束15的強度調(diào)制、主軸 馬達35的驅(qū)動旋轉(zhuǎn)速度、及移動光學臺32的移動速度同步，以空間地連接潛像的二維圖 案。以恒定角速度(CAV)控制母板42的旋轉(zhuǎn)。隨后，以通過主軸馬達35的母板42的適當 的旋轉(zhuǎn)次數(shù)、通過AOM 27的激光強度的適當?shù)念l率調(diào)制、及通過移動光學臺32的激光束15 的適當?shù)耐干涔?jié)距來執(zhí)行圖案形成處理。因此，在抗蝕層上形成六方點陣圖案或準六方點 陣圖案的潛像。另外，緩慢改變極性反轉(zhuǎn)單元的控制信號，使得空間頻率(潛像的圖案密度；Pl為 330nm 且 P2 為 300nm、Pl 為 315nm 且 P2 為 275nm、或 Pl 為 300nm 且 P2 為 265nm)變得一 致。具體而言，執(zhí)行曝光處理，同時對每個單獨軌跡改變激光束15對抗蝕層的照射期間， 并且通過控制機構(gòu)37執(zhí)行激光束15的頻率調(diào)制，使得每個軌跡T的Pl變?yōu)榧s330nm(或 315nm或300nm)。換句話說，控制調(diào)制，使得隨著軌跡位置與盤狀母板42的中心的距離越 遠，激光束的照射周期變得越短。因此，能夠形成其空間頻率在基板的整個表面上均一的納 米圖案。下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光學器件的制造方法的實例。首先，除了曝光在盤狀母板上形成的抗蝕層之外，類似于第一實施方式，通過使用具有上述構(gòu)造的曝光裝置制備光盤母板41。接下來，將光盤母板41與涂覆了紫外線固化樹 脂的諸如聚丙烯酸樹脂片的基底2彼此緊密接觸。隨后，在通過在其上照射紫外線而固化 紫外線固化樹脂之后，將基底2從光盤母板41剝離。因此，能夠獲取多個結(jié)構(gòu)體3配置在 表面上的盤狀光學器件1。接下來，從盤狀光學器件1中切下具有諸如矩形形狀的預(yù)定形狀 的光學器件1。結(jié)果，制備了目標光學器件1。根據(jù)本發(fā)明第三實施方式，類似于結(jié)構(gòu)體3以直線形狀配置的情況，也能夠獲取 具有高產(chǎn)率和優(yōu)異的防反射特性的光學器件1。4.第四實施方式圖20A是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖20B是示出了在圖20A中所示的光學器件的局部的放大平面圖。根據(jù)第四實施方式的光學器件1與根據(jù)第一實施方式的不同在于光學器件1配置 在由于結(jié)構(gòu)體3而曲折的軌跡(下文中，稱作波動軌跡)上。優(yōu)選基底2上軌跡的波動彼 此同步。換句話說，波動優(yōu)選為同步波動。通過如上所述同步波動，保持了六方點陣或準六 方點陣的單位點陣形狀，從而能夠?qū)⑻畛渎时３值煤芨?。例如，波動軌跡的波形可以為正弦 波、三角波等。波動軌跡的波形不被限制于周期性波形。因此，波動軌跡的波形可以為非周 期性波形。例如，波動軌跡的波動幅度可以選擇為約士 ΙΟμπι。根據(jù)第四實施方式，除了上述之外的其他構(gòu)造與第一實施方式相同。根據(jù)第四實施方式，通過在波動軌跡上配置結(jié)構(gòu)體3，能夠抑制外觀上凹凸的發(fā) 生。5.第五實施方式圖21Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的示意性平面 圖。圖21Β是示出了圖21Α中所示的光學器件的局部的放大平面圖。圖21C是沿著圖21Β 所示的軌跡Tl、Τ3、…所截取的截面圖。圖21D是沿著圖21Β所示的軌跡Τ2、Τ4、…所截 取的截面圖。圖22是圖21Α中所示的光學器件的局部的放大透視圖。根據(jù)第五實施方式的光學器件1與根據(jù)第一實施方式的不同之處在于在基底的 表面上配置了作為凹部的多個結(jié)構(gòu)體3。通過反轉(zhuǎn)根據(jù)第一實施方式的結(jié)構(gòu)體3的凸狀將 結(jié)構(gòu)體3的形狀形成為凹部。在結(jié)構(gòu)體3如上所述形成為凹部的情況下，作為凹部的結(jié)構(gòu) 體3的開口部(凹部的入口部)被定義為下部，并且基底2在深度方向上的最下部(凹部 的最深部)被定義為頂部。換句話說，通過使用沒有具體空間的結(jié)構(gòu)體3定義頂部和下部。 在第五實施方式中，由于結(jié)構(gòu)體3為凹部，所以包括在公示(1)等中的結(jié)構(gòu)體3的高度H變 為結(jié)構(gòu)體3的深度H。在第五實施方式中，除了上述之外的其他構(gòu)造與第一實施方式相同。根據(jù)第五實施方式，在第一實施方式中具有凸狀的結(jié)構(gòu)體3的形狀被反轉(zhuǎn)，從而 成為凹部。因此，能夠獲取與第一實施方式相同的優(yōu)點。6.第六實施方式光學器件的構(gòu)造圖23是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光學器件的構(gòu)造實例的截面圖。如圖 23所示，根據(jù)第六實施方式的光學器件1與第一實施方式的不同在于在基底2上制備了通 過使用硅氧烷樹脂所獲取的結(jié)構(gòu)體3。
