專利名稱：檢測晶片表面形貌的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及檢測晶片表面形貌的方法。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于集成電路制造工藝中。該技術(shù)通過光刻系統(tǒng)曝光，將設(shè)計(jì)的掩模板圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上?！把谀０濉焙汀肮饪棠z”的概念在光刻工藝中是公知的 掩模板也稱光刻版，是薄膜、塑料或玻璃等材料的基底上刻有精確定位的各種功能圖形(掩模圖形)的一種模板，用于對光刻膠的選擇性曝光；光刻膠是由光敏化合物、基體樹脂和有機(jī)溶劑等混合而成的膠狀液體，受特定波長光線作用后，其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使得在某種溶液中的溶解特性改變。由于光刻工藝決定最終集成電路的特征尺寸，光刻系統(tǒng)作為集成電路制造工藝中的重要設(shè)備，其精確要求對于光刻工藝的重要性不言自明。光刻系統(tǒng)包括對準(zhǔn)系統(tǒng)，該對準(zhǔn)系統(tǒng)關(guān)于掩模板的投影圖像來精確地對準(zhǔn)晶片，由此允許掩模板在晶片的選定區(qū)域曝光。 目前主要使用的有兩種光刻系統(tǒng)，一種是步進(jìn)光刻系統(tǒng)，掩模圖案依次曝光成像在晶片的一個(gè)曝光區(qū)域，隨后晶片相對于掩模板移動，將下一個(gè)曝光區(qū)域移動到掩模圖案和投影物鏡下方，再一次將掩模板圖案曝光在晶片的另一曝光區(qū)域，重復(fù)這一過程直到晶片上所有曝光區(qū)域都擁有掩模圖案的像；另一種是步進(jìn)掃描光刻系統(tǒng)，在上述過程中，掩模圖案不是依次曝光成像，而是通過投影光場的掃描移動成像；在掩模圖案成像過程中，掩模板與晶片同時(shí)相對于投影系統(tǒng)和投影光束移動。為獲得最佳成像效果，在曝光工藝中，涂覆有光刻膠的晶片上表面需置于最佳像面高度。然而，由于加工工藝的原因，晶片表面并非理想平面，這是由于在多數(shù)產(chǎn)品芯片上， 任一層上的圖案密度一般是不均勻的。這會在處理數(shù)個(gè)物理層之后由于拋光工藝和其它工藝對變化的圖案密度的反應(yīng)而造成離散的形貌圖案，晶片表面的高低起伏已經(jīng)足以影響光刻機(jī)曝光成像的質(zhì)量。為了解決這個(gè)問題，Yamada等人的美國專利No. 6，081，614涉及一種可應(yīng)用于掃描曝光型曝光設(shè)備的表面形貌檢測的方法，用于連續(xù)地檢測晶片表面相對于投影光學(xué)系統(tǒng)的光軸方向的位置或者傾斜。掩模圖像在這些設(shè)備中的聚焦在掃描曝光工藝器件連續(xù)地執(zhí)行校正驅(qū)動以便進(jìn)行自動聚焦和自動調(diào)平。如圖1所示，為具有調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的光學(xué)曝光系統(tǒng)平面原理示意圖。在照明系統(tǒng) 101的照射下，光源通過投影物鏡102將掩模103上的圖像投影曝光到晶片104上。掩模 103由掩模臺105支承，晶片104由工作臺106支承。在圖1中，在投影物鏡102和晶片104 之間有一個(gè)調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)110，該裝置與投影物鏡102或投影物鏡支承108進(jìn)行剛性連接， 用于對晶片104表面的位置信息進(jìn)行測量，測量結(jié)果送往晶片表面位置控制系統(tǒng)109，經(jīng)過信號處理和調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的計(jì)算后，驅(qū)動調(diào)焦調(diào)平執(zhí)行器111對工作臺112的位置進(jìn)行調(diào)整，完成晶片104的調(diào)焦調(diào)平。如圖2所示，示出一晶片210，晶片上具有按照所需要的管芯(die)的大小劃分的多個(gè)管芯，這些管芯以mXn的陣列排列。每個(gè)管芯之間由第一外圍電路相分隔(圖中未示出)。其中，每個(gè)管芯的大小均是相同的。每個(gè)管芯又分為多個(gè)晶粒，每個(gè)晶粒之間由其內(nèi)的第二外圍電路相分隔(圖中未示出)。每個(gè)晶粒中又包含了多個(gè)器件，例如，每個(gè)晶粒內(nèi)均為大量周期性重復(fù)排列的存儲單元(圖中未示出，例如可以為IOM個(gè))。