專利名稱：電光可變光衰減器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖通信領(lǐng)域中的可變光衰減器，更具體地說，是涉及一種電光可變 光衰減器。
背景技術(shù)：
在光纖通信系統(tǒng)中，可變光衰減器是重要的無源器件之一，它可以動態(tài)地減低或 控制光信號。陣列可變光衰減器更是密集波分復(fù)用系統(tǒng)中進(jìn)行多通道光功率進(jìn)行監(jiān)控和均 衡器件的核心部件。隨著通訊容量的急劇增加，人們需要具有響應(yīng)時間快、插入損耗低、偏 振相性關(guān)小、可靠性好以及易于集成等優(yōu)點的可變光衰減器，但是目前常見的機(jī)械性、微電 子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、以及光纖位移型等可變光衰減器由于涉及到機(jī)械運動，難以實現(xiàn)較快 的響應(yīng)時間，同時也缺乏長期的穩(wěn)定性。其它如熱光效應(yīng)、光波導(dǎo)型等類型可變光衰減器的 制造技術(shù)尚難保證可變衰減器技術(shù)指標(biāo)的穩(wěn)定，且它們的插入損耗、偏振相關(guān)損耗較大。而 電光型可變光衰減器則是利用電光效應(yīng)制作的可變光衰減器，因為一次電效應(yīng)通常比二次 電光效應(yīng)大得多，因此通常利用具有一次電光效應(yīng)的各向異性的電光晶體進(jìn)行電光調(diào)制。 電光調(diào)制通常分為縱向調(diào)整和橫向調(diào)制，縱向調(diào)制時電光晶體所加電極方向與光傳播方向 一致，雖然可以消除自然雙折射的影響，但是需要在通光方向上鍍透明電極或環(huán)形電極，而 且器件的驅(qū)動電壓不可調(diào)；橫向調(diào)制的電極方向與光傳播方向垂直，除方便鍍電極外，還可 以通過改變電光晶體中通光長度與電極距離的比例而改變器件的驅(qū)動電壓，但其中的電光 晶體存在自然雙折射的影響而引起的穩(wěn)定性不好的問題。另外，利用晶體的電光效應(yīng)制作 的可變光衰減器雖然具有可靠性高、響應(yīng)時間快的特點，并且通過鍍膜增透可使其插入損 耗降到很低，合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計可使其具有極低偏振相關(guān)性，但是目前常用的鈮酸鋰晶體的 一次電光系數(shù)較小，器件的驅(qū)動電壓往往需要上千伏。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在電光可變光衰減器橫向調(diào)制時存在自然雙折射的影響導(dǎo)致 穩(wěn)定性不好的問題，本發(fā)明的目的是提供一種電光可變光衰減器，能夠消除電光晶體、偏振 分束器及復(fù)合器自然雙折射的影響。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案本發(fā)明提出一種電光可變光衰減器，包括1/2波片、1/2波片的兩側(cè)對稱設(shè)有電光 晶體，電光晶體的上、下表面均帶有金屬電極，金屬電極的表面與電光晶體的c軸相垂直， 其中一電光晶體的外側(cè)設(shè)有偏振分束器、另一電光晶體的外側(cè)設(shè)有復(fù)合器；偏振分束器以 及復(fù)合器的外側(cè)均設(shè)有相互平行的光纖準(zhǔn)直器；金屬電極均與用于調(diào)節(jié)電場方向的電信號 調(diào)制器相連接，所述偏振分束器的入射光線與其光軸形成的平面和電光晶體的入射光線與 電光晶體的c軸形成的平面之間構(gòu)成夾角，所述夾角為(π /4+m π )，其中m為整數(shù)；所述 1/2波片的光軸和電光晶體的c軸方向相同。所述電光晶體采用鈮鎂鈦酸鉛單晶，其分子結(jié)構(gòu)式為
