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      電濕潤顯示單元的制作方法

      文檔序號:2789404閱讀:151來源:國知局
      專利名稱:電濕潤顯示單元的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種顯示元件,尤其涉及一種電濕潤顯示單元。
      背景技術(shù)
      隨著科技的發(fā)展與進(jìn)步,電濕潤(electrowetting)現(xiàn)象的機(jī)制已被了解。電濕潤現(xiàn)象主要是利用兩種液體之間的所施加電壓改變時,表面張力也隨之改變的特性,從而導(dǎo)致液體移動以達(dá)到所需的液體分布狀態(tài)。電濕潤技術(shù)可以在相同的空間之下使兩種不同顏色的液體以不同的方式分布,因而可以應(yīng)用于顯示器中。詳言之,電濕潤顯示單元中具有疏水層,而兩種液體可以分別為顏色不同的油以及水。在電濕潤顯示單元被施予電壓時,疏水層的表面產(chǎn)生電荷分布,此時疏水層對于水的親和力大于油的親和力,因此水會將原本疏水層上的油擠開進(jìn)而占據(jù)油原本的位置,如此的作動而使水與油的分布面積改變來達(dá)到顯示的效果。然而,疏水層的疏水性減弱時,水直接接觸疏水層的面積大幅增加,而可能產(chǎn)生滲漏。如此一來,疏水層底下的元件將受到損害,而使得電濕潤顯示單元的信賴性不佳。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種電濕潤顯示單元,具有良好的信賴性。本發(fā)明提出一種電濕潤顯示單元,包括一第一基板、一第二基板、一擋墻、一電濕潤顯示介質(zhì)、一畫素電極、一對向電極、一疏水層以及多層絕緣結(jié)構(gòu)。第二基板與第一基板相對。擋墻配置于第一基板與第二基板之間。電濕潤顯示介質(zhì)由擋墻、第一基板與第二基板所包圍。畫素電極配置于第二基板與電濕潤顯示介質(zhì)之間。對向電極配置于第一基板與電濕潤顯示介質(zhì)之間。疏水層配置于畫素電極與電濕潤顯示介質(zhì)之間。多層絕緣結(jié)構(gòu)配置于畫素電極以及疏水層之間,其中多層絕緣結(jié)構(gòu)包括至少一第一原子層沉積層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一原子層沉積層的厚度介于IOnm至30nm之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一原子層沉積層的厚度大于30nm。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的電濕潤顯示單元還包括一第二原子層沉積層,配置于電濕潤顯示介質(zhì)與對向電極之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一原子層沉積層的數(shù)量為多層。此外,第一原子層沉積層的材質(zhì)可以不同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的多層絕緣結(jié)構(gòu)還包括一絕緣層。絕緣層的材質(zhì)包括氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、鋇鈦氧化物(BaTiO3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)或氮化硅(Si3N4)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一原子層沉積層的材質(zhì)包括氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、鋇鈦氧化物(BaTiO3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Tii2O5)或氮化硅(Si3N4)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一原子層沉積層緊鄰疏水層。
      在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一原子層沉積層緊鄰畫素電極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的電濕潤顯示介質(zhì)包括一第一顯示溶液以及一第二顯示溶液,且第一顯示溶液與第二顯示溶液互不相溶?;谏鲜?,本發(fā)明采用多個絕緣層配置于電濕潤顯示單元的顯示介質(zhì)與畫素電極之間,且這些絕緣層中至少一者為原子層沉積層。由于原子層沉積層相較于一般沉積方式(如化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)或是物理氣相沉積法physicalVapor Deposition,PVD))所形成的絕緣層較為致密,本發(fā)明的電濕潤顯示單元不容易發(fā)生顯示介質(zhì)滲漏的現(xiàn)象,并且外界的水汽也不容易進(jìn)入顯示介質(zhì)中。因此,本發(fā)明的電濕潤顯示介質(zhì)具有理想的信賴性。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


      圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。
      圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。
      圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。
      圖4為本發(fā)明第四實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。
      主要元件符號說明