本發(fā)明的實施方式能夠非常適當?shù)貞?yīng)用于具有耐熱性和高透過性的蓋玻璃、窗口 材料等的光學器件、包括光學器件的圖像傳感器件(例如，CCD圖像傳感器件、CMOS圖像傳 感器件等)、光電二極管、半導體激光設(shè)備等的封裝件。另外，本發(fā)明的實施方式能夠非常 適當?shù)貞?yīng)用于諸如具有高硬度和耐熱性的前面板的光學器件及包括光學器件的顯示器。具 體地，本發(fā)明的實施方式能夠非常適當?shù)貞?yīng)用于諸如數(shù)碼相機(例如，單反相機、袖珍相機 等)、手機的數(shù)碼像機、工業(yè)機器的像機、監(jiān)控相機及圖像識別裝置的相機的各種相機中所 包括的圖像傳感器的封裝件。光學器件的制造方法圖24A至圖24D是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光學器件的制造方法的處理 流程圖。這種光學器件的制造方法使用室溫納米印刷技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光學器件的制造方法包括通過以含硅氧烷樹脂的成 膜組成物涂覆基底形成樹脂層的處理；通過用模具壓按樹脂層來轉(zhuǎn)印形狀的處理；從樹脂 層上剝離模具的處理；以及在低壓下將紫外線照射在已經(jīng)剝離了模具的樹脂層上的處理。樹脂層形成處理首先，如圖24A所示，通過以包含硅氧烷樹脂的成膜材料涂覆基底2來形成樹脂層 61。作為涂覆方法，例如可以使用旋涂法等。但是，涂覆方法不被具體限定。作為基底2，例 如可以使用包含玻璃作為其主要成分的玻璃基板(例如，白板或石英)。作為硅氧烷樹脂， 優(yōu)選使用硅倍半氧烷(silsesquioxane)樹脂。作為成膜材料，優(yōu)選使用通過將諸如硅氧烷 樹脂的成分溶解在適當?shù)挠袡C溶劑中所獲取的溶液形式。另外，如果需要，可以在基底2上 形成有機層或無機層。依賴于待制造的結(jié)構(gòu)體2的類型，優(yōu)選樹脂層61的膜厚等于或大于 300nm并等于或小于500nm。形狀轉(zhuǎn)印處理接下來，如圖24B所示，通過將具有預(yù)定形狀的模具62壓在形成在基底2上的樹 脂層61上來將模具的形狀轉(zhuǎn)印至樹脂層61。作為模具61，例如可以使用在第三實施方式 中所使用的模具。但是，模具61不被具體限定。例如，能夠使用通過對根據(jù)第一至第二實 施方式和第四至第五實施方式中的任意一個的光學器件1執(zhí)行電鍍處理等所制造的模具。 模具62的壓按壓力優(yōu)選處于約5MPa至IOOMPa的范圍內(nèi)。另外，壓按時間依賴于樹脂層61 的膜厚優(yōu)選處于約10秒至20秒的范圍內(nèi)。通過如上所述在壓按模具62的狀態(tài)下執(zhí)行預(yù) 定時間的壓按，進一步固化樹脂層61的形狀。剝離處理接下來，如圖24C所示，將模具62從樹脂層61上剝離。因此，在基底2上形成轉(zhuǎn) 印了模具61的形狀的結(jié)構(gòu)體3。照射處理接下來，如圖24D所示，優(yōu)選在紫外線L照射在已經(jīng)在約IOTorr的低壓下剝離了 模具62的樹脂層61上之后，樹脂層61在30(TC至40(TC下加熱。通過如上所述加熱樹脂 層61，固化效率提高。例如，通過在300°C下加熱，能夠獲取7H至9H的鉛筆硬度，并且通過 在400°C下加熱，能夠獲取8H至9H的鉛筆硬度。另外，當通過在300°C至400°C下加熱來固 化樹脂層61時，如上所制備的光學器件1的耐熱性等于或高于500°C，并且對于回流處理是 足夠的。
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因此，可在基底2上形成轉(zhuǎn)印了模具62的形狀的結(jié)構(gòu)體3。例如，根據(jù)第六實施方式的光學器件1能夠用作在圖像傳感器件的封裝件中所包 括的蓋玻璃或窗口材料，或者用作顯示器等的前面板。因此，能夠提供具有耐熱性和高透過 性的蓋玻璃和窗口材料、具有高硬度和耐熱性的前面板、包括該前面板的顯示器等。7.第七實施方式液晶顯示裝置的構(gòu)造圖25示出了根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實例。如圖25所 示，液晶顯示裝置包括背光53，用于發(fā)光；以及液晶面板51，用于通過對從背光53所發(fā)射 的光進行時間和空間的調(diào)制來顯示圖像。在液晶面板51的兩個面上，設(shè)置作為光學組件1 的偏光器51a和51b。在液晶面板51的顯示面?zhèn)壬显O(shè)置的偏光器51b中，設(shè)置了光學器件 1。此處，具有設(shè)置了光學器件1的主面的偏光器51b稱作實現(xiàn)防反射功能的偏光器52。這 種實現(xiàn)防反射功能的偏光器52為實現(xiàn)防反射功能的光學組件的實例。此處，將順序描述構(gòu)成液晶顯示裝置的背光53、液晶面板51、偏光器51a和51b及 光學器件1。背光作為背光53，例如可以使用直下型背光、邊緣型背光、或平面光源型背光。例如，背 光53包括光源、反射板、光膜等。作為光源，例如使用冷陰極熒光燈(CCFL)、熱陰極熒光燈 (HCFL)、有機電致發(fā)光(OEL)、無機電致發(fā)光(IEL)、發(fā)光二極管(LED)等。