調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)一般在測量掃描時(shí)使用九個(gè)光點(diǎn)來測量晶片表面的形貌。九個(gè)光點(diǎn)為由九個(gè)光點(diǎn)Μ(ΓΜ8所構(gòu)成的線性陣列，即檢測點(diǎn)陣列，且此檢測點(diǎn)陣列與掃描方向(如箭頭所示)垂直。此外，檢測點(diǎn)陣列大小足以遮蓋晶片上的所有管芯。在測量掃描時(shí)，調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)是以一曲折路徑201 (圖中以虛線示出)來進(jìn)行具有檢測點(diǎn)陣列掃描，因此檢測點(diǎn)陣列的中心位置即Μ4的中心位置會沿著每一個(gè)管芯行列的中心線行進(jìn)。在傳統(tǒng)的工藝中，由于每個(gè)光點(diǎn)的大小是確定的，而相鄰兩個(gè)光點(diǎn)之間會存在一定的距離，這樣，在檢測的時(shí)候就會遺漏某些部位，即出現(xiàn)所謂的“盲點(diǎn)”，如圖3的301區(qū)域所示。由于這些部位是不能夠被檢測到的，這樣，這些部分的表面形貌就不會被檢測到。 這很有可能造成晶片聚焦的問題?，F(xiàn)有的技術(shù)中，會想到增大光點(diǎn)的尺寸來解決這個(gè)問題， 但是這會使得光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，增加過多的生產(chǎn)成本，在實(shí)際工業(yè)中是不可行的。因此，需要一種新的方法，能夠在有效地檢測晶片表面形貌，避免出現(xiàn)“盲點(diǎn)”情況。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為了避免在檢測晶片表面形貌過程中出現(xiàn)“盲點(diǎn)”，本發(fā)明提出了一種檢測管芯表面形貌的方法，包括選取晶片，所述晶片具有多個(gè)管芯，所有的管芯具有相同的全部相對表面形貌；選取所述晶片上的第一管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)所述第一管芯的中心位置，所述檢測點(diǎn)陣列的具有多個(gè)相同的光點(diǎn)，所述光點(diǎn)為長方形，所述光點(diǎn)的寬度不小于所述光點(diǎn)間的間距，通過檢測所述第一管芯的第一絕對表面形貌確定所述第一管芯的第一相對表面形貌；選取所述晶片上的第二管芯，使所述調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離所述第二管芯的中心位置，所述偏離的距離不小于所述檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距且不大于所述檢測點(diǎn)陣列與所述管芯的寬度之差的一半，通過檢測所述第二管芯的第二絕對表面形貌確定所述第二管芯的第二相對表面形貌；合并所述第一相對表面形貌和所述第二相對表面形貌，以確定所述所有的管芯的全部相對表面形貌。優(yōu)選地，所述第一管芯和所述第二管芯是同一管芯。優(yōu)選地，所述第一管芯和所述第二管芯是不同的管芯。優(yōu)選地，所述檢測點(diǎn)陣列在所述第一管芯和所述第二管芯上的掃描方向相同。優(yōu)選地，所述檢測點(diǎn)陣列的掃描方向與所述檢測點(diǎn)陣列垂直。優(yōu)選地，所述檢測點(diǎn)陣列是由9個(gè)相同的光點(diǎn)組成的，所述檢測點(diǎn)陣列的寬度為 3(T35mm，所述管芯的寬度為25l6mm，所述光點(diǎn)的寬度為2. 8 3mm。
優(yōu)選地，所述調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的點(diǎn)陣列的中心位置偏離所述第二管芯的中心位置的距離為士(0. 6 1. 7) mm。