專利名稱：制造液晶顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造液晶顯示(LCD :liquid crystal display)裝置的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(IXD)裝置作為可以克服陰極射線管(CRT)的缺陷的替代品，已經(jīng)逐漸 受到廣泛的關(guān)注，這是因?yàn)長CD的諸如尺寸小、重量輕和功耗低的優(yōu)點(diǎn)。近來，LCD裝置被 用于幾乎所有需要顯示裝置的信息處理設(shè)備中。LCD裝置通過液晶單元(S卩，通過向液晶的特定分子排列施加電壓)來使用對光的 調(diào)制，該分子排列被轉(zhuǎn)換成其它的分子排列，使得光學(xué)特性的變化被轉(zhuǎn)換成視覺變化。IXD裝置是通過各種工藝制造的，這些工藝包括制造面板的上基板和下基板以及 形成構(gòu)成像素單元的液晶單元、形成并研磨用于液晶配向的配向膜、粘合性結(jié)合上基板和 下基板、以及將液晶注入到粘合性結(jié)合的上基板和下基板之間并密封上基板和下基板的工 藝。在下基板制造工藝中，通過將多個(gè)選通線和數(shù)據(jù)線彼此交叉地排列來限定單位像 素區(qū)。在每個(gè)像素區(qū)中，形成作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT :thin film transistor)和 像素電極。該TFT通過經(jīng)由選通線提供的驅(qū)動信號而被導(dǎo)通，并執(zhí)行開關(guān)功能，以向像素電 極提供經(jīng)由數(shù)據(jù)線提供的圖形信號。提供給像素電極的圖形信號產(chǎn)生電場以使液晶旋轉(zhuǎn)， 并由此轉(zhuǎn)換外部或內(nèi)部光來顯示圖像。具體地說，隨著IXD裝置變大并且分辨率變高，已經(jīng)開發(fā)出用于提供具有高孔徑 比和高透射率的像素區(qū)的技術(shù)。為了使IXD裝置具有高孔徑比和高透射率，設(shè)置在預(yù)定像 素區(qū)內(nèi)的選通線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極中的每一個(gè)的寬度被形成得較窄。然而，難以將被構(gòu)圖的線路或電極的寬度減小至不大于4μπι，這是由于在制造 LCD裝置的方法中使用的曝光設(shè)備的物理特性造成的。也就是說，通過在基板上形成金屬 膜、涂覆光致抗蝕劑膜、執(zhí)行掩模工藝并且執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻工藝的這些工藝所形成的 線路或電極的寬度大于4 μ m。由于IXD裝置制造工藝中使用的掩模和曝光設(shè)備的分辨率的限制，導(dǎo)致線路或電 極的寬度不會進(jìn)一步降低。因此，使用當(dāng)前使用的設(shè)備難以將LCD裝置的陣列基板上形成 的線路或電極的寬度形成為不大于4 μ m。因此，除非IXD裝置的像素區(qū)中形成的線路或電極的寬度不大于4 μ m,否則不能 制造出具有更高孔徑比和透射率的LCD裝置。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本實(shí)施方式致力于一種IXD裝置，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和 缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問題。因此，本實(shí)施方式致力于一種制造IXD裝置的方法，利用該方法，可以通過使用在 制造LCD裝置的傳統(tǒng)工藝中使用的掩模和曝光設(shè)備來形成寬度比曝光設(shè)備的物理分辨率