      100、200、300、400 電濕潤顯示單元
      110第一基板
      120第二基板
      130擋墻
      140電濕潤顯示介質(zhì)
      142第一顯示溶液
      144第二顯示溶液
      150畫素電極
      160對向電極
      170疏水層
      180,380 多層絕緣結(jié)構(gòu)
      182、382、490 原子層沉積層
      184,384 絕緣層
      具體實(shí)施例方式
      圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。請參照圖1,電濕潤顯示單元100包括一第一基板110、一第二基板120、一擋墻130、一電濕潤顯示介質(zhì)140、一畫素電極150、一對向電極160、一疏水層170以及一多層絕緣結(jié)構(gòu)180。第二基板120與第一基板110相對。擋墻130配置于第一基板110與第二基板120之間。電濕潤顯示介質(zhì)140由擋墻130、第一基板110與第二基板120所包圍。畫素電極150配置于第二基板120與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。對向電極160配置于第一基板110與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。疏水層170配置于畫素電極150與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。多層絕緣結(jié)構(gòu)180配置于畫素電極150以及疏水層170之間。在本實(shí)施例中,第一基板110與第二基板120的材質(zhì)可以是玻璃、聚對苯二甲酸乙酯(polyethylene ter印hthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚砜(polyethersulfone, PES")、聚酰亞胺(polyimide, PI)、或是聚甲基丙烯酸酯(polymethyl methacrylate, PMMA)等。擋墻 130的材質(zhì)則可以是光阻,例如壓克力系、硅膠、環(huán)氧樹脂或是聚酰亞胺光阻。電濕潤顯示介質(zhì)140包括一第一顯示溶液142以及一第二顯示溶液144,且第一顯示溶液142與第二顯示溶液144互不相溶。第一顯示溶液142例如是呈現(xiàn)特定顏色的油墨,而第二顯示溶液144例如是水或是水溶液。另外,畫素電極150與對向電極160的材質(zhì)可以是金屬、金屬氧化物或是導(dǎo)電高分子材料等。疏水層170的材質(zhì)可以是無機(jī)疏水材料,例如無機(jī)碳化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物等,或是有機(jī)疏水材料,例如氟系材料或是硅膠等。另外,多層絕緣結(jié)構(gòu)180包括一原子層沉積層182以及一絕緣層184,且原子層沉積層182與絕緣層184都可以提供絕緣作用。絕緣層184可以是采用CVD或是PVD法制作而成的絕緣膜層。絕緣層184的材質(zhì)包括氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、鋇鈦氧化物(BaTiO3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氮化硅(Si3N4)等。原子層沉積層182是利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)制作而成的膜層,其材質(zhì)可以是氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、二氧化鈦(Ti02)、鋇鈦氧化物(BaTiO3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Τ 05)、氮化硅(Si3N4)等。在本實(shí)施例中,原子層沉積層182的厚度可以介于IOnm至30nm之間,或是大于30nm,而絕緣層184的厚度可以是150nm。并且,原子層沉積層182在本實(shí)施例是以配置于絕緣層184與疏水層170之間,也就是原子層沉積層182緊鄰疏水層170,的方式來說明,但本發(fā)明不以此為限。以電濕潤顯示單元100而言,疏水層170會受到畫素電極150與對向電極160的極性所影響而呈現(xiàn)不同程度的疏水性質(zhì)。在疏水層170具備較高的疏水特性時,第一顯示溶液142較容易散布于疏水層170上,而呈現(xiàn)較大的顯示面積。疏水層170具備較低的疏水特性時,第一顯示溶液142不容易散布于疏水層170上,而呈現(xiàn)較小的顯示面積。借著這樣的現(xiàn)象,電濕潤顯示單元100可以表現(xiàn)不同的灰階而呈現(xiàn)出所欲顯示的影像。值得一提的是,電濕潤顯示介質(zhì)140為液體,其容易發(fā)生滲漏的現(xiàn)象,特別是第二顯示溶液144的滲漏情形更為嚴(yán)重。當(dāng)電濕潤顯示介質(zhì)140滲透底下的膜層(即稱為電擊穿現(xiàn)象),畫素電極150可能會被滲漏的液體氧化或是腐蝕,而使電濕潤顯示單元100的信賴性不佳。因此,本實(shí)施例除了絕緣層184外,還設(shè)置了至少一層原子層沉積層182,以使多層絕緣結(jié)構(gòu)180提供更優(yōu)越的隔絕作用。詳言之,原子層沉積法所制作的膜層一般具備了高致密度的特性。因此,原子層沉積層182相較于一般CVD或是PVD法所制作的膜層具備更好的隔絕作用。因此,本實(shí)施例采用至少一層原子層沉積層182配置于畫素電極150與電濕潤顯示介質(zhì)140之間可以更有效地防止電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生。