(1-χ) Pb (Mg1/3Nb2/3) TiO3-XPbTiO3,其中 χ 的取值范圍0· 35 ≤ χ < 1。所述χ的取值范圍0. 35 ≤ χ ≤ 0. 38。所述電光晶體的c軸帶有極性，且c軸的極性方向相反；所述電光晶體的電場方向 相同。所述電光晶體的c軸帶有極性，且c軸的極性方向相同；所述電光晶體的電場方向 相反。所述復(fù)合器與偏振分束器相同，且復(fù)合器的光軸方向與偏振分束器的光軸方向相 同。所述與偏振分束器相鄰的光纖準(zhǔn)直器的入射光方向與偏振分束器中ο光的方向 在同一直線上，與復(fù)合器相鄰的光纖準(zhǔn)直器的出射光方向與偏振分束器中e光的方向在同
一直線上。所述復(fù)合器和與其相鄰的電光晶體之間還設(shè)有一 1/2波片。本發(fā)明還提出一種電光可變光衰減器，所述電光可變光衰減器包括可變光衰減器 上半部分以及下半部分，所述可變光衰減器上半部分依次設(shè)有光纖準(zhǔn)直器、偏振分束器、電 光晶體以及1/4波片、所述可變光衰減器下半部分與可變光衰減器上半部分對稱設(shè)有光纖 準(zhǔn)直器、復(fù)合器、電光晶體以及1/4波片，所述電光晶體的上、下表面均帶有金屬電極，金屬 電極的表面與電光晶體的c軸相垂直；所述電光晶體的c軸均帶有極性，且c軸的極性方向 相同；設(shè)于可變光衰減器上半部分的電光晶體的上表面的金屬電極與設(shè)于可變光衰減器下 半部分的電光晶體的下表面的金屬電極由金屬導(dǎo)線連接至用于調(diào)節(jié)電場方向的電信號調(diào) 制器的一端，設(shè)于可變光衰減器上半部分的電光晶體的下表面的金屬電極與設(shè)于可變光衰 減器下半部分的電光晶體的上表面的金屬電極相接觸，并接到電信號調(diào)制器的另一端；所 述1/4波片的后側(cè)還設(shè)有用于將可變光衰減器上半部分的光線平行反射進(jìn)入可變光衰減 器下半部分的直角反射鏡，所述偏振分束器的入射光線與其光軸形成的平面和電光晶體的 入射光線與其c軸形成的平面之間構(gòu)成夾角，所述夾角為(η /4+πιπ )，其中m為整數(shù)；所述 1/4波片的光軸和所述電光晶體的c軸方向相同。所述電光晶體采用鈮鎂鈦酸鉛單晶，其分子結(jié)構(gòu)式為(1-χ) Pb (Mg1/3Nb2/3) TiO3-XPbTiO3,其中 χ 的取值范圍0· 35 ≤ χ < 1。所述χ的取值范圍0.35≤χ≤0.38。所述可變光衰減器上半部分的光纖準(zhǔn)直器以及可變光衰減器下半部分的光纖準(zhǔn) 直器為一雙光纖準(zhǔn)直器。所述偏振分束器與復(fù)合器相同，所述偏振分束器與復(fù)合器采用一體或分體結(jié)構(gòu)。所述可變光衰減器上半部分的1/4波片以及可變光衰減器下半部分的1/4波片為
一體結(jié)構(gòu)。所述可變光衰減器下半部分的電光晶體與復(fù)合器之間設(shè)有一 1/2波片。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的電光可變光衰減器具有以下的有益效果當(dāng)任意偏振入射的光經(jīng)由偏振分束器后分為兩束偏振互相垂直且具有不同路徑 的光后，這兩束光的偏振方向與電光晶體的c軸的夾角均為(η /4+mπ )，這兩束光進(jìn)入電 光晶體后均可分解為振幅相同的ο光和e光，從而消除偏振相關(guān)損耗及偏振模色散。通過采 用在兩塊相同的電光晶體中間加一塊1/2波片或二塊1/4波片的結(jié)構(gòu)，使得兩束光的偏振態(tài)均向同一方向旋轉(zhuǎn)90度，即兩束光的偏振態(tài)經(jīng)過波片后進(jìn)行了相互轉(zhuǎn)換，這樣在通過偏 振分束器、兩個電光晶體、復(fù)合器后，兩束光的光程差為零，那么由電光晶體、偏振分束器、 復(fù)合器自然雙折射引起的位相延時可以互相抵消，從而消除自然雙折射的影響，使得輸出 光強(qiáng)僅僅是施加在電光晶體上的電壓的函數(shù)，因此具有熱穩(wěn)定性高、偏振相關(guān)低、偏振模色 散低的優(yōu)點。