4窄得多的線路和電極。具體地說，本發(fā)明致力于一種制造LCD裝置的方法，利用該方法，通過按照精細(xì)圖 案來形成LCD裝置的像素區(qū)中形成的信號線和電極中的每一個(gè)的寬度，來提供像素孔徑比 和透射率。這些實(shí)施方式的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明中得到闡述，并且部分地將從說 明書中清楚，或者可以通過這些實(shí)施方式的實(shí)踐而得知。將通過書面說明書及其權(quán)利要求 以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得這些實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)總體方面，一種制造液晶顯示裝置的方法包括在像素區(qū)中形 成多個(gè)犧牲層圖案，同時(shí)在基板上形成選通線、第一存儲電極和選通焊盤；在設(shè)置有所述選 通線的基板上，順序形成柵絕緣膜、由非晶硅膜和摻雜非晶硅膜組成的有源層、以及源極/ 漏極金屬膜，然后形成源極/漏極、有源層和數(shù)據(jù)線；在加載有所述源極/漏極的基板的整 個(gè)表面上形成保護(hù)膜，然后在所述保護(hù)膜中形成接觸孔；在覆蓋有所述保護(hù)膜的基板上形 成透明導(dǎo)電材料，然后對所述透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第二存儲電極和電極圖案，該 第二存儲電極與所述第一存儲電極重疊，該電極圖案具有與所述犧牲層圖案的一個(gè)側(cè)邊緣 的區(qū)域重疊的一部分和形成在所述基板上的另一部分；以及通過執(zhí)行剝離工藝去除形成有 所述電極圖案的基板上的所述犧牲層圖案，以在所述像素區(qū)中同時(shí)形成公共電極和像素電 極。根據(jù)本實(shí)施方式的另一個(gè)總體方面，一種制造液晶顯示裝置的方法包括在像素 區(qū)中形成多個(gè)犧牲層圖案，同時(shí)在基板上形成選通線、第一存儲電極和選通焊盤；在設(shè)置有 所述選通線的基板上，順序形成柵絕緣膜、由非晶硅膜和摻雜非晶硅膜組成的有源層、以及 源極/漏極金屬膜，然后形成源極/漏極、有源層和數(shù)據(jù)線；在加載有所述源極/漏極的基 板的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜，然后在所述保護(hù)膜中形成接觸孔；在覆蓋有所述保護(hù)膜的基 板上形成透明導(dǎo)電材料，然后對所述透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第二存儲電極和電極 圖案，該第二存儲電極與所述第一存儲電極重疊，該電極圖案具有形成在所述犧牲層圖案 上的一部分和形成在所述基板上的另一部分，并且該電極圖案相對于所述犧牲層圖案中的 每一個(gè)的中心對稱地形成于所述犧牲層圖案中的每一個(gè)的兩側(cè)邊緣；以及通過執(zhí)行剝離工 藝去除形成有所述電極圖案的基板上的所述犧牲層圖案，以在所述像素區(qū)中同時(shí)形成公共 電極和像素電極。在研究以下附圖和詳細(xì)說明之后，其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域技術(shù)人 員將變得明顯。旨在將所有這種附加的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)包括在本說明書中，包括在 本發(fā)明的范圍之內(nèi)，并且被所附權(quán)利要求所保護(hù)。本部分不作為對那些權(quán)利要求的限制。以 下結(jié)合實(shí)施方式來討論其它的方面和優(yōu)點(diǎn)。需要理解的是，本發(fā)明的上述一般說明和隨后 的詳細(xì)說明都是示例性的和說明性的，其旨在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。
附圖被包括在本說明書中以提供對實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并被結(jié)合到本申請 中，構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用于說明本發(fā)明。 在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的LCD裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖2A-圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造IXD裝置的工藝的剖視圖；圖3A-圖3E是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造IXD裝置的工藝的剖視 圖；以及圖4A至圖4C是用于說明根據(jù)圖3A至圖3E的實(shí)施方式所形成的電極被保持為恒 定間隔的狀態(tài)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中示出這些實(shí)施方式的示例。