舉例而言,原子層沉積法制作而成的薄膜與PVD法制作而成的薄膜差異性可以依照以下方式來辨別。將兩種沉積于基板上的薄膜同時靜置于水中一段時間后,再進(jìn)行分光光譜儀的分析。由于水的滲入會改變薄膜的光學(xué)折射率,而在分光光譜儀的數(shù)據(jù)上顯現(xiàn)出頻譜的位移(shift)。因此測試者可以藉由頻譜的位移狀態(tài)來判定水對于不同薄膜的滲入情形。原子層沉積法制作而成的薄膜致密性較一般CVD或是PVD方式為佳,水滲入薄膜內(nèi)部的量相對較少。所以,原子層沉積法制作而成的薄膜頻譜位移量相對較少,可藉由位移的變化量得知薄膜的致密性。另外,測試者可以使用掃描式電子顯微鏡附加能量散射光譜儀(SEM-EDQ分析原子層沉積法制作而成的薄膜與PVD法制作而成的薄膜的差異,其中PVD法制作而成的薄膜可以測得氬(Ar)的信號,而原子層沉積法制作而成的薄膜不會。在其他測試方式中,測試者可以采用傅立葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀(FTIR)來測試原子層沉積法制作而成的薄膜與CVD法制作而成的薄膜,其中CVD法制作而成的薄膜可測得Si-H鍵結(jié)的信號,而原子層沉積法制作而成的薄膜不會。整體而言,多層絕緣結(jié)構(gòu)180中是否存在有至少一層原子層沉積層182可以經(jīng)由以上所描述的測試結(jié)果得知。在此可更進(jìn)一步說明,原子層沉積層182相較于其他CVD或是PVD沉積法制作而成的膜層具有較高的致密度。因此,多層絕緣結(jié)構(gòu)180可以具有良好的阻絕特性,不易令電濕潤顯示介質(zhì)140滲透,而有效地防止電擊穿的現(xiàn)象。圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。請參照圖2,電濕潤顯示單元200實(shí)質(zhì)上與第一實(shí)施例的電濕潤顯示單元100的組成構(gòu)件相同,因此,兩實(shí)施例中相同的構(gòu)件都以相同的元件符號標(biāo)示。具體而言,本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于,本實(shí)施例的原子層沉積層182是緊鄰于畫素電極150。也就是說,本實(shí)施例的原子層沉積層182與絕緣層184的配置順序不同于第一實(shí)施例的描述。圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。請參照圖3,電濕潤顯示單元300包括一第一基板110、一第二基板120、一擋墻130、一電濕潤顯示介質(zhì)140、一畫素電極150、一對向電極160、一疏水層170以及一多層絕緣結(jié)構(gòu)380。第二基板120與第一基板110相對。擋墻130配置于第一基板110與第二基板120之間。電濕潤顯示介質(zhì)140由擋墻130、第一基板110與第二基板120所包圍。畫素電極150配置于第二基板120與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。對向電極160配置于第一基板110與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。疏水層170配置于畫素電極150與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。多層絕緣結(jié)構(gòu)380配置于畫素電極150以及疏水層170之間。在本實(shí)施例中,多層絕緣結(jié)構(gòu)380包括了兩層原子層沉積層382以及一絕緣層384,其中絕緣層384夾于兩原子層沉積層382之間。兩原子層沉積層382都具備有致密的結(jié)構(gòu),所以可以提供電濕潤顯示單元300理想的阻絕作用。因此,電濕潤顯示單元300不易發(fā)生電擊穿的現(xiàn)象,而具有理想的信賴性。本實(shí)施例的兩原子層沉積層382可以具有相同的材質(zhì)或是不同的材質(zhì)。并且,在其他的實(shí)施方式中,兩原子層沉積層382可以緊鄰地堆疊在一起,而絕緣層384則位在兩原子層沉積層382的一側(cè)。具體而言,在其他的實(shí)施方式中,兩原子層沉積層382與絕緣層384可以依序由畫素電極150朝向疏水層170的依序方向堆疊,或是由疏水層170朝向畫素電極150的依序方向堆疊。在一實(shí)際的試驗(yàn)中,6寸的電濕潤顯示單元300可以持續(xù)點(diǎn)亮至少480小時,仍無電擊穿現(xiàn)象發(fā)生。不過,相同尺寸設(shè)計之下的另一電濕潤顯示單元(未示出),其僅以CVD法所制作的氧化硅層與氮化硅層構(gòu)成的多層絕緣結(jié)構(gòu)作為電極與顯示介質(zhì)之間的隔絕結(jié)構(gòu),在持續(xù)點(diǎn)亮6小時候就發(fā)生的顯示影像斷線的現(xiàn)象(也就是發(fā)生電擊穿)。由此可知,本實(shí)施例的電濕潤顯示單元300確實(shí)地具有較佳的信賴性以及較長的使用壽命。圖4為本發(fā)明第四實(shí)施例的電濕潤顯示單元的示意圖。請參照圖4,電濕潤顯示單元400包括一第一基板110、一第二基板120、一擋墻130、一電濕潤顯示介質(zhì)140、一畫素電極150、一對向電極160、一疏水層170、一多層絕緣結(jié)構(gòu)180及一原子層沉積層490。具體而言,本實(shí)施例的電濕潤顯示單元400除了第一實(shí)施例的電濕潤顯示單元100所具備的構(gòu)件之外,還設(shè)置有一層原子層沉積層490,其配置于對向電極160與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。因此,本實(shí)施例與第一實(shí)施例中相同的構(gòu)件都以相同的元件符號標(biāo)示,而不另贅述。如此一來,對向電極160可以在原子層沉積層490的配置及保護(hù)下,而不容易被滲漏的電濕潤顯示介質(zhì)140氧化或是腐蝕。