液晶面板作為液晶面板51，例如可以使用諸如扭曲向列型(TN)模式、超扭曲向列型(STN) 模式、垂直取向(VA)模式、面內(nèi)切換(IPS)模式、光學補償雙折射(OCB)模式、鐵電液晶 (FLC)模式、聚合物分散液晶(PDLC)模式、相變賓主型(PCGH)模式等的顯示模式的液晶面 板。偏光器在液晶面板51的兩個面上，例如，設(shè)置了偏光器51a和51b，從而使其透射軸彼此 正交。偏光器51a和51b使入射光的彼此正交的偏光分量的其中一個通過，并吸收另一個使 其被遮擋。作為偏光器51a和51b，能夠使用諸如聚丙烯醇類膜、部分縮醛化的聚丙烯醇類 膜、或吸收了諸如碘或二色染料的二色材料的乙烯醋酸乙烯基共聚物體系部分皂化膜。在 偏光器51a和51b的兩個面上，優(yōu)選設(shè)置諸如三乙?；w維素(TAC)的保護層。當如上所 述設(shè)置了保護層時，優(yōu)選將光學器件1的基底2構(gòu)成為也用作保護層。通過采用這種構(gòu)造， 能夠減小實現(xiàn)防反射功能的偏光器52的厚度。光學器件光學器件1類似于上述第一至第四實施方式的任意一種。因此，省略其描述。根據(jù)第七實施方式，光學器件1設(shè)置在液晶顯示裝置的顯示面上。因此，能夠提高 液晶顯示裝置的顯示面的防反射功能。因此，能夠提高液晶顯示裝置的可視性。8.第八實施方式液晶顯示裝置的構(gòu)造圖26示出了根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造實例。液晶顯示裝 置包括在液晶面板51的前側(cè)的前面構(gòu)件54，并且與第五實施方式不同，光學器件1被包括在液晶面板51的前面和前面構(gòu)件54的前面及背面的至少一個上。圖26示出這樣一個實 例，其中，光學器件1被包括在液晶面板51的前面和前面構(gòu)件54的前面及背面的所有面 上。例如，在液晶面板51與前面構(gòu)件54之間，形成空氣層。對于與上述第五實施方式相 同的部分，賦予相同的參考標號，并且省略其描述。在本發(fā)明的實施方式中，前面表示位于 成為顯示面的一側(cè)的面，即，成為觀察者側(cè)的面，并且背面表示位于與顯示面相反的一側(cè)的前面構(gòu)件54為用于機械保護、熱保護、耐氣候保護、及液晶面板51等的前面(觀 察者側(cè))的設(shè)計的前面板。例如，前面構(gòu)件54具有片、膜或板狀。作為前面構(gòu)件54的材料， 例如，可以使用玻璃、三乙?；w維素(TAC)、聚酯(TPEE)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、 聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、芳族聚酰胺、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚砜、聚丙烯 (PP)、二乙?；w維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等。但是，前面構(gòu)件 54的材料不被具體限定于這些材料，而能夠使用任意具有透明性的材料。根據(jù)第八實施方式，類似于第七實施方式，能夠提高液晶顯示裝置的可視性。9.第九實施方式圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的圖像傳感器件的封裝件的構(gòu)造實例的 截面圖。如圖28所示，封裝件71包括圖像傳感器件72及被固定從而覆蓋圖像傳感器件72 的開口窗的蓋玻璃73。例如，圖像傳感器件72為CXD圖像傳感器件、CMOS圖像傳感器件 等。作為蓋玻璃73，例如優(yōu)選使用根據(jù)第六實施方式的光學器件1。10.實施例下文中，將具體描述本發(fā)明的實施例。但是，本發(fā)明不被限制于這些實施例。實施例1首先，制備具有126mm的外徑的玻璃輥型母板，并且抗蝕劑被附加至玻璃母板的 表面以作為膜。換句話說，光致抗蝕劑以1/10的比率被稀釋，并且通過浸潤將稀釋的抗蝕 劑涂覆在玻璃輥型母板的圓柱表面上從而具有約130nm的厚度，抗蝕劑被粘附為膜。接下 來，通過將玻璃母板作為記錄介質(zhì)轉(zhuǎn)印至圖11所示的輥型母板曝光裝置并且曝光抗蝕劑， 抗蝕劑以一個螺旋的形狀連接，并且在抗蝕劑中將在三個相鄰軌跡的軌跡之間形成的六方 點陣圖案的潛像形成圖案。具體而言，曝光至玻璃輥型母板表面的具有0. 50mj/m的功率的激光束照射在待 形成六方點陣圖案的區(qū)域上，從而形成凹狀的準六方點陣圖案。另外，如圖13A所示，在軌 跡列的列方向上的抗蝕劑的厚度約為120nm，并且在軌跡延伸方向上的抗蝕劑的厚度約為 IOOnm0接下來，通過對玻璃輥型母板上的抗蝕劑執(zhí)行顯影處理，位于曝光部的抗蝕劑被 溶解，從而被顯影。具體而言，未被顯影的玻璃輥型母板放置在圖中沒有示出的顯影單元的 轉(zhuǎn)臺上。隨后，當旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)臺時，將顯影液滴至玻璃輥型母板的表面，從而顯影表面上的抗蝕 劑。因此，能夠獲取抗蝕層以準六方點陣圖案開口的抗蝕玻璃母板。接下來，通過使用輥型等離子體蝕刻在CHF3氣氛下執(zhí)行等離子體蝕刻處理。