提供以 下介紹的這些實(shí)施方式作為示例，以將其精神傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。因此，可以以 不同的形狀來實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施方式，所以不限于這里描述的這些實(shí)施方式。另外，在附圖中， 為了方便起見，會夸大地表示裝置的尺寸和厚度。在包括附圖的整個(gè)說明書中，將盡可能地 使用相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識相同或類似的部分。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的IXD裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。參照圖1，由 于選通線101和數(shù)據(jù)線103彼此交叉，而限定了單位像素區(qū)。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管 (TFT)被設(shè)置在交叉區(qū)域中。在單位像素區(qū)中，在靠近選通線101的區(qū)域中平行于選通線101設(shè)置公共線104。 公共線104被設(shè)置為與數(shù)據(jù)線103交叉。第一公共電極114沿著單位像素區(qū)的兩個(gè)側(cè)邊緣 從公共線104分支。也就是說，公共線104和第一公共電極114 一體形成。另外，第一公共 電極114沿著與數(shù)據(jù)線103平行的方向形成在像素區(qū)中。靠近選通線101定位的公共線104被形成為寬度比單位像素區(qū)中的公共線104的 寬度更寬，這是為了形成存儲電容(未示出)的第一存儲電極10如。第二存儲電極109被形成在第一存儲電極10 上方，以與第一存儲電極10 重 疊。第二存儲電極109由與用于多個(gè)像素電極109a的透明導(dǎo)電材料相同的透明導(dǎo)電材料 形成。也就是說，像素電極109a和第二存儲電極109—體形成。在單位像素區(qū)中，從第二存儲電極109分支的像素電極109a被形成為平行于數(shù)據(jù) 線103。多個(gè)第二公共電極IM與像素電極109a交替地形成在單位像素區(qū)中。第二公共電 極124由與用于像素電極109a的透明導(dǎo)電材料相同的透明導(dǎo)電材料形成。另外，第二公共電極124電接觸從公共線104分支的第一公共電極114，并且形成 在單位像素區(qū)中，以與像素電極109a和數(shù)據(jù)線103平行。TFT的漏極電接觸第二存儲電極109并且向像素電極109a施加通過數(shù)據(jù)線103提 供的數(shù)據(jù)信號。同樣地，通過第一公共電極114向第二公共電極IM施加通過公共線104 提供的公共電壓。在選通線101的一端形成選通焊盤110。在選通焊盤110上形成選通接觸焊盤部 分140，該選通接觸焊盤部分140是由與用于像素電極109a的透明導(dǎo)電材料相同的透明導(dǎo) 電材料來構(gòu)圖的。另外，在數(shù)據(jù)線103的一個(gè)邊緣形成數(shù)據(jù)焊盤103a。在數(shù)據(jù)焊盤103a上 形成數(shù)據(jù)接觸焊盤部分130，該數(shù)據(jù)接觸焊盤部分130是由與用于像素電極109a的透明導(dǎo) 電材料相同的透明導(dǎo)電材料來構(gòu)圖的。在本發(fā)明中，各個(gè)線路和電極的寬度被形成得很窄，使得LCD裝置的單位像素區(qū) 具有高孔徑比和高透射率的特性。因此，單位像素區(qū)中設(shè)置的公共電極和像素電極中的每一個(gè)的寬度是3.5 μ m或更窄。由于公共電極和像素電極的寬度被形成得很窄，因此像素區(qū) 中設(shè)置的電極之間的距離相對增大，使得孔徑比和透射特性得以提高。將參照圖2A至圖2E和圖3A至圖3E來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的制造精細(xì)圖案的工 藝。圖2A至圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造LCD裝置的工藝的剖視圖。