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      一種光纖熔接盤的制作方法

      文檔序號:2761585閱讀:241來源:國知局
      專利名稱:一種光纖熔接盤的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種光纖連接設(shè)備,具體涉及一種光纖熔接盤。
      背景技術(shù)
      光纖作為一種頻帶寬、容量大、損耗低、抗電磁干擾能力強(qiáng)的信號傳輸媒介,在網(wǎng) 絡(luò)通信中已得到廣泛運(yùn)用。光纖熔接盤是光網(wǎng)絡(luò)中對光纖與尾纖或光纖與光纖連接時進(jìn)行 熔接、并將多余長度的尾纖和光纖進(jìn)行盤存的設(shè)備。光纖熔接盤熔接光纖后插放在光纖架 內(nèi)的熔接盤支架上。申請利號為200310121641.4的中國專利申請公開了一種光纖熔接盤,如圖1所 示,該熔接盤包括盤體1、多芯熔接卡槽2和盤蓋3,盤體1內(nèi)側(cè)包括多個光纖保持夾11,盤 體1外側(cè)包括多個間隔交錯分布的正反爪鉤12、13,盤體側(cè)邊設(shè)置從盤外進(jìn)入盤內(nèi)的穿纖 口 14,多芯熔接卡槽2安裝在盤體1內(nèi),盤蓋3與盤體1正面卡接。上述光纖熔接盤存在如下缺陷1、盤體內(nèi)側(cè)僅沿內(nèi)側(cè)邊設(shè)置光纖保持夾,光纖(尾纖)進(jìn)入多芯熔接卡槽2前的 光纖段曲率半徑因操作差異性,不能得到可靠保證,甚至?xí)驗(yàn)椴僮鞑划?dāng),造成光纖段(尾 纖段)曲率半徑過小,導(dǎo)致光纖傳輸效率下降;2、盤體外側(cè)采用間隔交錯分布的正反爪鉤來固定盤繞在盤體外的光纖,盤繞在盤 體外側(cè)的光纖在盤體兩側(cè)均有外露,在操作中容易因操作不當(dāng)造成光纖受到意外損傷。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于,提供一種光纖熔接盤,克服現(xiàn)有光纖熔接盤 不能保證光纖在熔接盤內(nèi)進(jìn)入多芯熔接卡槽前的光纖段的曲率半徑、盤外盤繞的光纖容易 受到意外損傷的缺陷。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種光纖熔接盤,包括盤 體、多芯熔接卡槽,所述盤體包括底板、直立設(shè)置在該底板一側(cè)的環(huán)形盤邊、設(shè)置在該環(huán)形 盤邊上的穿纖口、間隔分布設(shè)置在該環(huán)形盤邊內(nèi)側(cè)的盤內(nèi)光纖保持夾、間隔分布設(shè)置在該 環(huán)形盤邊外側(cè)的盤外光纖保持夾,所述多芯熔接卡槽位于所述環(huán)形盤邊內(nèi)安裝在所述底板 上,其特征在于,所述底板包括位于所述環(huán)形盤邊外側(cè)的光纖擋邊,所述盤體包括光纖擋鉤 和熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu);所述光纖擋鉤與所述盤外光纖保持夾交錯設(shè)置并與所述環(huán)形盤邊相對間隔直立 連接在所述光纖擋邊上,每個所述光纖擋鉤包括直立連接邊和擋邊,該擋邊與所述光纖擋 邊相對間隔連接在所述直立連接邊上端,所述擋邊前端部的環(huán)形區(qū)域與所述盤外光纖保持 夾前端部的環(huán)形區(qū)域重疊;所述多芯熔接卡槽光纖熔接方向的橫向一端臨近所述環(huán)形盤邊的一邊內(nèi)側(cè),所述 熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)位于所述多芯熔接卡槽光纖熔接方向的橫向另一端與所述環(huán)形盤 邊另一邊內(nèi)側(cè)之間連接在所述底板上,所述熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)包括間隔設(shè)置并可沿所述多芯熔接卡槽光纖熔接方向滿足光纖繞纖要求曲率半徑進(jìn)行S形或反S形繞纖換向的第 一導(dǎo)向部分和第二導(dǎo)向部分。在本實(shí)用新型的光纖熔接盤中,所述第一導(dǎo)向部分和或第二導(dǎo)向部分包括滿足光 纖繞纖要求曲率半徑并連接在所述底板上的直立圓弧段和與所述底板相對間隔連接在該 直立圓弧段上端的光纖護(hù)邊。在本實(shí)用新型的光纖熔接盤中,所述直立圓弧段為一端、兩段或三段,每段所述直 立圓弧段上設(shè)置有所述光纖護(hù)邊。在本實(shí)用新型的光纖熔接盤中,所述光纖擋邊的外邊緣形狀為圓形。