專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板，更具體地，本發(fā)明涉及執(zhí)行陣列測(cè)試的顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是經(jīng)常用作顯示器件的一種平板顯示器。液晶顯示器通常包括 兩個(gè)顯示面板以及插設(shè)在兩個(gè)顯示面板之間的液晶層，場(chǎng)產(chǎn)生電極諸如像素電極和公共電 極設(shè)置在這兩個(gè)顯示面板上。液晶顯示器施加電壓到場(chǎng)產(chǎn)生電極以在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)。 結(jié)果，液晶層的液晶分子的排列且因此入射到液晶層的光的偏振被控制以在液晶顯示器上 顯示圖像。在制造液晶顯示器之后，進(jìn)行陣列測(cè)試以確定液晶顯示器中的像素是否正常操作 或者是否有缺陷，諸如斷開(kāi)。在陣列測(cè)試之后，用于陣列測(cè)試的測(cè)試線(xiàn)與液晶顯示器的信號(hào) 線(xiàn)電分離。然而，分離的測(cè)試線(xiàn)暴露到液晶顯示器外，分離的測(cè)試線(xiàn)從而經(jīng)常被損壞，諸如被 來(lái)自例如液晶顯示器外的熱或濕氣引起的腐蝕損壞。此外，該損壞能轉(zhuǎn)移到液晶顯示器的 信號(hào)線(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示面板，其中來(lái)自被熱或濕氣腐蝕的測(cè)試線(xiàn)的損害被有效地防 止傳輸?shù)斤@示面板。根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的顯示面板包括絕緣基板，具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域； 配線(xiàn)，設(shè)置在顯示區(qū)域中的絕緣基板上；第一測(cè)試線(xiàn)和第二測(cè)試線(xiàn)，設(shè)置在絕緣基板上并彼 此基本平行地排列；以及二極管單元，設(shè)置在配線(xiàn)與第一測(cè)試線(xiàn)或第二測(cè)試線(xiàn)之間。配線(xiàn)從 顯示區(qū)域延伸到周邊區(qū)域中并經(jīng)過(guò)包括在二極管單元中的二極管，配線(xiàn)電連接到第一測(cè)試 線(xiàn)或第二測(cè)試線(xiàn)。每個(gè)二極管的輸入端子和輸出端子由絕緣基板上的不同配線(xiàn)層形成。二極管可以是連接成二極管的薄膜晶體管(diode connected thin filmtransistor)。薄膜晶體管可以包括由與柵極線(xiàn)相同的層形成的柵極電極以及由與數(shù)據(jù)線(xiàn)相同 的層形成的源極電極和漏極電極。柵極絕緣層和半導(dǎo)體層可以設(shè)置在每個(gè)薄膜晶體管的柵極電極與漏極電極之間。部分半導(dǎo)體層可以設(shè)置在漏極電極之下以具有與絕緣基板上的漏極電極的邊界 相同的邊界。歐姆接觸層可以設(shè)置在半導(dǎo)體層與絕緣基板上的漏極電極之間。切割線(xiàn)可以設(shè)置在第一測(cè)試線(xiàn)或第二測(cè)試線(xiàn)與二極管之間以將第一測(cè)試線(xiàn)或第 二測(cè)試線(xiàn)與二極管單元的二極管電斷開(kāi)。切割線(xiàn)和二極管之間的距離可以為約200微米(μπι)。
短路條可以設(shè)置為基本平行于絕緣基板上的第一測(cè)試線(xiàn)和第二測(cè)試線(xiàn)之一，其中 短路條使兩條或多條配線(xiàn)彼此連接。靜電保護(hù)電路可以設(shè)置在絕緣基板上在二極管單元與配線(xiàn)之間以耗散配線(xiàn)與二 極管單元之間的靜電。焊墊可以設(shè)置在絕緣基板上在配線(xiàn)與二極管之間，并可以從外部源提供信號(hào)到配 線(xiàn)。焊墊可以在絕緣基板的與設(shè)置二極管單元的一側(cè)相反的一側(cè)，其中焊墊將來(lái)自外 部源的信號(hào)提供到配線(xiàn)。配線(xiàn)可以是數(shù)據(jù)線(xiàn)或柵極線(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的顯示面板包括絕緣基板，包括顯示區(qū)域和周邊 區(qū)域；配線(xiàn)，設(shè)置在顯示區(qū)域中；以及二極管單元，連接到配線(xiàn)的從顯示區(qū)域延伸到周邊區(qū) 域中的部分。配線(xiàn)穿過(guò)二極管單元中的二極管并延伸使得配線(xiàn)的一端對(duì)應(yīng)于絕緣基板的邊緣。每個(gè)二極管的輸入端子和輸出端子可由絕緣基板上的不同配線(xiàn)層形成。二極管可以是連接成二極管的薄膜晶體管，薄膜晶體管可以每個(gè)包括用與柵極線(xiàn) 相同的層形成的柵極電極以及用與數(shù)據(jù)線(xiàn)相同的層形成的源極電極和漏極電極。柵極絕緣 層和半導(dǎo)體層可設(shè)置在每個(gè)薄膜晶體管的柵極電極與漏極電極之間。部分半導(dǎo)體層可以設(shè)置在漏極電極之下以具有與絕緣基板上的漏極電極的邊界 相同的邊界。從切割線(xiàn)到二極管的距離可以為約200 μ m。顯示面板還可以包括焊墊，該焊墊將來(lái)自外部源的信號(hào)提供到配線(xiàn)。焊墊可以設(shè) 置在二極管和配線(xiàn)之間或在絕緣基板的與設(shè)置二極管單元的一側(cè)相反的一側(cè)。根據(jù)這里描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施例，二極管連接在測(cè)試線(xiàn)與配線(xiàn)之間，絕緣 層和半導(dǎo)體層設(shè)置在測(cè)試線(xiàn)與配線(xiàn)之間，使得由被暴露和被熱或濕氣腐蝕的測(cè)試線(xiàn)導(dǎo)致的 腐蝕不轉(zhuǎn)移到配線(xiàn)。


通過(guò)參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他方面將 變得更加明顯，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶面板的示范性實(shí)施例的平面圖；圖2是圖1的區(qū)域“A”的放大圖；圖3是圖2的區(qū)域“B”的放大圖；圖4是沿圖3的線(xiàn)IV-IV截取的截面圖；圖5是圖2-4中示出的二極管的示意電路圖；圖6是圖1的區(qū)域“A”的放大圖；圖7是圖6的區(qū)域“B”的放大圖；圖8是沿圖7的線(xiàn)VIII-VIII截取的截面圖；圖9和圖10是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的，在斷開(kāi)連接線(xiàn)之后，液晶面板的示范性 實(shí)施例；以及
圖11是根據(jù)本發(fā)明的液晶面板的另一示范性實(shí)施例的平面圖。