參照圖2A至圖2E，在基板100上形成金屬膜之后，根據(jù)光刻工藝，在TFT區(qū)A-A' 中形成柵極和選通線101。在靠近選通線101的區(qū)域中形成第一存儲電極10如。在單位像 素區(qū)(B-B')中形成多個(gè)犧牲層圖案131。另外，在要形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域(C-C')中形成 第一公共電極114，該第一公共電極114從公共線(未示出)分支并且形成在單位像素區(qū)的 兩個(gè)側(cè)邊緣的區(qū)域中。在焊盤區(qū)(D-D')中形成與選通線101 —體形成的選通焊盤110。柵極、選通線101、第一存儲電極10 、公共線、第一公共電極114、選通焊盤110和 犧牲層圖案131可以由具有高導(dǎo)電率的銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)或鉻(Cr)的單金屬層形 成，或者在某些情況下，其可以形成為至少一個(gè)沉積層或合金的形式。當(dāng)在后續(xù)的剝離工藝中對像素電極和第二公共電極進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，留下犧牲層圖案 131，以將像素電極和第二公共電極中的每一個(gè)的寬度形成為3. 5 μ m或更窄。在用于形成選通線101等的第一掩模工藝中，根據(jù)通常使用的掩模工藝執(zhí)行曝光 和顯影工藝，然后執(zhí)行蝕刻工藝。然后，當(dāng)在基板100上形成選通線101時(shí)，如圖2B中所示， 在基板100的整個(gè)表面上連續(xù)地形成柵絕緣膜102、有源層116和金屬層，該有源層116由 非晶硅膜和摻雜為P+或N+型的非晶硅膜形成，該金屬層用于形成源極/漏極。當(dāng)如上在基板100上形成柵絕緣膜102、包括非晶硅膜和摻雜非晶硅膜的有源層 116、和金屬層時(shí)，執(zhí)行第二掩模工藝，使得在TFT區(qū)中的選通線101上形成有源層116和源 極/漏極117a和117b。在形成第一公共電極114的單位像素區(qū)之間的邊界處形成數(shù)據(jù)線103。在數(shù)據(jù)焊 盤區(qū)E-E'中形成數(shù)據(jù)焊盤103a。在第二掩模工藝中，通過使用由利用衍射掩?；虬肷{(diào)掩模的一次掩模工藝得到 的感光膜圖案，同時(shí)形成有源層116、源極/漏極117a和117b、數(shù)據(jù)線103和數(shù)據(jù)焊盤103a。 由于在第二掩模工藝中同時(shí)形成有源層116及源極/漏極117a和117b，因此在有源層116 上形成了源極/漏極117a和117b、數(shù)據(jù)線103和數(shù)據(jù)焊盤103a。另外，由于根據(jù)衍射掩?；虬肷{(diào)掩模工藝在有源層116上形成源極/漏極117a 和117b、數(shù)據(jù)線103和數(shù)據(jù)焊盤103a，因此源極/漏極117a和117b、數(shù)據(jù)線103和數(shù)據(jù)焊 盤103a分別具有比在其下面形成的有源層116的寬度更窄的寬度。當(dāng)在基板100上形成 源極/漏極117a和117b以及數(shù)據(jù)線103時(shí)，在基板100的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜108。當(dāng)在源極/漏極117a和117b、數(shù)據(jù)線103和數(shù)據(jù)焊盤103a上形成保護(hù)膜108時(shí)， 如圖2C和圖2D所示，執(zhí)行第三掩模工藝和第四掩模工藝，從而形成分別暴露出選通焊盤 110、數(shù)據(jù)焊盤103a和TFT區(qū)內(nèi)的漏極117b的接觸孔。隨后，形成第二存儲電極109、第二 接觸焊盤部分140和數(shù)據(jù)接觸焊盤130。在形成接觸孔以去除保護(hù)膜108的工藝中，為了暴露出基板100和犧牲層圖案 131，從單位像素區(qū)中將保護(hù)膜108和柵絕緣膜102全部去除。在單位像素區(qū)B-B'中，形成電極圖案119，使其僅與犧牲層圖案131的一側(cè)的側(cè) 邊緣區(qū)重疊，以隨后按照精細(xì)圖案類型形成像素電極和第二公共電極。