因 此，在玻璃輥型母板的表面上，僅蝕刻從抗蝕層中暴露出來的準六方點陣圖案的部分，并且 其他區(qū)域由于作為掩模的光致抗蝕劑而沒蝕刻。因此，能夠獲取具有橢圓錐形形狀的凹部。 根據(jù)蝕刻時間改變此時的圖案的蝕刻量(深度)。最后，通過O2打磨完全消除光致抗蝕劑，可獲取具有凹狀的六方點陣圖案的蛾眼玻璃輥型母板。列方向上的凹部的深度大于軌跡延 伸方向上的深度。將上述蛾眼玻璃輥型母板和涂覆了紫外線固化樹脂的丙烯酸樹脂片等彼此緊密 接觸，并且剝離丙烯酸樹脂片等，同時通過照射紫外線將其固化。因此，制備了光學器件 (圖 13C)。實施例2通過對于每個單獨軌跡調(diào)節(jié)極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)次數(shù)及適當?shù)?透射節(jié)距，通過圖案化抗蝕層在抗蝕層上記錄準六方點陣圖案。除此之外，與實施例1相同 地來制備光學器件。實施例3通過對于每個單獨軌跡調(diào)節(jié)極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)次數(shù)及適當?shù)?透射節(jié)距，通過圖案化抗蝕層在抗蝕層上記錄四方點陣圖案。除此之外，與實施例1相同地 來制備光學器件。實施例4通過對于每個單獨軌跡調(diào)節(jié)極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)次數(shù)及適當?shù)?透射節(jié)距，通過圖案化抗蝕層在抗蝕層上記錄準四方點陣圖案。除此之外，與實施例1相同 地來制備光學器件。形狀的評價通過使用原子力顯微鏡(AFM)來觀察如上所述所制備的實施例1至實施例4的光 學器件。隨后，通過AFM的截面輪廓獲取每個實施例的結(jié)構(gòu)體的高度。結(jié)果如表2和表3 所示。表2
實施例1實施例2點陣圖案六方點陣準六方點陣軌跡延伸方向上的高度243nm308nm列方向上的高度30 Inm348nm軌跡延伸方向上的周期(Pi)300nm315nm60度方向上的周期(P2)300nm300nm平均周期300nm305nm縱橫比11. 14表3
2權(quán)利要求
1.一種光學器件，具有防反射功能，所述光學器件包括 基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部形成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距配置在所述基 底的表面上，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體被配置為在所述基底的表面上形成多列軌跡，并且形成準六方 點陣圖案、四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且其中，所述結(jié)構(gòu)體對所述基底的表面的填充率等于或高于65%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體對所述基底的表面的填充率等 于或高于73%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體對所述基底的表面的填充率等 于或高于86%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學器件，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體被配置為形成具有直線形狀的多列軌跡，并形成準六方點陣圖 案，并且其中，在所述軌跡的延伸方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度小于在所述軌跡的列方向 上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學器件，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體被配置為形成具有直線形狀的多列軌跡，并形成四方點陣圖案 或準四方點陣圖案，并且其中，在相對于所述軌跡延伸方向傾斜的配置方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度小于 在所述軌跡的延伸方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學器件，其中，在同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié) 距Pl大于兩個相鄰軌跡之間的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學器件，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體在所述基底的表面上形成六方點陣圖案或準六方點陣圖案，并且其中，當同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的所 述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時，P1/P2的比率滿足關(guān)系1.00 ^ P1/P2 < 1. 