具體實(shí)施例方式在下文將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可 以以多種不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為僅限于這里闡述的示例性實(shí)施例。而是，提供這 些實(shí)施例使得本公開(kāi)透徹和完整，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。相似的 附圖標(biāo)記始終指代相似的元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱(chēng)一元件在另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上，或者在兩者 之間可以存在插入的元件。相反，當(dāng)稱(chēng)一元件“直接在”另一元件上時(shí)，不存在插入的元件。 如此處所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)的一個(gè)或更多的任意和全部組合。應(yīng)當(dāng)理解，雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等可在這里用來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、 層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用 于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開(kāi)。因此，以下 討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱(chēng)為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分而不背 離本發(fā)明的教導(dǎo)。
這里所用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述特定實(shí)施例，并非是限制性的。如此處所用的，除 非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式“一”和“該”均同時(shí)旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理 解，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，指定了所述特征、區(qū)域、整體、步驟、 操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、 元件、組件和/或其組合的存在或增加。此外，這里可以使用諸如“下”或“底”以及“上”或“頂”的相對(duì)性術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如附 圖所示的一個(gè)元件與另一個(gè)元件之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，相對(duì)性術(shù)語(yǔ)旨在概括除附圖所示 取向之外的器件的不同取向。例如，如果一個(gè)附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，被描述為“在”其它 元件“下”側(cè)的元件將會(huì)在其它元件的“上”側(cè)。因而，示范性術(shù)語(yǔ)“下”能夠根據(jù)附圖的具 體取向而涵蓋“上”和“下”兩種取向。類(lèi)似地，如果一個(gè)附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，被描述為 “在”其它元件“之下”或“下面”的元件將會(huì)在其它元件“之上”。因此，示范性術(shù)語(yǔ)“之下” 或“下面”能夠涵蓋之上和之下兩種取向。除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具有本發(fā)明 所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如通用詞典中所定 義的術(shù)語(yǔ)，除非此處加以明確定義，否則應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的 含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過(guò)度形式化的意義。這里參照截面圖描述示范性實(shí)施例，這些圖為理想化實(shí)施例的示意圖。因而，例 如，由制造技術(shù)和/或公差引起的附圖形狀的變化是可能發(fā)生的。因此，這里描述的實(shí)施 例不應(yīng)被解釋為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差在 內(nèi)。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域可以通常具有粗糙和/或非線(xiàn)性的特征。此外，示出的 銳角可以是倒圓的。因此，附圖所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非要示出區(qū)域 的精確形狀，也并非要限制權(quán)利要求書(shū)的范圍。在下文，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。應(yīng)指出，盡管這里描述 的示范性實(shí)施例具體參照液晶面板作為顯示面板的代表示例，但是備選的示范性實(shí)施例不限于此?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D1更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶面板。圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶面板的示范性實(shí)施例的平面圖，更具體地，圖1示出根據(jù) 一個(gè)或多個(gè)示范性實(shí)施例的液晶面板的下基板100的配線(xiàn)布置。下基板100包括顯示區(qū)域300和周邊區(qū)域。在示范性實(shí)施例中，周邊區(qū)域設(shè)置在 顯示區(qū)域300周?chē)?，例如在顯示區(qū)域300外或圍繞顯示區(qū)域300，如圖1所示。顯示區(qū)域300包括柵極線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171 (在下文單獨(dú)地或整體地稱(chēng)為“配 線(xiàn)”)、連接到柵極線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171的薄膜晶體管(未示出)、以及連接到薄膜晶體管的 輸出端子的像素電極(未示出)。在下基板100上，柵極線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171彼此交叉并形成在例如設(shè)置在絕緣基 板110(圖4)上，絕緣基板110例如由諸如玻璃的材料制成，包括開(kāi)關(guān)元件例如連接到柵極 線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171的薄膜晶體管(未示出)的像素設(shè)置于顯示區(qū)域300中。