電極圖案119僅與犧牲層圖案131 —側(cè)的側(cè)邊緣區(qū)部分地重疊，而另一部分被構(gòu) 圖為形成在基板100上。也就是說，當(dāng)通過對保護(hù)膜108執(zhí)行第三掩模工藝而形成接觸孔 時(shí)，沉積透明導(dǎo)電材料，然后執(zhí)行第四掩模工藝，以形成第二存儲電極109、選通接觸焊盤部 分140、數(shù)據(jù)接觸焊盤部分103a和僅位于單位像素區(qū)的側(cè)邊緣區(qū)的第二公共電極124。因 此，在單位像素區(qū)的中心區(qū)域中僅形成電極圖案119，而沒有第二公共電極和像素電極。然后，執(zhí)行僅去除犧牲層圖案131的剝離工藝。圖2E示出通過剝離來形成像素電 極和公共電極的工藝。使用蝕刻劑來執(zhí)行剝離工藝，該蝕刻劑對于由與選通線101相同的 材料形成的犧牲層圖案131和由透明絕緣材料形成的電極圖案具有不同的蝕刻率。因此，在通過剝離工藝去除犧牲層圖案131時(shí)，電極圖案119的與犧牲層圖案131 重疊的部分被一起去除。然而，形成再基板100上的不與犧牲層圖案131重疊的電極圖案 119得以保留。參照圖2E，可以看到，通過剝離工藝去除了犧牲層圖案131，并且在單位像素區(qū)中 留下第二公共電極1 和像素電極109a。第二公共電極IM和像素電極109a中的每一個(gè)的寬度比通過曝光設(shè)備的分辨率 形成的電極圖案的寬度窄得多。這是因?yàn)殡姌O圖案119的與犧牲層圖案131的一側(cè)的側(cè)邊 緣區(qū)重疊的部分被去除，使得保留在基板100上的成為第二公共電極IM和像素電極109a 的部分比之前階段中的電極圖案119的寬度更窄。例如，當(dāng)利用第四掩模工藝中使用的曝 光設(shè)備形成的電極圖案的寬度為4μπι時(shí)，通過剝離工藝形成的第二公共電極IM和像素電 極109a中的每一個(gè)的寬度小于電極圖案寬度的1/2或1/3這樣的寬度。因此，當(dāng)傳統(tǒng)IXD裝置的公共電極和像素電極中每一個(gè)的寬度最小為4μ m時(shí)，在 本發(fā)明中，公共電極和像素電極中的每一個(gè)的寬度可以被形成為2μπι或Ιμπι或更窄。因 此，單位像素區(qū)中形成的公共電極和像素電極在基板上所占的面積減小，從而可以得到高 孔徑比和高透射率。圖3Α至圖3Ε是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造IXD裝置的工藝的剖視 圖。圖3Α至圖3Ε中所示的本實(shí)施方式用于基于圖1的像素結(jié)構(gòu)在單位像素區(qū)內(nèi)形成更多 數(shù)量的公共電極和像素電極。因此，雖然圖3Α至圖3Ε在結(jié)構(gòu)方面是基于圖1的像素結(jié)構(gòu) 的剖視圖，但是單位像素區(qū)中形成的第二公共電極和像素電極的形成工藝與上述實(shí)施方式 的形成工藝不同。因此，與圖2Α至圖2Ε中的構(gòu)成要素具有相同標(biāo)號的圖3Α至圖3Ε的構(gòu) 成要素表示相同的構(gòu)成要素。上述實(shí)施方式中提到的構(gòu)成要素的詳細(xì)形成工藝將基于對圖 2Α至圖2Ε的說明，并且以下將主要討論不同的部分。參照圖3Α至圖3Ε，在被劃分成TFT區(qū)、像素區(qū)、數(shù)據(jù)線區(qū)、選通焊盤區(qū)和數(shù)據(jù)焊盤 區(qū)的基板100上形成金屬膜，并且執(zhí)行第一掩模工藝。圖2Α中描述的那些導(dǎo)電金屬被用作
金屬膜。在基板100上形成用作柵極和選通信號線的選通線101、第一存儲電極10 、像素 區(qū)中的多個(gè)犧牲層圖案131、在數(shù)據(jù)線區(qū)中從公共線(未示出)分支的第一公共電極114以 及在選通焊盤區(qū)中與選通線101 —體形成的選通焊盤110。然后，如圖2B中所示，在基板100的整個(gè)表面上連續(xù)地形成柵絕緣膜102、有源層 116和金屬層，該有源層116由非晶硅膜和摻雜為P+或N+型的非晶硅膜形成，該金屬層用 于形成源極/漏極。此后，通過使用衍射掩模或半色調(diào)掩模，在TFT區(qū)中在選通線101上形成由有源層116和源極/漏極117a和117b形成的TFT。在形成從公共電極分支到像素區(qū)的兩個(gè)側(cè)邊緣的第一公共電極114的區(qū)域中形 成數(shù)據(jù)線103。在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中形成數(shù)據(jù)焊盤103a。