1或1. 00 < P1/P2 ≤ 1. 1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學器件，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體在所述基底的表面上形成四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且其中，當同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且兩個相鄰軌跡之間的所 述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時，P1/P2的比率滿足關(guān)系1. 4 < P1/P2彡1. 5。
9.一種光學器件，具有防反射功能，所述光學器件包括 基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部形成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距配置在所述基 底的表面上，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體被配置為在所述基底的表面上形成多列軌跡，并且形成準六方點陣圖案，并且其中，當同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且所述結(jié)構(gòu)體的底面在所 述軌跡方向上的直徑為2r時，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等 于或高于85%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學器件，其中，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率 ((2r/Pl) X100)等于或高于 90%。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學器件，其中，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率 ((2r/Pl) X100)等于或高于 95%。
12.一種光學器件，具有防反射功能，所述光學器件包括 基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部形成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距配置在所述基 底的表面上，其中，所述多個結(jié)構(gòu)體被配置為在所述基底的表面上形成多列軌跡，并且形成四方點 陣圖案或準四方點陣圖案，并且其中，當同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且所述結(jié)構(gòu)體的底面在所 述軌跡方向上直徑為2r時，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于 或高于64%。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學器件，其中，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率 ((2r/Pl) X100)等于或高于 69%。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學器件，其中，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率 ((2r/Pl) X100)等于或高于 73%。
15.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任一項所述的光學器件。
16.一種封裝件，包括根據(jù)權(quán)利要求1至14的任意一種的所述光學器件。
17.一種具有防反射功能的光學器件的母板的制造方法，所述方法包括以下步驟 在具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的所述母板的圓周面上形成抗蝕層； 通過在旋轉(zhuǎn)其上形成了所述抗蝕層的所述母板并且平行于具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的所述母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，間歇性地將所述激光束 照射在所述抗蝕層上，從而形成具有比可見光波長更小的節(jié)距的潛像； 通過顯影所述抗蝕層在所述母板的表面上形成抗蝕圖案；并且 通過使用所述抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理，在所述母板的表面上形成具有凹狀或 凸狀的結(jié)構(gòu)體，其中，在形成所述潛像時，所述潛像被配置為在所述母板的表面上形成多列軌跡，并形 成準六方點陣圖案、四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且其中，所述結(jié)構(gòu)體對所述母板的表面的填充率等于或高于65%。