作為改進(jìn)，在可變光衰減器電光晶體與復(fù)合器之間設(shè)有一 1/2波片可使器件 處于常關(guān)狀態(tài)，達(dá)到保護(hù)后續(xù)光學(xué)器件的效果。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，電光晶體采用鈮鎂鈦酸 鉛電光晶體可使本發(fā)明的電光可變光衰減器具有微秒(μ s)級的響應(yīng)時間，同時器件的驅(qū) 動電壓可以下降至220V甚至更低，與常見的鈮酸鋰器件的IKV電壓相比，降低了五分之四， 可以大大降低能耗并簡化相應(yīng)驅(qū)動電路的設(shè)計。


圖1是本發(fā)明實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實施例1在OV及νπ/2電壓下的光路及光偏振態(tài)的變化示意圖；圖3是本發(fā)明實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實施例2在OV及νπ/2電壓下的光路及光偏振態(tài)的變化示意圖；圖5是本發(fā)明實施例3的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實施例3在OV及νπ/2電壓下的光路及光偏振態(tài)的變化示意圖；圖7是本發(fā)明實施例4的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明實施例4在OV及νπ/2電壓下的光路及光偏振態(tài)的變化示意圖；圖9是不同長寬比的電光晶體制作可變光衰減器的透過光強(qiáng)與電壓的函數(shù)關(guān)系 的曲線示意圖；圖10是不同長寬比電光晶體制作可變光衰減器的衰減量與電壓的函數(shù)關(guān)系的曲 線示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。通過電光可變光衰減器設(shè)計的原理可知，對于任意偏振態(tài)的線偏振光入射到各向 異性的電光晶體時都將分為ο光和e光，當(dāng)入射光的線偏振態(tài)與電光晶體中ο光和e光的 偏振態(tài)重合時，入射光將不分解，此時電光晶體無法起到位相延時器的作用，這樣造成電光 可變光衰減器具有很大的偏振相關(guān)性，同時由于電光晶體的自然雙折射，ο光和e光的光程 差也會帶來不同位相延時，其后果是造成可變光衰減器無法正常工作。實施例1請參見圖1所示的透射式常開型電光可變光衰減器包括1/2波片101、1/2波片 101的兩側(cè)對稱設(shè)有電光晶體102，電光晶體102的上、下表面均帶有金屬電極103，金屬電 極103的表面與電光晶體102的c軸(即電光晶體的光軸)相垂直，其中一電光晶體102 的外側(cè)設(shè)有偏振分束器104、另一電光晶體102的外側(cè)設(shè)有復(fù)合器105，復(fù)合器105與偏振 分束器104是兩塊完全一致的雙折射晶體，且復(fù)合器105的光軸放置方向與偏振分束器104 的光軸放置方向相同，雙折射晶體可以是釩酸釔等具有較大自然雙折射材料。偏振分束器 104以及復(fù)合器105的外側(cè)均設(shè)有相互平行的光纖準(zhǔn)直器106，與偏振分束器104相鄰的光纖準(zhǔn)直器106的入射光方向與偏振分束器104中ο光的方向在同一直線上，而與復(fù)合器105 相鄰的光纖準(zhǔn)直器106的出射光方向與偏振分束器104中e光的方向在同一直線上。金屬 電極103均與用于調(diào)節(jié)電場E方向的電信號調(diào)制器107相連接，偏振分束器104的入射光 線與偏振分束器104光軸在非共線情況下形成的平面和電光晶體102的入射光線(即經(jīng)過 偏振分束器104分束后的兩束相互平行的ο光和e光)與電光晶體102的c軸形成的平面 之間構(gòu)成夾角，夾角為(n/4+πιπ)，其中m為整數(shù)。波片101的光軸和電光晶體的c軸 方向相同。