在基板100的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜108。如圖3C中所示，執(zhí)行接觸孔形成工藝， 以暴露出漏極117b的與第一存儲電極10 重疊的部分。在焊盤區(qū)中暴露出選通焊盤110 和數(shù)據(jù)焊盤103a，并且在像素區(qū)中暴露出犧牲層圖案131。當(dāng)暴露出在基板100上形成的犧牲層圖案131時(shí)，如圖3D中所示，在基板100的 整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電材料，并且執(zhí)行掩模工藝，使得電接觸漏極117b的第二存儲電極 109、選通接觸焊盤部分140、數(shù)據(jù)接觸焊盤部分130以及側(cè)邊緣中形成的第二公共電極IM 成為單位像素區(qū)。在基板100上形成的犧牲層圖案131的兩個(gè)側(cè)邊緣的區(qū)域中形成電極圖 案 219。電極圖案219被形成為對應(yīng)于犧牲層圖案131的兩個(gè)側(cè)邊緣，這與上述的實(shí)施方 式是不同的。電極圖案219被沉積成與犧牲層圖案131的側(cè)邊緣部分地重疊，而電極圖案 219的其它部分形成在基板100上。也就是說，電極圖案219僅有一部分形成在犧牲層圖案131上并且電極圖案219 的其它部分形成在基板100上。另外，電極圖案219相對于犧牲層圖案131的中心對稱地 形成于犧牲層圖案131的兩側(cè)邊緣。然后，執(zhí)行僅去除犧牲層圖案131的剝離工藝。圖3E示出通過剝離來形成像素電 極和公共電極的工藝。參照圖3D和圖3E，使用蝕刻劑來執(zhí)行剝離工藝，該蝕刻劑對于由與選通線101相 同的材料形成的犧牲層圖案131和由透明絕緣材料形成的電極圖案219具有不同的蝕刻率。因此，在通過剝離工藝去除犧牲層圖案131時(shí)，電極圖案119的與犧牲層圖案131 重疊的部分被一起去除。然而，基板100上形成的不與犧牲層圖案131重疊的電極圖案119 得以保留。與圖2E不同的是，在本實(shí)施方式中，在犧牲層圖案131的兩側(cè)形成電極圖案219， 使得可以相對于單個(gè)犧牲層圖案形成兩個(gè)電極。也就是說，在本發(fā)明中，由于線路或電極的寬度可以被形成為比傳統(tǒng)技術(shù)的寬度 窄得多，因此在像素區(qū)中可以形成更多數(shù)量的電極。在本實(shí)施方式中，由于按照精細(xì)圖案來 形成電極，因此即使與傳統(tǒng)技術(shù)相比在像素區(qū)中形成了更多數(shù)量的電極，也可以改善電場 特性而不會使孔徑比降低。另外，當(dāng)電極圖案119在犧牲層圖案131中未對準(zhǔn)時(shí)，公共電極和像素電極之間的 恒定分隔的距離達(dá)到犧牲層圖案131的寬度，從而可以防止亮度缺陷。因此，當(dāng)去除與犧牲層圖案131重疊的電極圖案119時(shí)，在基板100的像素區(qū)中形 成了第二公共電極2M和像素電極209a，保持兩者之間為恒定距離。像素區(qū)中形成的第二公共電極2M和像素電極209a中的每一個(gè)的寬度具有精細(xì) 電極寬度，該精細(xì)電極寬度比電極圖案119的寬度窄得多。例如，當(dāng)利用掩模工藝中使用的 曝光設(shè)備所形成的電極圖案的寬度為4 μ m時(shí)，通過剝離工藝形成的第二公共電極2M和像 素電極209a中的每一個(gè)的寬度小于電極圖案寬度的1/2或1/3這樣的寬度。
因此，當(dāng)傳統(tǒng)IXD裝置的公共電極和像素電極中的每一個(gè)的寬度最小為4 μ m時(shí)， 在本發(fā)明中，公共電極和像素電極中的每一個(gè)的寬度可以被形成為2 μ m或1 μ m或更窄。因 此，單位像素區(qū)中形成的公共電極和像素電極在基板上所占的面積減小，從而可以得到高 孔徑比和高透射率。另外，即使當(dāng)由于工藝過程中的未對準(zhǔn)而導(dǎo)致第二公共電極224和像素電極209a 具有不同寬度時(shí)，也可以保持第二公共電極2M和像素電極209a之間的距離，該距離對應(yīng) 于犧牲層圖案131的寬度。因此，可以防止亮度不規(guī)則的現(xiàn)象。圖4A至圖4C是用于說明其中根據(jù)圖3A至圖3E的實(shí)施方式形成的電極保持恒定 間隔的狀態(tài)的剖視圖。參照圖4A至圖4C，在基板500上形成金屬膜之后，形成犧牲層圖案 300以執(zhí)行掩模工藝。