本發(fā)明還提出了一種檢測晶片表面形貌的方法，包括選取晶片，所述晶片具有多個(gè)管芯，所有的管芯具有相同的全部相對表面形貌；選取所述晶片上的第一管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)所述第一管芯的中心位置，所述檢測點(diǎn)陣列的具有多個(gè)相同的光點(diǎn)，所述光點(diǎn)為長方形，所述光點(diǎn)的寬度不小于所述光點(diǎn)間的間距，通過檢測所述第一管芯的第一絕對表面形貌確定所述第一管芯的第一相對表面形貌；選取所述晶片上的第二管芯，使所述調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離所述第二管芯的中心位置，所述偏離的距離不小于所述檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距且不大于所述檢測點(diǎn)陣列與所述管芯的寬度之差的一半，通過檢測所述第二管芯的第二絕對表面形貌確定所述第二管芯的第二相對表面形貌；合并所述第一相對表面形貌和所述第二相對表面形貌，以確定所述所有的管芯的全部相對表面形貌；檢測所述晶片上的其它管芯的部分絕對表面形貌，通過所述部分絕對表面形貌和所述全部相對表面形貌，得到所述所有的管芯的全部絕對表面形貌。根據(jù)本發(fā)明，能夠避免由于光點(diǎn)間具有間距而產(chǎn)生的“盲點(diǎn)”問題，可以得知每個(gè)管芯的全部相對表面形貌，這樣可以在曝光時(shí)對晶片進(jìn)行更加準(zhǔn)確的定位，以保證晶片的聚焦，進(jìn)一步地保證光刻工藝的準(zhǔn)確性，以提高良品率。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
圖1是具有調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的光學(xué)曝光系統(tǒng)平面原理示意圖。； 圖2具有多個(gè)管芯的晶片的示意圖； 圖3是晶片上“盲點(diǎn)”的示意圖4A至4B為根據(jù)本發(fā)明的方法檢測晶片相對表面形貌的示意圖； 圖5是通過根據(jù)本發(fā)明的方法檢測管芯得到全部相對表面形貌的流程圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明的方法檢測晶片形貌的流程圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明是如何來檢測晶片表面形貌的。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列說明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需要說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比
5率，僅用以方便、清晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)一般在測量掃描時(shí)使用多個(gè)光點(diǎn)構(gòu)成的線性陣列，即檢測點(diǎn)這列。 檢測點(diǎn)陣列一般為九個(gè)光點(diǎn)，掃描方向與該檢測點(diǎn)陣列垂直。其中光點(diǎn)的形狀為長方形。此夕卜，檢測點(diǎn)陣列尺寸足以涵蓋每個(gè)管芯的寬度。例如，寬度為2516mm左右的管芯，檢測點(diǎn)陣列的寬度為3(T35mm左右，每一個(gè)光點(diǎn)的寬度為2.8 3mm左右。這里的寬度方向均與掃描方向垂直。在測量掃描時(shí)，調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)是以一曲折路徑來進(jìn)行具有九個(gè)光點(diǎn)的陣列掃描，因此檢測點(diǎn)陣列的中心位置，即M4的中心位置會沿著每一個(gè)管芯行列的中心線行進(jìn)。下面通過具體實(shí)例來描述根據(jù)本發(fā)明采用調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)檢測晶片形貌的具體方法，即本發(fā)明通過檢測點(diǎn)陣列的起始點(diǎn)不同來避免傳統(tǒng)檢測工藝中出現(xiàn)的“盲點(diǎn)”問題。這里，通過檢測點(diǎn)陣列中M4的中心位置來與管芯的中心位置的間距來反應(yīng)檢測點(diǎn)陣列的起始點(diǎn)的不同。M4的中心位置與管芯的中心位置偏離的距離不小于檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距，也不大于檢測點(diǎn)陣列與管芯的寬度之差的一半。晶片的表面形貌分為“相對表面形貌” 和“絕對表面形貌”。“相對表面形貌”是指每個(gè)管芯中的點(diǎn)與點(diǎn)之間的相對位置，與其它管芯無關(guān)。“絕對表面形貌”，是指每個(gè)管芯的實(shí)際形貌，即位于同一坐標(biāo)系時(shí)的位置。確定了管芯的絕對表面形貌，也就可以確定管芯的相對表面形貌。全部相對表面形貌是指每個(gè)管芯的完整的相對表面形貌，全部絕對表面形貌是指每個(gè)管芯的完整的絕對表面形貌，即不會遺漏任何部位的表面形貌。本發(fā)明是利用了知道每個(gè)管芯的全部相對表面形貌和部分絕對表面形貌，來得知每個(gè)管芯的全部絕對表面形貌，即確定該晶片的表面形貌。檢測管芯全部表面相對形貌實(shí)例1