在一示范性 實(shí)施例中，柵極線(xiàn)121沿第一方向(基本縱向的方向，如圖1所示)設(shè)置，數(shù)據(jù)線(xiàn)171沿第 二方向(基本橫向的方向)設(shè)置，第二方向基本垂直于第一方向。在一示范性實(shí)施例中，顯 示區(qū)域300的像素包括連接到薄膜晶體管的輸出端子的像素電極。此外，周邊區(qū)域包括焊墊1 和179，例如柵極焊墊1 和數(shù)據(jù)焊墊179，它們接 收來(lái)自外部的信號(hào)，諸如來(lái)自外部源(未示出)的信號(hào)，以用于配線(xiàn)(例如，用于柵極線(xiàn)121 和/或數(shù)據(jù)線(xiàn)171)；測(cè)試線(xiàn)250、251、252和253，用于施加測(cè)試信號(hào)到配線(xiàn)；以及二極管單 元210和211，用于將從測(cè)試線(xiàn)250,251,252和253提供的信號(hào)傳輸?shù)脚渚€(xiàn)。測(cè)試線(xiàn)250、 251,252和253以及二極管單元210和211包括連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171的第一測(cè)試線(xiàn)250、第二 測(cè)試線(xiàn)251和第一二極管單元210，以及連接到柵極線(xiàn)121的第三測(cè)試線(xiàn)252、第四測(cè)試線(xiàn) 253和第二二極管單元211。根據(jù)一示范性實(shí)施例，數(shù)據(jù)焊墊179設(shè)置在與靠近第一二極管單元210的一側(cè)相 反的一側(cè)，并設(shè)置在顯示區(qū)域300下方的周邊區(qū)域中，柵極焊墊1 設(shè)置在與第二二極管單 元211相反的一側(cè)，并設(shè)置在顯示區(qū)域300左側(cè)的周邊區(qū)域中。第一靜電保護(hù)電路單元270和第二靜電保護(hù)電路單元271通過(guò)例如耗散靜電來(lái)保 護(hù)配線(xiàn)和像素免受靜電影響，且設(shè)置在周邊區(qū)域的二極管單元210和211與配線(xiàn)之間。短 路條200和201連接多條配線(xiàn)，例如兩條或更多的配線(xiàn)，并設(shè)置在二極管單元210和211外 側(cè)。換句話(huà)說(shuō)，如圖1所示，第一靜電保護(hù)電路單元270設(shè)置在第一二極管單元210與 柵極線(xiàn)121之間，而第二靜電保護(hù)電路單元271設(shè)置在第二二極管單元211與數(shù)據(jù)線(xiàn)171 之間，但備選的示范性實(shí)施例不限于此。一條數(shù)據(jù)線(xiàn)171經(jīng)過(guò)包括在第一靜電保護(hù)電路單元270中的一個(gè)靜電保護(hù)電路 (未示出)并連接到包括在第一二極管單元210中的一個(gè)二極管(下面參照?qǐng)D3-5更詳細(xì) 地描述)，并分別電連接到第一測(cè)試線(xiàn)250和第二測(cè)試線(xiàn)251之一。此外，數(shù)據(jù)線(xiàn)171可以 經(jīng)過(guò)第一測(cè)試線(xiàn)250和第二測(cè)試線(xiàn)251并電連接到第一短路條200。另一方面，一條柵極線(xiàn)121經(jīng)過(guò)包括在第二靜電保護(hù)電路單元271中的一個(gè)靜電 保護(hù)電路(未示出)并連接到包括在第二二極管單元211中的一個(gè)二極管(圖5、7和8)， 并分別電連接到第三測(cè)試線(xiàn)252和第四測(cè)試線(xiàn)253。此外，柵極線(xiàn)121可以經(jīng)過(guò)第三測(cè)試線(xiàn)252和第四測(cè)試線(xiàn)253并電連接到第二短路條201?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D1-8更詳細(xì)地描述設(shè)置在下基板上的配線(xiàn)的結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的區(qū)域“A”的放大圖，圖3是圖2的區(qū)域“B”的放大圖，圖4是沿圖3 的線(xiàn)IV-IV截取的截面圖，圖5是圖2-4所示的二極管的示意電路圖，圖6是圖1的區(qū)域 “A”的放大圖，圖7是圖6的區(qū)域“B”的放大圖，圖8是沿圖7的線(xiàn)VIII-VIII截取的截面 圖?，F(xiàn)在將具體參照?qǐng)D2-5更詳細(xì)地描述連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171的第一二極管單元210、第 一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251、以及第一短路條200。在本發(fā)明一示范性實(shí)施例中，設(shè)置在數(shù)據(jù)線(xiàn)171的一端處的數(shù)據(jù)焊墊179位于下 基板100的下部周邊區(qū)域處。第一靜電保護(hù)電路單元270、第一二極管單元210、第一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251、 以及第一短路條200設(shè)置在數(shù)據(jù)線(xiàn)171的另一端處。參照?qǐng)D1和圖2，數(shù)據(jù)線(xiàn)171連接到第一靜電保護(hù)電路單元270，每條數(shù)據(jù)線(xiàn)171 電連接到第一靜電保護(hù)電路單元270中的一個(gè)靜電保護(hù)電路(未示出)的一端。該靜電保 護(hù)電路的另一端通過(guò)與數(shù)據(jù)線(xiàn)171基本平行地排列的連接線(xiàn)172連接到第一二極管單元 210。每條連接線(xiàn)172連接到第一二極管單元210中的每個(gè)二極管(圖3和圖4)的一端。 二極管的另一端通過(guò)另一連接線(xiàn)125分別電連接到第一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251之一，連 接線(xiàn)125也基本平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)171設(shè)置。如圖2所示，在一個(gè)或多個(gè)示范性實(shí)施例中，第一 和第二測(cè)試線(xiàn)250和251中的至少一個(gè)與連接線(xiàn)125彼此連接。此外，沿橫向方向(如圖 1所示)設(shè)置的連接線(xiàn)125與沿縱向方向設(shè)置的第一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251由此形成交 叉點(diǎn)，連接部件197設(shè)置在交叉點(diǎn)上，從而將這些線(xiàn)彼此電連接，連接部件197可由與像素 電極(未示出)相同的材料制成。