在形成有犧牲層圖案300的基板500上形成透明導(dǎo)電材料，并且根據(jù) 掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖。當(dāng)在犧牲層圖案300的兩個(gè)側(cè)邊緣形成電極圖案310時(shí)，通過執(zhí)行剝離工藝去除 犧牲層圖案300，從而形成公共電極320和像素電極219a。當(dāng)電極圖案310被形成為與犧 牲層圖案300的兩個(gè)側(cè)邊緣重疊而沒有出現(xiàn)未對準(zhǔn)時(shí)，如圖4A中所示，公共電極320和像 素電極219a的寬度具有相同的值。另外，公共電極320和像素電極219a之間的距離是與 犧牲層圖案300的寬度相同的距離D。當(dāng)由于在犧牲層圖案300上形成電極圖案310時(shí)產(chǎn)生的未對準(zhǔn)而導(dǎo)致與犧牲層圖 案300的兩側(cè)邊緣重疊的區(qū)域彼此不同(如圖4B和圖4C所示)時(shí)，形成了具有不同寬度 的公共電極320和像素電極219a。然而，公共電極320和像素電極219a兩者保持與犧牲層 圖案300的寬度相同的距離D。因此，雖然公共電極320和像素電極219a的寬度彼此不同，但是電極之間的距離 可以保持恒定。結(jié)果，可以消除可能由于像素區(qū)中的電極之間的不同距離而導(dǎo)致產(chǎn)生的亮 度缺陷。也就是說，當(dāng)公共電極320和像素電極219a在像素區(qū)中被交替設(shè)置成具有不同距 離時(shí)，在公共電極320和像素電極219a之間產(chǎn)生的電場強(qiáng)度變化，從而產(chǎn)生亮度不規(guī)則的 現(xiàn)象。換言之，可以通過保持公共電極320和像素電極219a之間的距離恒定來防止出現(xiàn) 亮度不規(guī)則現(xiàn)象。在本實(shí)施方式中，在任何情況下，公共電極320和像素電極219a之間的 距離與寬度D相同，從而可以使亮度不規(guī)則現(xiàn)象最小化。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施方式描述了這些實(shí)施方式，但是應(yīng)該理 解，在不脫離本發(fā)明的原理的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出許多其它 修改和實(shí)施方式。更明確地說，在本說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對主體組 合裝置的組件和/或裝置進(jìn)行各種修改和變形。除了組件和/或裝置的修改和變形之外， 另選的用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是明顯的。本發(fā)明要求于2009年12月7日提交的韓國專利申請No. 10-2009-0120753的優(yōu) 先權(quán)，將其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括在像素區(qū)中形成多個(gè)犧牲層圖案，同時(shí)在基板上形成選通線、第一存儲電極和選通焊盤；在設(shè)置有所述選通線的基板上，順序地形成柵絕緣膜、由非晶硅膜和摻雜非晶硅膜組 成的有源層、和源極/漏極金屬膜，然后形成源極/漏極、有源層和數(shù)據(jù)線；在加載有所述源極/漏極的基板的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜，然后在所述保護(hù)膜中形成 接觸孔；在覆蓋有所述保護(hù)膜的基板上形成透明導(dǎo)電材料，然后對所述透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu) 圖，以形成第二存儲電極和電極圖案，該第二存儲電極與所述第一存儲電極重疊，該電極圖 案具有與所述犧牲層圖案的一個(gè)側(cè)邊緣的區(qū)域重疊的一部分和形成在所述基板上的另一 部分；以及通過執(zhí)行剝離工藝去除形成有所述電極圖案的基板上的所述犧牲層圖案，以在所述像 素區(qū)中同時(shí)形成公共電極和像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述剝離工藝包括如下的工藝通過使用適于僅 蝕刻所述犧牲層圖案和所述電極圖案中的所述犧牲層圖案的蝕刻劑，去除所述犧牲層圖案 以及所述電極圖案的與所述犧牲層圖案重疊的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過所述剝離工藝在所述像素區(qū)中形成的所述 公共電極和所述像素電極中的每一個(gè)的寬度小于所述電極圖案的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過所述剝離工藝在所述像素區(qū)中形成的所述 公共電極和所述像素電極中的每一個(gè)的寬度等于所述電極圖案的形成在基板上的不與所 述犧牲層圖案重疊的部分的寬度。