當(dāng)電光晶體102的c軸帶有極性且c軸的極性方向相反時，電光晶體102的電 場E方向相同。而當(dāng)電光晶體102的c軸帶有極性且c軸的極性方向相同時，電光晶體102 的電場E方向相反。通過在電光晶體102前面增加一偏振分束器104，保證任意偏振態(tài)的 入射光經(jīng)過偏振分束器104后，入射到電光晶體102的偏振光的偏振態(tài)與電光晶體102的 c軸的方向夾角為(η /4+m π )，m為整數(shù)，使得入射光在電光晶體102中分解為ο光和e光 時，其振幅完全相等，由此消除器件的偏振相關(guān)性及偏振模色散。通過使用兩塊完全一致的 電光晶體102，中間加一 1/2波片101這樣的結(jié)構(gòu)，其偏振態(tài)變化如圖2所示，通過1/2波片 101后，兩束光的偏振態(tài)均向同一方向旋轉(zhuǎn)90度，即兩束光的偏振態(tài)進(jìn)行了相互轉(zhuǎn)換，這樣 前后在兩塊電光晶體102的自然雙折射可以完全抵消，同時提高器件的溫度穩(wěn)定性。實施例2請參見圖3所示的透射式常關(guān)型電光可變光衰減器包括1/2波片201、電光晶體 202，金屬電極203，偏振分束器204、復(fù)合器205、光纖準(zhǔn)直器206以及電信號調(diào)制器207，其 結(jié)構(gòu)及工作原理基本與實施例1相同，但為了實現(xiàn)透射式常關(guān)型可變光衰減器，在復(fù)合器 205和與其相鄰的電光晶體202之間還設(shè)有一 1/2波片201，這樣可以保證在零電壓時后面 光路的光強(qiáng)為零，從而達(dá)到保護(hù)后續(xù)光學(xué)器件，其偏振態(tài)變化如圖4所示。實施例3請參見圖5所示的反射式常開型電光可變光衰減器包括可變光衰減器上半部分 以及下半部分，可變光衰減器上半部分依次設(shè)有光纖準(zhǔn)直器306、偏振分束器304、電光晶 體302以及1/4波片301、可變光衰減器下半部分與可變光衰減器上半部分對稱設(shè)有光纖準(zhǔn) 直器306、復(fù)合器305、電光晶體302以及1/4波片301，設(shè)于可變光衰減器上半部分的光纖 準(zhǔn)直器306以及設(shè)于可變光衰減器下半部分的光纖準(zhǔn)直器306可以由一個雙光纖準(zhǔn)直器代 替。偏振分束器304和復(fù)合器305可以是同一塊材料，也可以是兩塊完全相同的材料，這些 材料可以是釩酸釔等具有較大自然雙折射材料。偏振分束器304的光軸放置方向與復(fù)合器 305的光軸放置方向相同，設(shè)于可變光衰減器上半部分的1/4波片301以及設(shè)于可變光衰減 器下半部分的1/4波片301可以分開也可以為一體結(jié)構(gòu)。電光晶體302的上、下表面均帶有 金屬電極303，金屬電極303的表面與電光晶體302的c軸相垂直；電光晶體302的c軸均 帶有極性，且c軸的極性方向相同；設(shè)于可變光衰減器上半部分的電光晶體302的上表面的 金屬電極303與設(shè)于可變光衰減器下半部分的電光晶體302的下表面的金屬電極303由金 屬導(dǎo)線連接至用于調(diào)節(jié)電場E方向的電信號調(diào)制器307的一端，設(shè)于可變光衰減器上半部 分的電光晶體302的下表面的金屬電極303與設(shè)于可變光衰減器下半部分的電光晶體302 的上表面的金屬電極303相接觸，并接到電信號調(diào)制器307的另一端。上、下兩塊1/4波片 301的后側(cè)還設(shè)有用于將可變光衰減器上半部分的光線平行反射進(jìn)入可變光衰減器下半部 分的直角反射鏡308，偏振分束器304的入射光線與偏振分束器304的光軸在非共線情況下