在本實(shí)施例中,原子層沉積層490以單一膜層為例,不過在其他的實(shí)施例中,可以設(shè)置多層原子層沉積層490于對向電極160與電濕潤顯示介質(zhì)140之間。或是,其他的實(shí)施例可以在原子層沉積層490上還設(shè)置一絕緣層(未示出)。另外,本實(shí)施例的多層絕緣結(jié)構(gòu)180是以第一實(shí)施例相同為例,在其他的實(shí)施例中多層絕緣結(jié)構(gòu)180可以被第二實(shí)施例或是第三實(shí)施例的多層絕緣結(jié)構(gòu)所取代。換言之,本實(shí)施例并不限定多層絕緣結(jié)構(gòu)180的膜層數(shù)量以及堆疊順序。綜上所述,本發(fā)明以包含至少一層原子層沉積層的多層絕緣結(jié)構(gòu)配置于電濕潤顯示介質(zhì)與電極之間。相較于一般沉積方式(如CVD、PVD)所形成的絕緣層具有較致密的特性,借著原子層沉積層的致密特性提供理想的阻絕效果,因而電濕潤顯示單元不容易發(fā)生電擊穿的現(xiàn)象,也就是說電濕潤顯示介質(zhì)不容易滲透出來而將電極腐蝕或是氧化。同時,電濕潤顯示單元的信賴性也可以大幅提升。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員,可作些許的更動與潤飾,而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
      權(quán)利要求
      1.一種電濕潤顯示單元,包括一第一基板;一第二基板,與該第一基板相對;一擋墻,配置于該第一基板與該第二基板之間;一電濕潤顯示介質(zhì),由該擋墻、該第一基板與該第二基板所包圍;一畫素電極,配置于該第二基板與該電濕潤顯示介質(zhì)之間;一對向電極,配置于該第一基板與該電濕潤顯示介質(zhì)之間;一疏水層,配置于該畫素電極與該電濕潤顯示介質(zhì)之間;以及一多層絕緣結(jié)構(gòu),配置于該畫素電極以及該疏水層之間,其中該多層絕緣結(jié)構(gòu)包括至少一第一原子層沉積層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該第一原子層沉積層的厚度介于IOnm至30nm之間。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該第一原子層沉積層的厚度大于30nmo
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中還包括一第二原子層沉積層,配置于該電濕潤顯示介質(zhì)與該對向電極之間。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該第一原子層沉積層的數(shù)量為多層。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電濕潤顯示單元,其中該些第一原子層沉積層的材質(zhì)不同。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該多層絕緣結(jié)構(gòu)還包括一絕緣層。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電濕潤顯示單元,其中該絕緣層的材質(zhì)包括氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、鋇鈦氧化物(BaTiO3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Tii2O5)或氮化硅(Si3N4)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該第一原子層沉積層的材質(zhì)包括氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、鋇鈦氧化物(BaTiO3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)或氮化硅(Si3N4)。
      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該第一原子層沉積層緊鄰該疏水層。
      11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該第一原子層沉積層緊鄰該畫素電極。
      12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電濕潤顯示單元,其中該電濕潤顯示介質(zhì)包括一第一顯示溶液以及一第二顯示溶液,且該第一顯示溶液與該第二顯示溶液互不相溶。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種電濕潤顯示單元,包括一第一基板、一第二基板、一擋墻、一電濕潤顯示介質(zhì)、一畫素電極、一對向電極、一疏水層以及一多層絕緣結(jié)構(gòu)。第二基板與第一基板相對。擋墻配置于第一基板與第二基板之間。電濕潤顯示介質(zhì)由擋墻、第一基板與第二基板所包圍。畫素電極配置于第二基板與電濕潤顯示介質(zhì)之間。對向電極配置于第一基板與電濕潤顯示介質(zhì)之間。疏水層配置于畫素電極與電濕潤顯示介質(zhì)之間。多層絕緣結(jié)構(gòu)配置于畫素電極以及疏水層之間,其中多層絕緣結(jié)構(gòu)包括至少一第一原子層沉積層。
      文檔編號G02B26/02GK102591006SQ201110009920
      公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
      發(fā)明者周承毅, 張劭儒, 張恒毅, 洪鉦杰, 王志源, 陳君維 申請人:勝華科技股份有限公司
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