在本實(shí)用新型的光纖熔接盤中,所述底板包括與所述擋邊、所述盤外光纖保持夾、 所述盤內(nèi)光纖保持夾和所述光纖護(hù)邊一一對應(yīng)的注塑抽芯孔。在本實(shí)用新型的光纖熔接盤中,包括盤蓋,該盤蓋與所述盤體的環(huán)形盤邊內(nèi)側(cè)區(qū) 域相吻合,所述盤內(nèi)光纖保持夾的上表面與所述環(huán)形盤邊的上側(cè)保持一個所述盤蓋的厚 度,包括設(shè)置在所述盤內(nèi)光纖保持夾上側(cè)表面上的定位件,所述盤蓋包括與所述定位件形 狀、數(shù)量相同、位置對應(yīng)的定位孔或邊緣缺口。在本實(shí)用新型的光纖熔接盤中,所述盤蓋包括開蓋操作孔。實(shí)施本實(shí)用新型的光纖熔接盤,與現(xiàn)有技術(shù)比較,其有益效果是1.在光纖熔接盤的盤體內(nèi)設(shè)置熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu),對進(jìn)入多芯熔接卡槽熔接 的光纖段和尾纖段進(jìn)行可靠導(dǎo)向,保證其曲率半徑可靠滿足技術(shù)要求提高光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的信 號傳輸效率;2.在光纖熔接盤盤體的盤邊外側(cè)設(shè)置完整的光纖擋邊,在安裝、檢修等拿取、放置 操作中,可以該光纖擋邊作為保護(hù)邊,提高對盤繞在盤邊外側(cè)的光纖的保護(hù)。

      下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明,附圖中圖1是現(xiàn)有光纖熔接盤的分解立體圖。圖2是本實(shí)用新型光纖熔接盤一種實(shí)施例的主視圖。圖3是本實(shí)用新型光纖熔接盤圖2實(shí)施例中盤蓋的主視圖。圖4是本實(shí)用新型光纖熔接盤圖2實(shí)施例去掉盤蓋的立體圖。
      具體實(shí)施方式
      如圖2至圖4所示,本實(shí)用新型的光纖熔接盤包括盤體10、多芯熔接卡槽20和盤 蓋30 ο盤體10包括底板100、直立設(shè)置在底板100 —側(cè)的環(huán)形盤邊120、設(shè)置在環(huán)形盤邊 120上的穿纖口 108、間隔分布設(shè)置在環(huán)形盤邊120內(nèi)側(cè)的盤內(nèi)光纖保持夾104、間隔分布設(shè) 置在環(huán)形盤邊120外側(cè)的盤外光纖保持夾102、光纖擋鉤101和熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)。底板100包括位于環(huán)形盤邊120外側(cè)的光纖擋邊110。在本實(shí)施例中,光纖擋邊的 外邊緣形狀采用圓形,便于操作放置光纖熔接盤。在其他實(shí)施例中,根據(jù)需要,光纖擋邊的 外邊緣形狀采用橢圓形、方形、多邊形等,均能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明目的。多芯熔接卡槽20位于盤體10的環(huán)形盤邊120內(nèi)安裝底板100上。在本實(shí)施例中,多芯熔接卡槽20是通過設(shè)置在底板100上的凸耳卡接扣107與設(shè)置在多芯熔接卡槽20上 的對應(yīng)凸耳卡接配合連接在底板100上的。在其他實(shí)施例中,多芯熔接卡槽20可以通過其 他方式連接在底板100上,如采用螺釘連接在底板100上等。光纖擋鉤101與盤外光纖保持夾102交錯設(shè)置并與環(huán)形盤邊120相對間隔直立連 接在光纖擋邊110上。每個光纖擋鉤101包括直立連接邊IOla和擋邊101b,擋邊IOlb與 光纖擋邊110相對間隔連接在直立連接邊IOla上端,擋邊IOla前端部的環(huán)形區(qū)域與盤外 光纖保持夾102前端部的環(huán)形區(qū)域重疊,以防止盤繞在環(huán)形盤邊120外側(cè)的光纖從光纖擋 鉤101和盤外光纖保持夾102散脫出來。多芯熔接卡槽20以其光纖熔接方向的橫向一端臨近環(huán)形盤邊120的一邊內(nèi)側(cè),熔 接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)位于多芯熔接卡槽20光纖熔接方向的橫向另一端與環(huán)形盤邊120另 一邊內(nèi)側(cè)之間連接在底板100上。熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)包括兩個導(dǎo)向部分,該兩個導(dǎo)向部分間隔設(shè)置并可沿多芯 熔接卡槽20的光纖熔接方向滿足光纖繞纖要求曲率半徑進(jìn)行S形或反S形繞纖換向。