因此，暴露測(cè)試線(xiàn)的接觸孔187設(shè)置在連接部件197與 測(cè)試線(xiàn)250和251之一彼此重疊的區(qū)域中，暴露連接線(xiàn)125的另一接觸孔187設(shè)置在連接 部件197與連接線(xiàn)125彼此重疊的區(qū)域中，使得測(cè)試線(xiàn)和連接線(xiàn)125通過(guò)連接部件197彼 此電連接，如圖2所示。在一示范性實(shí)施例中，第一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251可以由與數(shù)據(jù) 線(xiàn)171相同的材料形成。連接線(xiàn)125的一部分進(jìn)一步延伸并可以連接到第一短路條200，更具體地，從僅 偶數(shù)編號(hào)的(或者備選地，奇數(shù)編號(hào)的)數(shù)據(jù)線(xiàn)171延伸的連接線(xiàn)125連接到第一短路條 200，但備選的示范性實(shí)施例不限于此。連接到第一短路條200的連接線(xiàn)125可以由與短路 條200相同的材料一起形成，其在一示范性實(shí)施例中是與柵極線(xiàn)121相同的材料?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D3至圖5更詳細(xì)地描述每個(gè)二極管的結(jié)構(gòu)。在一示范性實(shí)施例中，每個(gè)二極管是連接成二極管的薄膜晶體管(TFT)，薄膜晶體 管是三端子開(kāi)關(guān)元件，其中TFT的控制端子和輸入端子彼此連接，如圖5所示的連接成二極 管的TFT的示意電路圖所示。在一示范性實(shí)施例中，連接成二極管的TFT(下文稱(chēng)為“晶體 管”)如圖3和圖4所示地形成，如將更詳細(xì)地描述的那樣。連接到第一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251之一且基本平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)171的連接線(xiàn)125 延伸得具有寬的寬度(相對(duì)于它的其它部分)，從而形成柵極電極126。連接線(xiàn)125和柵極 電極1 設(shè)置在絕緣基板110上，例如如上所述的絕緣基板110。在一示范性實(shí)施例中，柵 極電極126形成晶體管的控制端子，連接線(xiàn)125和柵極電極126由與顯示區(qū)域300的柵極線(xiàn)121相同的材料形成。柵極絕緣層140設(shè)置在連接線(xiàn)125和柵極電極1 上。柵極絕緣層140覆蓋幾乎 下基板100的全部區(qū)域，包括顯示區(qū)域300，并可以包括用于暴露部分柵極焊墊1 和連接 線(xiàn)125的接觸孔185。半導(dǎo)體層150設(shè)置在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體層150覆蓋柵極電極126的上部 的至少一部分，并包括溝道區(qū)域。在一示范性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層150由與顯示區(qū)域300的 半導(dǎo)體層(未示出)相同的材料形成。在一示范性實(shí)施例中分別為晶體管的輸入端子和輸出端子的源極電極173和漏 極電極175設(shè)置在半導(dǎo)體層150上。源極電極173電連接到連接線(xiàn)125，并接收來(lái)自連接 線(xiàn)125的輸入信號(hào)。漏極電極175延伸，從而具有與連接線(xiàn)172相同的功能，連接二極管和 第一靜電保護(hù)電路單元270。浮置電極174設(shè)置在漏極電極175與源極電極173之間。在 一示范性實(shí)施例中，浮置電極174具有確保半導(dǎo)體層150的溝道區(qū)域的功能。歐姆接觸層 163,164和165分別設(shè)置在半導(dǎo)體層150與源極電極173之間、半導(dǎo)體層150與浮置電極 174之間以及半導(dǎo)體層150與漏極電極175之間，如圖4所示。源極電極173、漏極電極175 和浮置電極174可以由與顯示區(qū)域300的數(shù)據(jù)線(xiàn)171相同的材料一起形成。此外，在一示 范性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層150可以被蝕刻使得歐姆接觸層163、164和165(其分別與源極電 極173、浮置電極174和漏極電極175 —起被蝕刻)具有與半導(dǎo)體層150公共(例如相同) 的邊界。鈍化層180設(shè)置在柵極絕緣層140、源極電極173、漏極電極175和浮置電極174 上。鈍化層180具有用于暴露部分源極電極173的接觸孔186和用于暴露部分連接線(xiàn)125 的接觸孔185。在一示范性實(shí)施例中，鈍化層180覆蓋所有的二極管。用于連接連接線(xiàn)125和源極電極173的連接電極192設(shè)置在鈍化層180上。因此，在一示范性實(shí)施例中，第一二極管單元210的二極管形成為連接成二極管 的晶體管(圖幻。當(dāng)形成二極管時(shí)，二極管的溝道的寬度足以有效防止施加陣列測(cè)試信號(hào) 時(shí)的問(wèn)題。在一示范性實(shí)施例中，用于檢查數(shù)據(jù)線(xiàn)171的諸如斷線(xiàn)的問(wèn)題的陣列測(cè)試使用圖 1-5所示的示范性實(shí)施例的上述結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行。陣列測(cè)試可以在形成上基板(未示出)和液 晶層(未示出)的狀態(tài)下執(zhí)行。為了陣列測(cè)試，第一和第二測(cè)試線(xiàn)250和251被提供不同 的電壓。具體地，例如，一條測(cè)試線(xiàn)提供有高電壓，另一測(cè)試線(xiàn)提供有(相對(duì))低的電壓，在 預(yù)定時(shí)段后可以施加相反的電壓。結(jié)果，相應(yīng)像素的任何缺陷可以通過(guò)觀(guān)察像素中的顯示 惡化而確認(rèn)。連接線(xiàn)125關(guān)于圖2中示出的線(xiàn)C(例如切割線(xiàn)C)被斷開(kāi)，或者下基板100的線(xiàn) c(切割線(xiàn)C)的上部可被切割，如下面將參照?qǐng)D9和圖10更詳細(xì)地描述的那樣。此外，第 一二極管單元210位于距離線(xiàn)C(切割線(xiàn)C) 一距離處，在一示范性實(shí)施例中其為約200微 米(μπι)的距離，如圖2所示。應(yīng)指出，在其它的示范性實(shí)施例中，可以改變?cè)摼嚯x，此距離 可以大于或小于200 μ m。當(dāng)連接線(xiàn)125被斷開(kāi)或切割使得它暴露到外部時(shí)，連接線(xiàn)會(huì)被熱和/或濕氣腐蝕。 此腐蝕延伸，然后會(huì)不利地影響顯示區(qū)域300。然而，在一示范性實(shí)施例中，如圖3和圖4所 示，二極管設(shè)置在顯示區(qū)域300和線(xiàn)C (切割線(xiàn))之間，使得任何腐蝕不蔓延到顯示區(qū)域300中。