如圖4A所示，選取管芯401，進(jìn)行第一次檢測。在第一次檢測管芯401的表面形貌的時(shí)候，先將調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)(圖中未示出)的檢測點(diǎn)陣列A (由Μ(ΓΜ8等9個(gè)光點(diǎn)組成)的中心位置，即Μ4的中心位置對準(zhǔn)管芯401的中心位置，然后采用曝光設(shè)備(圖中未示出)檢測管芯401的第一絕對表面形貌，接著通過第一絕對表面形貌確定管芯401的第一相對表面形貌，此時(shí)第一相對表面形貌由于“盲點(diǎn)”的存在而未能反應(yīng)該管芯401的全部相對表面形貌，即第一相對表面形貌為部分相對表面形貌，因此不知道該管芯401的全部絕對表面形貌。接下來，進(jìn)行第二次檢測管芯401的表面形貌，此時(shí)，將Μ4點(diǎn)的中心位置偏離管芯401 的中心位置，其偏離的距離不小于光點(diǎn)間的間距，也不大于檢測點(diǎn)陣列A與管芯401的寬度之差的一半。例如本實(shí)施例中，選取寬度為25l6mm左右的管芯401，檢測點(diǎn)陣列A的寬度為3(T35mm左右，每一個(gè)光點(diǎn)的寬度為2. 8 3mm左右，則M4點(diǎn)的中心位置偏離管芯401中心位置的距離為士(0.6 1. 7) mm，然后通過曝光設(shè)備檢測管芯401的第二絕對表面形貌， 接著通過第二絕對表面形貌得知管芯401的第二相對表面形貌，此時(shí)第二相對表面形貌由于“盲點(diǎn)”的存在而未能反應(yīng)該管芯401的全部相對表面形貌，但是第二相對表面形貌包含第一次檢測該管芯401的表面形貌時(shí)遺漏的部分，因此可通過這樣的兩次檢測，即合并第一相對表面形貌和第二相對表面形貌，得知管芯401的全部相對表面形貌，這樣就不會再出現(xiàn)“盲點(diǎn)”的問題。檢測管芯全部表面相對形貌實(shí)例2
由于同一晶片上的每個(gè)管芯的全部相對表面形貌可以被看作是一致的，因此，知道一個(gè)管芯的全部相對表面形貌，即可以得知所有管芯的全部相對表面形貌，但是需要指出的是，知道每個(gè)管芯的全部相對表面形貌并不意味著即知道每個(gè)管芯的全部絕對表面形貌，因此，每個(gè)管芯的全部絕對表面形貌還是需要進(jìn)行測量的。如圖4B所示，選取第一管芯 411，在檢測第一管芯411的表面形貌的時(shí)候，先將調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)(圖中未示出)的檢測點(diǎn)陣列A (由Μ(ΓΜ8等9個(gè)光點(diǎn)組成)的中心位置，即Μ4的中心位置對準(zhǔn)第一管芯411的中心位置，然后采用曝光設(shè)備(圖中未示出)檢測第一管芯411的第一絕對表面形貌，接著通過第一絕對表面形貌得知第一管芯411的第一相對表面形貌，此時(shí)第一相對表面形貌由于“盲點(diǎn)” 的存在而未能反應(yīng)該管芯411的全部相對表面形貌，即也不可能知道該管芯411的全部絕對表面形貌。接下來，再選取同一晶片上的第二管芯412來檢測其表面形貌，此時(shí)，將Μ4點(diǎn)的中心位置偏離第二管芯412的中心位置，其偏離的距離不小于光點(diǎn)間的間距，也不大于檢測點(diǎn)陣列A與管芯401的寬度之差的一半。例如本實(shí)施例中，選取寬度為25l6mm左右的管芯，檢測點(diǎn)陣列的寬度為3(T35mm左右，每一個(gè)光點(diǎn)的寬度為2.纊3mm左右，則偏離的距離為至士(0.6 1. 7) mm，然后通過檢測得到第二管芯412的第二絕對表面形貌，接著通過第二絕對表面形貌得知第二管芯412的第二相對表面形貌，此時(shí)第二相對表面形貌由于 “盲點(diǎn)”的存在而未能反應(yīng)該管芯412的全部相對表面形貌，但是第二相對表面形貌包含管芯411相應(yīng)位置的表面形貌時(shí)遺漏的部分，因此將通過這樣的兩次檢測后得到的第一相對表面形貌和第二相對表面形貌合并，得知第一管芯411的全部相對表面形貌，也是第二管芯412的全部相對表面形貌，同時(shí)也可以確定該晶片上的所有管芯的全部相對表面形貌。通過本實(shí)施例，可以通過分別確定同一晶片上兩個(gè)不同管芯的相對表面形貌，然后將其合并，來得知該晶片上所有管芯的全部相對表面形貌，在隨后的工藝中，可以通過調(diào)整晶片的位置和傾斜角度來進(jìn)行聚焦。