7形成的平面和電光晶體302的入射光線(即經(jīng)過偏振分束器304分束后的兩束相互平行的 ο光和e光)與電光晶體302的c軸形成的平面之間構(gòu)成夾角，夾角為(π /4+πιπ )，其中m 為整數(shù)；1/4波片301的光軸和電光晶體的c軸方向相同。本實施例的工作原理基本與實 施例1基本相同，區(qū)別只是通過直角反射鏡308使光兩次通過1/4波片301，其效果與光通 過一次1/2波片的效果一致。使用反射式的結(jié)構(gòu)可使器件適用于某些入射和出射同側(cè)的場 合，同時令器件的結(jié)構(gòu)更加緊湊，這樣也顯示出透射式可變光衰減器的優(yōu)點。圖6為實施例 3相對應(yīng)的偏振態(tài)變化圖。實施例4請參見圖7所示的反射式常關(guān)型電光可變光衰減器包括1/4波片401、帶有金屬電 極403的電光晶體402、電偏振分束器404、復(fù)合器405、光纖準(zhǔn)直器406、電信號調(diào)制器407 以及直角反射鏡408，上述部件及工作原理基本與實施例1相同，但為了實現(xiàn)反射式常關(guān)型 可變光衰減器，在復(fù)合器405和與其相鄰的電光晶體402之間增加一塊1/2波片409，這樣 可以保證在零電壓時后面光路的光強(qiáng)為零，從而達(dá)到保護(hù)后續(xù)光學(xué)器件，圖8為實施例4相 對應(yīng)的偏振態(tài)變化圖。實施例1以及實施例3的常開型電光可變光衰減器，其透過率與電壓的函數(shù)關(guān)系 為
權(quán)利要求
1.一種電光可變光衰減器，其特征在于包括1/2波片、1/2波片的兩側(cè)對稱設(shè)有電光 晶體，電光晶體的上、下表面均帶有金屬電極，金屬電極的表面與電光晶體的c軸相垂直， 其中一電光晶體的外側(cè)設(shè)有偏振分束器、另一電光晶體的外側(cè)設(shè)有復(fù)合器；偏振分束器以 及復(fù)合器的外側(cè)均設(shè)有相互平行的光纖準(zhǔn)直器；金屬電極均與用于調(diào)節(jié)電場方向的電信號 調(diào)制器相連接，所述偏振分束器的入射光線與其光軸形成的平面和電光晶體的入射光線與 電光晶體的c軸形成的平面之間構(gòu)成夾角，所述夾角為(π /4+m π )，其中m為整數(shù)；所述 1/2波片的光軸和電光晶體的c軸方向相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述電光晶體采用鈮鎂鈦 酸鉛單晶，其分子結(jié)構(gòu)式為(1-χ) Pb (Mg1/3Nb2/3) TiO3-XPbTiO3,其中 χ 的取值范圍0. 35 彡 χ < 1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述χ的取值范圍 0. 35 彡 χ 彡 0. 38。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述電光晶體的c軸帶有 極性，且c軸的極性方向相反；所述電光晶體的電場方向相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述電光晶體的c軸帶有 極性，且c軸的極性方向相同；所述電光晶體的電場方向相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述復(fù)合器與偏振分束器 相同，且復(fù)合器的光軸方向與偏振分束器的光軸方向相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述與偏振分束器相鄰的 光纖準(zhǔn)直器的入射光方向與偏振分束器中ο光的方向在同一直線上，與復(fù)合器相鄰的光纖 準(zhǔn)直器的出射光方向與偏振分束器中e光的方向在同一直線上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述復(fù)合器和 與其相鄰的電光晶體之間還設(shè)有一 1/2波片。