具體地，對(duì)于要進(jìn)到顯示區(qū)域300中的腐蝕，腐蝕在其進(jìn)展到連接線(xiàn)125的端部之后必 須經(jīng)過(guò)柵極絕緣層140和半導(dǎo)體層150，然后必須通過(guò)漏極電極175進(jìn)展到連接線(xiàn)172。然 而，在一示范性實(shí)施例中，柵極絕緣層140和半導(dǎo)體層150阻擋腐蝕，使得它無(wú)法進(jìn)一步前 進(jìn)，例如使得它不進(jìn)展到顯示區(qū)域300中。因此，在一示范性實(shí)施例中，柵極絕緣層140和 半導(dǎo)體層150是雙阻擋膜。因而，腐蝕無(wú)法進(jìn)展到漏極電極175中，顯示區(qū)域300保持不被 腐蝕。此外，如圖2所示，在一示范性實(shí)施例中線(xiàn)C(切割線(xiàn)C)與第一二極管單元210之間 的距離為約200 μ m,因此對(duì)于腐蝕需要足夠長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)進(jìn)展此距離，使得進(jìn)一步防止了腐 蝕進(jìn)程。然而，盡管線(xiàn)C(切割線(xiàn))與第一二極管單元210之間的距離也可以很小，但是第 一二極管單元210中的二極管包括柵極絕緣層140和半導(dǎo)體層150的雙阻擋膜，使得腐蝕 仍然無(wú)法進(jìn)展到顯示區(qū)域300中。在圖5中，以示意電路圖示出圖3和圖4的二極管。如圖5所示，輸入到晶體管的 控制端子的陣列測(cè)試信號(hào)通過(guò)輸出端子傳輸，控制晶體管的溝道的寬度以去除陣列測(cè)試信 號(hào)的傳輸?shù)膯?wèn)題。現(xiàn)在將參照?qǐng)D6至圖8進(jìn)一步描述圖1的連接到柵極線(xiàn)121的第二二極管單元 211、第三和第四測(cè)試線(xiàn)252和253、以及第二短路條201的結(jié)構(gòu)。在一示范性實(shí)施例中，在柵極線(xiàn)121 —端處的柵極焊墊1 位于下基板100的左 周邊區(qū)域中。另一方面，第二靜電保護(hù)電路單元271、第二二極管單元211、第三和第四測(cè)試 線(xiàn)252和253、以及第二短路條201設(shè)置在柵極線(xiàn)121的另一端處。參照?qǐng)D1和圖6，柵極線(xiàn)121連接到第二靜電保護(hù)電路單元271，每條柵極線(xiàn)121 電連接到第二靜電保護(hù)電路單元271中的一個(gè)靜電保護(hù)電路(未示出)的一端。靜電保護(hù) 電路的另一端通過(guò)與柵極線(xiàn)121基本平行地排列的連接線(xiàn)122和172-1連接到第二二極 管單元211。每條連接線(xiàn)122和172-1連接到第二二極管單元211中的二極管(圖7和圖 8)的一端。在一示范性實(shí)施例中，連接線(xiàn)122和172-1可以通過(guò)連接兩條彼此分離的線(xiàn)而 形成，如圖6所示，圖6示出了其放大的連接關(guān)系。連接線(xiàn)122和172-1基本平行于柵極線(xiàn) 121延伸，靠近顯示區(qū)域300的連接線(xiàn)122直接連接到柵極線(xiàn)121并由與柵極線(xiàn)121相同的 材料制成，另一連接線(xiàn)172-1基本平行于柵極線(xiàn)121，但是它由與數(shù)據(jù)線(xiàn)171相同的材料制 成。如圖6所示，兩條連接線(xiàn)122和172-1的端部彼此相對(duì)，并通過(guò)覆蓋其一部分的連接部 件198而彼此電連接。此外，暴露連接線(xiàn)122的接觸孔188形成在直接連接到柵極線(xiàn)121 的連接線(xiàn)122與連接部件198彼此重疊的區(qū)域中，暴露另一連接線(xiàn)172-1的接觸孔188形 成在另一連接線(xiàn)172-1與連接部件198彼此重疊的區(qū)域中，從而將這些部件連接到連接部 件198。在一示范性實(shí)施例中，連接部件198設(shè)置在兩條連接線(xiàn)122和172-1上，并可以由 與像素電極(未示出)相同的材料一起形成。每個(gè)二極管的另一端通過(guò)基本平行于柵極線(xiàn)121排列的另一連接線(xiàn)125-1分別電 連接到第三和第四測(cè)試線(xiàn)252和253之一。圖6示出其中第三和第四測(cè)試線(xiàn)252和253之 一與連接線(xiàn)125-1彼此連接的放大結(jié)構(gòu)。如圖6所示，連接線(xiàn)125-1沿縱向方向設(shè)置，第三 和第四測(cè)試線(xiàn)252和253沿橫向方向設(shè)置，因而形成交叉點(diǎn)，由與像素電極(未示出)相同 的材料制成的連接部件197-1設(shè)置在交叉點(diǎn)上從而電連接這兩條線(xiàn)。因此，用于暴露測(cè)試 線(xiàn)的接觸孔187-1設(shè)置在連接部件197-1與測(cè)試線(xiàn)252和253之一彼此重疊的區(qū)域中，用于 暴露連接線(xiàn)125-1的接觸孔187-1設(shè)置在連接部件197-1與連接線(xiàn)125-1重疊的區(qū)域中，使得這兩條線(xiàn)通過(guò)連接部件197-1彼此電連接。在一示范性實(shí)施例中，第三和第四測(cè)試線(xiàn) 252和253可以由與數(shù)據(jù)線(xiàn)171相同的材料形成。連接線(xiàn)125-1的一部分進(jìn)一步延伸從而它可以連接到第二短路條201，僅從偶數(shù) 編號(hào)的(或者備選地，奇數(shù)編號(hào)的)柵極線(xiàn)121延伸的連接線(xiàn)125-1連接到第二短路條201， 但備選的示范性實(shí)施例不限于此。連接到第二短路條201的連接線(xiàn)125-1可以由與短路條 201相同的材料一起形成，在一示范性實(shí)施例中由與柵極線(xiàn)121相同的材料一起形成?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D7和圖8更詳細(xì)地描述每個(gè)二極管的結(jié)構(gòu)。根據(jù)一示范性實(shí)施例的每個(gè)二極管具有連接成二極管的TFT結(jié)構(gòu)，其中TFT例如 三端子元件晶體管的控制端子和輸入端子彼此連接，如圖5的示意電路圖所示。在一示范 性實(shí)施例中，如圖7和圖8所示地形成連接成二極管的晶體管。更具體地，分別連接到第三和第四測(cè)試線(xiàn)252和253之一且基本平行于柵極線(xiàn) 121排列的連接線(xiàn)125-1延伸以具有寬的寬度(相對(duì)于它的其它部分)，從而形成柵極電極 126-1。在一示范性實(shí)施例中，柵極電極U6-1形成晶體管的控制端子，連接線(xiàn)125-1和柵 極電極126-1由與顯示區(qū)域300的柵極線(xiàn)121相同的材料形成。柵極絕緣層140設(shè)置在連接線(xiàn)125-1和柵極電極1沈_1上。柵極絕緣層140覆蓋 下基板100的幾乎全部區(qū)域，包括顯示區(qū)域300，并可以包括用于暴露部分柵極焊墊1 和 連接線(xiàn)125-1的接觸孔185-1。