而且，相比實(shí)例1而言，還可以節(jié)省工藝步驟，縮短生產(chǎn)周期，提高生產(chǎn)效率，進(jìn)一步地，降低生產(chǎn)成本。這是因?yàn)?，晶片上的每個(gè)管芯的是都需要進(jìn)行檢測的，通過分別對兩個(gè)不同管芯進(jìn)行檢測，可以避免對同一管芯的重復(fù)檢測。需要指出的是，對于晶片上的非完整的管芯，例如圖2中的管芯202，在實(shí)際工業(yè)中，也是需要進(jìn)行掃描的，但是調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)可以自動分辨這些非完整的管芯，在檢測完成后將這部分管芯的資料識別出來而不加以采用。根據(jù)本發(fā)明，通過在不同的起始位置分兩次檢測同一晶片上的相同或者不同管芯的相對表面形貌，并將分別得到的兩個(gè)相對表面形貌合并，能夠避免由于光點(diǎn)間存在間距而產(chǎn)生的“盲點(diǎn)”問題，即可以得知每個(gè)管芯的全部相對表面形貌，這樣可以在曝光時(shí)對晶片進(jìn)行更加準(zhǔn)確的定位，以保證晶片的聚焦，進(jìn)一步地保證光刻工藝的準(zhǔn)確性，以提高良品率。如圖5所示，為通過根據(jù)本發(fā)明的方法檢測管芯得到全部相對表面形貌的流程圖。在步驟501中，選取晶片，晶片具有多個(gè)管芯，所有的管芯具有相同的全部相對表面形貌。在步驟502中，選取晶片上的第一管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)第一管芯的中心位置，檢測點(diǎn)陣列的具有多個(gè)相同的光點(diǎn)，光點(diǎn)為長方形，光點(diǎn)的寬度不小于光點(diǎn)間的間距，通過檢測第一管芯的第一絕對表面形貌確定第一管芯的第一相對表面形貌。在步驟503中，選取晶片上的第二管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離第二管芯的中心位置，偏離的距離不小于檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距且不大于檢測點(diǎn)陣列與管芯的寬度之差的一半，通過檢測第二管芯的第二絕對表面形貌確定第二管芯的第二相對表面形貌。在步驟504中，合并第一相對表面形貌和第二相對表面形貌，以確定所有的管芯的全部相對表面形貌。
接下來檢測其它管芯的絕對表面形貌，需要指出的是，由于“盲點(diǎn)”的存在，每次測量所得到的絕對表面形貌也并非是每個(gè)管芯的全部絕對表面形貌，但是可以通過檢測其它管芯得到的部分絕對表面形貌和全部相對表面形貌，得知每個(gè)管芯的全部絕對表面形貌。 如圖6所示，為根據(jù)本發(fā)明的方法檢測晶片形貌的流程圖。在步驟601中，選取晶片，晶片具有多個(gè)管芯，所有的管芯具有相同的全部相對表面形貌；
在步驟602中，選取晶片上的第一管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)第一管芯的中心位置，檢測點(diǎn)陣列的具有多個(gè)相同的光點(diǎn)，光點(diǎn)為長方形，光點(diǎn)的寬度不小于光點(diǎn)間的間距，通過檢測第一管芯的第一絕對表面形貌確定第一管芯的第一相對表面形貌；
在步驟603中，選取晶片上的第二管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離第二管芯的中心位置，偏離的距離不小于檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距且不大于檢測點(diǎn)陣列與管芯的寬度之差的一半，通過檢測第二管芯的第二絕對表面形貌確定第二管芯的第二相對表面形貌；
在步驟604中，合并第一相對表面形貌和第二相對表面形貌，以確定所有的管芯的全部相對表面形貌；