18.一種具有防反射功能的光學器件的母板的制造方法，所述方法包括以下步驟 在具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的所述母板的圓周面上形成抗蝕層； 通過在旋轉(zhuǎn)其上形成了所述抗蝕層的所述母板并且平行于具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的所述母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，間歇性地將所述激光束 照射在所述抗蝕層上，從而形成具有比可見光波長更小的節(jié)距的潛像；通過顯影所述抗蝕層在所述母板的表面上形成抗蝕圖案；并且 通過使用所述抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理，在所述母板的表面上形成具有凹狀或 凸狀的結(jié)構(gòu)體，其中，在形成所述潛像時，所述潛像被配置為在所述母板的表面上形成多列軌跡，并形 成準六方點陣圖案，并且其中，當同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且所述結(jié)構(gòu)體在所述軌跡 方向上的直徑為2r時，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或高 于 85%。
19.一種具有防反射功能的光學器件的母板的制造方法，所述方法包括以下步驟 在具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的所述母板的圓周面上形成抗蝕層； 通過在旋轉(zhuǎn)其上形成了所述抗蝕層的所述母板并且平行于具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的所述母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，間歇性地將所述激光束 照射在所述抗蝕層上，從而形成具有比可見光波長更小的節(jié)距的潛像； 通過顯影所述抗蝕層在所述母板的表面上形成抗蝕圖案；并且 通過使用所述抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理，在所述母板的表面上形成具有凹狀或 凸狀的結(jié)構(gòu)體，其中，在形成所述潛像時，所述潛像被配置為在所述母板的表面上形成多列軌跡，并形 成四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且其中，當同一軌跡內(nèi)的所述多個結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為Pl并且所述結(jié)構(gòu)體在所述軌跡 方向上的直徑為2r時，所述直徑2r與所述配置節(jié)距Pl的比率((2r/Pl) X 100)等于或高 于 64%。
20.一種具有防反射功能的光學器件的制造方法，所述方法包括以下步驟 在具有實心圓柱體形狀或空心圓柱體形狀的母板的圓周面上形成抗蝕層；通過在旋轉(zhuǎn)其上形成了所述抗蝕層的所述母板并且平行于具有實心圓柱體形狀或空 心圓柱體形狀的所述母板的中心軸相對移動激光束的光點的同時，間歇性地將所述激光束 照射在所述抗蝕層上，從而形成具有比可見光波長更小的節(jié)距的潛像； 通過顯影所述抗蝕層在所述母板的表面上形成抗蝕圖案；通過使用所述抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻處理，在所述母板的表面上形成具有凹狀或 凸狀的結(jié)構(gòu)體；并且制備所述光學器件，通過使用其上形成了所述結(jié)構(gòu)體的所述母板將所述結(jié)構(gòu)體轉(zhuǎn)印至 所述光學器件，其中，在形成所述潛像時，所述潛像被配置為在所述母板的表面上形成多列軌跡，并形 成準六方點陣圖案、四方點陣圖案或準四方點陣圖案， 其中，所述結(jié)構(gòu)體的轉(zhuǎn)印包括 在所述基底上形成包含硅氧烷樹脂的樹脂層，并且 通過將所述母板壓在所述樹脂層上來轉(zhuǎn)印所述母板的所述結(jié)構(gòu)體，并且 其中，所述結(jié)構(gòu)體對所述母板的表面的填充率等于或高于65%。
全文摘要
本發(fā)明提供了光學器件及其制造方法、以及母板的制造方法。其中，具有防反射功能的光學器件，包括基底；以及多個結(jié)構(gòu)體，由凸部或凹部形成，以等于或小于可見光波長的微小節(jié)距配置在基底的表面上。多個結(jié)構(gòu)體被配置為在基底的表面上形成多列軌跡，并且形成準六方點陣圖案、四方點陣圖案或準四方點陣圖案，并且結(jié)構(gòu)體對基底表面的填充率等于或高于65％。
文檔編號G02B1/11GK102004272SQ20101026540
公開日2011年4月6日 申請日期2010年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月2日
發(fā)明者林部和彌, 遠藤惣銘 申請人:索尼公司