如圖4所示,當(dāng)光纖、尾纖沿逆時針在環(huán)形盤邊120外側(cè)繞纖后從穿纖口 108進(jìn)入 環(huán)形盤邊120內(nèi)側(cè),繼續(xù)沿逆時針沿環(huán)形盤邊120內(nèi)側(cè)繞纖,繞回來的光纖(或尾纖)經(jīng)右 側(cè)的導(dǎo)向部分105導(dǎo)向到多芯熔接卡槽20的右側(cè),繞回來的尾纖(或光纖)經(jīng)右側(cè)的導(dǎo)向 部分105導(dǎo)向后再進(jìn)入左側(cè)的導(dǎo)向部分109呈S形繞纖導(dǎo)向后到多芯熔接卡槽20的左側(cè), 左右兩側(cè)的光纖、尾纖在多芯熔接卡槽20中進(jìn)行熔接定位。當(dāng)光纖、尾纖沿順時針在環(huán)形 盤邊120外側(cè)繞纖后從穿纖口 108進(jìn)入環(huán)形盤邊120內(nèi)側(cè),繼續(xù)沿順時針沿環(huán)形盤邊120內(nèi) 側(cè)繞纖,繞回來的光纖(或尾纖)經(jīng)左側(cè)的導(dǎo)向部分109導(dǎo)向到多芯熔接卡槽20的左側(cè), 繞回來的尾纖(或光纖)經(jīng)左側(cè)的導(dǎo)向部分109導(dǎo)向后再進(jìn)入右側(cè)的導(dǎo)向部分105呈反S 形繞纖導(dǎo)向后到多芯熔接卡槽20的右側(cè),左右兩側(cè)的光纖、尾纖在多芯熔接卡槽20中進(jìn)行 熔接定位。上述的左側(cè)導(dǎo)向部分109、右側(cè)導(dǎo)向部分105可以采用如下結(jié)構(gòu)每個導(dǎo)向部分包 括滿足光纖繞纖要求曲率半徑的直立圓弧段和與底板100相對間隔連接在該直立圓弧段 上端的光纖護(hù)邊106,直立圓弧段連接在底板100上。在本實(shí)施例中,每個導(dǎo)向部分的直立 圓弧段采用兩段,每段直立圓弧段上設(shè)置有光纖護(hù)邊106。在其他實(shí)施例中,直立圓弧段可 以采用一端、三段或多段,每段直立圓弧段上設(shè)置有光纖護(hù)邊106。上述的左側(cè)導(dǎo)向部分109、右側(cè)導(dǎo)向部分105也可以采用如下結(jié)構(gòu)每個導(dǎo)向部分 包括滿足光纖繞纖要求曲率半徑的繞纖圓弧部分,該繞纖圓弧部分上部為鉤形、下部連接 在底板100上,每個導(dǎo)向部分的繞纖圓弧部分可以采用一端、兩段、三段或多段。上述的左側(cè)導(dǎo)向部分109、右側(cè)導(dǎo)向部分105還可以采用其他纏繞導(dǎo)向結(jié)構(gòu)。上述的左側(cè)導(dǎo)向部分109和右側(cè)導(dǎo)向部分105可以同時或分別采用上述纏繞導(dǎo)向 結(jié)構(gòu),均能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明目的。本實(shí)用新型的光纖熔接盤可以采用注塑成型或組焊成型獲得。當(dāng)采用注塑成型制 造光纖熔接盤時,在底板100上設(shè)置分別與擋邊101b、盤外光纖保持夾102、盤內(nèi)光纖保持 夾104和光纖護(hù)邊106等一一對應(yīng)的注塑抽芯孔。為了保護(hù)光纖熔接盤內(nèi)部的光纖熔接部分,設(shè)置盤蓋30。盤蓋30與盤體10的環(huán) 形盤邊120的內(nèi)側(cè)區(qū)域相吻合,盤內(nèi)光纖保持夾104的上表面與環(huán)形盤邊120的上側(cè)設(shè)置一個盤蓋30的厚度,使盤蓋30與盤體10配合后與盤體10的環(huán)形盤邊120高度一致。在 盤內(nèi)光纖保持夾104上側(cè)表面上設(shè)置定位件103 (可以是連接在環(huán)形盤邊120內(nèi)側(cè)的定位 凸起、或設(shè)置在盤內(nèi)光纖保持夾104上側(cè)表面上的定位柱等),在盤蓋30上對應(yīng)設(shè)置與定位 件103形狀、數(shù)量相同、位置對應(yīng)的定位孔或邊緣缺口 32。為方便盤蓋操作,在盤蓋30上設(shè)置開蓋操作孔31,開蓋操作孔31的數(shù)量可以是一 個、兩個、三個等。在其他實(shí)施例中,不設(shè)置開蓋操作孔31,不影響本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)。