9.一種電光可變光衰減器，其特征在于所述電光可變光衰減器包括可變光衰減器上 半部分以及下半部分，所述可變光衰減器上半部分依次設(shè)有光纖準(zhǔn)直器、偏振分束器、電光 晶體以及1/4波片、所述可變光衰減器下半部分與可變光衰減器上半部分對稱設(shè)有光纖準(zhǔn) 直器、復(fù)合器、電光晶體以及1/4波片，所述電光晶體的上、下表面均帶有金屬電極，金屬電 極的表面與電光晶體的c軸相垂直；所述電光晶體的c軸均帶有極性，且c軸的極性方向相 同；設(shè)于可變光衰減器上半部分的電光晶體的上表面的金屬電極與設(shè)于可變光衰減器下半 部分的電光晶體的下表面的金屬電極由金屬導(dǎo)線連接至用于調(diào)節(jié)電場方向的電信號調(diào)制 器的一端，設(shè)于可變光衰減器上半部分的電光晶體的下表面的金屬電極與設(shè)于可變光衰減 器下半部分的電光晶體的上表面的金屬電極相接觸，并接到電信號調(diào)制器的另一端；所述 1/4波片的后側(cè)還設(shè)有用于將可變光衰減器上半部分的光線平行反射進(jìn)入可變光衰減器下 半部分的直角反射鏡，所述偏振分束器的入射光線與其光軸形成的平面和電光晶體的入射 光線與其c軸形成的平面之間構(gòu)成夾角，所述夾角為(π /4+m π )，其中m為整數(shù)；所述1/4 波片的光軸和所述電光晶體的c軸方向相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述電光晶體采用鈮鎂鈦 酸鉛單晶，其分子結(jié)構(gòu)式為(1-χ) Pb (Mg1/3Nb2/3) TiO3-XPbTiO3,其中 χ 的取值范圍0. 35 彡 χ < 1。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述X的取值范圍 0. 35 彡 X 彡 0. 38。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述可變光衰減器上半部 分的光纖準(zhǔn)直器以及可變光衰減器下半部分的光纖準(zhǔn)直器為一雙光纖準(zhǔn)直器。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述偏振分束器與復(fù)合器 相同，所述偏振分束器與復(fù)合器采用一體或分體結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述可變光衰減器上半部 分的1/4波片以及可變光衰減器下半部分的1/4波片為一體結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9-14中任一項所述的電光可變光衰減器，其特征在于所述可變光 衰減器下半部分的電光晶體與復(fù)合器之間設(shè)有一 1/2波片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電光可變光衰減器，包括1/2波片或1/4波片、電光晶體、偏振分束器、復(fù)合器以及光纖準(zhǔn)直器。任意偏振入射的光經(jīng)由偏振分束器后分為兩束偏振互相垂直且具有不同路徑的光，這兩束光的偏振方向與電光晶體的c軸的夾角均為(π/4+mπ)，通過采用在兩塊相同的電光晶體中間加一塊1/2波片或二塊1/4波片的結(jié)構(gòu)，使得兩束光的偏振態(tài)均向同一方向旋轉(zhuǎn)90度，即兩束光的偏振態(tài)經(jīng)過波片后進(jìn)行了相互轉(zhuǎn)換，這樣在通過偏振分束器、復(fù)合器和兩個電光晶體后，兩束光的光程差為零，那么由偏振分束器、復(fù)合器、電光晶體自然雙折射引起的位相延時可以互相抵消，從而消除自然雙折射的影響，提高器件的穩(wěn)定性。
文檔編號G02F1/03GK102096206SQ20101061902
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者吳嘯, 徐海清, 李曉兵, 林彥霆, 林迪, 狄文寧, 王升, 羅豪甦, 趙祥永 申請人:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所