半導(dǎo)體層150-1設(shè)置在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體層150_1覆蓋柵極電極1沈_1 的上部的至少一部分，并包括溝道區(qū)域。半導(dǎo)體層150-1由與顯示區(qū)域300的半導(dǎo)體層相 同的材料形成。分別為晶體管的輸入端子和輸出端子的源極電極173-1和漏極電極175-1設(shè)置在 半導(dǎo)體層150-1上。源極電極173-1電連接到連接線(xiàn)125-1，并接收來(lái)自連接線(xiàn)125-1的輸 入信號(hào)。漏極電極175-1延伸，從而具有與連接二極管和第一靜電保護(hù)電路單元270的連接 線(xiàn)172-1相同的功能。浮置電極174-1設(shè)置在漏極電極175-1與源極電極173-1之間，浮 置電極174-1確保半導(dǎo)體層150-1的溝道區(qū)域。在一示范性實(shí)施例中，歐姆接觸層163-1、 164-1和165-1分別設(shè)置在半導(dǎo)體層150-1與源極電極173-1之間、半導(dǎo)體層150-1與浮 置電極174-1之間、以及半導(dǎo)體層150-1與漏極電極175-1之間。源極電極173-1、浮置電 極174-1和漏極電極175-1由與顯示區(qū)域300的數(shù)據(jù)線(xiàn)171相同的材料一起形成。此外， 半導(dǎo)體層150-1以及歐姆接觸層163-1、164-1和165-1被蝕刻(歐姆接觸層163-1、164-1 和165-1分別與源極電極173-1、浮置電極174-1和漏極電極175-1 —起被蝕刻)，使得它 們可以具有相同的邊界，除了溝道部分之外。鈍化層180設(shè)置在柵極絕緣層140、源極電極173_1、漏極電極175_1和浮置電極 174-1上。鈍化層180具有用于暴露部分源極電極173-1的接觸孔186-1和用于暴露部分 連接線(xiàn)125-1的接觸孔185-1，且覆蓋全部二極管。用于連接連接線(xiàn)125-1和源極電極173-1的連接電極192_1設(shè)置在鈍化層180上。因此，在示范性實(shí)施例中，第二二極管單元211的二極管形成為連接成二極管的 晶體管。當(dāng)形成二極管時(shí)，二極管的溝道的寬度足以有效防止施加陣列測(cè)試信號(hào)時(shí)的問(wèn)題。用于檢查柵極線(xiàn)121的諸如斷線(xiàn)的問(wèn)題的陣列測(cè)試使用以上參照?qǐng)D1和圖6-8的 結(jié)構(gòu)描述的示范性實(shí)施例來(lái)進(jìn)行。陣列測(cè)試可以在形成上基板(未示出)和液晶層(未示出)的狀態(tài)下執(zhí)行。為了陣列測(cè)試，第三和第四測(cè)試線(xiàn)252和253被分別提供不同的電壓。 具體地，例如，一條測(cè)試線(xiàn)提供有高電壓，另一測(cè)試線(xiàn)提供有(相對(duì))低的電壓，在預(yù)定時(shí)段 后可以施加相反的電壓。結(jié)果，相應(yīng)像素的任何缺陷可以通過(guò)觀(guān)察像素中的顯示惡化而確 認(rèn)。在一示范性實(shí)施例中，連接線(xiàn)125-1在圖6所示的線(xiàn)C(例如切割線(xiàn)C)處被斷開(kāi)， 或者備選地，下基板100的線(xiàn)C (切割線(xiàn)C)的右部可以被切割和/或去除，如下面將參照?qǐng)D 9和圖10更詳細(xì)地描述的那樣。此外，第二二極管單元211置于距離線(xiàn)C(切割線(xiàn)C) 一距 離處，諸如在約200 μ m的距離處，如圖6所示。應(yīng)指出，在備選的示范性實(shí)施例中，可以改 變此距離，此距離可以大于或小于200 μ m。因而，當(dāng)連接線(xiàn)125-1被斷開(kāi)或切割使得它暴露到外部時(shí)，連接線(xiàn)會(huì)被熱和/或濕 氣腐蝕。此腐蝕朝向顯示區(qū)域300延伸，然后會(huì)影響顯示區(qū)域300。然而，在一示范性實(shí)施 例中，二極管(圖7和圖8)設(shè)置在顯示區(qū)域300和線(xiàn)C(切割線(xiàn)C)之間，使得腐蝕不蔓延 到顯示區(qū)域300中。具體地，對(duì)于要進(jìn)展到顯示區(qū)域300中的腐蝕，該腐蝕在其進(jìn)展到連接 線(xiàn)125-1的端部之后必須經(jīng)過(guò)柵極絕緣層140和半導(dǎo)體層150-1，然后必須通過(guò)漏極電極 175-1進(jìn)展到連接線(xiàn)172-1和122。然而，在一示范性實(shí)施例中，柵極絕緣層140和半導(dǎo)體 層150-1阻擋該腐蝕(由于它們是雙阻擋膜)，使得腐蝕無(wú)法進(jìn)一步進(jìn)展。結(jié)果，腐蝕無(wú)法 進(jìn)展到漏極電極175-1中，顯示區(qū)域300由此保持不被腐蝕。此外，如圖6所示，線(xiàn)C(切割 線(xiàn)C)與第二二極管單元211之間的距離為約200 μ m，因此腐蝕需要(相對(duì))長(zhǎng)的時(shí)間沿著 從線(xiàn)C(切割線(xiàn)C)到連接線(xiàn)125的此距離進(jìn)展，因而腐蝕的轉(zhuǎn)移被進(jìn)一步防止。然而，盡管 線(xiàn)C(切割線(xiàn))與第二二極管單元211之間的距離可以被減小，但是第二二極管單元211中 的二極管包括雙阻擋膜(例如柵極絕緣層140和半導(dǎo)體層150-1)，使得腐蝕仍然無(wú)法進(jìn)展 到顯示區(qū)域300中。如圖5所示，圖7和圖8的二極管(以及圖3和圖4的二極管)示于示意電路圖 中。如圖5所示，輸入到晶體管的控制端子中的陣列測(cè)試信號(hào)通過(guò)輸出端子傳輸，晶體管的 溝道的寬度可以被控制以去除陣列測(cè)試信號(hào)的傳輸?shù)膯?wèn)題?，F(xiàn)在將更詳細(xì)地描述連接線(xiàn)125和125-1關(guān)于線(xiàn)C (切割線(xiàn)C)斷開(kāi)和下基板100 的切割線(xiàn)C外的部分被切割并去除的情形。在圖1所示的示范性實(shí)施例中，信號(hào)施加到柵極線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171以進(jìn)行陣列 測(cè)試。然而，在顯示面板的使用期間像素獨(dú)立地顯示圖像；因此，需要通過(guò)在切割線(xiàn)C處切 割而將柵極線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171分離。此分離方法基本分為兩類(lèi)，如圖9和圖10所示。圖9和圖10是示出斷開(kāi)連接線(xiàn)后的液晶面板的示范性實(shí)施例的平面圖。圖9示出通過(guò)使用例如激光僅斷開(kāi)連接線(xiàn)125和125-1的示范性實(shí)施例。結(jié)果， 連接線(xiàn)125和125-1被斷開(kāi)使得柵極線(xiàn)121和數(shù)據(jù)線(xiàn)171彼此分離，從而允許顯示器件正 常地操作，例如以非測(cè)試型模式。如圖9所示，測(cè)試線(xiàn)250、251、252和253以及短路條200 和201保留在下基板100上。另一方面，圖10示出通過(guò)關(guān)于切割線(xiàn)C的位置切割基板來(lái)去除下基板100和設(shè)置 在其上的配線(xiàn)的示范性實(shí)施例。在示范性實(shí)施例中，下基板100上的測(cè)試線(xiàn)和短路條被去 除，使得不必要的配線(xiàn)從下基板100去除；然而切割基板比使用激光切割配線(xiàn)(如圖9所 示)更困難。