      權(quán)利要求一種光纖熔接盤,包括盤體、多芯熔接卡槽,所述盤體包括底板、直立設(shè)置在該底板一側(cè)的環(huán)形盤邊、設(shè)置在該環(huán)形盤邊上的穿纖口、間隔分布設(shè)置在該環(huán)形盤邊內(nèi)側(cè)的盤內(nèi)光纖保持夾、間隔分布設(shè)置在該環(huán)形盤邊外側(cè)的盤外光纖保持夾,所述多芯熔接卡槽位于所述環(huán)形盤邊內(nèi)安裝在所述底板上,其特征在于,所述底板包括位于所述環(huán)形盤邊外側(cè)的光纖擋邊,所述盤體包括光纖擋鉤和熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu);所述光纖擋鉤與所述盤外光纖保持夾交錯設(shè)置并與所述環(huán)形盤邊相對間隔直立連接在所述光纖擋邊上,每個所述光纖擋鉤包括直立連接邊和擋邊,該擋邊與所述光纖擋邊相對間隔連接在所述直立連接邊上端,所述擋邊前端部的環(huán)形區(qū)域與所述盤外光纖保持夾前端部的環(huán)形區(qū)域重疊;所述多芯熔接卡槽光纖熔接方向的橫向一端臨近所述環(huán)形盤邊的一邊內(nèi)側(cè),所述熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)位于所述多芯熔接卡槽光纖熔接方向的橫向另一端與所述環(huán)形盤邊另一邊內(nèi)側(cè)之間連接在所述底板上,所述熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)包括間隔設(shè)置并可沿所述多芯熔接卡槽光纖熔接方向滿足光纖繞纖要求曲率半徑進(jìn)行S形或反S形繞纖換向的第一導(dǎo)向部分和第二導(dǎo)向部分。
      2.如權(quán)利要求1所述的光纖熔接盤,其特征在于所述第一導(dǎo)向部分和或第二導(dǎo)向部 分包括滿足光纖繞纖要求曲率半徑并連接在所述底板上的直立圓弧段和與所述底板相對 間隔連接在該直立圓弧段上端的光纖護(hù)邊。
      3.如權(quán)利要求2所述的光纖熔接盤,其特征在于所述直立圓弧段為一端、兩段或三 段,每段所述直立圓弧段上設(shè)置有所述光纖護(hù)邊。
      4.如權(quán)利要求1所述的光纖熔接盤,其特征在于所述光纖擋邊的外邊緣形狀為圓形。
      5.如權(quán)利要求1至4之一所述的光纖熔接盤,其特征在于所述底板包括與所述擋邊、 所述盤外光纖保持夾、所述盤內(nèi)光纖保持夾和所述光纖護(hù)邊一一對應(yīng)的注塑抽芯孔。
      6.如權(quán)利要求1至4之一所述的光纖熔接盤,其特征在于包括盤蓋,該盤蓋與所述盤 體的環(huán)形盤邊內(nèi)側(cè)區(qū)域相吻合,所述盤內(nèi)光纖保持夾的上表面與所述環(huán)形盤邊的上側(cè)保持 一個所述盤蓋的厚度,包括設(shè)置在所述盤內(nèi)光纖保持夾上側(cè)表面上的定位件,所述盤蓋包 括與所述定位件形狀、數(shù)量相同、位置對應(yīng)的定位孔或邊緣缺口。
      7.如權(quán)利要求6所述的光纖熔接盤,其特征在于所述盤蓋包括開蓋操作孔。
      專利摘要一種光纖熔接盤,包括盤體、多芯熔接卡槽,盤體包括底板、環(huán)形盤邊、穿纖口、盤內(nèi)光纖保持夾、盤外光纖保持夾,光纖擋鉤和熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu);多芯熔接卡槽位于環(huán)形盤邊內(nèi)安裝在底板上,底板包括位于環(huán)形盤邊外側(cè)的光纖擋邊;光纖擋鉤與盤外光纖保持夾交錯設(shè)置直立連接在光纖擋邊上,每個光纖擋鉤包括直立連接邊連接在其上端的擋邊,擋邊前端部環(huán)形區(qū)域與盤外光纖保持夾前端部環(huán)形區(qū)域重疊;熔接卡槽導(dǎo)向護(hù)纖結(jié)構(gòu)連接在多芯熔接卡槽一端前部的底板上,包括沿光纖熔接方向間隔設(shè)置可進(jìn)行S形或反S形繞纖的第一、第二導(dǎo)向部分。本實(shí)用新型對多芯熔接卡槽熔接的光纖段和尾纖段可靠導(dǎo)向,保護(hù)盤邊纏繞光纖,保證光纖曲率半徑、提高信號傳輸效率。
      文檔編號G02B6/44GK201773202SQ20102023300
      公開日2011年3月23日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
      發(fā)明者歐陽星濤, 王青 申請人:深圳市科信通信設(shè)備有限公司
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