5.一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括在像素區(qū)中形成多個(gè)犧牲層圖案，同時(shí)在基板上形成選通線、第一存儲電極和選通焊盤；在設(shè)置有所述選通線的基板上，順序地形成柵絕緣膜、由非晶硅膜和摻雜非晶硅膜組 成的有源層、和源極/漏極金屬膜，然后形成源極/漏極、有源層和數(shù)據(jù)線；在加載有所述源極/漏極的基板的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜，然后在所述保護(hù)膜中形成 接觸孔；在覆蓋有所述保護(hù)膜的基板上形成透明導(dǎo)電材料，然后對所述透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu) 圖，以形成第二存儲電極和電極圖案，該第二存儲電極與所述第一存儲電極重疊，該電極圖 案具有形成在所述犧牲層圖案上的一部分和形成在所述基板上的另一部分，并且該電極圖 案相對于所述犧牲層圖案中的每一個(gè)的中心對稱地形成于所述犧牲層圖案中的每一個(gè)的 兩側(cè)邊緣；以及通過執(zhí)行剝離工藝去除形成有所述電極圖案的基板上的所述犧牲層圖案，以在所述像 素區(qū)中同時(shí)形成公共電極和像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述剝離工藝包括如下的工藝通過使用適于僅 蝕刻所述犧牲層圖案和所述電極圖案中的所述犧牲層圖案的蝕刻劑，去除所述犧牲層圖案 以及所述電極圖案的與所述犧牲層圖案的兩個(gè)側(cè)邊緣重疊的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過所述剝離工藝在所述像素區(qū)中形成的所述公共電極和所述像素電極中的每一個(gè)的寬度小于所述電極圖案的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過所述剝離工藝在所述像素區(qū)中形成的所述 公共電極和所述像素電極中的每一個(gè)的寬度等于所述電極圖案的形成在基板上的不與所 述犧牲層圖案重疊的部分的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過在所述犧牲層圖案中的一個(gè)犧牲層圖案的 兩個(gè)側(cè)邊緣中的每個(gè)側(cè)邊緣處形成的電極圖案，來形成所述公共電極和所述像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述公共電極和所述像素電極之間的距離等于 所述犧牲層圖案中的每個(gè)犧牲層圖案的寬度。
全文摘要
公開了一種制造LCD裝置的方法，該方法包括在像素區(qū)中形成犧牲層圖案，同時(shí)在基板上形成選通線、第一存儲電極和選通焊盤；在基板上順序地形成柵絕緣膜、非晶硅膜、摻雜非晶硅膜和源極/漏極金屬膜；在覆蓋有保護(hù)膜的基板上形成透明導(dǎo)電材料，然后將透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第二存儲電極和電極圖案，該第二存儲電極與第一存儲電極重疊，該電極圖案具有與犧牲層圖案的一個(gè)側(cè)邊緣的區(qū)域重疊的一部分和形成在基板上的另一部分；以及通過執(zhí)行剝離工藝去除形成有電極圖案的基板上的犧牲層圖案，以在像素區(qū)中同時(shí)形成公共電極和像素電極。
文檔編號G02F1/1343GK102087450SQ20101055624
公開日2011年6月8日 申請日期2010年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月7日
發(fā)明者孫庚模, 樸承烈 申請人:樂金顯示有限公司