因此，圖9和圖10所示的方法的示范性實(shí)施例各具有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，因而可以選 擇兩種方法中的任一種?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D11更詳細(xì)地描述本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例，圖11是根據(jù)本發(fā)明 的液晶面板的另一示范性實(shí)施例的平面圖。圖11中相同或相似的部件與圖1中的那些對(duì)應(yīng)，因此在圖1和圖11中使用相同 的附圖標(biāo)記，下文將省略或簡(jiǎn)化對(duì)其的任何重復(fù)詳細(xì)描述。應(yīng)指出，如圖11所示，焊墊1 和179設(shè)置在靠近二極管單元210和211的周邊區(qū)域中，這與圖1所示的示范性實(shí)施例不 同?，F(xiàn)在參照?qǐng)D11，周邊區(qū)域包括焊墊1 和179，用于接收來(lái)自外部例如來(lái)自外部 源(未示出)的信號(hào)以用于配線(xiàn)；測(cè)試線(xiàn)250、251、252和253，用于施加測(cè)試信號(hào)到配線(xiàn)； 以及二極管單元210和211，用于將從測(cè)試線(xiàn)提供的信號(hào)傳輸?shù)脚渚€(xiàn)。測(cè)試線(xiàn)250、251、252 和253以及二極管單元210和211包括連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171 —側(cè)的第一測(cè)試線(xiàn)250、第二測(cè)試 線(xiàn)251和第一二極管單元210，以及連接到柵極線(xiàn)121 —側(cè)的第三測(cè)試線(xiàn)252、第四測(cè)試線(xiàn) 253和第二二極管單元211。根據(jù)圖11所示的示范性實(shí)施例，數(shù)據(jù)焊墊179和第一二極管單元210設(shè)置在相同 側(cè)(關(guān)于數(shù)據(jù)線(xiàn)171)，從而設(shè)置在顯示區(qū)域300上的周邊區(qū)域中；柵極焊墊1 和第二二 極管單元211設(shè)置在相同側(cè)(關(guān)于柵極線(xiàn)121)，從而設(shè)置在顯示區(qū)域300左側(cè)的周邊區(qū)域中。用于保護(hù)配線(xiàn)和像素不受靜電影響的靜電保護(hù)電路單元270和271設(shè)置在周邊區(qū) 域的二極管單元210和211與焊墊179和1 之間，用于連接多條配線(xiàn)的短路條200和201 設(shè)置在二極管單元210和211外面。因此，第一靜電保護(hù)電路單元270設(shè)置在第一二極管單元210與數(shù)據(jù)焊墊179之 間，第二靜電保護(hù)電路單元271設(shè)置在第二二極管單元211與柵極焊墊1 之間。從數(shù)據(jù)焊墊179延伸的一條數(shù)據(jù)線(xiàn)171經(jīng)過(guò)包括在第一靜電保護(hù)電路單元270中 的一個(gè)靜電保護(hù)電路(未示出)且連接到包括在第一二極管單元210中的一個(gè)二極管(圖 3和圖4)，并電連接到第一測(cè)試線(xiàn)250和第二測(cè)試線(xiàn)251之一。此外，數(shù)據(jù)線(xiàn)171可以經(jīng)過(guò) 測(cè)試線(xiàn)250和251并電連接到第一短路條200。從柵極焊墊1 延伸的一條柵極線(xiàn)121經(jīng)過(guò)包括在第二靜電保護(hù)電路單元271中 的一個(gè)靜電保護(hù)電路(未示出)且連接到包括在第二二極管單元211中的一個(gè)二極管(圖 7和圖8)，并電連接到第三測(cè)試線(xiàn)252和第四測(cè)試線(xiàn)253。此外，柵極線(xiàn)121可經(jīng)過(guò)測(cè)試線(xiàn) 252和253并電連接到第二短路條201。因此，圖11的示范性實(shí)施例與圖1的示范性實(shí)施例基本相同，除了焊墊1 和179 的位置之外。在圖1和圖11的兩個(gè)示范性實(shí)施例中，描述了靜電保護(hù)電路單元。然而，如上所 示，靜電保護(hù)電路單元可以?xún)H設(shè)置在柵極線(xiàn)一側(cè)或數(shù)據(jù)線(xiàn)一側(cè)，盡管其它示范性實(shí)施例不 限于此。此外，在圖1和圖11中，靜電保護(hù)電路單元位于配線(xiàn)(或焊墊)與二極管單元之 間；然而它可以設(shè)置在二極管的相對(duì)于配線(xiàn)相反的一側(cè)。圖1和圖11的焊墊1 和179分別電連接到柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng) 器(未示出)以接收柵極信號(hào)和數(shù)據(jù)電壓。在一示范性實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)器可以形成為包括多個(gè)薄膜晶體管，并可與顯示區(qū)域300的形成一起形成。在此情形下，柵極焊墊1 不 被包括，柵極線(xiàn)可以替代地直接連接到柵極驅(qū)動(dòng)器。在其它示范性實(shí)施例中，短路條201、測(cè) 試線(xiàn)252和253、以及第二二極管單元211可以從柵極線(xiàn)的側(cè)面省略。圖1和圖11的焊墊1 和179沿一個(gè)方向布置，然而它們可以以交替方式布置， 例如以Z字形，但不限于此。具體地，例如，在示范性實(shí)施例中，柵極焊墊1 布置于基本平 行于數(shù)據(jù)線(xiàn)171的一條線(xiàn)中(如圖1和圖11所示)。然而，根據(jù)其它示范性實(shí)施例，連接到 偶數(shù)編號(hào)的柵極線(xiàn)的柵極焊墊進(jìn)一步移動(dòng)并設(shè)置在左側(cè)，連接到奇數(shù)編號(hào)的柵極線(xiàn)的柵極 焊墊進(jìn)一步移動(dòng)并設(shè)置在右側(cè)，從而形成Z字形結(jié)構(gòu)。此外，如圖1和圖11所示，測(cè)試線(xiàn)的數(shù)目是相同的，然而這可以在其它示范性實(shí)施 例中改變。例如，三條配線(xiàn)可以用作測(cè)試線(xiàn)并可以在周邊區(qū)域的一側(cè)彼此基本平行地形成， 或者備選地，一條配線(xiàn)可以設(shè)置在其上。在圖1和圖11所示的示范性實(shí)施例中，示出了短路條，然而在備選的示范性實(shí)施 例中可以省略短路條。備選地，兩個(gè)或多個(gè)短路條可以形成在周邊區(qū)域的一側(cè)，用于柵極線(xiàn) 的短路條和用于數(shù)據(jù)線(xiàn)的短路條可以彼此電連接。