在步驟605中，檢測晶片上的其它管芯的部分絕對表面形貌，通過部分絕對表面形貌和全部相對表面形貌，得到所有的管芯的全部絕對表面形貌。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種檢測管芯表面形貌的方法，包括選取晶片，所述晶片具有多個(gè)管芯，所有的管芯具有相同的全部相對表面形貌； 選取所述晶片上的第一管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)所述第一管芯的中心位置，所述檢測點(diǎn)陣列的具有多個(gè)相同的光點(diǎn)，所述光點(diǎn)為長方形，所述光點(diǎn)的寬度不小于所述光點(diǎn)間的間距，通過檢測所述第一管芯的第一絕對表面形貌確定所述第一管芯的第一相對表面形貌；選取所述晶片上的第二管芯，使所述調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離所述第二管芯的中心位置，所述偏離的距離不小于所述檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距且不大于所述檢測點(diǎn)陣列與所述管芯的寬度之差的一半，通過檢測所述第二管芯的第二絕對表面形貌確定所述第二管芯的第二相對表面形貌；合并所述第一相對表面形貌和所述第二相對表面形貌，以確定所述所有的管芯的全部相對表面形貌。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一管芯和所述第二管芯是同一管芯。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一管芯和所述第二管芯是不同的管-I-H心。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述檢測點(diǎn)陣列在所述第一管芯和所述第二管芯上的掃描方向相同。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述檢測點(diǎn)陣列的掃描方向與所述檢測點(diǎn)陣列垂直。
6.如權(quán)利要求廣5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述檢測點(diǎn)陣列是由9個(gè)相同的光點(diǎn)組成的，所述檢測點(diǎn)陣列的寬度為3(T35mm，所述管芯的寬度為25l6mm，所述光點(diǎn)的寬度為2. 8 3mm。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的點(diǎn)陣列的中心位置偏離所述第二管芯的中心位置的距離為士(0. 6^1. 7) mm。
8.—種檢測晶片表面形貌的方法，包括選取晶片，所述晶片具有多個(gè)管芯，所有的管芯具有相同的全部相對表面形貌； 選取所述晶片上的第一管芯，使調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)所述第一管芯的中心位置，所述檢測點(diǎn)陣列的具有多個(gè)相同的光點(diǎn)，所述光點(diǎn)為長方形，所述光點(diǎn)的寬度不小于所述光點(diǎn)間的間距，通過檢測所述第一管芯的第一絕對表面形貌確定所述第一管芯的第一相對表面形貌；選取所述晶片上的第二管芯，使所述調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離所述第二管芯的中心位置，所述偏離的距離不小于所述檢測點(diǎn)陣列中的光點(diǎn)的間距且不大于所述檢測點(diǎn)陣列與所述管芯的寬度之差的一半，通過檢測所述第二管芯的第二絕對表面形貌確定所述第二管芯的第二相對表面形貌；合并所述第一相對表面形貌和所述第二相對表面形貌，以確定所述所有的管芯的全部相對表面形貌；檢測所述晶片上的其它管芯的部分絕對表面形貌，通過所述部分絕對表面形貌和所述全部相對表面形貌，得到所述所有的管芯的全部絕對表面形貌。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種檢測晶片表面形貌的方法，包括選取包括具有相同的全部相對表面形貌的多個(gè)管芯的晶片；選取第一管芯，使檢測點(diǎn)陣列的中心位置對準(zhǔn)第一管芯的中心位置，通過檢測第一管芯的第一絕對表面形貌確定其第一相對表面形貌；選取第二管芯，使檢測點(diǎn)陣列的中心位置偏離第二管芯的中心位置，通過檢測第二管芯的第二絕對表面形貌確定其第二相對表面形貌；合并第一相對表面形貌和第二相對表面形貌確定管芯的全部相對表面形貌；檢測晶片上的其它管芯的部分絕對表面形貌，通過部分絕對表面形貌和全部相對表面形貌，得到所有的管芯的全部絕對表面形貌。根據(jù)本發(fā)明，能夠避免由于光點(diǎn)間具有間距而產(chǎn)生的“盲點(diǎn)”問題。
文檔編號G03F9/00GK102455600SQ201010509829
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月18日
發(fā)明者安輝, 王輝 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司