盡管這里已經(jīng)參照本發(fā)明的示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明 不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的示范性實(shí)施例。而是，提供這些示范性實(shí)施例使得本公開(kāi)透 徹并完整并將本發(fā)明的理念充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。此外，盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示范性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng) 域技術(shù)人員將理解，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化而不背離本發(fā)明的由權(quán)利要 求書(shū)限定的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板，包括絕緣基板，具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域； 配線(xiàn)，設(shè)置在所述顯示區(qū)域中的絕緣基板上；第一測(cè)試線(xiàn)和第二測(cè)試線(xiàn)，設(shè)置在所述絕緣基板上并基本彼此平行地排列；以及 二極管單元，設(shè)置在所述配線(xiàn)與所述第一測(cè)試線(xiàn)和所述第二測(cè)試線(xiàn)之一之間， 其中所述配線(xiàn)從所述顯示區(qū)域延伸到所述周邊區(qū)域中并通過(guò)包括在所述二極管單元 中的二極管，并且所述配線(xiàn)電連接到所述第一測(cè)試線(xiàn)和所述第二測(cè)試線(xiàn)之一。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中每個(gè)所述二極管的輸入端子和輸出端子由所述 絕緣基板上的不同配線(xiàn)層形成。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中每個(gè)所述二極管是連接成二極管的薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中切割線(xiàn)設(shè)置在所述第一測(cè)試線(xiàn)和所述第二測(cè)試 線(xiàn)之一與所述二極管單元之間以將所述第一測(cè)試線(xiàn)和所述第二測(cè)試線(xiàn)之一與所述二極管 單元的所述二極管電斷開(kāi)。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括短路條，與所述第一測(cè)試線(xiàn)和所述第二測(cè)試 線(xiàn)之一基本平行地設(shè)置在所述絕緣基板上，其中所述短路條將兩條或更多條所述配線(xiàn)彼此 連接。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括靜電保護(hù)電路，設(shè)置在所述二極管單元與所 述配線(xiàn)之間的所述絕緣基板上以耗散所述配線(xiàn)與所述二極管單元之間的靜電。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括焊墊，設(shè)置在所述配線(xiàn)與所述二極管單元之 間的所述絕緣基板上，其中所述焊墊將來(lái)自外部源的信號(hào)提供到所述配線(xiàn)。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括焊墊，在所述絕緣基板的與設(shè)置所述二極管單元的一側(cè)相反的一側(cè)，其中所述焊墊將 來(lái)自外部源的信號(hào)提供到所述配線(xiàn)。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中 所述配線(xiàn)包括數(shù)據(jù)線(xiàn)和柵極線(xiàn)之一。
10.一種顯示面板，包括絕緣基板，包括顯示區(qū)域和周邊區(qū)域； 配線(xiàn)，設(shè)置在所述顯示區(qū)域中；以及二極管單元，連接到所述配線(xiàn)的從所述顯示區(qū)域延伸到所述周邊區(qū)域中的部分， 其中所述配線(xiàn)通過(guò)所述二極管單元中的二極管并延伸使得所述配線(xiàn)的一端對(duì)應(yīng)于所 述絕緣基板的邊緣。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中每個(gè)所述二極管的輸入端子和輸出端子由所 述絕緣基板上的不同配線(xiàn)層形成。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中每個(gè)所述二極管是連接成二極管的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極電極，由與柵極線(xiàn)相同的層形成；源極電極，由與數(shù)據(jù)線(xiàn)相同的層形成；以及 漏極電極，由與數(shù)據(jù)線(xiàn)相同的層形成，且柵極絕緣層和半導(dǎo)體層設(shè)置在所述薄膜晶體管的柵極電極與漏極電極之間。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中從切割線(xiàn)到所述二極管的距離為約200μ m。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，還包括焊墊，所述焊墊將來(lái)自外部源的信號(hào)提供 到所述配線(xiàn)，其中所述焊墊設(shè)置在以下位置之一所述二極管和所述配線(xiàn)之間，在所述絕緣基板的 與設(shè)置所述二極管單元的一側(cè)相反的一側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示面板。該顯示面板包括絕緣基板，具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域；配線(xiàn)，設(shè)置在顯示區(qū)域中的絕緣基板上；第一和第二測(cè)試線(xiàn)，設(shè)置在絕緣基板上并彼此基本平行排列；以及二極管單元，設(shè)置在配線(xiàn)與第一測(cè)試線(xiàn)或第二測(cè)試線(xiàn)之間。配線(xiàn)從顯示區(qū)域延伸到周邊區(qū)域中并通過(guò)包括在二極管單元中的二極管，配線(xiàn)電連接到第一測(cè)試線(xiàn)和第二測(cè)試線(xiàn)之一。
文檔編號(hào)G02F1/13GK102053437SQ201010510818
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者具本龍, 金景旭 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社